JP5306644B2 - マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 - Google Patents
マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5306644B2 JP5306644B2 JP2007341518A JP2007341518A JP5306644B2 JP 5306644 B2 JP5306644 B2 JP 5306644B2 JP 2007341518 A JP2007341518 A JP 2007341518A JP 2007341518 A JP2007341518 A JP 2007341518A JP 5306644 B2 JP5306644 B2 JP 5306644B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask blank
- polishing
- manufacturing
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 252
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 143
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 85
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 40
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 24
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 108
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 70
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 14
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、半導体装置の製造等に使用される、マスクブランク用基板の製造方法、該基板を用いた多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法に関する。
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランク用ガラス基板の表面平滑性や表面欠陥に対する要求は年々厳しくなる状況にある。ここで、従来のマスクブランク用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法としては、例えば、下記特許文献１（特開昭６４−４０２６７号公報）に記載されているものがある。この精密研磨方法は、酸化セリウムを主材とする研磨材を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。
また、下記特許文献２（特開２００６−３５４１３号公報）には、平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカを含み、ｐＨを０．５〜４の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いてガラス基板表面を研磨する方法が開示されている。
また、下記特許文献２（特開２００６−３５４１３号公報）には、平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカを含み、ｐＨを０．５〜４の範囲となるように調整された研磨スラリーを用いてガラス基板表面を研磨する方法が開示されている。
本発明者の検討によると、上述の先行技術文献で記載されている技術を使用したとしても、近年要求されている表面平滑性や表面欠陥に対する高いレベルの条件を満たさないことがわかった。すなわち、先行技術に挙げた研磨方法によって得られたガラス基板表面には、高さが数ｎｍ〜数十ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍ程度の凸状の突起や、深さが数ｎｍ〜２００ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜５００ｎｍ程度の凹状の欠陥が形成されていることが判明した。これは、従来の目視検査では確認できない微小な凸状の突起や凹状の欠陥で、近年要請されるようになった高いレベルの表面欠陥フリーの要請を確認するために開発された欠陥検査装置によって始めて確認することができたものである。このような表面欠陥が形成されるのは、研磨加工中における研磨液のｐＨ値（水素イオン濃度）が変動し、これに伴い研磨砥粒のゼータ電位が変動することにより、研磨砥粒の分散性が悪くなることが原因であると考えられる。つまり、研磨液中に分散する研磨砥粒はゼータ電位を有するが、ゼータ電位が０（ゼロ）ｍＶに近い場合には、研磨砥粒の凝集が生じ易くなり、研磨液中の研磨砥粒の分散性が悪くなる。研磨砥粒として使用可能な標準的なコロイダルシリカの場合、ゼータ電位は、ｐＨ値によって＋（プラス）にも−（マイナス）にもなりうるので、その過程においてゼロに近づくこともある。
例えば、基板表面にこのような微小な凸状の突起や凹状の欠陥が形成されたガラス基板上に多層反射膜及び吸収体膜を形成した反射型マスクブランク、及び反射型マスクを作製した場合、これらの表面欠陥は転写パターン欠陥の原因となる。つまり、マスク面のパターン近傍に凸状や凹状の欠陥が存在すると、反射光にはその欠陥に起因した位相の変化が起こる。この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。特に波長が０．２〜１００ｎｍ程度の極端紫外（Extreme Ultra Violet、以下ＥＵＶ）光のような短波長の光を露光光として用いる場合、マスク面上の微細な凹凸に対して位相の変化が非常に敏感となるため、転写像への影響が大きくなる。例えば凸状突起の高さが５ｎｍの場合、露光波長が１３．５ｎｍで位相の変化は２０度を超え、その結果、ＣＤ誤差不良となり、無視できない問題となる。反射型マスクブランクの場合、基板上に露光光に対する反射膜として、例えばＳｉとＭｏの交互積層膜の場合、数ｎｍ程度の薄膜を最低でも８０層（４０周期）以上積層した多層膜が用いられるため、基板表面上での欠陥は問題とならないような微小な欠陥であっても、上記多層反射膜の形成により基板表面の凹凸形状が増長された多層反射膜表面が形成されてしまう。
また、研磨加工中に、研磨砥粒のゼータ電位が変動し研磨砥粒の分散性が悪くなると、研磨加工速度が変化し、基板間での表面粗さのばらつきが発生するという問題がある。基板表面粗さのばらつきは、基板上に形成する多層反射膜における露光光反射率のばらつきの原因となるので、基板間での表面粗さのばらつきは、反射型マスクにおける基板間での反射率ばらつき、さらには転写パターン欠陥の原因となってしまう。また、このような基板間だけでなく、基板面内における表面粗さのばらつきも発生し、これが反射型マスクにおける基板面内での反射率ばらつき、さらには転写パターン欠陥の原因となってしまう。
このように、マスクブランク用基板（特にＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用基板）の表面平滑性及び表面欠陥に対する要求は非常に厳しく、上述した先行技術文献で記載されているような従来の研磨加工方法を適用し、最初は研磨液の状態を最適化したとしても、研磨加工中に研磨液のｐＨ値や研磨砥粒のゼータ電位は変化し、研磨砥粒の分散性は不安定であるため、上記要求を満たすような高平滑で、しかも欠陥のない基板表面を安定的に得ることは実際には非常に困難である。
そこで、本発明は、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板の製造方法を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供することを第二の目的とする。
さらに、本発明は、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥のない反射型マスクの製造方法を提供することを第三の目的とする。
また、本発明は、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法を提供することを第二の目的とする。
さらに、本発明は、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥のない反射型マスクの製造方法を提供することを第三の目的とする。
本発明者は、上述の課題を解決するため鋭意検討した結果、近年のマスクブランク用基板に要求されている表面平滑性や表面欠陥に対する高いレベルの要求を満足するためには、研磨加工中における研磨液の状態の変動を抑制する必要があるとの認識の下で、以下の構成を有する本発明を完成するに至った。
