JP5853117B1 - 磁気ディスク基板用研磨液組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】一態様において、粗研磨後の基板表面の長周期欠陥を低減できる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。【解決手段】一態様において、（１）研磨液組成物Ｉを用いた研磨工程、（２）得られた基板を洗浄する工程、及び、（３）得られた基板をシリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを用いて研磨する工程を有し、工程（１）と（３）を別の研磨機で行い、研磨液組成物Ｉは、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、酸、酸化剤及び水を含有し、質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０以上９９／１以下であり、シリカ粒子Ａ及びＢの合計の含有量が９８．０質量％を超え、非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、非球状シリカ粒子Ａの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、酸が、リン酸類、ホスホン酸又は有機ホスホン酸である製造方法。【選択図】なし

Description

本開示は、磁気ディスク基板用研磨液組成物、磁気ディスク基板の研磨方法、及び、磁気ディスク基板の製造方法に関する。

近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化のためには、磁気信号の検出感度を向上させる必要がある。そこで、磁気ヘッドの浮上高さをより低下させ、単位記録面積を縮小する技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）が厳しく要求されている。このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、ハードディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。一般に、多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、スクラッチ、突起、ピット等の傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を含む仕上げ用研磨液組成物が使用され、仕上げ研磨工程より前の研磨工程（粗研磨工程ともいう）では、生産性向上の観点から、アルミナ粒子を含む研磨液組成物が使用される。しかしながら、アルミナ粒子を砥粒として使用した場合、アルミナ粒子の基板への突き刺さりによって、メディア・ドライブの欠陥を引き起こすことがある。

そこで、アルミナ粒子を含まず、シリカ粒子を砥粒とした研磨液組成物を粗研磨工程に用いることで、基板への粒子の突き刺さりの低減を可能とする磁気ディスク基板の製造方法が提案されている（特許文献１及び２）。

一方で、研磨液組成物に含まれる酸として、リン酸やホスホン酸が使用されることもある（特許文献３）。

さらに、シリカ粒子の研磨速度を向上させるため、複数の突起を表面に有するシリカ粒子（特許文献４）や、数珠状のシリカ粒子（特許文献５）が提案されている。

特開２０１４−２９７５４号公報 特開２０１２−２９７５５号公報 特開２００３−１４７３３７号公報 特開２０１３−１２１６３１号公報 特開２００１−１１４３３号公報

磁気ディスク基板の研磨工程においてアルミナ粒子を使用しない粗研磨工程及び仕上げ研磨工程を採用すれば、残留アルミナ(例えば、アルミナ付着、アルミナ突き刺さり)を無くすことができるから突起欠陥が低減する。しかし、アルミナ粒子に換えてシリカ粒子で粗研磨工程を行う場合、長周期欠陥を除去できないという問題が新たに発生することが見出された。アルミナ粒子で粗研磨工程を行う場合には、一般に、長周期欠陥の問題は起らない。長周期欠陥の除去率は基板収率と相関性が高いため、粗研磨工程において長周期欠陥の除去率のより一層の向上が望まれる。

特許文献１は、所定のパラメータで規定される非球状シリカ粒子を砥粒として粗研磨を行えば、実質的にアルミナ粒子を含まない場合であっても、粗研磨の研磨時間を大幅に長期化することなく粗研磨後の長波長うねりを低減できることを開示する。しかしながら、長周期欠陥については、より一層の除去率の向上が望まれる。

そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、非球状シリカ粒子を砥粒とする粗研磨において、粗研磨における研磨速度を大きく損ねることなく、粗研磨後の基板表面の長周期欠陥を低減できる磁気ディスク基板用研磨液組成物を提供する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造方法あって、
（１）研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程、及び、
（３）工程（２）で得られた基板を、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを用いて研磨する工程を有し、前記工程（１）と（３）を別の研磨機で行い、
（ｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉは、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、酸、酸化剤及び水を含有し、
（ｉｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉにおいて、前記非球状シリカ粒子Ａと前記球状シリカ粒子Ｂの質量比Ａ／Ｂが８０／２０以上９９／１以下であり、シリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量が９８．０質量％を超え、
（ｉｉｉ）前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、
（ｉｖ）前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、
（ｖ）前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、
（ｖｉ）前記酸が、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、磁気ディスク基板の製造方法に関する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法における工程（１）〜（３）を含む、磁気ディスク基板の研磨方法に関する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法における工程（１）の研磨を行う第一の研磨機と、本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法における工程（２）の洗浄を行う洗浄ユニットと、本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法における工程（３）の研磨を行う第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システムに関する。

本開示は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板用研磨液組成物であって、
砥粒、酸、酸化剤及び水を含み、
前記砥粒は、非球状シリカ粒子Ａ及び球状シリカ粒子Ｂを含有し、
前記非球状シリカ粒子Ａと前記球状シリカ粒子Ｂの質量比Ａ／Ｂが８０／２０以上９９／１以下であり、
前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、
前記非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０が、２０．０％以上４０．０％以下であり、
前記球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値が０％より上１０％以下、かつ、前記球状シリカＢのＣＶ９０が１０．０％以上３５．０％以下であり、
前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、
前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、
前記酸が、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。

本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法は、アルミナ粒子を使用しないから粗研磨後及び仕上げ研磨後の突起欠陥を大幅に低減できる。そして、本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法によれば、一又は複数の実施形態において、粗研磨における研磨速度を大きく損ねることなく、粗研磨後の基板表面の長周期欠陥を低減できるという効果が奏され、基板の生産性を維持しつつ、基板収率を向上しうる。

図１は、異形型コロイダルシリカ砥粒の電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例である。 図２は、金平糖型コロイダルシリカ砥粒の電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例である。 図３は、体積粒度分布を示すグラフである。 図４は、長周期欠陥（ＰＥＤ）を有する基板表面を光干渉型表面形状測定機で計測した結果の一例である。 図５は、研磨システムの一実施形態を説明する図である。 図６は、磁気ディスク基板の製造方法の研磨工程の一実施形態を説明する図である。

本開示は、所定の非球状シリカ粒子及び球状シリカ粒子を砥粒として含有する研磨液組成物を用いた粗研磨工程において、該研磨液組成物に所定の酸（リン酸又はホスホン酸）を使用すると、長周期欠陥の除去率が向上し、さらに、研磨速度を大きく損ねることがないという知見に基づく。一般に、磁気ディスク基板の製造において、長周期欠陥が低減できれば基板収率が向上する。よって、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造において、生産性を維持しつつ、基板収率を向上できる。

所定の非球状シリカ粒子及び球状シリカ粒子と所定の酸との組合せで研磨速度を大きく損ねることなく長周期欠陥の除去率が向上するメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。すなわち、非球状シリカ粒子はその表面形状から、充填された状態では球状シリカ粒子に比べて空隙が多い。この空隙に入る特定の大きさの粒子を配合すれば、複数の砥粒成分を含む混合系では、より砥粒の充填率が高まり、研磨時の非球状シリカ粒子特有の摩擦抵抗が緩和されるため、長周期欠陥の除去率を向上できると推定される。そして、砥粒の充填率が高まることで、基板への切削面積が増加、もしくは研磨時に印加された荷重がより基板に伝わりやすくなるため、研磨速度を維持、あるいは向上できると考えられる。さらに、研磨液組成物中にリン酸又はホスホン酸が存在することで、リン酸又はホスホン酸の腐食抑制効果により、少ない研磨量で長周期欠陥、とりわけ、ＰＥＤ（polish enhanced defect）の低減効率が向上すると考えられる。つまり、特定形状のシリカを用いることにより研磨速度が向上するとともにリン酸等の特定の酸を用いることにより欠陥が抑制されることにより研磨対象基板の高品質化が達成される。加えて、研磨工程面での利点として、充填率の高い砥粒を用い、且つ腐食抑制効果を有する特定の酸を用いることで、より効率良く基板に研磨液組成物が作用しうるため、研磨液組成物の供給量を従来のそれより減らしうることが考えられる。但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

すなわち、本開示は一態様において、磁気ディスク基板の製造方法あって、
（１）研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程、及び、
（３）工程（２）で得られた基板を、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを用いて研磨する工程を有し、前記工程（１）と（３）を別の研磨機で行い、
（ｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉは、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、酸、酸化剤及び水を含有し、
（ｉｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉにおいて、前記非球状シリカ粒子Ａと前記球状シリカ粒子Ｂの質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０以上９９／１以下であり、シリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量が９８．０質量％を超え、
（ｉｉｉ）前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、
（ｉｖ）前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、
（ｖ）前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、
（ｖｉ）前記酸が、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示に係る製造方法」ともいう）に関する。本開示に係る製造方法によれば、一又は複数の実施形態において、粗研磨における研磨速度を大きく損ねることなく、仕上げ研磨後の突起欠陥を大幅に低減でき、かつ、粗研磨後の基板表面の長周期欠陥を低減できるという効果が奏されうる。

本開示において「長周期欠陥」とは、Ｎｉ―Ｐめっきアルミニウム基板の製造工程で発生するＰＥＤ（polish enhanced defect）及びグラインド傷を含む。ＰＥＤは、アルミニウム基板にめっき成膜する工程におけるアニール工程で、基板表面に付着した水や異物に起因するアニール不足の部分をいう。グラインド傷は、めっき前のアルミニウム基板をグラインドする工程（グラインド工程）におけると砥石の削り痕をいう。長周期欠陥及びその除去率は、一又は複数の実施形態において、実施例に記載の測定器を用いて測定できる。

本開示において、「突起欠陥」は、主に、粗研磨工程後及び仕上げ研磨工程後の残留砥粒、砥粒付着、及び砥粒突き刺さりに由来すると考えられる基板表面の欠陥のことをいう。基板表面の突起欠陥は、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察等、表面欠陥検査装置により評価することができ、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。

［非球状シリカ粒子Ａ］
工程（１）で用いられる研磨液組成物Ｉは、上述したように、非球状シリカ粒子Ａを含有する。一又は複数の実施形態において、非球状シリカ粒子Ａとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、非球状シリカ粒子Ａとしては、コロイダルシリカが好ましく、下記の特定の形状をもったコロイダルシリカがより好ましい。非球状シリカ粒子Ａは、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、火炎溶融法やゾルゲル法で製造されたものでも構わないが、水ガラス法で製造されたシリカ粒子であることが好ましい。

［非球状シリカ粒子Ａの形状］
非球状シリカ粒子Ａの形状は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、複数の粒子（例えば、２以上の粒子）が凝集又は融着した形状である。非球状シリカ粒子Ａは、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種類のシリカ粒子であることが好ましく、異形型のシリカ粒子Ａ２がより好ましい。

本開示において、金平糖型のシリカ粒子Ａ１は、一又は複数の実施形態において、球状の粒子表面に特異な疣状突起を有するシリカ粒子をいう（図２参照）。シリカ粒子Ａ１は、一又は複数の実施形態において、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が５倍以上異なる２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状である。好ましくは粒径が小さい粒子が粒径が大きな粒子に一部埋没した状態である。前記粒径は、電子顕微鏡（ＴＥＭなど）観察画像において１つの粒子内で測定される円相当径、すなわち、粒子の投影面積と同じ面積の等価円の長径として求められうる。シリカ粒子Ａ２及びシリカ粒子Ａ３における粒径も同様に求めることができる。

本開示において、異形型のシリカ粒子Ａ２は、２つ以上の粒子、好ましくは２〜１０個の粒子が凝集又は融着した形状のシリカ粒子をいう（図１参照）。シリカ粒子Ａ２は、一又は複数の実施形態において、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状である。

本開示において、異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３は、２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状の粒子いう。シリカ粒子Ａ３は、一又は複数の実施形態において、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した粒子に、さらに、凝集又は融着した前記粒子の最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして粒径が１／５以下の小さな粒子が凝集又は融着した形状である。

非球状シリカ粒子Ａは、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子Ａ１、Ａ２、Ａ３のいずれか１つ、シリカ粒子Ａ１、Ａ２、Ａ３のいずれか２つ、又は、シリカ粒子Ａ１、Ａ２、及びＡ３のすべてを含む。非球状シリカ粒子Ａ中のシリカ粒子Ａ１、Ａ２、及びＡ３の合計が占める割合（含有量）は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、５０質量％以上が好ましく、より好ましくは７０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上、更により好ましくは９０質量％以上又は実質的に１００質量％である。

［非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値］
非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、０．０％より上であることが好ましく、より好ましくは０．２％以上、更に好ましくは０．３％以上、更により好ましくは０．４％以上である。非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１０．０％未満であることが好ましく、より好ましくは８．０％以下、更に好ましくは７．０％以下、更により好ましくは４．０％以下である。非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．０％より上１０．０％未満が好ましく、より好ましくは０．２％以上８．０％以下、更に好ましくは０．３％以上７．０％以下、更により好ましくは０．４％以上４．０％以下である。

本開示においてシリカ粒子のΔＣＶ値は、動的光散乱法により検出角３０°（前方散乱）の散乱強度分布に基づき測定される粒径の標準偏差を、動的光散乱により検出角３０°の散乱強度分布に基づき測定される平均粒径で除して１００を掛けた変動係数の値（ＣＶ３０）と、動的光散乱法により検出角９０°（側方散乱）の散乱強度分布に基づき測定される粒径の標準偏差を、動的光散乱により検出角９０°の散乱強度分布に基づき測定される平均粒径で除して１００を掛けた変動係数の値（ＣＶ９０）との差（ΔＣＶ＝ＣＶ３０−ＣＶ９０）をいい、動的光散乱法により測定される散乱強度分布の角度依存性を示す値をいう。ΔＣＶ値は、具体的に実施例に記載の方法により測定することができる。

本発明者は、非球状シリカ粒子の特徴を示す方法として上記記載の平均粒径（Ｄ１）、及び動的光散乱法によって測定された平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）との粒径比（Ｄ１／Ｄ２）を用いて表す従来の見方だけでは、そのシリカ粒子の研磨性能を表すことはできないと考えた。本発明者のさらなる検討によれば、非球状シリカ粒子の系全体（バルク）での状態を知る手段としてΔＣＶ値が有効であり、これらのパラメータに着目することで、従来では知りえなかった研磨速度の低下を抑制し、長周期欠陥の除去率が向上し、突起欠陥を低減できる非球状シリカの範囲を正確に規定することができることを見出した。すなわち、非球状シリカ粒子は、その異形度によってΔＣＶ値が異なり、ΔＣＶ値は、非球状シリカ粒子の異形度を示す指標となりうる。例えば、非球状シリカ粒子の異形度が高くなると擬似的な多重散乱（自己散乱）が起きやすくなり、動的光散乱法により測定される散乱強度分布の角度依存性が小さくなりΔＣＶ値が小さくなる。

本開示において「散乱強度分布」とは、動的光散乱法（DLS：Dynamic Light Scattering）又は準弾性光散乱（QLS：Quasielastic Light Scattering）により求められるサブミクロン以下の粒子の３つの粒度分布（散乱強度、体積換算、個数換算）のうち散乱強度の粒径分布のことをいう。

［非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）］
非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）は、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、一又は複数の実施形態において、１２０．０ｎｍ以上３００．０ｎｍ未満が好ましい。非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１２０．０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは１５０．０ｎｍ以上、更に好ましくは１６０．０ｎｍ以上、更により好ましくは１７０．０ｎｍ以上、更により好ましくは１８０．０ｎｍ以上、更により好ましくは１９０．０ｎｍ以上であり、更により好ましくは２００．０ｎｍ以上である。非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、３００．０ｎｍ未満が好ましく、より好ましくは２６０．０ｎｍ未満、更に好ましくは２５０．０ｎｍ未満、更により好ましくは２２０．０ｎｍ未満、更により好ましくは２１０．０ｎｍ未満である。非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは１２０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、より好ましくは１５０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更に好ましくは１６０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１７０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１８０．０ｎｍ以上２５０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１９０．０ｎｍ以上２２０．０ｎｍ未満、更により好ましくは２００．０ｎｍ以上２１０．０ｎｍ未満である。

本開示においてシリカ粒子の体積平均粒径（Ｄ１）は、動的光散乱法により測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいい、特に言及のない場合、シリカ粒子の平均粒径とは、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいう。本開示におけるシリカ粒子の体積平均粒径（Ｄ１）は、具体的には実施例に記載の方法により得ることができる。

［非球状シリカ粒子Ａの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）］
非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、２．００以上が好ましく、より好ましくは２．５０以上、更に好ましくは３．００以上、更により好ましくは３．５０以上である。非球状シリカ粒子Ａの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、４．００以下が好ましく、より好ましくは３．９０以下、更に好ましくは３．８０以下である。非球状シリカ粒子Ａの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、２．００以上４．００以下が好ましく、より好ましくは２．５０以上３．９０以下、更に好ましくは３．００以上３．９０以下、更により好ましくは３．５０以上３．８０以下である。

本開示においてシリカ粒子の比表面積換算粒径（Ｄ２）は、窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定された比表面積Ｓｍ²／ｇからＤ２＝２７２０／Ｓ[ｎｍ]の式によって与えられる。

動的光散乱法によって測定された体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）との粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、シリカ粒子Ａの異形度合いを意味し得る。一般的に動的光散乱法によって測定された体積平均粒径（Ｄ１）は、シリカ粒子が異形粒子の場合、長方向での光散乱を検出して処理を行うため、長方向と短方向の長さを考慮して異形度合いが大きいほど大きな数値となる。ＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）は、求まる粒子の体積をベースとして球換算で表されるため、Ｄ１に比べると小さな数値となる。研磨速度の観点から粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、上述の範囲のなかでも大きいことが好ましい。

［非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０］
非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、２０．０％以上が好ましく、より好ましくは２５．０％以上、更に好ましくは２７．０％以上であり、そして、同様の観点から、４０．０％以下が好ましく、より好ましくは３８．０％以下、更に好ましくは３５．０％以下、更により好ましくは３２．０％以下である。非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、２０．０％以上４０．０％以下であって、好ましくは２５．０％以上３８．０％以下、より好ましくは２５．０％以上３５．０％以下、更に好ましくは２７．０％以上３２．０％以下である。

本開示においてシリカ粒子のＣＶ９０は、動的光散乱法において散乱強度分布に基づく標準偏差を平均粒径で除して１００を掛けた変動係数の値であって、検出角９０°（側方散乱）で測定されるＣＶ値をいう。シリカ粒子ＡのＣＶ９０は、具体的には実施例に記載の方法により得ることができる。

［非球状シリカ粒子ＡのＣＶ３０］
非球状シリカ粒子ＡのＣＶ３０は、上記ＣＶ９０で示された範囲と同様に好ましい範囲となる。要はΔＣＶ値（＝ＣＶ３０−ＣＶ９０）との関係を保つ範囲で適宜設定される。

［研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａの含有量］
研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上が更に好ましく、２質量％以上が更により好ましい。前記含有量は、経済性の観点から、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１５質量％以下が更により好ましい。研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点並びに経済性の観点から、０．１質量％以上３０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上２５質量％以下がより好ましく、１質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、２質量％以上１５質量％以下が更により好ましい。

［非球状シリカ粒子Ａの製造方法］
非球状シリカ粒子Ａは、粗研磨における研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率並びに粗研磨及び仕上げ研磨後の突起欠陥低減の観点から、火炎溶融法やゾルゲル法、及び粉砕法で製造されたものでなく、水ガラス法（珪酸アルカリ水溶液を出発原料とする粒子成長法）により製造されたシリカ粒子であることが好ましい。非球状シリカ粒子Ａの使用形態としては、スラリー状であることが好ましい。

シリカ粒子は、通常、１）１０質量％未満の３号珪酸ソーダと種粒子（小粒径シリカ）の混合液（シード液）を反応槽に入れ、シード液を６０℃以上に加熱して熟成し、２）シード液中に、３号珪酸ソーダを陽イオン交換樹脂に通して調製された酸性の活性珪酸水溶液とアルカリ（アルカリ金属または第４級アンモニウム）とを滴下してｐＨを一定にして球状の粒子（種粒子）を成長させ、３）反応槽内の混合液を熟成後に蒸発法や限外ろ過法で濃縮することで得られる（例えば、特開昭４７−１９６４号公報、特公平１−２３４１２号公報、特公平４−５５１２５号公報、特公平４−５５１２７号公報）。しかし、同じ製造プロセスで少し工程を変えると非球状シリカ粒子Ａの製造が可能であることが多く報告されている。たとえば、活性珪酸は非常に化学的に不安定なため、意図的にＣａやＭｇなどの多価金属イオンを反応槽内の混合液中に添加すると細長い形状のシリカゾルを製造できる。さらに、反応物（反応槽内の混合液）の温度（液温が水の沸点を越えると、混合液中の水分が蒸発し、気液界面でシリカが乾燥する）、反応物のｐＨ（混合液のｐＨが９以下では、シリカ粒子の連結が起きやすい）、反応物中のＳｉＯ₂／Ｍ₂Ｏ（Ｍはアルカリ金属または第４級アンモニウム）及びそのモル比（モル比３０〜６０では、非球状シリカが選択的に生成される）などを変えることで、非球状シリカ粒子を製造できる（例えば、特公平８−５６５７号公報、特許２８０３１３４号公報、特開２００３−１３３２６７号公報、特開２００６−８０４０６号公報、特開２００７−１５３６７１号公報、特開２００９−１３７７９１号公報、特開２００９−１４９４９３号公報、特開２０１１−１６７０２号公報）。ただし、非球状シリカ粒子Ａの製造方法はこれらに限定されて解釈されない。

非球状シリカ粒子Ａの粒径分布を調整する方法は、特に限定されないが、その製造段階における粒子の成長過程で新たな核となる粒子を加えることにより所望の粒径分布を持たせる方法や、異なる粒径分布を有する２種類以上のシリカ粒子を混合して所望の粒径分布を持たせる方法等が挙げられる。

［球状シリカ粒子Ｂ］
工程（１）で用いられる研磨液組成物Ｉは、上述したように、球状シリカ粒子Ｂを含有する。一又は複数の実施形態において、球状シリカ粒子Ｂとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上並びに突起欠陥の低減の観点から、球状シリカ粒子Ｂは、コロイダルシリカが好ましい。

本開示において「球状シリカ粒子」は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、真球に近い球形状の粒子を用いることができ、例えば球形度が０．９〜１．１のものを使用できる。「球状シリカ粒子」は、一又は複数の実施形態において、一般的に市販されているコロイダルシリカが該当し得る。

球状シリカ粒子Ｂは、一又は複数の実施形態において、１種類の球状シリカ粒子であってもよく、２種類又はそれ以上の球状シリカ粒子の組み合わせであってもよい。球状シリカ粒子Ｂが、２種類又はそれ以上の球状シリカ粒子の組み合わせの場合、一又は複数の実施形態において、それぞれの球状シリカ粒子は、本開示に記載される「球状シリカ粒子Ｂ」の要件を満たす。球状シリカ粒子Ｂは、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、粒径が異なる２種又はそれ以上の粒子を用いることが好ましい。

［球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値］
球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、０．０％より上であることが好ましく、より好ましくは０．２％以上、更に好ましくは０．３％以上、更により好ましくは０．４％以上である。球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１０％以下が好ましく、より好ましくは１０．０％未満、更に好ましくは８．０％以下、更により好ましくは７．０％以下、更により好ましくは４．０％以下である。球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．０％より上１０％以下が好ましく、より好ましくは０．０％より上１０．０％未満が好ましく、更に好ましくは０．２％以上８．０％以下、更により好ましくは０．３％以上７．０％以下、更により好ましくは０．４％以上４．０％以下である。

［球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）］
球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）は、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下である。球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、６．０ｎｍ以上であって、好ましくは７．０ｎｍ以上である。球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、８０．０ｎｍ以下であって、好ましくは７０．０ｎｍ以下、より好ましくは６０．０ｎｍ以下である。球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であって、好ましくは６．０ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下、より好ましくは７．０ｎｍ以上６０．０ｎｍ以下である。

上述のとおり、研磨液組成物Ｉに含まれる球状シリカ粒子Ｂは、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、粒径が異なる２種又はそれ以上の粒子を用いることが好ましい。２種類の組み合わせとして、限定されない一又は複数の実施形態において、体積平均粒径（Ｄ１）が、６．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下の球状粒子と１５．５ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下の球状粒子との組み合わせ、又は、１５．５ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の球状粒子と３０．５ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下の球状粒子との組み合わせが挙げられる。

［球状シリカ粒子Ｂの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）］
球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、１．００以上が好ましく、より好ましくは１．１０以上、更に好ましくは１．１５以上である。球状シリカ粒子Ｂの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１．５０以下が好ましく、より好ましくは１．４０以下、更に好ましくは１．３０以下である。球状シリカ粒子Ｂの粒径比（Ｄ１／Ｄ２）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１．００以上１．５０以下であって、好ましくは１．１０以上１．４０以下、より好ましくは１．１５以上１．３０以下である。

［球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０］
球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、１０．０％以上が好ましく、より好ましくは１５．０％以上、更に好ましくは２０．０％以上であり、そして、同様の観点から、３５．０％以下が好ましく、より好ましくは３２．０％以下、更に好ましくは３０．０％以下である。球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１０．０％以上３５．０％以下であって、好ましくは１５．０％以上３２．０％以下、より好ましくは２０．０％以上３０．０％以下である。

［研磨液組成物Ｉ中の球状シリカ粒子Ｂの含有量］
研磨液組成物Ｉ中の球状シリカ粒子Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、０．２質量％以上が更により好ましい。前記含有量は、経済性の観点から、３質量％以下が好ましく、２．５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましく、１．５質量％以下が更により好ましい。

［球状シリカ粒子Ｂの製造方法］
球状シリカ粒子Ｂは、粗研磨における研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率並びに粗研磨及び仕上げ研磨後の突起欠陥低減の観点から、火炎溶融法やゾルゲル法、及び粉砕法で製造されたものでなく、珪酸アルカリ水溶液を出発原料とする粒子成長法により製造されたシリカ粒子であることが好ましい。球状シリカ粒子Ｂの使用形態としては、スラリー状であることが好ましい。

［非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂとの体積粒度分布の重なり頻度］
研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの体積粒度分布の重なり頻度の合計は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、０％以上５０％以下が好ましく、より好ましくは１０％以上４５％以下、更に好ましくは１５％以上４０％以下、更により好ましくは２０％以上３５％以下である。非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの体積粒度分布の重なり頻度は、具体的には実施例に記載の方法により得ることができる。異なる大きさのシリカ粒子混合物内において空隙率及びその空隙に存在する小さい粒子が適切なバランスをとることにより上記効果が発生するものと推察される。

［研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの質量比］
研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの含有量の比である質量比（Ａ／Ｂ）は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、８０／２０以上であって、好ましくは８５／１５以上、より好ましくは８８／１２以上である。非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの質量比（Ａ／Ｂ）は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、９９／１以下であって、好ましくは９５／５以下、より好ましくは９２／８以下である。球状シリカ粒子Ｂが２種類又はそれ以上の球状シリカ粒子の組み合わせの場合、球状シリカ粒子Ｂの含有量はそれらの合計の含有量をいう。非球状シリカ粒子Ａの含有量も同様である。

［研磨液組成物Ｉ中のその他のシリカ粒子の含有量］
一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ｉが非球状シリカ粒子Ａ及び球状シリカ粒子Ｂ以外にシリカ粒子を含有する場合、研磨液組成物Ｉ中のシリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量は、研磨速度の低下抑制及び長周期欠陥除去率の向上の観点から、９８．０質量％を超え、好ましくは９８．５質量％以上、より好ましくは９９．０質量％以上、更に好ましくは９９．５質量％以上、更により好ましくは９９．８質量％以上であり、更により好ましくは実質的に１００質量％である。

［酸］
研磨液組成物Ｉは、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の酸を含有する。研磨液組成物Ｉにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。

本開示において「リン酸類」は、リン酸、及び、リン酸骨格を持つ他の類似化合物群をいう。前記類似化合物群としては、一又は複数の実施形態において、ピロリン酸が挙げられる。本開示において、特に説明のない場合「リン酸」は、一又は複数の実施形態において、無機リン酸が挙げられる。本開示において、特に説明のない場合「ホスホン酸」は、一又は複数の実施形態において、無機ホスホン酸が挙げられる。

本開示において「有機ホスホン酸」は、一又は複数の実施形態において、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸、及びこれらの組み合わせが挙げられる。

リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。研磨液組成物Ｉの酸としては、一又は複数の実施形態において、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、リン酸、又はＨＥＤＰが好ましい。

これらの酸の塩を用いる場合は、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。

研磨液組成物Ｉ中の前記酸の含有量は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、０．００１質量％以上５．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上４．０質量％以下、更に好ましくは０．０５質量％以上３．０質量％以下、更により好ましくは０．１質量％以上２．５質量％以下である。

研磨液組成物Ｉは、その効果を損なわない範囲で、一又は複数の実施形態において、リン酸類、ホスホン酸、及び有機ホスホン酸とは異なる酸を含んでもよい。

リン酸類、ホスホン酸、及び有機ホスホン酸とは異なる酸としてはその他の無機酸が好ましい。本開示において「その他の無機酸」としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、アミド硫酸等が挙げられる。一又は複数の実施形態において、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、硫酸が好ましい。

研磨液組成物Ｉ中の前記その他の無機酸の含有量は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、０．００１質量％以上０．６質量％以下が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上０．５質量％以下、更に好ましくは０．０５質量％以上０．４質量％以下、更により好ましくは０．１質量％以上０．３質量％以下である。

［酸化剤］
研磨液組成物Ｉは、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、酸化剤を含有する。酸化剤としては、同様の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。

研磨液組成物Ｉ中の前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．１質量％以上であり、そして、前記含有量は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、好ましくは４．０質量％以下、より好ましくは２．０質量％以下、更に好ましくは１．５質量％以下である。研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、前記含有量は、好ましくは０．０１質量％以上４．０質量％以下、より好ましくは０．０５質量％以上２．０質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以上１．５質量％以下である。

［その他の成分］
研磨液組成物Ｉには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。これら他の任意成分は、本開示の効果を損なわない範囲で研磨液組成物Ｉ中に配合されることが好ましく、研磨液組成物Ｉ中の任意成分の総含有量は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。

［水］
研磨液組成物Ｉは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物Ｉ中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、６１質量％以上９９質量％以下が好ましく、より好ましくは７０質量％以上９８質量％以下、更に好ましくは８０質量％以上９７質量％以下、更により好ましくは８５質量％以上９７質量％以下である。

［アルミナ砥粒］
研磨液組成物Ｉは、突起欠陥低減の観点からアルミナ砥粒を実質的に含まないことが好ましい。本開示において「アルミナ砥粒を実質的に含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。具体的なアルミナ粒子の研磨液組成物Ｉ中の含有量は、特に限定されるわけではないが、砥粒全体として５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、実質的に０％であることが更により好ましい。

［ｐＨ］
研磨液組成物ＩのｐＨは、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、前述の酸や公知のｐＨ調整剤を用いて、０．５以上６．０以下に調整することが好ましく、より好ましくは０．７以上４．０以下、更に好ましくは０．９以上３．０以下、更により好ましくは１．０以上３．０以下、更により好ましくは１．２以上２．５以下、更により好ましくは１．４以上２．０以下である。上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の研磨液組成物への浸漬後２分後の数値である。

［研磨液組成物Ｉの調製方法］
研磨液組成物Ｉは、例えば、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、前述の酸、前述の酸化剤、及び水と、更に所望により、他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。本開示において「研磨液組成物中の含有成分の含有量」とは、研磨液組成物を研磨に使用する時点での前記成分の含有量をいう。したがって、研磨液組成物が濃縮物として作製された場合には、前記成分の含有量はその濃縮分だけ高くなりうる。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。

したがって、本開示は、その他の態様において、研磨液組成物Ｉの製造方法であって、
（１）ΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下である非球状シリカ粒子Ａと、（２）体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下である球状シリカ粒子Ｂと、（３）リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの塩、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の酸と、（４）酸化剤と、（５）水とを、非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０以上９９／１以下であり、シリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量が９８．０質量％を超えるように混合すること、を含む製造方法に関する。それぞれの成分の含有量は、上述のとおりとすることができる。

［被研磨基板］
研磨液組成物Ｉを用いて粗研磨される被研磨基板は、磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐめっきされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本開示で使用される被研磨基板としては、強度と扱いやすさの観点からＮｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板が好ましい。上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。

［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板や、Ｎｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法は、下記（１）〜（３）の工程を有し、工程（１）と（３）とは別の研磨機で行う製造方法である。
（１）粗研磨工程：上述の研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板を研磨する工程。
（２）洗浄工程：工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）仕上げ研磨：工程（２）で得られた基板を、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物（以下、「研磨液組成物ＩＩ」ともいう)を用いて工程（２）を用いて研磨する工程。

［工程（１）：粗研磨工程］
工程（１）は、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程であって、その他一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ｉを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッド（以下、「研磨パッドＡ」ともいう。）を接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を研磨する工程である。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。工程（１）における被研磨基板としては、上述の被研磨基板が挙げられる。

［工程（１）の研磨パッドＡ］
本開示に係る製造方法の工程（１）に使用される研磨パッドＡとしては、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、ベース層と発泡した表面層とを有するスエードタイプの研磨パッドであり、前記表面層の圧縮率が２.５％以上である。

＜研磨パッドＡの構造＞
研磨パッドＡの表面層である発泡層としては、一又は複数の実施形態において、独立発泡タイプと連続発泡タイプのものが使用できるが、研磨屑の排出性の観点から連続発泡タイプのものが好ましく使用される。連続発泡タイプの研磨パッドとしては、例えば、「ＣＭＰ技術基礎実例講座シリーズ第２回メカノケミカルポリシング（ＣＭＰ）の基礎と実例（ポリシングパッド編）１９９８年５月２７日資料 グローバルネット株式会社編」、或いは「ＣＭＰのサイエンス 柏木正広編 株式会社サイエンスフォーラム 第４章」に記載されたような研磨パッドが使用できる。ここでスエードタイプとは、一又は複数の実施形態において、特開平１１−３３５９７９号公報に記載されているような、ベース層とベース層に対して垂直な紡錘状気孔を有する発泡層とを有する構造のことをいう。

上記スエードタイプの研磨パッドは、一又は複数の実施形態において、以下の方法により製造される。ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるベース層上に、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の溶剤にポリウレタンエラストマーを溶解させた溶液を塗布し、これを水或いは水とポリウレタンエラストマー溶液の溶剤との混合溶液中に浸漬して湿式凝固を行い、脱溶剤のための水洗、乾燥を行なう。これにより、ベース層に対して垂直な紡錘状気孔を有する発泡層がベース層上に形成される。そして、得られた発泡層の表面をサンドペーパー等で研磨することによって、表面に気孔部を有し、かつ、ベース層に対して垂直な紡錘状気孔を有する発泡層を備えたスエードタイプ研磨パッドが得られる。

＜研磨パッドＡの材質＞
研磨パッドＡのベース層の材質としては、一又は複数の実施形態において、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等が挙げられるが、微小うねりの低減、及び高硬度な樹脂フィルムが得られる観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエステルフィルムが好ましく、ＰＥＴフィルムがより好ましい。研磨パッドＡの発泡層（表面層）の材質としては、一又は複数の実施形態において、ポリウレタンエラストマー、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、ポリウレタンエラストマーが好ましい。本明細書において、基板の「うねり」とは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸をいう。

＜研磨パッドＡの圧縮率＞
研磨パッドＡの発砲層（表面層）の圧縮率は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、２．５％以上であって、好ましくは２０．０％以下、より好ましくは１５．０％以下、更に好ましくは１０．０％以下、更により好ましくは７．０％以下、更により好ましくは５．０％以下である。

研磨パッドの圧縮率は、日本工業規格（ＪＩＳ） Ｌ１０９６記載の圧縮率測定方法に基づき、圧縮試験機により測定することが出来る。即ち標準圧力（１００ｇ／ｃｍ²）の下で測定した研磨パッドの厚み（Ｔ０）から、１０００ｇ／ｃｍ²の下で測定した研磨パッドの厚み（Ｔ１）を引いた値をＴ０で除し、その値に１００を乗じることによって求めることが出来る。研磨パッドの圧縮率は、例えば、発泡層の厚みや発泡層のベース層側の気孔径サイズ、あるいはベース層の材質等によって制御できる。

＜研磨パッドＡの平均気孔径＞
研磨パッドＡの表面の気孔部の平均気孔径は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは１５μｍ以上８０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以上６０μｍ以下、更により好ましくは２５μｍ以上５５μｍ以下である。

研磨パッド表面の気孔部の平均気孔径は、ポリウレタンエラストマー原料に対し、カーボンブラック等の顔料や、発泡を促進させる親水性活性剤、あるいはポリウレタンエラストマーの湿式凝固を安定化させる疎水性活性剤等の添加剤を添加することにより制御することが出来る。そして、上記平均気孔径は、以下の方法で求めることが出来る。先ず、研磨パッド表面を走査型電子顕微鏡で観察（好適には１００〜３００倍）して、画像をパーソナルコンピュータ（ＰＣ）に取り込む。そして、取り込んだ画像についてＰＣにて画像解析ソフトにより解析を行い、気孔部の円相当径の平均径として平均気孔径を求めることが出来る。上記画像解析ソフトとしては、例えばＷｉｎＲＯＯＦ（三谷商事）を用いることが出来る。

＜研磨パッドＡの厚み＞
研磨パッドＡの厚みは、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、０．７ｍｍ以上１．５ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは０．８ｍｍ以上１．４ｍｍ以下、更に好ましくは０．８ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、更により好ましくは０．９ｍｍ以上１．３ｍｍ以下である。

［工程（１）の研磨荷重］
本開示において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程（１）における研磨荷重は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、３０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２５ｋＰａ以下、更に好ましくは２０ｋＰａ以下、更により好ましくは１８ｋＰａ以下、更により好ましくは１６ｋＰａ以下、更により好ましくは１４ｋＰａ以下である。前記研磨荷重は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、更に好ましくは７ｋＰａ以上、更により好ましくは８ｋＰａ以上、更により好ましくは９ｋＰａ以上である。前記研磨荷重は、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、好ましくは３ｋＰａ以上３０ｋＰａ以下、より好ましくは５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下、更に好ましくは７ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下、更により好ましくは８ｋＰａ以上１８ｋＰａ以下、更により好ましくは９ｋＰａ以上１６ｋＰａ以下、更により好ましくは９ｋＰａ以上１４ｋＰａ以下である。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。

［工程（１）の研磨量］
工程（１）における、被研磨基板（直径９５ｍｍ）１枚当たりの研磨量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減する観点から、１１０ｍｇ以上１６０ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは１１５ｍｇ以上１５５ｍｇ以下、さらに好ましくは１２０ｍｇ以上１５０ｍｇ以下である。直径の異なる被研磨基板については、その面積に応じて上記範囲に準じるものとする。本開示に係る製造方法における工程（１）の研磨には、上述した所定の非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、酸、酸化剤及び水を含む研磨液組成物Ｉを用いるから、上述の範囲の研磨量で、効果的に長周期欠陥を除去することができる。

［工程（１）における研磨液組成物Ｉの供給速度］
工程（１）における研磨液組成物Ｉの供給速度は、経済性の観点から、被研磨基板１ｃｍ²あたり２．５ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは２．０ｍＬ／分以下、更に好ましくは１．５ｍＬ／分以下、更により好ましくは１．０ｍＬ／分以下、更により好ましくは０．５ｍＬ／分以下、更により好ましくは０．２ｍＬ／分以下である。前記供給速度は、研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ²あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．０３ｍＬ／分以上、更に好ましくは０．０５ｍＬ／分以上である。前記供給速度は、経済性の観点及び研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ²あたり０．０１ｍＬ／分以上２．５ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは０．０３ｍＬ／分以上２．０ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０３ｍＬ／分以上１．５ｍＬ／分以下、更により好ましくは０．０３ｍＬ／分以上１．０ｍＬ／分以下、更により好ましくは０．０５ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下、更により好ましくは０．０５ｍＬ／分以上０．２ｍＬ／分以下である。

［工程（１）における研磨液組成物Ｉの供給量］
工程（１）における研磨液組成物Ｉの供給量は、前記研磨液組成物Ｉの供給速度に依存するが、経済性の観点から、さらに低減することが好ましい。本開示は、一又は複数の実施形態において、より効率良く基板に研磨液組成物Ｉが作用しうるため、研磨液の供給量を従来の供給量より減らし得ることが考えられる。本開示における研磨液供給量の低減効率は、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。

[工程（１）における研磨液組成物Ｉを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ｉを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物Ｉを研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物Ｉの保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Ｉとなる。

［工程（２）：洗浄工程］
工程（２）は、工程（１）で得られた基板を洗浄する工程である。工程（２）は、一又は複数の実施形態において、工程（１）の粗研磨が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程である。工程（２）における洗浄方法は、特に限定されないが、一又は複数の実施形態において、工程（１）で得られた基板を洗浄剤組成物に浸漬する方法（洗浄方法ａ）、及び、洗浄剤組成物を射出して工程（１）で得られた基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法（洗浄方法ｂ）が挙げられる。

＜洗浄方法ａ＞
前記洗浄方法ａにおいて、基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から２０〜１００℃であることが好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から１０秒〜３０分間であることが好ましい。残留物の除去性及び残留物の分散性（残留物に対する洗浄性）を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、好ましくは２０ｋＨｚ以上２０００ｋＨｚ以下、より好ましくは４０ｋＨｚ以上２０００ｋＨｚ以下、更に好ましくは４０ｋＨｚ以上１５００ｋＨｚ以下である。

＜洗浄方法ｂ＞
前記洗浄方法ｂでは、残留物に対する洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。更には、前記洗浄方法ｂでは、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。

洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記洗浄方法ａで好ましく採用される値と同様であればよい。

工程（２）では、洗浄方法ａ及び／又は洗浄方法ｂに加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄、スクラブ洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を１つ以上含んでもよい。

［工程（２）の洗浄剤組成物］
工程（２）の洗浄剤組成物としては、一又は複数の実施形態において、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。

＜洗浄剤組成物中のアルカリ剤＞
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する洗浄性の向上、及び保存安定性の向上の観点から、前記アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。

洗浄剤組成物中のアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する洗浄性を向上させ、かつ、洗浄剤組成物の取扱時の安全性を高める観点から、０．０５質量％以上１０質量％以下であると好ましく、０．０８質量％以上５質量％以下であるとより好ましく、０．１質量％以上３質量％以下であると更に好ましい。

洗浄剤組成物のｐＨは、基板上の残留物に対する洗浄性を向上させる観点から、８以上１４以下であることが好ましく、より好ましくは９以上１３以下、更に好ましくは１０以上１３以下、更により好ましくは１１以上１３以下である。なお、上記のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後２分後の数値である。

＜洗浄剤組成物中の各種添加剤＞
洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤（成分に該当する界面活性剤は除く。）、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていてもよい。

洗浄剤組成物中の水以外の成分の含有量は、作業性、経済性や保存安定性向上に対し充分な効果が発現される濃縮度である事と保存安定性向上との両立の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を１００質量％とすると、好ましくは１０質量％以上６０質量％以下であり、より好ましくは１５質量％以上５０質量％以下であり、更に好ましくは１５質量％以上４０質量％以下である。

洗浄剤組成物は、希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは１０倍以上５００倍以下、より好ましくは２０倍以上２００倍以下、更に好ましくは５０倍以上１００倍以下である。希釈用の水は、前述の研磨液組成物Ｉと同様のものでよい。洗浄剤組成物は、前記希釈倍率を前提とした濃縮物とすることができる。よって、濃縮物の場合には、洗浄剤組成物中の水以外の成分の含有量は、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を１００質量％とすると、好ましくは０．０２質量％以上６質量％以下であり、より好ましくは０．１質量％以上３質量％以下であり、更に好ましくは０．１５質量％以上１質量％以下である。

［工程（３）：仕上げ研磨工程］
工程（３）は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを用いて工程（２）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程である。工程（３）は、その他の一又は複数の実施形態において、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして前記研磨対象面を研磨する工程である。工程（３）で使用される研磨機は、突起欠陥低減の観点、及び、その他の表面欠陥を効率よく低減するため粗研磨とポア径の異なるパッドを使用する観点から、工程（１）で用いた研磨機とは別の研磨機である。

本開示に係る製造方法は、工程（１）の粗研磨工程、工程（２）の洗浄工程、及び、工程（３）の仕上げ研磨工程を含むことにより、粗研磨の研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥が低減され、仕上げ研磨後の突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができる。

［工程（３）の研磨液組成物ＩＩ］
工程（３）で使用される研磨液組成物ＩＩは、仕上げ研磨後の突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子Ｃを含有する。使用されるシリカ粒子Ｃは、仕上げ研磨後の長波長うねり低減の観点から、好ましくはコロイダルシリカである。研磨液組成物ＩＩは、仕上げ研磨後の突起欠陥を低減する観点から、アルミナ砥粒を実質的に含まないことが好ましい。シリカ粒子Ｃは、一又は複数の実施形態において、球状である。本明細書において「長波長うねり」とは、５００〜５０００μｍの波長により観測されるうねりをいう。研磨後の基板表面のうねりが低減されることにより、磁気ヘッドの浮上量が低減でき、磁気ディスク基板の記録密度向上が可能となる。

研磨液組成物ＩＩに用いられるシリカ粒子Ｃの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）は、仕上げ研磨後の突起欠陥を低減する観点から、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下、更に好ましくは１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、更により好ましくは２０ｎｍ以上３５ｎｍ以下である。シリカ粒子Ｃの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）は、仕上げ研磨後の突起欠陥を低減する観点から、非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）より小さいことが好ましい。

シリカ粒子ＣのＣＶ９０は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の低下抑制及び仕上げ研磨後の突起欠陥を低減する観点から、１０．０％以上が好ましく、より好ましくは１５．０％以上、更に好ましくは２０．０％以上であり、そして、同様の観点から、３５．０％以下が好ましく、より好ましくは３２．０％以下、更に好ましくは３０．０％以下である。球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１０．０％以上３５．０％以下であって、好ましくは１５．０％以上３２．０％以下、より好ましくは２０．０％以上３０．０％以下である。

研磨液組成物ＩＩ中のシリカ粒子Ｃの含有量は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、０．５質量％以上２０質量％以下が好ましく、１．０質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３．０質量％以上１３質量％以下が更に好ましく、４．０質量％以上１０質量％以下が更により好ましい。

研磨液組成物ＩＩは、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、２種以上含有することがより好ましく、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子を含有することが更に好ましい。

研磨液組成物ＩＩは、研磨速度を向上する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。酸、酸化剤の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Ｉの場合と同様である。研磨液組成物ＩＩに用いられる水、研磨液組成物ＩＩのｐＨ、研磨液組成物ＩＩの調製方法については、前述の研磨液組成物Ｉの場合と同様である。

［工程（３）の研磨パッド］
工程（３）で使用される研磨パッドは、工程（１）で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程（３）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは２μｍ以上４０μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以上３０μｍ以下である。

［工程（３）の研磨荷重］
工程（３）における研磨荷重は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、１６ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１４ｋＰａ以下、更に好ましくは１３ｋＰａ以下である。前記研磨荷重は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、７．５ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは８．５ｋＰａ以上、更に好ましくは９．５ｋＰａ以上である。前記研磨荷重は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、７．５ｋＰａ以上１６ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは８．５ｋＰａ以上１４ｋＰａ以下、更に好ましくは９．５ｋＰａ以上１３ｋＰａ以下である。

［工程（３）の研磨量］
工程（３）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ²）あたりかつ研磨時間１分あたりの研磨量は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、０．０２ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．０３ｍｇ以上、更に好ましくは０．０４ｍｇ以上である。前記研磨量は、生産性向上の観点からは、０．１５ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは０．１２ｍｇ以下、更に好ましくは０．１０ｍｇ以下である。したがって、前記研磨量は、前記と同様の観点から、０．０２ｍｇ以上０．１５ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは０．０３ｍｇ以上０．１２ｍｇ以下、更に好ましくは０．０４ｍｇ以上０．１０ｍｇ以下である。

工程（３）における研磨液組成物ＩＩの供給速度及び研磨液組成物ＩＩを研磨機へ供給する方法については、前述の研磨液組成物Ｉの場合と同様である。

本開示の製造方法によれば、一又は複数の実施形態において、粗研磨において研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減できるから、突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を高い基板収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。

［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、上述した工程（１）、工程（２）、工程（３）を有する研磨方法に関する。工程（１）〜（３）における被研磨基板、研磨液組成物Ｉ、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、研磨液組成物ＩＩ、シリカ粒子Ｃ、研磨方法及び条件、洗浄剤組成物、並びに洗浄方法については、上述の本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。

本開示の研磨方法を使用することにより、一又は複数の実施形態において、粗研磨において研磨速度を大幅に損なうことなく長周期欠陥を低減できるから、突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を高い基板収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。

本開示に係る製造方法及び研磨方法は、一又は複数の実施形態において、図５に示すような、研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板の研磨（粗研磨）する第一の研磨機５１と、前記第一研磨機５１で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニット５２と、研磨液組成物ＩＩを用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機５３とを備える磁気ディスク基板の研磨システムにより行うことができる。したがって、本開示は、一態様において、前記工程（１）の研磨を行う第一の研磨機と、前記工程（２）の洗浄を行う洗浄ユニットと、前記工程（３）の研磨を行う第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システムに関する。研磨液組成物Ｉ及び研磨液組成物ＩＩは前述のとおりであり、被研磨基板、各研磨機で使用される研磨パッド、研磨方法及び条件、洗浄剤組成物、並びに洗浄方法については、上述の本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。

本開示にかかる研磨システムは、一又は複数の実施形態において、第一研磨機５１で研磨された被研磨基板の少なくとも１枚（直径；９５ｍｍとして）に対する研磨量が好ましくは１１０ｍｇ以上１６０ｍｇ以下、より好ましくは１１５ｍｇ以上１５５ｍｇ以下、さらに好ましくは１２０ｍｇ以上１５０ｍｇ以下であることを確認する手段（研磨制御部）（図示せず）を有してもよい。該手段（研磨制御部）は、一又は複数の実施形態において、基板の研磨量に基づいて第一研磨機５１を制御する。ここで、本開示に係る研磨システムの動作（磁気ディスク基板の製造方法の研磨工程）の一実施形態を図５を参照しながら図６を用いて説明する。まず、第一研磨機５１によって被研磨基板を研磨（粗研磨）する（ステップＳ６１）。そして、第一研磨機５１による基板の研磨量が所定の研磨量の範囲内（ここでは１１０〜１６０ｍｇ）であるか否かを研磨制御部によって判断する（ステップＳ６２）。前記研磨量が所定の研磨量の範囲内である場合、粗研磨後の基板を洗浄ユニット５２によって洗浄し（ステップＳ６２）、洗浄後の基板を第二研磨機５３によって研磨する（ステップＳ６３）。一方、前記研磨量が所定の研磨量の範囲内ではない場合、第一研磨機５１における研磨の継続または研磨の中止を実行する（ステップＳ６５）。

本開示は更に以下の一又は複数の実施形態に関する。

＜１＞ （１）研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程、及び、（３）工程（２）で得られた基板を、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを用いて研磨する工程を有し、前記工程（１）と（３）を別の研磨機で行う磁気ディスク基板の製造方法であって、（ｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉは、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、酸、酸化剤及び水を含有し、（ｉｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉにおいて、前記非球状シリカ粒子Ａと前記球状シリカ粒子Ｂの質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０以上９９／１以下であり、シリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量が９８．０質量％を超え、（ｉｉｉ）前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、ここで、ΔＣＶ値は、動的光散乱法による検出角３０°における散乱強度分布に基づく標準偏差を前記散乱強度分布に基づく平均粒径で除して１００を掛けた値（ＣＶ３０）と、検出角９０°における散乱強度分布に基づく標準偏差を前記散乱強度分布に基づく平均粒径で除して１００を掛けた値（ＣＶ９０）との差の値（ΔＣＶ＝ＣＶ３０−ＣＶ９０）であり、（ｉｖ）前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、（ｖ）前記球状シリカ粒子Ｂが、動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、（ｖｉ）前記酸が、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、磁気ディスク基板の製造方法。

＜２＞ 前記非球状シリカ粒子Ａが、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、＜１＞記載の製造方法。
＜３＞ 前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が、好ましくは０．０％より上、より好ましくは０．２％以上、更に好ましくは０．３％以上、更により好ましくは０．４％以上である、＜１＞又は＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞ 前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が、１０．０％未満であることが好ましく、より好ましくは８．０％以下、更に好ましくは７．０％以下、更により好ましくは４．０％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜５＞ 前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が、好ましくは０．０％より上１０．０％未満が好ましく、より好ましくは０．２％以上８．０％以下、更にこのましくは０．３％以上７．０％以下、更により好ましくは０．４％以上４．０％以下である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜６＞ 前記非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）が、好ましくは１２０．０ｎｍ以上、より好ましくは１５０．０ｎｍ以上、更に好ましくは１６０．０ｎｍ以上、更により好ましくは１７０．０ｎｍ以上、更により好ましくは１８０．０ｎｍ以上、更により好ましくは１９０．０ｎｍ以上、更により好ましくは２００．０ｎｍ以上である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜７＞ 前記非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）が、好ましくは３００．０ｎｍ未満、より好ましくは２６０．０ｎｍ未満、更に好ましくは２５０．０ｎｍ未満、更により好ましくは２２０．０ｎｍ未満、更により好ましくは２１０．０ｎｍ未満である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜８＞ 前記非球状シリカ粒子Ａの体積平均粒径（Ｄ１）が、好ましくは１２０．０ｎｍ以上３００．０ｎｍ未満、より好ましくは１２０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更に好ましくは１５０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１６０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１７０．０ｎｍ以上２６０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１８０．０ｎｍ以上２５０．０ｎｍ未満、更により好ましくは１９０．０ｎｍ以上２２０．０ｎｍ未満、更により好ましくは２００．０ｎｍ以上２１０．０ｎｍ未満である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜９＞ 前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が、好ましくは２．００以上、より好ましくは２．５０以上、更に好ましくは３．００以上、更により好ましくは３．５０以上である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１０＞ 前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が、好ましくは４．００以下、より好ましくは３．９０以下、更に好ましくは３．８０以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１１＞ 前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が、好ましくは２．００以上４．００以下、より好ましくは２．５０以上３．９０以下、更に好ましくは３．００以上３．９０以下、更により好ましくは３．５０以上３．８０以下である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１２＞ 前記非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０は、好ましくは２０．０％以上、より好ましくは２５．０％以上、更に好ましくは２７．０％以上である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１３＞ 前記非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０は、好ましくは４０．０％以下、より好ましくは３８．０％以下、更に好ましくは３５．０％以下、更により好ましくは３２．０％以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１４＞ 前記非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０は、好ましくは２０．０％以上４０．０％以下、より好ましくは２５．０％以上３８．０％以下、更に好ましくは２５．０以上３５．０％以下、更により好ましくは２７．０％以上３２．０％以下である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１５＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａの含有量が、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、更に好ましくは１質量％以上、更により好ましは２質量％以上である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１６＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａの含有量が、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、更に好ましくは２０質量％以下、更により好ましくは１５質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１７＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａの含有量が、好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上２５質量％以下、更に好ましくは１質量％以上２０質量％以下、更により好ましくは２質量％以上１５質量％以下である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１８＞ 前記非球状シリカ粒子Ａが、水ガラスを原料とする粒子成長法により製造されたシリカ粒子である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１９＞ 前記球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値が、好ましくは０．０％より上、より好ましくは０．２％以上、更に好ましくは０．３％以上、更により好ましくは０．４％以上である、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２０＞ 前記球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値が、１０．０％未満であることが好ましく、より好ましくは８．０％以下、更に好ましくは７．０％以下、更により好ましくは４．０％以下である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２１＞ 前記球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値が、好ましくは０．０％より上１０．０％未満が好ましく、より好ましくは０．２％以上８．０％以下、更にこのましくは０．３％以上７．０％以下、更により好ましくは０．４％以上４．０％以下である、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２２＞ 前記球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）が、好ましくは６．０ｎｍ以上、より好ましくは７．０ｎｍ以上である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２３＞ 前記球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）が、好ましくは８０．０ｎｍ以下、より好ましくは７０．０ｎｍ以下、より好ましくは６０．０ｎｍ以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２４＞ 前記球状シリカ粒子Ｂの体積平均粒径（Ｄ１）が、好ましくは６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下、より好ましくは６．０ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下、更に好ましくは７．０ｎｍ以上６０．０ｎｍ以下である、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２５＞ 前記球状シリカ粒子Ｂが粒径が異なる２種類の粒子であり、前記２種類の粒子が、６．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下の球状粒子と１５．５ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下の球状粒子との組み合わせ、又は、１５．５ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の球状粒子と３０．５ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下の球状粒子との組み合わせである、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２６＞ 前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が、好ましくは１．００以上、より好ましくは１．１０以上、更に好ましくは１．１５以上である、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２７＞ 前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が、好ましくは１．５０以下、より好ましくは１．４０以下、更に好ましくは１．３０以下である、＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２８＞ 前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が、好ましくは１．００以上１．５０以下、好ましくは１．１０以上１．４０以下、より好ましくは１．１５以上１．３０以下である、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜２９＞ 前記球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０が、好ましくは１０．０％以上、より好ましくは１５．０％以上、更に好ましくは２０．０％以上である、＜１＞から＜２８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３０＞ 前記球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０が、好ましくは３５．０％以下、より好ましくは３２．０％以下、更に好ましくは３０．０％以下である、＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３１＞ 前記球状シリカ粒子ＢのＣＶ９０は、好ましくは１０．０％以上３５．０％以下であって、より好ましくは１５．０％以上３２．０％以下、更に好ましくは２０．０％以上３０．０％以下である、＜１＞から＜３０＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３２＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の球状シリカ粒子Ｂの含有量が、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．１質量％以上、更により好ましくは０．２質量％以上である、＜１＞から＜３１＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３３＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の球状シリカ粒子Ｂの含有量が、好ましくは３質量％以下、より好ましくは２．５質量％以下、更に好ましくは２質量％以下、更により好ましくは１．５質量％以下である、＜１＞から＜３２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３４＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの体積粒度分布の重なり頻度の合計が、好ましくは０％以上５０％以下、より好ましくは１０％以上４５％以下、更に好ましくは１５％以上４０％以下、更により好ましくは２０％以上３５％以下である、＜１＞から＜３３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３５＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの含有量の質量比（Ａ／Ｂ）が、好ましくは８０／２０以上、より好ましくは８５／１５以上、更に好ましくは９０／１０以上である、＜１＞から＜３４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３６＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの含有量の質量比（Ａ／Ｂ）が、好ましくは９９／１以下、より好ましくは９５／５以下、更に好ましくは９２／８以下である、＜１＞から＜３５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３７＞ 前記研磨液組成物Ｉにおけるシリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量が、好ましくは９８．０質量％を超え、より好ましくは９８．５質量％以上、更に好ましくは９９．０質量％以上、更により好ましくは９９．５質量％以上、更により好ましくは９９．８質量％以上であり、更により好ましくは実質的に１００質量％である、＜１＞から＜３６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３８＞ 前記研磨液組成物Ｉ中の前記酸の含有量が、好ましくは０．００１質量％以上５質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以上４質量％以下、更に好ましくは０．０５質量％以上３質量％以下、更により好ましくは０．１質量％以上２．５質量％以下である、＜１＞から＜３７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜３９＞ 前記研磨液組成物Ｉが、アルミナ粒子を実質含まない、＜１＞から＜３８＞のいずれかに記載の製造方法。
＜４０＞ 前記研磨液組成物ＩのｐＨが、好ましくは０．５以上６．０以下、より好ましくは０．７以上４．０以下、更に好ましくは０．９以上３．０以下、更により好ましくは１．０以上３．０以下、更により好ましくは１．２以上２．５以下、更により好ましくは１．４以上２．０以下である、＜１＞から＜３９＞のいずれかに記載の製造方法。
＜４１＞ 前記研磨液組成物Ｉの研磨対象が、Ｎｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板である、＜１＞から＜４０＞のいずれかに記載の製造方法。
＜４２＞ 前記工程（１）における被研磨基板（直径９５ｍｍ）１枚当たりの研磨量が、好ましくは１１０ｍｇ以上１６０ｍｇ以下、より好ましくは１１５ｍｇ以上１５５ｍｇ以下、さらに好ましくは１２０ｍｇ以上１５０ｍｇ以下である、＜１＞から＜４１＞のいずれかに記載の製造方法。
＜４３＞ ＜１＞から＜４２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（１）〜（３）を含む、磁気ディスク基板の研磨方法。
＜４４＞ ＜１＞から＜４２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（１）の研磨を行う第一の研磨機と、＜１＞から＜４２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（２）の洗浄を行う洗浄ユニットと、＜１＞から＜４２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（３）の研磨を行う第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システム。

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

下記のとおりに工程（１）に用いる研磨液組成物Ｉ及び工程（３）に用いる研磨液組成物ＩＩを調製し、工程（１）〜（３）を含む下記の条件の被研磨基板の研磨を行った。研磨液組成物の調製方法、使用した添加剤、各パラメータの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。

１．研磨液組成物の調製
[工程（１）（粗研磨）に用いる研磨液組成物Ｉの調製]
表１の非球状シリカ砥粒Ａ及び球状シリカ粒子Ｂ（共に、コロイダルシリカ粒子）、表２の酸、過酸化水素、並びに水を用い、工程（１）に用いる研磨液組成物Ｉを調製した（実施例１〜１６、参考例１〜９、比較例１〜６）（表２）。研磨液組成物Ｉ中の各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子：６．０質量％、酸：１．０−２．４質量％、過酸化水素：１．０質量％とした。研磨液組成物ＩのｐＨは１．２−１．９であった。表１のシリカ砥粒のコロイダルシリカ粒子は水ガラス法で製造されたものである。ｐＨは、ｐＨメータを用いて測定した（東亜ディーケーケー社製）。電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した（以下、同様）。

表１の非球状シリカ砥粒Ａのタイプは、一又は複数の実施形態において、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察写真及びそれを用いた分析で判別されうる分類である。
「異形型シリカ粒子」とは、２つ以上の粒子が凝集又は融着したような形状の非球状シリカ粒子をいう。異形型シリカ粒子は、一又は複数の実施形態において、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状の粒子をいう。
「金平糖型シリカ粒子」とは、球状の粒子表面に特異な疣状突起を有する非球状シリカ粒子をいう。金平糖型シリカ粒子は、一又は複数の実施形態において、粒径が５倍以上異なる２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状の粒子をいう。
異形型コロイダルシリカ砥粒の電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例を図１に、金平糖型コロイダルシリカ砥粒の電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例を図２に示す。
表１の球状シリカ砥粒Ｂの「球状シリカ粒子」とは、真球に近い球形状の粒子(一般的に市販されているコロイダルシリカ)をいう。
なお、シリカ粒子の粒径は、電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察画像において１つの粒子内で測定される円相当径、すなわち、粒子の投影面積と同じ面積の等価円の長径として求められる粒径である。

[工程（３）（仕上げ研磨）に用いる研磨液組成物ＩＩの調製]
表１のコロイダルシリカ粒子（砥粒ｆ）、硫酸、過酸化水素、及び水を用い、研磨液組成物ＩＩを調製した。研磨液組成物ＩＩ中の各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子：５.０質量％、硫酸：０．５質量％、過酸化水素：０．５質量％とした。研磨液組成物ＩＩのｐＨは１．４であった。研磨液組成物ＩＩを実施例１〜１６、参考例１〜９、比較例１〜６の研磨における工程（３）で使用した。

２．各パラメータの測定方法
［動的光散乱法で測定される砥粒ａ〜ｋの体積平均粒径（Ｄ１）及びＣＶ９０］
砥粒、硫酸、過酸化水素をイオン交換水に添加し、これらを混合することにより、標準試料を作製した。標準試料中における砥粒、硫酸、過酸化水素の含有量は、それぞれ０．１〜５．０質量％、０．２〜０．４質量％、０．２〜０．４質量％であり、用いるシリカ砥粒のタイプに合わせて適宜調整を行った。この標準試料を大塚電子社製の動的光散乱装置ＤＬＳ−６５００により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるＭａｒｑｕａｒｄｔ法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、シリカ粒子の体積平均粒径（Ｄ１）とした。検出角９０°におけるシリカ粒子のＣＶ値（ＣＶ９０）を、上記測定法に従って測定した散乱強度分布における標準偏差を前記体積平均粒径で除して１００をかけた値として算出した。

［ΔＣＶ値］
上記ＣＶ９０の測定法と同様に、検出角３０°におけるシリカ粒子のＣＶ値（ＣＶ３０）を測定し、ＣＶ３０からＣＶ９０を引いた値を求め、シリカ粒子Ａ又はＢのΔＣＶ値とした。
（ＤＬＳ−６５００の測定条件）
検出角９０°
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｉｍｅ ：２−１０（μｍ）で適宜調整
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ ：２５６−５１２（ｃｈ）で適宜調整
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ ：ＴＩ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｅｍｐｒａｔｕｒｅ ：２５．０℃
検出角３０°
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｉｍｅ ：４−２０（μｍ）で適宜調整
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｃｈａｎｎｅｌ ：５１２−２０４８（ｃｈ）で適宜調整
Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ ：ＴＩ
Ｓａｍｐｌｉｎｇ ｔｅｍｐｒａｔｕｒｅ ：２５℃

［砥粒ａ〜ｋのＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の測定］
砥粒の比表面積は、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」（島津製作所製））を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
［前処理］
（ａ）スラリー状の砥粒を硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の砥粒をシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、１μｍのメンブランフィルターで濾過する。
（ｅ）フィルター上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で十分洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルターを１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。

［シリカ砥粒のＤ１０、Ｄ５０、及びＤ９０］
シリカ砥粒をイオン交換水で希釈して得られる１質量％分散液を、下記測定装置内に投入し、シリカ砥粒の体積粒度分布を得た。
測定機器 ：マルバーン ゼータサイザー ナノ「Ｎａｎｏ Ｓ」
測定条件 ：サンプル量 １．５ｍＬ
：レーザー Ｈｅ―Ｎｅ、３．０ｍＷ、６３３ｎｍ
：散乱光検出角 １７３°
そして、得られた体積粒度分布の累積体積頻度が１０％、５０％及び９０％となる粒径を、それぞれ、Ｄ１０、Ｄ５０（体積平均粒子径）、及びＤ９０とした。

［シリカ粒子の体積粒度分布の重なり頻度の合計］
シリカ砥粒のＤ１０、Ｄ５０、及びＤ９０と同様の測定法により、シリカ粒子成分（砥粒ａ〜ｋ）のそれぞれの体積粒度分布を得た。実施例１〜１６及び参考例３〜９で使用する砥粒の組み合わせ（表２）において重なった粒径範囲の累積体積頻度の合計を全シリカ粒子成分の累積体積頻度（２成分混合系では２００、３成分混合系では３００）で除して１００をかけた値を重なり頻度[％]として算出した。実施例８〜１１における砥粒の組み合わせの体積粒度分布を重ねたグラフの一例を図３に示す。

［シリカ砥粒の形状］
シリカ砥粒を日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」、８０ｋＶ、１〜５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦ（Ｖｅｒ．３．６）」（販売元：三谷商事）を用いて１０００〜２０００個のシリカ粒子データについて形状を観察した。

［砥粒の平均二次粒子径の測定］
ポイズ５３０（花王社製）を０．５質量％含有する水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が７５〜９５％になるようにサンプルを投入し、その後、５分間超音波を掛けた後、砥粒の平均二次粒子径を測定した。
測定機器 ：堀場製作所製 レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置 ＬＡ９２０
循環強度 ：４
超音波強度：４

３．研磨条件
被研磨基板の研磨を工程（１）〜（３）に従い行った。各工程の条件を以下に示す。工程（３）は、工程（１）で使用した研磨機とは別個の研磨機で行った。
［被研磨基板］
被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍであった。

［工程（１）：粗研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨液：研磨液組成物Ｉ
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み０．８２−１．２６ｍｍ、平均気孔径２０−３０μｍ、表面層の圧縮率：２．５％（Ｆｉｌｗｅｌ、Ｆｕｊｉｂｏ社製）
定盤回転数：３５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ²・分））
研磨時間：５分
研磨量：１１０ｍｇ以上１６０ｍｇ以下（直径９５ｍｍディスク１枚当たり）
投入した基板の枚数：１０枚

［工程（２）：洗浄］
工程（１）で得られた基板を、下記条件で洗浄した。
１． ０．１質量％のＫＯＨ水溶液からなるｐＨ１２のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、工程（１）で得られた基板を５分間浸漬する。
２． 浸漬後の基板を、イオン交換水で２０秒間すすぎを行う。
３． すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。

［工程（３）：仕上げ研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）、工程（１）で使用した研磨機とは別個の研磨機
研磨液：研磨液組成物ＩＩ
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み０．９ｍｍ、平均気孔径５μｍ、表面層の圧縮率：１０．２％（Fujibo社製）
定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ²・分））
研磨時間：２分
研磨量：０．０４〜０．１０ｍｇ／(ｃｍ²・分)
投入した基板の枚数：１０枚
工程（３）後に、洗浄を行った。洗浄条件は、前記工程（２）と同条件で行った。

４．評価方法
［工程（１）の研磨速度、研磨量の測定方法及び評価］
研磨前後の各基板の重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、下記式に導入することにより研磨量を求め、比較例１を１００とした研磨速度の相対値を算出した。その結果を、表２に示す。
重量減少量（ｇ）＝｛研磨前の重量（ｇ）−研磨後の重量（ｇ）｝
研磨量（μｍ）＝重量減少量（ｇ）／基板片面面積（ｍｍ²）／２／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ³）×１０⁶
（基板片面面積は、６５９７ｍｍ²、Ｎｉ−Ｐメッキ密度８．４ｇ／ｃｍ³として算出）

［工程（１）後の基板表面の長周期欠陥（ＰＥＤ）の評価方法］
工程（１）の研磨後の１０枚の基板の両面（計２０点）について、下記の条件で測定し発生率（％）を求めた。図４に示す様に基板表面に確認できる小さな斑点がＰＥＤであり、基板表面にＰＥＤが１点でも目視で確認できた場合、その面は長周期欠陥有りとみなした。
長周期欠陥発生率（％）
＝（長周期欠陥が発生している基板面の数／２０）×１００
長周期欠陥発生率を下記基準で５段階評価した。すなわち、値が大きいほど長周期欠陥の発生率が低いことを意味する。その結果を、表２に示す。
［評価基準］
長周期欠陥発生率：評価
１０％以下 ：５「極めて発生が抑制され、基板収率向上が期待できる」
１０％越２０％以下：４「実生産可能」
２０％越３０％以下：３「実生産には改良が必要」
３０％越５０％以下：２「基板収率が大幅に低下する」
５０％以上 ：１「実生産には程遠い（一般的なシリカ砥粒を用いた場合と同じレベル）」
［測定機器］
光干渉型表面形状測定機：OptiFLAT III（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
Radius Inside/Out：14.87mm/47.83mm
Center X/Y：55.44mm/53.38mm
Low Cutoff：2.5mm
Inner Mask：18.50mm、Outer Mask：45.5mm
Long Period：2.5mm、Wa Correction：0.9、Rn Correction：1.0
No Zernike Terms：8

［工程（１）における研磨液供給量の低減効率の評価方法］
工程（１）の研磨は、研磨液供給量を１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ²・分））にて行っているが、別途、この研磨液供給量を下記の条件で減らした際に、研磨速度の低下が１０％以内で抑えられるかについて求めた。すなわち、研磨速度の低下が１０％以内で抑えられる場合、生産性を大幅に損なわずに研磨液供給量の低減が可能とみなし、経済性の観点から優れることを意味する。
研磨速度の低下（％）
＝（研磨液供給量を低減した条件での研磨速度）／（研磨液供給量を１００ｍＬ／分での研磨速度）×１００
研磨液供給量の低減効率を下記基準で４段階評価した結果を、表２に示す。
[評価基準]
研磨液供給量の低減効率（相対値）：評価
３０％低減可能（７０ｍＬ／分で研磨速度の低下が１０％以内）：Ａ「極めて経済性に優れる」
２０％低減可能（８０ｍＬ／分で研磨速度の低下が１０％以内）：Ｂ「経済性に優れる」
１０％低減可能（９０ｍＬ／分で研磨速度の低下が１０％以内）：Ｃ「経済性にやや優れる」
１０％低減不可（９０ｍＬ／分で研磨速度の低下が１０％より上）：Ｄ「実生産では研磨液供給量の低減は困難」

［工程（３）後の突起欠陥の評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：研磨液組成物ＩＩを用いて研磨を行い、その後、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射して砥粒突き刺さり数を測定した。その４枚の基板の各々両面にある砥粒突き刺さり数（個）の合計を８で除して、基板面当たりの砥粒突き刺さり数（突起欠陥数）（比較例１を１００とした相対値）を算出した。突起欠陥数の相対値、及び、突起欠陥数を下記基準で評価した結果を、表２に示す。
［評価基準］
突起欠陥数（相対値）：評価
９５未満 ：Ａ「極めて発生が抑制され、基板収率向上が期待できる」
９５以上１１０未満 ：Ｂ「実生産可能」
１１０以上１２５未満：Ｃ「実生産には改良が必要」
１２５以上 ：Ｄ「基板収率が大幅に低下する」

５．結果

表２に示すとおり、実施例１〜１６では、比較例１〜６、参考例１〜９に比べて、工程（１）における粗研磨の研磨速度を大きく損ねることなく、そして、工程（３）の仕上げ研磨後の基板の突起欠陥数を悪化させることなく、工程（１）における粗研磨後の長周期欠陥（ＰＥＤ）を低減できた。

さらに表２が示すとおり、実施例１〜１６では、比較例１〜６、参考例１〜９に比べて、工程（１）での研磨液供給量をより低減できうる。

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ長周期欠陥を低減できるから、磁気ディスク基板製造の生産性を維持しつつ基板収率を向上できる。本開示は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に好適に用いることができる。

５１…第一研磨機、５２…洗浄ユニット、５３…第二研磨機

Claims (14)

1. （１）研磨液組成物Ｉを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、
   （２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程、及び、
   （３）工程（２）で得られた基板を、シリカ粒子Ｃを含有する研磨液組成物ＩＩを用いて研磨する工程を有し、
   前記工程（１）と（３）を別の研磨機で行う磁気ディスク基板の製造方法であって、
   （ｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉは、非球状シリカ粒子Ａ、球状シリカ粒子Ｂ、酸、酸化剤及び水を含有し、
   （ｉｉ）前記工程（１）の前記研磨液組成物Ｉにおいて、前記非球状シリカ粒子Ａと前記球状シリカ粒子Ｂの質量比（Ａ／Ｂ）が８０／２０以上９９／１以下であり、シリカ粒子全体に対する非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの合計の含有量が９８．０質量％を超え、
   （ｉｉｉ）前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、
   （ｉｖ）前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、
   （ｖ）前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、
   （ｖｉ）前記酸が、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、磁気ディスク基板の製造方法。
2. 前記非球状シリカ粒子Ａが、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
3. 前記非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０が、２０．０％以上４０．０％以下である、請求項１又は２記載の磁気ディスク基板の製造方法。
4. 前記球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値が０％より上１０％以下、かつ、ＣＶ９０が１０．０％以上３５．０％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
5. 前記工程（１）における被研磨基板１枚当たりの研磨量が１１０ｍｇ以上１６０ｍｇ以下である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
6. 前記研磨液組成物Ｉが、アルミナ砥粒を実質含まない、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
7. 前記非球状シリカ粒子Ａが、水ガラス法により製造されたシリカ粒子である、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
8. 前記球状シリカ粒子Ｂは、粒径が異なる２種類の粒子であり、
   前記２種類の粒子が、６．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下の球状粒子と１５．５ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下の球状粒子との組み合わせ、又は、１５．５ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下の球状粒子と３０．５ｎｍ以上７０．０ｎｍ以下の球状粒子との組み合わせである、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
9. 前記研磨液組成物Ｉ中の非球状シリカ粒子Ａと球状シリカ粒子Ｂの体積粒度分布の重なり頻度の合計が、０％以上５０％以下である、請求項１から８のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
10. 前記研磨液組成物ＩのｐＨが、０．５以上６．０以下である、請求項１から９のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
11. 被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板である、請求項１から１０のいずれかに記載された磁気ディスク基板の製造方法。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（１）〜（３）を含む、磁気ディスク基板の研磨方法。
13. 請求項１から１１のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（１）の研磨を行う第一の研磨機と、
    請求項１から１１のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（２）の洗浄を行う洗浄ユニットと、
    請求項１から１１のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における工程（３）の研磨を行う第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システム。
14. 砥粒、酸、酸化剤及び水を含み、
    前記砥粒は、非球状シリカ粒子Ａ及び球状シリカ粒子Ｂを含有し、
    前記非球状シリカ粒子Ａと前記球状シリカ粒子Ｂの質量比Ａ／Ｂが８０／２０以上９９／１以下であり、
    前記非球状シリカ粒子ＡのΔＣＶ値が０．０％より上１０％未満であり、
    前記非球状シリカ粒子ＡのＣＶ９０が、２０．０％以上４０．０％以下であり、
    前記球状シリカ粒子ＢのΔＣＶ値が０％より上１０％以下、かつ、前記球状シリカＢのＣＶ９０が１０．０％以上３５．０％以下であり、
    前記非球状シリカ粒子Ａの動的光散乱法による体積平均粒径（Ｄ１）とＢＥＴ法による比表面積換算粒径（Ｄ２）の粒径比（Ｄ１／Ｄ２）が２．００以上４．００以下であり、
    前記球状シリカ粒子Ｂの動的光散乱法による体積平均粒径Ｄ１が６．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下であり、
    前記酸が、リン酸類、ホスホン酸、有機ホスホン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。