JP5488211B2 - 基板を製造する方法及び基板並びに積層体を製造する方法及び積層体 - Google Patents
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Description
例えば、研磨粒子としては、コロイダルシリカ又は酸化セリウムなどが好ましい。コロイダルシリカを使用した場合には、より精密にガラス基板を研磨することが可能になり、その結果、より良好な精度で、凹状の欠陥が低減された又は除去されたガラス基板を得ることができるので、特に好ましい。
また、本発明において被研磨板を研磨する工程は、基板を研磨する研磨粒子を含む流体と同じものを用いてもよく、当該流体とは異なる流体を用いてもよい。基板を研磨する研磨粒子を含む流体と異なる流体としては、例えば、研磨粒子を含まない水、有機溶媒が挙げられる。研磨粒子を含む流体の分散媒であることが好ましい。
研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値を、例えば、レーザー回折・散乱式粒度分析計を用いて得ることが可能である。レーザー回折・散乱式粒度分析計としては、例えば、粒度分布測定装置Microtrac UPA150(日機装株式会社製)が挙げられる。
ΔD90={D90(研磨後)−D90(研磨前)}/{D90(研磨前)×(研磨時間)}
によって、定義される。ここで、ΔD90は、研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて被研磨板を研磨するときの研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値の単位時間当たりの増加率である。D90(研磨前)は、所定の時間間隔の間だけ研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて被研磨板を研磨する直前における研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値であり、D90(研磨後)は、所定の時間間隔の間だけ研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて被研磨板を研磨した直後における研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値である。なお、所定の時間とは、ΔD90の値を有効数字2桁の範囲内で得ることができるような精度でD90(研磨前)の値及びD90(研磨後)の値を得ることができる時間である限り、特に限定されるものではない。
図2に示す例においては、被研磨板を研磨する工程は、研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて被研磨板を研磨するときの研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値の単位時間当りの増加率が、G1となるような時間t1まで、被研磨板を研磨することを含む。
ここで、被研磨板を研磨する工程の途中で、研磨を中断し、研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて被研磨板を研磨するときの研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値の単位時間当りの増加率を測定し、G1以下となっていることが確認できた場合には、被研磨板の研磨を中断し、研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて基板を研磨することを開始することができる。一方、増加率がG1を超えていれば、再び、研磨部材を用いて被研磨板の研磨を継続すればよい。そして、増加率がG1以下になるまで実施することができる。
一方、研磨部材が、研磨粒子を含む流体を用いて基板を研磨するとき研磨粒子の凝集を促進させるような異物を含む場合、研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて基板を研磨するとき、研磨部材に含まれる異物は、研磨部材から研磨粒子を含む流体に移行すると共に研磨粒子を含む流体における研磨粒子の凝集を促進させると考えられる。
これらにより、増加した凝集した研磨粒子は、相対的に頻繁に基板に衝突すると共に、それに応じて基板に損傷を与えることがあると考えられ、その結果、基板の凹状の欠陥のような基板の欠陥を生じうると考えられる。
その結果、研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて基板を研磨するとき、異物が研磨部材から研磨粒子を含む流体に移行して、研磨粒子の凝集の促進を低減する又は予防することが可能になり、基板に損傷を与えるような基板に対する凝集した研磨粒子の相対的に頻繁な衝突を低減する又は予防することが可能になると考えられる。その結果、基板の凹状の欠陥のような基板の欠陥を低減する又は予防することが可能になると考えられる。
ただし、基板の凹状の欠陥のような基板の欠陥を低減する又は予防するためには、研磨部材に含まれる異物をより十分に低減する又は除去することが要求される。例えば、特開2005−059184号公報に開示されるような、目視にて泡が見えなくなるまでダミー基板の加工を行う方法では、合成石英ガラス基板の凹状の欠陥を低減する又は予防する目的のためには、研磨パッドに含まれる界面活性剤の除去が不十分であると考えられ、研磨パッドに含まれる界面活性剤のさらなる除去が必要であると考えられる。
また、研磨部材の使用期限の経過後における研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて被研磨板を研磨するときの研磨粒子を含む流体に含まれる研磨粒子のD90の値の単位時間当りの増加率を、一定の値G0としてもよい。この場合、研磨部材の使用期限は、基板を研磨する工程において設定される、研磨部材が使用される期限である。本発明において、研磨部材の使用期限は、例えば、各々の研磨部材ごとについて予め設定された使用期限である。この場合には、研磨部材の使用期限の経過後における研磨部材を用いて一定の値をより容易に評価することができる。その結果、より容易に、基板の欠陥が低減された又は除去された基板を製造する方法を提供できる。
GがG0の1.1倍以下である場合には、研磨部材(K2)に含まれうる界面活性剤が十分に低減された又は除去されたと考えられるため、第四のステップに移行する。GがG0の1.1倍を超える場合には、研磨部材(K2)に含まれうる界面活性剤が十分に低減されていないと考えられるため、再び第二のステップを実施する。第二ステップ終了後、再び第三のステップを行い、Gを測定し、GがG0の1.1倍以下となるまで繰り返す。
最後に第四のステップにおいて、研磨部材(K2)及び研磨粒子を含む流体(R3)を用いて、製造される対象であると共にガラス基板である基板を研磨する。
研磨粒子を含む流体(R3)は研磨粒子を含む流体(R1)と同じものあってもよい。これらは上記で説明したようにコロイダルシリカ水溶液であることが好ましい。
流体(R2)は、研磨粒子を含む流体(R3)、(R1)と同じものであってもよく異なるものであってもよい。同じコロイダルシリカ水溶液であるか、コロイダルシリカを含まない単なる水であることが好ましい。
本発明により、照射される光の位相欠陥を引き起こしうる凹状の欠陥が低減された又は除去されたマスクブランクを提供できる。
次に、本発明の第一の実施形態による基板を製造する方法及び本発明の第二の実施形態による基板の実施例を記載する。
続いて、以下の条件でダミー基板の加工を行い、研磨パッドに含まれる異物としての界面活性剤の除去を行った。
研磨パッド:超軟質ポリシャ(スウェードタイプ)(カネボウ社製ベラトリックスK7512)
研磨定盤回転数:35回転毎分
研磨時間 :4000分
研磨荷重 :50〜100g/cm2
希釈水 :純水(比抵抗値4.2MΩ・cm、0.2μm以上異物濾過)
研磨スラリーの流量 :10リットル/分(循環)
なお、ダミー基板の加工工程において、粒度分布測定装置Microtrac UPA150(日機装株式会社製)を用い、研磨スラリーに含まれる研磨粒子のD90の値の単位時間当りの増加率が、使用期限の経過後の研磨パッドについて同じ条件で得られた研磨粒子のD90の値の単位時間当りの増加率の1.1倍以下になったことを確認した。
次に、キャリアからダミー基板を取り外し、ジェットスプレーにて研磨パッドの表層に付着した異物を除去した。
研磨時間 :30〜90分
研磨荷重 :50〜100g/cm2
希釈水 :純水(比抵抗値4.2MΩ・cm、0.2μm以上異物濾過)
研磨スラリーの流量 :10リットル/分(循環)
ガラス基材の最終研磨の終了後、ガラス基板に付着した研磨粒子を除去するため、ガラス基板を、90℃の硫酸及び過酸化水素水の混合溶液を含む第一の槽、すすぎ用の温純水を含む第二の槽、アルカリ性界面活性剤の水溶液を含む第三の槽、すすぎ用の超純水を含むすすぎ槽、並びに、乾燥槽で構成された多段式自動洗浄機を用いて洗浄した。
最終研磨を実施したガラス基板の一つの主表面上に、40対のMo膜及びSi膜を交互に含む積層膜を形成して、多層反射膜を得た。次いで、多層反射膜上にTaBN膜からなる吸収体膜を形成し、吸収体膜上にレジスト膜を形成して、EUV反射型マスクブランクスを作製した。次いで、レジスト膜を、紫外光及び現像液を用いてパターニングを実施して、レジストパターンを形成した。その後、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングによって、吸収体膜をエッチングした。最後に、吸収体膜上に残留したレジスト膜を除去して、EUV反射型マスクを作製した。
上述の実施例において、ダミー基板の加工工程の研磨時間が1500分未満であること、及び、ダミー基板の加工中に、粒度分布測定装置Microtrac UPA150(日機装株式会社製)で測定された研磨スラリーに含まれる研磨粒子のD90の値の単位時間当りの増加率が、使用期限の経過後の研磨パッドについて同じ条件で得られた研磨粒子のD90の値の増加率の1.1倍より大きかったことを確認したこと以外は、上述の実施例と同様にして、最終研磨を実施したガラス基板を作製した。
また、上述の実施例と同様にして、EUV反射型マスクを作製した。このように作製されたEUV反射型マスクの欠陥を検査した。その結果、EUV反射型マスクには凹状の表面欠陥が認められた。
Claims (10)
- 基板を研磨する研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて前記基板を研磨する工程並びに前記基板を研磨する前に前記研磨部材を用いて被研磨板を研磨する工程を含む、基板を製造する方法において、
前記被研磨板を研磨する工程は、前記研磨部材及び前記研磨粒子を含む流体を用いて前記被研磨板を研磨するときの前記研磨粒子を含む流体に含まれる前記研磨粒子のD90の値の単位時間当たりの増加率が、前記研磨粒子を含む流体に含まれる前記研磨粒子のD90の値の単位時間当たりの増加率が一定の値であるときの前記一定の値の1.1倍以下であるような時間まで、前記被研磨板を研磨することを含むことを特徴とする、基板を製造する方法。 - 請求項1に記載の基板を製造する方法において、
前記一定の値は、前記研磨部材の使用期限の経過後における前記研磨部材及び前記研磨粒子を含む流体を用いて前記被研磨板を研磨するときの前記研磨粒子を含む流体に含まれる前記研磨粒子のD90の値の単位時間当たりの増加率であることを特徴とする、基板を製造する方法。 - 請求項1又は2に記載の基板を製造する方法において、
前記被研磨板を研磨する工程における流体として、前記基板を研磨するのに用いるのと同一の研磨粒子を含む流体を用いる、基板を製造する方法。 - 請求項1又は2に記載の基板を製造する方法において、
前記被研磨板を研磨する工程における流体として、水を用いる、基板を製造する方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の基板を製造する方法において、
前記被研磨板は、前記基板と同種のものである、基板を製造する方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の基板を製造する方法において、
前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする、基板を製造する方法。 - 請求項6に記載の基板を製造する方法において、
前記研磨粒子が、コロイダルシリカである、基板を製造する方法。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の基板を製造する方法によって製造されて得られる、基板。
- 請求項8に記載の基板に複数の層を積層することを特徴とする、積層体を製造する方法。
- 請求項9に記載の積層体を製造する方法において、
さらに、前記複数の層における少なくとも一つの層をパターニングする、積層体を製造する方法。
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