JPS6374911A - 微細球状シリカの製造法 - Google Patents
微細球状シリカの製造法Info
- Publication number
- JPS6374911A JPS6374911A JP61221569A JP22156986A JPS6374911A JP S6374911 A JPS6374911 A JP S6374911A JP 61221569 A JP61221569 A JP 61221569A JP 22156986 A JP22156986 A JP 22156986A JP S6374911 A JPS6374911 A JP S6374911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- silica
- alkoxysilane
- spherical silica
- fine spherical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 106
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/141—Preparation of hydrosols or aqueous dispersions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/14—Colloidal silica, e.g. dispersions, gels, sols
- C01B33/145—Preparation of hydroorganosols, organosols or dispersions in an organic medium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細球状シリカの製造法に関し、特に、粒径
10Qn+n以下で不純物含有量が極めて少ない微細球
状シリカの製造法に関する。 (従来の技術〕 従来、微細球状シリカの製法としては、■ 5iC14
,C1bSiC13,Cl13Si(OCR*) !+
st (OCH3) 4+Si (OC2H5)
a等のシラン化合物の火災加水分解あるいは燃焼酸化に
よる方法、 ■ ケイ酸ソーダ水溶液をイオン交換することで超微粒
コロイダルシリカを合成し、その後オストワルド成長さ
せる方法、および ■ 5i(OCH8) 4.Si (OCJs) a等
のアルコキシシランを酸あるいはアルカリの触媒の存在
下、水−アルコール混合溶媒中、常温で湿式加水分解す
る方法((Journal of Co1)oid a
nd InterfaceScience、 26.6
2〜69(’6B)、日本化学会誌
10Qn+n以下で不純物含有量が極めて少ない微細球
状シリカの製造法に関する。 (従来の技術〕 従来、微細球状シリカの製法としては、■ 5iC14
,C1bSiC13,Cl13Si(OCR*) !+
st (OCH3) 4+Si (OC2H5)
a等のシラン化合物の火災加水分解あるいは燃焼酸化に
よる方法、 ■ ケイ酸ソーダ水溶液をイオン交換することで超微粒
コロイダルシリカを合成し、その後オストワルド成長さ
せる方法、および ■ 5i(OCH8) 4.Si (OCJs) a等
のアルコキシシランを酸あるいはアルカリの触媒の存在
下、水−アルコール混合溶媒中、常温で湿式加水分解す
る方法((Journal of Co1)oid a
nd InterfaceScience、 26.6
2〜69(’6B)、日本化学会誌
〔9〕1503〜1
505 (’ 81) 、 鹿児島大学工学部研究報
告(24) 1)5〜122 (’ 82)及び同誌
(26) 53〜59(’84) )が知られている。 しかし、■の方法でつくられるシリカの粒径は200〜
500nmと、■の方法でつくられるシリカに比べ10
倍以上大きい。又、気相合成法であるので、シリカの捕
収効率が高々50%位と低く、生産性が低い。その上、
火災中での粒子同士の会合が生じ、粒径のそろった粒子
が各々遊離して存在する所謂単分散球状シリカが得られ
難い、■の方法では、水中に単分散した状態で粒径が1
0〜20nmの極めて微細なシリカが得られる。しかし
、ケイ酸ソーダを原料とするために、H型のイオン交換
樹脂を用いたり、又粒径1nm以下の核となるケイ酸か
ら10no+までの粒子成長を行なうなど製法が繁雑で
生産性が低い。最終的に得られるシリカの形態としては
水に単分散したものとなるが、その中には原料ケイ酸ソ
ーダからのNaや途中の工程でpH1J1整用に加える
酸根のCIやSO4、その他AIなどが不純物として1
0〜1)000pp含まれることは避は難り、電子材料
の用途には満足できるものではない0例えば、この製法
で得られるコロイダルシリカの一用途に、従来より半導
体用のシリコンウェハあるいはGaAs、 GdGaガ
ーネット等の化合物半導体ウェハの研摩剤があるが、集
積化が進むにつれてコロイダルシリカ中のNa等の金属
やC1分等がウェハを汚染し、素子特性に悪影響を及ぼ
す事が明らかとなってきた。 これらの■及び■の製法に対し■の製法は、■と同様に
単分散性の高い微細球状シリカをコロイダルシリカとし
て得る方法であるが、原料、溶媒として極く微量の金属
しか含まない高品質物質を使用でき、触媒としてHCI
やNH3のような揮発性物質を使用できるので、原料等
に由来する不純物が極めて少なく、また湿式加水分解の
操作、装置は簡単で、生産性も高く、優れた製法である
。又、この製法の特徴として、得られたシリカは多孔質
な構造となる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、コロイダルシリカを半導体ウェハの研摩剤に
使用する場合、前述のように不純物含有量が少ないこと
のほかに粒径が1)00n以下、好ましくは50nm以
下であることが求められる。ところが、前記の■の製法
により得られるコロイダルシリカの粒径は200nm以
上と大きいため、所要の研磨面を得ることができないと
いう問題がある。 そこで、本発明の目的は、不純物含有量が掻めて少なく
、粒径が1)00n以下である単分散性の高い微細球状
シリカを高い生産性で製造することができる製法を提供
することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、前記従来技術の問題点を解決するものとして
、 アルカリ性触媒を含有する水−アルコール混合溶液中に
おいてアルコキシシランを加水分解する工程を有する微
細球状シリカの製造法において、前記アルカリ性触媒の
量が使用されるアルコキシシランに対しモル比で0.5
〜10であり、前記水−アルコール混合溶液中の水の濃
度が5〜20mol/βであり、前記加水分解の反応温
度が30℃以上であることを特徴とする微細球状シリカ
の製造法を提供するものである。 本発明の方法におけるアルコキシシランの加水分解は、
通常、前記のアルカリ性触媒を含有する水−アルコール
混合溶液に、原料であるアルコキシシランを導入するこ
とにより実施される。 本発明に原料として用いられるアルコキシシランとして
は、 一般式: %式% 〔式中、Rは、同一でも異なってもよく、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル等のアルキル基であり;Xは1〜
4の整数である。〕 で表わされるものが挙げられる。前記一般式において、
x=1〜3のアルコキシシランは加水分解時の反応性が
高く、又H2ガスを発生するため危険性が高いのでx=
4が好ましい。x=4のテトラアルコキシシランではア
ルキル基の炭素原子数が増すにつれて生成するシリカの
粒径が大きくなるため、1)00n以下、特に50nm
以下の球状シリカをつくるには、アルキル基がメチル又
はエチルであるものが好適である。 アルコキシシランを水−アルコール混合溶媒に導入する
際には、そのままあるいは適当なアルコール溶液として
、例えば滴下すればよいが、粒径の揃った球状シリカを
得る点において、希釈してアルコール溶液として用いる
ことが望ましい。その際のアルコールは、水−アルコー
ル混合?$f&に用いるものと同一でも異なってもよい
。 アルコキシシランの使用量は、全反応液に対して、即ち
アルカリ性触媒を含有する水−アルコール溶液と導入さ
れるアルコキシシラン(溶液として導入される場合には
溶媒を含む溶液として)との合計量に対して0.1〜5
mol/ lが好ましく、特に0.2〜1 mol/
lが好ましい。使用量が0.1mol/βと少ないと
反応溶液中におけるアルコキシシランの濃度が低いため
生成するシリカ粒子の粒径が減少するが、過大な反応容
積を必要とし生産性が低く、経済性に劣る。使用量が5
mol/ 1を超えると反応溶液中の濃度が高すぎる
ために粒子同士の会合が生じ易く、分散性が低下し、時
には沈殿となってシリカが分相することがある。 本発明に用いられる水−アルコール溶液のアルコールと
しては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパ
ツール、i−プロパツール、n−ブタノール等の鎖状ア
ルコールが使えるが、炭素原子数が増加するにつれて生
成するシリカの粒径が大きくなり、かつ水に対する溶解
度が減少する結果、1)00n以下特に50nm以下で
かつ粒径の揃った単分散性の高い球状シリカをつくるこ
とが次第に困難になる。また、水分散のコロイダルシリ
カを得る目的の場合には、後にアルコールを蒸発留去す
る必要があるので沸点が低い方が好ましい。 したがって、メタノール、エタノールが好適である。 一方、水−アルコール混合溶液中の水の濃度は、5〜2
0mol/ j!であり、好ましくは8〜15mol/
lである。5 mol/ 1未満では加水分解反応速
度が遅く、20mol/ lを超えると、微細球状シリ
カとなる過程でアルコキシシランの加水分解によって生
じる中間生成物であるケイ酸オリゴマーの溶解性が低下
し、分散性が低下し沈降性シリカが生成する。なお、使
用される水の量は、アルコキシシランの加水分解に必要
な理論量(化学量論的量)の1.2倍以上であることが
好ましく、例えばテトラアルコキシシランを用いる場合
には、必要な水の理論量はテトラアルコキシシランの2
倍モル量であるが、2.5倍モル量用いることが望まし
い。水の量が理論量の1.2倍未満では完全、迅速な加
水分解は困難である。 本発明に用いられるアルカリ性触媒としては、例えば、
アンモニア、あるいはモノアルキルアミン、ジアルキル
アミン、トリアルキルアミン(ここで、アルキルは、例
えばメチル、エチル、プロピル、ブチル等)などのアル
キルアミンが使用可能だが、アルキルアミンでは加水分
解反応速度が遅り、濃度によっては凝集剤としてシリカ
粒子の会合を促進する働きもあるので、反応性に優れ、
その様な作用を持たず、かつ揮発性が最も高く後で除去
し易いアンモニアが最適である。このアルカリ性触媒の
使用量は、用いられるアルコキシシランに対しモル比で
0.5〜10であり、好ましくは1〜5である。このモ
ル比が0.5未満では、シリカが掻く微細な粒子として
分散し、安定に存在し得るに必要な電荷を粒子表面に付
与することが出来ずに、反応中或いは反応後しばらくし
て粒子同士が会合しゲル化してしまう。このモル比が1
0を超えると、後述のように反応温度を30℃以上に制
御しても生成シリカ粒子の微細化が困難で、粒径100
n+n以下の単分散球状シリカは得られない。 本発明の方法では、アルコキシシランの加水分解く及び
、それに随伴してほぼ同時に進行する生成シラノール等
の縮合)の反応温度が30℃以上に制御され、好ましく
は30〜50℃、特に好ましくは35〜45℃で行なわ
れる。反応温度が30℃未満では得られるシリカは粒径
が1)00nを超える粒子となる。本発明の方法では、
反応温度の調節により得られる単分散性の高い微細球状
シリカの粒径を制御することができ、反応温度を高(す
ると粒径は小さくなる。一般に、50℃を超えると粒径
が10nm以下の超微粒子となり、半導体ウェハ研磨剤
の用途には不適当になる。このように、用途に応じて粒
径の制御が可能である。なお、得られるシリカ微粒子の
粒径には、前記のアルカリ性触媒の量や水の使用量等も
関係するので、一定の粒径を保つためには、これらの因
子とともに温度の調節が必要である。即ち、アルカリの
使用量を高(低)めた場合には高(低)1側に、水の使
用量を高(低)めた場合には低(高)1側にシフトしな
ければならない。粒径は、温度に敏感なので温度制御を
厳密に行なう必要がある。 本発明の方法は、30℃以上の一定温度に保たれ、充分
に攪拌されているアルカリ性触媒を含有する水−アルコ
ール混合溶液中にアルコキシシラン又はそれとアルコー
ルとの混合液を徐々に導入することで行なわれる。その
際、充分に高い剪断力を持った攪拌が分散性の良好な粒
子をつくるので望ましい。攪拌が不足すると、沈降性即
ち粒子が凝析したシリカとなる。又、水−アルコール混
合液を開放系としておいたのでは、30℃以上の温度と
なっているので、アルコール、アルカリ性触媒が揮発し
、それらの濃度が時々刻々と変化してしまうので、シリ
カ粒子の再現性のある製造が不可能である。したがって
、水−アルコール混合溶液を密閉系として行なうことが
望ましい、加水分解温度が高いのでシリカが最終粒子径
となるのに必要な時間は数分と短いが、アルコキシシラ
ン導入終了後15〜30分位の間は温度と攪拌をそのま
まとしておくことが望ましい。 以上説明した加水分解及び縮合反応の結果、微細球状シ
リカはコロイダルシリカとして得られる。 水分散のコロイダルシリカとするためには、減圧蒸留等
の方法により溶媒として用いられたアルコールを除去す
ればよい。また、水、アルコールを除去して乾燥した粉
末状のシリカを得ることもできる。 〔作用〕 アルコキシシランのシリカ粒子への加水分解機構は、下
記(1)式で生成した加水分解モノマーが、式(2)又
は(3)で示されるように、そのシラノール基同士ある
いはシラノール基とアルコキシ基とが縮合する事で、オ
リゴマー−ポリマー−極微細粒子と次第に分子量(縮合
度)を高め、最終的に電子顕微鏡でとらえ得る大きさの
シリカ粒子となることである。 St (OR) a + XHzO−Si (OH)
、(OR) a−、I+ XROM・・・+1)=st
−OH+HO−3i=−*=Si −0−si= +H
2O−(2)ミ5t−OH+RO−st=→ヨ5t−0
−Si=+Roll ・・・(3)従来技術(前記製法
■)ではこの成長を任意の段階で停止する事が出来ず、
結局は200nm以上の粒子にまで成長するに任せるま
まであった。しかし、本発明の方法は加水分解及び縮合
反応の温度を30℃以上にする事で1)00n以下の単
分散球状シリカが得られた。反応温度の上昇は、加水分
解反応、縮合反応の速度を増加させる以上にシリカ粒子
表面へのNH4”等の陽イオンの配位速度を増加させ、
縮合度の低い状態、即ち粒径の極めて小さい状態で粒子
をイオン的に安定化してしまい、それ以上の径の成長を
停止する作用を持つ。それ故温度を変化させる事によっ
て任意の大きさのシリカ粒子が得られるものと考えられ
る。 〔実施例〕 次に本発明の方法を実施例により具体的に説明する。 実施例1 水36.3cc、メタノール1)8.2cc及び28重
量%アンモニア水10.7ccを、滴下ロート、温度計
、タービン攪拌翼のついた500ccガラス製フラスコ
に入れ、密閉系とし、ウォーターバス温度を調節し、攪
拌しながら40℃に保った。この溶液中の水濃度は12
.2n+ol/ 1であった。滴下ロートより、テトラ
メトキシシラン15.2 gとメタノール20ccとの
混合液をフラスコ内の温度を40±0.2℃に保ち、激
しく攪拌しながら、30分にわたり滴下した。滴下が進
むにつれてフラスコ中の溶液が除々にいくらか白く濁り
始めていく様子が窺えた。滴下終了後20分間温度と攪
拌をそのままに保った後、水冷し、攪拌を止めた。フラ
スコ中の溶液は薄く白く濁っているものの透けて見える
程度であった。尚、この時のテトラメトキシシランの全
反応溶液に対する量は、0.5mol/ (lで、アン
モニア(NH3)のテトラメトキシシランに対するモル
比は1.59であった。 次にこのシリカゾル液を100Torrで、最終液温度
が51℃になる迄減圧蒸留し、アンモニア、メタノール
を除去した。この濃縮液のpHは8.0で、凝析したシ
リカ分は全く観察されず、極めて均一で、若干白く濁っ
ているものの透明度は保有していた。濁度法でこのシリ
カ粒径を測ったところ25nn+であり、電子顕微鏡に
より添付の第1図に示す写真(X 50000)の通り
単分散性の高い球状粒子であった。又、その中の金属不
純物をICP発光分光法で測定し、陰イオンをイオンク
ロマトグラフィーで測定した結果は、第1表の通りであ
った。比較例として、市販のコロイダルシリカ(商品S
SS。 日産化学製)について同様の測定を行った結果を併せ示
す。 第1表 実施例2〜4 反応温度を、それぞれ35.38.43℃とした以外は
実施例1と同じ装置手順でコロイダルシリカをつ(す、
その粒径を調べたところ、第2表に示す結果を得た。 第2表 〔発明の効果〕 本発明の製造方法によると、不純物が極めて少ない粒径
100no+以下の単分散性の高い微細球状シリカを高
い生産性で製造することができる。得られるシリカの粒
径の制御■が容易であり、粒径50nm以下のものも容
易に製造することができる。このシリカは、シリコンウ
ェハ等の半専体ウェハの研磨剤として好適であり、研磨
時にウェハの汚染が防止される。
505 (’ 81) 、 鹿児島大学工学部研究報
告(24) 1)5〜122 (’ 82)及び同誌
(26) 53〜59(’84) )が知られている。 しかし、■の方法でつくられるシリカの粒径は200〜
500nmと、■の方法でつくられるシリカに比べ10
倍以上大きい。又、気相合成法であるので、シリカの捕
収効率が高々50%位と低く、生産性が低い。その上、
火災中での粒子同士の会合が生じ、粒径のそろった粒子
が各々遊離して存在する所謂単分散球状シリカが得られ
難い、■の方法では、水中に単分散した状態で粒径が1
0〜20nmの極めて微細なシリカが得られる。しかし
、ケイ酸ソーダを原料とするために、H型のイオン交換
樹脂を用いたり、又粒径1nm以下の核となるケイ酸か
ら10no+までの粒子成長を行なうなど製法が繁雑で
生産性が低い。最終的に得られるシリカの形態としては
水に単分散したものとなるが、その中には原料ケイ酸ソ
ーダからのNaや途中の工程でpH1J1整用に加える
酸根のCIやSO4、その他AIなどが不純物として1
0〜1)000pp含まれることは避は難り、電子材料
の用途には満足できるものではない0例えば、この製法
で得られるコロイダルシリカの一用途に、従来より半導
体用のシリコンウェハあるいはGaAs、 GdGaガ
ーネット等の化合物半導体ウェハの研摩剤があるが、集
積化が進むにつれてコロイダルシリカ中のNa等の金属
やC1分等がウェハを汚染し、素子特性に悪影響を及ぼ
す事が明らかとなってきた。 これらの■及び■の製法に対し■の製法は、■と同様に
単分散性の高い微細球状シリカをコロイダルシリカとし
て得る方法であるが、原料、溶媒として極く微量の金属
しか含まない高品質物質を使用でき、触媒としてHCI
やNH3のような揮発性物質を使用できるので、原料等
に由来する不純物が極めて少なく、また湿式加水分解の
操作、装置は簡単で、生産性も高く、優れた製法である
。又、この製法の特徴として、得られたシリカは多孔質
な構造となる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、コロイダルシリカを半導体ウェハの研摩剤に
使用する場合、前述のように不純物含有量が少ないこと
のほかに粒径が1)00n以下、好ましくは50nm以
下であることが求められる。ところが、前記の■の製法
により得られるコロイダルシリカの粒径は200nm以
上と大きいため、所要の研磨面を得ることができないと
いう問題がある。 そこで、本発明の目的は、不純物含有量が掻めて少なく
、粒径が1)00n以下である単分散性の高い微細球状
シリカを高い生産性で製造することができる製法を提供
することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、前記従来技術の問題点を解決するものとして
、 アルカリ性触媒を含有する水−アルコール混合溶液中に
おいてアルコキシシランを加水分解する工程を有する微
細球状シリカの製造法において、前記アルカリ性触媒の
量が使用されるアルコキシシランに対しモル比で0.5
〜10であり、前記水−アルコール混合溶液中の水の濃
度が5〜20mol/βであり、前記加水分解の反応温
度が30℃以上であることを特徴とする微細球状シリカ
の製造法を提供するものである。 本発明の方法におけるアルコキシシランの加水分解は、
通常、前記のアルカリ性触媒を含有する水−アルコール
混合溶液に、原料であるアルコキシシランを導入するこ
とにより実施される。 本発明に原料として用いられるアルコキシシランとして
は、 一般式: %式% 〔式中、Rは、同一でも異なってもよく、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル等のアルキル基であり;Xは1〜
4の整数である。〕 で表わされるものが挙げられる。前記一般式において、
x=1〜3のアルコキシシランは加水分解時の反応性が
高く、又H2ガスを発生するため危険性が高いのでx=
4が好ましい。x=4のテトラアルコキシシランではア
ルキル基の炭素原子数が増すにつれて生成するシリカの
粒径が大きくなるため、1)00n以下、特に50nm
以下の球状シリカをつくるには、アルキル基がメチル又
はエチルであるものが好適である。 アルコキシシランを水−アルコール混合溶媒に導入する
際には、そのままあるいは適当なアルコール溶液として
、例えば滴下すればよいが、粒径の揃った球状シリカを
得る点において、希釈してアルコール溶液として用いる
ことが望ましい。その際のアルコールは、水−アルコー
ル混合?$f&に用いるものと同一でも異なってもよい
。 アルコキシシランの使用量は、全反応液に対して、即ち
アルカリ性触媒を含有する水−アルコール溶液と導入さ
れるアルコキシシラン(溶液として導入される場合には
溶媒を含む溶液として)との合計量に対して0.1〜5
mol/ lが好ましく、特に0.2〜1 mol/
lが好ましい。使用量が0.1mol/βと少ないと
反応溶液中におけるアルコキシシランの濃度が低いため
生成するシリカ粒子の粒径が減少するが、過大な反応容
積を必要とし生産性が低く、経済性に劣る。使用量が5
mol/ 1を超えると反応溶液中の濃度が高すぎる
ために粒子同士の会合が生じ易く、分散性が低下し、時
には沈殿となってシリカが分相することがある。 本発明に用いられる水−アルコール溶液のアルコールと
しては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパ
ツール、i−プロパツール、n−ブタノール等の鎖状ア
ルコールが使えるが、炭素原子数が増加するにつれて生
成するシリカの粒径が大きくなり、かつ水に対する溶解
度が減少する結果、1)00n以下特に50nm以下で
かつ粒径の揃った単分散性の高い球状シリカをつくるこ
とが次第に困難になる。また、水分散のコロイダルシリ
カを得る目的の場合には、後にアルコールを蒸発留去す
る必要があるので沸点が低い方が好ましい。 したがって、メタノール、エタノールが好適である。 一方、水−アルコール混合溶液中の水の濃度は、5〜2
0mol/ j!であり、好ましくは8〜15mol/
lである。5 mol/ 1未満では加水分解反応速
度が遅く、20mol/ lを超えると、微細球状シリ
カとなる過程でアルコキシシランの加水分解によって生
じる中間生成物であるケイ酸オリゴマーの溶解性が低下
し、分散性が低下し沈降性シリカが生成する。なお、使
用される水の量は、アルコキシシランの加水分解に必要
な理論量(化学量論的量)の1.2倍以上であることが
好ましく、例えばテトラアルコキシシランを用いる場合
には、必要な水の理論量はテトラアルコキシシランの2
倍モル量であるが、2.5倍モル量用いることが望まし
い。水の量が理論量の1.2倍未満では完全、迅速な加
水分解は困難である。 本発明に用いられるアルカリ性触媒としては、例えば、
アンモニア、あるいはモノアルキルアミン、ジアルキル
アミン、トリアルキルアミン(ここで、アルキルは、例
えばメチル、エチル、プロピル、ブチル等)などのアル
キルアミンが使用可能だが、アルキルアミンでは加水分
解反応速度が遅り、濃度によっては凝集剤としてシリカ
粒子の会合を促進する働きもあるので、反応性に優れ、
その様な作用を持たず、かつ揮発性が最も高く後で除去
し易いアンモニアが最適である。このアルカリ性触媒の
使用量は、用いられるアルコキシシランに対しモル比で
0.5〜10であり、好ましくは1〜5である。このモ
ル比が0.5未満では、シリカが掻く微細な粒子として
分散し、安定に存在し得るに必要な電荷を粒子表面に付
与することが出来ずに、反応中或いは反応後しばらくし
て粒子同士が会合しゲル化してしまう。このモル比が1
0を超えると、後述のように反応温度を30℃以上に制
御しても生成シリカ粒子の微細化が困難で、粒径100
n+n以下の単分散球状シリカは得られない。 本発明の方法では、アルコキシシランの加水分解く及び
、それに随伴してほぼ同時に進行する生成シラノール等
の縮合)の反応温度が30℃以上に制御され、好ましく
は30〜50℃、特に好ましくは35〜45℃で行なわ
れる。反応温度が30℃未満では得られるシリカは粒径
が1)00nを超える粒子となる。本発明の方法では、
反応温度の調節により得られる単分散性の高い微細球状
シリカの粒径を制御することができ、反応温度を高(す
ると粒径は小さくなる。一般に、50℃を超えると粒径
が10nm以下の超微粒子となり、半導体ウェハ研磨剤
の用途には不適当になる。このように、用途に応じて粒
径の制御が可能である。なお、得られるシリカ微粒子の
粒径には、前記のアルカリ性触媒の量や水の使用量等も
関係するので、一定の粒径を保つためには、これらの因
子とともに温度の調節が必要である。即ち、アルカリの
使用量を高(低)めた場合には高(低)1側に、水の使
用量を高(低)めた場合には低(高)1側にシフトしな
ければならない。粒径は、温度に敏感なので温度制御を
厳密に行なう必要がある。 本発明の方法は、30℃以上の一定温度に保たれ、充分
に攪拌されているアルカリ性触媒を含有する水−アルコ
ール混合溶液中にアルコキシシラン又はそれとアルコー
ルとの混合液を徐々に導入することで行なわれる。その
際、充分に高い剪断力を持った攪拌が分散性の良好な粒
子をつくるので望ましい。攪拌が不足すると、沈降性即
ち粒子が凝析したシリカとなる。又、水−アルコール混
合液を開放系としておいたのでは、30℃以上の温度と
なっているので、アルコール、アルカリ性触媒が揮発し
、それらの濃度が時々刻々と変化してしまうので、シリ
カ粒子の再現性のある製造が不可能である。したがって
、水−アルコール混合溶液を密閉系として行なうことが
望ましい、加水分解温度が高いのでシリカが最終粒子径
となるのに必要な時間は数分と短いが、アルコキシシラ
ン導入終了後15〜30分位の間は温度と攪拌をそのま
まとしておくことが望ましい。 以上説明した加水分解及び縮合反応の結果、微細球状シ
リカはコロイダルシリカとして得られる。 水分散のコロイダルシリカとするためには、減圧蒸留等
の方法により溶媒として用いられたアルコールを除去す
ればよい。また、水、アルコールを除去して乾燥した粉
末状のシリカを得ることもできる。 〔作用〕 アルコキシシランのシリカ粒子への加水分解機構は、下
記(1)式で生成した加水分解モノマーが、式(2)又
は(3)で示されるように、そのシラノール基同士ある
いはシラノール基とアルコキシ基とが縮合する事で、オ
リゴマー−ポリマー−極微細粒子と次第に分子量(縮合
度)を高め、最終的に電子顕微鏡でとらえ得る大きさの
シリカ粒子となることである。 St (OR) a + XHzO−Si (OH)
、(OR) a−、I+ XROM・・・+1)=st
−OH+HO−3i=−*=Si −0−si= +H
2O−(2)ミ5t−OH+RO−st=→ヨ5t−0
−Si=+Roll ・・・(3)従来技術(前記製法
■)ではこの成長を任意の段階で停止する事が出来ず、
結局は200nm以上の粒子にまで成長するに任せるま
まであった。しかし、本発明の方法は加水分解及び縮合
反応の温度を30℃以上にする事で1)00n以下の単
分散球状シリカが得られた。反応温度の上昇は、加水分
解反応、縮合反応の速度を増加させる以上にシリカ粒子
表面へのNH4”等の陽イオンの配位速度を増加させ、
縮合度の低い状態、即ち粒径の極めて小さい状態で粒子
をイオン的に安定化してしまい、それ以上の径の成長を
停止する作用を持つ。それ故温度を変化させる事によっ
て任意の大きさのシリカ粒子が得られるものと考えられ
る。 〔実施例〕 次に本発明の方法を実施例により具体的に説明する。 実施例1 水36.3cc、メタノール1)8.2cc及び28重
量%アンモニア水10.7ccを、滴下ロート、温度計
、タービン攪拌翼のついた500ccガラス製フラスコ
に入れ、密閉系とし、ウォーターバス温度を調節し、攪
拌しながら40℃に保った。この溶液中の水濃度は12
.2n+ol/ 1であった。滴下ロートより、テトラ
メトキシシラン15.2 gとメタノール20ccとの
混合液をフラスコ内の温度を40±0.2℃に保ち、激
しく攪拌しながら、30分にわたり滴下した。滴下が進
むにつれてフラスコ中の溶液が除々にいくらか白く濁り
始めていく様子が窺えた。滴下終了後20分間温度と攪
拌をそのままに保った後、水冷し、攪拌を止めた。フラ
スコ中の溶液は薄く白く濁っているものの透けて見える
程度であった。尚、この時のテトラメトキシシランの全
反応溶液に対する量は、0.5mol/ (lで、アン
モニア(NH3)のテトラメトキシシランに対するモル
比は1.59であった。 次にこのシリカゾル液を100Torrで、最終液温度
が51℃になる迄減圧蒸留し、アンモニア、メタノール
を除去した。この濃縮液のpHは8.0で、凝析したシ
リカ分は全く観察されず、極めて均一で、若干白く濁っ
ているものの透明度は保有していた。濁度法でこのシリ
カ粒径を測ったところ25nn+であり、電子顕微鏡に
より添付の第1図に示す写真(X 50000)の通り
単分散性の高い球状粒子であった。又、その中の金属不
純物をICP発光分光法で測定し、陰イオンをイオンク
ロマトグラフィーで測定した結果は、第1表の通りであ
った。比較例として、市販のコロイダルシリカ(商品S
SS。 日産化学製)について同様の測定を行った結果を併せ示
す。 第1表 実施例2〜4 反応温度を、それぞれ35.38.43℃とした以外は
実施例1と同じ装置手順でコロイダルシリカをつ(す、
その粒径を調べたところ、第2表に示す結果を得た。 第2表 〔発明の効果〕 本発明の製造方法によると、不純物が極めて少ない粒径
100no+以下の単分散性の高い微細球状シリカを高
い生産性で製造することができる。得られるシリカの粒
径の制御■が容易であり、粒径50nm以下のものも容
易に製造することができる。このシリカは、シリコンウ
ェハ等の半専体ウェハの研磨剤として好適であり、研磨
時にウェハの汚染が防止される。
第1図は、実施例1で得られたシリカ粒子の電子顕微鏡
写真(50,000倍)である。
写真(50,000倍)である。
Claims (1)
- (1)アルカリ性触媒を含有する水−アルコール混合溶
液中においてアルコキシシランを加水分解する工程を有
する微細球状シリカの製造法において、 前記アルカリ性触媒の量が使用されるアルコキシシラン
に対しモル比で0.5〜10であり、前記水−アルコー
ル混合溶液中の水の濃度が5〜20mol/lであり、
前記加水分解の反応温度が30℃以上であることを特徴
とする微細球状シリカの製造法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61221569A JPS6374911A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 微細球状シリカの製造法 |
US07/098,301 US4842837A (en) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | Process for producing fine spherical silica |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61221569A JPS6374911A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 微細球状シリカの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6374911A true JPS6374911A (ja) | 1988-04-05 |
JPH0465006B2 JPH0465006B2 (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=16768786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61221569A Granted JPS6374911A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 微細球状シリカの製造法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4842837A (ja) |
JP (1) | JPS6374911A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02120221A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリカ粒子の製造方法 |
JPH0489893A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-24 | Colloid Res:Kk | 電気レオロジー流体 |
JPH083540A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-09 | Sony Corp | 化学機械研磨用微粒子およびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法 |
JP2001194825A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電荷像現像用トナー外添剤 |
JP2001521979A (ja) * | 1997-10-31 | 2001-11-13 | ナノグラム・コーポレーション | 表面仕上げ用研磨剤粒子 |
WO2005010966A1 (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | ウエーハの研磨方法 |
JP2005060217A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Fuso Chemical Co Ltd | シリカゾル及びその製造方法 |
WO2006011252A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | Fuso Chemical Co. Ltd. | シリカゾル及びその製造方法 |
JP2007528341A (ja) * | 2004-03-08 | 2007-10-11 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 単分散SiO2粒子の製造方法 |
JP2007284341A (ja) * | 2002-08-19 | 2007-11-01 | Hoya Corp | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法、並びにマスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクス、転写マスク |
JP2009126745A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Kwansei Gakuin | バイオシリカ製造法、およびバイオシリカ固定基板の製造法 |
JP2010069609A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Nihon Micro Coating Co Ltd | クリーニング材及びその製造方法 |
KR20140120340A (ko) | 2012-02-02 | 2014-10-13 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 저굴절율 막형성용 조성물 |
WO2016117559A1 (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
KR20180034424A (ko) | 2015-07-31 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리카 졸의 제조 방법 |
WO2021153502A1 (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-05 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7110504B1 (ja) * | 2021-12-23 | 2022-08-01 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP7129576B1 (ja) * | 2021-12-23 | 2022-09-01 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
US11499070B2 (en) | 2015-01-19 | 2022-11-15 | Fujimi Incorporated | Modified colloidal silica and method for producing the same, and polishing agent using the same |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0369091A1 (en) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Battelle Memorial Institute | Method for manufacturing amorphous silica objects |
EP0441622B1 (en) * | 1990-02-07 | 1994-11-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin compositions containing highly transparent silica-titania glass beads |
US5198479A (en) * | 1990-08-24 | 1993-03-30 | Shin-Etsu Chemical Company Limited | Light transmissive epoxy resin compositions and optical semiconductor devices encapsulated therewith |
WO1993016125A1 (en) * | 1992-02-18 | 1993-08-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Process for producing hydrophobic aerogel |
US5425930A (en) * | 1993-09-17 | 1995-06-20 | Alliedsignal Inc. | Process for forming large silica spheres by low temperature nucleation |
WO1995017347A1 (en) * | 1993-12-23 | 1995-06-29 | Ppg Industries, Inc. | Silica aerogel produced under subcritical conditions |
JP2894208B2 (ja) * | 1994-06-02 | 1999-05-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
US5510147A (en) * | 1995-03-03 | 1996-04-23 | International Paper Company | Sol gel barrier films |
US6602439B1 (en) * | 1997-02-24 | 2003-08-05 | Superior Micropowders, Llc | Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same |
US5993685A (en) * | 1997-04-02 | 1999-11-30 | Advanced Technology Materials | Planarization composition for removing metal films |
US6315971B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-11-13 | Cabot Corporation | Process for producing low density gel compositions |
US6071486A (en) * | 1997-04-09 | 2000-06-06 | Cabot Corporation | Process for producing metal oxide and organo-metal oxide compositions |
US6172120B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-01-09 | Cabot Corporation | Process for producing low density gel compositions |
AU7147798A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Advanced Chemical Systems International, Inc. | Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics |
US20090255189A1 (en) * | 1998-08-19 | 2009-10-15 | Nanogram Corporation | Aluminum oxide particles |
US6726990B1 (en) | 1998-05-27 | 2004-04-27 | Nanogram Corporation | Silicon oxide particles |
US20090075083A1 (en) * | 1997-07-21 | 2009-03-19 | Nanogram Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
US20060147369A1 (en) * | 1997-07-21 | 2006-07-06 | Neophotonics Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
US6099798A (en) * | 1997-10-31 | 2000-08-08 | Nanogram Corp. | Ultraviolet light block and photocatalytic materials |
US7384680B2 (en) * | 1997-07-21 | 2008-06-10 | Nanogram Corporation | Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures |
US6334880B1 (en) | 1999-12-07 | 2002-01-01 | Silbond Corporation | Abrasive media and aqueous slurries for chemical mechanical polishing and planarization |
JP3563017B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2004-09-08 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法 |
DE10065028A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-18 | Degussa | Mit Kalium dotierte pyrogene Oxide |
WO2004041888A1 (ja) * | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | 放射線硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
DE60336269D1 (de) * | 2003-04-28 | 2011-04-14 | Toyo Aluminium Kk | Aluminiumpigment, verfahren zu dessen herstellung sowie harzzusammensetzung |
US20060099130A1 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Rolando Roque-Malherbe | Silica mesoporous materials |
DE102005062606A1 (de) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Deutsche Institute Für Textil- Und Faserforschung Denkendorf | Nanoskalige Teilchen auf der Basis von SiO2 und Mischoxiden hiervon, deren Herstellung und Verwendung zur Behandlung textiler Materialien |
KR20090015449A (ko) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | 현대자동차주식회사 | 수크로스 탄소 전구체로부터 결정성이 우수한 기공성그래파이트 탄소의 제조방법 |
CN105452349B (zh) | 2013-08-13 | 2022-09-27 | 3M创新有限公司 | 包含二氧化硅纳米粒子和分散剂的纳米复合材料、复合材料、制品及其制备方法 |
US10442899B2 (en) | 2014-11-17 | 2019-10-15 | Silbond Corporation | Stable ethylsilicate polymers and method of making the same |
JP6573994B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2019-09-11 | 富士フイルム株式会社 | 音響波プローブ用組成物、これを用いた音響波プローブ用シリコーン樹脂、音響波プローブおよび超音波プローブ、ならびに、音響波測定装置、超音波診断装置、光音響波測定装置および超音波内視鏡 |
JP6626959B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2019-12-25 | 富士フイルム株式会社 | 音響波プローブ用組成物、これを用いた音響波プローブ用シリコーン樹脂、音響波プローブおよび超音波プローブ、ならびに、音響波測定装置、超音波診断装置、光音響波測定装置および超音波内視鏡 |
CN110194461A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-03 | 沈阳大学 | 一种粒径可控单分散介观尺度球形二氧化硅的制备方法 |
KR20230170787A (ko) * | 2021-04-21 | 2023-12-19 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 비구형 1차 실리카 나노입자 및 이의 용도 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272514A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-03 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 球状SiO↓2粒子 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4943897A (ja) * | 1972-08-31 | 1974-04-25 | ||
JPS6384053A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 同軸配線構造体 |
JP3411754B2 (ja) * | 1996-06-21 | 2003-06-03 | 積水樹脂株式会社 | 加熱溶融型道路用塗料 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221569A patent/JPS6374911A/ja active Granted
-
1987
- 1987-09-18 US US07/098,301 patent/US4842837A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272514A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-03 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 球状SiO↓2粒子 |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH052607B2 (ja) * | 1988-10-31 | 1993-01-12 | Shinnittetsu Kagaku | |
JPH02120221A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 | Nippon Steel Chem Co Ltd | シリカ粒子の製造方法 |
JPH0489893A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-24 | Colloid Res:Kk | 電気レオロジー流体 |
JPH083540A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-09 | Sony Corp | 化学機械研磨用微粒子およびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法 |
JP2001521979A (ja) * | 1997-10-31 | 2001-11-13 | ナノグラム・コーポレーション | 表面仕上げ用研磨剤粒子 |
JP2001194825A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電荷像現像用トナー外添剤 |
JP2007284341A (ja) * | 2002-08-19 | 2007-11-01 | Hoya Corp | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法、並びにマスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクス、転写マスク |
JP4526547B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2010-08-18 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、euv反射型マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法、euv反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2005010966A1 (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | ウエーハの研磨方法 |
JP2005045102A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの研磨方法 |
JP4608856B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2011-01-12 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの研磨方法 |
JP2005060217A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Fuso Chemical Co Ltd | シリカゾル及びその製造方法 |
JP4901719B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2012-03-21 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 単分散SiO2粒子の製造方法 |
JP2007528341A (ja) * | 2004-03-08 | 2007-10-11 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 単分散SiO2粒子の製造方法 |
WO2006011252A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | Fuso Chemical Co. Ltd. | シリカゾル及びその製造方法 |
JP2009126745A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Kwansei Gakuin | バイオシリカ製造法、およびバイオシリカ固定基板の製造法 |
JP4709881B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2011-06-29 | 日本ミクロコーティング株式会社 | クリーニング材及びその製造方法 |
JP2010069609A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Nihon Micro Coating Co Ltd | クリーニング材及びその製造方法 |
KR20200051853A (ko) | 2012-02-02 | 2020-05-13 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 저굴절율 막형성용 조성물 |
KR20140120340A (ko) | 2012-02-02 | 2014-10-13 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 저굴절율 막형성용 조성물 |
US11499070B2 (en) | 2015-01-19 | 2022-11-15 | Fujimi Incorporated | Modified colloidal silica and method for producing the same, and polishing agent using the same |
US10570322B2 (en) | 2015-01-19 | 2020-02-25 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
US11530335B2 (en) | 2015-01-19 | 2022-12-20 | Fujimi Incorporated | Modified colloidal silica and method for producing the same, and polishing agent using the same |
WO2016117559A1 (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2020189787A (ja) * | 2015-07-31 | 2020-11-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリカゾルの製造方法 |
US11001501B2 (en) | 2015-07-31 | 2021-05-11 | Fujimi Incorporated | Method for producing silica sol |
KR20180034424A (ko) | 2015-07-31 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리카 졸의 제조 방법 |
US10604411B2 (en) | 2015-07-31 | 2020-03-31 | Fujimi Incorporated | Method for producing silica sol |
KR20230162140A (ko) | 2015-07-31 | 2023-11-28 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리카 졸의 제조 방법 |
WO2021153502A1 (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-05 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7110504B1 (ja) * | 2021-12-23 | 2022-08-01 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP7129576B1 (ja) * | 2021-12-23 | 2022-09-01 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
WO2023119549A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
WO2023119550A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0465006B2 (ja) | 1992-10-16 |
US4842837A (en) | 1989-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6374911A (ja) | 微細球状シリカの製造法 | |
JP3195569B2 (ja) | 繭型コロイダルシリカの製造方法 | |
JP5080061B2 (ja) | 中性コロイダルシリカの製造方法 | |
JPH09502693A (ja) | 低温核形成による大きいシリカ球体の形成方法 | |
US20100071272A1 (en) | Colloidal silica, and method for production thereof | |
KR102633383B1 (ko) | 실리카졸의 제조 방법 | |
EP1082405A1 (en) | Silicon oxide particles | |
WO2001053225A1 (en) | Sol-gel process for producing synthetic silica glass | |
KR950001660B1 (ko) | 무기산화물 입자의 제조법 | |
JP2005060217A (ja) | シリカゾル及びその製造方法 | |
Lazareva et al. | Synthesis of high-purity silica nanoparticles by sol-gel method | |
JP3584485B2 (ja) | シリカゾルの製造方法 | |
JP4222582B2 (ja) | 高純度シリカゾルの製造方法 | |
JP2004203638A (ja) | 落花生様双子型コロイダルシリカ粒子およびその製造方法 | |
JP2926915B2 (ja) | 細長い形状のシリカゾル及びその製法 | |
JP4458396B2 (ja) | 高純度親水性有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度親水性有機溶媒分散シリカゾル並びに高純度有機溶媒分散シリカゾルの製造方法及びその方法で得られる高純度有機溶媒分散シリカゾル | |
JPWO2019163993A1 (ja) | 細長い粒子形状を有するシリカゾルの製造方法 | |
KR101121576B1 (ko) | 화학적, 기계적 연마용 콜로이달 실리카졸의 제조방법 | |
JPH01145317A (ja) | 真球状シリカ微粒子の製法 | |
JP3758391B2 (ja) | 高純度シリカ水性ゾル及びその製造方法 | |
JPS63310714A (ja) | シリカ粒子 | |
JP5905767B2 (ja) | 中性コロイダルシリカ分散液の分散安定化方法及び分散安定性に優れた中性コロイダルシリカ分散液 | |
JPH05139717A (ja) | 球状シリカ粒子の製造方法 | |
JP4507499B2 (ja) | 球状多孔体の製造方法 | |
EP1250295A1 (en) | Sol-gel process for producing synthetic silica glass |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |