JP2012198976A - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012198976A JP2012198976A JP2011289755A JP2011289755A JP2012198976A JP 2012198976 A JP2012198976 A JP 2012198976A JP 2011289755 A JP2011289755 A JP 2011289755A JP 2011289755 A JP2011289755 A JP 2011289755A JP 2012198976 A JP2012198976 A JP 2012198976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- alumina
- preferable
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 448
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 681
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 243
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 199
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 119
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 80
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 58
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 49
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 40
- DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical compound C=CCNCC=C DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 125
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 58
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 29
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 229920006318 anionic polymer Polymers 0.000 description 23
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 21
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 21
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 19
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 13
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 9
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 9
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 9
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Chemical compound C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 5
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 4
- YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(prop-2-enyl)azanium Chemical compound C=CC[N+](C)(C)CC=C YIOJGTBNHQAVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical group C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid;prop-2-enamide Chemical compound NC(=O)C=C.CC(C)CS(O)(=O)=O AUZRCMMVHXRSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N [(1r,2s,4r,5r)-3-hydroxy-4-(4-methylphenyl)sulfonyloxy-6,8-dioxabicyclo[3.2.1]octan-2-yl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)O[C@H]1C(O)[C@@H](OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)[C@@H]2OC[C@H]1O2 NJSSICCENMLTKO-HRCBOCMUSA-N 0.000 description 3
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 description 3
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- KHAVLLBUVKBTBG-UHFFFAOYSA-N dec-9-enoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC=C KHAVLLBUVKBTBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- REZZEXDLIUJMMS-UHFFFAOYSA-M dimethyldioctadecylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC REZZEXDLIUJMMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N (2-aminoethyl)phosphonic acid Chemical compound [NH3+]CCP(O)([O-])=O QQVDJLLNRSOCEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical compound C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)propan-2-ol Chemical compound CC(O)CNCCN CWKVFRNCODQPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBQFBEBEBCHTBK-UHFFFAOYSA-N 1-phenylprop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(C=C)C1=CC=CC=C1 CBQFBEBEBCHTBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CN1 DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYJVGUKOTPNESI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-aminoethyl(methyl)amino]ethanol Chemical compound NCCN(C)CCO XYJVGUKOTPNESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- JSIAIROWMJGMQZ-UHFFFAOYSA-N 2h-triazol-4-amine Chemical compound NC1=CNN=N1 JSIAIROWMJGMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRZMXADUXZADTF-UHFFFAOYSA-N 4-aminoimidazole Chemical compound NC1=CNC=N1 QRZMXADUXZADTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical group OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CBSOFSBFHDQRLV-UHFFFAOYSA-N N-methylbenzylamine hydrochloride Chemical compound [Cl-].C[NH2+]CC1=CC=CC=C1 CBSOFSBFHDQRLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- ZQWKCWQWZWGDSW-UHFFFAOYSA-N benzyl(ethyl)azanium sulfate Chemical compound S(=O)(=O)([O-])[O-].C(C)[NH2+]CC1=CC=CC=C1.C(C)[NH2+]CC1=CC=CC=C1 ZQWKCWQWZWGDSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- XUDOZULIAWNMIU-UHFFFAOYSA-N delta-hexenoic acid Chemical compound OC(=O)CCCC=C XUDOZULIAWNMIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- IOMDIVZAGXCCAC-UHFFFAOYSA-M diethyl-bis(prop-2-enyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=CC[N+](CC)(CC)CC=C IOMDIVZAGXCCAC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005610 lignin Polymers 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- HVAAHUDGWQAAOJ-UHFFFAOYSA-N n-benzylethanamine Chemical compound CCNCC1=CC=CC=C1 HVAAHUDGWQAAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N n-methylprop-2-enamide Chemical compound CNC(=O)C=C YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-N pent-4-enoic acid Chemical compound OC(=O)CCC=C HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PCPYTNCQOSFKGG-ONEGZZNKSA-N (1e)-1-chlorobuta-1,3-diene Chemical compound Cl\C=C\C=C PCPYTNCQOSFKGG-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-oxadiazole Chemical compound C=1N=CON=1 BBVIDBNAYOIXOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDGKZGLPXCRRAM-UHFFFAOYSA-N 1,2,5-thiadiazole Chemical compound C=1C=NSN=1 UDGKZGLPXCRRAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O SFRLSTJPMFGBDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=NN=CS1 MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFKBCVIYTWDYRP-UHFFFAOYSA-N 10-phosphonooxydecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O CFKBCVIYTWDYRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRPZMMHWLSIFAZ-UHFFFAOYSA-N 10-undecenoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC=C FRPZMMHWLSIFAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHHIUZANWCTSDS-UHFFFAOYSA-N 12-phosphonooxydodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCCCCCOP(O)(O)=O AHHIUZANWCTSDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2,4-triazol-1-ium-3-thiolate Chemical compound SC=1N=CNN=1 AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXINVSXSGNSVLV-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrazol-4-amine Chemical compound NC=1C=NNC=1 AXINVSXSGNSVLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrazol-5-amine Chemical compound NC=1C=CNN=1 JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMWYRLQHIXVAP-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylpiperazine Chemical compound CC1CNC(C)CN1 NSMWYRLQHIXVAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000536 2-Acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Polymers 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INJFRROOFQOUGJ-UHFFFAOYSA-N 2-[hydroxy(methoxy)phosphoryl]butanedioic acid Chemical compound COP(O)(=O)C(C(O)=O)CC(O)=O INJFRROOFQOUGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLYIRERUSAMCDQ-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(2-methylphenyl)acetate Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(N)C(O)=O FLYIRERUSAMCDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONUXAGYOFJLIQM-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=C(C=C)C=CC2=C1 ONUXAGYOFJLIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOOLSJAKRPYLSA-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-phosphonobutanedioic acid Chemical compound CCC(P(O)(O)=O)(C(O)=O)CC(O)=O OOOLSJAKRPYLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpiperazine Chemical compound CC1CNCCN1 JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYSDHEOQHCDA-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound CC(=C)CS(O)(=O)=O XEEYSDHEOQHCDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKOZPUORKCHONH-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)CS(O)(=O)=O FKOZPUORKCHONH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMBRHGJEDJVDOB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanimidamide;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.CC(C)C(N)=N SMBRHGJEDJVDOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNZQBVPDZWAEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenylprop-1-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C(C)C1=CC=CC=C1 OBNZQBVPDZWAEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEILKFZTLVMHRR-UHFFFAOYSA-N 2-phosphonooxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOP(O)(O)=O SEILKFZTLVMHRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1h-pyrazole Chemical compound CC=1C=C(C)NN=1 SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFNGWPXYNSJXOP-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCS(O)(=O)=O KFNGWPXYNSJXOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOWXFKMMBYLEOM-UHFFFAOYSA-N 4-(1-methylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)-2h-triazole Chemical compound C=1NN=NC=1C1(C)CC=CC=C1 HOWXFKMMBYLEOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAXUFNXWXFZVSI-UHFFFAOYSA-N 4-aminobutan-2-ol Chemical compound CC(O)CCN NAXUFNXWXFZVSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMCNAQYARMUGJX-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonooxybutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCOP(O)(O)=O GMCNAQYARMUGJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIADORUTWJKWKW-UHFFFAOYSA-N 6-phosphonooxyhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCOP(O)(O)=O IIADORUTWJKWKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZYYQTRHHXLTKX-UHFFFAOYSA-N 7-octenoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC=C OZYYQTRHHXLTKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRQVFERMZVZDRL-UHFFFAOYSA-N 8-phosphonooxyoctyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCCCCCOP(O)(O)=O KRQVFERMZVZDRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000233967 Anethum sowa Species 0.000 description 1
- PWHXJSGBFWFQOY-UHFFFAOYSA-N CC1CCC(C)(OP(O)(O)=O)C(C1)OC(=O)C(C)=C Chemical compound CC1CCC(C)(OP(O)(O)=O)C(C1)OC(=O)C(C)=C PWHXJSGBFWFQOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIWBPDUYBMNFTB-UHFFFAOYSA-N Ethyl hydrogen sulfate Chemical compound CCOS(O)(=O)=O KIWBPDUYBMNFTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- JNKICIJSCVMYQF-UHFFFAOYSA-N I.C(C)NCC1=CC=CC=C1 Chemical compound I.C(C)NCC1=CC=CC=C1 JNKICIJSCVMYQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N N-Methylolacrylamide Chemical compound OCNC(=O)C=C CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005700 Putrescine Substances 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000005001 aminoaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- XGGLLRJQCZROSE-UHFFFAOYSA-K ammonium iron(iii) sulfate Chemical compound [NH4+].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGGLLRJQCZROSE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012935 ammoniumperoxodisulfate Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- QDEDSOUOGVNKAR-UHFFFAOYSA-N anthracene-1-sulfonic acid;formaldehyde Chemical compound O=C.C1=CC=C2C=C3C(S(=O)(=O)O)=CC=CC3=CC2=C1 QDEDSOUOGVNKAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- JCXKHYLLVKZPKE-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(N)N=NC2=C1 JCXKHYLLVKZPKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYZVLEJDGSWXII-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=NN(N)N=C21 YYZVLEJDGSWXII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000007333 cyanation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- HDITUCONWLWUJR-UHFFFAOYSA-N diethylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[NH2+]CC HDITUCONWLWUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHAJIIKYFCUTG-UHFFFAOYSA-M dimethyl-bis(prop-2-enyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C=CC[N+](C)(C)CC=C YRHAJIIKYFCUTG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid Chemical compound CCS(O)(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- WQHQCQSAAOGHQP-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;2-methylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(C)=CC=C21 WQHQCQSAAOGHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N furazan Chemical compound C=1C=NON=1 JKFAIQOWCVVSKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- BICAGYDGRXJYGD-UHFFFAOYSA-N hydrobromide;hydrochloride Chemical compound Cl.Br BICAGYDGRXJYGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 1
- GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N hydroxymethylphosphonic acid Chemical compound OCP(O)(O)=O GTTBQSNGUYHPNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M methanesulfonate group Chemical class CS(=O)(=O)[O-] AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-N methyl sulfate Chemical compound COS(O)(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005451 methyl sulfates Chemical class 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- CHWMPPNDIBLYMB-UHFFFAOYSA-N n',n'-bis(prop-2-enyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCN(CC=C)CC=C CHWMPPNDIBLYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYCGURZGBKFEQB-UHFFFAOYSA-N n',n'-dibutylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCN KYCGURZGBKFEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLEBNGWAHUAGKT-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(prop-2-enyl)butan-1-amine Chemical compound CCCCN(CC=C)CC=C FLEBNGWAHUAGKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 1
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODYNBECIRXXOGG-UHFFFAOYSA-N n-butylbutan-1-amine;hydron;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[NH2+]CCCC ODYNBECIRXXOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWPMNMYLORDLJE-UHFFFAOYSA-N n-ethylprop-2-enamide Chemical compound CCNC(=O)C=C SWPMNMYLORDLJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGESLFUSXZBFQF-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical compound C=CCN(C)CC=C WGESLFUSXZBFQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C=C QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GAZIBGHLWYHBDT-UHFFFAOYSA-N n-propylpropan-1-amine;hydrochloride Chemical compound Cl.CCCNCCC GAZIBGHLWYHBDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFHJDMUEHUHAJW-UHFFFAOYSA-N n-tert-butylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)(C)NC(=O)C=C XFHJDMUEHUHAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- RGHXWDVNBYKJQH-UHFFFAOYSA-N nitroacetic acid Chemical compound OC(=O)C[N+]([O-])=O RGHXWDVNBYKJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- KHPXUQMNIQBQEV-UHFFFAOYSA-N oxaloacetic acid Chemical compound OC(=O)CC(=O)C(O)=O KHPXUQMNIQBQEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- WEYVCQFUGFRXOM-UHFFFAOYSA-N perazine Chemical compound C1CN(C)CCN1CCCN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 WEYVCQFUGFRXOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002195 perazine Drugs 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- GRKRIZFAMXKNHZ-UHFFFAOYSA-N phosphonooxymethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCOP(O)(O)=O GRKRIZFAMXKNHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N prop-2-ene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC=C UIIIBRHUICCMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- MNCGMVDMOKPCSQ-UHFFFAOYSA-M sodium;2-phenylethenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 MNCGMVDMOKPCSQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N triphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002703 undecylenic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】下記(1)〜(4)の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
(2)平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを用いて前記工程(1)で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程、
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを用いて工程(3)で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。
【選択図】なし
Description
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(以下「工程(1)」とも言う)、
(2)平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(1)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(以下「工程(2)」とも言う。)、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程(以下「工程(3)」とも言う。)、
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程(3)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(以下「工程(4)」とも言う)。
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
(2)平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(1)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程(3)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程。
本発明の基板製造方法おける被研磨基板は磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、具体的には、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明の被研磨基板としては、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。
本発明の基板製造方法は、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(工程(1))を有する。工程(1)で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
本発明の基板製造方法は、平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(1)で得られた基板の研磨対象面に供給し、研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(工程(2))を有する。
本発明の基板製造方法は、アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減する観点、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、工程(2)で得られた基板を洗浄する工程(工程(3))を有する。工程(3)の洗浄は、被洗浄基板である、前記粗研磨が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄することが好ましい。工程(3)は、前述の工程(2)の後、後述する工程(4)の前に行われる。工程(3)の洗浄方法としては、例えば、(a)工程(2)で得られた基板を後述する洗浄剤組成物に浸漬する方法や、(b)洗浄剤組成物を射出して、前記基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法が挙げられる。
本発明の基板製造方法は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程(3)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(工程(4))を有する。
工程(1)及び工程(2)で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、粗研磨工程後の基板表面のうねり低減、アルミナ突き刺さり低減の観点から、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムやポリエステルフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、粗研磨工程後の基板表面のうねり低減、アルミナ突き刺さり低減の観点からの圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンエラストマーが好ましい。
研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程(1)における研磨荷重は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点から、30kPa以下が好ましく、より好ましくは25kPa以下、さらに好ましくは20kPa以下、さらにより好ましくは18kPa以下、さらにより好ましくは16kPa以下、さらにより好ましくは14kPa以下である。また、前記研磨荷重は、基板表面うねり低減、研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは7kPa以上、さらにより好ましくは8kPa以上、さらにより好ましくは9kPa以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは3〜30kPa、より好ましくは5〜25kPa、さらに好ましくは7〜20kPa、さらにより好ましくは8〜18kPa、さらにより好ましくは9〜16kPa、さらにより好ましくは9〜14kPaである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。
工程(1)における、被研磨基板の単位面積(1cm2)あたりの研磨量は、メッキ欠陥を低減する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び基板表面うねりを低減する観点から、0.4mg以上が好ましく、0.6mg以上がより好ましく、0.8mg以上がさらに好ましい。一方、生産性向上の観点からは、2.6mg以下が好ましく、2.1mg以下がより好ましく、1.7mg以下がさらに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨量は、好ましくは0.4〜2.6mg、より好ましくは0.6〜2.1mg、さらに好ましくは0.8〜1.7mgである。
工程(1)における研磨液組成物Aの供給速度は、コストを低減する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び基板表面うねりを低減する観点から、被研磨基板1cm2あたり0.25mL/分以下が好ましく、0.2mL/分以下がより好ましく、0.15mL/分以下がさらに好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び基板表面うねりを低減する観点から、被研磨基板1cm2あたり0.01mL/分以上が好ましく、0.025mL/分以上がより好ましく、0.05mL/分以上がさらに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、前記供給速度は、被研磨基板1cm2あたり0.01〜0.25mL/分が好ましく、0.025〜0.2mL/分がより好ましく、0.05〜0.15mL/分がさらに好ましい。
研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ1液で供給する方法の他、研磨液組成物の保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、2液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Aとなる。
リンス処理工程における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、25kPa以下が好ましく、より好ましくは20kPa以下、さらに好ましくは15kPa以下、さらにより好ましくは14kPa以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは5kPa以上、さらに好ましくは7kPa以上、さらにより好ましくは9kPa以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは3〜25kPa、より好ましくは5〜20kPa、さらに好ましくは7〜15kPa、さらにより好ましくは9〜14kPaである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
リンス処理工程におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を効果的に低減する観点、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、被研磨基板1cm2あたり0.25〜4mL/分が好ましく、より好ましくは0.8〜2.5mL/分、さらに好ましくは1〜2mL/分である。また、リンス処理工程におけるリンス液の供給時間は、同様の観点から、5〜60秒が好ましく、7〜30秒がより好ましく、10〜20秒がさらに好ましい。なお、リンス処理工程におけるリンス液を研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
工程(2)における研磨荷重は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、18kPa以下が好ましく、より好ましくは15kPa以下、さらに好ましくは13kPa以下、さらにより好ましくは11kPa以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、3kPa以上が好ましく、より好ましくは4kPa以上、さらに好ましくは5kPa以上、さらにより好ましくは6kPa以上、さらにより好ましくは7kPa以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは3〜18kPa、より好ましくは4〜15kPa、さらに好ましくは5〜13kPa、さらにより好ましくは6〜11kPa、さらにより好ましくは7〜11kPaである。研磨荷重を上記範囲内に設定することで基板表面うねりが低減されるとともにアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
工程(2)における、被研磨基板の単位面積(1cm2)あたりの研磨量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに、仕上げ研磨へのアルミナ粒子の持ち込み及び仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、0.0004mg以上が好ましく、0.004mg以上がより好ましく、0.01mg以上がさらに好ましい。一方、生産性向上の観点から、好ましくは0.85mg以下、より好ましくは0.43mg以下、さらに好ましくは0.26mg以下、さらにより好ましくは0.1mg以下である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨量は、好ましくは0.0004〜0.85mg、より好ましくは0.004〜0.43mg、さらに好ましくは0.01〜0.26mg、さらにより好ましくは0.01〜0.1mgである。
工程(2)における研磨液組成物Bの供給速度は、前述の研磨液組成物Aの供給速度と同様に行うことができる。
研磨液組成物Bを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法と同様である。工程(2)は、生産性向上の観点から、前記工程(1)と同一の研磨機で行うことが好ましい。また、研磨液組成物Bは、アルミナ突き刺さり低減の観点から、研磨液組成物Aを供給する供給手段とは異なる供給手段から供給することが好ましい。
工程(4)で使用される研磨は、工程(1)及び工程(2)で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程(4)で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥、基板表面うねり、スクラッチ及び表面粗さの低減の観点から、1〜50μmが好ましく、2〜40μmがより好ましく、3〜30μmがさらに好ましく、3〜10μmがさらにより好ましい。
工程(4)における研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、16kPa以下が好ましく、より好ましくは14kPa以下、さらに好ましくは13kPa以下、さらにより好ましくは12kPa以下である。また、前記研磨荷重は、基板表面うねり低減の観点、研磨速度の向上の観点から、7.5kPa以上が好ましく、より好ましくは8.5kPa以上、さらに好ましくは9.5kPa以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、7.5〜16kPaが好ましく、8.5〜14kPaがより好ましく、9.5〜13kPaがさらに好ましく、9.5〜12kPaがさらにより好ましい。
工程(4)における、被研磨基板の単位面積(1cm2)あたりの研磨量は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥、基板表面うねり、スクラッチ及び表面粗さの低減の観点から、0.085mg以上が好ましく、0.13mg以上がより好ましく、0.17mg以上がさらに好ましい。また、生産性向上の観点からは、0.85mg以下が好ましく、0.6mg以下がより好ましく、0.43mg以下がさらに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨量は、0.085〜0.85mgが好ましく、0.13〜0.6mgがより好ましく、0.17〜0.43mgがさらに好ましい。
工程(4)における研磨液組成物Cの供給速度は、前述の研磨液組成物Aの供給速度と同様に行うことができる。
研磨液組成物Cを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Aを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
工程(1)で使用される研磨液組成物Aは、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子を含有する。
前記アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、研磨速度向上の観点からは、αアルミナが好ましく、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び表面うねり低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び表面うねり低減の観点からは、中間アルミナが好ましい。
本明細書において、αアルミナとは、X線回折により結晶中にαアルミナ特有の構造が認められる結晶性アルミナ粒子の総称である。αアルミナ特有の構造は、例えば、X線回折スペクトルにおける2θ領域35.1〜35.3°(104面)、43.2〜43.4°(113面)、57.4〜57.6°(116面)などに頂点があるピークの有無により確認できる。なお、本明細書では特に指示しない限り、αアルミナ特有ピークというときは104面のピークを意味する。
研磨液組成物Aは、研磨速度の向上、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり、基板表面うねり、表面粗さの低減の観点から、中間アルミナを含有することが好ましい。中間アルミナとは、αアルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγ−アルミナ、δアルミナ、θアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。中間アルミナの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり、基板表面うねり及び表面粗さ低減の観点、研磨速度の向上の観点から、γアルミナ、δアルミナ、θアルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγアルミナ及びθアルミナ、さらに好ましくはθアルミナである。
研磨液組成物Aは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減の観点から、さらにシリカ粒子を含有することが好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後の基板の表面うねり低減、アルミナ突き刺さり低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。
研磨液組成物Aは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、ジアリルアミン重合体を含有することが好ましい。ジアリルアミン重合体は、研磨液中で正帯電となり、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナ突き刺さり及びアルミナ付着を抑制していると考えられる。ここで、「ジアリルアミン重合体」とは、ジアリルアミン類のようなアリル基を2つ有するアミン化合物がモノマーとして導入された構成単位を有する重合体をいう。また、本発明で用いられるジアリルアミン重合体は水溶性である。ここで「水溶性」とは、20℃の水100gに対する溶解度が2g以上であることをいう。
前記水溶性ジアリルアミン重合体は、極性溶媒中において、ラジカル開始剤の存在下、ジアリルアミン類の酸付加塩及び/又は第四級アンモニウム塩と、必要に応じて二酸化硫黄及びその他の構成単位を導入するための前記化合物とを重合させることにより製造することができる。