（構成１）ガラス基板の表面に研磨パッドを接触させ、前記ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、前記ガラス基板と前記研磨パッドとを相対的に移動させて前記ガラス基板の表面を研磨する研磨工程を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨砥粒はコロイダルシリカであって、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であり、研磨中における前記研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
構成１にあるように、研磨工程に用いる研磨液に含まれる研磨砥粒はコロイダルシリカであって、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であり、研磨中における研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持することにより、研磨液のｐＨが１〜５の範囲の酸性域において、コロイダルシリカ砥粒のゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上（すなわち−１０ｍＶ以下または＋１０ｍＶ以上）であって、研磨液中に分散する研磨砥粒が凝集することはなく分散性が良好な状態を保ち、研磨液の状態が研磨中は安定であるため、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板が得られる。
構成１にあるように、研磨工程に用いる研磨液に含まれる研磨砥粒はコロイダルシリカであって、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であり、研磨中における研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持することにより、研磨液のｐＨが１〜５の範囲の酸性域において、コロイダルシリカ砥粒のゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上（すなわち−１０ｍＶ以下または＋１０ｍＶ以上）であって、研磨液中に分散する研磨砥粒が凝集することはなく分散性が良好な状態を保ち、研磨液の状態が研磨中は安定であるため、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板が得られる。
（構成２）前記研磨液には、無機酸又は有機酸を含むことを特徴とする構成１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
構成２にあるように、前記研磨液には、無機酸又は有機酸を含むことが好ましい。研磨液に無機酸を含むことにより研磨液のｐＨを１〜５の範囲に調整するとともに、さらに有機酸を含むことにより、研磨加工中における研磨液のｐＨ値の変動を抑制することができる。
（構成３）前記無機酸は、塩酸、硫酸、燐酸から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする構成２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
そして、構成３のように、前記無機酸としては、たとえば塩酸、硫酸、燐酸から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。これらの酸を用いると、特に多成分系ガラス基板における基板表面の過度な浸食を抑制し、基板の表面荒れを防止することができる。
構成２にあるように、前記研磨液には、無機酸又は有機酸を含むことが好ましい。研磨液に無機酸を含むことにより研磨液のｐＨを１〜５の範囲に調整するとともに、さらに有機酸を含むことにより、研磨加工中における研磨液のｐＨ値の変動を抑制することができる。
（構成３）前記無機酸は、塩酸、硫酸、燐酸から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする構成２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
そして、構成３のように、前記無機酸としては、たとえば塩酸、硫酸、燐酸から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。これらの酸を用いると、特に多成分系ガラス基板における基板表面の過度な浸食を抑制し、基板の表面荒れを防止することができる。
（構成４）前記基板は、多成分系ガラス基板であることを特徴とする構成１乃至３の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
また、構成４にあるように、本発明は、マスクブランク用基板が多成分系ガラス基板である場合に好適である。多成分系ガラス基板は、酸性の研磨液を使用すると研磨加工速度を向上させることができる。
（構成５）前記基板は、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス基板であることを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランク用基板。
そして、構成５のように、マスクブランク用基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに多用されるＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス基板である場合に、表面欠陥を低減し高平滑性が得られる本発明は特に好適である。
また、構成４にあるように、本発明は、マスクブランク用基板が多成分系ガラス基板である場合に好適である。多成分系ガラス基板は、酸性の研磨液を使用すると研磨加工速度を向上させることができる。
（構成５）前記基板は、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス基板であることを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランク用基板。
そして、構成５のように、マスクブランク用基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに多用されるＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス基板である場合に、表面欠陥を低減し高平滑性が得られる本発明は特に好適である。
（構成６）構成１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の表面上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
構成６のように、上記マスクブランク用基板の表面上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することにより、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板が得られる。
（構成７）構成６に記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
また、構成７のように、上記多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することにより、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランクが得られる。
構成６のように、上記マスクブランク用基板の表面上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することにより、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板が得られる。
（構成７）構成６に記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
また、構成７のように、上記多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することにより、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランクが得られる。
（構成８）構成７に記載の反射型マスクブランクの製造方法によって得られた反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
また、構成８にあるように、上記反射型マスクブランクにおける吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することにより得られる反射型マスクによれば、半導体基板上へのパターン転写時に、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥の発生を防止することができる。
また、構成８にあるように、上記反射型マスクブランクにおける吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することにより得られる反射型マスクによれば、半導体基板上へのパターン転写時に、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥の発生を防止することができる。
本発明によれば、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板を提供することができる。
また、本発明によれば、本発明によるマスクブランク用基板を用いて、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板、及び反射型マスクブランクを提供することができる。
また、本発明によれば、本発明による反射型マスクブランクを用いて、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥のない反射型マスクを提供することができる。
また、本発明によれば、本発明によるマスクブランク用基板を用いて、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板、及び反射型マスクブランクを提供することができる。
また、本発明によれば、本発明による反射型マスクブランクを用いて、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥のない反射型マスクを提供することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態にかかるマスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板を用いた多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びにこの反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法を詳細に説明する。
本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法は、ガラス基板の表面に研磨パッドを接触させ、前記ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、前記ガラス基板と前記研磨パッドとを相対的に移動させて前記ガラス基板の表面を研磨する研磨工程を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨砥粒はコロイダルシリカであって、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であり、研磨中における前記研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持することを特徴とするものである。
このように、研磨工程に用いる研磨液に含まれる研磨砥粒はコロイダルシリカであって、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であり、研磨中における研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持することにより、研磨液のｐＨが１〜５の範囲の酸性域において、コロイダルシリカ砥粒のゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上（すなわち−１０ｍＶ以下または＋１０ｍＶ以上）であって、研磨液中に分散する研磨砥粒が凝集することはなく分散性が良好な状態を保てる。従って、研磨中は、研磨液の状態が常に安定であるため、このような安定な研磨液を用いて研磨加工を行うことにより、基板表面の微小な表面欠陥を低減でき、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板を得ることができる。また、このようなマスクブランク用基板上に、たとえば露光光を反射する多層反射膜を形成した場合、高反射率が得られ、しかも基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減することができる。
マスクブランク用基板としては、研磨により良好な平滑性、平坦性が得られることから、ガラス基板であることが好ましい。ガラス基板の材料は特に限定されない。ガラス基板の材料としては、例えば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス、低熱膨張性ガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス）などが挙げられる。
本発明は、マスクブランク用基板が多成分系ガラス基板である場合に好適である。多成分系ガラス基板の場合、とくに酸性の研磨液を使用すると研磨加工速度を向上させることができる。とりわけ、マスクブランク用基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに多用されるＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス基板である場合に、表面欠陥を低減し高平滑性の基板が得られる本発明は特に好適である。
本発明は、マスクブランク用基板が多成分系ガラス基板である場合に好適である。多成分系ガラス基板の場合、とくに酸性の研磨液を使用すると研磨加工速度を向上させることができる。とりわけ、マスクブランク用基板が、例えばＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクに多用されるＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス基板である場合に、表面欠陥を低減し高平滑性の基板が得られる本発明は特に好適である。
上記研磨工程では、たとえば、研磨パッドを貼着した研磨定盤にマスクブランク用基板（ガラス基板）を押し付け、研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら上記研磨定盤と上記基板とを相対的に移動（つまり研磨パッドと基板とを相対的に移動）させることにより、上記基板の表面を研磨する。この研磨工程には後述の遊星歯車方式の両面研磨装置などを使用することができる。なお、研磨は、両面研磨、片面研磨のどちらでも構わない。
本発明においては、前記研磨液には、無機酸又は有機酸を含むことが好ましい。ガラス基板（とりわけ多成分系ガラス基板）の場合、酸性の研磨液により研磨加工速度を向上させることができるため、研磨液に無機酸を含むことにより研磨液のｐＨを１〜５の範囲に調整し、また有機酸を含むことにより、研磨加工中における研磨液のｐＨ値の変動を抑制することができるからである。好ましくは無機酸と有機酸を含むことが望ましい。
ここで、本発明に使用する上記無機酸としては、特に限定されるわけではないが、たとえば塩酸、硫酸、硝酸、燐酸、ホウ酸。ホスホン酸。ホスフィン酸等が挙げられ、この中でもとくに塩酸、硫酸、燐酸から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。これら塩酸、硫酸、燐酸を用いると、特に多成分系ガラス基板における基板表面の過度な浸食を抑制し、基板の表面荒れを防止することができるからである。
上記無機酸の含有量は、研磨液のｐＨを１〜５の酸性域に調整するための適当な含有量であればよい。
上記無機酸の含有量は、研磨液のｐＨを１〜５の酸性域に調整するための適当な含有量であればよい。
なお、研磨工程の過程において、ガラス基板に含まれているイオンが研磨液に溶出し、研磨液のｐＨが変動して研磨加工速度、研磨砥粒のゼータ電位等に影響を及ぼすので、本発明では、研磨中における研磨液のｐＨを１〜５の範囲に保持するため、有機酸を含有することが好ましい。このような目的で本発明に好ましく使用しうる有機酸としては、たとえば酒石酸、マレイン酸、マロン酸等が挙げられる。
この有機酸の含有量は、使用する無機酸の種類、含有量、研磨液のｐＨ値によっても異なるので一概には言えないが、概ね０．１重量％〜０．４重量％程度の範囲とすることが好ましい。更に好ましくは、有機酸の含有量は、０．２重量％〜０．３重量％が望ましい。
この有機酸の含有量は、使用する無機酸の種類、含有量、研磨液のｐＨ値によっても異なるので一概には言えないが、概ね０．１重量％〜０．４重量％程度の範囲とすることが好ましい。更に好ましくは、有機酸の含有量は、０．２重量％〜０．３重量％が望ましい。
本発明では、研磨砥粒としては、ガラス基板の良好な平滑性、平坦性が得られる点からコロイダルシリカが好ましく用いられる。本発明では、少なくともｐＨ値が１〜５の範囲において、ゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であるコロイダルシリカが好ましく用いられる。すなわち、研磨液のｐＨが１〜５の範囲の酸性域において、コロイダルシリカ砥粒のゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上、つまり−１０ｍＶ以下または＋１０ｍＶ以上であることにより、研磨液中に分散する研磨砥粒が凝集することなく分散性が良好な状態を保てるからである。このように、少なくともｐＨ値が１〜５の範囲においてはゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であって、研磨液のｐＨが１〜５の酸性域でも安定して使用できるコロイダルシリカ砥粒であれば、ノニオン（非イオン）性コロイダルシリカ、アニオン性コロイダルシリカ、カチオン性コロイダルシリカのいずれを用いてもよい。また、コロイダルシリカ砥粒はゼータ電位の絶対値が１０ｍＶ以上であればよいが、特に−７０ｍＶから−１０ｍＶの範囲、または、＋１０ｍＶから＋５０ｍＶの範囲であることが好ましい。コロイダル粒子の電位（反発力）を高くすることによって、砥粒間の凝集を低減することができる。
なお、研磨砥粒を含有する研磨液の処方及び液温、研磨パッドの材質、加工圧力、研磨時間等の条件は、所望の平滑性が得られるように適宜設定される。
なお、研磨砥粒を含有する研磨液の処方及び液温、研磨パッドの材質、加工圧力、研磨時間等の条件は、所望の平滑性が得られるように適宜設定される。
上記研磨工程により所定の平滑性が得られるように基板表面を鏡面研磨した後、必要に応じて、該基板表面に局所加工を施す工程を実施してもよい。
たとえばＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板としては、露光時の熱による転写パターンの歪みを抑えるために、低熱膨張性のガラス基板（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系基板など）が通常使用される。ＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板の場合、パターン転写時のパターンの歪みや位置ずれを防止するために、高平滑性に加えて高平坦度であることが要求される。そこで、研磨工程の後、主に高平坦度化を目的とする局所加工を施してもよい。これは、研磨加工後の基板表面の表面形状を測定して、凸部位を特定し、凸部位の高さ（凸度）に応じた加工条件で凸部位に局所加工を施すものである。局所加工は、例えばプラズマエッチング、イオンビーム（ガスクラスターイオンビームなど）等によって行うことができる。ただし、このような局所加工によって、加工変質層が生じる場合があり、この場合は、局所加工後に、必要に応じて加工変質層の除去を目的とした短時間の研磨を行ってもよい。
たとえばＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板としては、露光時の熱による転写パターンの歪みを抑えるために、低熱膨張性のガラス基板（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系基板など）が通常使用される。ＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板の場合、パターン転写時のパターンの歪みや位置ずれを防止するために、高平滑性に加えて高平坦度であることが要求される。そこで、研磨工程の後、主に高平坦度化を目的とする局所加工を施してもよい。これは、研磨加工後の基板表面の表面形状を測定して、凸部位を特定し、凸部位の高さ（凸度）に応じた加工条件で凸部位に局所加工を施すものである。局所加工は、例えばプラズマエッチング、イオンビーム（ガスクラスターイオンビームなど）等によって行うことができる。ただし、このような局所加工によって、加工変質層が生じる場合があり、この場合は、局所加工後に、必要に応じて加工変質層の除去を目的とした短時間の研磨を行ってもよい。
また、上記研磨工程（あるいは研磨工程及び局所加工工程）を施した後、基板表面に付着している研磨砥粒等を除去するために基板表面の洗浄を行うが、従来のアルカリ性や酸性の洗浄液で洗浄する代わりに、本発明では、基板表面を高濃度オゾン水で洗浄することが好ましい。
すなわち、上記マスクブランク用基板の製造方法において、前記研磨工程等を施した後、基板表面を高濃度オゾン水（１００ｐｐｍ以上であることが好ましい）で洗浄することにより、従来の洗浄工程で用いられるアルカリ性や酸性洗浄液によるエッチング（基板表面のダメージ）を抑制でき、上記研磨工程等により得られる基板表面形態が洗浄後も良好に保たれる。
また、このような高濃度オゾン水による基板表面の洗浄を行うことにより、基板の表面には酸化層が形成され、基板の耐薬品性が向上する効果も得られる。
以上のようにして、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板が得られる。
すなわち、上記マスクブランク用基板の製造方法において、前記研磨工程等を施した後、基板表面を高濃度オゾン水（１００ｐｐｍ以上であることが好ましい）で洗浄することにより、従来の洗浄工程で用いられるアルカリ性や酸性洗浄液によるエッチング（基板表面のダメージ）を抑制でき、上記研磨工程等により得られる基板表面形態が洗浄後も良好に保たれる。
また、このような高濃度オゾン水による基板表面の洗浄を行うことにより、基板の表面には酸化層が形成され、基板の耐薬品性が向上する効果も得られる。
以上のようにして、基板表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高平滑で、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきを低減したマスクブランク用基板が得られる。
次に、本発明によるマスクブランク用基板を用いた多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、及びこれらを用いた反射型マスクの製造について説明する。
本発明により得られるマスクブランク用基板の表面上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することにより、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板が得られる。
また、上記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することにより、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランクが得られる。
本発明により得られるマスクブランク用基板の表面上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することにより、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した多層反射膜付き基板が得られる。
また、上記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することにより、多層反射膜表面の微小な表面欠陥を低減し、しかも高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランクが得られる。
本発明に係る多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクの製造、並びにこれらを用いた反射型マスクの製造は、（１）基板の準備工程、（２）基板上への多層反射膜の成膜工程、（３）バッファ膜（中間層）の成膜工程、（４）露光光吸収体膜の成膜工程、（５）レジスト塗布工程、（６）描画工程、（７）エッチング工程、の各工程からなる。以下、図１を参照しながら説明する。
（１）基板の準備工程。基板１としては、低熱膨張係数を有し、平滑性、平坦度、およびマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることも出来る。金属基板の例としては、インバー合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等を用いることができる。基板１としては、本発明のマスクブランク用基板を用いることにより、高反射率で、基板間及び基板面内における反射率ばらつきを低減した反射型マスクブランクが得られる。
（２）基板上への多層反射膜の成膜工程（図１（ａ）参照）。多層反射膜２としては、ＭｏとＳｉからなる交互積層膜が多用されているが、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、等でも良い。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。ＭｏとＳｉからなる多層膜の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＳｉ膜を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＭｏ膜を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜する。この工程により、多層反射膜付き基板が得られる。
（３）バッファ膜（中間層）の成膜工程（図１（ａ）参照）。バッファ膜（吸収体膜のエッチングによるパターニング時における多層反射膜へのエッチングストッパーとしての機能を有する）３の材料としてはCrNが多用されるが、吸収体膜４をエッチングする条件によっては、耐エッチング性の高い材料としてSiO２等を用いても良い。CrNを用いる場合は、DCマグネトロンスパッタ法によりCrターゲットを用いてＡｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、前記多層反射膜２上へCrN膜を成膜するのが好ましい。
（４）露光光吸収体膜の成膜工程（図１（ａ）参照）。ＥＵＶ光等の露光光の吸収体膜４の材料としては、Ｔａを主成分とする材料、Ｔａを主成分とし少なくともＢを含む材料、Ｔａを主成分とするアモルファス構造の材料、Ｔａを主成分とし少なくともＢを含んだアモルファス構造の材料（例えば、Ｔａ４Ｂで表されるＢを２５％程度含んだアモルファス構造の材料）、ＴａとＢとＮを含む材料（例えば、Ｔａを主成分としＢを１５％、Ｎを１０％程度含んだアモルファス構造の材料）等が挙げられる。さらに、マスク検査に使用する検査光（通常はDUV光）波長で反射率を下げるために、吸収体膜の上層に酸化物層を形成することで、マスク検査のコントラストを高めるのが一般的である。例えば、Crを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料（例えば、ＣｒＮ、ＣｒＮにＯ、Ｃを添加した材料）等が好ましく挙げられる。しかし、これに限定されず、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＷＮ、Ｃｒ、ＴｉＮ、等も使用可能である。
吸収体膜４は、単一層でも積層構成としてもよい。吸収体膜４の材料としてＴａＢ化合物薄膜を用いる例では、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＴａＢターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＴａＢ膜を成膜し、引き続き、Arと酸素ガスの雰囲気で、例えばＴａＢＯ膜を成膜することが好ましい。
以上の工程により、反射型マスクブランク１０（図１（ａ）参照）が得られる。
以上の工程により、反射型マスクブランク１０（図１（ａ）参照）が得られる。
（５）レジスト塗布工程。得られた反射型マスクブランク１０の吸収体膜４にパターンを形成することにより反射型マスクを製造することができる。工程（４）で得られたマスクブランクにＥＢレジストを塗布しベーキングを行う。
（６）描画工程。ＥＢレジストを塗布したマスクブランクに例えばＥＢ描画装置を用いて所定のパターン描画を行い、これを現像して、レジストパターン５ａを形成する（図１（ｂ）参照）。
（７）エッチング工程。このレジストパターン５ａをマスクとして、吸収体膜４を例えばドライエッチングし、吸収体パターン４ａを形成する（図１（ｂ）参照）。そして、吸収体パターン上に残存するレジストパターンを例えば熱濃硫酸で除去する（図１（ｃ）参照）。さらに、下地のバッファ膜３は、吸収体パターン４ａに沿って例えばドライエッチングにより除去する。この工程により、反射型マスク２０が得られる（図１（ｄ）参照）。
なお、吸収体膜４の材料、エッチング条件によって多層反射膜へのダメージが少ない場合は、上記バッファ膜３を省く構成としてもよい。また、本発明でいう反射型マスクブランクは、上述の吸収体膜上にレジスト膜を形成した構成でも構わない。
なお、吸収体膜４の材料、エッチング条件によって多層反射膜へのダメージが少ない場合は、上記バッファ膜３を省く構成としてもよい。また、本発明でいう反射型マスクブランクは、上述の吸収体膜上にレジスト膜を形成した構成でも構わない。
本発明により得られる反射型マスクブランクにおける吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することにより得られる反射型マスクによれば、半導体基板上へのパターン転写時に、基板表面の微小な表面欠陥に起因する位相欠陥やパターン欠陥、あるいは基板間及び基板面内の反射率ばらつきに起因する転写パターン欠陥の発生を防止することができる。
また、以上の説明では、本発明に係わるマスクブランク用基板を多層反射膜付き基板、反射型マスクブランクに適用する場合を説明したが、これには限定されず、例えば位相シフトマスクブランク用基板にも好適である。位相シフトマスクブランク用基板についても、平滑性と表面欠陥について非常に厳しい要求が求められており、本発明によれば、高平滑性と微小欠陥の低減が実現でき、微小な表面欠陥により発生する位相差変化を抑えることができることから位相シフトマスクブランク用ガラス基板にも好適である。
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。以下の例では、マスクブランク用基板として、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板（以下、単にガラス基板とも称する）を例に説明する。
まず、以下の実施例において研磨工程で使用する遊星歯車方式の両面研磨装置について図３を用いて説明する。
まず、以下の実施例において研磨工程で使用する遊星歯車方式の両面研磨装置について図３を用いて説明する。
遊星歯車方式の両面研磨装置は、太陽歯車１２と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車１３と、太陽歯車１２及び内歯歯車１３に噛み合い、太陽歯車１２や内歯歯車１３の回転に応じて公転及び自転するキャリア１４と、このキャリア１４に保持された被研磨加工物（ガラス基板１）を研磨パッド１７が貼着された挟持可能な上定盤１５及び下定盤１６と、上定盤１５と下定盤１６との間に研磨液を供給する研磨液供給部（図示せず）とを備えている。
研磨加工時には、キャリア１４に保持された被研磨加工物を上定盤１５及び下定盤１６とで挟持するとともに、上下定盤１５，１６の研磨パッド１７と被研磨加工物との間に研磨液を供給しながら、太陽歯車１２や内歯歯車１３の回転に応じて、キャリア１４が公転及び自転しながら、被研磨加工物の上下両面が研磨加工される。
研磨加工時には、キャリア１４に保持された被研磨加工物を上定盤１５及び下定盤１６とで挟持するとともに、上下定盤１５，１６の研磨パッド１７と被研磨加工物との間に研磨液を供給しながら、太陽歯車１２や内歯歯車１３の回転に応じて、キャリア１４が公転及び自転しながら、被研磨加工物の上下両面が研磨加工される。
以下の実施例１、２は、マスクブランク用ガラス基板の製造方法の具体例である。
（実施例１）
ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラス基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を上述の両面研磨装置のキャリアにセットし、以下の研磨条件で研磨加工（精密研磨）を行った。
研磨パッド：軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
研磨液：アニオン性コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含む酸性水溶液（ｐＨ：１〜５）
加工圧力：５０〜１００ｇ／ｃｍ２
加工時間：６０分
（実施例１）
ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラス基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を上述の両面研磨装置のキャリアにセットし、以下の研磨条件で研磨加工（精密研磨）を行った。
研磨パッド：軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
研磨液：アニオン性コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含む酸性水溶液（ｐＨ：１〜５）
加工圧力：５０〜１００ｇ／ｃｍ２
加工時間：６０分
なお、上記研磨液には、塩酸と酒石酸とを加え、ｐＨが１〜５の範囲になるように予め調整した。研磨加工中は、研磨液のｐＨ値には殆ど変動がなく、上記の範囲内に保持できた。また、上記アニオン性コロイダルシリカ砥粒は、ｐＨ１〜５の範囲においては、ゼータ電位は−３０ｍＶ〜−１０ｍＶであった。
精密研磨終了後、このガラス基板の表面形状を光学干渉式の平坦度測定装置で測定した結果、基板の平坦度は０．２μｍ（凸形状）であった。得られた表面形状測定結果から、ガラス基板の平坦度がＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板に必要な平坦度となるように、ガスクラスタイオンビームで形状を調整した。クラスタイオンビームで形状調整を行った後、ガラス基板表面の平坦度を測定したところ、０．０５μｍと良好であった。
こうして、精密研磨を施した後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、高濃度（１００ｐｐｍ以上）オゾン水が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、１０分間の洗浄を行った。
上述の精密研磨等を複数バッチ行い、ガラス基板（ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板）を１００枚作製した。
上述の精密研磨等を複数バッチ行い、ガラス基板（ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板）を１００枚作製した。
この得られた１００枚のガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１３ｎｍ以下と非常に良好であった。また、この得られた１００枚のガラス基板における基板間及び各基板面内の表面粗さ（ＲＭＳ）のばらつきはいずれも０．５〜１．０％以内であり、表面粗さのばらつきは非常に小さかった。なお、この表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定して得られたデータを基に算出した。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて微小な凸状と凹状の表面欠陥を調べたところ、微小な表面欠陥の発生個数は、０．０２個／ｃｍ２であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて微小な凸状と凹状の表面欠陥を調べたところ、微小な表面欠陥の発生個数は、０．０２個／ｃｍ２であった。
（実施例２）
上述の実施例１において、精密研磨工程で使用する研磨液を、カチオン性コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含む酸性水溶液（ｐＨ：１〜５）とした。本実施例に使用する研磨液には、硫酸と酒石酸とを加え、ｐＨが１〜５の範囲になるように予め調整した。研磨加工中は、研磨液のｐＨ値には殆ど変動がなく、上記の範囲内に保持できた。また、上記カチオン性コロイダルシリカ砥粒は、ｐＨ１〜５の範囲においては、ゼータ電位は＋１５ｍＶ〜＋３５ｍＶであった。
本実施例では、上記組成の研磨液を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、精密研磨、形状調整、洗浄を行い、ガラス基板（ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
上述の実施例１において、精密研磨工程で使用する研磨液を、カチオン性コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含む酸性水溶液（ｐＨ：１〜５）とした。本実施例に使用する研磨液には、硫酸と酒石酸とを加え、ｐＨが１〜５の範囲になるように予め調整した。研磨加工中は、研磨液のｐＨ値には殆ど変動がなく、上記の範囲内に保持できた。また、上記カチオン性コロイダルシリカ砥粒は、ｐＨ１〜５の範囲においては、ゼータ電位は＋１５ｍＶ〜＋３５ｍＶであった。
本実施例では、上記組成の研磨液を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、精密研磨、形状調整、洗浄を行い、ガラス基板（ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られた１００枚のガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１３ｎｍ以下と非常に良好であった。また、この得られた１００枚のガラス基板における基板間及び各基板面内の表面粗さ（ＲＭＳ）のばらつきはいずれも０．８〜１．２％以内であり、表面粗さのばらつきは非常に小さかった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて微小な凸状と凹状の表面欠陥を調べたところ、微小な表面欠陥の発生個数は、０．０４個／ｃｍ２であった。
本実施例においても、高平滑で、表面粗さのばらつきが小さく、しかも微小表面欠陥の極めて少ないガラス基板が得られることがわかった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて微小な凸状と凹状の表面欠陥を調べたところ、微小な表面欠陥の発生個数は、０．０４個／ｃｍ２であった。
本実施例においても、高平滑で、表面粗さのばらつきが小さく、しかも微小表面欠陥の極めて少ないガラス基板が得られることがわかった。
（比較例１）
上述の実施例１において、精密研磨工程で使用する研磨液を、カチオン性コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含む酸性水溶液（ｐＨ：１〜５）とした。本比較例に使用する研磨液には、硫酸を加えて、ｐＨが１〜５の範囲になるように予め調整した。なお、研磨液に酒石酸は加えなかった。研磨加工中は、研磨加工の経過に伴い研磨液のｐＨ値は次第に上昇し、上記の範囲内に保持できなかった。また、上記カチオン性コロイダルシリカ砥粒は、ｐＨ１〜５の範囲においては、ゼータ電位は＋（プラス）の値をとるが、ｐＨが６以上になると、−（マイナス）の値をとる。
こうして本比較例では、上記組成の研磨液を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、精密研磨、形状調整、洗浄を行い、ガラス基板（ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
上述の実施例１において、精密研磨工程で使用する研磨液を、カチオン性コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含む酸性水溶液（ｐＨ：１〜５）とした。本比較例に使用する研磨液には、硫酸を加えて、ｐＨが１〜５の範囲になるように予め調整した。なお、研磨液に酒石酸は加えなかった。研磨加工中は、研磨加工の経過に伴い研磨液のｐＨ値は次第に上昇し、上記の範囲内に保持できなかった。また、上記カチオン性コロイダルシリカ砥粒は、ｐＨ１〜５の範囲においては、ゼータ電位は＋（プラス）の値をとるが、ｐＨが６以上になると、−（マイナス）の値をとる。
こうして本比較例では、上記組成の研磨液を使用したこと以外は、実施例１と同様にして、精密研磨、形状調整、洗浄を行い、ガラス基板（ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス用ガラス基板）１００枚を作製した。
この得られた１００枚のガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて微小な凸状と凹状の表面欠陥を調べたところ、微小な表面欠陥の発生個数は、１．７２個／ｃｍ２であり、微小表面欠陥が非常に多く発生していることがわかった。
また、この得られた１００枚のガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下であったが、この１００枚のガラス基板における基板間及び各基板面内の表面粗さ（ＲＭＳ）のばらつきはいずれも２％となってしまい、表面粗さのばらつきが大きかった。
また、この得られた１００枚のガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下であったが、この１００枚のガラス基板における基板間及び各基板面内の表面粗さ（ＲＭＳ）のばらつきはいずれも２％となってしまい、表面粗さのばらつきが大きかった。
このように微小表面欠陥が多く発生したり、表面粗さのばらつきが大きくなってしまったことは、研磨加工中に研磨砥粒のゼータ電位が変動（たとえばゼロに近づく）して凝集等が起こり、研磨砥粒の分散性が劣化することにより、研磨加工中における研磨液の状態が不安定であったことが原因であると考えられる。
（実施例３）
上述の実施例１により得られたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板の一主表面上に、多層反射膜２として、ＭｏとＳｉを積層した。ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス０．１ＰａでＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス圧０．１ＰａでＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として、４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜した。こうして、多層反射膜付き基板を作製した。波長１３．５ｎｍの露光光に対する多層反射膜の反射率は、６５％であり、高反射率が得られた。また、基板面内における反射率ばらつきも±０．５％以内に収まっており、非常に小さかった。さらに、同様にして作製した１００枚の多層反射膜付き基板における基板間の反射率ばらつきについても非常に小さかった。
上述の実施例１により得られたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板の一主表面上に、多層反射膜２として、ＭｏとＳｉを積層した。ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス０．１ＰａでＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス圧０．１ＰａでＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として、４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜した。こうして、多層反射膜付き基板を作製した。波長１３．５ｎｍの露光光に対する多層反射膜の反射率は、６５％であり、高反射率が得られた。また、基板面内における反射率ばらつきも±０．５％以内に収まっており、非常に小さかった。さらに、同様にして作製した１００枚の多層反射膜付き基板における基板間の反射率ばらつきについても非常に小さかった。
次に、多層反射膜２上に、Crターゲットを用いて、スパッタガスとして、Ａｒガスに窒素を２０％添加した混合ガスを用いて、CrN膜より構成されるバッファ膜３をDCマグネトロンスパッタ法によって、１０ｎｍの厚さに成膜した。
最後に、上記CrN膜より構成されるバッファ膜３の上に、ＥＵＶ光の吸収体膜４として、ＴａとＢとＮを含む膜（但し、Ｔａ：Ｂ：Ｎ＝７０：１５：１５（原子数比））をＤＣマグネトロンスパッタ法によって、６８ｎｍの厚さで成膜した。こうして、反射型マスクブランク１０を作製した。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、３２ｎｍハーフピッチ（ＤＲＡＭ）（最小線幅が１２８ｎｍ）のデザインルールを有する反射型マスクを、以下の方法により作製した。
まず、上記反射型マスクブランク１０上にＥＢレジストを塗布、乾燥し、ＥＢ描画によりレジストパターンを形成した。
このレジストパターンをマスクとして、ＴａＢＮからなる吸収体膜４を、塩素を用いてドライエッチングし、吸収体パターンを形成した。その後、吸収体パターン上に残存するレジストパターンを除去し、下地のCrN膜より構成されるバッファ膜３は、上記吸収体パターンをマスクとして、塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングで除去し、反射型マスクを作製した。
まず、上記反射型マスクブランク１０上にＥＢレジストを塗布、乾燥し、ＥＢ描画によりレジストパターンを形成した。
このレジストパターンをマスクとして、ＴａＢＮからなる吸収体膜４を、塩素を用いてドライエッチングし、吸収体パターンを形成した。その後、吸収体パターン上に残存するレジストパターンを除去し、下地のCrN膜より構成されるバッファ膜３は、上記吸収体パターンをマスクとして、塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングで除去し、反射型マスクを作製した。
作製した反射型マスクを用いて、図２に示すパターン転写装置（露光装置）により、半導体基板上へのパターン転写を行なった。図２に示すように、レーザープラズマＸ線源３１から得られたＥＵＶ光（軟Ｘ線）を反射型マスク２０に入射し、ここで反射された光を縮小光学系３２を通して例えばＳｉウエハ基板３３上に転写する。
縮小光学系３２としてはＸ線反射ミラーを用いることができる、縮小光学系により反射型マスク２０で反射されたパターンは通常１／４程度に縮小される。例えばＳｉウエハ基板３３へのパターンの転写は、Ｓｉ基板３上に形成させたレジスト膜にパターンを露光しこれを現像することによって行うことができる。露光波長として１３〜１４ｎｍの波長帯を使用する場合には、通常光路が真空中になるように転写が行われる。
このようにして本実施例で得られた反射型マスクを用いて、図２に示すパターン転写装置により、半導体基板上へのパターン転写を行った結果、位相欠陥やパターン欠陥のない、高精度な微細パターンを形成できることを確認した。
このようにして本実施例で得られた反射型マスクを用いて、図２に示すパターン転写装置により、半導体基板上へのパターン転写を行った結果、位相欠陥やパターン欠陥のない、高精度な微細パターンを形成できることを確認した。
（比較例２）
上述の比較例１により得られたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板の一主表面上に、実施例３と同様に、多層反射膜２、バッファ膜３及び吸収体膜４を順次成膜して、反射型マスクブランクを作製した。
なお、波長１３．５ｎｍの露光光に対する多層反射膜の反射率は、６２％であり、実施例３と比べると反射率は低下した。また、基板面内における反射率ばらつきは±１％となり、実施例３よりも大きかった。さらに、同様にして作製した１００枚の多層反射膜付き基板における基板間の反射率ばらつきについても実施例３よりも大きかった。また、多層反射膜表面には、ガラス基板表面の微小な表面欠陥に起因する表面欠陥が認められた。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例３と同様に反射型マスクを作製した。
上述の比較例１により得られたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用ガラス基板の一主表面上に、実施例３と同様に、多層反射膜２、バッファ膜３及び吸収体膜４を順次成膜して、反射型マスクブランクを作製した。
なお、波長１３．５ｎｍの露光光に対する多層反射膜の反射率は、６２％であり、実施例３と比べると反射率は低下した。また、基板面内における反射率ばらつきは±１％となり、実施例３よりも大きかった。さらに、同様にして作製した１００枚の多層反射膜付き基板における基板間の反射率ばらつきについても実施例３よりも大きかった。また、多層反射膜表面には、ガラス基板表面の微小な表面欠陥に起因する表面欠陥が認められた。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例３と同様に反射型マスクを作製した。
このようにして本比較例で得られた反射型マスクを用いて、図２に示すパターン転写装置により、半導体基板上へのパターン転写を行った結果、位相欠陥やパターン欠陥が発生し、さらに転写像のパターン精度も悪かった。これは、本比較例では、ガラス基板表面の微小な表面欠陥や、基板間及び基板面内における表面粗さのばらつきがあることに起因する、多層反射膜表面での表面欠陥の発生、反射率ばらつきが大きいことによるものと考えられる。
１ ガラス基板
２ 多層反射膜
３ バッファ膜
４ 吸収体膜
１０ 反射型マスクブランク
１２ 太陽歯車
１３ 内歯歯車
１４ キャリア
１５ 上定盤
１６ 下定盤
１７ 研磨パッド
２０ 反射型マスク
５０ パターン転写装置
２ 多層反射膜
３ バッファ膜
４ 吸収体膜
１０ 反射型マスクブランク
１２ 太陽歯車
１３ 内歯歯車
１４ キャリア
１５ 上定盤
１６ 下定盤
１７ 研磨パッド
２０ 反射型マスク
５０ パターン転写装置
Claims (9)
- ガラス基板の表面に研磨パッドを接触させ、前記ガラス基板の表面に研磨砥粒を含む研磨液を供給し、前記ガラス基板と前記研磨パッドとを相対的に移動させて前記ガラス基板の表面を研磨する研磨工程を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板は、合成石英ガラス、ＳｉＯ２とＴｉＯ２を含むガラス、または結晶化ガラスからなり、
前記研磨液は、無機酸および有機酸を含有し、前記ガラス基板の研磨中において前記研磨液のｐＨが１〜５の範囲に保持され、
前記研磨砥粒は、ｐＨが１〜５の範囲におけるゼータ電位が＋１０ｍＶ〜＋５０ｍＶであるカチオン性コロイダルシリカであることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記無機酸は、塩酸、硫酸、燐酸から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記有機酸は、酒石酸、マレイン酸、マロン酸から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記研磨液中の有機酸の含有量は、０．１重量％以上０．４重量％以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記研磨工程後のガラス基板の表面に対して高濃度オゾン水で洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記基板は、多成分系ガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項１乃至６の何れか一に記載のマスクブランク用基板の製造方法により得られるマスクブランク用基板の表面上に、露光光を反射する多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
- 請求項７に記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光の反射を防止する吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項８に記載の反射型マスクブランクの製造方法によって得られた反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007341518A JP5306644B2 (ja) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007341518A JP5306644B2 (ja) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009160680A JP2009160680A (ja) | 2009-07-23 |
| JP2009160680A5 JP2009160680A5 (ja) | 2011-01-27 |
| JP5306644B2 true JP5306644B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=40963873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007341518A Active JP5306644B2 (ja) | 2007-12-29 | 2007-12-29 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5306644B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5733046B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-06-10 | 旭硝子株式会社 | 研磨スラリー、およびその調製方法、ならびに、フォトマスク用ガラス基板の研磨方法 |
| TWI594069B (zh) * | 2011-09-21 | 2017-08-01 | Hoya Corp | Method of manufacturing a transfer mask |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3979750B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置 |
| JP2006011434A (ja) * | 2002-03-29 | 2006-01-12 | Hoya Corp | マスクブランク用基板、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法 |
| US7071105B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
| JP4286168B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2009-06-24 | 花王株式会社 | ナノスクラッチを低減する方法 |
| US20060163206A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Irina Belov | Novel polishing slurries and abrasive-free solutions having a multifunctional activator |
| EP1899111A2 (en) * | 2005-06-06 | 2008-03-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing |
| WO2007072890A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Asahi Glass Co., Ltd. | Glass substrate for mask blank and method of polishing for producing the same |
| JP2007257810A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
| JP2007301721A (ja) * | 2007-08-29 | 2007-11-22 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
-
2007
- 2007-12-29 JP JP2007341518A patent/JP5306644B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009160680A (ja) | 2009-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5317092B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 | |
| US10620527B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
| US10295900B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
| JP6002528B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法 | |
| KR102107799B1 (ko) | 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조방법 | |
| JP2019086802A (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク | |
| JP5455143B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 | |
| WO2020196555A1 (ja) | マスクブランク用基板、導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2013214095A (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 | |
| JP5306644B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 | |
| JP2016122751A (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2008116571A (ja) | マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法、並びに転写マスクの製造方法 | |
| JP2018054960A (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2014109670A (ja) | リソグラフィー用部材の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、マスクの製造方法、及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101201 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130502 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130626 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5306644 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |