JP2001212528A

JP2001212528A - 洗浄装置

Info

Publication number: JP2001212528A
Application number: JP2000027847A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Kageyama; 剛志蔭山; Nobuo Tani; 伸夫谷; Ryuichi Hayama; 竜一半山
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-02-04
Filing date: 2000-02-04
Publication date: 2001-08-07
Anticipated expiration: 2020-02-04
Also published as: JP3762180B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＭＰ処理等の加工処理した後の基板の表裏面
に付着した研磨屑等のパーティクルを除去する洗浄装置
での洗浄効果を高める。【解決手段】ウェハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１
００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理され
たウェハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，
５０へ基板Ｗを順次搬送する。処理部３０では保持ハン
ド３５ａの本体部３９上に保持用ローラ８０（ａ〜ｃ
）と周縁部洗浄手段９０が配置される。ウェハＷは保
持ハンド３５ａと同様の保持ハンド３５ｂにより保持さ
れると同時に周縁部洗浄手段９０が洗浄位置に配置され
る。ウェハＷの周縁部は洗浄具９１のブラシ毛が周縁部
の上方から移動して平面部と端面にかけて摺擦すること
により洗浄される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ、液
晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの
薄板状の被処理体である基板に所定の洗浄処理を行う洗
浄装置に関する。特に基板の端部をも効率的に洗浄でき
る基板の洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から基板の一種であるウェハの処理
過程において、ウェハ（以下、基板という）の表面に形
成された多層構造化に伴う凹凸を取り除くために、化学
研磨剤（スラリー）やパッド等を使用してウェハの表面
を機械的に削ることにより、ウェハの表面の平坦化を行
うＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行っている。

【０００３】ＣＭＰ（化学機械研磨）処理が行われた基
板の表面には研磨によって研磨屑等が付着しているた
め、ＣＭＰ処理後の基板に対する処理として基板を洗浄
して研磨屑等を除去する処理が行われる。このＣＭＰ洗
浄は、上記ＣＭＰにおいて、基板面を汚染させるスラリ
ーを除去するための後処理洗浄であり、下記のように、
ブラシスクラブ洗浄が一般に採用されている。

【０００４】上述のような基板の洗浄を行うための従来
技術の概念的な構成は、図１５および図１６に示されて
いる。すなわち、基板Ｗの端面が一対の端面支持ハンド
２１０，２１１によって挟持されることにより、基板Ｗ
の支持が達成されている。そして、基板Ｗの上面は、円
板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブ
ラシ２１４とからなるスクラブ洗浄部材２１６によって
スクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１４の
接触面２１８が基板Ｗの上面に接触した状態で、スクラ
ブ洗浄部材２１６が図示しない回転駆動機構によって回
転され、かつ洗浄用ブラシ２１４のほぼ中心に配置され
たノズル２２０から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの上面
がスクラブ洗浄される。

【０００５】また、基板Ｗの下面も同様に、円板状のベ
ース部２１３とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１
５とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ
２１５の接触面２１９が基板Ｗの下面に接触した状態
で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗
浄用ブラシ２１５のほぼ中心に配置されたノズル２２１
から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの下面がスクラブ洗浄
される。

【０００６】なお、この構成において、端面支持ハンド
２１０，２１１は、基板Ｗを保持しつつ、図１５に示す
ように基板Ｗの中心ＯＷが円軌道を描くように、基板Ｗ
を円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、
基板Ｗのほぼ全面に接触することとなるから、基板Ｗの
ほぼ全面をスクラブ洗浄できる。

【０００７】ところで、基板Ｗは、一般に、その表面全
体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１
７に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２
３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導
体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがっ
て、基板Ｗの表面上に薄膜をパターン形成していくと、
基板Ｗの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬
などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、基板
Ｗの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の
仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄
液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残
留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残
留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要があ
る。

【０００８】しかし、上記従来技術の構成では、エッチ
ング処理による基板Ｗの薄膜に対するパターン形成にお
いて、基板Ｗの中央部２３３の有効エリア内にのみ注意
が払われているから、基板Ｗの周縁部２３２にエッチン
グ不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜と
なる場合がある。また、基板Ｗの周縁部２３２の全域、
特に端面２３１の洗浄が不充分となり、スラリーが基板
Ｗの周縁部２３２に残ってしまうことがある。

【０００９】もしも、基板Ｗの周縁部２３２に不要な薄
膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリー
とが反応し、その結果生成された物質が基板Ｗの周縁部
２３２に残る場合もある。このように、上記従来技術の
構成においては、基板Ｗの周縁部２３２に、不要な薄膜
やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るとい
う不具合がある。この場合、これらの物質はパーティク
ルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの
低下につながり、大きな問題となっていた。

【００１０】ところで、基板の清浄度は年々厳しくな
り、基板の周縁部汚染も無視できなくなってきており、
周縁部を洗浄する装置が開発されている。その一例とし
て、特開平１１−６２５号公報には、基板の周縁部に接
触して基板を定位置に保持するとともに、基板を回転さ
せるための一対のエッジ部洗浄用ローラが開示されてい
る。このエッジ部洗浄用ローラの表面の洗浄用弾性部材
には、基板の周縁部が入り込むような略Ｖ字型の周溝が
形成されている。そして、回転するエッジ部洗浄用ロー
ラに基板の周縁部を押圧し、基板は回転しつつ全周の周
縁部がエッジ部洗浄用ローラの洗浄用弾性部材で擦られ
て洗浄される。

【００１１】また、特開平６−４５３０２号公報には、
基板の周縁部に接触して基板に付着している汚染物を擦
って洗浄除去する回転ブラシが開示されている。この回
転ブラシは、回転軸の周囲にナイロン毛等を植設したロ
ーラ形状のものを基板の周縁部に接触し基板と平行して
回転される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１１−６２５号公報に記載の洗浄装置は、基板に対
して回転駆動を与える構成上、基板の周縁部とエッジ部
洗浄用ローラの周速は同じである。そのため、洗浄用弾
性部材により周縁部の不要な薄膜やスラリーを充分に擦
り取るという洗浄力は発生せず、充分な洗浄が期待でき
ない。また、洗浄用弾性部材の洗浄領域が限られてしま
うので弾性部材の摩耗面での耐久性に問題があった。

【００１３】更に、上記特開平６−４５３０２号公報に
記載の洗浄装置は、ブラシ毛が基板の周縁部に押されて
表面上に横たわって擦られるだけなので充分な洗浄が達
成できないという問題があった。また、ブラシ毛が基板
の周縁部によって押されることで癖が付き、基板の表面
に対して押圧される十分な洗浄力が得られないという問
題もあった。

【００１４】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであって、上述の技術的課題を解決し、かつ基板の周
縁部の粒子汚染物を確実に除去できる基板の洗浄装置を
提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、薄板状の被処理体
を保持して処理する洗浄装置において、被処理体の端面
に沿って洗浄具が配置される周縁部洗浄手段と、前記周
縁部洗浄手段の洗浄具を被処理体の周縁部において平面
部上方から移動させて、平面部と端面にかけて洗浄具を
摺擦して洗浄する駆動手段と、を具備したことを特徴と
する洗浄装置である。

【００１６】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
洗浄装置において、前記洗浄具は被処理体の平面部に対
して平行に植設されたブラシ毛で形成されたことを特徴
とする。

【００１７】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２に記載の洗浄装置において、前記駆動手段は洗浄
具を回転する回転駆動手段よりなることを特徴とする。

【００１８】請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求
項３に記載の洗浄装置において、前記被処理体は、薄膜
が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であ
ることを特徴とする。

【００１９】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の洗浄装置においては、被処理体の周縁部
を良好に洗浄することができる。即ち、洗浄具を被処理
体の端面に沿って配置し被処理体の平面部上方から移動
することで、被処理体の周縁部において平面部と端面に
かけて摺擦により充分な洗浄効果を得ることができる。
また被処理板の周縁部において、平面部と端面にかけて
摺擦することで、付着物を被処理体外へ掻き出すように
洗浄できる。

【００２０】請求項２記載の発明は、洗浄具はブラシ毛
で形成される。本発明によれば、被処理体の周縁部にお
いて平面部と端面にかけてブラシ毛が押し当てられる。
ブラシ毛はその弾性で被処理体の周縁部で必要な洗浄面
に当接する。したがって、被処理体の周縁部のすべてを
確実に洗浄することができる。そのため、被処理体を一
層良好に洗浄することができる。

【００２１】請求項３記載の発明は、洗浄具が回転す
る。即ち、被処理体の一方（表面）の平面部から端面に
かけて洗浄した後、洗浄具は他方（裏面）の平面部から
端面にかけて被処理体に摺擦すように回転することで作
用する。即ち、洗浄具が回転することで被処理体の周縁
部の上下平面部を確実に洗浄することができる。

【００２２】請求項４記載の発明は、被処理体が薄膜が
形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であっ
ても周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することができ
る。なお、ここでいう加工処理には、薄膜が形成された
基板の表面を研磨するＣＭＰ処理等の研磨処理が考えら
れる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。

【００２４】図１は、本発明の実施の形態に係る基板処
理装置を示す平面図である。また、図２は、本発明の実
施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断
面図である。さらに、図３は、本発明の実施の形態に係
る基板処理装置のＺＸ平面における概略断面図である。

【００２５】この基板処理装置１００では、薄板状の被
処理体である基板の一種であるウェハＷを複数枚収納す
るポッド（ＰＯＤ）９が収納器として使用されＣＭＰ処
理の対象となる複数のウェハＷがポッド９内に密閉され
た状態で基板収納部７に配置される。この基板収納部７
には、複数のポッド９がＸ軸方向に一列に配置されてい
る。なお、ポッド９の代わりにウェハカセットを用いて
もよい。

【００２６】また、基板収納部７のＸ軸方向に沿って設
けられた搬送路１５を挟んで、複数の処理部３０，４
０，５０が設けられている。これらの処理部３０，４
０，５０もＸ軸方向に沿って一列に配置されており、ウ
ェハＷに対する処理手順に応じて隣接して設けられてい
る。

【００２７】複数の処理部のうち一端側に配置された処
理部３０は、詳細には後述するが図３に示すように、Ｃ
ＭＰ処理が終了した直後のウェハＷを保持装置３３が支
持した状態で、ウェハＷの表面に接触してウェハＷの表
面を洗浄する表面ブラシ３１とウェハＷの裏面に接触し
てウェハＷの裏面を洗浄する裏面ブラシ３２とを使用し
てウェハＷの両面をブラッシングすることによって、Ｃ
ＭＰ処理によってウェハＷに付着した研磨屑等のパーテ
ィクルを除去する処理を行う処理部である。この処理部
３０では、表面ブラシ３１及び裏面ブラシ３２による洗
浄効果を高めるために、図示しないノズルによってアル
カリ液等の所定の処理液をウェハＷの表面や裏面に供給
することが行われる。なお、この処理部３０が、本発明
の洗浄装置に相当する。

【００２８】また、処理部４０は、さらにパーティクル
除去能力の高いブラシ４１を使用してウェハＷの表面に
付着している微細なパーティクルを取り除く処理部（表
面処理部）である。処理部４０では、ブラシ４１による
洗浄効果を高めるために、ノズル４３よりウェハＷの表
面に対して所定の処理液が吐出することができるととも
に、回転部４２がウェハＷを保持しながら回転させるこ
とも可能である。

【００２９】さらに、複数の処理部の内、他端側に配置
された処理部５０は、ウェハＷが回転部５２に回転可能
な状態に載置され、ウェハＷを回転させながらノズル５
３より純水等のリンス液をウェハＷの表面に向けて吐出
することにより、ウェハＷに対する最終リンスを行った
後、リンス液の吐出を停止させてウェハＷを高速に回転
させて、スピンドライ乾燥を行う処理部（リンス処理・
乾燥処理部）である。

【００３０】なお、搬送路１５と処理部３０，４０，５
０等との上方には、基板処理装置１００の内部の雰囲気
を清浄に保つために、ファンフィルタユニットＦＦＵが
設けられている。そして、ファンフィルタユニットＦＦ
Ｕからは搬送路１５や処理部３０，４０，５０等に向け
てクリーンエアのダウンフローが形成されている。

【００３１】この基板処理装置１００では、図１に示す
ように、処理部３０のＸ軸方向に隣接する部分をＣＭＰ
装置２００とのインタフェース部分として構成してお
り、この部分に載置部２０が設けられている。載置部２
０では、ＣＭＰ装置２００に設けられた搬送部２１０と
の間でウェハＷの受け渡しを行うことができる位置とし
て、図３に示すように、上下方向に２箇所の受け渡し位
置Ｌａ，Ｌｂが設定されている。

【００３２】受け渡し位置Ｌｂは、ウェハＷをＣＭＰ装
置２００に受け渡す際に、ウェハＷが一旦載置される位
置である。そして、ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の
搬送アーム（図示せず）が載置部２０の受け渡し位置Ｌ
ｂに対してアクセスし、この搬送アームがウェハＷをＣ
ＭＰ装置２００側に搬送し、ＣＭＰ装置２００において
所定の研磨処理を行う。

【００３３】また、受け渡し位置Ｌａは、ＣＭＰ処理が
終了したウェハＷをＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の
搬送アームが基板処理装置１００に渡す際に、ウェハＷ
を一旦載置する位置である。ＣＭＰ装置２００の搬送部
２１０の搬送アームが載置部２０の受け渡し位置Ｌａに
アクセスし、ＣＭＰ処理が終了したウェハＷを載置する
ように構成されている。

【００３４】そして、処理部３０，４０，５０等および
載置部２０と、基板収納部７との間に設けられた搬送路
１５には、Ｘ軸方向に沿って移動可能な搬送ロボット１
０が設けられている。この搬送ロボット１０は、上下方
向に２つの搬送アーム１１を備えており、この搬送アー
ム１１がウェハＷを保持した状態でウェハＷの搬送を行
う。また、図２に示すように、基台部分１４には、Ｘ軸
方向に設けられたボールネジ１３が螺嵌されており、ボ
ールネジ１３が回転することによって搬送ロボット１０
がＸ軸方向に沿って移動可能となっている。また、搬送
ロボット１０は、昇降部分１２が伸縮することによって
ウェハＷをＺ軸方向（上下方向）にも搬送することがで
きるとともに、θ軸を中心とする回転動作も行うことが
可能となっている。したがって、搬送ロボット１０の搬
送アーム１１は、基板収納部７に配置された複数のポッ
ド９と、ウェハ載置部２０と、処理部５０とにアクセス
することができ、これらの処理部間でウェハＷの搬送を
行う。

【００３５】ここで、搬送ロボット１０の搬送アーム１
１をポッド９にアクセスする際には、密閉状態のポッド
９を開放して搬送アーム１１がアクセス可能な状態にす
る必要がある。そこで、基板処理装置１００には、ポッ
ド９が載置されるそれぞれの位置にポッドオープナ８が
設けられている。基板収納部７にポッド９が配置される
と、図２に示す符号８ａの状態のようにポッドオープナ
８はアームを伸ばしてポッド９の蓋のロックを解除す
る。そして、図２に示す符号８ｂの状態のように、アー
ムがポッド９の蓋を把持した状態でＹ軸方向に移動し
て、ポッド９を密閉状態から開放する。符号８ｂの状態
のままでは、搬送ロボット１０の搬送アーム１１がポッ
ド９内にアクセスすることができないので、図２に示す
８ｃの状態のように、ポッドオープナ９は蓋を保持して
いるアームを下降させる。

【００３６】このような動作により、ポッド９の密閉状
態が開放され、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、
ポッド９内のウェハＷにアクセスすることが可能とな
る。なお、ポッド９は、ウェハＷを外気とは隔離した清
浄な雰囲気に保つことでウェハＷの汚染をしないように
密閉されるものであるが、基板処理装置１００の内部は
ポッド９内部と同様に清浄な雰囲気を維持するように構
成されており、ポッド９の開放動作は、基板処理装置１
００の内部で蓋を開放するため、ウェハＷを汚染する問
題はない。

【００３７】そして、搬送ロボット１０は、搬送アーム
１１をポッド９の内部に向けて伸ばし、ポッド９の内部
からウェハＷを１枚取り出す。搬送ロボット１０は、Ｘ
軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸に
ついての回転動作を行い、搬送アーム１１は、ポッド９
から取り出したウェハＷを載置部２０の受け渡し位置Ｌ
ｂに載置する。また、搬送ロボット１０の搬送アーム１
１は、処理部５０に対してアクセスし、全ての処理が完
了したウェハＷを取り出す。そして、搬送ロボット１０
は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、
θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１はポッ
ド９の所定位置にアクセスして、ＣＭＰ処理後の洗浄処
理が終了したウェハＷをポッド９内に収納する。

【００３８】また、この基板処理装置１００には、載置
部２０に載置されたＣＭＰ処理後のウェハＷを処理部３
０に搬送し、処理部３０での処理が終了したウェハＷを
処理部４０に搬送し、処理部４０での処理が終了したウ
ェハＷを処理部５０に搬送するためにシャトル搬送ロボ
ット６０が設けられている。シャトル搬送ロボット６０
は、後述するように、Ｘ軸方向に沿って移動可能であ
り、基板受け渡し位置Ｌａに載置されているウェハＷを
処理部３０に、また、処理部３０での処理が終了したウ
ェハＷを処理部４０に、さらに、処理部４０での処理が
終了したウェハＷを処理部５０に搬送するので、それぞ
れの処理部間の搬送動作は一括して同時に行われる。

【００３９】このように、この基板処理装置１００にお
いては、搬送ロボット１０がポッド９から載置部２０へ
のウェハＷの搬送動作を行い、シャトル搬送ロボット６
０が載置部２０から処理部３０，４０，５０へのウェハ
Ｗの搬送動作を行う。そして、処理部５０からポッド９
へのウェハＷの搬送は、再び搬送ロボット１０が担当す
るように構成されている。

【００４０】また、この基板処理装置１００には、処理
部３０，４０，５０における処理の際に使用される処理
液等が処理部外部へ飛散しないように、昇降可能なカバ
ー７０が設けられている。このカバー７０は、シャトル
搬送ロボット６０によって各処理部間のウェハＷの搬送
が行われる際には、図示しないシリンダやモータ等の昇
降駆動機構によって上昇し、シャトル搬送ロボット６０
のＸ軸方向に沿った移動と緩衝しないように構成されて
おり、シャトル搬送ロボット６０による処理部間搬送が
終了して各処理部において洗浄処理を行う際には、昇降
駆動機構によってカバー７０が下降し、各処理部３０，
４０，５０の側面等を覆う。したがって、各処理部にお
いてウェハＷに対する処理を行っている際に、他の処理
部からの処理液やパーティクル等が付着することがな
く、清浄な処理を行うことができる。

【００４１】この基板処理装置１００の全体構成は上記
のごとくであり、ウェハＷに対して処理を行うための複
数の処理部３０，４０，５０をＸ軸方向に沿って隣接す
るように一列に配置しており、各処理部間のウェハＷの
搬送を１台のシャトル搬送ロボット６０で一括して行う
ことができるように構成されているため、基板処理装置
１００のフットプリントを縮小することができる。ま
た、載置部２０によって直接外部装置であるＣＭＰ装置
２００とインライン化することができるため、基板処理
装置１００とＣＭＰ装置２００とをインライン化したと
きのフットプリントも縮小することができる。

【００４２】次に、処理部３０である洗浄装置の詳細な
構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態で
ある洗浄装置の構成を示す平面図である。図５は、図４
のＤ−Ｄ断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念
的に示している。また、図６は、洗浄装置の構成を示す
要部を断面とした側面図である。

【００４３】この洗浄装置は、ウェハＷの表面に形成さ
れた薄膜を研磨するＣＭＰ処理が行われた後にウェハＷ
の表面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去す
るためのもので、側壁３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ
によって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室３０
１、および処理室３０１内においてウェハＷを水平に保
持し、かつこの状態でウェハＷを回転させることができ
る保持装置（基板保持手段）３３を備えている。

【００４４】さらに、この処理部３０は、保持装置３３
により保持されたウェハＷの上面および下面の各中央部
に残っているスラリーをスクラブして除去するための表
面ブラシ３１と裏面ブラシ３２よりなる両面洗浄装置３
４を備えている。

【００４５】そして、処理室３０１は底壁３０ｅにより
上記ウェハ保持装置３３と両面洗浄装置３４が配置され
る底壁３０ｅより上部の処理区画３０２と、底壁３０ｅ
より下部で主に保持装置３３の駆動部が配置される駆動
区画３０３より構成される。

【００４６】保持装置３３は、処理室３０１の側壁３０
ｂまたは３０ｄに対して直交する方向（以下「保持方
向」という。）Ａ（Ａ′）に関して対向配置された一対
の保持ハンド３５ａ，３５ｂを有している。

【００４７】保持ハンド３５ａには保持されたウェハＷ
の周縁付近の上下の平面部および端面を含む周縁部のみ
を洗浄するため後述する周縁部洗浄手段９０を備えてい
る。すなわち、周縁部洗浄手段９０によってウェハＷの
周縁部に残っているスラリーや不要な薄膜を除去するよ
うになっている。

【００４８】保持ハンド３５ａ，３５ｂは周縁部洗浄手
段９０を除いて本実施例において同一構造を採用し、図
５中左右対称であるので以下、一方の保持ハンド３５ａ
をもって説明する。尚、他方の保持ハンド３５ｂは同一
構造に同符号を付与して説明を省略する。

【００４９】保持ハンド３５ａは図７に示すように、保
持方向Ａに沿って移動可能なもので、ベース取付部３６
に取り付けられたベース部３７と、ベース部３７の上方
に配置されるハンド軸３８と、ウェハＷを保持するため
の３つの保持用ローラ（保持具）８０（ａ〜ｃ）を配設
される本体部３９をそれぞれ有している。尚、本体部３
９の上面に周縁部洗浄手段９０が配置される。

【００５０】ベース取付部３６には、側壁３０ａに締結
された連結部材３６１を介して保持方向Ａに沿って長く
形成され、ベース部３７の下方まで延びた台部３６２の
一端が連結されている。台部３６２の一端には、Ｌ字状
の取付板３６３の立設面にシリンダ３６４が固定され、
シリンダ３６４のロッド３６４ａが連結板３７１を介し
てベース部３７に取り付けられている。ロッド３６４ａ
は、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできる
ようになっている。また、台部３６２上には保持方向Ａ
に沿ってスライドレール３６５が配置される。

【００５１】一方、ベース部３７は、スライドレール３
６５上に装着されるスライド部３７２と、スライド部３
７２上に底板３７３を配置して構成される。底板３７３
には下面にブラケット３７４が装着され、このブラケッ
ト３７４にモータＭ１が支持される。また、底板３７３
の上面にはハンド軸３８が固定される。

【００５２】ハンド軸３８は、２つの筒状体より構成さ
れ、底板３７３の挿通口３７３ａの位置に合わせて底板
３７３上面に装着される外筒体３８１と、その内部に装
着される内筒体３８２により構成される。そして、内筒
体３８２の上部は底壁３０ｅの挿通穴３０ｆを通って処
理区画３０２に延在し、その内筒体３８２の上端に本体
部３９が装着され支持される。

【００５３】本体部３９上面の保持用ローラ８０（ａ〜
ｃ）は、ウェハＷを保持した状態でウェハＷを回転させ
るべく、本体部３９に回転可能に設けられている。これ
らの保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、ウェハＷの端面形
状に対応した円周上に配置されている。ウェハＷは、保
持用ローラ８０（ａ〜ｃ）の側面にその端面が当接した
状態で保持される。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜
ｃ）は、本体部３９に鉛直軸まわりの回転が自在である
ように支持されたローラ軸８１（ａ〜ｃ）と、ローラ軸
８１（ａ〜ｃ）の上端に固定されている保持具８２（ａ
〜ｃ）により構成される。

【００５４】保持具８２（ａ〜ｃ）は同じ構成であり、
図８に示すように、軸部８２１と、外周面に略Ｖ字状の
周溝８２２が形成された駆動伝達部８２３により構成さ
れる。この周溝８２２にウェハＷの端部が当接しながら
回転がウェハＷに伝達される。保持具８２は周縁部洗浄
具９０ａ，９０ｂの表面より硬度の高い樹脂等で一体成
形で形成される。これは、ウェハＷの端部の当接によっ
ても傷がつかないような硬さに設定されている。

【００５５】ウェハＷを回転させるために必要な駆動力
は、保持用ローラ８０ｂにのみ与えられるようになって
いる。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）のうち中
央の保持用ローラ８０ｂには、ベース部３７の下端に取
り付けられたモータＭ1 の駆動力が連結部８２４とロー
ラ軸８１ｂを介して伝達されるようになっている。

【００５６】さらに詳述する。保持用ローラ８０ａのロ
ーラ軸８１ａは、図６に示すように、本体部３９に形成
された挿通穴３９１ａを通って本体部３９の内部に形成
された空間３９２まで延ばされており、挿通穴３９１ａ
に配置された２つの軸受３９３ａ，３９３ｂを介して本
体部３９に回転自在に支持されている。他の保持用ロー
ラ８０ｃのローラ軸８１ｃも同様に、挿通穴３９１ｃを
通って空間３９２まで延ばされ、かつ挿通穴３９１ｃに
配置された２つの軸受３９４ａ，３９４ｂを介して本体
部３９に回転自在に支持されている。

【００５７】中央の保持用ローラ８０ｂのローラ軸８１
ｂは、本体部３９に形成された挿通穴３９１ｂを通って
本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされ
ており、及び挿通穴３９５を介して本体部３９の下方に
突出している。そして、挿通穴３９１ｂに配置された軸
受３９６ａと、挿通穴３９５に配置された軸受３９６ｂ
を介して本体部３９に回転自在に支持されている。

【００５８】中央のローラ軸８１ｂには、２つのプーリ
８３ｂ，８４ｂが取り付けられている。そして、２つの
プーリ８３ｂ，８４ｂと他の２つのローラ軸８１ａ，８
１ｃにそれぞれ取り付けられたプーリ８３ａ，８４ｃと
の間に、ベルト８５，８６がそれぞれ巻き掛けられてい
る。符号８７，８８はそれぞれのベルト８５，８６にテ
ンションを付与するテンション軸である。

【００５９】以上の構成により、モータＭ１によって中
央の保持用ローラ８０ｂが駆動されると、中央の保持用
ローラ８０ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト８５，
８６を介して他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃに
も伝達され、これに伴って他の２つの保持用ローラ８０
ａ，８０ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ８０
に保持されているウェハＷは回転を始める。このように
して、ウェハＷは保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持さ
れた状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合にお
けるウェハＷの回転速度は、たとえば約１０〜２０（回
転／分）である。以上のように、この実施形態では、モ
ータＭ１およびベルト８５，８６が回転駆動部に対応し
ている。

【００６０】周縁部洗浄手段９０は、図９に示すように
ウェハＷの端面に沿って配置される洗浄具９１と、洗浄
具９１が植設される円柱状の保持部９２と、保持部９２
を回転軸９３で回転駆動可能に連結されるモータ等の回
転駆動手段（駆動手段）９４より構成されている。本例
で洗浄具９１はＰＶＡによるブラシ毛が用いられるが、
ＰＶＡに限らず、弾性を有する樹脂部材を用いてもよ
い。９５は周縁部洗浄手段９０を保持ハンド３５ａの本
体部３９上で高さ方向の位置を決める台座である。

【００６１】周縁部洗浄手段９０は図４に示すように、
ウェハＷの端面形状に対応した円周上で保持用ローラ８
０ａと８０ｂの間に配置される。ウェハＷは、その周縁
部が洗浄具９１に押圧され、ウェハＷの上下の平面部及
び端面を含む周縁部が洗浄具９１により洗浄されるべ
く、洗浄具９１は変形しながら平面部から端面にかねて
摺擦する。

【００６２】この構成により、シリンダ３６４を駆動す
ることによって、ベース部３７が連結板３７１を介して
スライドレール３６５上をスライド部３７２によって移
動し、保持ハンド３５ａを保持方向Ａに沿って進退させ
ることができる。そして、保持ハンド３５ａ，３５ｂが
互いに反対方向に進退することでウェハＷを保持用ロー
ラ７０の間で挾持したり、この挾持を解放したりするこ
とができる。即ち、シリンダ３６４が保持装置３３の駆
動手段を構成する。この際、底壁３０ｅの挿通穴３０ｆ
はハンド軸３８のスライド領域より大きく開孔されてお
り、保持ハンド３５ａの移動が妨げられることがない。

【００６３】なお、参照符号３００は、保持ハンド３５
ａの移動とともに変形及び伸縮自在なベローズであり、
両面洗浄装置３４において使用される洗浄液ならびにそ
の雰囲気が、駆動部に影響を与えないようにするため、
あるいは処理区画３０２の外部に漏れるのを防ぐための
ものである。また、シリンダ３６４のロッド３６４ａや
後述するハンド軸３８から発生するパーティクルが処理
区画３０２の内部に侵入するのを防止するためのもので
もある。

【００６４】図５に戻って、両面洗浄装置３４は、保持
装置３３により保持されたウェハＷの上方および下方に
配置された表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を備え
ている。表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それ
ぞれ、保持ハンド３５ａ，３５ｂに干渉しない位置に、
ウェハＷの中心部から周縁部に至るウェハＷの平面領域
を覆うように配置されている。

【００６５】表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、
ウェハＷに対向する側に取付面３１１，３２１を有する
ベース部３１２，３２２と、ベース部３１２，３２２に
取り付けられた回転軸３１３，３２３とを有し、回転駆
動部３１４，３２４により鉛直軸方向に沿う回転軸を中
心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされている。
さらに、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それ
ぞれ、昇降駆動部３１５，３２５によって上下方向に移
動できるようになっている。これにより、ウェハ洗浄時
においてはウェハＷを表面ブラシ３１および裏面ブラシ
３２で挟み込むことができ、また、ウェハ洗浄後におい
ては、ウェハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２を離すことができるようになっている。

【００６６】ベース部３１２，３２２の各取付面３１
１，３２１には、洗浄用ブラシ（両面スクラブ手段）３
１６，３２６が設けられている。洗浄用ブラシ３１６，
３２６の中央付近には、ウェハＷに洗浄液を供給するた
めの洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，
ｂ）がそれぞれ配置されている。洗浄液は、フッ酸、硝
酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、およ
び純水を含む。

【００６７】洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２
７（ａ，ｂ）には、洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３
２８（ａ，ｂ）が連結されている。洗浄用パイプ３１８
（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）は、回転軸３１３，３２
３内に回転しないように挿通されており、その他端に
は、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供
給路３１９ａ，３２９ａ、および図示しない純水用タン
クから純水が導かれる純水供給路３１９ｂ，３２９ｂが
開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）に接続され
ている。この構成により、薬液および純水を洗浄液供給
ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）から選択的
に吐出させることができる。

【００６８】次に、シャトル搬送ロボット６０の構成に
ついて説明する。図１０は、シャトル搬送ロボットの平
面図、図１１（ａ），（ｂ）はシャトル搬送ロボット６
０とウェハＷの処理部との関係を示す概略側面図であ
る。

【００６９】図１０に示すシャトル搬送ロボット６０に
は、ウェハＷの処理部間搬送を行う際に、ウェハＷを保
持する３個の保持部６１，６２，６３が設けられている
が、このうち最も＋Ｘ軸方向側に設けられている保持部
６１は載置部２０から処理部３０へのウェハＷの搬送を
担当し、中央に設けられている保持部６２は処理部３０
から処理部４０へのウェハＷの搬送を担当し、最も−Ｘ
軸方向側に設けられている保持部６３は処理部４０から
処理部５０へのウェハＷの搬送を担当する。

【００７０】それぞれの保持部６１，６２，６３は、第
１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，
６２ｂ，６３ｂとを備えている。そして、各々のアーム
にはウェハＷを周縁部で保持するための保持部材６４が
各々２個設けられている。

【００７１】そして、基板処理装置１００内にある後述
する制御部が、図示しない駆動手段に対して駆動命令を
送ると、各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａは＋Ｘ軸
方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６
３ｂは−Ｘ軸方向に移動する。この動作により、シャト
ル搬送ロボット６０によるウェハＷを保持する動作（す
なわち、ウェハＷのチャッキング動作）が行われる。こ
のチャッキング動作は、第１アーム６１ａ，６２ａ，６
３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとの２本のア
ームによってウェハＷを挟み込む動作であるため、ウェ
ハＷの下面を支持するだけのものに比べると、各処理部
に対して搬送するウェハＷの位置アライメントを行う。

【００７２】また、逆に各第１アーム６１ａ，６２ａ，
６３ａは−Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１
ｂ，６２ｂ，６３ｂは＋Ｘ軸方向に移動する動作によ
り、シャトル搬送ロボット６０のウェハＷの保持状態を
開放する動作が行われる。

【００７３】また、図示しないモータ等の駆動によって
α方向に保持部６１，６２，６３も回転軸６５を中心に
して回転する。よって保持部６１，６２，６３がウェハ
Ｗを保持した状態でモータを駆動することにより、ウェ
ハＷもＹＺ平面での回転動作を行う。

【００７４】ここで、図１１（ａ）に示すように回転軸
６５にα方向の微少量の回転を与えると、ウェハＷの保
持状態の保持部６１は、その状態でα方向に微少量の回
転を行う。したがって、載置部２０に載置されているウ
ェハＷは、保持部６１に保持されてα方向に回転するこ
とによって、離脱することとなる。同様に、各処理部３
０，４０で保持されていたウェハＷについても、保持部
６１，６２，６３に保持されてα方向に回転することに
よって各処理部３０，４０における保持状態から開放さ
れることになる。

【００７５】そして、保持部６１，６２，６３は下部に
移動台６６が連結されており、移動台６６は−Ｘ軸方向
に沿って移動する。したがって、同時に保持部６１，６
２，６３も−Ｘ軸方向に沿って移動する。

【００７６】まず、図１０に示すように、シャトル搬送
ロボット６０は、載置部２０と処理部３０，４０に対応
する側に位置する。処理部３０，４０におけるウェハＷ
の処理中は、保持部６１，６２，６３は図中一点鎖線で
示す位置にある。そして、処理部３０，４０のおけるウ
ェハＷの処理が終了すると、各保持部６１はそれぞれ図
中実線で示す位置に移動し、載置部２０，処理部３０，
処理部４０にあるウェハＷの保持を行う。そして、各ウ
ェハＷを上昇させた後、シャトル搬送ロボット６０を−
Ｘ軸方向に移動させる。

【００７７】そして、処理部３０，処理部４０，処理部
５０へ搬送したウェハＷを下降させた後、保持部６１，
６２，６３を一点鎖線で示す位置に退避させることによ
って、各処理部へのウェハＷの搬送動作を完了する。な
お、保持部６１，６２，６３が退避する際には、各処理
部間等に設けられた退避位置６７に退避する。

【００７８】このように、このシャトル搬送ロボット６
０は、隣接する処理部間でのウェハＷの搬送を同時に行
うようになっているため、効率的なウェハＷの処理部間
の搬送を実現しているとともに、載置部２０から処理部
３０へのウェハＷの搬送と、処理部３０から処理部４０
へのウェハＷの搬送と、処理部４０から処理部５０への
ウェハＷの搬送については個別に搬送ロボットを設ける
必要がなく、基板処理装置１００のフットプリントを減
少させることが可能となる。

【００７９】なお、処理部５０からのウェハＷの取り出
しは、上述のように搬送ロボット１０の搬送アーム１１
が行うように構成されている。

【００８０】次に、カバー７０について説明する。図１
０に示すように、カバー７０は、処理部３０，４０，５
０におけるウェハＷの処理の際に処理液等が飛散しない
ように各処理部を覆っている。また、カバー７０は、下
降した際に、退避位置６７に退避しているシャトル搬送
ロボット６０の保持部６１，６２，６３に緩衝しないよ
うに各退避位置６７に対応する位置の凹部７１が設けら
れている。したがって、シャトル搬送ロボット６０の保
持部６１，６２，６３が図１０の一点鎖線で示す位置に
退避した場合に、カバー７０を下降させれば、カバー７
０は保持部６１，６２，６３に接触することなく各処理
部３０，４０，５０を良好に覆うことができる。

【００８１】また、シャトル搬送ロボット６０の保持部
６１，６２，６３が退避位置６７に退避した直後にカバ
ー７０を下降させれば、各処理部３０，４０，５０にお
ける上述のウェハＷの処理を開始することができる。

【００８２】次に、図１１（ａ），（ｂ）に基づいて、
カバー７０とシャトル搬送ロボット６０との関係につい
て説明する。図１１（ａ）に示すように、シャトル搬送
ロボット６０の回転軸６５がα方向に微少量回転し、保
持部６１がウェハＷを持ち上げた状態で処理部間搬送を
行う。このとき、カバー７０は、シャトル搬送ロボット
６０の搬送動作の際に緩衝しないように図示しない昇降
手段によって上昇した状態となっている。

【００８３】ところで、ウェハＷの処理部間搬送が終了
し、カバー７０が下降して各処理部におけるウェハＷの
処理が開始された際に、処理部３０，４０，５０に対応
する位置にあるシャトル搬送ロボット６０を次の処理部
間搬送に備えて、載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に予め移動させておくことが必要に応じて行わ
れる。

【００８４】しかし、各処理部はウェハＷの処理中であ
り、カバー７０は閉じた状態であるため、保持部６１が
退避位置６７にある状態で、シャトル搬送ロボット６０
を＋Ｘ軸方向に移動させると、カバー７０に衝突する。

【００８５】そこで、このシャトル搬送ロボット６０で
は、図１１（ｂ）に示すように、シャトル搬送ロボット
６０の回転軸６５を９０度程度回転させることによって
保持部６１を起立状態にし、側面視でカバー７０と保持
部６１とが重ならないような状態にする。こうすること
により、シャトル搬送ロボット６０が＋Ｘ軸方向に移動
しても保持部６１がカバー７０と緩衝しないようにな
り、各処理部におけるウェハＷの処理中に、シャトル搬
送ロボット６０を載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に予め移動させておくことが可能となる。

【００８６】そして、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸
方向に移動して、載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に到達すると、起立状態の保持部６１を再び略
水平状態に戻す。

【００８７】なお、ウェハＷの処理中に図１０の一点鎖
線で示す保持部６１の位置で待機しているときに保持部
６１の洗浄を行う場合は、載置部２０の近辺に載置部２
０内のウェハＷをチャッキングする保持部６１に対して
リンス液を吐出するノズル（図示せず）を設ければよ
い。そして、載置部２０の近辺に設けられたノズルから
リンス液を吐出することにより、保持部６１を洗浄する
ことが可能となる。また、保持部６１，６２，６３の洗
浄は、それぞれの退避位置６７内に配置されたノズル等
からのリンス液を吐出する手段を用いる事により洗浄す
ることが可能となる。

【００８８】図１２は、この基板処理装置１００の主要
な電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装
置１００には、当該装置の制御中枢として機能するマイ
クロコンピュータなどで構成された制御部５００が備え
られている。制御部５００は、ＲＯＭ５０１に格納され
た制御プログラムに従って、シリンダ３６４，３６４、
モータＭ１、回転駆動部３１４，３２４、昇降駆動部３
１５，３２５、開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，
ｂ）、および周縁部洗浄手段９０の回転駆動手段９４を
制御する。

【００８９】次に、この基板処理装置１００の洗浄動作
について説明する。洗浄前においては、保持ハンド３５
ａ，３５ｂはウェハＷを保持する保持位置から退避した
位置で待機し、かつ表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２も互いにウェハＷから離れた状態で待機している。前
工程であるＣＭＰ処理が終了しシャトル搬送ロボット６
０によってウェハＷが搬送されてくると、制御部５００
は、シリンダ３６４のロッド３６４ａを進出させる。そ
の結果、保持ハンド３５ａ，３５ｂは互いに近づく。こ
れにより、ウェハＷがその端面において保持用ローラ８
０（ａ〜ｃ）に保持される。同時に周縁部洗浄手段９０
もウェハＷの端部の洗浄位置に正確に配置されることと
なる。

【００９０】その後、制御部５００は、回転駆動部３１
４，３２４を駆動し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ
３２を回転させる。これと同時に、制御部５００は、開
閉弁３３０ａ，３３１ａを制御し、薬液供給路３１９
ａ，３２９ａを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズ
ル３１７ａ，３２７ａから薬液がそれぞれウェハＷの上
面および下面に供給される。

【００９１】その後、制御部５００は、モータＭ１を駆
動する。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）が回転
駆動される。これに伴って、ウェハＷが低速回転する。
さらに、制御部５００は、昇降駆動部３１５，３２５を
制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を互いに
近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ８０
（ａ〜ｃ）に保持されているウェハＷは、表面ブラシ３
１および裏面ブラシ３２によって挟み込まれ、表面ブラ
シ３１および裏面ブラシ３２によりウェハＷの上面およ
び下面が擦られる。これにより、ウェハＷの上面および
下面に薬液が供給されつつ表面ブラシ３１および裏面ブ
ラシ３２によってスクラブ洗浄される。その結果、ウェ
ハＷの上面および下面に残っていたスラリーが除去され
る。

【００９２】同時にウェハＷの周縁部は周縁部洗浄手段
９０により洗浄される。図１３を参照して詳細に説明す
る。周縁部洗浄手段９０は円形に植設された洗浄具９１
の回転中心θ２がウェハＷと同等の位置となるように配
置されている。また、ウェハＷの周縁部は洗浄具９１の
ブラシ毛内に侵入する状態とされる。

【００９３】この状態で洗浄具９１が回転方向Ｅに回転
されると、ブラシ毛９１１は回転中心θ２より図中左側
ではウェハＷの表面へ当接することとなる。一方、回転
中心θ2より図中右側ではウェハＷの裏面においてブラ
シ毛９１１が当接することとなる。ブラシ毛９１１は可
撓性を有しているので、ウェハＷの平面部に当接した
後、端面にかけて摺擦してウェハＷの反対面へ移動す
る。そしてブラシ毛９１１は元の状態になる。

【００９４】このように、洗浄具９１がウェハＷの平面
部の上方から移動して端面にかけて摺擦して洗浄するこ
とで充分な洗浄作用をウェハＷの周縁部に対して行うこ
ととなる。また、洗浄具９１が回転することで、ウェハ
Ｗの表裏面が回転中心θ２の両側において洗浄されるこ
ととなる。

【００９５】所定の時間経過後、制御部５００は、昇降
駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および
裏面ブラシ３２を互いにウェハＷから離れる方向に移動
させ、ウェハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２を離れさせる。その後、開閉弁３１９ａ，３１９ｂを
閉じて開閉弁３２９ａ，３２９ｂを開くよう制御し、洗
浄用パイプ３１８ｂ，３２８ｂと純水供給路３１９ｂ，
３２９ｂとを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル
３１７ｂ，３２７ｂから純水がウェハＷの上面および下
面に供給され、ウェハＷの上面および下面に残っている
薬液等が洗い流される。

【００９６】その後、制御部５００は、開閉弁３２９
ａ，３２９ｂを制御し純水の吐出を停止させ、また、回
転駆動部３１４，３２４の駆動を停止して表面ブラシ３
１および裏面ブラシ３２の回転を停止させる。さらに、
モータＭ１を停止させ、ウェハＷの回転を停止させると
同時にと周縁部洗浄手段９０の回転駆動手段９４の回転
を停止させる。これにより、両面洗浄装置３４における
スクラブ洗浄処理が終了する。その結果、ウェハＷの周
縁部の表面上に残っているエッチング液が洗い流される
とともに、ウェハＷの周縁部に残っていたスラリーが除
去されたり、不要な薄膜がエッチングされる。

【００９７】洗浄処理終了後、制御部５００は、シャト
ル搬送ロボット６０をウェハＷに向けて移動させる。こ
れにより、シャトル搬送ロボット６０はウェハＷを次の
処理部４０へ搬送する。処理部４０では、ブラシ４１に
より表面洗浄処理を行う。そして、処理部５０では、純
水等のリンス液を使用してウェハの最終リンスを行った
後、ウェハを高速に回転させて、スピンドライ乾燥（リ
ンス処理・乾燥処理）を行う。

【００９８】さらに、搬送ロボット１０は、処理部５０
での最終リンス処理が行われて、乾燥処理されたウェハ
Ｗを取り出してウェハＷを基板収納部７に設けられてい
るポッド９に収納する。

【００９９】以上のように本実施形態によれば、ウェハ
Ｗの周縁部をウェハＷの保持と同時に洗浄できるように
しているから、別途、周縁部の洗浄手段を洗浄位置まで
移動させる構造を必要とせずウェハＷの周縁部の洗浄を
行うことができる。したがって、ウェハＷの周縁部の不
要な薄膜が残っている場合であっても、当該薄膜を確実
に除去できる。また、ウェハＷの周縁部にスラリーが残
っている場合であっても、当該スラリーを確実に除去で
きる。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生
することもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウェハ
Ｗの全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体
製造装置を提供できる。

【０１００】本発明の実施の一形態の説明は以上のとお
りであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもの
ではない。たとえば上記実施形態では、ウェハＷの中央
部と周縁部とを１つの処理室３０１にて洗浄する場合を
例にとって説明しているが、たとえばウェハＷの中央部
を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にて
ウェハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この構
成によっても、ウェハＷの中央部と周縁部とを洗浄する
ことができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の
不具合を解消でき、ウェハＷの表面の全体を良好に洗浄
できる。

【０１０１】また、上記実施形態では、図４から図８ま
でに示すように、ウェハＷを６つの保持用ローラ８０に
よって保持する構成を例にとって説明しているが、ウェ
ハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３つ以上あ
ればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラのうちい
ずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するようにしても
よい。この構成によっても、ウェハＷを端面にて保持し
つつ回転させることができる。

【０１０２】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手
段９０の洗浄具９１を回転しているが、ウェハＷを挟ん
で上下に往復動するようにしてもよい。即ち、図１４に
示すように周縁部洗浄手段９００は台座９６０内にモー
タ９７０と、このモータ９７０の出力軸９７０ａに偏芯
カム９８０が取り付けてある。この偏芯カム９８０にバ
ネ９９１によりバネ付勢されたカムフォロア９９０が当
接され、カムフォロア９９０の他端が支持部材９３０を
介して洗浄具９１０の保持部９２０に連結されている。
９５０は溝部９５１にカムフォロア９９０の上下動を案
内する上下ガイド９５２が配置されたブロックで、一面
がバネ９９１の移動規制として機能するようにハウジン
グ９４０内に設置される。

【０１０３】この構成によれば、モータ９７０により偏
芯カム９８０が回転することでカムフォロア９９０がバ
ネ９９１に抗して上下ガイド９５２内を上下動し、洗浄
具９１０も上下動する。そしてこの周縁部洗浄手段９０
０は、ウェハＷの周縁部はブラシ毛の植設内に位置する
ことでブラシ毛が上動する時はその裏面から端面にかけ
て摺擦し、下動する時はウェハＷの表面から端面にかけ
て摺擦することで洗浄効果を得るものである。尚、この
他の実施形態において洗浄具９１０を上下往復運動させ
るに加えて回転運動するように構成しても良い。

【０１０４】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手
段９０を保持用ローラ８０ａと８０ｂの間に１個配置す
る構成としているが、保持用ローラ８０ｂと８０ｃの間
に配置してもよい。また、各々の保持ハンド３５ａ，３
５ｂにそれぞれ１個もしくは多数の周縁部洗浄手段を配
置するようにしてもよい。これによって、ウェハＷの周
縁部が充分洗浄されることとなる。

【０１０５】さらに、上記実施形態では、洗浄具９１を
円形状に植設したが、長方形に植設しても良い。

【０１０６】さらに、上記実施形態では、保持ハンド３
５ａと保持ハンド３５ｂをそれぞれ保持方向Ａと保持方
向Ａ′に移動させるようにしているが、一方を固定して
他方を移動するように構成しウェハＷを保持するように
してもよい。

【０１０７】さらに、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後
のウェハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明している
が、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウェハＷの中
央部と周縁部とを洗浄する必要のある場合に広く適用す
ることができる。

【０１０８】さらに、上記実施形態では、ウェハＷの洗
浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、
液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・デ
ィスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に
対して広く適用することができる。その他、特許請求の
範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可
能である。

【０１０９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理体の周縁部を良好に洗浄することができる洗浄装
置が提供される。即ち、周縁部洗浄手段の洗浄具を被処
理体の端面に沿って配置し、被処理体の周縁部の上方か
ら移動させて平面部と端面にかけて摺擦することで、充
分な洗浄効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す
平面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ
平面における概略断面図である。

【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＺＸ
平面における概略断面図である。

【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示
す平面図である。

【図５】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す図４
のＤ−Ｄ矢視の断面図である。

【図６】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す要部
を断面とした側面図である。

【図７】図５の保持ハンド３５ａの拡大図である。

【図８】保持ローラを示す側面図である。

【図９】周縁部洗浄手段を示す側面図である。

【図１０】シャトル搬送ロボットによる処理部間搬送の
様子を示す説明図である。

【図１１】カバーと保持部との動作関係を示す概略側面
図で、（ａ）はウェハを保持した状態、（ｂ）は保持部
を起立状態にした状態である。

【図１２】基板処理装置の制御部の構成を示すブロック
図である。

【図１３】洗浄具による洗浄状態を示す説明図である。

【図１４】他の実施例を示す概略断面図である。

【図１５】従来の洗浄装置の概略構成図である。

【図１６】従来の洗浄装置の構成を示す側面図である。

【図１７】従来の基板の周縁部の洗浄領域を示す説明図
である。

【符号の説明】

２０載置部３０、４０、５０処理部３３保持装置３４両面洗浄装置３５ａ、３５ｂ保持ハンド３６ベース取付部３７ベース部３８ハンド軸３９本体部６０シャトル搬送ロボット９０、９００周縁部洗浄手段９１、９１１洗浄具１００基板処理装置２００ＣＭＰ装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者半山竜一京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB13 AB23 AB33 AB42 BA02 BA08 BA13 BA34 BB24 BB32 BB43 BB55 CC01 CC03 CD41

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄板状の被処理体を保持して処理する洗
浄装置において、被処理体の端面に沿って洗浄具が配置される周縁部洗浄
手段と、前記周縁部洗浄手段の洗浄具を被処理体の周縁部におい
て平面部上方から移動させて、平面部と端面にかけて洗
浄具を摺擦して洗浄する駆動手段と、を具備したことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】請求項１に記載の洗浄装置において、前記洗浄具は被処理体の平面部に対して平行に植設され
たブラシ毛で形成されたことを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の洗浄装
置において、前記駆動手段は洗浄具を回転する回転駆動手段よりなる
ことを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の洗浄装置
において、前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工
処理がされた基板であることを特徴とする洗浄装置。