研磨液組成物Aは、研磨速度の向上、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Aにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1,−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの塩がより好ましい。
前記研磨液組成物Aは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄(III)、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄(III)及び硫酸アンモニウム鉄(III)等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は2種以上を混合して使用してもよい。
研磨液組成物Aは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物A中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、55〜99重量%が好ましく、より好ましくは70〜98重量%、さらに好ましくは80〜97重量%、さらにより好ましくは85〜97重量%である。
研磨液組成物Aには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物A中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、0〜10重量%が好ましく、0〜5重量%がより好ましい。
前記研磨液組成物AのpHは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、前述の酸や公知のpH調整剤を用いて、pH1〜6に調整することが好ましく、より好ましくはpH1〜4、さらに好ましくはpH1〜3、さらにより好ましくはpH1〜2である。なお、上記pHは、25℃における研磨液組成物のpHであり、pHメーターを用いて測定でき、電極の浸漬後40分後の数値である。
研磨液組成物Aは、例えば、アルミナ粒子及び水と、さらに所望により、シリカ粒子、ジアリルアミン重合体、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。シリカ粒子を混合する場合、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。その他の態様として、研磨液組成物Aを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。
工程(2)で使用される研磨液組成物Bは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Aで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。
研磨液組成物Bは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、複素環芳香族化合物を含有することが好ましい。複素環芳香族化合物は、正電荷を有するため、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。好ましい複素環芳香族化合物としては、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピリジン、1,2,3−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,2,5−トリアジン、1,3,5−トリアジン、1,2,4−オキサジアゾール、1,2,5−オキサジアゾール、1,3,4−オキサジアゾール、1,2,5−チアジアゾール、1,3,4−チアジアゾール、3−アミノピラゾール、4−アミノピラゾール、3,5−ジメチルピラゾール、ピラゾール、2−アミノイミダゾール、4−アミノイミダゾール、5−アミノイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、1,2,3−トリアゾール、4−アミノ−1,2,3−トリアゾール、5−アミノ−1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、5−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3−メルカプト−1,2,4−トリアゾール、1H−テトラゾール、5−アミノテトラゾール、1H−ベンゾトリアゾール、1H−トリルトリアゾール、2−アミノベンゾトリアゾール、3−アミノベンゾトリアゾール、又はこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体が挙げられる。前記アルキル置換体のアルキル基としては例えば、炭素数1〜4の低級アルキル基が挙げられ、より具体的にはメチル基、エチル基が挙げられる。また、前記アミン置換体としては1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチレン)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチレン)アミノメチル]トリルトリアゾールが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに入手容易性の観点から、1H−テトラゾール、1H−ベンゾトリアゾール、1H−トリルトリアゾール、ピラゾールが好ましく、1H−テトラゾール、1H−ベンゾトリアゾール、ピラゾールがより好ましく、1H−ベンゾトリアゾール、ピラゾールがさらに好ましい。なお、複素環芳香族化合物は、1種でも、2種以上を使用してもよい。
研磨液組成物Bは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、多価アミン化合物を含有することが好ましい。多価アミン化合物は、正電荷を有するため、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。
研磨液組成物Bは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、アニオン性基を有する高分子(以下「アニオン性高分子」とも言う。)を含有することが好ましい。アニオン性高分子は、研磨時に研磨パッドに吸着して、研磨パッド表面に水和層を形成し、研磨パッドの振動を抑制するとともに、さらにアルミナ粒子の分散性を向上させて、アルミナの突き刺さり及び基板表面うねりを抑制すると考えられる。なお、該アニオン性高分子は水溶性である。ここで「水溶性」とは、20℃の水100gに対する溶解度が2g以上であることをいう。
工程(4)で使用される研磨液組成物Cは、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Aで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。また、研磨液組成物Cは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、アルミナ粒子を含有しないことが好ましい。
工程(3)の洗浄では、洗浄剤組成物を用いることが好ましい。前記洗浄剤組成物としては、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤(成分に該当する界面活性剤は除く。)、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。
本発明は、その他の態様として、上述した工程(1)、工程(2)、工程(3)、及び工程(4)を有する研磨方法に関する。すなわち、本発明は、その他の態様として、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(1)、平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(1)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(2)、工程(2)で得られた基板を洗浄する工程(3)、及び、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程(3)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程(4)を有する研磨方法、に関する。本発明の研磨方法における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物A〜Cの組成、洗浄剤組成物、並びに、研磨の方法及び条件については、上述の本発明の基板製造方法と同様とすることができる。
下記表1に示したアルミナ砥粒1〜4、クエン酸、硫酸、過酸化水素、水、及び、場合よって下記表2に示したコロイダルシリカ砥粒2又は5、及び、下記表3の添加剤A−1〜A−4を用い、研磨液組成物Aを調製した(下記表4〜7)。アルミナ粒子及びシリカ粒子以外の研磨液組成物Aにおける各成分の含有量は、クエン酸:0.2重量%、硫酸:0.4重量%、過酸化水素:0.4重量%であり、研磨液組成物のpHは1.4であった。
下記表2に示したコロイダルシリカ砥粒2〜9、硫酸、過酸化水素、水、並びに、場合よって下記表3の添加剤B−1〜D−2を用い、研磨液組成物Bを調製した(下記表4〜7)。シリカ粒子以外の研磨液組成物B中における各成分の含有量は、硫酸:0.2重量%、過酸化水素:0.2重量%であり、研磨液組成物のpHは1.6であった。
下記表2に示したコロイダルシリカ砥粒1、硫酸、過酸化水素、水、及び下記表3の添加剤B−1,C−1及びD−1を用い、研磨液組成物Cを調製した。研磨液組成物Cにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ砥粒1:3.0重量%、硫酸:0.3重量%、過酸化水素:0.3重量%、添加剤B−1:0.01%、添加剤C−1:0.01%、添加剤D−1:0.02%であり、研磨液組成物のpHは1.5であった。
上記表3の添加剤B−6は以下のように製造した。1Lの四つ口フラスコに、イソプロピルアルコール180g(キシダ化学製)、イオン交換水270g、スチレン18g(キシダ化学製)、スチレンスルホン酸ナトリウム32g(和光純薬工業製)を仕込み、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)2塩酸塩8.9g(V−50、和光純薬工業製)を反応開始剤として、83±2℃で2時間重合し、さらに2時間熟成を行い、その後、減圧下で溶剤を除去することで、白色粉の添加剤B−6を得た。なお、添加剤B−6以外の添加剤は市販品をそのまま使用した。
0.5%ポイズ530(花王社製;特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤)水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が75〜95%になるようにアルミナ粒子を投入し、その後、5分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器 :堀場製作所製 レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度 :4
超音波強度:4
アルミナスラリー20gを105℃で5時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末X線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末X線回折法にて分析し104面におけるピーク面積を比較した。粉末X線回折法による測定条件は下記のとおりとした。
測定条件;
装置:(株)リガク製、粉末X線解析装置 RINT2500VC
X線発生電圧:40kV
放射線:Cu−Kα1線(λ=0.154050nm)
電流:120mA
Scan Speed:10度/分
測定ステップ:0.02度/分
α化率(%)=αアルミナ特有ピーク面積÷WA−1000のピーク面積×100
また、各ピークの面積は、得られた粉末X線回折スペクトルから、粉末X線回折装置付属の粉末X線回折パターン総合解析ソフトJADE(MDI社)を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書(Jade(Ver.5)ソフトウェア、取扱説明書 Manual No.MJ13133E02、理学電機株式会社)に基づいて算出した。なお、WA−1000はα化率99.9%のα−アルミナ(昭和電工社製)である。
シリカ粒子を日本電子製透過型電子顕微鏡(TEM)(商品名「JEM−2000FX」、80kV、1〜5万倍)で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「WinROOF(Ver.3.6)」(販売元:三谷商事)を用いて1000個以上のシリカ粒子データについて1個1個のシリカ粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフト「EXCEL」(マイクロソフト社製)にて、体積基準の粒径の標準偏差(標本標準偏差)を得た。また、前記表計算ソフト「EXCEL」にて、粒子直径から粒子体積に換算して得られるシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合(体積基準%)を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度(%)を得た。得られたシリカ粒子の粒径及び累積体積頻度データに基づき、粒径に対して累積体積頻度をプロットすることにより、粒径対累積体積頻度グラフが得られる。前記グラフにおいて、小粒径側からの累積体積頻度が50%となる粒径をシリカ粒子の平均一次粒子径(D50)とした。また、小粒径側からの累積体積頻度が10%となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径(D10)とし、小粒径側からの累積体積頻度が90%となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径(D90)とした。
添加剤A(A-1〜A-4)及びB(B-1〜B-6)の重量平均分子量を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GCP)を用いて、以下の条件にて測定した。
・測定装置 :L−6000形 高速液体クロマトグラフ(日立製作所社製)
・カラム :アサヒパックGS−220HQ+ GS−620HQ(昭和電工社製)
・カラム温度:30℃
・溶離液 :0.4mol/L塩化ナトリウム水溶液
・流速 :1.0mL/分
・試料サイズ:5mg/mL
・注入量 :100μL
・検出器 :RI(ショーデックスRISE−61、昭和電工社製)
・換算標準 :ポリエチレングリコール(分子量106、194、440、600、1470、4100、7100、10300、12600、23000 American Polymer Standards Service社製)
・測定装置 :HLC−8220GPC(東ソー社製)
・カラム :TSKgel G4000PWXL+TSKgel G2500PWXL(東ソー製)
・カラム温度:40℃
・溶離液 :0.2Mリン酸バッファー/CH3CN=9/1体積比
・流速 :1.0mL/分
・試料サイズ:5mg/mL
・注入量 :100μL
・検出器 :RI(東ソー社製)
・換算標準 :ポリアクリル酸Na(分子量125、4100、28000、115000 創和科学社製及びAmerican Polymer Standards Service社製)
・測定装置 :HLC−8220GPC(東ソー社製)
・カラム :G4000SWXL+G2500SWXL(東ソー製)
・溶離液 :0.2Mリン酸バッファー/CH3CN=7/3体積比
・温度 :40℃
・流速 :1.0mL/min
・試料サイズ:5mg/mL
・注入量 :100μL
・検出器 :RI(東ソー社製)
・標準物質:ポリエチレングリコール(2.4万、10.1万、18.5万、54万:東ソー製、25.8万、87.5万 創和科学製)
・測定装置 :HLC−8220GPC(東ソー社製)
・カラム :G4000SWXL+G2500SWXL(東ソー製)
・溶離液 :30mM 酢酸ナトリウム/CH3CN=6/4体積比(pH6.9)
・温度 :40℃
・流速 :1.0mL/min
・試料サイズ:5mg/mL
・注入量 :100μL
・検出器 :UV280nm(東ソー社製)
・標準物質:ポリスチレン(Mw 842万,9.64万,A−500(東ソー社製)、Mw 3万,4000(西尾工業社製)、Mw 90万(ケムコ社製))
・測定装置 :HLC−8120GPC(東ソー社製)
・カラム :TSKgel α−M+TSKgel α−M(東ソー製)
・ガードカラム:TSKguardcolumn α(東ソー製)
・溶離液 :60mmol/L リン酸,50mmol/L LiBr/DMF
・温度 :40℃
・流速 :1.0mL/分
・試料サイズ :3mg/mL
・注入量 :100μL
・検出器 :RI(東ソー社製)
・換算標準 :ポリスチレン(分子量3600、30000:西尾工業株式会社社製。9.64万、842万:東ソー株式会社製、92.9万:chemco社製)
被研磨基板は、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み1.27mm、直径95mm(中心部直径25mmの穴あきドーナツ型)であった。
各工程における研磨条件を以下に示す。なお、工程(1)及び工程(2)では同じ研磨機を用い、工程(4)では工程(1)及び工程(2)とは別個の研磨機を用いた。
研磨試験機 :両面研磨機(9B型両面研磨機、スピードファム社製)
研磨パッド :スエードタイプ(発泡層:ポリウレタンエラストマー)、厚み1.0mm、平均気孔径43μm (FILWEL社製)
定盤回転数 :45rpm
研磨荷重 :9.8kPa又は12.3kPa(設定値)
研磨液供給量:100mL/分(0.076mL/(cm2・分))
研磨量 :1.0〜1.2mg/cm2
投入した基板の枚数:10枚(両面研磨)
リンス条件:
・定盤回転数:45rpm
・研磨荷重:9.8kPa又は12.3kPa(設定値)
・イオン交換水供給量:2L/分で10秒間
研磨試験機 :両面研磨機(9B型両面研磨機、スピードファム社製、工程(1)と同じ)
研磨パッド :スエードタイプ(発泡層:ポリウレタンエラストマー)、厚み1.0mm、平均気孔径43μm(FILWEL社製、工程(1)と同じ)
定盤回転数 :45rpm
研磨荷重 :9.8kPa(設定値)
研磨液供給量:100mL/分(0.076mL/(cm2・分))
研磨量 :0.02〜0.04mg/cm2
リンス条件:
・定盤回転数:20rpm
・研磨荷重:1.4kPa
・イオン交換水供給量:2L/分で15秒間
工程(2)で得られた基板を、洗浄装置にて以下の条件で洗浄した。
1.0.1重量%のKOH水溶液からなるpH12のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、基板を5分間浸漬する。
2.浸漬後の基板を、イオン交換水で20秒間すすぎを行う。
3.すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。
研磨試験機 :両面研磨機(9B型両面研磨機、スピードファム社製、工程(1)及び工程(2)で使用した研磨機とは別個の研磨機)
研磨パッド :スエードタイプ(発泡層:ポリウレタンエラストマー)、厚み1.0mm、平均気孔径5μm(FILWEL社製)
定盤回転数 :40rpm
研磨荷重 :9.8kPa(設定値)
研磨液供給量:100mL/分(0.076mL/(cm2・分))
研磨量 :0.2〜0.3mg/cm2
投入した基板の枚数:10枚(両面研磨)
工程(4)後にリンス及び洗浄を行った。工程(4)後のリンスは、前記工程(2)と同条件で行い、洗浄は、前記工程(3)と同条件で行った。
測定機器:OSA7100(KLA Tencor社製)
評価:工程(3)で得られた基板を、研磨量0.05mg/cm2とした以外は、工程(4)と同一の条件にて、研磨液組成物Cを用いて研磨を行い、リンス及び洗浄を行った後、無作為に4枚を選択し、各々の基板を10000rpmにてレーザーを照射してアルミナ突き刺さり数を測定した。その4枚の基板の各々両面にあるアルミナ突き刺さり数(個)の合計を8で除して、基板面当たりのアルミナ突き刺さり数(個)を算出した。その結果を、下記表4〜7に、比較例1を100とした相対値として示す。なお、リンスは工程(2)と同条件で行い、洗浄は工程(3)と同条件で行った。
測定機器:OSA7100(KLA Tencor社製)
評価:工程(4)の後に、前記工程(3)と同じ条件で洗浄を行った基板のうち、無作為に4枚を選択し、各々の基板を8000rpmにてレーザーを照射して突起欠陥数を測定した。その4枚の基板の各々両面にある突起欠陥数(個)の合計を8で除して、基板面当たりの突起欠陥数(個)を算出した。その結果を、下記表4〜7に、比較例1を100とした相対値として示す。
研磨後の10枚の基板から任意に2枚を選択し、選択した各基板の両面を120°おきに4点(計16点)について、下記の条件で測定した。その16点の測定値の平均値を基板のうねりとして算出した。比較例1の基板のうねりを基準値100として各実験例の基板のうねりの相対値を求めた。結果を表4〜7に示す。
機器 :Zygo NewView5032
レンズ :2.5倍 Michelson
ズーム比 :0.5
リムーブ :Cylinder
フィルター:FFT Fixed Band Pass、うねり波長:0.2〜1.45mm
エリア :4.33mm×5.77mm
上記表4の実施例1の基板製造方法から、粗研磨工程(2)、洗浄工程(3)及び仕上げ研磨工程(4)のいずれか1工程が省かれた基板製造方法(比較例2〜4)を行い、工程(4)後の突起欠陥数を実施例1と同様に評価した。その結果を実施例1の突起欠陥数を100とした相対値で表8に示す。
実施例1の工程(2)で使用する研磨液組成物Bのコロイダルシリカ砥粒2を砥粒10とした他は実施例と同じ条件の参考例4と実施例1とで、粗研磨工程(1)〜(2)後の基板の0.5mmロールオフを下記条件で測定した。得られた結果を、下記表9に示す。なお、前記測定は、投入した基板10枚のうち1枚を選択し、その1枚の基板において3点(任意)行い、その3点の平均値を測定結果とした。0.5mmロールオフの値は、その値が正に大きいほど、基板の端部が盛り上がっていることを示し、ロールオフが抑制されたといえる。
図1に示すように、基板最端部から3.0mm及び4.0mmの基板表面をそれぞれA点及びB点とし、A点とB点を結ぶ延長線を第1基準線とする。この第1基準線と、基板最端部から0.5mmの基板表面C点との距離を測定し、最も短いものを0.5mmロールオフ(nm)とした。
<測定条件>
測定機器:商品名 Zygo New View 5032
レンズ:2.5倍
ズーム:0.5倍
解析ソフト:Zygo Metro Pro
Claims (9)
- 下記(1)〜(4)の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
(2)平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(1)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程、
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程(3)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程。 - 前記研磨液組成物Aが、さらにシリカ粒子を含有する、請求項1記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Aが、ジアリルアミン重合体を含有する、請求項1又は2記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Bが、アニオン性基を有する高分子を含有する、請求項1から3のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Bが、複素環芳香族化合物を含有する、請求項1から4のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Bが、多価アミン化合物を含有する、請求項1から5のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記被研磨基板が、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項1から6のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 下記(1)〜(4)の工程を有する、磁気ディスク基板の研磨方法。
(1)アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Aを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
(2)平均一次粒子径(D50)が40〜110nmであり、一次粒子径の標準偏差が40〜60nmであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Bを工程(1)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
(3)工程(2)で得られた基板を洗浄する工程、
(4)シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Cを工程(3)で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程。 - 前記被研磨基板が、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項8に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011289755A JP5979871B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-12-28 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
PCT/JP2012/050994 WO2012120923A1 (ja) | 2011-03-09 | 2012-01-18 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
CN201280021893.7A CN103503068A (zh) | 2011-03-09 | 2012-01-18 | 磁盘基板的制造方法 |
MYPI2013701597A MY166770A (en) | 2011-03-09 | 2012-01-18 | Manufacturing method of magnetic disk substrate |
US14/003,673 US20140001155A1 (en) | 2011-03-09 | 2012-01-18 | Manufacturing method of magnetic disk substrate |
TW101102953A TWI552147B (zh) | 2011-03-09 | 2012-01-30 | A method for manufacturing a magnetic disk substrate, and a method of grinding a magnetic disk substrate |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011052031 | 2011-03-09 | ||
JP2011052031 | 2011-03-09 | ||
JP2011289755A JP5979871B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-12-28 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012198976A true JP2012198976A (ja) | 2012-10-18 |
JP5979871B2 JP5979871B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=46797894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011289755A Active JP5979871B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-12-28 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140001155A1 (ja) |
JP (1) | JP5979871B2 (ja) |
CN (1) | CN103503068A (ja) |
MY (1) | MY166770A (ja) |
TW (1) | TWI552147B (ja) |
WO (1) | WO2012120923A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130663A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
WO2014156189A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Hoya株式会社 | ハードディスク用ガラス基板及びその製造方法 |
JP2015201237A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 基板の製造方法および研磨用組成物 |
JP2015231029A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜研磨用研磨液組成物 |
JP2016122487A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 花王株式会社 | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2018060591A (ja) * | 2013-08-31 | 2018-04-12 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP2020021528A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板の研磨方法、および磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP2020071890A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP2020119619A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
US11643573B2 (en) | 2017-03-14 | 2023-05-09 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, production method therefor, and polishing method and production method for substrate, using polishing composition |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5622481B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2014-11-12 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
JP5979872B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
US20140039693A1 (en) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | Honeywell Scanning & Mobility | Input/output connector contact cleaning |
JP6298408B2 (ja) * | 2012-09-29 | 2018-03-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP6520711B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2019-05-29 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
JP5853117B1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-02-09 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
CN106661429B (zh) * | 2014-08-26 | 2019-07-05 | 凯斯科技股份有限公司 | 抛光浆料组合物 |
WO2016132676A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物および研磨方法 |
US20180086943A1 (en) * | 2015-03-30 | 2018-03-29 | Jsr Corporation | Treatment composition for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing method, and cleaning method |
US10699738B2 (en) * | 2016-12-27 | 2020-06-30 | Showa Denko K.K. | Base for magnetic recording medium, and HDD |
US20190153262A1 (en) * | 2017-11-20 | 2019-05-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing memory hard disks exhibiting reduced surface scratching |
US11167375B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-11-09 | The Research Foundation For The State University Of New York | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1110492A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-19 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
JP2001077065A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-03-23 | Corning Inc | コロイドによる溶融シリカの研磨 |
JP2001323254A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2004063062A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-02-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法で製造された情報記録媒体用ガラス基板 |
JP2006035413A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の研磨方法およびガラス基板 |
JP2007137972A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨用シリカゾルおよびそれを含有してなる研磨用組成物 |
JP2009163810A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Kao Corp | ハードディスク基板の製造方法 |
JP2009176397A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-08-06 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2010170650A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-08-05 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP2010188514A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-09-02 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW501197B (en) * | 1999-08-17 | 2002-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate |
US7010939B2 (en) * | 2002-06-05 | 2006-03-14 | Hoya Corporation | Glass substrate for data recording medium and manufacturing method thereof |
JP2007531631A (ja) * | 2003-07-11 | 2007-11-08 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカット | 化学機械的研磨用研磨剤粒子 |
JP4707311B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2011-06-22 | 花王株式会社 | 磁気ディスク用基板 |
US7087529B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-08-08 | Amcol International Corporation | Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry and method of planarizing surfaces |
GB2433515B (en) * | 2005-12-22 | 2011-05-04 | Kao Corp | Polishing composition for hard disk substrate |
JP4753710B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-08-24 | 花王株式会社 | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP4651532B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-03-16 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
JP2008142802A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Ohara Inc | 基板の製造方法および基板 |
US8501625B2 (en) * | 2007-07-10 | 2013-08-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing liquid for metal film and polishing method |
US8404009B2 (en) * | 2007-10-29 | 2013-03-26 | Kao Corporation | Polishing composition for hard disk substrate |
EP2229243A4 (en) * | 2007-12-07 | 2012-11-21 | Fontana Technology | METHOD AND COMPOSITION FOR CLEANING DISCS |
JP2010102819A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Hoya Corp | 磁気ディスク用基板及び磁気ディスク |
WO2010074002A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP5622481B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2014-11-12 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用基板の製造方法 |
JP5941612B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2016-06-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP5564461B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2014-07-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP5925454B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2016-05-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP5979872B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
-
2011
- 2011-12-28 JP JP2011289755A patent/JP5979871B2/ja active Active
-
2012
- 2012-01-18 CN CN201280021893.7A patent/CN103503068A/zh active Pending
- 2012-01-18 US US14/003,673 patent/US20140001155A1/en not_active Abandoned
- 2012-01-18 WO PCT/JP2012/050994 patent/WO2012120923A1/ja active Application Filing
- 2012-01-18 MY MYPI2013701597A patent/MY166770A/en unknown
- 2012-01-30 TW TW101102953A patent/TWI552147B/zh active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1110492A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-19 | Showa Alum Corp | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
JP2001077065A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-03-23 | Corning Inc | コロイドによる溶融シリカの研磨 |
JP2001323254A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
JP2004063062A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-02-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法で製造された情報記録媒体用ガラス基板 |
JP2006035413A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の研磨方法およびガラス基板 |
JP2007137972A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 研磨用シリカゾルおよびそれを含有してなる研磨用組成物 |
JP2009176397A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-08-06 | Kao Corp | ハードディスク基板用研磨液組成物 |
JP2009163810A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Kao Corp | ハードディスク基板の製造方法 |
JP2010170650A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-08-05 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP2010188514A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-09-02 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130663A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
WO2014156189A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | Hoya株式会社 | ハードディスク用ガラス基板及びその製造方法 |
JP2018060591A (ja) * | 2013-08-31 | 2018-04-12 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
JP2015201237A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 基板の製造方法および研磨用組成物 |
JP2015231029A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 花王株式会社 | 酸化珪素膜研磨用研磨液組成物 |
JP2016122487A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 花王株式会社 | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 |
US11643573B2 (en) | 2017-03-14 | 2023-05-09 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, production method therefor, and polishing method and production method for substrate, using polishing composition |
JP2020021528A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板の研磨方法、および磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP7128685B2 (ja) | 2018-08-03 | 2022-08-31 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板の研磨方法、および磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP7161374B2 (ja) | 2018-10-29 | 2022-10-26 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP2020071890A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP2020119619A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP7219097B2 (ja) | 2019-01-22 | 2023-02-07 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5979871B2 (ja) | 2016-08-31 |
TW201237857A (en) | 2012-09-16 |
WO2012120923A1 (ja) | 2012-09-13 |
TWI552147B (zh) | 2016-10-01 |
US20140001155A1 (en) | 2014-01-02 |
CN103503068A (zh) | 2014-01-08 |
MY166770A (en) | 2018-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5979871B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP5979872B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP6148858B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP5925454B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6234673B2 (ja) | ガラス基板の洗浄方法 | |
JP5576634B2 (ja) | 研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法 | |
JP6116888B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP5916379B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP5979744B2 (ja) | ハードディスク製造方法 | |
JP5909088B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP2014032718A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP5613422B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6148932B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP2013140647A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP2013140646A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP2014029753A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP6437303B2 (ja) | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6321360B2 (ja) | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP7458732B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
JP6239973B2 (ja) | ガラスハードディスク基板の製造方法 | |
JP6457259B2 (ja) | ガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物 | |
JP7368998B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
JP6168657B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2021161221A (ja) | 研磨用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160721 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160726 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5979871 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |