WO2012120923A1 - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents

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WO2012120923A1
WO2012120923A1 PCT/JP2012/050994 JP2012050994W WO2012120923A1 WO 2012120923 A1 WO2012120923 A1 WO 2012120923A1 JP 2012050994 W JP2012050994 W JP 2012050994W WO 2012120923 A1 WO2012120923 A1 WO 2012120923A1
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polishing
substrate
weight
polished
alumina
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PCT/JP2012/050994
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English (en)
French (fr)
Inventor
浜口剛吏
Original Assignee
花王株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a magnetic disk substrate and a method for polishing a magnetic disk substrate.
  • the magnetic disk substrate is designed to improve the smoothness and flatness (reduction of surface roughness, waviness and edge sag) and to reduce surface defects (residual abrasive grains and scratches) in order to reduce the flying height of the magnetic head and ensure the recording area. , Reduction of protrusions, pits, etc.) is strictly demanded.
  • the hard disk substrate manufacturing method includes a multi-stage polishing method having two or more polishing steps. Often adopted.
  • a polishing composition for finishing that contains colloidal silica particles in order to satisfy the requirements of reducing surface roughness and scratches such as scratches, protrusions, and pits.
  • a polishing liquid composition containing alumina particles is used from the viewpoint of improving productivity (for example, Patent Document 1).
  • a coarse polishing composition comprising a polishing liquid composition containing aluminum oxide particles having an average secondary particle size of 0.1 to 0.7 ⁇ m and an acid, and polishing the substrate with a predetermined polishing load.
  • a method of manufacturing a magnetic disk substrate comprising a polishing step and a final polishing step of polishing the substrate obtained in the rough polishing step with a predetermined polishing amount using a polishing liquid composition containing colloidal particles has been proposed. (For example, Patent Document 2).
  • Patent Document 3 a polishing liquid composition including alumina particles having a specific particle size and silica particles having a specific particle size distribution has been proposed (for example, Patent Document 3).
  • Patent Document 4 a technique of performing polishing using alumina particles in two stages has been proposed (for example, Patent Document 4), and more specifically, in order to simplify the polishing process, ceria. There has been proposed a technique of performing polishing in two stages using, for example, Patent Document 5.
  • the present invention is a magnetic material that can reduce the stab of alumina particles on the substrate surface after the rough polishing step, reduce waviness, and further reduce the protrusion defects and waviness on the substrate surface after the finish polishing step.
  • a method for manufacturing a disk substrate is provided.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a magnetic disk substrate (hereinafter, also referred to as “substrate manufacturing method of the present invention”) having the following steps (1) to (4).
  • a polishing composition A containing alumina particles and water is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved.
  • step (1) A step of polishing the surface to be polished (hereinafter also referred to as “step (1)”), (2) A polishing liquid composition B containing silica particles having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm and water was obtained in step (1).
  • step (2) A polishing liquid composition B containing silica particles having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm and water was obtained in step (1).
  • step (2) Supplying the polishing target surface of the substrate, bringing a polishing pad into contact with the polishing target surface, and moving the polishing pad and / or the substrate to be polished to polish the polishing target surface (hereinafter, “step (2)”) Also called).
  • step (3) A step of cleaning the substrate obtained in the step (2) (hereinafter also referred to as “step (3)”), (4) A polishing composition C containing silica particles and water is supplied to the surface to be polished of the substrate obtained in step (3), the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and / or the polishing pad and / or A step of moving the substrate to be polished to polish the surface to be polished (hereinafter also referred to as “step (4)”).
  • the present invention relates to a method for polishing a magnetic disk substrate (hereinafter also referred to as “the polishing method of the present invention”) having the following steps (1) to (4).
  • a polishing composition A containing alumina particles and water is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved. Polishing the surface to be polished, (2)
  • a polishing liquid composition B containing silica particles and water having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm was obtained in step (1).
  • polishing target surface of the substrate Supplying the polishing target surface of the substrate, bringing a polishing pad into contact with the polishing target surface, moving the polishing pad and / or the substrate to be polished, and polishing the polishing target surface; (3) a step of cleaning the substrate obtained in step (2); (4) A polishing composition C containing silica particles and water is supplied to the surface to be polished of the substrate obtained in step (3), the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and / or the polishing pad and / or Moving the substrate to be polished to polish the surface to be polished;
  • the present invention it is possible to efficiently produce a substrate with reduced alumina stabs and undulations after rough polishing, and protrusion defects and undulations after finish polishing, thereby providing a magnetic disk substrate with improved substrate quality.
  • the effect that it can manufacture with sufficient productivity may be produced.
  • the present invention provides a method of manufacturing a magnetic disk substrate including a rough polishing step and a final polishing step, wherein the rough polishing step uses a polishing liquid composition A containing alumina particles and water, and predetermined silica particles. And 2 steps of a rough polishing step using the polishing liquid composition B containing water, and after washing the substrate after the rough polishing step, finishing using the polishing liquid composition C containing silica particles and water Based on the knowledge that the structure including the polishing step can reduce the alumina stab and the substrate surface waviness on the substrate after the rough polishing step, and the protrusion defect and the substrate surface waviness on the substrate after the finish polishing step.
  • the term “alumina stab” refers to a stab into the substrate of the alumina particles after polishing using alumina particles as an abrasive.
  • the “protrusion defect” refers to abrasive particles such as alumina and polishing scraps generated during polishing. The number of alumina sticks and / or protrusion defects can be evaluated by, for example, microscopic observation of a substrate surface obtained after polishing, scanning electron microscope observation, or a surface defect inspection apparatus.
  • step (2) the silica particles having a predetermined average primary particle size and standard deviation are used to suppress the frictional vibration between the polishing pad and the substrate, and the alumina sticking to the substrate and the substrate surface waviness are reduced. It is estimated that. Furthermore, after cleaning the substrate roughly polished in step (3), the step (4) corresponding to the final polishing step is performed, so that the introduction of alumina particles into the final polishing step is prevented, and the alumina sticking is further reduced. It is estimated that However, the present invention is not limited to these mechanisms.
  • a magnetic disk is manufactured through a recording part forming process by polishing a glass substrate that has undergone a fine grinding process or an aluminum alloy substrate that has undergone a Ni-P plating process through a rough polishing process and a final polishing process.
  • a rinsing step and a cleaning step may be included between the polishing steps.
  • the substrate to be polished in the substrate manufacturing method of the present invention is a magnetic disk substrate or a substrate used for a magnetic disk substrate.
  • a Ni—P plated aluminum alloy substrate, silicate glass, aluminosilicate glass, crystallization Examples thereof include glass substrates such as glass and tempered glass.
  • a Ni—P plated aluminum alloy substrate is preferable as the substrate to be polished of the present invention.
  • the shape of the substrate to be polished is not particularly limited, and may be, for example, a shape having a flat portion such as a disc shape, a plate shape, a slab shape, or a prism shape, or a shape having a curved surface portion such as a lens.
  • a disk-shaped substrate to be polished is suitable.
  • its outer diameter is, for example, about 2 to 95 mm
  • its thickness is, for example, about 0.5 to 2 mm.
  • the polishing liquid composition A containing alumina particles and water is supplied to the surface to be polished of the substrate to be polished, the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the above-mentioned A step (step (1)) of moving the substrate to be polished and polishing the surface to be polished;
  • the polishing machine used in the step (1) is not particularly limited, and a known polishing machine for polishing a magnetic disk substrate can be used.
  • the substrate to be polished is sandwiched between a surface plate to which a polishing pad such as a nonwoven organic polymer polishing cloth is attached, and the polishing composition of the present invention is used.
  • a method of polishing a substrate to be polished by moving a surface plate or a substrate to be polished while supplying an object to a polishing machine.
  • Step (1) is performed before step (2) described later. From the viewpoint of reducing alumina stab and substrate surface waviness, it is preferable to include a step (intermediate rinsing step) of rinsing the substrate to be polished between step (1) and step (2). Therefore, considering productivity, it is preferable to carry out the same polishing machine without taking out the substrate to be polished from the polishing machine used in the step (1). Although it does not restrict
  • a step of cleaning the substrate to be polished (step of cleaning the substrate obtained in step (1) (for example, a step (described later)) between step (1) and step (2). It is preferable not to have the washing step)) as in 3).
  • the polishing machine to be used is not particularly limited, and a known polishing machine for polishing a magnetic disk substrate can be used.
  • the rinsing process may include supplying a rinsing liquid to the surface to be polished of the substrate to be polished, and rinsing the surface to be polished by moving the substrate to be polished.
  • “rinsing treatment” refers to a treatment aimed at discharging abrasive grains and polishing debris remaining on the substrate surface, and supplying a rinsing liquid with the substrate to be polished attached to a polishing machine. And do it.
  • the “rinsing process” refers to a process different from a polishing process (chemical mechanical polishing) in which the substrate surface is scraped with abrasive grains to flatten the substrate surface.
  • a polishing liquid composition B containing silica particles having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm and water (1) ) Is supplied to the surface of the substrate to be polished, brought into contact with the polishing pad, and moves the polishing pad and / or the substrate to be polished to polish the surface to be polished (step (2)). .
  • Step (2) is performed after the above-described step (1) and before the step (3) described later. From the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness, and from the viewpoint of preventing the alumina from being brought into the final polishing step, it is preferable to have a step of rinsing the substrate to be polished after step (2). Further, from the viewpoint of improving productivity, it is preferable to use the same polishing machine as that used in the process (1) in the step (2).
  • “the same polishing machine as that used in the step (1)” means that the steps (1) and (2) for one substrate to be polished are performed by one polishing machine.
  • the supply rate of the polishing liquid composition B used in the step (2) and the method of supplying the polishing liquid composition B to the polishing machine are the same as in the case of the step (1).
  • the substrate manufacturing method of the present invention is a step of cleaning the substrate obtained in step (2) (step (step (step) (step (step)) from the viewpoint of reducing alumina stabs and substrate surface waviness, and preventing alumina from being brought into the final polishing step. 3)).
  • step (3) it is preferable that the substrate subjected to the rough polishing, which is a substrate to be cleaned, is cleaned using a cleaning composition.
  • Step (3) is performed after step (2) described above and before step (4) described below.
  • step (3) for example, (a) a method of immersing the substrate obtained in step (2) in a cleaning composition described later, or (b) injecting the cleaning composition,
  • the method of supplying a cleaning composition on the surface of a substrate is mentioned.
  • the conditions for immersing the substrate in the cleaning composition are not particularly limited.
  • the temperature of the cleaning composition is 20 to 100 ° C. from the viewpoint of safety and operability.
  • the immersion time is preferably from 10 seconds to 30 minutes, more preferably from 2 to 20 minutes, from the viewpoints of cleanability by the cleaning composition and production efficiency.
  • ultrasonic vibration is given to the cleaning composition from the viewpoint of improving the removability of the residue and the dispersibility of the residue.
  • the frequency of the ultrasonic wave is preferably 20 to 2000 kHz, more preferably 40 to 2000 kHz, and further preferably 40 to 1500 kHz.
  • the cleaning agent composition to which ultrasonic vibration is applied is injected and the cleaning agent composition is brought into contact with the surface of the substrate. Or cleaning the surface by supplying the cleaning composition onto the surface of the substrate to be cleaned by injection and rubbing the surface supplied with the cleaning composition with a cleaning brush. Is preferred. Further, the cleaning composition to which ultrasonic vibration is applied is supplied to the surface to be cleaned by injection, and the surface to which the cleaning composition is supplied is cleaned by rubbing with a cleaning brush. Is preferred.
  • a spray nozzle As means for supplying the cleaning composition onto the surface of the substrate to be cleaned, known means such as a spray nozzle can be used. Moreover, there is no restriction
  • the ultrasonic frequency may be the same as the value preferably adopted in the method (a).
  • step (3) in addition to the method (a) and / or the method (b), one or more steps using known cleaning such as rocking cleaning, cleaning using rotation of a spinner, paddle cleaning, etc. May be included.
  • Step (4): Final polishing In the substrate production method of the present invention, the polishing composition C containing silica particles and water is supplied to the surface to be polished of the substrate obtained in step (3), a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, A step (step (4)) of polishing the polishing target surface by moving a polishing pad and / or the substrate to be polished;
  • Step (4) is performed after step (3).
  • the polishing machine used in the step (4) includes the steps (1) and (1) from the viewpoint of preventing alumina from being brought into the final polishing process and reducing protrusion defects on the substrate and the substrate surface waviness after the final polishing process. It is preferable to use a polishing machine different from the polishing machine used in step (2).
  • a polishing machine different from the polishing machine used in step (1) and step (2) means a polishing machine separate from the polishing machine used in step (1) and step (2).
  • the supply rate of the polishing liquid composition C used in the step (4) and the method of supplying the polishing liquid composition C to the polishing machine are the same as in the case of the step (1).
  • the substrate manufacturing method of the present invention includes the first rough polishing step (1), the second rough polishing step (2), the cleaning step (3), and the final polishing step (4) described above, Alumina stab and substrate surface waviness on the substrate after the rough polishing step, and protrusion defects and substrate surface waviness on the substrate after the finish polishing step are effectively reduced.
  • polishing pad of step (1) and step (2) There is no restriction
  • a suede type polishing pad is preferable from the viewpoint of improving the polishing rate.
  • a suede type polishing pad is composed of a foam layer having a base layer and spindle-shaped pores perpendicular to the base layer.
  • Examples of the material of the base layer include nonwoven fabrics made of natural fibers such as cotton and synthetic fibers, and base layers obtained by filling rubber-like materials such as styrene butadiene rubber. From the viewpoints of reduction and reduction of alumina sticking, a polyethylene terephthalate (PET) film or a polyester film from which a high-hardness resin film can be obtained is preferable, and a polyethylene terephthalate (PET) film is more preferable.
  • examples of the material of the foam layer include polyurethane, polystyrene, polyester, polyvinyl chloride, natural rubber, and synthetic rubber, but compression from the viewpoint of reducing waviness on the substrate surface after rough polishing and reducing alumina sticking. Polyurethane elastomers are preferred from the viewpoints of control of physical properties such as rate and improvement of wear resistance during polishing.
  • the average pore diameter of the polishing pad used in the step (1) and the step (2) is preferably 10 to 100 ⁇ m, more preferably 20 to 80 ⁇ m from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface waviness of the substrate. 30-60 ⁇ m is more preferable, and 35-55 ⁇ m is even more preferable.
  • the polishing load means the pressure of the surface plate applied to the polishing surface of the substrate to be polished during polishing.
  • the polishing load in the step (1) is preferably 30 kPa or less, more preferably 25 kPa or less, still more preferably 20 kPa or less, even more preferably 18 kPa or less, and even more preferably, from the viewpoint of reducing alumina sticking after the rough polishing process. 16 kPa or less, even more preferably 14 kPa or less.
  • the polishing load is preferably 3 kPa or more, more preferably 5 kPa or more, further preferably 7 kPa or more, even more preferably 8 kPa or more, and even more preferably 9 kPa or more, from the viewpoint of reducing the substrate surface waviness and improving the polishing rate. It is. Therefore, taking these viewpoints together, the polishing load is preferably 3 to 30 kPa, more preferably 5 to 25 kPa, still more preferably 7 to 20 kPa, even more preferably 8 to 18 kPa, even more preferably 9 to 16 kPa, Even more preferably, it is 9 to 14 kPa.
  • the polishing load can be adjusted by air pressure or weight load on the surface plate or the substrate.
  • the polishing amount per unit area (1 cm 2 ) of the substrate to be polished is from the viewpoint of reducing plating defects, from the viewpoint of reducing alumina sticking after the rough polishing process, and from the viewpoint of reducing substrate surface waviness.
  • 0.4 mg or more is preferable, 0.6 mg or more is more preferable, and 0.8 mg or more is more preferable.
  • the polishing amount is preferably 0.4 to 2.6 mg, more preferably 0.6 to 2.1 mg, and still more preferably 0.8 to 1.7 mg.
  • the supply rate of the polishing liquid composition A in the step (1) is 0.00 per 1 cm 2 of the substrate to be polished from the viewpoint of reducing the cost, the viewpoint of reducing the alumina sticking after the rough polishing process, and the viewpoint of reducing the substrate surface waviness. 25 mL / min or less is preferable, 0.2 mL / min or less is more preferable, and 0.15 mL / min or less is more preferable.
  • the supply rate is preferably 0.01 mL / min or more per 1 cm 2 of the substrate to be polished, from the viewpoint of improving the polishing rate, from the viewpoint of reducing alumina sticking after the rough polishing step, and from the viewpoint of reducing substrate surface waviness.
  • the supply rate is preferably 0.01 to 0.25 mL / min, more preferably 0.025 to 0.2 mL / min per 1 cm 2 of the substrate to be polished, 0.05 to 0 More preferred is 15 mL / min.
  • Method of supplying polishing liquid composition A to polishing machine for example, a method of continuously supplying using a pump or the like can be mentioned.
  • a method of supplying the polishing liquid composition to the polishing machine in addition to the method of supplying it with one liquid containing all the components, considering the storage stability of the polishing liquid composition, it is divided into a plurality of component liquids for blending Two or more liquids can be supplied. In the latter case, for example, the plurality of compounding component liquids are mixed into the polishing liquid composition A in the supply pipe or on the substrate to be polished.
  • the polishing load in the rinsing process is preferably 25 kPa or less, more preferably 20 kPa or less, from the viewpoint of reducing alumina sticking on the substrate after the rough polishing process and from the viewpoint of reducing protrusion defects on the substrate after the final polishing process. More preferably, it is 15 kPa or less, More preferably, it is 14 kPa or less.
  • the polishing load is preferably 3 kPa or more, more preferably 5 kPa or more, still more preferably 7 kPa or more, and even more preferably 9 kPa or more from the viewpoint of improving the polishing rate.
  • the polishing load is preferably 3 to 25 kPa, more preferably 5 to 20 kPa, still more preferably 7 to 15 kPa, and even more preferably 9 to 14 kPa.
  • the supply speed of the rinsing liquid in the rinsing process is such that the alumina sticking on the substrate after the rough polishing process and the protrusion defects on the substrate after the final polishing process are effectively reduced, and that alumina is brought into the final polishing process. From the viewpoint of prevention, it is preferably 0.25 to 4 mL / min per 1 cm 2 of the substrate to be polished, more preferably 0.8 to 2.5 mL / min, still more preferably 1 to 2 mL / min.
  • the supply time of the rinsing liquid in the rinsing process is preferably 5 to 60 seconds, more preferably 7 to 30 seconds, and further preferably 10 to 20 seconds from the same viewpoint.
  • the method of supplying the rinse liquid in a rinse process process to a grinding machine can be performed similarly to the method of supplying the above-mentioned polishing liquid composition A to a grinding machine.
  • the polishing load in the step (2) is preferably 18 kPa or less, more preferably 15 kPa, from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • it is more preferably 13 kPa or less, and still more preferably 11 kPa or less.
  • the polishing load is preferably 3 kPa or more, more preferably 4 kPa or more, still more preferably 5 kPa or more, even more preferably 6 kPa or more, and even more preferably 7 kPa or more, from the viewpoint of improving the polishing rate.
  • the polishing load is preferably 3 to 18 kPa, more preferably 4 to 15 kPa, still more preferably 5 to 13 kPa, even more preferably 6 to 11 kPa, and even more preferably 7 to 11 kPa. is there.
  • the polishing amount per unit area (1 cm 2 ) of the substrate to be polished is the reduction of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and the introduction of alumina particles into the final polishing and the final polishing step
  • 0.0004 mg or more is preferable, 0.004 mg or more is more preferable, and 0.01 mg or more is even more preferable.
  • it is preferably 0.85 mg or less, more preferably 0.43 mg or less, further preferably 0.26 mg or less, and even more preferably 0.1 mg or less. Therefore, taking these viewpoints together, the polishing amount is preferably 0.0004 to 0.85 mg, more preferably 0.004 to 0.43 mg, still more preferably 0.01 to 0.26 mg, and even more preferably. 0.01 to 0.1 mg.
  • the supply rate of the polishing liquid composition B in the step (2) can be performed in the same manner as the supply rate of the polishing liquid composition A described above.
  • the method for supplying the polishing liquid composition B to the polishing machine is the same as the method for supplying the polishing liquid composition A to the polishing machine.
  • the step (2) is preferably performed by the same polishing machine as the step (1) from the viewpoint of improving productivity.
  • polishing pad in step (4) the same type of polishing pad as that used in step (1) and step (2) may be used.
  • the average pore diameter of the polishing pad used in the step (4) is preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 2 to 40 ⁇ m, from the viewpoints of protrusion defects after the final polishing step, substrate surface waviness, scratches and surface roughness.
  • 3 to 30 ⁇ m is more preferable, and 3 to 10 ⁇ m is even more preferable.
  • the polishing load in the step (4) is preferably 16 kPa or less, more preferably 14 kPa or less, still more preferably 13 kPa or less, and even more preferably 12 kPa or less, from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the finish polishing step. is there.
  • the polishing load is preferably 7.5 kPa or more, more preferably 8.5 kPa or more, and still more preferably 9.5 kPa or more, from the viewpoint of reducing substrate surface waviness and improving the polishing rate. Therefore, taking these viewpoints together, the polishing load is preferably 7.5 to 16 kPa, more preferably 8.5 to 14 kPa, further preferably 9.5 to 13 kPa, and even more preferably 9.5 to 12 kPa.
  • the polishing amount per unit area (1 cm 2 ) of the substrate to be polished is 0.085 mg or more from the viewpoint of reduction of protrusion defects, substrate surface waviness, scratches and surface roughness after the final polishing step.
  • 0.13 mg or more is more preferable, and 0.17 mg or more is more preferable.
  • 0.85 mg or less is preferable, 0.6 mg or less is more preferable, and 0.43 mg or less is further more preferable. Therefore, taking these viewpoints together, the polishing amount is preferably 0.085 to 0.85 mg, more preferably 0.13 to 0.6 mg, and even more preferably 0.17 to 0.43 mg.
  • Method for supplying polishing composition C to polishing machine The method for supplying the polishing liquid composition C to the polishing machine can be performed in the same manner as the method for supplying the polishing liquid composition A to the polishing machine.
  • the polishing composition A used in the step (1) contains alumina particles from the viewpoint of improving the polishing rate.
  • alumina particles examples include ⁇ -alumina, intermediate alumina, amorphous alumina, fumed alumina, and the like. From the viewpoint of improving the polishing rate, ⁇ -alumina is preferable, and alumina piercing and surface waviness reduction after rough polishing step, finish. From the viewpoint of reducing protrusion defects and surface waviness after the polishing step, intermediate alumina is preferable.
  • the average secondary particle diameter of the alumina particles is from the viewpoint of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing the protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • 1 to 0.8 ⁇ m is preferable, 0.1 to 0.75 ⁇ m is more preferable, 0.1 to 0.7 ⁇ m is more preferable, 0.15 to 0.7 ⁇ m is still more preferable, and 0.2 to 0.7 ⁇ m is preferable Even more preferred is 0.2 to 0.68 ⁇ m, even more preferred is 0.2 to 0.65 ⁇ m, even more preferred is 0.25 to 0.55 ⁇ m, and even more preferred is 0.25 to 0.40 ⁇ m. preferable.
  • the average secondary particle diameter can be determined by the method described in the examples.
  • the content of the alumina particles in the polishing liquid composition A is from the viewpoint of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing the protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate. 0.01 to 30% by weight, preferably 0.05 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 15% by weight, still more preferably 1 to 10% by weight, and further preferably 1 to 6% by weight. More preferred. Further, the content of alumina particles in the entire abrasive contained in the polishing composition A is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, from the viewpoint of reducing the substrate surface waviness and improving the polishing rate. More preferably by weight.
  • ⁇ -alumina is a general term for crystalline alumina particles in which a structure peculiar to ⁇ -alumina is recognized in the crystal by X-ray diffraction.
  • the structure unique to ⁇ -alumina is, for example, 2 ⁇ region 35.1 to 35.3 ° (104 plane), 43.2 to 43.4 ° (113 plane), 57.4 to 57.6 ° in the X-ray diffraction spectrum. This can be confirmed by the presence or absence of a peak having a vertex at (116 plane).
  • the peak specific to ⁇ -alumina means a peak on the 104 plane.
  • the ⁇ -alumina conversion rate is preferably 50 to 99%, more preferably 60 to 97%, and more preferably 60 to 97% from the viewpoints of improving the polishing rate, reducing alumina stab after the rough polishing step, and reducing the waviness of the substrate surface. Preferably it is 60 to 80%.
  • the numerical value of the relative area of the ⁇ -alumina-specific peak when the peak area of the surface is 99.9% can be specifically obtained by the method described in the examples.
  • a plurality of types of ⁇ -alumina having an ⁇ conversion rate within the above range may be used.
  • the average secondary particle diameter of ⁇ -alumina is from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • 0.1 to 0.8 ⁇ m is preferable, 0.1 to 0.75 ⁇ m is more preferable, 0.15 to 0.7 ⁇ m is more preferable, 0.2 to 0.65 ⁇ m is still more preferable, and 0.25 to 0. 6 ⁇ m is even more preferred, 0.25 to 0.55 ⁇ m is even more preferred, and 0.25 to 0.4 ⁇ m is even more preferred.
  • this average secondary particle diameter can be calculated
  • the content of ⁇ -alumina in the polishing composition A is preferably from 0.01 to 30% by weight, and from 0.05 to 20% from the viewpoints of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step and improving the polishing rate.
  • % By weight is more preferred, 0.1-15% by weight is more preferred, 0.5-10% by weight is even more preferred, 1-10% by weight is even more preferred, and 1.5-6% by weight is even more preferred. .
  • the polishing composition A preferably contains intermediate alumina from the viewpoints of improving the polishing rate, piercing the alumina after the rough polishing step, wobbling the substrate surface, and reducing the surface roughness.
  • Intermediate alumina is a general term for crystalline alumina particles other than ⁇ -alumina, and specific examples include ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, and mixtures thereof.
  • ⁇ alumina, ⁇ alumina, ⁇ alumina and a mixture thereof are more preferable from the viewpoint of alumina stab after the rough polishing step, substrate surface waviness and surface roughness reduction, and improvement of polishing rate, and more preferably.
  • the average secondary particle diameter of the intermediate alumina is 0.01 to from the viewpoints of alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improvement of the polishing rate.
  • 0.6 ⁇ m is preferable, 0.05 to 0.5 ⁇ m is more preferable, 0.1 to 0.4 ⁇ m is further preferable, and 0.1 to 0.35 ⁇ m is still more preferable.
  • the average secondary particle diameter can be determined by the same method as in the case of the aforementioned ⁇ -alumina.
  • the content of intermediate alumina in the polishing liquid composition A is from the viewpoint of alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improvement of the polishing rate.
  • 0.001 to 27% by weight preferably 0.01 to 15% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight, still more preferably 0.2 to 5% by weight, and 0.4 to 5%.
  • % By weight is even more preferred, and 0.5-2% by weight is even more preferred.
  • the polishing liquid composition A is used as alumina particles as an alumina particle. It is preferable to contain intermediate alumina, and more preferably ⁇ -alumina and ⁇ -alumina.
  • the weight ratio of ⁇ -alumina to intermediate alumina is the amount of alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing process, and after the final polishing process.
  • 90/10 to 10/90 is preferable, 85/15 to 40/60 is more preferable, and 85/15 to 50/50 is further more preferable from the viewpoints of reduction of protrusion defects and substrate surface waviness and improvement of polishing rate.
  • 85/15 to 60/40 is even more preferred, 85/15 to 70/30 is even more preferred, and 80/20 to 75/25 is even more preferred.
  • the polishing composition A preferably further contains silica particles from the viewpoints of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing the protrusion defects and substrate waviness after the final polishing step.
  • silica particles include colloidal silica, fumed silica, and surface-modified silica. Among these, colloidal silica is preferable from the viewpoint of reducing the surface waviness of the substrate after the rough polishing step and reducing alumina sticking.
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles is preferably 5 to 150 nm, more preferably 10 to 130 nm, and still more preferably from the viewpoints of reducing alumina sticking after the rough polishing step, reducing the substrate surface waviness, and improving the polishing rate. It is 20 to 120 nm, still more preferably 30 to 100 nm, and even more preferably 40 to 75 nm.
  • this average primary particle diameter can be calculated
  • the standard deviation of the primary particle diameter of the silica particles is preferably 8 to 55 nm, more preferably 10 to 50 nm, more preferably 10 to 50 nm, from the viewpoint of reducing alumina sticking after the rough polishing step, reducing the substrate surface waviness, and improving the polishing rate. More preferably, it is 15 to 50 nm.
  • this standard deviation can be calculated
  • the primary particle diameter (D10) of the silica particles is preferably 1 to 130 nm, more preferably 5 to 120 nm, and still more preferably, from the viewpoints of reducing alumina sticking after the rough polishing step, reducing substrate surface waviness, and improving the polishing rate. It is 10 to 110 nm, still more preferably 20 to 90 nm, and still more preferably 20 to 70 nm.
  • this primary particle diameter (D10) can be calculated
  • the primary particle diameter (D90) of the silica particles is preferably 10 to 160 nm, more preferably 15 to 140 nm, and still more preferably from the viewpoints of reducing alumina sticking after the rough polishing step, reducing substrate surface waviness, and improving the polishing rate. It is 20 to 130 nm, still more preferably 40 to 110 nm, and even more preferably 65 to 85 nm.
  • this primary particle diameter (D90) can be calculated
  • the weight ratio of alumina particles to silica particles after the rough polishing step reduces alumina sticking, improves polishing rate, and reduces substrate surface waviness. From the viewpoint, it is preferably 10/90 to 80/20, more preferably 15/85 to 75/25, still more preferably 20/80 to 65/35, and still more preferably 20/80 to 60/40.
  • the ratio of the average secondary particle size (D50) of the alumina particles to the average primary particle size (D50) of the silica particles is From the viewpoint of reducing the alumina sticking after the rough polishing step, improving the polishing rate and reducing the substrate surface waviness, it is preferably 1 to 100, more preferably 2 to 50, still more preferably 4 to 20, and even more preferably 4 to 15, even more preferably 4 to 12, even more preferably 4 to 10.
  • the content of the silica particles contained in the polishing liquid composition A includes a view of reducing alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate. Therefore, 0.1% by weight or more is preferable, 0.5% by weight or more is more preferable, 1% by weight or more is further preferable, 1.5% by weight or more is further more preferable, and 2% by weight or more is even more preferable.
  • the content is preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less, further preferably 20% by weight or less, and even more preferably 15% by weight or less, from the viewpoints of substrate surface waviness reduction and economy.
  • the content of silica particles is preferably 0.1 to 30% by weight, more preferably 0.5 to 25% by weight, still more preferably 1 to 20% by weight, and more preferably 1.5 to 15% by weight is even more preferred, 2-10% by weight is even more preferred, and 2-5% by weight is even more preferred.
  • the polishing composition A preferably contains a diallylamine polymer from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • the diallylamine polymer is considered to be positively charged in the polishing liquid and adsorbed to the substrate surface to form a protective film, thereby suppressing alumina sticking and alumina adhesion.
  • the “diallylamine polymer” refers to a polymer having a structural unit in which an amine compound having two allyl groups such as diallylamines is introduced as a monomer.
  • the diallylamine polymer used in the present invention is water-soluble.
  • water-soluble means that the solubility in 100 g of water at 20 ° C. is 2 g or more.
  • the diallylamine polymer has the following general formulas (Ia) and (I-) from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferable to have one or more structural units selected from the structural units represented by b), (Ic) and (Id).
  • R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a hydroxyl group, or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a hydroxyl group may be linear, branched or cyclic, and reduces alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step.
  • an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may have a hydroxyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, or an n-propyl group is more preferable.
  • the aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms includes a benzyl group, a phenethyl group from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. Etc. are preferred.
  • R 1 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a benzyl group from the viewpoint of reducing the alumina sticking after the rough polishing step, the protrusion defect after the final polishing step, and the substrate surface waviness, and the methyl group, the ethyl group, and the like. Is more preferable.
  • R 1 may be the same or different.
  • the structural units represented by the general formulas (Ia) and (Ib) may be in the form of an acid addition salt.
  • the acid addition salt include hydrochloride, hydrobromide, acetate, sulfate, nitrate, sulfite, phosphate, amidosulfate, methanesulfonate, and the like. Among these, hydrochloride, hydrobromide, and acetate are preferable.
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms which may have a hydroxyl group.
  • the preferred form of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or the aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms which may have a hydroxyl group is as described above for R 1 .
  • R 3 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms
  • D ⁇ represents a negative valence group. Indicates ions.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms may be linear or branched, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and various butyl groups.
  • a methyl group and an ethyl group are preferable from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the finish polishing step.
  • Preferred examples of the aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms include a benzyl group and a phenethyl group from the same viewpoint.
  • Examples of the monovalent anion represented by D ⁇ include halogen ions, methyl sulfate ions, and ethyl sulfate ions.
  • N, N-dimethylammonium chloride and N-methyl-N-benzylammonium chloride are used from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing process, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing process.
  • N, N-dimethylammonium chloride is more preferable.
  • the total content of the structural units represented by the general formulas (Ia), (Ib), (Ic) and (Id) in all the structural units of the diallylamine polymer is rough polishing.
  • 30 to 100 mol% is preferable, and 35 to 90 mol% is more preferable.
  • 40 to 80 mol% is more preferable, and 40 to 60 mol% is even more preferable.
  • the diallylamine polymer is a structural unit represented by the following general formula (II) from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferable to have.
  • the content of the structural unit represented by the general formula (II) in all the structural units of the diallylamine polymer is the reduction of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, the protrusion defect after the final polishing step, and the substrate From the viewpoint of reducing surface waviness and improving the polishing rate, it is preferably 10 to 60 mol%, more preferably 20 to 60 mol%, still more preferably 30 to 60 mol%, still more preferably 40 to 60 mol%.
  • the molar ratio of the structural units of the general formulas (Ia) to (Id) to the structural unit of the general formula (II) in all the structural units of the diallylamine polymer (general formula (Ia) to (Id) / general formula (II) is from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate. 100/0 to 30/70 is preferable, 90/10 to 30/70 is more preferable, 80/20 to 40/60 is further preferable, 70/30 to 40/60 is still more preferable, and 60/40 to 40 is preferable. / 60 is even more preferred.
  • the total content of the structural units of the general formulas (Ia) to (Id) and the general formula (II) in all the structural units of the diallylamine polymer is the alumina piercing and substrate surface after the rough polishing step. From the viewpoint of reduction of waviness, reduction of projection defects and substrate surface waviness after the final polishing step, reduction of scratches, and improvement of polishing rate, it is preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, and still more preferably. 70 mol% or more, even more preferably 80 mol% or more, even more preferably 90 mol% or more, even more preferably 95 mol% or more, even more preferably 97 mol% or more, and even more preferably 100 mol%. .
  • the diallylamine polymer may have structural units other than the general formulas (Ia) to (Id) and the general formula (II).
  • Examples of other structural units include structural units derived from ethylenically unsaturated sulfonic acid compounds, structural units derived from ethylenically unsaturated carboxylic acid compounds, and structural units derived from acrylamide compounds.
  • Examples of the ethylenically unsaturated sulfonic acid compound include styrene sulfonic acid, ⁇ -methyl styrene sulfonic acid, vinyl toluene sulfonic acid, vinyl naphthalene sulfonic acid, vinyl benzyl sulfonic acid, 2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, and acryloyloxy. Examples include ethyl sulfonic acid and methacryloyloxypropyl sulfonic acid. These sulfonic acids can also be used as alkali metal salts and ammonium salts.
  • alkali metal salts examples include lithium salts, sodium salts, and potassium salts.
  • styrene sulfonic acid and 2-acrylamido-2-methylpropane are used from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • Sulfonic acids and their sodium salts are preferred.
  • Examples of the ethylenically unsaturated carboxylic acid compound include 2-propenoic acid, 3-butenoic acid, 3-butene diacid, 4-pentenoic acid, 5-hexenoic acid, 6-heptenoic acid, 7-octenoic acid, and 8-nonene.
  • Examples include acids, 9-decenoic acid, 10-undecenoic acid, 11-dodecenoic acid and salts thereof.
  • alkali metal salts and ammonium salts can also be used.
  • Examples of the alkali metal salt include lithium salt, sodium salt, and potassium salt.
  • 2-propenoic acid and 3-butenoic acid are used from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • 3-butene diacid, 4-pentenoic acid, 5-hexenoic acid and salts thereof are preferred.
  • acrylamide compound examples include acrylamide, N-methylacrylamide, N- (hydroxymethyl) acrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-ethylacrylamide, N, N-diethylacrylamide, and N- (isopropyl) acrylamide.
  • acrylamide and N-methylacrylamide are preferable from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • Acrylamide is more preferred.
  • the content of the structural units other than the structural units of the general formulas (Ia) to (Id) and the structural unit of the general formula (II) in all the structural units of the diallylamine polymer is determined after the rough polishing step. From the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness, reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, reduction of scratches, and improvement of polishing rate, 0 to 30 mol% is preferable, and 0 to 20 mol%. Is more preferable, 0 to 10 mol% is further preferable, 0 to 5 mol% is still more preferable, and it is even more preferable that the substance is not substantially contained.
  • the water-soluble diallylamine polymer introduces an acid addition salt and / or a quaternary ammonium salt of diallylamine and, if necessary, sulfur dioxide and other structural units in a polar solvent in the presence of a radical initiator. Can be produced by polymerizing the compound for the purpose.
  • polar solvent examples include water, inorganic acids (hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, etc.) or aqueous solutions thereof, aqueous solutions of inorganic acid metal salts (zinc chloride, calcium chloride, magnesium chloride, etc.), and organic acids (formic acid). , Acetic acid, propionic acid, lactic acid, etc.) or an aqueous solution thereof, or a polar organic solvent (alcohol, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, etc.), and a mixture thereof may be used. Of these, aqueous solvents are preferred.
  • radical initiator for example, a water-soluble radical initiator having an azo group in the molecule or a persulfate radical initiator can be preferably used, and a persulfate radical initiator is more preferred.
  • diallylamines examples include diallylamine, N-methyldiallylamine, N-ethyldiallylamine, N-propyldiallylamine, N-butyldiallylamine, N-2-hydroxyethyldiallylamine, N-2-hydroxypropyldiallylamine, N- Examples thereof include hydrochlorides such as 3-hydroxypropyl diallylamine, hydrobromides, sulfates, nitrates, sulfites, phosphates, amide sulfates, and methanesulfonates.
  • diallyldimethylammonium chloride diallyldimethylammonium bromide
  • diallyldimethylammonium iodide diallyldimethylammonium sulfate
  • diallyldimethylammonium sulfate diallyldiethylammonium chloride, diallyldiethyl bromide.
  • diallylamine, diallyldimethylammonium chloride, methylsulfuric acid are used from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing process, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing process, and improving the polishing rate.
  • Diallyldimethylammonium, diallyldiethylammonium chloride, and diallylmethylbenzylammonium chloride are preferred, and diallyldimethylammonium chloride is more preferred.
  • the weight average molecular weight of the diallylamine polymer is preferably 1000 or more from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • 1500 or more is more preferable, 2000 or more is further preferable, 4000 or more is further more preferable, 200000 or less is preferable, 150,000 or less is more preferable, 100000 or less is further preferable, 50000 or less is further more preferable, 20000 or less is further More preferably, 15000 or less is even more preferable.
  • the weight average molecular weight of the diallylamine polymer is from 1000 to 1,000 from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • 200000 is preferred, 1000-150,000 is more preferred, 1000-100000 is further preferred, 1500-50000 is even more preferred, 2000-20000 is even more preferred, and 4000-15000 is even more preferred.
  • this weight average molecular weight can be calculated
  • the content of the diallylamine polymer contained in the polishing liquid composition A is the reduction of alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, the reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, the viewpoint of scratch reduction, and From the viewpoint of improving the polishing rate, 0.001% by weight or more is preferable, 0.005% by weight or more is more preferable, 0.007% by weight or more is further preferable, 0.01% by weight or more is more preferable, 1.0% by weight or less is preferable, 0.5% by weight or less is more preferable, 0.3% by weight or less is more preferable, 0.1% by weight or less is further more preferable, and 0.05% by weight or less is even more preferable. .
  • the content of the diallylamine polymer contained in the polishing liquid composition A is reduced in terms of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reduction in protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and reduction in scratches.
  • 0.001 to 1.0% by weight is preferable, 0.005 to 0.5% by weight is more preferable, 0.007 to 0.3% by weight is further preferable, and 007 to 0.1% by weight is even more preferred, and 0.01 to 0.05% by weight is even more preferred.
  • the content ratio of the diallylamine polymer and the alumina particles in the polishing composition A is reduced after the rough polishing process and after the final polishing process. From the viewpoints of reducing protrusion defects and substrate surface waviness, reducing scratches, and improving the polishing rate, 0.001 to 0.1 is preferable, 0.001 to 0.05 is more preferable, and 0.002 to 0.00. 05 is more preferred, 0.002 to 0.02 is still more preferred, 0.003 to 0.02 is even more preferred, and 0.003 to 0.01 is even more preferred.
  • the polishing composition A preferably contains an acid from the viewpoints of improving the polishing rate, reducing alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • the use of the acid in the polishing liquid composition A includes the use of an acid and / or a salt thereof.
  • acids used include nitric acid, sulfuric acid, sulfurous acid, persulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphoric acid, amidosulfuric acid and the like, 2-aminoethylphosphonic acid 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), ethane-1,1, -diphosphonic acid, ethane-1, 1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1-diphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonic acid Methanehydroxyphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonoe
  • carboxylic acid phosphoric acid, sulfuric acid, citric acid, tartaric acid, malein from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing process, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing process, and improving the polishing rate. More preferred are acids, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid) and salts thereof.
  • acids and salts thereof may be used alone or in combination of two or more.
  • alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step are reduced, and protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step are reduced.
  • these acid salts there is no particular limitation, and specific examples include metals, ammonium, alkylammonium and the like.
  • Specific examples of the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8.
  • a salt with a metal belonging to Group 1A or ammonium is preferable from the viewpoint of improving the polishing rate.
  • the content of the acid in the polishing composition A is from the viewpoint of reducing the alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • 0.001 to 5% by weight is preferable, more preferably 0.01 to 4% by weight, still more preferably 0.05 to 3% by weight, still more preferably 0.1 to 2% by weight, and still more preferably 0.00. 1 to 1% by weight.
  • the polishing composition A contains an oxidizing agent from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate. It is preferable.
  • the oxidizing agent include peroxides, permanganic acid or salts thereof, chromic acid or salts thereof, peroxo acids or salts thereof, oxygen acids or salts thereof, and metal salts.
  • hydrogen peroxide iron (III) nitrate, peracetic acid, ammonium peroxodisulfate, iron (III) sulfate, and iron (III) ammonium sulfate are preferable, and metal ions do not adhere to the surface in terms of improving the polishing rate. From the viewpoint of being used for general purposes and inexpensive, hydrogen peroxide is more preferable.
  • oxidizing agents may be used alone or in admixture of two or more.
  • the content of the oxidizing agent in the polishing liquid composition A is from the viewpoint of improving the polishing rate, reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing the protrusion defects and the substrate surface waviness after the final polishing step.
  • it is 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and further preferably 0.1% by weight or more.
  • it is preferably 4% by weight or less, more preferably 2% by weight or less. More preferably, it is 1.5% by weight or less, and still more preferably 1% by weight or less.
  • the content is preferably 0.01 to 4% by weight, more preferably 0.05 to 2% by weight, and still more preferably 0.1 to 1%. 0.5% by weight, still more preferably 0.1 to 1% by weight.
  • ⁇ water ⁇ Polishing liquid composition A contains water as a medium.
  • water distilled water, ion exchange water, pure water, ultrapure water, or the like can be used.
  • the water content in the polishing liquid composition A is preferably 55 to 99% by weight, more preferably 70 to 98% by weight, and still more preferably 80 to 97% by weight, because the handling of the polishing liquid composition becomes easy. More preferably, it is 85 to 97% by weight.
  • polishing composition A other components can be blended as necessary.
  • other components include a thickener, a dispersant, a rust inhibitor, a basic substance, a surfactant, and a polymer compound.
  • the content of these other optional components in the polishing liquid composition A is preferably blended within a range not impairing the effects of the present invention, preferably 0 to 10% by weight, and more preferably 0 to 5% by weight.
  • the pH of the polishing composition A is the above-mentioned acid or The pH is preferably adjusted to 1 to 6 using a known pH adjusting agent, more preferably pH 1 to 4, still more preferably pH 1 to 3, and still more preferably pH 1 to 2.
  • the pH is the pH of the polishing composition at 25 ° C., which can be measured using a pH meter, and is a value 40 minutes after immersion of the electrode.
  • the polishing liquid composition A can be prepared, for example, by mixing alumina particles and water and, if desired, silica particles, diallylamine polymer, oxidizing agent, acid and other components by a known method. When mixing silica particles, they may be mixed in the form of a concentrated slurry, or may be mixed after being diluted with water or the like. As another embodiment, the polishing liquid composition A may be prepared as a concentrate. The mixing is not particularly limited, and can be performed using a homomixer, a homogenizer, an ultrasonic disperser, a stirrer such as a wet ball mill, or the like.
  • the polishing liquid composition B used in the step (2) has a viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and improving the polishing rate.
  • the silica particles used are the same as the silica particles used in the polishing composition A, and are preferably colloidal silica.
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles used in the polishing liquid composition B is a viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • D50 average primary particle diameter
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles used in the polishing liquid composition B is reduced in the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and in the protrusion defect and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles is within the above range, it is considered that frictional vibration during polishing cutting is effectively suppressed, and alumina sticking is effectively reduced.
  • this average primary particle diameter can be calculated
  • the standard deviation of the primary particle diameter of the silica particles used in the polishing liquid composition B is the reduction of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and the reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. From the viewpoint, it is 40 nm or more, preferably 43 nm or more, more preferably 44 nm or more, and from the same viewpoint, it is 60 nm or less, preferably 57 nm or less, more preferably 54 nm or less, still more preferably 50 nm or less, even more Preferably it is 46 nm or less.
  • the standard deviation of the primary particle size of the silica particles used in the polishing liquid composition B is reduced in the alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing process, and in the reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing process.
  • it is 40 to 60 nm, preferably 40 to 57 nm, more preferably 40 to 54 nm, still more preferably 40 to 50 nm, still more preferably 43 to 50 nm, and even more preferably 44 to 46 nm.
  • the standard deviation of the primary particle diameter is within the above range, it is considered that the substrate surface waviness and alumina piercing are reduced in order to suppress efficient frictional vibration during polishing and cutting.
  • this standard deviation can be calculated
  • the primary particle diameter (D10) of the silica particles used in the polishing liquid composition B is from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • the primary particle diameter (D10) of the silica particles used in the polishing liquid composition B is reduced in the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, in the reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and From the viewpoint of improving the polishing rate, it is preferably 5 to 105 nm, more preferably 10 to 100 nm, still more preferably 15 to 95 nm, still more preferably 20 to 90 nm, still more preferably 20 to 70 nm, and even more preferably 25. It is ⁇ 50 nm, still more preferably 26 to 30 nm.
  • this primary particle diameter (D10) can be calculated
  • the primary particle diameter (D90) of the silica particles used in the polishing liquid composition B is from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • the primary particle diameter (D90) of the silica particles used in the polishing liquid composition B is reduced in the alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing process, in the reduction in protrusion defects and substrate waviness after the final polishing process, and in polishing. From the viewpoint of improving the speed, it is preferably 50 to 120 nm, more preferably 60 to 115 nm, still more preferably 65 to 110 nm, still more preferably 70 to 100 nm, and even more preferably 70 to 80 nm. In addition, this primary particle diameter (D90) can be calculated
  • the content of the silica particles contained in the polishing composition B is 0.1 from the viewpoint of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing the protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. % By weight or more is preferred, 0.5% by weight or more is more preferred, 1% by weight or more is more preferred, and 2% by weight or more is even more preferred.
  • the content is preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less, further preferably 20% by weight or less, still more preferably 15% by weight or less, and even more preferably 10% by weight or less from the viewpoint of economy. Even more preferred.
  • the content of silica particles is preferably 0.1 to 30% by weight, more preferably 0.5 to 25% by weight, further preferably 1 to 20% by weight, and 2 to 15% by weight. % Is even more preferred, and 2 to 10% by weight is even more preferred.
  • the content of silica particles in the entire abrasive contained in the polishing liquid composition B is reduced in the alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, and in the reduction of protrusion defects and substrate waviness after the final polishing step. From a viewpoint, 60 weight% or more is preferable, 80 weight% or more is more preferable, 90 weight% or more is further more preferable, and 100 weight% is still more preferable.
  • the content of alumina particles in the entire polishing material contained in the polishing liquid composition B is reduced in the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and in the reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. In view of the above, it is preferably 40% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, still more preferably 10% by weight or less, still more preferably 5% by weight or less, and still more preferably substantially free of alumina particles.
  • the polishing liquid composition B preferably contains a heterocyclic aromatic compound from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. . Since the heterocyclic aromatic compound has a positive charge, it is considered that the heterocyclic aromatic compound is adsorbed on the surface of the substrate to form a protective film and prevent redeposition of alumina.
  • Preferred heterocyclic aromatic compounds include pyrimidine, pyrazine, pyridazine, pyridine, 1,2,3-triazine, 1,2,4-triazine, 1,2,5-triazine, 1,3,5-triazine, 1 , 2,4-oxadiazole, 1,2,5-oxadiazole, 1,3,4-oxadiazole, 1,2,5-thiadiazole, 1,3,4-thiadiazole, 3-aminopyrazole, 4-aminopyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, pyrazole, 2-aminoimidazole, 4-aminoimidazole, 5-aminoimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, imidazole, benzimidazole, 1,2,3- Triazole, 4-amino-1,2,3-triazole, 5-amino-1,2,3-triazole, 1, , 4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole, 5-a
  • alkyl group of the alkyl-substituted product examples include a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and more specifically, a methyl group and an ethyl group.
  • amine-substituted product examples include 1- [N, N-bis (hydroxyethylene) aminomethyl] benzotriazole and 1- [N, N-bis (hydroxyethylene) aminomethyl] tolyltriazole.
  • 1H-tetrazole, 1H-benzotriazole, 1H from the viewpoint of reduction of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, and availability -Tolyltriazole and pyrazole are preferred, 1H-tetrazole, 1H-benzotriazole and pyrazole are more preferred, and 1H-benzotriazole and pyrazole are more preferred.
  • 1 type or 2 types or more may be used for a heterocyclic aromatic compound.
  • the content of the heterocyclic aromatic compound in the polishing liquid composition B is from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferably 001% by weight or more, more preferably 0.005% by weight or more, still more preferably 0.01% by weight or more, still more preferably 0.05% by weight or more, and 0.1% by weight or more.
  • the content of the heterocyclic aromatic compound in the polishing liquid composition B is preferably The amount is preferably 0.001 to 8% by weight from the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • it is from 001 to 5% by weight, even more preferably from 0.005 to 3% by weight, even more preferably from 0.01 to 3% by weight, even more preferably from 0.05 to 3% by weight, 0.1 to 3% by weight is even more preferred, and 1 to 3% by weight is even more preferred.
  • the content ratio of silica particles to the heterocyclic aromatic compound [silica particle content (% by weight) / heterocyclic aromatic compound content (% by weight)] is rough polishing. From the viewpoints of reducing alumina stab and substrate surface waviness after the process, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the finish polishing step, 0.01 to 3000 are preferable, 1 to 1000 are more preferable, and 2 to 100 are more preferable. 3 to 10 are even more preferable.
  • the polishing liquid composition B preferably contains a polyvalent amine compound from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. Since the polyvalent amine compound has a positive charge, it is considered that the polyvalent amine compound is adsorbed on the surface of the substrate to form a protective film and prevent redeposition of alumina.
  • the number of nitrogen atoms (N) in the polyvalent amine compound is determined from the viewpoint of workability in consideration of odor and / or boiling point, the reduction of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and the protrusion after the finish polishing step From the viewpoint of reducing defects and substrate waviness, 2 or more is preferable. Further, from the same viewpoint and the viewpoint of maintaining the polishing rate, the number of nitrogen atoms (N) is preferably 20 or less, more preferably 5 or less, and still more preferably 3 or less. Therefore, taking these viewpoints together, the number of nitrogen atoms (N) in the polyvalent amine compound is preferably 2 to 20, more preferably 2 to 5, and still more preferably 2 to 3.
  • the polyvalent amine compound preferably has a hydroxy group from the viewpoint of workability in consideration of odor and / or boiling point.
  • the number of hydroxy groups is preferably 1 or more, more preferably 2 or more, in the rough polishing step, from the viewpoint of workability considering odor and / or boiling point and from the viewpoint of reducing protrusion defects on the substrate after the final polishing step. From the viewpoint of maintaining the polishing rate, 5 or less is preferable, and 3 or less is more preferable. Therefore, taking these viewpoints together, the number of hydroxy groups is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and still more preferably 2 to 3.
  • the polyvalent amine compound has both a nitrogen atom and a hydroxyl group
  • the total number of the nitrogen atom and the hydroxyl group is reduced by the alumina stab and the substrate surface waviness after the rough polishing step, and the protrusion defect after the finish polishing step and From the viewpoint of reducing the waviness of the substrate, the number is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 5, further preferably 2 to 4, and still more preferably 3 to 4.
  • Preferred polyvalent amine compounds include ethylenediamine, N, N, N ′, N ′ from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate waviness after the final polishing step.
  • N- Aminoethylethanolamine, N-aminoethylisopropanolamine, N-aminoethyl-N-methylethanolamine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine and hydroxyethylpiperazine are preferred, N-aminoethylethanolamine, N- (2-Aminoethyl) piperazine and hydroxyethylpiperazine are more preferred, N-aminoethylethanolamine and hydroxyethylpiperazine are more preferred, and N-aminoethylethanolamine is even more preferred.
  • the polyvalent amine compound may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the polyvalent amine compound in the polishing liquid composition B is 0.001 from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferably at least 0.01% by weight, more preferably at least 0.01% by weight, even more preferably at least 0.05% by weight, even more preferably at least 0.08% by weight. It is preferably 5% by weight or less, more preferably 1% by weight or less, and further preferably 0.5% by weight or less.
  • the content of the polyvalent amine compound in the polishing liquid composition B is 0 from the viewpoint of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing the protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferably 0.001 to 10% by weight, more preferably 0.01 to 5% by weight, even more preferably 0.05 to 1% by weight, and even more preferably 0.08 to 0.5% by weight.
  • the content ratio of silica particles and polyvalent amine compound [silica particle content (wt%) / polyvalent amine compound content (wt%)] in the polishing composition is alumina after the rough polishing step. From the viewpoints of reducing piercing and substrate surface waviness and preventing alumina from being brought into the final polishing step, 0.01 to 30000 is preferable, 0.1 to 10000 is more preferable, 5 to 5000 is further preferable, and 10 to 1000 is further preferable. More preferably, 25 to 500 are even more preferred, 25 to 200 are even more preferred, 30 to 200 are even more preferred, and 30 to 50 are even more preferred.
  • the content ratio of the heterocyclic aromatic compound and the polyvalent amine compound in the polishing composition B is preferably 0.001 to 10000, more preferably 0.01 to 1000, and more preferably 0.1 to 1000, from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing process and preventing alumina from being brought into the final polishing process.
  • 100 is more preferred, 0.5 to 50 is even more preferred, 0.6 to 30 is even more preferred, 0.7 to 15 is even more preferred, 0.8 to 10 is even more preferred, and 0.8 to 2 is preferred. Is even more preferred.
  • Polishing liquid composition B is a polymer having an anionic group (hereinafter “anion”) from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is also preferable to contain a “polymer”.
  • the anionic polymer is adsorbed to the polishing pad during polishing, forms a hydrated layer on the surface of the polishing pad, suppresses vibration of the polishing pad, and further improves the dispersibility of the alumina particles. It is thought to suppress the substrate surface waviness.
  • the anionic polymer is water soluble.
  • water-soluble means that the solubility in 100 g of water at 20 ° C. is 2 g or more.
  • anionic group of the anionic polymer examples include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a sulfate ester group, a phosphate ester group, and a phosphonic acid group. These anionic groups may be in the form of a salt.
  • the anionic polymer has at least one of a sulfonic acid group and a carboxylic acid group from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • An anionic polymer is preferable, and an anionic polymer having a sulfonic acid group is more preferable.
  • the anionic group forms a salt
  • specific examples include salts with metals, ammonium, alkylammonium and the like.
  • the metal include metals belonging to the periodic table (long-period type) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, 7A, or Group 8.
  • Specific examples of alkylammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like.
  • metals belonging to 1A, 3B, or Group 8 and ammonium are preferable.
  • a metal belonging to Group 1A, ammonium is more preferred, and ammonium, sodium and potassium are more preferred.
  • An anionic polymer can be obtained by polymerizing a monomer having an anionic group such as a monomer having a sulfonic acid group or a monomer having a carboxylic acid group.
  • the polymerization of these monomers may be random, block or graft, but is preferably random.
  • the monomer having a sulfonic acid group examples include isoprene sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, styrene sulfonic acid, methallyl sulfonic acid, vinyl sulfonic acid, allyl sulfonic acid, Amylene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, and the like are mentioned.
  • 2- (meth) Acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, styrenesulfonic acid, and naphthalenesulfonic acid are preferred.
  • the monomer having a carboxylic acid group include itaconic acid, (meth) acrylic acid, maleic acid, and the like. Reduction of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing process, and protrusions after the final polishing process From the viewpoint of reducing defects and substrate surface waviness, (meth) acrylic acid is preferred.
  • Examples of the monomer having a phosphate ester group or a phosphonic acid group include vinylphosphonic acid, methacryloyloxymethyl phosphoric acid, methacryloyloxyethyl phosphoric acid, methacryloyloxybutyl phosphoric acid, methacryloyloxyhexyl phosphoric acid, Examples include methacrylyloxyoctyl phosphoric acid, methacrylyloxydecyl phosphoric acid, methacryloyloxylauryl phosphoric acid, metalloyloxystearyl phosphoric acid, methacryloyloxy 1,4-dimethylcyclohexyl phosphoric acid.
  • monomers other than the above can be used for the anionic polymer.
  • examples of other monomers include aromatic vinyl compounds such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyltoluene, and p-methylstyrene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid.
  • (Meth) acrylic acid alkyl esters such as octyl, aliphatic conjugated dienes such as butadiene, isoprene, 2-chloro-1,3-butadiene, 1-chloro-1,3-butadiene, and cyanation of (meth) acrylonitrile
  • a vinyl compound is mentioned.
  • anionic polymer examples include polyacrylic acid and (meth) from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • Acrylic acid / isoprenesulfonic acid copolymer (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / isoprenesulfonic acid / 2- (meth) acrylamide- 2-methylpropanesulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer, naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate, methylnaphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate, anthracenesulfonic acid formaldehyde condensate, melamine sulfonic acid formaldehyde condensate , Lignin sulfo Acid, modified lignin sulfonic acid, aminoaryl sulfonic acid-phenol-formaldehyde condensate, styrene sulfonic acid polymer, styrene / is
  • polyacrylic acid (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid copolymer, naphthalenesulfonic acid formaldehyde condensate,
  • styrene / isoprene sulfonic acid copolymer styrene sulfonic acid polymer
  • styrene / styrene sulfonic acid copolymer are preferable
  • the anionic polymer is a (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid copolymer
  • 2- (meth) acrylamide- occupying in all structural units constituting the copolymer
  • the content of the structural unit derived from 2-methylpropanesulfonic acid is 5 to 95 from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • Mol% is preferred, 5-90 mol% is more preferred, 5-85 mol% is more preferred, 10-80 mol% is still more preferred, 20-60 mol% is even more preferred, and 30-50 mol% is even more preferred More preferably, 40 to 50 mol% is even more preferable.
  • the polymerization molar ratio of (meth) acrylic acid to 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid is roughly 95/5 to 5/95 is preferable, and 95/5 to 10/90 is more preferable from the viewpoint of reducing alumina piercing and substrate surface waviness after the polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • 95/5 to 15/85 is more preferable, 95/5 to 20/80 is still more preferable, 95/5 to 40/60 is still more preferable, 95/5 to 50/50 is still more preferable, 80 / 20 to 50/50 is even more preferred, 70/30 to 50/50 is even more preferred, and 60/40 to 50/50 is even more preferred.
  • the anionic polymer is a styrene / styrene sulfonic acid copolymer
  • the content of the structural unit derived from styrene sulfonic acid in all the structural units constituting the copolymer is the alumina after the rough polishing step.
  • it is preferably 30 to 95 mol%, more preferably 35 to 90 mol%, and further preferably 40 to 85 mol%.
  • 45 to 80 mol% is even more preferable.
  • the polymerization molar ratio of styrene to styrene sulfonic acid reduces the amount of alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing process, and the reduction of protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing process. From the viewpoint, 5/95 to 70/30 are preferable, 10/90 to 65/35 are more preferable, 15/85 to 60/40 are further preferable, 20/80 to 55/45 are still more preferable, and 40/60 Even more preferred is ⁇ 55/45.
  • the weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 500 or more from the viewpoint of reducing alumina stab and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. 1000 or more is more preferable, 1500 or more is further preferable, 5000 or more is more preferable, and from the same viewpoint, 120,000 or less is preferable, 100,000 or less is more preferable, 30,000 or less is further preferable, and 20,000 or less is preferable. Is more preferable, and 10,000 or less is even more preferable.
  • the weight average molecular weight of the anionic polymer is 500 to 120,000 from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 30,000, still more preferably 1,500 to 30,000, still more preferably 5,000 to 20,000, and even more preferably 5,000 to 10,000. Further, when the anionic polymer is a (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid copolymer, the weight average molecular weight is determined by the alumina stab and the substrate surface waviness after the rough polishing step.
  • it is preferably 500 or more, more preferably 1000 or more, further preferably 1500 or more, still more preferably 5000 or more, and more than 8000. More preferably, from the same viewpoint, it is preferably 120,000 or less, more preferably 100,000 or less, still more preferably 30,000 or less, still more preferably 20,000 or less, and even more preferably 10,000 or less.
  • the weight average molecular weight of the alumina stab after the rough polishing step and the substrate surface waviness is preferably 500 to 120,000, more preferably 500 to 30,000, still more preferably 1,000 to 30,000, and more preferably 1500 to 30,000. Is more preferable, 5000 to 20,000 is still more preferable, 8000 to 20,000 is still more preferable, and 8000 to 10,000 is still more preferable.
  • the weight average molecular weight can be determined by the method described in Examples using gel permeation chromatography (GPC).
  • the content of the anionic polymer in the polishing liquid composition B is 0.001 from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • % By weight or more, more preferably 0.005% by weight or more, still more preferably 0.01% by weight or more, still more preferably 0.015% by weight or more, even more preferably 0.02% by weight or more, and even more.
  • it is 0.03% by weight or more, and preferably 1% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or less, still more preferably 0.2% by weight or less, and even more preferably 0.1% by weight or less. It is.
  • the content of the anionic polymer in the polishing composition B is 0 from the viewpoints of reducing the alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing the protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • 0.001 to 1% by weight is preferable, more preferably 0.005 to 0.5% by weight, still more preferably 0.01 to 0.2% by weight, still more preferably 0.01 to 0.1% by weight, More preferably, it is 0.015 to 0.1% by weight, still more preferably 0.02 to 0.1% by weight, and still more preferably 0.03 to 0.1% by weight.
  • the content ratio [silica particle content (wt%) / anionic polymer content (wt%)] of the silica particles and the anionic polymer in the polishing composition B is the alumina after the rough polishing step.
  • 0.1 to 30000 are preferable, 0.5 to 10,000 are more preferable, 1 to 5000 are more preferable, 5 to 2500 is even more preferred, 20 to 1000 is even more preferred, 25 to 500 is even more preferred, 30 to 500 is even more preferred, and 30 to 300 is even more preferred.
  • the content ratio of the heterocyclic aromatic compound to the anionic polymer in the polishing composition B is preferably from 0.01 to 10000, more preferably from 0.05 to 1000, from the viewpoint of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • 0.1 to 100 is more preferred, 0.5 to 100 is even more preferred, 0.6 to 75 is even more preferred, 0.7 to 50 is even more preferred, and 0.8 to 20 is even more preferred, Even more preferred is 0.8-2.
  • the content ratio of the polyvalent amine compound and the anionic polymer is: From the viewpoints of reducing alumina sticking and substrate surface waviness after the rough polishing step, and reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step, 0.01 to 10000 is preferable, 0.05 to 1000 is more preferable, and 0 0.1 to 500 is more preferable, 0.5 to 100 is more preferable, 0.5 to 50 is further preferable, 0.6 to 25 is still more preferable, 0.6 to 10 is even more preferable, and 0.8 to 2 is even more preferred.
  • the polishing composition B is an acid, an oxidizing agent. It is preferable to contain. Preferred acids and oxidizing agents are the same as in the case of the polishing composition A described above. Also, the water used for the polishing liquid composition B, the pH of the polishing liquid composition B, and the method for preparing the polishing liquid composition B are the same as in the case of the polishing liquid composition A described above.
  • the polishing composition C used in the step (4) contains silica particles from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the finish polishing step.
  • the silica particles used are the same as the silica particles used in the polishing composition A, and are preferably colloidal silica.
  • the polishing liquid composition C does not contain an alumina particle from the viewpoint of reducing alumina sticking after the rough polishing process and from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing process.
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles used in the polishing liquid composition C is preferably 5 to 50 nm, more preferably 10 to 45 nm, from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. More preferably, it is 15 to 40 nm, and still more preferably 20 to 35 nm.
  • this average primary particle diameter can be calculated
  • the standard deviation of the primary particle diameter of the silica particles is preferably 5 to 40 nm, more preferably 10 to 35 nm, and still more preferably 15 to 30 nm from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. is there.
  • this standard deviation can be calculated
  • the primary particle diameter (D10) of the silica particles is preferably 5 to 60 nm, more preferably 15 to 50 nm, and still more preferably 20 to 20 nm from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step and improving the polishing rate. It is 45 nm, more preferably 25 to 35 nm.
  • this primary particle diameter (D10) can be calculated
  • the primary particle diameter (D90) of the silica particles is preferably 10 to 70 nm, more preferably 20 to 60 nm, and still more preferably 25 to 25 nm from the viewpoints of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step and improving the polishing rate. 50 nm, still more preferably 30 to 45 nm.
  • this primary particle diameter (D90) can be calculated
  • the content of the silica particles contained in the polishing composition C is preferably 0.3 to 20% by weight, and preferably 0.5 to 20% by weight from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. More preferably, 1 to 15% by weight is further preferred, 1 to 10% by weight is even more preferred, 2 to 13% by weight is even more preferred, 2 to 10% by weight is even more preferred, and 2 to 6% by weight is even more preferred. preferable.
  • the polishing liquid composition C contains at least one selected from a heterocyclic aromatic compound, a polyvalent amine compound, and a polymer having an anionic group from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step. It is preferable to contain, it is more preferable to contain 2 or more types, and it is further more preferable to contain the heterocyclic aromatic compound, the polyvalent amine compound, and the polymer which has an anionic group.
  • the preferred usage of the heterocyclic aromatic compound, polyvalent amine compound, or polymer having an anionic group is the same as in the case of the polishing liquid composition B described above.
  • Polishing liquid composition C preferably contains an acid and an oxidizing agent from the viewpoint of improving the polishing rate, and from the viewpoint of reducing protrusion defects and substrate surface waviness after the final polishing step.
  • an acid and an oxidizing agent it is the same as that of the case of the above-mentioned polishing liquid composition A.
  • the water used for the polishing liquid composition C, the pH of the polishing liquid composition C, and the method for preparing the polishing liquid composition C are the same as those of the polishing liquid composition A described above.
  • cleaning composition In the cleaning in the step (3), it is preferable to use a cleaning composition.
  • a cleaning composition what contains an alkali agent, water, and various additives as needed can be used.
  • the alkaline agent used in the cleaning composition may be either an inorganic alkaline agent or an organic alkaline agent.
  • examples of the inorganic alkaline agent include ammonia, potassium hydroxide, and sodium hydroxide.
  • examples of the organic alkali agent include one or more selected from the group consisting of hydroxyalkylamine, tetramethylammonium hydroxide, and choline. These alkaline agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the alkaline agent includes potassium hydroxide, sodium hydroxide, monoethanolamine, methyldiethanolamine, and aminoethylethanol. At least one selected from the group consisting of amines is preferred, and at least one selected from the group consisting of potassium hydroxide and sodium hydroxide is more preferred.
  • the content of the alkaline agent in the cleaning composition is 0.05 to 10% by weight from the viewpoint of developing a high cleaning performance for the residue on the substrate of the cleaning composition and enhancing the safety during handling. Is preferable, and 0.05 to 3% by weight is more preferable.
  • the pH of the cleaning composition is preferably 8 to 13, more preferably 9 to 13, still more preferably 10 to 13, and still more preferably 11. ⁇ 13.
  • the above pH is the pH of the cleaning composition at 25 ° C., which can be measured using a pH meter (Toa Denpa Kogyo Co., Ltd., HM-30G) and 40 minutes after immersion of the electrode in the cleaning composition. It is the latter number.
  • the detergent composition includes nonionic surfactants, chelating agents, ether carboxylates or fatty acids, anionic surfactants, water-soluble polymers, antifoaming agents (surfactants corresponding to the components) May be included), alcohols, preservatives, antioxidants, and the like.
  • the content of components other than water contained in the cleaning composition is the content of water and water from the viewpoint of improving the dispersibility of the residue on the substrate and improving the storage stability during concentration and use.
  • the total content of the other components is 100% by weight, it is preferably 10 to 60% by weight, more preferably 15 to 50% by weight, and further preferably 15 to 40% by weight.
  • the cleaning composition is used after being diluted.
  • the dilution rate is preferably 10 to 500 times, more preferably 20 to 200 times, and still more preferably 50 to 100 times in consideration of cleaning efficiency.
  • the water for dilution may be the same as the above-mentioned polishing composition.
  • the substrate manufacturing method of the present invention it is possible to provide a magnetic disk substrate in which the alumina stab and the substrate surface waviness after the rough polishing step and the protrusion defects and the substrate surface waviness after the finish polishing step can be provided.
  • the present invention relates to a polishing method having the above-described step (1), step (2), step (3), and step (4). That is, the present invention provides, as another aspect, a polishing liquid composition A containing alumina particles and water is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and (1) polishing the surface to be polished by moving the substrate to be polished, silica particles having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm And a polishing liquid composition B containing water is supplied to the surface to be polished of the substrate obtained in step (1), the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is Moving and polishing the surface to be polished (2), cleaning the substrate obtained in the step (2) (3), and polishing composition C containing silica particles and water in the step
  • the substrate to be polished, the polishing pad, the composition of the polishing liquid compositions A to C, the cleaning agent composition, and the polishing method and conditions in the polishing method of the present invention are the same as those of the substrate manufacturing method of the present invention described above. be able to.
  • a magnetic disk substrate particularly a perpendicular magnetic recording type magnetism, in which the alumina stab and the substrate surface waviness after the rough polishing step, and the protrusion defect and the substrate surface waviness after the finish polishing step are reduced.
  • a disk substrate is preferably provided.
  • the substrate to be polished in the polishing method of the present invention include those used in the manufacture of magnetic disk substrates and magnetic recording medium substrates as described above, and in particular, magnetic disk substrates for perpendicular magnetic recording systems. A substrate used for production is preferred.
  • Polishing liquid composition A, B, and C is prepared as follows, a process (1), a process (2), a process (3), and a process (4) are performed on the following conditions, and a polishing substrate is polished. It was. The results are shown in Tables 4-7.
  • the preparation method of the polishing composition, the additive used, the measurement method of each parameter, the polishing conditions (polishing method) and the evaluation method are as follows.
  • Polishing Liquid Composition A Alumina abrasive grains 1 to 4 shown in Table 1 below, citric acid, sulfuric acid, hydrogen peroxide, water, and optionally colloidal silica abrasive grains 2 or 5 shown in Table 2 below, and additives shown in Table 3 below
  • a polishing composition A was prepared using A-1 to A-4 (Tables 4 to 7 below).
  • the content of each component in the polishing liquid composition A other than the alumina particles and silica particles is citric acid: 0.2% by weight, sulfuric acid: 0.4% by weight, and hydrogen peroxide: 0.4% by weight.
  • the pH of the liquid composition was 1.4.
  • a polishing liquid composition B was prepared using colloidal silica abrasive grains 2 to 9 shown in Table 2 below, sulfuric acid, hydrogen peroxide, water, and optionally additives B-1 to D-2 shown in Table 3 below. (Tables 4-7 below).
  • the content of each component in the polishing liquid composition B other than the silica particles was sulfuric acid: 0.2 wt%, hydrogen peroxide: 0.2 wt%, and the pH of the polishing liquid composition was 1.6. It was.
  • Polishing liquid composition C was prepared using colloidal silica abrasive grains 1 shown in Table 2 below, sulfuric acid, hydrogen peroxide, water, and additives B-1, C-1 and D-1 shown in Table 3 below.
  • the content of each component in the polishing liquid composition C was as follows: colloidal silica abrasive grains 1: 3.0 wt%, sulfuric acid: 0.3 wt%, hydrogen peroxide: 0.3 wt%, additive B-1: 0 0.01%, additive C-1: 0.01%, additive D-1: 0.02%, and the pH of the polishing composition was 1.5.
  • Additive B-6 in Table 3 above was prepared as follows. A 1 L four-necked flask was charged with 180 g of isopropyl alcohol (manufactured by Kishida Chemical), 270 g of ion exchange water, 18 g of styrene (manufactured by Kishida Chemical), and 32 g of sodium styrenesulfonate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Using 8.9 g of azobis (2-methylpropionamidine) dihydrochloride (V-50, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as a reaction initiator, polymerization was carried out at 83 ⁇ 2 ° C. for 2 hours, followed by further aging for 2 hours. The solvent was removed under reduced pressure to obtain white powder additive B-6. As additives other than additive B-6, commercially available products were used as they were.
  • the ratio of particles having a certain particle size (volume basis%) in all particles was expressed as the cumulative frequency from the small particle size side, and the cumulative volume frequency (%) was obtained.
  • a particle size versus cumulative volume frequency graph is obtained. In the graph, the particle diameter at which the cumulative volume frequency from the small particle diameter side becomes 50% was defined as the average primary particle diameter (D50) of the silica particles.
  • the particle diameter at which the cumulative volume frequency from the small particle diameter side is 10% is the primary particle diameter (D10) of the silica particles, and the particle diameter at which the cumulative volume frequency from the small particle diameter side is 90% is The primary particle size (D90) was used.
  • Measurement device L-6000 type high performance liquid chromatograph (manufactured by Hitachi, Ltd.) Column: Asahi Pack GS-220HQ + GS-620HQ (made by Showa Denko) -Column temperature: 30 ° C ⁇ Eluent: 0.4 mol / L sodium chloride aqueous solution ⁇ Flow rate: 1.0 mL / min ⁇ Sample size: 5 mg / mL ⁇ Injection volume: 100 ⁇ L Detector: RI (Showex RISE-61, Showa Denko) Conversion standard: Polyethylene glycol (Molecular weight 106, 194, 440, 600, 1470, 4100, 7100, 10300, 12600, 23000 American Polymer Standards Service)
  • the substrate to be polished a Ni—P plated aluminum alloy substrate was used.
  • the substrate to be polished had a thickness of 1.27 mm and a diameter of 95 mm (a perforated donut shape with a central part diameter of 25 mm).
  • polishing the substrate to be polished The polishing conditions in each step are shown below.
  • the same polisher was used in the step (1) and the step (2), and a separate polisher from the step (1) and the step (2) was used in the step (4).
  • Polishing tester Double-side polishing machine (9B type double-sided polishing machine, manufactured by Speed Fem Co.) Polishing pad: Suede type (foam layer: polyurethane elastomer), thickness 1.0mm, average pore diameter 43 ⁇ m (manufactured by FILWEL) Surface plate rotation speed: 45 rpm Polishing load: 9.8 kPa or 12.3 kPa (set value) Polishing liquid supply amount: 100 mL / min (0.076 mL / (cm 2 ⁇ min)) Polishing amount: 1.0 to 1.2 mg / cm 2 Number of substrates loaded: 10 (double-side polishing) Rinse conditions: ⁇ Surface plate speed: 45rpm Polishing load: 9.8 kPa or 12.3 kPa (set value) ⁇ Ion exchange water supply: 10 seconds at 2 L / min
  • Polishing tester Double-side polishing machine (9B type double-sided polishing machine, manufactured by Speed Fam Co., Ltd., the same as step (1))
  • Polishing pad Suede type (foam layer: polyurethane elastomer), thickness 1.0 mm, average pore diameter 43 ⁇ m (FILWEL, same as step (1))
  • Surface plate rotation speed 45 rpm
  • Polishing load 9.8 kPa (set value)
  • Polishing liquid supply amount 100 mL / min (0.076 mL / (cm 2 ⁇ min)) Polishing amount: 0.02 to 0.04 mg / cm 2 Rinse conditions: ⁇
  • Ion exchange water supply rate 15 seconds at 2 L / min
  • step (3) The board
  • the substrate is immersed for 5 minutes in a bath containing an alkaline detergent composition having a pH of 12 consisting of a 0.1% by weight aqueous KOH solution. 2.
  • the substrate after immersion is rinsed with ion exchange water for 20 seconds. 3.
  • the rinsed substrate is transferred to a scrub cleaning unit on which a cleaning brush is set and cleaned.
  • Polishing tester Double-sided polishing machine (9B type double-sided polishing machine, manufactured by Speed Fam Co., Ltd., separate from the polishing machine used in step (1) and step (2))
  • Polishing pad Suede type (foam layer: polyurethane elastomer), thickness 1.0mm, average pore diameter 5 ⁇ m (manufactured by FILWEL)
  • Surface plate rotation speed 40 rpm
  • Polishing load 9.8 kPa (set value)
  • Polishing liquid supply amount 100 mL / min (0.076 mL / (cm 2 ⁇ min)) Polishing amount: 0.2 to 0.3 mg / cm 2 Number of substrates loaded: 10 (double-side polishing)
  • rinsing and washing were performed. The rinsing after the step (4) was performed under the same conditions as in the step (2), and the cleaning was performed under the same conditions as in the step (3).
  • Measuring instrument OSA7100 (manufactured by KLA Tencor) Evaluation: The substrate obtained in the step (3) was polished with the polishing composition C under the same conditions as in the step (4) except that the polishing amount was 0.05 mg / cm 2. And after performing washing
  • Measuring instrument OSA7100 (manufactured by KLA Tencor) Evaluation: After step (4), out of the substrates cleaned under the same conditions as in step (3), four were selected at random, and each substrate was irradiated with laser at 8000 rpm to determine the number of protrusion defects. Was measured. The total number of protrusion defects (pieces) on both surfaces of each of the four substrates was divided by 8 to calculate the number of protrusion defects (pieces) per substrate surface. The results are shown in Tables 4 to 7 below as relative values with Comparative Example 1 taken as 100.
  • additive A diallylamine copolymer
  • the alumina piercing after the step (3) (after completion of the rough polishing) and the substrate surface It was shown that waviness was further reduced, and the number of protrusion defects and substrate surface waviness after step (4) (after finishing polishing) were further reduced.
  • additive B polymer having an anionic group
  • additive C polyvalent amine compound
  • additive D heterocyclic aromatic compound
  • the substrate manufacturing method of the present invention includes all the steps (1) to (4), thereby reducing alumina sticking after the step (3) (after the completion of rough polishing). 4) It was confirmed that the number of projection defects after (after finishing polishing) can be reduced.
  • the substrate manufacturing method of the present invention can be suitably used for manufacturing a magnetic disk substrate used for, for example, a memory hard disk.
  • the present invention may relate to: ⁇ 1> A method for producing a magnetic disk substrate, comprising the following steps (1) to (4): (1) A polishing composition A containing alumina particles and water is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved. Polishing the surface to be polished, (2) A polishing liquid composition B containing silica particles and water having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm was obtained in step (1).
  • D50 average primary particle diameter
  • the polishing load in the step (1) is 30 kPa or less, preferably 25 kPa or less, more preferably 20 kPa or less, more preferably 18 kPa or less, even more preferably 16 kPa or less, even more preferably 14 kPa or less, and / or 3
  • a method for producing a magnetic disk substrate according to ⁇ 2>; ⁇ 4> Unit area (1 cm) of substrate to be polished in the step (1) 2 ) Is 0.4 mg or more, preferably 0.6 mg or more, more preferably 0.8 mg or more, and / or 2.6 mg or less, preferably 2.1 mg or less, more preferably 1. 7 mg or less, and / or 0.4 to 2.6 mg, preferably 0.6 to 2.1 mg, more preferably 0.8 to 1.7 mg.
  • the alumina particles in the polishing composition A used in the step (1) are ⁇ alumina, intermediate alumina, amorphous alumina, or fumed alumina, preferably a combination of ⁇ alumina and intermediate alumina, more preferably.
  • the weight ratio of the ⁇ alumina to the intermediate alumina in the polishing composition A used in the step (1) is 90/10 to 10/90, preferably 85/15 to 40/60, more preferably 85/15 to 50/50, still more preferably 85/15 to 60/40, even more preferably 85/15 to 70/30, even more preferably 80/20 to 75/25, ⁇ 5> a method for producing a magnetic disk substrate according to the above; ⁇ 7>
  • the average secondary particle diameter of the alumina particles in the polishing liquid composition A used in the step (1) is 0.1 to 0.8 ⁇ m, preferably 0.1 to 0.75 ⁇ m, more preferably 0.8.
  • the content of the alumina particles in the polishing liquid composition A used in the step (1) is 0.01 to 30% by weight, preferably 0.05 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 15% by weight.
  • the polishing liquid composition A used in the step (1) further contains silica particles. From ⁇ 1> ⁇ 8> A method of manufacturing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 10>
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles in the polishing liquid composition A used in the step (1) is 5 to 150 nm, preferably 10 to 130 nm, more preferably 20 to 120 nm, still more preferably 30 to 30 nm.
  • ⁇ 9> A method of manufacturing a magnetic disk substrate according to ⁇ 9>; ⁇ 11>
  • the standard deviation of the primary particle diameter of the silica particles in the polishing liquid composition A used in the step (1) is 8 to 55 nm, more preferably 10 to 50 nm, still more preferably 15 to 50 nm.
  • ⁇ 9> or ⁇ 10> a method for producing a magnetic disk substrate according to ⁇ 10>; ⁇ 12>
  • the weight ratio of the alumina particles to the silica particles (alumina particle weight / silica particle weight) in the polishing composition A used in the step (1) is 10/90 to 80/20, preferably 15/85.
  • Ratio of the average secondary particle diameter (D50) of the alumina particles and the average primary particle diameter (D50) of the silica particles in the polishing composition A used in the step (1) is from 1 to 100, preferably from 2 to 50, more preferably from 4 to 20, even more preferably from 4 to 15, even more preferably from 4 to 12, even more preferably from 4 to 10.
  • the polishing liquid composition A used in the step (1) contains a diallylamine polymer. From ⁇ 1> ⁇ 13> A method of manufacturing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 15>
  • the diallylamine polymer in the polishing composition A used in the step (1) is represented by the following general formulas (Ia), (Ib), (Ic) and (Id).
  • R 1 Represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a hydroxyl group or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.
  • R 2 Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a hydroxyl group or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms; 3 Represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms; - Represents a -valent anion.
  • the total content of the structural units represented by d) is 30 to 100 mol%, preferably 35 to 90 mol%, more preferably 40 to 80 mol%, still more preferably 40 to 60 mol%.
  • ⁇ 15> a method for producing a magnetic disk substrate according to ⁇ 15>;
  • ⁇ 17> The diallylamine polymer in the polishing composition A used in the step (1) further has a structural unit represented by the following general formula (II).
  • the structural units of the general formulas (Ia) to (Id) and the general formula (II) Is a molar ratio (general formulas (Ia) to (Id) / general formula (II)) to 100/0 to 30/70, preferably 90/10 to 30/70, more preferably Is 80/20 to 40/60, more preferably 70/30 to 40/60, even more preferably 60/40 to 40/60.
  • the content of the diallylamine polymer in the polishing composition A used in the step (1) is 0.001% by weight or more, preferably 0.005% by weight or more, more preferably 0.007% by weight or more. More preferably 0.01% by weight or more and / or 1.0% by weight or less, preferably 0.5% by weight or less, more preferably 0.3% by weight or less, still more preferably 0.1% by weight. % Or less, still more preferably 0.05% by weight or less, and / or 0.001 to 1.0% by weight, preferably 0.005 to 0.5% by weight, more preferably 0.007 to 0%.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 20> The polishing composition A used in the step (1) has a pH of 1 to 6, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and still more preferably 1 to 2.
  • the polishing load in the step (2) is 18 kPa or less, preferably 15 kPa or less, more preferably 13 kPa or less, even more preferably 11 kPa or less, and / or 3 kPa or more, preferably 4 kPa or more, more preferably 5 kPa or more.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 22> Unit area (1 cm) of substrate to be polished in step (2) 2 )) Is 0.0004 mg or more, preferably 0.004 mg or more, more preferably 0.01 mg or more, and / or 0.85 mg or less, preferably 0.43 mg or less, more preferably 0.00.
  • the average primary particle diameter (D50) of the silica particles in the polishing liquid composition B used in the step (2) is 40 nm or more, preferably 45 nm or more, more preferably 50 nm or more, still more preferably 53 nm or more, More preferably 55 nm or more, even more preferably 60 nm or more, and / or 110 nm or less, preferably 105 nm or less, more preferably 90 nm or less, still more preferably 80 nm or less, even more preferably 75 nm or less, even more preferably 67 nm or less, and / or preferably 45 to 105 nm, more preferably 50
  • the standard deviation of the primary particle diameter of the silica particles in the polishing liquid composition B used in the step (2) is 40 nm or more, preferably 43 nm or more, more preferably 44 nm or more, and / or 60 nm or less.
  • the content of the silica particles in the polishing liquid composition B used in the step (2) is 0.1% by weight or more, preferably 0.5% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, and further preferably. Is not less than 2% by weight and / or not more than 30% by weight, preferably not more than 25% by weight, more preferably not more than 20% by weight, still more preferably not more than 15% by weight, still more preferably not more than 10% by weight.
  • the polishing liquid composition B used in the step (2) contains a heterocyclic aromatic compound.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 27> The heterocyclic aromatic compound in the polishing liquid composition B used in the step (2) is pyrimidine, pyrazine, pyridazine, pyridine, 1,2,3-triazine, 1,2,4-triazine, 1, 2,5-triazine, 1,3,5-triazine, 1,2,4-oxadiazole, 1,2,5-oxadiazole, 1,3,4-oxadiazole, 1,2,5- Thiadiazole, 1,3,4-thiadiazole, 3-aminopyrazole, 4-aminopyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, pyrazole, 2-aminoimidazole, 4-aminoimidazole, 5-aminoimidazole, 2-methylimidazole, 2 -Ethylimidazole, imidazole, benzimidazole, 1,2,3-triazole, 4-amino-1,2,3-triazole,
  • 1H-tetrazole, 1H-benzotriazole, 1H-tolyltriazole, or pyrazole is preferable, 1H-tetrazole, 1H-benzotriazole, or pyrazole is more preferable, and 1H-benzotriazole or pyrazole is more preferable.
  • ⁇ 26> a method for producing a magnetic disk substrate according to the above;
  • ⁇ 28> The content of the heterocyclic aromatic compound in the polishing composition B used in the step (2) is 0.001% by weight or more, preferably 0.005% by weight or more, more preferably 0.01% by weight.
  • Content ratio of the silica particles and the heterocyclic aromatic compound in the polishing liquid composition B used in the step (2) [content of silica particles (% by weight) / content of heterocyclic aromatic compound] (% By weight)] is 0.01 to 3000, preferably 1
  • the polishing liquid composition B used in the step (2) contains a polyvalent amine compound. From ⁇ 1> ⁇ 29> A method for producing a magnetic disk substrate according to any one of the above; ⁇ 31>
  • the number of nitrogen atoms (N) in the polyvalent amine compound in the polishing composition B used in the step (2) is 2 or more and / or 20 or less, preferably 5 or less, more preferably. Is 3 or less and / or 2-20, preferably 2-5, more preferably 2-3.
  • the polyvalent amine compound in the polishing composition B used in the step (2) is an aliphatic amine compound or an alicyclic amine compound, and / or ethylenediamine, N, N, N ′, N '-Tetramethylethylenediamine, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, hexamethylenediamine, 3- (diethylamino) propylamine, 3- (dibutylamino) propylamine, 3- (Methylamino) propylamine, 3- (dimethylamino) propylamine, N-aminoethylethanolamine, N-aminoethylisopropanolamine, N-aminoethyl-N-methylethanolamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, piperazine, 2 -
  • a method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 34> Content ratio of the silica particles and the polyvalent amine compound in the polishing composition B used in the step (2) [silica particle content (wt%) / polyvalent amine compound content (wt%) ] Is 0.01 to 30000, preferably 0.1 to 10000, more preferably 5 to 5000, still more preferably 10 to 1000, still more preferably 25 to 500, still more preferably 25 to 200, and even more preferably.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 35> Content ratio of the heterocyclic aromatic compound and the polyvalent amine compound in the polishing liquid composition B used in the step (2) is 0.001 to 10,000, preferably 0.01 to 1000, more preferably 0.1 to 100, still more preferably 0.5 to 50, and even more preferably 0.6.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 36> contains a polymer having an anionic group, From ⁇ 1> ⁇ 35>
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 37> is water-soluble.
  • the polymer having an anionic group in the polishing composition B used in the step (2) has a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a sulfate ester group, a phosphate ester group, or a phosphonic acid group.
  • a molecule preferably a polymer having at least one of a sulfonic acid group and a carboxylic acid group, more preferably a polymer having a sulfonic acid group, ⁇ 36> or ⁇ 37>
  • the polymer having the anionic group in the polishing liquid composition B used in the step (2) is polyacrylic acid, (meth) acrylic acid / isoprenesulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / 2.
  • / or 120,000 or less preferably 100,000 or less, more preferably 30,000 or less, even more preferably 20,000 or less, even more preferably 10,000 or less, and / or 500 to 120,000
  • it is 1,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 30,000, still more preferably 1500 to 30,000, even more preferably 5,000 to 20,000, still more preferably 5,000 to 10,000, or the anionic group
  • the polymer having (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid copolymer is 00 or more, preferably 1000 or more, more preferably 1500 or more, still more preferably 5000 or more, even more preferably 8000 or more, and / or 120,000 or less, preferably 100,000 or less, more preferably 30,000 or less, More preferably 20,000 or less, even more preferably 10,000 or less, and / or 500 to 120,000, preferably 500 to 30,000, more preferably 1000 to 30,000, still more preferably 1500 to 30,000, More preferably 5,000 to 20,000, even more
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 41> The content of the polymer having an anionic group in the polishing composition B used in the step (2) is 0.001% by weight or more, preferably 0.005% by weight or more, more preferably 0.00.
  • 01 wt% or more more preferably 0.015 wt% or more, even more preferably 0.02 wt% or more, even more preferably 0.03% wt% or more, and / or 1 wt% or less, preferably 0.5 wt% or less, more preferably 0.2 wt% or less, even more preferably 0.1 wt% or less, and / or 0.001 to 1 wt%, preferably 0.005 to 0.5 %
  • weight more preferably 0.01 to 0.2% by weight, still more preferably 0.01 to 0.1% by weight, still more preferably 0.015 to 0.1% by weight, still more preferably 0.02%.
  • ⁇ 0.1 weight Even more preferably from 0.03 to 0.1% by weight, From ⁇ 36> ⁇ 40> A method for producing a magnetic disk substrate according to any one of the above; ⁇ 42> Content ratio of the silica particles and the polymer having an anionic group in the polishing composition B used in the step (2) [silica particle content (wt%) / anionic polymer content ( % By weight)] is 0.1 to 30000, preferably 0.5 to 10000, more preferably 1 to 5000, still more preferably 5 to 2500, even more preferably 20 to 1000, still more preferably 25 to 500, More preferably 30 to 500, still more preferably 30 to 300.
  • Content ratio of the heterocyclic aromatic compound to the polymer having an anionic group in the polishing composition B used in the step (2) is 0.01 to 10000, preferably 0.05 to 1000, more preferably 0.1 to 100, still more preferably 0.5 to 100, and even more preferably. 0.6 to 75, even more preferably 0.7 to 50, even more preferably 0.8 to 20, and even more preferably 0.8 to 2.
  • Content ratio between the polyvalent amine compound and the polymer having an anionic group in the polishing liquid composition B used in the step (2) is 0.01 to 10,000, preferably 0.05 to 1000, more preferably 0.1 to 500, still more preferably 0.5 to 100, and more preferably 0.5.
  • the polishing composition B used in the step (2) has a pH of 1 to 6, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and more preferably 1 to 2. From ⁇ 1> ⁇ 44> The method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 46>
  • the cleaning in the step (3) is performed using a cleaning composition containing an alkaline agent, and the content of the alkaline agent in the cleaning composition is 0.05 to 10% by weight, preferably 0.05 to 3%.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 47> The cleaning in the step (3) is performed using a cleaning composition containing an alkaline agent, and the pH of the cleaning composition is 8 to 13, preferably 9 to 13, more preferably 10 to 13, and Preferably 11-13. From ⁇ 1> ⁇ 46>, The method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 48>
  • the polishing load in the step (4) is 16 kPa or less, preferably 14 kPa or less, more preferably 13 kPa or less, still more preferably 12 kPa or less, and / or 7.5 kPa or more, preferably 8.5 kPa or more, more preferably.
  • Unit area (1 cm) of substrate to be polished in the step (4) 2 ) Is 0.085 mg or more, preferably 0.13 mg or more, more preferably 0.17 mg or more, and / or 0.85 mg or less, preferably 0.6 mg or less, more preferably 0.00.
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 50> The average primary particle diameter (D50) of the silica particles in the polishing liquid composition C used in the step (4) is 5 to 50 nm, preferably 10 to 45 nm, more preferably 15 to 40 nm, and still more preferably 20 ⁇ 35nm, From ⁇ 1> ⁇ 49>
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 51> The standard deviation of the primary particle diameter of the silica particles in the polishing liquid composition C used in the step (4) is 5 to 40 nm, preferably 10 to 35 nm, more preferably 15 to 30 nm.
  • the polishing composition C used in the step (4) has a pH of 1 to 6, preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2.
  • the substrate to be polished is a Ni—P plated aluminum alloy substrate, or a glass substrate containing silicate glass, aluminosilicate glass, crystallized glass, or tempered glass, preferably a Ni—P plated aluminum alloy substrate Is, From ⁇ 1> ⁇ 52>
  • the method for producing a magnetic disk substrate according to any one of ⁇ 54> A method for polishing a magnetic disk substrate, comprising the following steps (1) to (4): (1) A polishing composition A containing alumina particles and water is supplied to a surface to be polished of a substrate to be polished, a polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and the polishing pad and / or the substrate to be polished is moved.
  • Polishing the surface to be polished (2) A polishing liquid composition B containing silica particles and water having an average primary particle diameter (D50) of 40 to 110 nm and a standard deviation of the primary particle diameter of 40 to 60 nm was obtained in step (1). Supplying the polishing target surface of the substrate, bringing a polishing pad into contact with the polishing target surface, moving the polishing pad and / or the substrate to be polished, and polishing the polishing target surface; (3) a step of cleaning the substrate obtained in step (2); (4) A polishing composition C containing silica particles and water is supplied to the surface to be polished of the substrate obtained in step (3), and the polishing pad is brought into contact with the surface to be polished, and / or Moving the substrate to be polished to polish the surface to be polished; ⁇ 55> From ⁇ 2> ⁇ Manufacturingmethod> in the method for manufacturing a magnetic disk substrate according to any of ⁇ 53> is a “polishing method”. ⁇ 54> The method of polishing a magnetic disk substrate according to ⁇ 54>.

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Abstract

　アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。 （１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、 （２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて前記工程（１）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、 （３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、 （４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程（３）で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程。

Description

磁気ディスク基板の製造方法
　本発明は、磁気ディスク基板の製造方法及び磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
　近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するためには、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上させる必要があり、そのため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板は、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）が厳しく要求されている。
　このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、ハードディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。一般に、多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、スクラッチ、突起、ピット等の傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を含む仕上げ用研磨液組成物が使用され、仕上げ研磨工程より前の研磨工程（粗研磨工程ともいう）では、生産性向上の観点から、アルミナ粒子を含む研磨液組成物が使用される（例えば、特許文献１）。
　アルミナ粒子を砥粒として使用した場合、アルミナ粒子の基板への突き刺さりに起因するテキスチャースクラッチによって、メディアの欠陥を引き起こすことがある。このような問題を解決するために、平均二次粒子径が０．１～０．７μｍの酸化アルミニウム粒子及び酸を含有する研磨液組成物を用いて、所定の研磨荷重で基板を研磨する粗研磨工程、並びにコロイダル粒子を含有する研磨液組成物を用いて、粗研磨工程で得られた基板を所定の研磨量で研磨する仕上げ研磨工程を有してなる磁気ディスク基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
　最近では、アルミナ粒子の基板への突き刺さりをさらに低減する技術として、特定粒径のアルミナ粒子と、特定粒度分布を有するシリカ粒子を含む研磨液組成物が提案されている（例えば、特許文献３）。
　また、表面粗さを低減する技術としてアルミナ粒子を用いた研磨を２段階行う技術が提案されており（例えば、特許文献４）、さらに、研磨工程を簡略化するために、具体的にはセリアを用いた研磨を２段階行う技術が提案されている（例えば、特許文献５）。
特開２００５－６３５３０号公報 特開２００７－１６８０５７号公報 特開２００９－１７６３９７号公報 特開昭６３－２６０７６２号公報 特開２００６－９５６７７号公報
　磁気ディスク基板の製造工程において、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、ヘッド浮上高さを低くすることに対応し、特にアルミナ突き刺さり及びうねりの低減が求められている。
　うねりの低減は、物理力が小さく、研磨速度の低いコロイダルシリカを砥粒として用いた仕上げ研磨液による改善では実生産上困難であり、砥粒としてアルミナを用いた粗研磨液による粗研磨工程での低減が必要である。しかしながら、アルミナ粒子を研磨材として使用した場合、基板へアルミナ粒子が突き刺さりやすく、仕上げ研磨工程でも除去されずに残留した場合は、メディア基板は磁気変換特性の低下、即ち、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）の低下を引き起こす。
　そこで、本発明は、粗研磨工程後の基板表面のアルミナ粒子の突き刺さりが少なく、且つ、うねりを低減でき、さらに仕上げ研磨工程後の基板表面の突起欠陥及びうねりを低減することが可能な、磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
　本発明は、一態様において、下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法（以下「本発明の基板製造方法」とも言う。）に関する。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（１）」とも言う）、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（２）」とも言う。）、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程（以下「工程（３）」とも言う。）、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（４）」とも言う）。
　本発明は、その他の態様において、下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の研磨方法（以下「本発明の研磨方法」とも言う。）に関する。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程。
　本発明によれば、粗研磨後のアルミナ突き刺さり及びうねり、並びに仕上げ研磨後の突起欠陥及びうねりが低減された基板を効率的に製造することができ、それにより基板品質が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
　本発明は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とを含む磁気ディスク基板の製造方法において、前記粗研磨工程として、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いる粗研磨工程と所定のシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いる粗研磨工程の２工程を含み、さらに、前記粗研磨工程後の基板を洗浄した後に、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いる仕上げ研磨工程を含む構成とすることにより、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり、並びに仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥及び基板表面うねりを低減できるという知見に基づく。
　本明細書においてアルミナ突き刺さりとは、アルミナ粒子を研磨材として使用した研磨後の前記アルミナ粒子の基板への突き刺さりをいう。また、本明細書において「突起欠陥」とは、アルミナなどの研磨粒子や、研磨中に発生する研磨屑をいう。アルミナ突き刺さり数及び／又は突起欠陥数は、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察、表面欠陥検査装置により評価することができる。
　本発明の基板製造方法を用いることにより粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及びうねり、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及びうねりを効果的に低減できる理由は明らかではないが、粗研磨工程の２工程目に当たる工程（２）において、所定の平均一次粒子径と標準偏差を有するシリカ粒子を使用することで、研磨パッド－基板間の摩擦振動が抑制され、基板へのアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりが低減されると推定される。さらに、工程（３）にて粗研磨した基板を洗浄した後に、仕上げ研磨工程に当たる工程（４）を行うことで、仕上げ研磨工程へのアルミナ粒子の持込が防止されて、さらにアルミナ突き刺さりが低減されると推定される。但し、本発明はこれらのメカニズムに限定されない。
　一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板や、Ｎｉ－Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程を経て製造される。また、前記研磨の各工程の間にはリンス工程、洗浄工程が含まれることがある。
　［被研磨基板］
　本発明の基板製造方法おける被研磨基板は磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、具体的には、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明の被研磨基板としては、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。
　上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２～９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５～２ｍｍ程度である。
　［工程（１）：第１の粗研磨］
　本発明の基板製造方法は、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（工程（１））を有する。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
　研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板を研磨する方法としては、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する方法がある。
　工程（１）は、後述する工程（２）の前に行われる。アルミナ突き刺さり及び基板表面うねり低減の観点から、工程（１）と工程（２）との間に被研磨基板をリンス処理する工程（中間リンス工程）を有することが好ましい。したがって、生産性も考慮すると工程（１）で使用した研磨機から被研磨基板を取り出すことなく、同じ研磨機内で行うことが好ましい。リンス処理に用いるリンス液としては、特に制限されないが、製造コストの点からは蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水が使用され得る。また、生産性向上の観点から、工程（１）と工程（２）との間には被研磨基板を洗浄する工程（工程（１）で得られた基板の洗浄工程（例えば、後述する工程（３）のような洗浄工程））を有さないことが好ましい。使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。リンス処理工程は、具体的には、リンス液を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面をリンス処理することを含みうる。また、本明細書において「リンス処理」とは、基板表面に残留した砥粒、研磨屑を排出することを目的とした処理をいい、研磨機に被研磨基板を装着した状態でリンス液を供給して行う。また、本明細書において「リンス処理」とは、基板表面を平坦化するために、基板表面を溶解しながら砥粒で削る（化学機械研磨）研磨処理とは異なる処理をいう。
　［工程（２）第２の粗研磨］
　本発明の基板製造方法は、平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（工程（２））を有する。
　工程（２）は、前述の工程（１）の後、後述する工程（３）の前に行われる。アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減する観点、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、工程（２）の後にも被研磨基板をリンス処理する工程を有することが好ましい。また、生産性向上の観点から、工程（２）は、工程（１）で用いた研磨機と同一の研磨機を使用することが好ましい。ここで、「工程（１）で用いた研磨機と同一の研磨機」とは、１つの被研磨基板の工程（１）と工程（２）とを１つの研磨機で行うことを意味する。なお、工程（２）で使用される研磨液組成物Ｂの供給速度、研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、工程（１）の場合と同様である。
　［工程（３）：洗浄］
　本発明の基板製造方法は、アルミナ突き刺さり及び基板表面うねりを低減する観点、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、工程（２）で得られた基板を洗浄する工程（工程（３））を有する。工程（３）の洗浄は、被洗浄基板である、前記粗研磨が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄することが好ましい。工程（３）は、前述の工程（２）の後、後述する工程（４）の前に行われる。工程（３）の洗浄方法としては、例えば、（ａ）工程（２）で得られた基板を後述する洗浄剤組成物に浸漬する方法や、（ｂ）洗浄剤組成物を射出して、前記基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法が挙げられる。
　前記方法（ａ）において、基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から２０～１００℃であると好ましく、２０～６０℃であるとより好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から１０秒～３０分間であると好ましく、２～２０分間であるとより好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、好ましくは２０～２０００ｋＨｚであり、より好ましくは４０～２０００ｋＨｚであり、さらに好ましくは４０～１５００ｋＨｚである。
　前記方法（ｂ）では、残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。
　洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記方法（ａ）で好ましく採用される値と同様であればよい。
　工程（３）では、前記方法（ａ）及び／又は前記方法（ｂ）に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を１つ以上含んでもよい。
　［工程（４）：仕上げ研磨］
　本発明の基板製造方法は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（工程（４））を有する。
　工程（４）は、工程（３）の後に行われる。工程（４）で使用される研磨機は、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥、基板表面うねりを低減する観点から、工程（１）及び工程（２）で用いた研磨機とは異なる研磨機を使用することが好ましい。ここで、「工程（１）及び工程（２）で用いた研磨機とは異なる研磨機」とは、工程（１）及び工程（２）で使用した研磨機とは別個の研磨機を意味する。なお、工程（４）で使用される研磨液組成物Ｃの供給速度、研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法は、工程（１）の場合と同様である。
　本発明の基板製造方法は、前述の、第１の粗研磨工程（１）、第２の粗研磨工程（２）、洗浄工程（３）、及び、仕上げ研磨工程（４）を含むことにより、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりと基板表面のうねり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥と基板表面のうねりが効果的に低減される。
　［工程（１）及び工程（２）の研磨パッド］
　工程（１）及び工程（２）で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、粗研磨工程後の基板表面のうねり低減、アルミナ突き刺さり低減の観点から、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやポリエステルフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、粗研磨工程後の基板表面のうねり低減、アルミナ突き刺さり低減の観点からの圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンエラストマーが好ましい。
　また、工程（１）及び工程（２）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、研磨速度向上の観点、基板表面うねり低減の観点から、１０～１００μｍが好ましく、２０～８０μｍがより好ましく、３０～６０μｍがさらに好ましく、３５～５５μｍがさらにより好ましい。
　［工程（１）における研磨荷重］
　研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程（１）における研磨荷重は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点から、３０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２５ｋＰａ以下、さらに好ましくは２０ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１８ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１６ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１４ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、基板表面うねり低減、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは８ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは３～３０ｋＰａ、より好ましくは５～２５ｋＰａ、さらに好ましくは７～２０ｋＰａ、さらにより好ましくは８～１８ｋＰａ、さらにより好ましくは９～１６ｋＰａ、さらにより好ましくは９～１４ｋＰａである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。
　［工程（１）における研磨量］
　工程（１）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ２）あたりの研磨量は、メッキ欠陥を低減する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び基板表面うねりを低減する観点から、０．４ｍｇ以上が好ましく、０．６ｍｇ以上がより好ましく、０．８ｍｇ以上がさらに好ましい。一方、生産性向上の観点からは、２．６ｍｇ以下が好ましく、２．１ｍｇ以下がより好ましく、１．７ｍｇ以下がさらに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨量は、好ましくは０．４～２．６ｍｇ、より好ましくは０．６～２．１ｍｇ、さらに好ましくは０．８～１．７ｍｇである。
　［研磨液組成物Ａの供給速度］
　工程（１）における研磨液組成物Ａの供給速度は、コストを低減する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び基板表面うねりを低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ２あたり０．２５ｍＬ／分以下が好ましく、０．２ｍＬ／分以下がより好ましく、０．１５ｍＬ／分以下がさらに好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び基板表面うねりを低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ２あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、０．０２５ｍＬ／分以上がより好ましく、０．０５ｍＬ／分以上がさらに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、前記供給速度は、被研磨基板１ｃｍ２あたり０．０１～０．２５ｍＬ／分が好ましく、０．０２５～０．２ｍＬ／分がより好ましく、０．０５～０．１５ｍＬ／分がさらに好ましい。
　［研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法］
　研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Ａとなる。
　［リンス処理工程における研磨荷重］
　リンス処理工程における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１４ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは３～２５ｋＰａ、より好ましくは５～２０ｋＰａ、さらに好ましくは７～１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９～１４ｋＰａである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
　［リンス処理工程におけるリンス液の供給速度］
　リンス処理工程におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を効果的に低減する観点、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５～４ｍＬ／分が好ましく、より好ましくは０．８～２．５ｍＬ／分、さらに好ましくは１～２ｍＬ／分である。また、リンス処理工程におけるリンス液の供給時間は、同様の観点から、５～６０秒が好ましく、７～３０秒がより好ましく、１０～２０秒がさらに好ましい。なお、リンス処理工程におけるリンス液を研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
　［工程（２）における研磨荷重］
　工程（２）における研磨荷重は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、１８ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１５ｋＰａ以下、さらに好ましくは１３ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは４ｋＰａ以上、さらに好ましくは５ｋＰａ以上、さらにより好ましくは６ｋＰａ以上、さらにより好ましくは７ｋＰａ以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、好ましくは３～１８ｋＰａ、より好ましくは４～１５ｋＰａ、さらに好ましくは５～１３ｋＰａ、さらにより好ましくは６～１１ｋＰａ、さらにより好ましくは７～１１ｋＰａである。研磨荷重を上記範囲内に設定することで基板表面うねりが低減されるとともにアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
　［工程（２）における研磨量］
　工程（２）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ２）あたりの研磨量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに、仕上げ研磨へのアルミナ粒子の持ち込み及び仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．０００４ｍｇ以上が好ましく、０．００４ｍｇ以上がより好ましく、０．０１ｍｇ以上がさらに好ましい。一方、生産性向上の観点から、好ましくは０．８５ｍｇ以下、より好ましくは０．４３ｍｇ以下、さらに好ましくは０．２６ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．１ｍｇ以下である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨量は、好ましくは０．０００４～０．８５ｍｇ、より好ましくは０．００４～０．４３ｍｇ、さらに好ましくは０．０１～０．２６ｍｇ、さらにより好ましくは０．０１～０．１ｍｇである。
　［研磨液組成物Ｂの供給速度］
　工程（２）における研磨液組成物Ｂの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
　［研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法］
　研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様である。工程（２）は、生産性向上の観点から、前記工程（１）と同一の研磨機で行うことが好ましい。また、研磨液組成物Ｂは、アルミナ突き刺さり低減の観点から、研磨液組成物Ａを供給する供給手段とは異なる供給手段から供給することが好ましい。
　［工程（４）の研磨パッド］
　工程（４）で使用される研磨は、工程（１）及び工程（２）で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程（４）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥、基板表面うねり、スクラッチ及び表面粗さの低減の観点から、１～５０μｍが好ましく、２～４０μｍがより好ましく、３～３０μｍがさらに好ましく、３～１０μｍがさらにより好ましい。
　［工程（４）における研磨荷重］
　工程（４）における研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、１６ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１４ｋＰａ以下、さらに好ましくは１３ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１２ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、基板表面うねり低減の観点、研磨速度の向上の観点から、７．５ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは８．５ｋＰａ以上、さらに好ましくは９．５ｋＰａ以上である。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨荷重は、７．５～１６ｋＰａが好ましく、８．５～１４ｋＰａがより好ましく、９．５～１３ｋＰａがさらに好ましく、９．５～１２ｋＰａがさらにより好ましい。
　［工程（４）における研磨量］
　工程（４）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ２）あたりの研磨量は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥、基板表面うねり、スクラッチ及び表面粗さの低減の観点から、０．０８５ｍｇ以上が好ましく、０．１３ｍｇ以上がより好ましく、０．１７ｍｇ以上がさらに好ましい。また、生産性向上の観点からは、０．８５ｍｇ以下が好ましく、０．６ｍｇ以下がより好ましく、０．４３ｍｇ以下がさらに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、前記研磨量は、０．０８５～０．８５ｍｇが好ましく、０．１３～０．６ｍｇがより好ましく、０．１７～０．４３ｍｇがさらに好ましい。
　［研磨液組成物Ｃの供給速度］
　工程（４）における研磨液組成物Ｃの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
　[研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法]
　研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
　［研磨液組成物Ａ］
　工程（１）で使用される研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子を含有する。
　［アルミナ粒子］
　前記アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、研磨速度向上の観点からは、αアルミナが好ましく、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び表面うねり低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び表面うねり低減の観点からは、中間アルミナが好ましい。
　アルミナ粒子の平均二次粒子径は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、０．１～０．８μｍが好ましく、０．１～０．７５μｍがより好ましく、０．１～０．７μｍがさらに好ましく、０．１５～０．７μｍがさらにより好ましく、０．２～０．７μｍがさらにより好ましく、０．２～０．６８μｍがさらにより好ましく、０．２～０．６５μｍがさらにより好ましく、０．２５～０．５５μｍがさらにより好ましく、０．２５～０．４０μｍがさらにより好ましい。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ａにおけるアルミナ粒子の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、０．０１～３０重量％が好ましく、０．０５～２０重量％がより好ましく、０．１～１５重量％がさらに好ましく、１～１０重量％がさらにより好ましく、１～６重量％がさらにより好ましい。また、研磨液組成物Ａに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、基板表面うねり低減、研磨速度向上の観点から、５重量％以上が好ましく、１０重量％以上がより好ましく、１５重量％以上がさらに好ましい。
　〔αアルミナ〕
　本明細書において、αアルミナとは、Ｘ線回折により結晶中にαアルミナ特有の構造が認められる結晶性アルミナ粒子の総称である。αアルミナ特有の構造は、例えば、Ｘ線回折スペクトルにおける２θ領域３５．１～３５．３°（１０４面）、４３．２～４３．４°（１１３面）、５７．４～５７．６°（１１６面）などに頂点があるピークの有無により確認できる。なお、本明細書では特に指示しない限り、αアルミナ特有ピークというときは１０４面のピークを意味する。
　前記αアルミナのα化率は、研磨速度の向上、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面のうねり低減の観点から、５０～９９％であることが好ましく、より好ましくは６０～９７％、さらに好ましくは６０～８０％である。ここで、α化率とは、ＷＡ－１０００（α化率９９．９％のαアルミナ、昭和電工社製）を用いたＸ線回折法における２θ＝３５．１～３５．３°由来の１０４面のピーク面積を９９．９％とした場合におけるαアルミナ特有ピークの相対面積の数値をいい、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。なお、α化率が前記範囲内のαアルミナを複数種混合して使用してもよい。
　αアルミナの平均二次粒子径は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、から、０．１～０．８μｍが好ましく、０．１～０．７５μｍがより好ましく、０．１５～０．７μｍがさらに好ましく、０．２～０．６５μｍがさらにより好ましく、０．２５～０．６μｍがさらにより好ましく、０．２５～０．５５μｍがさらにより好ましく、０．２５～０．４μｍがさらにより好ましい。なお、該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ａにおけるαアルミナの含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度向上の観点から、０．０１～３０重量％が好ましく、０．０５～２０重量％がより好ましく、０．１～１５重量％がさらに好ましく、０．５～１０重量％がさらにより好ましく、１～１０重量％がさらにより好ましく、１．５～６重量％がさらにより好ましい。
　〔中間アルミナ〕
　研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり、基板表面うねり、表面粗さの低減の観点から、中間アルミナを含有することが好ましい。中間アルミナとは、αアルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγ－アルミナ、δアルミナ、θアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。中間アルミナの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり、基板表面うねり及び表面粗さ低減の観点、研磨速度の向上の観点から、γアルミナ、δアルミナ、θアルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγアルミナ及びθアルミナ、さらに好ましくはθアルミナである。
　中間アルミナの平均二次粒子径は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、０．０１～０．６μｍが好ましく、０．０５～０．５μｍがより好ましく、０．１～０．４μｍがさらに好ましく、０．１～０．３５μｍがさらにより好ましい。なお、該平均二次粒子径は、前述のαアルミナの場合と同様の方法により求めることができる。
　また、研磨液組成物Ａにおける中間アルミナの含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、０．００１～２７重量％が好ましく、０．０１～１５重量％がより好ましく、０．１～１０重量％がさらに好ましく、０．２～５重量％がさらにより好ましく、０．４～５重量％がさらにより好ましく、０．５～２重量％がさらにより好ましい。
　研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子として、αアルミナと中間アルミナとを含有することが好ましく、αアルミナとθアルミナとを含有することがより好ましい。
　αアルミナと中間アルミナとを使用する場合、αアルミナと中間アルミナの重量比（αアルミナの重量％／中間アルミナの重量％）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに、研磨速度の向上の観点から、９０／１０～１０／９０が好ましく、８５／１５～４０／６０がより好ましく、８５／１５～５０／５０がさらに好ましく、８５／１５～６０／４０がさらにより好ましく、８５／１５～７０／３０がさらにより好ましく、８０／２０～７５／２５がさらにより好ましい。
　〔シリカ粒子〕
　研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減の観点から、さらにシリカ粒子を含有することが好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後の基板の表面うねり低減、アルミナ突き刺さり低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。
　シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり低減、基板表面うねり低減及び研磨速度の向上の観点から、好ましくは５～１５０ｎｍ、より好ましくは１０～１３０ｎｍ、さらに好ましくは２０～１２０ｎｍ、さらにより好ましくは３０～１００ｎｍ、さらにより好ましくは４０～７５ｎｍである。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりの低減、基板表面うねり低減及び研磨速度の向上の観点から、好ましくは８～５５ｎｍ、より好ましくは１０～５０ｎｍ、さらにより好ましくは１５～５０ｎｍである。なお、該標準偏差は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりの低減、基板表面うねり低減及び研磨速度の向上の観点から、好ましくは１～１３０ｎｍ、より好ましくは５～１２０ｎｍ、さらに好ましくは１０～１１０ｎｍ、さらにより好ましくは２０～９０ｎｍ、さらにより好ましくは２０～７０ｎｍである。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりの低減、基板表面うねり低減及び研磨速度の向上の観点から、好ましくは１０～１６０ｎｍ、より好ましくは１５～１４０ｎｍ、さらに好ましくは２０～１３０ｎｍ、さらにより好ましくは４０～１１０ｎｍ、さらにより好ましくは６５～８５ｎｍである。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　アルミナ粒子とシリカ粒子とを併用する場合、粗研磨工程後のアルミナ粒子とシリカ粒子の重量比（アルミナ粒子重量／シリカ粒子重量）は、アルミナ突き刺さりの低減、研磨速度の向上及び基板表面うねり低減の観点から、好ましくは１０／９０～８０／２０、より好ましくは１５／８５～７５／２５、さらに好ましくは２０／８０～６５／３５、さらにより好ましくは２０／８０～６０／４０である。
　アルミナ粒子とシリカ粒子を併用する場合、アルミナ粒子の平均二次粒子径（Ｄ５０）とシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）との比（アルミナ平均二次粒子径／シリカ平均一次粒子径）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりの低減、研磨速度の向上及び基板表面うねり低減の観点から、好ましくは１～１００、より好ましくは２～５０、さらに好ましくは４～２０、さらにより好ましくは４～１５、さらにより好ましくは４～１２、さらにより好ましくは４～１０である。
　研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子の含有量としては、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、０．１重量％以上が好ましく、０．５重量％以上がより好ましく、１重量％以上がさらに好ましく、１．５重量％以上がさらにより好ましく、２重量％以上がさらにより好ましい。また、該含有量は、基板表面うねり低減及び経済性の観点から、３０重量％以下が好ましく、２５重量％以下がより好ましく、２０重量％以下がさらに好ましく、１５重量％以下がさらにより好ましく、１０重量％以下がさらよりに好ましく、５重量％以下がさらよりに好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、シリカ粒子の含有量は、０．１～３０重量％が好ましく、０．５～２５重量％がより好ましく、１～２０重量％がさらに好ましく、１．５～１５重量％がさらにより好ましく、２～１０重量％がさらにより好ましく、２～５重量％がさらにより好ましい。
　〔ジアリルアミン重合体〕
　研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、ジアリルアミン重合体を含有することが好ましい。ジアリルアミン重合体は、研磨液中で正帯電となり、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナ突き刺さり及びアルミナ付着を抑制していると考えられる。ここで、「ジアリルアミン重合体」とは、ジアリルアミン類のようなアリル基を２つ有するアミン化合物がモノマーとして導入された構成単位を有する重合体をいう。また、本発明で用いられるジアリルアミン重合体は水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
　前記ジアリルアミン重合体は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、下記一般式（Ｉ－ａ）、（Ｉ－ｂ）、（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）で表される構成単位から選択される１種以上の構成単位を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　前記一般式（Ｉ－ａ）及び（Ｉ－ｂ）において、Ｒ１は水素原子、水酸基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基を示す。ここで、水酸基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、水酸基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基、２－ヒドロキシエチル基、２－ヒドロキシプロピル基、３－ヒドロキシプロピル基、さらに好ましくはメチル基、エチル基である。また、炭素数７～１０のアラルキル基としては、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、ベンジル基、フェネチル基などが好ましく挙げられる。これらの中でも粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル基、ベンジル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。ジアリルアミン重合体が、上記一般式（Ｉ－ａ）及び（Ｉ－ｂ）の構成単位を有する場合、Ｒ１は同一であってもよく異なっていてもよい。
　前記一般式（Ｉ－ａ）及び（Ｉ－ｂ）で表される構成単位は、酸付加塩の形態であってもよい。酸付加塩としては、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩、亜硫酸塩、リン酸塩、アミド硫酸塩、メタンスルホン酸塩などが挙げられる。これらの中でも、塩酸塩、臭化水素酸塩、酢酸塩が好ましい。
　前記一般式（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）において、Ｒ２は、水酸基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基を示す。水酸基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基の好ましい形態は、前記Ｒ１で説明したとおりである。
　また、前記一般式（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）において、Ｒ３は、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基を示し、Ｄ－は、－価の陰イオンを示す。
　前記炭素数１～４のアルキル基は直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基が挙げられ、中でも粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、メチル基、エチル基が好ましい。前記炭素数７～１０のアラルキル基としては、同様の観点から、ベンジル基、フェネチル基などが好ましく挙げられる。Ｄ－で表される一価の陰イオンとしては、例えばハロゲンイオン、メチルサルフェートイオン、エチルサルフェートイオンを挙げることができる。
　一般式（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）において、＞Ｎ＋Ｒ２Ｒ３・Ｄ－で表される部分構造（第四級アンモニウム塩構造単位の部分構造）の具体例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ－ジプロピルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ－ジブチルアンモニウムクロリド、Ｎ－メチル－Ｎ－ベンジルアンモニウムクロリド、Ｎ－エチル－Ｎ－ベンジルアンモニウムクロリド、及びこれらのクロリド類に対応するブロミド類、ヨージド類、メチルサルフェート類を挙げることができる。中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムクロリド、Ｎ－メチル－Ｎ－ベンジルアンモニウムクロリドが好ましく、Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムクロリドがより好ましい。
　前記一般式（Ｉ－ａ）、（Ｉ－ｂ）、（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）で表される構成単位のうち、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、前記一般式（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）で表される構成単位から選ばれる一種以上を有することが好ましく、前記一般式（Ｉ－ｃ）で表される構成単位を有することがより好ましい。
　前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における前記一般式（Ｉ－ａ）、（Ｉ－ｂ）、（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）で表される構成単位の合計含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、３０～１００モル％が好ましく、３５～９０モル％がより好ましく、４０～８０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％がさらにより好ましい。
　前記ジアリルアミン重合体は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、さらに下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における前記一般式（ＩＩ）で表される構成単位の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、１０～６０モル％が好ましく、２０～６０モル％がより好ましく、３０～６０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％がさらにより好ましい。
　前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）の構成単位と、一般式（ＩＩ）の構成単位とのモル比（一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）／一般式（ＩＩ））は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、１００／０～３０／７０が好ましく、９０／１０～３０／７０がより好ましく、８０／２０～４０／６０がさらに好ましく、７０／３０～４０／６０がさらにより好ましく、６０／４０～４０／６０がさらにより好ましい。
　前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、前記一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）及び一般式（ＩＩ）の構成単位の合計含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、スクラッチ低減の観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上、さらにより好ましくは８０モル％以上、さらにより好ましくは９０モル％以上、さらにより好ましくは９５モル％以上、さらにより好ましくは９７モル％以上、さらにより好ましくは１００モル％である。
　前記ジアリルアミン重合体は、前記一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）及び一般式（ＩＩ）以外の構成単位を有していてもよい。その他の構成単位としては、エチレン性不飽和スルホン酸化合物由来の構成単位や、エチレン性不飽和カルボン酸化合物由来の構成単位、アクリルアミド化合物由来の構成単位が挙げられる。
　前記エチレン性不飽和スルホン酸化合物としては、スチレンスルホン酸、α－メチルスチレンスルホン酸、ビニルトルエンスルホン酸、ビニルナフタレンスルホン酸、ビニルベンジルスルホン酸、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、アクリロイルオキシエチルスルホン酸、メタクロイルオキシプロピルスルホン酸などが挙げられる。これらのスルホン酸は、アルカリ金属塩、アンモニウム塩としても用いることができる。アルカリ金属塩としては、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩を例示することができる。中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、スチレンスルホン酸、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、及びそれらのナトリウム塩が好ましい。
　前記エチレン性不飽和カルボン酸化合物としては、２－プロペン酸、３－ブテン酸、３－ブテン２酸、４－ペンテン酸、５－ヘキセン酸、６－ヘプテン酸、７－オクテン酸、８－ノネン酸、９－デセン酸、１０－ウンデセン酸、１１－ドデセン酸及びそれらの塩が挙げられる。これらのカルボン酸の塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩としても用いることができる。アルカリ金属塩としては、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩が挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、２－プロペン酸、３－ブテン酸、３－ブテン２酸、４－ペンテン酸、５－ヘキセン酸及びその塩が好ましい。
　前記アクリルアミド化合物の構成としては、アクリルアミド、Ｎ－メチルアクリルアミド、Ｎ－（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、Ｎ－エチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、Ｎ－（イソプロピル）アクリルアミド等が挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、アクリルアミド、Ｎ－メチルアクリルアミドが好ましく、アクリルアミドがより好ましい。
　前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）の構成単位及び一般式（ＩＩ）の構成単位以外の構成単位の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、スクラッチ低減の観点、並びに研磨速度の向上の観点から、０～３０モル％が好ましく、０～２０モル％がより好ましく、０～１０モル％がさらに好ましく、０～５モル％がさらにより好ましく、実質的に含有しないことがさらにより好ましい。
　〔前記ジアリルアミン重合体の製造方法〕
　前記水溶性ジアリルアミン重合体は、極性溶媒中において、ラジカル開始剤の存在下、ジアリルアミン類の酸付加塩及び／又は第四級アンモニウム塩と、必要に応じて二酸化硫黄及びその他の構成単位を導入するための前記化合物とを重合させることにより製造することができる。
　前記極性溶媒としては、例えば水、無機酸（塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸など）又はその水溶液、無機酸の金属塩（塩化亜鉛、塩化カルシウム、塩化マグネシウムなど）の水溶液、有機酸（ギ酸、酢酸、プロピオン酸、乳酸など）又はその水溶液、あるいは極性有機溶媒（アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミドなど）等を挙げることができるが、これらの混合物でもよい。また、これらの中で水系溶媒が好ましい。
　前記ラジカル開始剤としては、例えば分子中にアゾ基を有する水溶性ラジカル開始剤や過硫酸塩系ラジカル開始剤を好ましく用いることができ、過硫酸塩系ラジカル開始剤がより好ましい。
　前記ジアリルアミン類の酸付加塩としては、ジアリルアミン、Ｎ－メチルジアリルアミン、Ｎ－エチルジアリルアミン、Ｎ－プロピルジアリルアミン、Ｎ－ブチルジアリルアミン、Ｎ－２－ヒドロキシエチルジアリルアミン、Ｎ－２－ヒドロキシプロピルジアリルアミン、Ｎ－３－ヒドロキシプロピルジアリルアミンなどの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩、亜硫酸塩、リン酸塩、アミド硫酸塩、メタンスルホン酸塩が挙げられる。前記ジアリルアミン類の第四級アンモニウム塩としては、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、臭化ジアリルジメチルアンモニウム、沃化ジアリルジメチルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、塩化ジアリルジエチルアンモニウム、臭化ジアリルジエチルアンモニウム、沃化ジアリルジエチルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルジエチルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジエチルアンモニウム、塩化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、臭化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、沃化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルメチルベンジルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルメチルベンジルアンモニウム、塩化ジアリルエチルベンジルアンモニウム、臭化ジアリルエチルベンジルアンモニウム、沃化ジアリルエチルベンジルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルエチルベンジルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルエチルベンジルアンモニウムなどが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、ジアリルアミン、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、塩化ジアリルジエチルアンモニウム、塩化ジアリルメチルベンジルアンモニウムが好ましく、塩化ジアリルジメチルアンモニウムがより好ましい。
　ジアリルアミン重合体の重量平均分子量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、１０００以上が好ましく、１５００以上がより好ましく、２０００以上がさらに好ましく、４０００以上がさらにより好ましく、また、２０００００以下が好ましく、１５００００以下がより好ましく、１０００００以下がさらに好ましく、５００００以下がさらにより好ましく、２００００以下がさらにより好ましく、１５０００以下がさらにより好ましい。したがって、ジアリルアミン重合体の重量平均分子量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、１０００～２０００００が好ましく、１０００～１５００００がより好ましく、１０００～１０００００がさらに好ましく、１５００～５００００がさらにより好ましく、２０００～２００００がさらにより好ましく、４０００～１５０００がさらにより好ましい。なお、該重量平均分子量は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ａに含まれるジアリルアミン重合体の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、スクラッチ低減の観点、並びに研磨速度の向上の観点から、０．００１重量％以上が好ましく、０．００５重量％以上がより好ましく、０．００７重量％以上がさらに好ましく、０．０１重量％以上がさらにより好ましく、また、１．０重量％以下が好ましく、０．５重量％以下がより好ましく、０．３重量％以下がさらに好ましく、０．１重量％以下がさらにより好ましく、０．０５重量％以下がさらにより好ましい。したがって、研磨液組成物Ａに含まれるジアリルアミン重合体の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、スクラッチ低減の観点、並びに研磨速度の向上の観点から、０．００１～１．０重量％が好ましく、０．００５～０．５重量％がより好ましく、０．００７～０．３重量％がさらに好ましく、０．００７～０．１重量％がさらにより好ましく、０．０１～０．０５重量％がさらにより好ましい。
　研磨液組成物Ａ中におけるジアリルアミン重合体とアルミナ粒子の含有量比（ジアリルアミン重合体の含有量／アルミナ含有量）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、スクラッチ低減の観点、並びに研磨速度の向上の観点から、０．００１～０．１が好ましく、０．００１～０．０５がより好ましく、０．００２～０．０５がさらに好ましく、０．００２～０．０２がさらにより好ましく、０．００３～０．０２がさらにより好ましく、０．００３～０．０１がさらにより好ましい。
　〔酸〕
　研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Ａにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２－アミノエチルホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１，－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸、α－メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましい。
　これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸及び１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸からなる群から選択される２種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましい。
　これらの酸の塩を用いる場合は、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度向上の観点から、１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。
　研磨液組成物Ａ中における前記酸の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、０．００１～５重量％が好ましく、より好ましくは０．０１～４重量％、さらに好ましくは０．０５～３重量％、さらにより好ましくは０．１～２重量％、さらにより好ましくは０．１～１重量％である。
　〔酸化剤〕
　前記研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
　研磨液組成物Ａ中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上であり、同様の観点から、好ましくは４重量％以下、より好ましくは２重量％以下、さらに好ましくは１．５重量％以下、さらにより好ましくは１重量％以下である。従って、表面品質を保ちつつ研磨速度を向上させるためには、上記含有量は、好ましくは０．０１～４重量％、より好ましくは０．０５～２重量％、さらに好ましくは０．１～１．５重量％、さらにより好ましくは０．１～１重量％である。
　〔水〕
　研磨液組成物Ａは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物Ａ中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、５５～９９重量％が好ましく、より好ましくは７０～９８重量％、さらに好ましくは８０～９７重量％、さらにより好ましくは８５～９７重量％である。
　〔その他の成分〕
　研磨液組成物Ａには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物Ａ中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、０～１０重量％が好ましく、０～５重量％がより好ましい。
　〔研磨液組成物ＡのｐＨ〕
　前記研磨液組成物ＡのｐＨは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、前述の酸や公知のｐＨ調整剤を用いて、ｐＨ１～６に調整することが好ましく、より好ましくはｐＨ１～４、さらに好ましくはｐＨ１～３、さらにより好ましくはｐＨ１～２である。なお、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメーターを用いて測定でき、電極の浸漬後４０分後の数値である。
　〔研磨液組成物Ａの調製方法〕
　研磨液組成物Ａは、例えば、アルミナ粒子及び水と、さらに所望により、シリカ粒子、ジアリルアミン重合体、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。シリカ粒子を混合する場合、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。その他の態様として、研磨液組成物Ａを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。
　［研磨液組成物Ｂ］
　工程（２）で使用される研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ａで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。
　研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、４０ｎｍ以上であり、より好ましくは４５ｎｍ以上、さらに好ましくは５０ｎｍ以上、さらにより好ましくは５３ｎｍ以上、さらにより好ましくは５５ｎｍ以上、さらにより好ましくは６０ｎｍ以上であり、同様の観点から、１１０ｎｍ以下であり、より好ましくは１０５ｎｍ以下、さらに好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６７ｎｍ以下である。したがって、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、４０～１１０ｎｍであり、より好ましくは４５～１０５ｎｍ、さらに好ましくは５０～９０ｎｍ、さらにより好ましくは５３～８０ｎｍ、さらにより好ましくは５５～７５ｎｍ、さらにより好ましくは６０～６７ｎｍである。シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦振動が効果的に抑制されて、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　また、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、４０ｎｍ以上であり、好ましくは４３ｎｍ以上、より好ましくは４４ｎｍ以上であり、同様の観点から、６０ｎｍ以下であり、好ましくは５７ｎｍ以下、より好ましくは５４ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４６ｎｍ以下である。したがって、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、４０～６０ｎｍであり、好ましくは４０～５７ｎｍ、より好ましくは４０～５４ｎｍ、さらに好ましくは４０～５０ｎｍ、さらにより好ましくは４３～５０ｎｍ、さらにより好ましくは４４～４６ｎｍである。一次粒子径の標準偏差が前記範囲内であると、研磨切削時の効率的な摩擦振動を抑制するため、基板表面うねり及びアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上、さらにより好ましくは２５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２６ｎｍ以上であり、同様の観点から、好ましくは１０５ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは９５ｎｍ以下、さらにより好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下である。したがって、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５～１０５ｎｍ、より好ましくは１０～１００ｎｍ、さらに好ましくは１５～９５ｎｍ、さらにより好ましくは２０～９０ｎｍで、さらにより好ましくは２０～７０ｎｍ、さらにより好ましくは２５～５０ｎｍ、さらにより好ましくは２６～３０ｎｍである。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上、さらにより好ましくは７０ｎｍ以上であり、同様の観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下、より好ましくは１１５ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１００ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下である。したがって、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５０～１２０ｎｍ、より好ましくは６０～１１５ｎｍ、さらに好ましくは６５～１１０ｎｍ、さらにより好ましくは７０～１００ｎｍ、さらにより好ましくは７０～８０ｎｍである。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ｂに含まれるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．１重量％以上が好ましく、０．５重量％以上がより好ましく、１重量％以上がさらに好ましく、２重量％以上がさらにより好ましい。また、該含有量は、経済性の観点から、３０重量％以下が好ましく、２５重量％以下がより好ましく、２０重量％以下がさらに好ましく、１５重量％以下がさらにより好ましく、１０重量％以下がさらにより好ましい。したがって、これらの観点を総合すると、シリカ粒子の含有量は、０．１～３０重量％が好ましく、０．５～２５重量％がより好ましく、１～２０重量％がさらに好ましく、２～１５重量％がさらにより好ましく、２～１０重量％がさらにより好ましい。
　また、研磨液組成物Ｂに含まれる研磨材全体に占めるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減の観点から、６０重量％以上が好ましく、８０重量％以上がより好ましく、９０重量％以上がさらに好ましく、１００重量％がさらにより好ましい。なお、研磨液組成物Ｂに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、４０重量％以下が好ましく、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下、さらにより好ましくは５重量％以下、さらにより好ましくは実質的にアルミナ粒子を含有しない。
　〔複素環芳香族化合物〕
　研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、複素環芳香族化合物を含有することが好ましい。複素環芳香族化合物は、正電荷を有するため、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。好ましい複素環芳香族化合物としては、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピリジン、１，２，３－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，２，５－トリアジン、１，３，５－トリアジン、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，３，４－オキサジアゾール、１，２，５－チアジアゾール、１，３，４－チアジアゾール、３－アミノピラゾール、４－アミノピラゾール、３，５－ジメチルピラゾール、ピラゾール、２－アミノイミダゾール、４－アミノイミダゾール、５－アミノイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，３－トリアゾール、４－アミノ－１，２，３－トリアゾール、５－アミノ－１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、５－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾール、又はこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体が挙げられる。前記アルキル置換体のアルキル基としては例えば、炭素数１～４の低級アルキル基が挙げられ、より具体的にはメチル基、エチル基が挙げられる。また、前記アミン置換体としては１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］トリルトリアゾールが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、並びに入手容易性の観点から、１Ｈ－テトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－トリルトリアゾール、ピラゾールが好ましく、１Ｈ－テトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、ピラゾールがより好ましく、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、ピラゾールがさらに好ましい。なお、複素環芳香族化合物は、１種でも、２種以上を使用してもよい。
　研磨液組成物Ｂにおける複素環芳香族化合物の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００５重量％以上であることがより好ましく、０．０１重量％以上がさらに好ましく、０．０５重量％以上がさらにより好ましく、０．１重量％以上がさらにより好ましく、１重量％以上がさらにより好ましく、粗研磨工程後の基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の基板表面うねりの低減の観点から、８重量％以下であることが好ましく、５重量％以下であることがより好ましく、３重量％以下がさらに好ましく、したがって、研磨液組成物Ｂにおける複素環芳香族化合物の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．００１～８重量％であることが好ましく、０．００１～５重量％であることがより好ましく、０．００５～３重量％であることがさらに好ましく、０．０１～３重量％がさらにより好ましく、０．０５～３重量％がさらにより好ましく、０．１～３重量％がさらにより好ましく、１～３重量％がさらにより好ましい。
　また、研磨液組成物Ｂにおける、シリカ粒子と複素環芳香族化合物との含有量比［シリカ粒子の含有量（重量％）／複素環芳香族化合物の含有量（重量％）］は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．０１～３０００が好ましく、１～１０００がより好ましく、２～１００がさらに好ましく、３～１０がさらにより好ましい。
　〔多価アミン化合物〕
　研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、多価アミン化合物を含有することが好ましい。多価アミン化合物は、正電荷を有するため、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。
　前記多価アミン化合物における窒素原子（Ｎ）の数は、臭気及び／又は沸点を考慮した作業性の観点、及び、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減の観点から、２以上が好ましい。また、同様の観点及び研磨速度維持の観点から、窒素原子（Ｎ）の数は、２０以下が好ましく、より好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下である。よって、これらの観点を総合すると、前記多価アミン化合物における窒素原子（Ｎ）の数は、２～２０が好ましく、より好ましくは２～５、さらに好ましくは２～３である。
　前記多価アミン化合物は、臭気及び／又は沸点を考慮した作業性の観点から、ヒドロキシ基を有することが好ましい。ヒドロキシ基の数は、臭気及び／又は沸点を考慮した作業性の観点及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、１以上が好ましく、２以上がより好ましく、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点から、５以下が好ましく、３以下がより好ましい。よって、これらの観点を総合すると、ヒドロキシ基の数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、２～３がさらに好ましい。
　前記多価アミン化合物が窒素原子とヒドロキシル基の両方を有するとき、窒素原子とヒドロキシル基の合計の個数は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減の観点から、２～１０個が好ましく、より好ましくは２～５個、さらに好ましくは２～４個、さらにより好ましくは３～４個である。
　好ましい多価アミン化合物としては、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板うねりの低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３－（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３－（メチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、及びトリエチレンテトラミン等の脂肪族アミン化合物、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２、５－ジメチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジン等の脂環式アミン化合物が挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減、さらにアミン臭の低減、水への溶解性向上の観点から、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミン、ピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジンが好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジンがより好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、ヒドロキシエチルピペラジンがさらに好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミンがさらにより好ましい。なお、多価アミン化合物は、１種でも、２種以上を使用してもよい。
　研磨液組成物Ｂにおける多価アミン化合物の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．００１重量％以上であることが好ましく、０．０１重量％以上がより好ましく、０．０５重量％以上がさらに好ましく、０．０８重量％以上がさらにより好ましく、同様の観点から、１０重量％以下であることが好ましく、５重量％以下がより好ましく、１重量％以下がより好ましく、０．５重量％以下がさらに好ましい。したがって、研磨液組成物Ｂにおける多価アミン化合物の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．００１～１０重量％であることが好ましく、０．０１～５重量％がより好ましく、０．０５～１重量％がさらに好ましく、０．０８～０．５重量％がさらよりに好ましい。
　また、研磨液組成物中における、シリカ粒子と多価アミン化合物との含有量比［シリカ粒子含有量（重量％）／多価アミン化合物含有量（重量％）］は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナ持ち込み防止の観点から、０．０１～３００００が好ましく、０．１～１００００がより好ましく、５～５０００がさらに好ましく、１０～１０００がさらにより好ましく、２５～５００がさらにより好ましく、２５～２００がさらにより好ましく、３０～２００がさらにより好ましく、３０～５０がさらにより好ましい。
　さらに、研磨液組成物Ｂにおける、複素環芳香族化合物と多価アミン化合物との含有量比［複素環芳香族化合物の含有量（重量％）／多価アミン化合物の含有量（重量％）］は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程へのアルミナ持ち込み防止の観点から、０．００１～１００００が好ましく、０．０１～１０００がより好ましく、０．１～１００がさらに好ましく、０．５～５０がさらにより好ましく、０．６～３０がさらにより好ましく、０．７～１５がさらにより好ましく、０．８～１０がさらにより好ましく、０．８～２がさらにより好ましい。
　〔アニオン性基を有する高分子〕
　研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、アニオン性基を有する高分子（以下「アニオン性高分子」とも言う。）を含有することが好ましい。アニオン性高分子は、研磨時に研磨パッドに吸着して、研磨パッド表面に水和層を形成し、研磨パッドの振動を抑制するとともに、さらにアルミナ粒子の分散性を向上させて、アルミナの突き刺さり及び基板表面うねりを抑制すると考えられる。なお、該アニオン性高分子は水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
　アニオン性高分子のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。これらのアニオン性基は塩の形態であってもよい。アニオン性高分子は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性高分子が好ましく、スルホン酸基を有するアニオン性高分子がより好ましい。
　アニオン性基が塩を形成する場合、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属やアンモニウムが好ましく、１Ａ族に属する金属、アンモニウムがより好ましく、アンモニウム、ナトリウム及びカリウムがさらに好ましい。
　アニオン性高分子は、例えば、スルホン酸基を有する単量体、カルボン酸基を有する単量体等のアニオン性基を有する単量体を重合することにより得られうる。これら単量体の重合は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよいが、ランダムが好ましい。
　スルホン酸基を有する単量体の具体例としては、イソプレンスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられ、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸が好ましい。カルボン酸基を有する単量体としては、例えば、イタコン酸、（メタ）アクリル酸、マレイン酸等が挙げられ、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、（メタ）アクリル酸が好ましい。リン酸エステル基又はホスホン酸基を有する単量体としては、例えば、ビニルホスホン酸、メタクロイルオキシメチルリン酸、メタクロリルオキシエチルリン酸、メタクロイルオキシブチルリン酸、メタクロリルオキシヘキシルリン酸、メタクロリルオキシオクチルリン酸、メタクロリルオキシデシルリン酸、メタクロリルオキシラウリルリン酸、メタロイルオキシステアリルリン酸、メタクロイルオキシ１、４－ジメチルシクロヘキシルリン酸が挙げられる。
　また、アニオン性高分子には、上記以外の単量体を用いることもできる。他の単量体としては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ－メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類、ブタジエン、イソプレン、２－クロル－１，３－ブタジエン、１－クロル－１，３－ブタジエン等の脂肪族共役ジエン、（メタ）アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物が挙げられる。
　アニオン性高分子の好ましい具体例としては、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸、アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物、スチレンスルホン酸重合体、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸アルキルエステル／スチレンスルホン酸共重合体が挙げられるが、同様の観点から、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、スチレンスルホン酸重合体、及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上が好ましく、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、スチレンスルホン酸重合体、及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上がより好ましい。
　アニオン性高分子が（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５～９５モル％が好ましく、５～９０モル％がより好ましく、５～８５モル％がさらに好ましく、１０～８０モル％がさらにより好ましく、２０～６０モル％がさらにより好ましく、３０～５０モル％がさらにより好ましく、４０～５０モル％がさらにより好ましい。また、（メタ）アクリル酸と２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、９５／５～５／９５が好ましく、９５／５～１０／９０がより好ましく、９５／５～１５／８５がさらに好ましく、９５／５～２０／８０がさらにより好ましく、９５／５～４０／６０がさらにより好ましく、９５／５～５０／５０がさらにより好ましく、８０／２０～５０／５０がさらにより好ましく、７０／３０～５０／５０がさらにより好ましく、６０／４０～５０／５０がさらにより好ましい。
　また、アニオン性高分子が、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、３０～９５モル％が好ましく、３５～９０モル％がより好ましく、４０～８５モル％がさらに好ましく、４５～８０モル％がさらにより好ましい。また、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５／９５～７０／３０が好ましく、１０／９０～６５／３５がより好ましく、１５／８５～６０／４０がさらに好ましく、２０／８０～５５／４５がさらにより好ましく、４０／６０～５５／４５がさらにより好ましい。
　アニオン性高分子の重量平均分子量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５００以上であることが好ましく、１０００以上がより好ましく、１５００以上がさらに好ましく、５０００以上がさらにより好ましく、同様の観点から、１２万以下であることが好ましく、１０万以下がより好ましく、３万以下がさらに好ましく、２万以下がさらにより好ましく、１万以下がさらにより好ましい。したがって、アニオン性高分子の重量平均分子量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５００～１２万であることが好ましく、１０００～１０万がより好ましく、１０００～３万がさらに好ましく、１５００～３万がさらにより好ましく、５０００～２万がさらにより好ましく、５０００～１万がさらにより好ましい。また、アニオン性高分子が（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体の場合、その重量平均分子量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５００以上であることが好ましく、１０００以上がより好ましく、１５００以上がさらに好ましく、５０００以上がさらにより好ましく、８０００以上がさらにより好ましく、同様の観点から、１２万以下であることが好ましく、１０万以下がより好ましく、３万以下がさらに好ましく、２万以下がさらにより好ましく、１万以下がさらにより好ましい。したがって、アニオン性高分子が（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体の場合、その重量平均分子量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５００～１２万であることが好ましく、５００～３万がより好ましく、１０００～３万がさらに好ましく、１５００～３万がさらにより好ましく、５０００～２万がさらにより好ましく、８０００～２万がさらにより好ましく、８０００～１万がさらにより好ましい。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ｂにおけるアニオン性高分子の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．００１重量％以上が好ましく、より好ましくは０．００５重量％以上、さらに好ましくは０．０１重量％以上、さらにより好ましくは０．０１５重量％以上、さらにより好ましくは０．０２重量％以上、さらにより好ましくは０．０３重量％以上であり、また、１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．５重量％以下、さらに好ましくは０．２重量％以下、さらにより好ましくは０．１重量％以下である。したがって、研磨液組成物Ｂにおけるアニオン性高分子の含有量は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．００１～１重量％が好ましく、より好ましくは０．００５～０．５重量％、さらに好ましくは０．０１～０．２重量％、さらにより好ましくは０．０１～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０１５～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０２～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０３～０．１重量％である。
　また、研磨液組成物Ｂにおける、シリカ粒子とアニオン性高分子との含有量比［シリカ粒子含有量（重量％）／アニオン性高分子含有量（重量％）］は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．１～３００００が好ましく、０．５～１００００がより好ましく、１～５０００がさらに好ましく、５～２５００がさらにより好ましく、２０～１０００がさらにより好ましく、２５～５００がさらにより好ましく、３０～５００がさらにより好ましく、３０～３００がさらにより好ましい。
　さらに、研磨液組成物Ｂにおける、複素環芳香族化合物とアニオン性高分子との含有量比［複素環芳香族化合物の含有量（重量％）／アニオン性高分子の含有量（重量％）］は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．０１～１００００が好ましく、０．０５～１０００がより好ましく、０．１～１００がさらに好ましく、０．５～１００がさらにより好ましく、０．６～７５がさらにより好ましく、０．７～５０がさらにより好ましく、０．８～２０がさらにより好ましく、０．８～２がさらにより好ましい。
　さらに、研磨液組成物Ｂにおける、多価アミン化合物とアニオン性高分子との含有量比［多価アミン化合物の含有量（重量％）／アニオン性高分子の含有量（重量％）］は、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．０１～１００００が好ましく、０．０５～１０００がより好ましく、０．１～５００がさらに好ましく、０．５～１００がより好ましく、０．５～５０がさらに好ましく、０．６～２５がさらにより好ましく、０．６～１０がさらにより好ましく、０．８～２がさらにより好ましい。
　研磨液組成物Ｂは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりの低減、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。好ましい酸、酸化剤については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。また、研磨液組成物Ｂに用いられる水、研磨液組成物ＢのｐＨ、研磨液組成物Ｂの調製方法についても、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。
　［研磨液組成物Ｃ］
　工程（４）で使用される研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ａで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。また、研磨液組成物Ｃは、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりを低減する観点及び仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する観点から、アルミナ粒子を含有しないことが好ましい。
　研磨液組成物Ｃに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５～５０ｎｍが好ましく、より好ましくは１０～４５ｎｍ、さらに好ましくは１５～４０ｎｍ、さらにより好ましくは２０～３５ｎｍである。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、５～４０ｎｍが好ましく、より好ましくは１０～３５ｎｍ、さらに好ましくは１５～３０ｎｍである。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。
　シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねり低減及び研磨速度の向上の観点から、好ましくは５～６０ｎｍ、より好ましくは１５～５０ｎｍ、さらに好ましくは２０～４５ｎｍ、さらにより好ましくは２５～３５ｎｍである。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねり低減及び研磨速度の向上の観点から、好ましくは１０～７０ｎｍ、より好ましくは２０～６０ｎｍ、さらに好ましくは２５～５０ｎｍ、さらにより好ましくは３０～４５ｎｍである。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
　研磨液組成物Ｃに含まれるシリカ粒子の含有量は、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、０．３～２０重量％が好ましく、０．５～２０重量％がより好ましく、１～１５重量％がさらに好ましく、１～１０重量％がさらにより好ましく、２～１３重量％がさらにより好ましく、２～１０重量％がさらにより好ましく、２～６重量％がさらにより好ましい。
　研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、２種以上含有することがより好ましく、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子を含有することがさらに好ましい。複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、又はアニオン性基を有する高分子の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Ｂの場合と同様である。
　研磨液組成物Ｃは、研磨速度を向上する観点、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりの低減の観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。酸、酸化剤の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。また、研磨液組成物Ｃに用いられる水、研磨液組成物ＣのｐＨ、研磨液組成物Ｃの調製方法については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。
　［洗浄剤組成物］
　工程（３）の洗浄では、洗浄剤組成物を用いることが好ましい。前記洗浄剤組成物としては、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。
　〔アルカリ剤〕
　前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
　洗浄剤組成物の基板上の残留物の分散性の向上、保存安定性の向上の観点から、前記アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
　洗浄剤組成物中におけるアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する高い洗浄性を発現させ、かつ、取扱時の安全性を高める観点から、０．０５～１０重量％であると好ましく、０．０５～３重量％であるとより好ましい。
　洗浄剤組成物のｐＨは、基板上の残留物の分散性を向上させる観点から、８～１３であることが好ましく、より好ましくは９～１３、さらに好ましくは１０～１３、さらにより好ましくは１１～１３である。なお、上記のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後４０分後の数値である。
　〔各種添加剤〕
　前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤（成分に該当する界面活性剤は除く。）、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。
　前記洗浄剤組成物に含まれる水以外の成分の含有量は、基板上の残留物の分散性の向上及び、濃縮時・使用時の保存安定性の向上の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を１００重量％とすると、好ましくは１０～６０重量％であり、より好ましくは１５～５０重量％であり、さらに好ましくは１５～４０重量％である。
　前記洗浄剤組成物は、希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは１０～５００倍、より好ましくは２０～２００倍、さらに好ましくは５０～１００倍である。希釈用の水は、前述の研磨液組成物と同様のものでよい。
　本発明の基板製造方法によれば、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりが低減された磁気ディスク基板を提供できるため、高度の表面平滑性が要求される垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。
　［研磨方法］
　本発明は、その他の態様として、上述した工程（１）、工程（２）、工程（３）、及び工程（４）を有する研磨方法に関する。すなわち、本発明は、その他の態様として、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（１）、平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（２）、工程（２）で得られた基板を洗浄する工程（３）、及び、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程（４）を有する研磨方法、に関する。本発明の研磨方法における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物Ａ～Ｃの組成、洗浄剤組成物、並びに、研磨の方法及び条件については、上述の本発明の基板製造方法と同様とすることができる。
　本発明の研磨方法を使用することにより、粗研磨工程後のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねり、並びに仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりが低減された磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が好ましくは提供される。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。
　下記のとおりに研磨液組成物Ａ、Ｂ及びＣを調製し、下記の条件で工程（１）、工程（２）、工程（３）及び工程（４）を行い、被研磨基板の研磨を行った。その結果を表４～７に示す。研磨液組成物の調製方法、使用した添加剤、各パラメーターの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。
　[研磨液組成物Ａの調製]
　下記表１に示したアルミナ砥粒１～４、クエン酸、硫酸、過酸化水素、水、及び、場合よって下記表２に示したコロイダルシリカ砥粒２又は５、及び、下記表３の添加剤Ａ－１～Ａ－４を用い、研磨液組成物Ａを調製した（下記表４～７）。アルミナ粒子及びシリカ粒子以外の研磨液組成物Ａにおける各成分の含有量は、クエン酸：０．２重量％、硫酸：０．４重量％、過酸化水素：０．４重量％であり、研磨液組成物のｐＨは１．４であった。
　[研磨液組成物Ｂの調製]
　下記表２に示したコロイダルシリカ砥粒２～９、硫酸、過酸化水素、水、並びに、場合よって下記表３の添加剤Ｂ－１～Ｄ－２を用い、研磨液組成物Ｂを調製した（下記表４～７）。シリカ粒子以外の研磨液組成物Ｂ中における各成分の含有量は、硫酸：０．２重量％、過酸化水素：０．２重量％であり、研磨液組成物のｐＨは１．６であった。
　[研磨液組成物Ｃの調製]
　下記表２に示したコロイダルシリカ砥粒１、硫酸、過酸化水素、水、及び下記表３の添加剤Ｂ－１，Ｃ－１及びＤ－１を用い、研磨液組成物Ｃを調製した。研磨液組成物Ｃにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ砥粒１：３．０重量％、硫酸：０．３重量％、過酸化水素：０．３重量％、添加剤Ｂ－１：０．０１％、添加剤Ｃ－１：０．０１％、添加剤Ｄ－１：０．０２％であり、研磨液組成物のｐＨは１．５であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
  
　［製造例１、添加剤Ｂ－６の製造］
　上記表３の添加剤Ｂ－６は以下のように製造した。１Ｌの四つ口フラスコに、イソプロピルアルコール１８０ｇ（キシダ化学製）、イオン交換水２７０ｇ、スチレン１８ｇ（キシダ化学製）、スチレンスルホン酸ナトリウム３２ｇ（和光純薬工業製）を仕込み、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩８．９ｇ（Ｖ－５０、和光純薬工業製）を反応開始剤として、８３±２℃で２時間重合し、さらに２時間熟成を行い、その後、減圧下で溶剤を除去することで、白色粉の添加剤Ｂ－６を得た。なお、添加剤Ｂ－６以外の添加剤は市販品をそのまま使用した。
　［アルミナ粒子の平均二次粒子径の測定］
　０．５％ポイズ５３０（花王社製；特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤）水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が７５～９５％になるようにアルミナ粒子を投入し、その後、５分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器　：堀場製作所製　レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置　ＬＡ９２０
循環強度　：４
超音波強度：４
　［アルミナのα化率の測定方法］
　アルミナスラリー２０ｇを１０５℃で５時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末Ｘ線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末Ｘ線回折法にて分析し１０４面におけるピーク面積を比較した。粉末Ｘ線回折法による測定条件は下記のとおりとした。
測定条件；
装置：（株）リガク製、粉末Ｘ線解析装置　ＲＩＮＴ２５００ＶＣ
Ｘ線発生電圧：４０ｋＶ
放射線：Ｃｕ－Ｋα１線（λ＝０．１５４０５０ｎｍ）
電流：１２０ｍＡ
Ｓｃａｎ　Ｓｐｅｅｄ：１０度／分
測定ステップ：０．０２度／分
α化率（％）＝αアルミナ特有ピーク面積÷ＷＡ－１０００のピーク面積×１００
　また、各ピークの面積は、得られた粉末Ｘ線回折スペクトルから、粉末Ｘ線回折装置付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトＪＡＤＥ（ＭＤＩ社）を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書（Ｊａｄｅ（Ｖｅｒ．５）ソフトウェア、取扱説明書　Ｍａｎｕａｌ　Ｎｏ．ＭＪ１３１３３Ｅ０２、理学電機株式会社）に基づいて算出した。なお、ＷＡ－１０００はα化率９９．９％のα－アルミナ（昭和電工社製）である。
　［シリカ粒子の平均一次粒子径及び一次粒子径の標準偏差の測定］
　シリカ粒子を日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「ＪＥＭ－２０００ＦＸ」、８０ｋＶ、１～５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「ＷｉｎＲＯＯＦ（Ｖｅｒ．３．６）」（販売元：三谷商事）を用いて１０００個以上のシリカ粒子データについて１個１個のシリカ粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフト「ＥＸＣＥＬ」（マイクロソフト社製）にて、体積基準の粒径の標準偏差（標本標準偏差）を得た。また、前記表計算ソフト「ＥＸＣＥＬ」にて、粒子直径から粒子体積に換算して得られるシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合（体積基準％）を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度（％）を得た。得られたシリカ粒子の粒径及び累積体積頻度データに基づき、粒径に対して累積体積頻度をプロットすることにより、粒径対累積体積頻度グラフが得られる。前記グラフにおいて、小粒径側からの累積体積頻度が５０％となる粒径をシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）とした。また、小粒径側からの累積体積頻度が１０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）とし、小粒径側からの累積体積頻度が９０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）とした。
　［添加剤Ａ（A-1～A-4）及びＢ（B-1～B-6）の重量平均分子量の測定方法］
　添加剤Ａ（A-1～A-4）及びＢ（B-1～B-6）の重量平均分子量を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＣＰ）を用いて、以下の条件にて測定した。
　＜添加剤Ａ（A-1～A-4）のＧＰＣ条件＞
・測定装置　：Ｌ－６０００形　高速液体クロマトグラフ（日立製作所社製）
・カラム　　：アサヒパックＧＳ－２２０ＨＱ＋　ＧＳ－６２０ＨＱ（昭和電工社製）
・カラム温度：３０℃
・溶離液　　：０．４ｍｏｌ／Ｌ塩化ナトリウム水溶液
・流速　　　：１．０ｍＬ／分
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・注入量　　：１００μＬ
・検出器　　：ＲＩ（ショーデックスＲＩＳＥ－６１、昭和電工社製）
・換算標準　：ポリエチレングリコール（分子量１０６、１９４、４４０、６００、１４７０、４１００、７１００、１０３００、１２６００、２３０００　American Polymer Standards Service社製）
　＜添加剤Ｂ（B-1～B-3）のＧＰＣ条件＞
・測定装置　：ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム　　：ＴＳＫｇｅｌ　Ｇ４０００ＰＷＸＬ＋ＴＳＫｇｅｌ　Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー製）
・カラム温度：４０℃
・溶離液　　：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ３ＣＮ＝９／１体積比
・流速　　　：１．０ｍＬ／分
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・注入量　　：１００μＬ
・検出器　　：ＲＩ（東ソー社製）
・換算標準　：ポリアクリル酸Ｎａ（分子量１２５、４１００、２８０００、１１５０００　創和科学社製及びAmerican Polymer Standards Service社製）
＜添加剤Ｂ－４のＧＰＣ条件＞
・測定装置　：ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム　　：Ｇ４０００ＳＷＸＬ＋Ｇ２５００ＳＷＸＬ（東ソー製）
・溶離液　　：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ３ＣＮ＝７／３体積比
・温度　　　：４０℃
・流速　　　：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・注入量　　：１００μＬ
・検出器　　：ＲＩ（東ソー社製）
・標準物質：ポリエチレングリコール（２．４万、１０．１万、１８．５万、５４万：東ソー製、２５．８万、８７．５万　創和科学製）
＜添加剤Ｂ－５のＧＰＣ条件＞
・測定装置　：ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム　　：Ｇ４０００ＳＷＸＬ＋Ｇ２５００ＳＷＸＬ（東ソー製）
・溶離液　　：３０ｍＭ　酢酸ナトリウム／ＣＨ３ＣＮ＝６／４体積比（ｐＨ６．９）
・温度　　　：４０℃
・流速　　　：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・注入量　　：１００μＬ
・検出器　　：ＵＶ２８０ｎｍ（東ソー社製）
・標準物質：ポリスチレン（Ｍｗ　８４２万，９．６４万，Ａ－５００（東ソー社製）、Ｍｗ　３万，４０００（西尾工業社製）、Ｍｗ　９０万（ケムコ社製））
　＜添加剤Ｂ－６のＧＰＣ条件＞
・測定装置　　：ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム　　　：ＴＳＫｇｅｌ　α－Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ　α－Ｍ（東ソー製）
・ガードカラム：ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ　α（東ソー製）
・溶離液　　　：６０ｍｍｏｌ／Ｌ　リン酸，５０ｍｍｏｌ／Ｌ　ＬｉＢｒ／ＤＭＦ
・温度　　　　：４０℃
・流速　　　　：１．０ｍＬ／分
・試料サイズ　：３ｍｇ／ｍＬ
・注入量　　　：１００μＬ
・検出器　　　：ＲＩ（東ソー社製）
・換算標準　　：ポリスチレン（分子量３６００、３００００：西尾工業株式会社社製。９．６４万、８４２万：東ソー株式会社製、９２．９万：chemco社製）
　［被研磨基板］
　被研磨基板は、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍ（中心部直径２５ｍｍの穴あきドーナツ型）であった。
　［被研磨基板の研磨］
　各工程における研磨条件を以下に示す。なお、工程（１）及び工程（２）では同じ研磨機を用い、工程（４）では工程（１）及び工程（２）とは別個の研磨機を用いた。
　［工程（１）の研磨条件］
研磨試験機　：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨パッド　：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径４３μｍ　（ＦＩＬＷＥＬ社製）
定盤回転数　：４５ｒｐｍ
研磨荷重　　：９．８ｋＰａ又は１２．３ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ２・分））
研磨量　　　：１．０～１．２ｍｇ／ｃｍ２
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
リンス条件：
　・定盤回転数：４５ｒｐｍ
　・研磨荷重：９．８ｋＰａ又は１２．３ｋＰａ（設定値）
　・イオン交換水供給量：２Ｌ／分で１０秒間
　［工程（２）の研磨条件］
研磨試験機　：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製、工程（１）と同じ）
研磨パッド　：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径４３μｍ（ＦＩＬＷＥＬ社製、工程（１）と同じ）
定盤回転数　：４５ｒｐｍ
研磨荷重　　：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ２・分））
研磨量　　　：０．０２～０．０４ｍｇ／ｃｍ２
リンス条件：
　・定盤回転数：２０ｒｐｍ
　・研磨荷重：１．４ｋＰａ
　・イオン交換水供給量：２Ｌ／分で１５秒間
　［工程（３）の洗浄条件］
　工程（２）で得られた基板を、洗浄装置にて以下の条件で洗浄した。
１．０．１重量％のＫＯＨ水溶液からなるｐＨ１２のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、基板を５分間浸漬する。
２．浸漬後の基板を、イオン交換水で２０秒間すすぎを行う。
３．すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。
　［工程（４）の研磨条件］
研磨試験機　：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製、工程（１）及び工程（２）で使用した研磨機とは別個の研磨機）
研磨パッド　：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径５μｍ（ＦＩＬＷＥＬ社製）
定盤回転数　：４０ｒｐｍ
研磨荷重　　：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ２・分））
研磨量　　　：０．２～０．３ｍｇ／ｃｍ２
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
工程（４）後にリンス及び洗浄を行った。工程（４）後のリンスは、前記工程（２）と同条件で行い、洗浄は、前記工程（３）と同条件で行った。
　［工程（３）後のアルミナ突き刺さりの評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ　Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：工程（３）で得られた基板を、研磨量０．０５ｍｇ／ｃｍ２とした以外は、工程（４）と同一の条件にて、研磨液組成物Ｃを用いて研磨を行い、リンス及び洗浄を行った後、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してアルミナ突き刺さり数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるアルミナ突き刺さり数（個）の合計を８で除して、基板面当たりのアルミナ突き刺さり数（個）を算出した。その結果を、下記表４～７に、比較例１を１００とした相対値として示す。なお、リンスは工程（２）と同条件で行い、洗浄は工程（３）と同条件で行った。
　［工程（４）後の突起欠陥数の評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ　Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：工程（４）の後に、前記工程（３）と同じ条件で洗浄を行った基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を８０００ｒｐｍにてレーザーを照射して突起欠陥数を測定した。その４枚の基板の各々両面にある突起欠陥数（個）の合計を８で除して、基板面当たりの突起欠陥数（個）を算出した。その結果を、下記表４～７に、比較例１を１００とした相対値として示す。
　［工程（３）及び（４）後の基板表面うねりの評価方法］
　研磨後の１０枚の基板から任意に２枚を選択し、選択した各基板の両面を１２０°おきに４点（計１６点）について、下記の条件で測定した。その１６点の測定値の平均値を基板のうねりとして算出した。比較例１の基板のうねりを基準値１００として各実験例の基板のうねりの相対値を求めた。結果を表４～７に示す。
　機器　　　：Zygo NewView5032
　レンズ　　：2.5倍  Michelson 
　ズーム比　：0.5
　リムーブ　：Cylinder
　フィルター：FFT Fixed Band Pass、うねり波長：0.2～1.45mm
　エリア　　：4.33mm×5.77mm
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
  
　上記表４～７に示すとおり、実施例１～４９の基板製造方法では、比較例１及び参考例１～３の基板製造方法に比べて、工程（３）後（粗研磨終了後）のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりが低減し、工程（４）後（仕上げ研磨終了後）の突起欠陥数及び基板表面うねりが低減することが示された。また、上記表５～７に示すとおり、研磨液組成物Ａに添加剤Ａ（ジアリルアミン共重合体）が添加されることにより、工程（３）後（粗研磨終了後）のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりがいっそう低減し、工程（４）後（仕上げ研磨終了後）の突起欠陥数及び基板表面うねりがいっそう低減することが示された。さらに、上記表６～７に示すとおり、研磨液組成物Ｂに添加剤Ｂ（アニオン性基を有する高分子）、添加剤Ｃ（多価アミン化合物）、及び添加剤Ｄ（複素環芳香族化合物）が添加されることにより、工程（３）後（粗研磨終了後）のアルミナ突き刺さり及び基板表面うねりがいっそう低減し、工程（４）後（仕上げ研磨終了後）の突起欠陥数及び基板表面うねりがいっそう低減することが示された。
　［工程（１）～（４）のすべてを備える構成の重要性の確認］
　上記表４の実施例１の基板製造方法から、粗研磨工程（２）、洗浄工程（３）及び仕上げ研磨工程（４）のいずれか１工程が省かれた基板製造方法（比較例２～４）を行い、工程（４）後の突起欠陥数を実施例１と同様に評価した。その結果を実施例１の突起欠陥数を１００とした相対値で表８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
  
　上記表８に示すとおり、本発明の基板製造方法は、工程（１）～工程（４）をすべて備えることで、工程（３）後（粗研磨終了後）のアルミナ突き刺さりを低減でき、工程（４）後（仕上げ研磨終了後）の突起欠陥数を低減できることが確認された。
　実生産においては、突起欠陥数及び基板表面にうねりが多い場合には、磁気ディスク用基板として用いることができないため、再研磨又は廃棄されることから、本発明の仕上げ研磨工程後の突起欠陥及び基板表面うねりを低減する効果は基板収率の向上を期待することができる。
　［ロールオフの評価］
　実施例１の工程（２）で使用する研磨液組成物Ｂのコロイダルシリカ砥粒２を砥粒１０とした他は実施例と同じ条件の参考例４と実施例１とで、粗研磨工程（１）～（２）後の基板の０．５ｍｍロールオフを下記条件で測定した。得られた結果を、下記表９に示す。なお、前記測定は、投入した基板１０枚のうち１枚を選択し、その１枚の基板において３点（任意）行い、その３点の平均値を測定結果とした。０．５ｍｍロールオフの値は、その値が正に大きいほど、基板の端部が盛り上がっていることを示し、ロールオフが抑制されたといえる。
　〔０．５ｍｍロールオフの測定〕
　図１に示すように、基板最端部から３．０ｍｍ及び４．０ｍｍの基板表面をそれぞれＡ点及びＢ点とし、Ａ点とＢ点を結ぶ延長線を第１基準線とする。この第１基準線と、基板最端部から０．５ｍｍの基板表面Ｃ点との距離を測定し、最も短いものを０．５ｍｍロールオフ（ｎｍ）とした。
＜測定条件＞
測定機器：商品名 Zygo　New View 5032
レンズ：２．５倍
ズーム：０．５倍
解析ソフト：Zygo　Metro　Pro
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
  
　上記表９に示すとおり、粗研磨工程（２）において所定のコロイダルシリカを使用することで、さらに本発明に付随するその他の効果として、ロールオフが抑制（端部タレが抑制）されることが示された。
　本発明の基板製造方法は、例えば、メモリーハードディスク等に用いられる磁気ディスク基板の製造に好適に用いることができる。
　一又は複数の態様において、本発明は以下に関し得る；
<１>
　下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法；
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程；
<２>
　前記工程（１）と前記工程（２）との間に被研磨基板をリンス処理する工程を有する、<１>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３>
　前記工程（１）における研磨荷重が、３０ｋＰａ以下、好ましくは２５ｋＰａ以下、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さら好ましくは１８ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１６ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１４ｋＰａ以下であり、及び／又は、３ｋＰａ以上、好ましくは５ｋＰａ以上、より好ましくは７ｋＰａ以上、さらに好ましくは８ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上、及び／又は、３～３０ｋＰａ、好ましくは５～２５ｋＰａ、より好ましくは７～２０ｋＰａ、さらに好ましくは８～１８ｋＰａ、さらにより好ましくは９～１６ｋＰａ、さらにより好ましくは９～１４ｋＰａである、<１>又は<２>に記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４>
　前記工程（１）における被研磨基板の単位面積（１ｃｍ２）あたりの研磨量が、０．４ｍｇ以上、好ましくは０．６ｍｇ以上、より好ましくは０．８ｍｇ以上であり、及び／又は、２．６ｍｇ以下、好ましくは２．１ｍｇ以下、より好ましくは１．７ｍｇ以下であり、及び／又は、０．４～２．６ｍｇ、好ましくは０．６～２．１ｍｇ、より好ましくは０．８～１．７ｍｇである、<１>から<３>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<５>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記アルミナ粒子が、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、又はヒュームドアルミナであり、好ましくはαアルミナと中間アルミナとの組み合わせ、より好ましくはαアルミナとθアルミナとの組み合わせである、<１>から<４>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<６>
　前記工程（１）で使用される研磨液組成物Ａにおける前記αアルミナと前記中間アルミナの重量比（αアルミナの重量％／中間アルミナの重量％）が、９０／１０～１０／９０、好ましくは８５／１５～４０／６０、より好ましくは８５／１５～５０／５０、さらに好ましくは８５／１５～６０／４０、さらにより好ましくは８５／１５～７０／３０、さらにより好ましくは８０／２０～７５／２５である、<５>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<７>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記アルミナ粒子の平均二次粒子径が、０．１～０．８μｍ、好ましくは０．１～０．７５μｍ、より好ましくは０．１～０．７μｍ、さらに好ましくは０．１５～０．７μｍ、さらにより好ましくは０．２～０．７μｍ、さらにより好ましくは０．２～０．６８μｍ、さらにより好ましくは０．２～０．６５μｍ、さらにより好ましくは０．２５～０．５５μｍ、さらにより好ましくは０．２５～０．４０μｍである、<１>から<６>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<８>
　前記工程（１）で使用される研磨液組成物Ａにおける前記アルミナ粒子の含有量が、０．０１～３０重量％、好ましくは０．０５～２０重量％、より好ましくは０．１～１５重量％、さらに好ましくは１～１０重量％、さらにより好ましくは１～６重量％である、<１>から<７>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<９>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、<１>から<８>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１０>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が５～１５０ｎｍ、好ましくは１０～１３０ｎｍ、より好ましくは２０～１２０ｎｍ、さらに好ましくは３０～１００ｎｍ、さらにより好ましくは４０～７５ｎｍである、<９>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１１>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差が、８～５５ｎｍ、より好ましくは１０～５０ｎｍ、さらに好ましくは１５～５０ｎｍである、<９>又は<１０>に記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１２>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記アルミナ粒子と前記シリカ粒子の重量比（アルミナ粒子重量／シリカ粒子重量）が、１０／９０～８０／２０、好ましくは１５／８５～７５／２５、より好ましくは２０／８０～６５／３５、さらにより好ましくは２０／８０～６０／４０である、<９>から<１１>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１３>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記アルミナ粒子の平均二次粒子径（Ｄ５０）と前記シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）との比（アルミナ平均二次粒子径／シリカ平均一次粒子径）が、１～１００、好ましくは２～５０、より好ましくは４～２０、さらに好ましくは４～１５、さらにより好ましくは４～１２、さらにより好ましくは４～１０である、<９>から<１２>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１４>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａが、ジアリルアミン重合体を含有する、<１>から<１３>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１５>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記ジアリルアミン重合体が、下記一般式（Ｉ－ａ）、（Ｉ－ｂ）、（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）で表される構成単位から選択される１種以上の構成単位を有する、<１４>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
[ここで、上記一般式（Ｉ－ａ）及び（Ｉ－ｂ）において、Ｒ１は水素原子、水酸基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基を示す。また、上記一般式（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）において、Ｒ２は、水酸基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基を示し、Ｒ３は、炭素数１～４のアルキル基又は炭素数７～１０のアラルキル基を示し、Ｄ－は、－価の陰イオンを示す。]
<１６>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における前記一般式（Ｉ－ａ）、（Ｉ－ｂ）、（Ｉ－ｃ）及び（Ｉ－ｄ）で表される構成単位の合計含有量が、３０～１００モル％、好ましくは３５～９０モル％、より好ましくは４０～８０モル％、さらに好ましくは４０～６０モル％である、<１５>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１７>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記ジアリルアミン重合体が、さらに下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位を有する、<１４>から<１６>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
<１８>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）の構成単位と、一般式（ＩＩ）の構成単位とのモル比（一般式（Ｉ－ａ）～（Ｉ－ｄ）／一般式（ＩＩ））が、１００／０～３０／７０、好ましくは９０／１０～３０／７０、より好ましくは８０／２０～４０／６０、さらに好ましくは７０／３０～４０／６０、さらにより好ましくは６０／４０～４０／６０である、<１７>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<１９>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物Ａにおける前記ジアリルアミン重合体の含有量が、０．００１重量％以上、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．００７重量％以上、さらに好ましくは０．０１重量％以上であり、及び／又は、１．０重量％以下、好ましくは０．５重量％以下、より好ましくは０．３重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％以下、さらにより好ましくは０．０５重量％以下であり、及び／又は、０．００１～１．０重量％、好ましくは０．００５～０．５重量％、より好ましくは０．００７～０．３重量％、さらに好ましくは０．００７～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０１～０．０５重量％である、<１４>から<１８>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２０>
　前記工程（１）で使用される前記研磨液組成物ＡのｐＨが、ｐＨ１～６、好ましくはｐＨ１～４、より好ましくはｐＨ１～３、さらに好ましくはｐＨ１～２である、<１>から<１９>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２１>
　前記工程（２）における研磨荷重が、１８ｋＰａ以下、好ましくは１５ｋＰａ以下、より好ましくは１３ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下であり、及び／又は、３ｋＰａ以上、好ましくは４ｋＰａ以上、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは６ｋＰａ以上、さらにより好ましくは７ｋＰａ以上であり、及び／又は、３～１８ｋＰａ、好ましくは４～１５ｋＰａ、より好ましくは５～１３ｋＰａ、さらに好ましくは６～１１ｋＰａ、さらにより好ましくは７～１１ｋＰａである、<１>から<２０>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２２>
　前記工程（２）における被研磨基板の単位面積（１ｃｍ２）あたりの研磨量が、０．０００４ｍｇ以上、好ましくは０．００４ｍｇ以上、より好ましくは０．０１ｍｇ以上であり、及び／又は、０．８５ｍｇ以下、好ましくは０．４３ｍｇ以下、より好ましくは０．２６ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．１ｍｇ以下であり、及び／又は、０．０００４～０．８５ｍｇ、好ましくは０．００４～０．４３ｍｇ、より好ましくは０．０１～０．２６ｍｇ、さらに好ましくは０．０１～０．１ｍｇである、<１>から<２１>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２３>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が、４０ｎｍ以上、好ましくは４５ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、さらに好ましくは５３ｎｍ以上、さらにより好ましくは５５ｎｍ以上、さらにより好ましくは６０ｎｍ以上であり、及び／又は、１１０ｎｍ以下、好ましくは１０５ｎｍ以下、より好ましくは９０ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６７ｎｍ以下であり、及び／又は、好ましくは４５～１０５ｎｍ、より好ましくは５０～９０ｎｍ、さらに好ましくは５３～８０ｎｍ、さらにより好ましくは５５～７５ｎｍ、さらにより好ましくは６０～６７ｎｍである、<１>から<２２>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２４>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差が、４０ｎｍ以上、好ましくは４３ｎｍ以上、より好ましくは４４ｎｍ以上であり、及び／又は、６０ｎｍ以下であり、好ましくは５７ｎｍ以下、より好ましくは５４ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４６ｎｍ以下であり、及び／又は、好ましくは４０～５７ｎｍ、より好ましくは４０～５４ｎｍ、さらに好ましくは４０～５０ｎｍ、さらにより好ましくは４３～５０ｎｍ、さらにより好ましくは４４～４６ｎｍである、<１>から<２３>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２５>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記シリカ粒子の含有量は、０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上であり、及び／又は、３０重量％以下、好ましくは２５重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１５重量％以下、さらにより好ましくは１０重量％以下であり、及び／又は、０．１～３０重量％、好ましくは０．５～２５重量％、より好ましくは１～２０重量％、さらに好ましくは２～１５重量％、さらにより好ましくは２～１０重量％である、<１>から<２４>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２６>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂが、複素環芳香族化合物を含有する、<１>から<２５>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２７>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記複素環芳香族化合物が、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピリジン、１，２，３－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，２，５－トリアジン、１，３，５－トリアジン、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，３，４－オキサジアゾール、１，２，５－チアジアゾール、１，３，４－チアジアゾール、３－アミノピラゾール、４－アミノピラゾール、３，５－ジメチルピラゾール、ピラゾール、２－アミノイミダゾール、４－アミノイミダゾール、５－アミノイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，３－トリアゾール、４－アミノ－１，２，３－トリアゾール、５－アミノ－１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、５－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾール、又はこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体であり、好ましくは１Ｈ－テトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－トリルトリアゾール、又はピラゾールであり、より好ましくは１Ｈ－テトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、又はピラゾールであり、さらに好ましくは１Ｈ－ベンゾトリアゾール、又はピラゾールである、<２６>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２８>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記複素環芳香族化合物の含有量が、０．００１重量％以上、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．０５重量％以上、さらにより好ましくは０．１重量％以上、さらにより好ましくは１重量％以上であり、及び／又は、８重量％以下、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下であり、及び／又は、０．００１～８重量％、好ましくは０．００１～５重量％、より好ましくは０．００５～３重量％、さらに好ましくは０．０１～３重量％、さらにより好ましくは０．０５～３重量％、さらにより好ましくは０．１～３重量％、さらにより好ましくは１～３重量％である、<２６>又は<２７>に記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<２９>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記シリカ粒子と前記複素環芳香族化合物との含有量比［シリカ粒子の含有量（重量％）／複素環芳香族化合物の含有量（重量％）］が、０．０１～３０００、好ましくは１～１０００、より好ましくは２～１００、さらに好ましくは３～１０である、<２６>から<２８>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３０>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂが、多価アミン化合物を含有する、<１>から<２９>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３１>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記多価アミン化合物における窒素原子（Ｎ）の数が、２以上であり、及び／又は、２０以下、好ましくは５以下、より好ましくは３以下であり、及び／又は、２～２０、好ましくは２～５、より好ましくは２～３である、<３０>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３２>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記多価アミン化合物が、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物であり、及び／又は、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３－（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３－（メチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２、５－ジメチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン、又はヒドロキシエチルピペラジンであり、好ましくはＮ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミン、ピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン、又はヒドロキシエチルピペラジンであり、より好ましくはＮ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジンであり、さらに好ましくはＮ－アミノエチルエタノールアミン、ヒドロキシエチルピペラジンであり、さらにより好ましくはＮ－アミノエチルエタノールアミンである、<３０>又は<３１>に記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３３>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記多価アミン化合物の含有量が、０．００１重量％以上、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．０８重量％以上であり、及び／又は、１０重量％以下、好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、さらに好ましくは０．５重量％以下であり、及び／又は、０．００１～１０重量％、好ましくは０．０１～５重量％、より好ましくは０．０５～１重量％、さらに好ましくは０．０８～０．５重量％である、<３０>から<３２>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３４>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記シリカ粒子と前記多価アミン化合物との含有量比［シリカ粒子含有量（重量％）／多価アミン化合物含有量（重量％）］が、０．０１～３００００、好ましくは０．１～１００００、より好ましくは５～５０００、さらに好ましくは１０～１０００、さらにより好ましくは２５～５００、さらにより好ましくは２５～２００、さらにより好ましくは３０～２００、さらにより好ましくは３０～５０である、<３０>から<３３>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３５>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記複素環芳香族化合物と前記多価アミン化合物との含有量比［複素環芳香族化合物の含有量（重量％）／多価アミン化合物の含有量（重量％）］が、０．００１～１００００、好ましくは０．０１～１０００、より好ましくは０．１～１００、さらに好ましくは０．５～５０、さらにより好ましくは０．６～３０、さらにより好ましくは０．７～１５、さらにより好ましくは０．８～１０、さらにより好ましくは０．８～２である、<３０>から<３４>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３６>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂが、アニオン性基を有する高分子を含有する、<１>から<３５>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３７>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記アニオン性基を有する高分子が水溶性である、<３６>記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３８>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記アニオン性基を有する高分子が、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、又はホスホン酸基を有する高分子、好ましくはスルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有する高分子、より好ましくはスルホン酸基を有する高分子である、<３６>又は<３７>に記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<３９>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記アニオン性基を有する高分子が、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸、アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物、スチレンスルホン酸重合体、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、又は（メタ）アクリル酸アルキルエステル／スチレンスルホン酸共重合体、好ましくはポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、スチレンスルホン酸重合体、及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上、より好ましくは（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、スチレンスルホン酸重合体、及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上である、<３６>から<３８>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４０>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記アニオン性基を有する高分子の重量平均分子量が、５００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは５０００以上であり、及び／又は、１２万以下で、好ましくは１０万以下、より好ましくは３万以下、さらに好ましくは２万以下、さらにより好ましくは１万以下であり、及び／又は、５００～１２万、好ましくは１０００～１０万、より好ましくは１０００～３万、さらに好ましくは１５００～３万、さらにより好ましくは５０００～２万、さらにより好ましくは５０００～１万であり、あるいは、前記アニオン性基を有する高分子が（メタ）アクリル酸／２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体の場合、５００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは５０００以上、さらにより好ましくは８０００以上であり、及び／又は、１２万以下、好ましくは１０万以下、より好ましくは３万以下、さらに好ましくは２万以下、さらにより好ましくは１万以下であり、及び／又は、５００～１２万、好ましくは５００～３万、より好ましくは１０００～３万、さらに好ましくは１５００～３万、さらにより好ましくは５０００～２万、さらにより好ましくは８０００～２万、さらにより好ましくは８０００～１万である、<３６>から<３９>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４１>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記アニオン性基を有する高分子の含有量は、０．００１重量％以上、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．０１５重量％以上、さらにより好ましくは０．０２重量％以上、さらにより好ましくは０．０３重量％以上であり、及び／又は、１重量％以下、好ましくは０．５重量％以下、より好ましくは０．２重量％以下、さらに好ましくは０．１重量％以下であり、及び／又は、０．００１～１重量％、好ましくは０．００５～０．５重量％、より好ましくは０．０１～０．２重量％、さらに好ましくは０．０１～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０１５～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０２～０．１重量％、さらにより好ましくは０．０３～０．１重量％である、<３６>から<４０>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４２>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記シリカ粒子と前記アニオン性基を有する高分子との含有量比［シリカ粒子含有量（重量％）／アニオン性高分子含有量（重量％）］が０．１～３００００、好ましくは０．５～１００００、より好ましくは１～５０００、さらに好ましくは５～２５００、さらにより好ましくは２０～１０００、さらにより好ましくは２５～５００、さらにより好ましくは３０～５００、さらにより好ましくは３０～３００である、<３６>から<４１>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４３>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記複素環芳香族化合物と前記アニオン性基を有する高分子との含有量比［複素環芳香族化合物の含有量（重量％）／アニオン性高分子の含有量（重量％）］が、０．０１～１００００、好ましくは０．０５～１０００、より好ましくは０．１～１００、さらに好ましくは０．５～１００、さらにより好ましくは０．６～７５、さらにより好ましくは０．７～５０、さらにより好ましくは０．８～２０、さらにより好ましくは０．８～２である、<３６>から<４２>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４４>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物Ｂにおける前記多価アミン化合物と前記アニオン性基を有する高分子との含有量比［多価アミン化合物の含有量（重量％）／アニオン性高分子の含有量（重量％）］が、０．０１～１００００、好ましくは０．０５～１０００、より好ましくは０．１～５００、さらに好ましくは０．５～１００、より好ましくは０．５～５０、さらに好ましくは０．６～２５、さらにより好ましくは０．６～１０、さらにより好ましくは０．８～２である、<３６>から<４３>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４５>
　前記工程（２）で使用される前記研磨液組成物ＢのｐＨが、ｐＨ１～６、好ましくはｐＨ１～４、より好ましくはｐＨ１～３、さらに好ましくはｐＨ１～２である、<１>から<４４>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４６>
　前記工程（３）の洗浄がアルカリ剤を含有する洗浄剤組成物を用いて行われ、前記洗浄剤組成物におけるアルカリ剤の含有量が０．０５～１０重量％、好ましくは０．０５～３重量％である、<１>から<４５>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４７>
　前記工程（３）の洗浄がアルカリ剤を含有する洗浄剤組成物を用いて行われ、前記洗浄剤組成物のｐＨが、８～１３、好ましくは９～１３、より好ましくは１０～１３、さらに好ましくは１１～１３である、<１>から<４６>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４８>
　前記工程（４）における研磨荷重が、１６ｋＰａ以下、好ましくは１４ｋＰａ以下、より好ましくは１３ｋＰａ以下、さらに好ましくは１２ｋＰａ以下であり、及び／又は、７．５ｋＰａ以上、好ましくは８．５ｋＰａ以上、より好ましくは９．５ｋＰａ以上であり、及び／又は、７．５～１６ｋＰａ、好ましくは８．５～１４ｋＰａ、より好ましくは９．５～１３ｋＰａ、さらに好ましくは９．５～１２ｋＰａである、<１>から<４７>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<４９>
　前記工程（４）における被研磨基板の単位面積（１ｃｍ２）あたりの研磨量が、０．０８５ｍｇ以上、好ましくは０．１３ｍｇ以上、より好ましくは０．１７ｍｇ以上であり、及び／又は、０．８５ｍｇ以下、好ましくは０．６ｍｇ以下、より好ましくは０．４３ｍｇ以下であり、及び／又は、０．０８５～０．８５ｍｇ、好ましくは０．１３～０．６ｍｇ、より好ましくは０．１７～０．４３ｍｇである、<１>から<４８>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<５０>
　前記工程（４）で使用される前記研磨液組成物Ｃにおける前記シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が、５～５０ｎｍ、好ましくは１０～４５ｎｍ、より好ましくは１５～４０ｎｍ、さらに好ましくは２０～３５ｎｍである、<１>から<４９>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<５１>
　前記工程（４）で使用される前記研磨液組成物Ｃにおける前記シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差が、５～４０ｎｍ、好ましくは１０～３５ｎｍ、より好ましくは１５～３０ｎｍである、<１>から<５０>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<５２>
　前記工程（４）で使用される前記研磨液組成物ＣのｐＨが、ｐＨ１～６、好ましくはｐＨ１～４、より好ましくはｐＨ１～３、さらに好ましくはｐＨ１～２である、<１>から<５１>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<５３>
　前記被研磨基板が、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板、又は、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラスを含むガラス基板であり、好ましくは、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、<１>から<５２>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法；
<５４>
　下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の研磨方法；
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
（３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
（４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程；
<５５>
　<２>から<５３>のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法における「製造方法」が「研磨方法」である、<５４>記載の磁気ディスク基板の研磨方法。

Claims (9)

  1. 　下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の製造方法。
    （１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
    （２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
    （３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
    （４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程。
  2. 　前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、請求項１記載の磁気ディスク基板の製造方法。
  3. 　前記研磨液組成物Ａが、ジアリルアミン重合体を含有する、請求項１又は２記載の磁気ディスク基板の製造方法。
  4. 　前記研磨液組成物Ｂが、アニオン性基を有する高分子を含有する、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
  5. 　前記研磨液組成物Ｂが、複素環芳香族化合物を含有する、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
  6. 　前記研磨液組成物Ｂが、多価アミン化合物を含有する、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
  7. 　前記被研磨基板が、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
  8. 　下記（１）～（４）の工程を有する、磁気ディスク基板の研磨方法。
    （１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
    （２）平均一次粒子径（Ｄ５０）が４０～１１０ｎｍであり、一次粒子径の標準偏差が４０～６０ｎｍであるシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（１）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程、
    （３）工程（２）で得られた基板を洗浄する工程、
    （４）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（３）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨する工程。
  9. 　前記被研磨基板が、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項８記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
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