JP2014032718A - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上の突起欠陥を低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、（２）工程１で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子、及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて工程２で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、（４）工程３で得られた基板を洗浄する工程、及び、（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃ用いて工程４で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程を有し、前記工程１〜３を同一の研磨機で行い、前記工程５を前記研磨機とは別の研磨機で行い、リンス処理の研磨荷重は工程１の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、（２）工程１で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子、及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて工程２で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、（４）工程３で得られた基板を洗浄する工程、及び、（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃ用いて工程４で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程を有し、前記工程１〜３を同一の研磨機で行い、前記工程５を前記研磨機とは別の研磨機で行い、リンス処理の研磨荷重は工程１の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、磁気ディスク基板の製造方法及び磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するためには、単位記録面積を縮小し、弱くなる磁気信号の検出感度を向上させる必要があり、そのため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板は、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）が厳しく要求されている。
このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、ハードディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い（例えば、特許文献１〜２）。一般に、多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、スクラッチ、突起、ピット等の傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を含む仕上げ用研磨液組成物が使用され、仕上げ研磨工程より前の研磨工程（粗研磨工程ともいう）では、生産性向上の観点から、アルミナ粒子を含む研磨液組成物が使用される。
アルミナ粒子を砥粒として使用した場合、アルミナ粒子の基板への突き刺さりに起因するテキスチャースクラッチによって、メディアの欠陥を引き起こすことがある。このような問題を解決するために、平均二次粒子径が０．１〜０．７μｍの酸化アルミニウム粒子（アルミナ粒子）及び酸を含有する研磨液組成物を用いて、所定の研磨荷重で基板を研磨する粗研磨工程、並びにコロイダル粒子を含有する研磨液組成物を用いて、粗研磨工程で得られた基板を所定の研磨量で研磨する仕上げ研磨工程を有する磁気ディスク基板の製造方法が提案されている。また、粗研磨工程において同一研磨機でアルミナ含有研磨液組成物を使用した研磨と、コロイダルシリカ含有研磨液組成物を使用した研磨を行う研磨方法が開示されている（特許文献３）。さらに、アルミナ含有研磨液組成物を使用した研磨とコロイダルシリカ含有研磨液組成物を使用した研磨との間に砥粒を含まない洗浄液を供給する研磨方法も開示されている（特許文献４）。
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、磁気ディスク基板の製造工程において、アルミナ粒子の基板への残留(例えば、アルミナ突き刺さりや突起欠陥)をさらに低減することが求められている。
そこで、本発明は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減することができる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
本発明は、一態様において、下記（１）〜（５）の工程を有する磁気ディスク基板の製造方法（以下「本発明の基板製造方法」とも言う。）に関する。本発明の基板製造方法において、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行う。下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う。下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下である。下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下である。また、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（１）」とも言う）、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程（以下「工程（２）」とも言う）、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（３）」とも言う）、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程（以下「工程（４）」とも言う）、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（５）」とも言う）。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（１）」とも言う）、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程（以下「工程（２）」とも言う）、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（３）」とも言う）、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程（以下「工程（４）」とも言う）、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（５）」とも言う）。
本発明は、その他の態様において、下記（１）〜（５）の工程を有する磁気ディスク基板の研磨方法（以下「本発明の研磨方法」とも言う。）に関する。本発明の研磨方法において、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行う。下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う。下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下である。下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下である。また、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
本発明によれば、粗研磨工程（工程（１）〜工程（３））後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程（工程（５））後の基板上の突起欠陥が低減され基板品質が向上した基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
本発明は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とを含む磁気ディスク基板の製造方法において、前記粗研磨工程を、同一の研磨機において、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いる第１の粗研磨と、第１の粗研磨後のリンス処理と、前記リンス処理後のシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いる第２の粗研磨とをこの順で含む構成において前記リンス処理を所定の条件で行うことにより、粗研磨後の基板上のアルミナ突き刺さりを低減できるという知見に基づく。また、本発明は、前記粗研磨後の基板を洗浄した後に、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いる仕上げ研磨をすることにより、仕上げ研磨後の基板上の突起欠陥を低減できるという知見に基づく。
本明細書において「アルミナ突き刺さり」とは、アルミナ粒子を研磨材として使用した研磨後の前記アルミナ粒子の基板への突き刺さりをいう。また、本明細書において「突起欠陥」とは、基板上に残留するアルミナなどの研磨粒子や、研磨中に発生する研磨屑をいう。アルミナ突き刺さり数及び／又は突起欠陥数は、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察、表面欠陥検査装置により評価することができる。
本発明の基板製造方法を用いることにより粗研磨工程後のアルミナ突き刺さりが少なく、仕上げ研磨工程後の突起欠陥を効果的に低減できる理由は、必ずしも明らかではないが、以下のように推定している。シリカ粒子を含有する研磨液組成物を用いた第２の粗研磨工程（３）において、研磨切削時の摩擦力が上昇する。このとき、基板に突き刺さったアルミナ粒子の効率的な引き抜きが起こる一方で、研磨パッドの凹部等に浮遊する残留アルミナが、シリカ粒子使用による摩擦力の上昇により新たなアルミナの突き刺さりを起こすと考えられる。しかし、本発明の基板製造方法では、所定の研磨パッドの荷重条件下、所定のｐＨ条件で行う工程（２）の中間リンスによって、残留アルミナの分散性が助長され基板へのアルミナの付着量が減少し、工程（３）へのアルミナ粒子の持ち込み量を低減しておくことによって、工程(３)開始時より工程(３)での機械力によるアルミナ突き刺さりの頻度をより低減されると推定される。さらに、粗研磨した基板の洗浄（工程（４））後に工程（５）を行うことで、仕上げ研磨工程へのアルミナ粒子の持ち込み量が少なくなり、突起欠陥が低減されると推定される。但し、本発明はこれらのメカニズムに限定されない。
以下に、本発明の基板製造方法を説明する。一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程にて研磨した後、記録部形成工程にて磁気ディスク化することにより製造される。
［被研磨基板］
本発明の基板製造方法における被研磨基板は磁気ディスク基板又は磁気ディスクに用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明で使用される被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。
本発明の基板製造方法における被研磨基板は磁気ディスク基板又は磁気ディスクに用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明で使用される被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。
上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。
［工程（１）：第１の粗研磨］
本発明の基板製造方法は、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（１））を有する。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
本発明の基板製造方法は、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（１））を有する。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
［工程（２）：中間リンス処理］
粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、本発明の基板製造方法は、前記工程（１）の後に、同一の研磨機において、前記工程（１）で得られた基板をリンス処理する中間リンス処理工程（工程（２））を有する。中間リンス処理は、生産性の観点から、前記工程（１）で使用した研磨機から被研磨基板を取り出すことなく、同じ研磨機内で行うことが好ましい。工程（２）は、具体的には、リンス液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面をリンス処理することを含みうる。なお、工程（１）と（３）との間には後述する洗浄工程（４）のような洗浄工程は有さないことが好ましい。なお、本明細書において「リンス処理」とは、基板表面に残留した砥粒、研磨屑を排出することを目的とした処理をいい、基板表面を平坦化するために、基板表面を溶解しながら砥粒で削る（化学機械研磨）研磨処理とは異なる処理をいう。
粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、本発明の基板製造方法は、前記工程（１）の後に、同一の研磨機において、前記工程（１）で得られた基板をリンス処理する中間リンス処理工程（工程（２））を有する。中間リンス処理は、生産性の観点から、前記工程（１）で使用した研磨機から被研磨基板を取り出すことなく、同じ研磨機内で行うことが好ましい。工程（２）は、具体的には、リンス液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面をリンス処理することを含みうる。なお、工程（１）と（３）との間には後述する洗浄工程（４）のような洗浄工程は有さないことが好ましい。なお、本明細書において「リンス処理」とは、基板表面に残留した砥粒、研磨屑を排出することを目的とした処理をいい、基板表面を平坦化するために、基板表面を溶解しながら砥粒で削る（化学機械研磨）研磨処理とは異なる処理をいう。
［工程（２）：中間リンス処理における研磨荷重］
工程（２）の中間リンス処理における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、後述する工程（１）における粗研磨の研磨荷重の３０％以上１５０％以下の研磨荷重である。中間リンス処理における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程（１）における粗研磨の研磨荷重の１００％以下が好ましく、より好ましくは９０％以下、さらに好ましくは８５％以下、さらにより好ましくは７５％以下、さらにより好ましくは６５％以下である。また、中間リンス処理における研磨荷重は、同様の観点から、工程（１）における粗研磨の研磨荷重の４０％以上が好ましく、より好ましくは４５％以上、さらに好ましくは５５％以上である。中間リンス処理における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程（１）における粗研磨の研磨荷重の３０％〜１５０％であり、４０％〜１００％の研磨荷重が好ましく、より好ましくは４０％〜９０％、さらに好ましくは４０％〜８５％、さらにより好ましくは４０％〜７５％、さらにより好ましくは４５％〜６５％、さらにより好ましくは５５％〜６５％である。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
工程（２）の中間リンス処理における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、後述する工程（１）における粗研磨の研磨荷重の３０％以上１５０％以下の研磨荷重である。中間リンス処理における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程（１）における粗研磨の研磨荷重の１００％以下が好ましく、より好ましくは９０％以下、さらに好ましくは８５％以下、さらにより好ましくは７５％以下、さらにより好ましくは６５％以下である。また、中間リンス処理における研磨荷重は、同様の観点から、工程（１）における粗研磨の研磨荷重の４０％以上が好ましく、より好ましくは４５％以上、さらに好ましくは５５％以上である。中間リンス処理における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程（１）における粗研磨の研磨荷重の３０％〜１５０％であり、４０％〜１００％の研磨荷重が好ましく、より好ましくは４０％〜９０％、さらに好ましくは４０％〜８５％、さらにより好ましくは４０％〜７５％、さらにより好ましくは４５％〜６５％、さらにより好ましくは５５％〜６５％である。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
［工程（２）：中間リンス処理に用いるリンス液組成物］
工程（２）の中間リンス処理に用いるリンス液組成物は水を含有する。リンス液組成物における水としては、特に制限されないが、製造コストの点からは蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水が使用され得る。リンス液組成物のｐＨは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．５以上１２．５以下であり、酸性又はアルカリ性であることが好ましく、アルカリ性であることがより好ましい。
工程（２）の中間リンス処理に用いるリンス液組成物は水を含有する。リンス液組成物における水としては、特に制限されないが、製造コストの点からは蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水が使用され得る。リンス液組成物のｐＨは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．５以上１２．５以下であり、酸性又はアルカリ性であることが好ましく、アルカリ性であることがより好ましい。
酸性リンス液組成物のｐＨとしては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．５以上であり、好ましくは１．５以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．５以上である。酸性リンス液組成物のｐＨは、同様の観点から、６．０以下が好ましく、より好ましくは５．５以下、さらに好ましくは５．０以下、さらにより好ましくは４．５以下である。また、酸性リンス液組成物のｐＨは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．５〜６．０が好ましく、より好ましくは１．５〜５．５、さらに好ましくは２．５〜５．０、さらにより好ましくは３．５〜４．５である。酸性リンス液組成物は、一又は複数の実施形態において、所定ｐＨまで、無機酸もしくは有機酸を添加して調製されうる。
アルカリ性リンス液組成物のｐＨとしては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、８．０以上が好ましく、より好ましくは９．０以上、さらに好ましくは１０．０以上、さらにより好ましくは１１．０以上である。アルカリ性リンス液組成物のｐＨは、同様の観点から、１２．５以下であり、好ましくは１２．０以下である。また、アルカリ性リンス液組成物のｐＨは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、８．０〜１２．５が好ましく、より好ましくは９．０〜１２．５、さらに好ましくは１０．０〜１２．０、さらにより好ましくは１１．０〜１２．０である。アルカリ性リンス液組成物は、一又は複数の実施形態において、所定ｐＨまで、無機塩基もしくは有機塩基を添加して調製されうる。
［工程（２）：リンス液組成物の供給速度］
工程（２）におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．８ｍＬ／分以上、さらに好ましくは１ｍＬ／分以上であり、また、同様の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり４ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは２．５ｍＬ／分以下、さらに好ましくは２ｍＬ／分以下である。なお、工程（２）におけるリンス液組成物を研磨機へ供給する方法は、後述する研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
工程（２）におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．８ｍＬ／分以上、さらに好ましくは１ｍＬ／分以上であり、また、同様の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり４ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは２．５ｍＬ／分以下、さらに好ましくは２ｍＬ／分以下である。なお、工程（２）におけるリンス液組成物を研磨機へ供給する方法は、後述する研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
［工程（２）：中間リンス処理の処理時間］
本明細書において、中間リンス処理の処理時間とは、リンス液組成物の供給時間をいう。中間リンス処理の処理時間は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び生産性の観点から、１２０秒未満であって、好ましくは１００秒以下、さらに好ましくは９０秒以下、さらにより好ましくは８０秒以下、さらにより好ましくは７０秒以下、さらにより好ましくは６５秒以下である。中間リンス処理の処理時間は、同様の観点から、好ましくは１０秒以上、より好ましくは１０秒を超える時間、さらに好ましくは１５秒以上、さらにより好ましくは２０秒以上、さらにより好ましくは３０秒以上、さらにより好ましくは３５秒以上である。また、中間リンス処理の処理時間は、１０秒以上１２０未満が好ましく、より好ましくは１０秒を超え１００秒以下、さらに好ましくは１５〜９０秒、さらにより好ましくは２０〜８０秒、さらにより好ましくは３０〜７０秒、さらにより好ましくは３５〜６５秒である。
本明細書において、中間リンス処理の処理時間とは、リンス液組成物の供給時間をいう。中間リンス処理の処理時間は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び生産性の観点から、１２０秒未満であって、好ましくは１００秒以下、さらに好ましくは９０秒以下、さらにより好ましくは８０秒以下、さらにより好ましくは７０秒以下、さらにより好ましくは６５秒以下である。中間リンス処理の処理時間は、同様の観点から、好ましくは１０秒以上、より好ましくは１０秒を超える時間、さらに好ましくは１５秒以上、さらにより好ましくは２０秒以上、さらにより好ましくは３０秒以上、さらにより好ましくは３５秒以上である。また、中間リンス処理の処理時間は、１０秒以上１２０未満が好ましく、より好ましくは１０秒を超え１００秒以下、さらに好ましくは１５〜９０秒、さらにより好ましくは２０〜８０秒、さらにより好ましくは３０〜７０秒、さらにより好ましくは３５〜６５秒である。
［工程（２）：中間リンス処理工程における被研磨基板の線速度］
本発明において、工程（２）中間リンス処理工程における被研磨基板の線速度とは、定盤と基板の相対的な平均移動速度を算出し、これを線速度とした。中間リンス処理工程における被研磨基板の線速度は、０．２０ｍ／ｓｅｃ以上が好ましく、０．３０ｍ／ｓｅｃ以上がより好ましく、０．５０ｍ／ｓｅｃ以上がさらに好ましく、０．６０ｍ／ｓｅｃ以上がさらにより好ましく、また、同様の観点から、１．００ｍ／ｓｅｃ以下が好ましく、０．９０ｍ／ｓｅｃ以下がより好ましく、０．８０ｍ／ｓｅｃ以下がさらに好ましく、０．７５ｍ／ｓｅｃ以下がさらにより好ましい。
本発明において、工程（２）中間リンス処理工程における被研磨基板の線速度とは、定盤と基板の相対的な平均移動速度を算出し、これを線速度とした。中間リンス処理工程における被研磨基板の線速度は、０．２０ｍ／ｓｅｃ以上が好ましく、０．３０ｍ／ｓｅｃ以上がより好ましく、０．５０ｍ／ｓｅｃ以上がさらに好ましく、０．６０ｍ／ｓｅｃ以上がさらにより好ましく、また、同様の観点から、１．００ｍ／ｓｅｃ以下が好ましく、０．９０ｍ／ｓｅｃ以下がより好ましく、０．８０ｍ／ｓｅｃ以下がさらに好ましく、０．７５ｍ／ｓｅｃ以下がさらにより好ましい。
［工程（２）：リンス液組成物の添加物］
リンス液組成物は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び生産性の観点から、アニオン性重合体を含有することが好ましい。
リンス液組成物は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び生産性の観点から、アニオン性重合体を含有することが好ましい。
［リンス液組成物：アニオン性重合体］
リンス液組成物に用いられるアニオン性重合体は、本明細書においては、アニオン性基を有する重合体のことをいう。アニオン性重合体は、研磨時に研磨パッドに吸着して、研磨パッド表面に水和層を形成し、研磨パッドの振動を抑制するとともに、さらにアルミナ粒子の分散性を向上させて、アルミナの突き刺さりを抑制すると考えられる。なお、該アニオン性重合体は水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
リンス液組成物に用いられるアニオン性重合体は、本明細書においては、アニオン性基を有する重合体のことをいう。アニオン性重合体は、研磨時に研磨パッドに吸着して、研磨パッド表面に水和層を形成し、研磨パッドの振動を抑制するとともに、さらにアルミナ粒子の分散性を向上させて、アルミナの突き刺さりを抑制すると考えられる。なお、該アニオン性重合体は水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
アニオン性重合体のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。これらのアニオン性基は塩の形態であってもよい。アニオン性重合体は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性重合体が好ましい。
アニオン性基が塩を形成する場合、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属やアンモニウムが好ましく、１Ａ族に属する金属、アンモニウムがより好ましく、アンモニウム、ナトリウム及びカリウムがさらに好ましい。
アニオン性重合体は、例えば、スルホン酸基を有する単量体、カルボン酸基を有する単量体等のアニオン性基を有する単量体を重合することにより得られうる。これら単量体の重合は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよいが、ランダムが好ましい。
スルホン酸基を有する単量体の具体例としては、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。カルボン酸基を有する単量体としては、例えば、イタコン酸、（メタ）アクリル酸、マレイン酸等が挙げられる。リン酸エステル基又はホスホン酸基を有する単量体としては、例えば、ビニルホスホン酸、メタクロイルオキシメチルリン酸、メタクロリルオキシエチルリン酸、メタクロイルオキシブチルリン酸、メタクロリルオキシヘキシルリン酸、メタクロリルオキシオクチルリン酸、メタクロリルオキシデシルリン酸、メタクロリルオキシラウリルリン酸、メタロイルオキシステアリルリン酸、メタクロイルオキシ１、４−ジメチルシクロヘキシルリン酸が挙げられる。
また、アニオン性重合体には、上記以外の単量体を用いることもできる。他の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類、ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−クロル−１，３−ブタジエン等の脂肪族共役ジエン、（メタ）アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物が挙げられる。
アニオン性重合体の好ましい具体例としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸、アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、マレイン酸／スチレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸アルキルエステル／スチレンスルホン酸共重合体が挙げられるが、同様の観点から、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、ポリスチレンスルホン酸、マレイン酸／スチレンスルホン酸共重合体、及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上が好ましく、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上がより好ましい。
アニオン性重合体が（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５モル％以上が好ましく、より好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、また、同様の観点から、９８モル％以下が好ましく、より好ましくは８０モル％以下、さらに好ましくは６０モル％以下、さらにより好ましくは５０モル％以下である。また、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）は、同様の観点から、９５／５〜２／９８が好ましく、より好ましくは８０／２０〜２０／８０、さらに好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらにより好ましくは６０／４０〜５０／５０である。
また、アニオン性重合体が、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２０モル％以上が好ましく、より好ましくは３０モル％以上、さらに好ましくは４０モル％以上、さらにより好ましくは５０モル％以上であり、また、同様の観点から、９５モル％以下が好ましく、より好ましくは８５モル％以下、さらに好ましくは７５モル％以下、さらにより好ましくは７０モル％以下である。また、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）は、同様の観点から、８０／２０〜５／９５が好ましく、より好ましくは７０／３０〜１５／８５、さらに好ましくは６０／４０〜２５／７５、さらにより好ましくは５０／５０〜３０／７０である。
アニオン性重合体の重量平均分子量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５００以上であることが好ましく、より好ましくは１０００以上、さらに好ましくは２０００以上、さらにより好ましくは２５００以上であり、また、同様の観点から、１０万以下であることが好ましく、より好ましくは５万以下、さらに好ましくは３万以下、さらにより好ましくは２万以下である。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の方法により求めることができる。
リンス液組成物におけるアニオン性重合体の含有量は、特に限定されないが具体的な実施形態としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び生産性の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１０質量％以上がさらに好ましく、また、同様の観点から、０．５００質量％以下が好ましく、０．２００質量％以下がより好ましく、０．１００質量％以下がさらに好ましく、０．０７５質量％以下がさらにより好ましく、０．０５０質量％以下がさらにより好ましい。
［工程（３）：第２の粗研磨］
本発明の基板製造方法は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを中間リンス処理工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（３））を有する。
本発明の基板製造方法は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを中間リンス処理工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（３））を有する。
生産性向上の観点、並びに、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程（１）〜（３）は、同一の研磨機で行う。
［工程（４）：洗浄］
本発明の基板製造方法は、工程（３）で得られた基板を洗浄する工程（工程（４））を有する。工程（４）の洗浄は、前記粗研磨工程（工程（１）〜（３））が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄することが好ましい。工程（４）における洗浄方法としては、例えば、（ａ）工程（３）で得られた基板を後述する洗浄剤組成物に浸漬する方法、及び／又は、（ｂ）洗浄剤組成物を射出して前記基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法が挙げられる。
本発明の基板製造方法は、工程（３）で得られた基板を洗浄する工程（工程（４））を有する。工程（４）の洗浄は、前記粗研磨工程（工程（１）〜（３））が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄することが好ましい。工程（４）における洗浄方法としては、例えば、（ａ）工程（３）で得られた基板を後述する洗浄剤組成物に浸漬する方法、及び／又は、（ｂ）洗浄剤組成物を射出して前記基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法が挙げられる。
前記方法（ａ）において、基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から２０〜１００℃であると好ましく、２０〜６０℃であるとより好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から１０秒〜３０分間であると好ましく、２〜２０分間であるとより好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、好ましくは２０〜２０００ｋＨｚ、より好ましくは３０〜１８００ｋＨｚ、さらに好ましくは４０〜１５００ｋＨｚである。
前記方法（ｂ）では、残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出することにより供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出することにより洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。
洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記方法（ａ）で好ましく採用される値と同様であればよい。
工程（４）では、前記方法（ａ）及び／又は前記方法（ｂ）に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を１つ以上含んでもよい。
［工程（５）：仕上げ研磨］
本発明の基板製造方法は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（５））を有する。
本発明の基板製造方法は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（５））を有する。
工程（５）で使用される研磨機は、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、工程（１）〜（３）で用いた研磨機とは別個の研磨機である。
本発明の基板製造方法は、前述の、第１の粗研磨工程（１）、中間リンス処理工程（２）、第２の粗研磨工程（３）、洗浄工程（４）、及び、仕上げ研磨工程（５）を含むことにより、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減した基板を製造することができる。
［工程（１）〜（３）の研磨パッド］
工程（１）〜（３）の粗研磨工程で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を効果的に低減する観点から、ポリエステルフィルムが好ましく、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンが好ましく、ポリウレタンエラストマーがより好ましい。
工程（１）〜（３）の粗研磨工程で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を効果的に低減する観点から、ポリエステルフィルムが好ましく、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンが好ましく、ポリウレタンエラストマーがより好ましい。
また、工程（１）〜（３）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、研磨速度向上の観点から、１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは２０μｍ以上、さらに好ましくは３０μｍ以上、さらにより好ましくは３５μｍ以上であり、また、同様の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは５５μｍ以下である。
［工程（１）における研磨荷重］
本明細書において、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程（１）における研磨荷重は、アルミナ突き刺さりを低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。
本明細書において、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程（１）における研磨荷重は、アルミナ突き刺さりを低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。
また、工程（１）における研磨荷重は、アルミナ突き刺さりを低減する観点から、２５５ｇ重／ｃｍ2以下が好ましく、より好ましくは２０４ｇ重／ｃｍ2以下、さらに好ましくは１５３ｇ重／ｃｍ2以下、さらにより好ましくは１１２ｇ重／ｃｍ2以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３１ｇ重／ｃｍ2以上が好ましく、より好ましくは５１ｇ重／ｃｍ2以上、さらに好ましくは７１ｇ重／ｃｍ2以上、さらにより好ましくは９２ｇ重／ｃｍ2以上である。また、前記研磨荷重は、好ましくは３１〜２５５ｇ重／ｃｍ2、より好ましくは５１〜２０４ｇ重／ｃｍ2、さらに好ましくは７１〜１５３ｇ重／ｃｍ2、さらにより好ましくは９２〜１１２ｇ重／ｃｍ2である。
［工程（１）における研磨量］
工程（１）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、メッキ欠陥を低減する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．４ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．６ｍｇ以上、さらに好ましくは０．８ｍｇ以上である。一方、生産性向上の観点からは、２．６ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは２．１ｍｇ以下、さらに好ましくは１．７ｍｇ以下である。また、前記研磨量は、好ましくは０．４〜２．６ｍｇ、より好ましくは０．６〜２．１ｍｇ、さらに好ましくは０．８〜１．７ｍｇである。
工程（１）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、メッキ欠陥を低減する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．４ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．６ｍｇ以上、さらに好ましくは０．８ｍｇ以上である。一方、生産性向上の観点からは、２．６ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは２．１ｍｇ以下、さらに好ましくは１．７ｍｇ以下である。また、前記研磨量は、好ましくは０．４〜２．６ｍｇ、より好ましくは０．６〜２．１ｍｇ、さらに好ましくは０．８〜１．７ｍｇである。
［研磨液組成物Ａの供給速度］
工程（１）における研磨液組成物Ａの供給速度は、経済性の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以下が好ましく、０．２０ｍＬ／分以下がより好ましく、０．１５ｍＬ／分以下がさらに好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、０．０２５ｍＬ／分以上がより好ましく、０．０５ｍＬ／分以上がさらに好ましい。また、前記供給速度は、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１〜０．２５ｍＬ／分が好ましく、０．０２５〜０．２ｍＬ／分がより好ましく、０．０５〜０．１５ｍＬ／分がさらに好ましい。
工程（１）における研磨液組成物Ａの供給速度は、経済性の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以下が好ましく、０．２０ｍＬ／分以下がより好ましく、０．１５ｍＬ／分以下がさらに好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、０．０２５ｍＬ／分以上がより好ましく、０．０５ｍＬ／分以上がさらに好ましい。また、前記供給速度は、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１〜０．２５ｍＬ／分が好ましく、０．０２５〜０．２ｍＬ／分がより好ましく、０．０５〜０．１５ｍＬ／分がさらに好ましい。
[研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物Ａの保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Ａとなる。
研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物Ａの保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Ａとなる。
［工程（３）における研磨荷重］
工程（３）における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
工程（３）における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。
［工程（３）における研磨量］
工程（３）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０００４ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．００４ｍｇ以上、さらに好ましくは０．０１ｍｇ以上である。一方、生産性向上の観点から、好ましくは０．８５ｍｇ以下、より好ましくは０．４３ｍｇ以下、さらに好ましくは０．２６ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．１ｍｇ以下である。また、前記研磨量は、好ましくは０．０００４〜０．８５ｍｇ、より好ましくは０．００４〜０．４３ｍｇ、さらに好ましくは０．０１〜０．２６ｍｇ、さらにより好ましくは０．０１〜０．１０ｍｇである。
工程（３）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０００４ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．００４ｍｇ以上、さらに好ましくは０．０１ｍｇ以上である。一方、生産性向上の観点から、好ましくは０．８５ｍｇ以下、より好ましくは０．４３ｍｇ以下、さらに好ましくは０．２６ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．１ｍｇ以下である。また、前記研磨量は、好ましくは０．０００４〜０．８５ｍｇ、より好ましくは０．００４〜０．４３ｍｇ、さらに好ましくは０．０１〜０．２６ｍｇ、さらにより好ましくは０．０１〜０．１０ｍｇである。
［研磨液組成物Ｂの供給速度］
工程（３）における研磨液組成物Ｂの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
工程（３）における研磨液組成物Ｂの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
[研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりを低減する観点から、研磨液組成物Ａを供給する供給手段とは異なる供給手段から供給することが好ましい。
研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりを低減する観点から、研磨液組成物Ａを供給する供給手段とは異なる供給手段から供給することが好ましい。
粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり、並びに、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを抑制し、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、工程（３）の終了時にも被研磨基板をリンス処理する工程を含むことが好ましい。リンス液としては、水、イオン交換水、蒸留水等が使用できる。
工程（３）に含まれるリンス処理工程における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり、並びに、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを抑制し、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、１５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１０ｋＰａ以下、さらに好ましくは５ｋＰａ以下、また、同様の観点から、０．２ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．５ｋＰａ以上、さらに好ましくは１ｋＰａ以上である。
工程（３）に含まれるリンス処理工程におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり、並びに、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを抑制し、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．８ｍＬ／分以上、さらに好ましくは１ｍＬ／分以上であり、また、同様の観点から、４ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは２．５ｍＬ／分以下、さらに好ましくは２ｍＬ／分以下である。また、リンス処理工程におけるリンス液の供給時間は、同様の観点から、５秒以上が好ましく、１０秒以上がより好ましく、３０秒以下が好ましく、２０秒以下がより好ましい。
［工程（５）の研磨パッド］
工程（５）で使用される研磨パッドは、工程（１）〜（３）で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程（５）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥、スクラッチ、表面粗さを低減する観点から、１μｍ以上が好ましく、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上であり、また、同様の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下である。
工程（５）で使用される研磨パッドは、工程（１）〜（３）で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程（５）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥、スクラッチ、表面粗さを低減する観点から、１μｍ以上が好ましく、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上であり、また、同様の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下である。
［工程（５）における研磨荷重］
工程（５）における研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらに好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、３〜２５ｋＰａが好ましく、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらに好ましくは９〜１１ｋＰａである。
工程（５）における研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらに好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、３〜２５ｋＰａが好ましく、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらに好ましくは９〜１１ｋＰａである。
［工程（５）における研磨量］
工程（５）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０８５ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．１ｍｇ以上、さらに好ましくは０．１３ｍｇ以上、さらにより好ましくは０．１５ｍｇ以上である。また、生産性向上の観点からは、０．８５ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは０．７ｍｇ以下、さらに好ましくは０．５ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．４ｍｇ以下である。また、前記研磨量は、０．０８５〜０．８５ｍｇが好ましく、より好ましくは０．１〜０．７ｍｇ、さらに好ましくは０．１３〜０．５ｍｇ、さらにより好ましくは０．１５〜０．４ｍｇである。
工程（５）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０８５ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．１ｍｇ以上、さらに好ましくは０．１３ｍｇ以上、さらにより好ましくは０．１５ｍｇ以上である。また、生産性向上の観点からは、０．８５ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは０．７ｍｇ以下、さらに好ましくは０．５ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．４ｍｇ以下である。また、前記研磨量は、０．０８５〜０．８５ｍｇが好ましく、より好ましくは０．１〜０．７ｍｇ、さらに好ましくは０．１３〜０．５ｍｇ、さらにより好ましくは０．１５〜０．４ｍｇである。
［研磨液組成物Ｃの供給速度］
工程（５）における研磨液組成物Ｃの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
工程（５）における研磨液組成物Ｃの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
[研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
［研磨液組成物Ａ］
工程（１）で使用される研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子を含有する。
工程（１）で使用される研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子を含有する。
［研磨液組成物Ａ：アルミナ粒子］
前記アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、研磨速度向上の観点からは、αアルミナが好ましく、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥低減の観点からは、中間アルミナが好ましい。
前記アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、研磨速度向上の観点からは、αアルミナが好ましく、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥低減の観点からは、中間アルミナが好ましい。
アルミナ粒子の平均二次粒子径は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１５μｍ以上、さらに好ましくは０．２μｍ以上、さらにより好ましくは０．３μｍ以上、さらにより好ましくは０．４μｍ以上、さらにより好ましくは０．４５μｍ以上であり、また、同様の観点から、０．８μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．７５μｍ以下、さらに好ましくは０．７０μｍ以下、さらにより好ましくは０．６８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６５μｍ以下である。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ａにおけるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度向上の観点、並びに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０.１質量％以上、さらにより好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは２質量％以上であり、また、同様の観点から、３０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下、さらにより好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下である。また、研磨液組成物Ａに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度向上の観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましく、７０質量％以上がさらにより好ましい。
〔αアルミナ〕
本明細書において、αアルミナとは、Ｘ線回折により結晶中にαアルミナ特有の構造が認められる結晶性アルミナ粒子の総称である。αアルミナ特有の構造は、例えば、Ｘ線回折スペクトルにおける２θ領域３５．１〜３５．３°（１０４面）、４３．２〜４３．４°(１１３面)、５７．４〜５７．６°(１１６面)などに頂点があるピークの有無により確認できる。なお、本明細書では特に指示しない限り、αアルミナ特有ピークというときは１０４面のピークを意味する。
本明細書において、αアルミナとは、Ｘ線回折により結晶中にαアルミナ特有の構造が認められる結晶性アルミナ粒子の総称である。αアルミナ特有の構造は、例えば、Ｘ線回折スペクトルにおける２θ領域３５．１〜３５．３°（１０４面）、４３．２〜４３．４°(１１３面)、５７．４〜５７．６°(１１６面)などに頂点があるピークの有無により確認できる。なお、本明細書では特に指示しない限り、αアルミナ特有ピークというときは１０４面のピークを意味する。
前記αアルミナのα化率は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５０％以上であることが好ましく、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは９０％以上であり、また、同様の観点から、９９％以下であることが好ましく、より好ましくは９８％以下、さらに好ましくは９７％以下である。ここで、α化率とは、ＷＡ−１０００（α化率９９．９％のαアルミナ、昭和電工社製）を用いたＸ線回折法における２θ＝３５．１〜３５．３°由来の１０４面のピーク面積を９９．９％とした場合におけるαアルミナ特有ピークの相対面積の数値をいい、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。なお、α化率が前記範囲内のαアルミナを複数種混合して使用してもよい。
αアルミナの平均二次粒子径は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度の向上の観点から、０．１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１５μｍ以上、さらに好ましくは０．２０μｍ以上、さらにより好ましくは０．３０μｍ以上、さらにより好ましくは０．４０μｍ以上、さらにより好ましくは０．５０μｍ以上であり、また、同様の観点から、０．８０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．７５μｍ以下、さらに好ましくは０．７０μｍ以下、さらにより好ましくは０．６８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６５μｍ以下である。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ａにおけるαアルミナの含有量は、研磨速度向上の観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０.１質量％以上、さらにより好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは２質量％以上であり、また、同様の観点から、３０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下、さらにより好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下である。
〔中間アルミナ〕
研磨液組成物Ａは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、中間アルミナを含有することが好ましい。中間アルミナとは、αアルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγアルミナ、δアルミナ、θアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。中間アルミナの中でも、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、γアルミナ、δアルミナ、θアルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγアルミナ及びθアルミナ、さらに好ましくはθアルミナである。
研磨液組成物Ａは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、中間アルミナを含有することが好ましい。中間アルミナとは、αアルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγアルミナ、δアルミナ、θアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。中間アルミナの中でも、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、γアルミナ、δアルミナ、θアルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγアルミナ及びθアルミナ、さらに好ましくはθアルミナである。
中間アルミナの平均二次粒子径は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１０μｍ以上、さらにより好ましくは０．１２μｍ以上であり、また、同様の観点から、０．６μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．４μｍ以下、さらにより好ましくは０．３０μｍ以下、さらにより好ましくは０．２０μｍ以下である。なお、該平均二次粒子径は、前述のαアルミナの場合と同様の方法により求めることができる。
また、研磨液組成物Ａにおける中間アルミナの含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上、さらにより好ましくは０．２質量％以上、さらにより好ましくは０．３質量％以上であり、また、同様の観点から、２７質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下である。
研磨液組成物Ａは、研磨速度向上の観点、並びに、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アルミナ粒子として、αアルミナと中間アルミナとを含有することが好ましく、αアルミナとθアルミナとを含有することがより好ましい。
αアルミナと中間アルミナとを使用する場合、αアルミナと中間アルミナの質量比（αアルミナの質量％／中間アルミナの質量％）は、研磨速度の向上の観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、９０／１０〜１０／９０が好ましく、より好ましくは８５／１５〜４０／６０、さらに好ましくは８５／１５〜５０／５０、さらにより好ましくは８５／１５〜６０／４０、さらにより好ましくは８５／１５〜７０／３０、さらにより好ましくは８５／１５〜７５／２５である。
［研磨液組成物Ａ：シリカ粒子］
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、さらにシリカ粒子を含有することが好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、さらにシリカ粒子を含有することが好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。
シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上、さらに好ましくは５０ｎｍ以上、さらにより好ましくは６０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７５ｎｍ以下である。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは８ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらにより好ましくは３０ｎｍ以上、さらにより好ましくは４０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５５ｎｍ以下である。なお、該標準偏差は、実施例に記載の方法により求めることができる。
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ以上、さらに好ましくは３５ｎｍ以上、さらにより好ましくは５０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは８５ｎｍ以下、さらに好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは７０ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、さらに好ましくは６０ｎｍ以上、さらにより好ましくは６５ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下、さらにより好ましくは８５ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
アルミナ粒子とシリカ粒子とを併用する場合、アルミナ粒子とシリカ粒子の質量比（アルミナ粒子質量/シリカ粒子質量）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは１０/９０〜９０/１０、より好ましくは３０/７０〜８０/２０、さらに好ましくは４０/６０〜７５/２５、さらにより好ましくは５０/５０〜７０/３０、さらにより好ましくは５５/４５〜６５/３５である。
アルミナ粒子とシリカ粒子を併用する場合、アルミナ粒子の平均二次粒子径とシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）との比（アルミナ粒子径／シリカ粒子径）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、さらに好ましくは５以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１００以下、より好ましくは５０以下、さらに好ましくは２０以下である。
研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子の含有量としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．３質量％以上が好ましく、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは１．５質量％以上である。また、該含有量は、経済性、研磨速度の向上の観点から、２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下である。
［研磨液組成物Ａ：カチオン性重合体］
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、カチオン性重合体を含有することが好ましい。カチオン性重合体は、研磨液中で正帯電となり、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナ突き刺さり及びアルミナ付着を抑制していると考えられる。
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、カチオン性重合体を含有することが好ましい。カチオン性重合体は、研磨液中で正帯電となり、基板表面に吸着して保護膜を形成し、アルミナ突き刺さり及びアルミナ付着を抑制していると考えられる。
前記カチオン性重合体としては、研磨液組成物Ａ中で正帯電となる重合体を使用でき、例えば、ジアリルアミン重合体、ポリエチレンイミン等が挙げられる。これらのなかでも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、ジアリルアミン重合体及びポリエチレンイミンが好ましく、生産性を落とすことなく粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減できることから、ジアリルアミン重合体が好ましい。「ジアリルアミン重合体」とは、ジアリルアミン類のようなアリル基を２つ有するアミン化合物がモノマーとして導入された構成単位を有する重合体をいう。ポリエチレンイミンは、直鎖状、分岐状、環状構造のいずれのものであっても良い。また、本発明で用いられるジアリルアミン重合体及びポリエチレンイミンは水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
〔ジアリルアミン重合体〕
前記ジアリルアミン重合体は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、下記一般式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）で表される構成単位から選択される１種以上の構成単位を有することが好ましい。
前記ジアリルアミン重合体は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、下記一般式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）で表される構成単位から選択される１種以上の構成単位を有することが好ましい。
前記一般式（Ｉ−ａ）及び（Ｉ−ｂ）において、Ｒ1は水素原子、水酸基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示し、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、水素原子又は水酸基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましい。ここで、水酸基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、水酸基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、さらに好ましくはメチル基、エチル基であり、さらにより好ましくはメチル基である。また、炭素数７〜１０のアラルキル基としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、ベンジル基、フェネチル基などが好ましく挙げられる。これらの中でも、同様の観点から、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基、ベンジル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。ジアリルアミン重合体が、上記一般式（Ｉ−ａ）及び（Ｉ−ｂ）の構成単位を有する場合、Ｒ1は同一であってもよく異なっていてもよい。
前記一般式（Ｉ−ａ）及び（Ｉ−ｂ）で表される構成単位は、酸付加塩の形態であってもよい。酸付加塩としては、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、酢酸塩、硫酸塩、硝酸塩、亜硫酸塩、リン酸塩、アミド硫酸塩、メタンスルホン酸塩などが挙げられる。これらの中でも、塩酸塩、臭化水素酸塩、酢酸塩が好ましい。
前記一般式（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）において、Ｒ2は、水酸基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示す。水酸基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基の好ましい形態は、前記Ｒ1で説明したとおりである。
また、前記一般式（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）において、Ｒ3は、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示し、Ｄ-は、一価の陰イオンを示す。
前記炭素数１〜４のアルキル基は直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基が挙げられ、中でも粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、メチル基、エチル基が好ましい。前記炭素数７〜１０のアラルキル基としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり低減の観点から、ベンジル基、フェネチル基などが好ましく挙げられる。Ｄ-で表される一価の陰イオンとしては、例えばハロゲンイオン、メチルサルフェートイオン、エチルサルフェートイオンを挙げることができる。
一般式（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）において、＞Ｎ+Ｒ2Ｒ3・Ｄ-で表される部分構造（第四級アンモニウム塩構造単位の部分構造）の具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ−ジブチルアンモニウムクロリド、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアンモニウムクロリド、Ｎ−エチル−Ｎ−ベンジルアンモニウムクロリド、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアンモニウムクロリド及びこれらのクロリド類に対応するブロミド類、ヨージド類、メチルサルフェート類、エチルサルフェート類などを挙げることができる。中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウムクロリド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアンモニウムエチルサルフェート、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアンモニウムエチルサルフェートが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウムクロリドがより好ましい。
前記一般式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）で表される構成単位のうち、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、前記一般式（Ｉ−ａ）及び（Ｉ−ｃ）で表される構成単位から選ばれる一種以上を有することが好ましく、前記一般式（Ｉ−ｃ）で表される構成単位を有することがより好ましい。
前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における前記一般式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）及び（Ｉ−ｄ）で表される構成単位の合計含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、３０モル％以上が好ましく、より好ましくは３５モル％以上、さらに好ましくは４０モル％以上であり、また、同様の観点から、１００モル％以下が好ましく、より好ましくは９０モル％以下、さらに好ましくは８０モル％以下、さらにより好ましくは６０モル％以下である。
前記ジアリルアミン重合体は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、さらに下記一般式（II）で表される構成単位を有することが好ましい。
前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における前記一般式（II）で表される構成単位の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、１０モル％以上が好ましく、より好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、また、同様の観点から、７０モル％以下が好ましく、より好ましくは６０モル％以下である。
前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）の構成単位と、一般式（II）の構成単位とのモル比（一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）／一般式（II））は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、１００／０〜３０／７０が好ましく、９０／１０〜３０／７０がより好ましく、さらに好ましくは８０／２０〜４０／６０、さらにより好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらにより好ましくは６０／４０〜４０／６０である。
前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、前記一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）及び一般式（II）の構成単位の合計含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは６０モル％以上、さらに好ましくは７０モル％以上、さらにより好ましくは８０モル％以上、さらにより好ましくは９０モル％以上、さらにより好ましくは９５モル％以上、さらにより好ましくは９７モル％以上、さらにより好ましくは１００モル％である。
前記ジアリルアミン重合体は、前記一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）及び一般式（II）以外の構成単位を有していてもよい。その他の構成単位としては、エチレン性不飽和スルホン酸化合物由来の構成単位や、エチレン性不飽和カルボン酸化合物由来の構成単位、アクリルアミド化合物由来の構成単位が挙げられる。
前記エチレン性不飽和スルホン酸化合物としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度の向上の観点から、スチレンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、及びそれらのナトリウム塩が好ましい。
前記エチレン性不飽和カルボン酸化合物としては、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２-プロペン酸、３−ブテン酸、３−ブテン２酸、４−ペンテン酸、５−ヘキセン酸及びその塩が好ましい。
前記アクリルアミド化合物の構成としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミドが好ましい。
前記ジアリルアミン重合体の具体例としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減、並びに研磨速度の向上の観点から、ジアリルジメチルアンモニウム塩−二酸化硫黄、ジアリルジエチルアンモニウム塩−二酸化硫黄の共重合体が好ましい。
前記ジアリルアミン重合体の全構成単位中における、一般式（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｄ）の構成単位及び一般式（II）の構成単位以外の構成単位の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、研磨速度の向上の観点から、３０モル％以下が好ましく、２０モル％以下がより好ましく、１０モル％以下がさらに好ましく、５モル％以下がさらにより好ましく、実質的に含有しないことがさらにより好ましい。
〔前記ジアリルアミン重合体の製造方法〕
前記水溶性ジアリルアミン重合体は、極性溶媒中において、ラジカル開始剤の存在下、ジアリルアミン類の酸付加塩及び／又は第四級アンモニウム塩と、必要に応じて二酸化硫黄及びその他の構成単位を導入するための前記化合物とを重合させることにより製造することができる。
前記水溶性ジアリルアミン重合体は、極性溶媒中において、ラジカル開始剤の存在下、ジアリルアミン類の酸付加塩及び／又は第四級アンモニウム塩と、必要に応じて二酸化硫黄及びその他の構成単位を導入するための前記化合物とを重合させることにより製造することができる。
前記極性溶媒としては、例えば水、無機酸（塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸など）の水溶液、無機酸の金属塩（塩化亜鉛、塩化カルシウム、塩化マグネシウムなど）の水溶液、有機酸（ギ酸、酢酸、プロピオン酸、乳酸など）又はその水溶液、あるいは極性有機溶媒（アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミドなど）等を挙げることができるが、これらの混合物でもよい。また、これらの中で水系溶媒が好ましい。
前記ラジカル開始剤としては、例えば分子中にアゾ基を有する水溶性ラジカル開始剤や過硫酸塩系ラジカル開始剤を好ましく用いることができ、過硫酸塩系ラジカル開始剤がより好ましい。
前記ジアリルアミン類の酸付加塩としては、ジアリルアミン、Ｎ−メチルジアリルアミン、Ｎ−エチルジアリルアミン、Ｎ−プロピルジアリルアミン、Ｎ−ブチルジアリルアミン、Ｎ−２−ヒドロキシエチルジアリルアミン、Ｎ−２−ヒドロキシプロピルジアリルアミン、Ｎ−３−ヒドロキシプロピルジアリルアミンなどの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩、亜硫酸塩、リン酸塩、アミド硫酸塩、メタンスルホン酸塩が挙げられる。前記ジアリルアミン類の第四級アンモニウム塩としては、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、臭化ジアリルジメチルアンモニウム、沃化ジアリルジメチルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、塩化ジアリルジエチルアンモニウム、臭化ジアリルジエチルアンモニウム、沃化ジアリルジエチルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルジエチルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジエチルアンモニウム、塩化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、臭化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、沃化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルメチルベンジルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルメチルベンジルアンモニウム、塩化ジアリルエチルベンジルアンモニウム、臭化ジアリルエチルベンジルアンモニウム、沃化ジアリルエチルベンジルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルエチルベンジルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルエチルベンジルアンモニウムなどが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度向上の観点から、ジアリルアミン、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、メチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、塩化ジアリルジエチルアンモニウム、塩化ジアリルメチルベンジルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジエチルアンモニウムが好ましく、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、塩化ジアリルジエチルアンモニウム、エチル硫酸ジアリルジエチルアンモニウムが好ましく、塩化ジアリルジメチルアンモニウムがより好ましい。
研磨液組成物Ａにおけるカチオン性重合体の重量平均分子量は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、３００以上が好ましく、より好ましくは５００以上であり、また、同様の観点から、２０００００以下が好ましく、より好ましくは１０００００以下、さらに好ましくは５００００以下、さらにより好ましくは１００００以下である。
研磨液組成物Ａにおけるカチオン性重合体としてポリエチレンイミンを用いる場合、ポリエチレンイミンの重量平均分子量は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、３００以上が好ましく、より好ましくは５００以上であり、また、同様の観点から、５００００以下が好ましく、より好ましくは１００００以下、さらに好ましくは５０００以下、さらにより好ましくは３０００以下である。
研磨液組成物Ａにおけるカチオン性重合体としてジアリルアミン重合体を用いる場合、ジアリルアミン重合体の重量平均分子量は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５００以上が好ましく、より好ましくは１０００以上、さらに好ましくは２０００以上、さらにより好ましくは３０００以上であり、また、同様の観点から、１５００００以下が好ましく、より好ましくは５００００以下、さらに好ましくは１５０００以下、さらにより好ましくは８０００以下である。なお、該重量平均分子量は、実施例に記載の条件により求めることができる。
研磨液組成物Ａに含まれるジアリルアミン重合体の含有量は、研磨速度の向上、並びに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．００１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．００８質量％以上であり、また、同様の観点から、１．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．５質量％以下、さらに好ましくは０．３質量％以下、さらに好ましくは０．０５質量％以下である。
研磨液組成物Ａ中におけるジアリルアミン重合体とアルミナ粒子の含有量比（ジアリルアミン重合体の含有量/アルミナ含有量）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、０．００１以上が好ましく、より好ましくは０．００２以上であり、また、同様の観点から、０．０５以下が好ましく、より好ましくは０．０２以下、さらに好ましくは０．０１以下である。
［研磨液組成物Ａ：酸］
研磨液組成物Ａは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Ａにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましく、硫酸、クエン酸及びそれらの塩がさらに好ましい。
研磨液組成物Ａは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Ａにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましく、硫酸、クエン酸及びそれらの塩がさらに好ましい。
これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度の向上、並びに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸からなる群から選択される２種以上の酸を用いることがより好ましく、硫酸とクエン酸を用いることがさらに好ましい。
これらの酸の塩を用いる場合は、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、入手容易性の観点から、１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。
研磨液組成物Ａ中における前記酸の含有量は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．００１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上、さらにより好ましくは０．１０質量％以上であり、また、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下、さらにより好ましくは１質量％以下である。
［研磨液組成物Ａ：酸化剤］
前記研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、研磨速度及び粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（III）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（III）及び硫酸アンモニウム鉄（III）等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
前記研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、研磨速度及び粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（III）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（III）及び硫酸アンモニウム鉄（III）等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
研磨液組成物Ａ中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点、並びに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、また、同様の観点から、好ましくは４質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以下、さらにより好ましくは１質量％以下である。また、好ましくは０．０１〜４質量％、より好ましくは０．０５〜２質量％、さらに好ましくは０．１〜１．５質量％、さらにより好ましくは０．１〜１質量％である。
［研磨液組成物Ａ：水］
研磨液組成物Ａは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物Ａ中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、５５質量％以上が好ましく、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは８５質量％以上であり、また、同様の観点から、９９質量％以下が好ましく、より好ましくは９８質量％以下、さらに好ましくは９７質量％以下である。
研磨液組成物Ａは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物Ａ中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、５５質量％以上が好ましく、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは８５質量％以上であり、また、同様の観点から、９９質量％以下が好ましく、より好ましくは９８質量％以下、さらに好ましくは９７質量％以下である。
［研磨液組成物Ａ：その他の成分］
研磨液組成物Ａには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物Ａ中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。
研磨液組成物Ａには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物Ａ中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。
［研磨液組成物Ａ：ｐＨ］
前記研磨液組成物ＡのｐＨは、研磨速度を向上する観点、並びに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、前述の酸や公知のｐＨ調整剤を用いて、ｐＨ１．０〜６．０に調整することが好ましく、より好ましくはｐＨ１．０〜４．０、さらに好ましくはｐＨ１．０〜３．０、さらにより好ましくはｐＨ１．０〜２．０である。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の浸漬後４０分後の数値である。
前記研磨液組成物ＡのｐＨは、研磨速度を向上する観点、並びに粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、前述の酸や公知のｐＨ調整剤を用いて、ｐＨ１．０〜６．０に調整することが好ましく、より好ましくはｐＨ１．０〜４．０、さらに好ましくはｐＨ１．０〜３．０、さらにより好ましくはｐＨ１．０〜２．０である。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の浸漬後４０分後の数値である。
［研磨液組成物Ａ：調製方法］
研磨液組成物Ａは、例えば、アルミナ粒子及び水と、さらに所望により、シリカ粒子、カチオン性重合体、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。シリカ粒子を混合する場合、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。その他の態様として、研磨液組成物Ａを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。
研磨液組成物Ａは、例えば、アルミナ粒子及び水と、さらに所望により、シリカ粒子、カチオン性重合体、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。シリカ粒子を混合する場合、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。その他の態様として、研磨液組成物Ａを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。
［研磨液組成物Ｂ］
工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び水を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ａで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。
工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び水を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ａで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。
［研磨液組成物Ｂ：シリカ粒子］
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは５ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７０ｎｍ以下である。シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力が上昇して、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは５ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７０ｎｍ以下である。シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力が上昇して、効果的にアルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
また、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは８ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１２ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。一次粒子径の標準偏差が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力がさらに向上して、工程(１)で突き刺さったアルミナ粒子の効率的な引き抜きが起こり、アルミナ突き刺さりが低減されると考えられる。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥の低減の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは１８ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６２ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上、さらにより好ましくは２５ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ｂに含まれるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．３質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上がさらに好ましく、２質量％以上がさらにより好ましい。また、該含有量は、経済性の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、６質量％以下がさらにより好ましい。
また、研磨液組成物Ｂに含まれる研磨材全体に占めるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、６０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましく、１００質量％がさらにより好ましい。なお、研磨液組成物Ｂに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは実質的にアルミナ粒子を含有しない。
［研磨液組成物Ｂ：アニオン性重合体］
研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アニオン性重合体を含有することが好ましい。研磨液組成物Ｂに用いられるアニオン性重合体は、本明細書においては、アニオン性基を有する重合体のことをいう。アニオン性重合体は、研磨時に研磨パッドに吸着して、研磨パッド表面に水和層を形成し、研磨パッドの振動を抑制するとともに、さらにアルミナ粒子の分散性を向上させて、アルミナの突き刺さりを抑制すると考えられる。なお、該アニオン性重合体は水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アニオン性重合体を含有することが好ましい。研磨液組成物Ｂに用いられるアニオン性重合体は、本明細書においては、アニオン性基を有する重合体のことをいう。アニオン性重合体は、研磨時に研磨パッドに吸着して、研磨パッド表面に水和層を形成し、研磨パッドの振動を抑制するとともに、さらにアルミナ粒子の分散性を向上させて、アルミナの突き刺さりを抑制すると考えられる。なお、該アニオン性重合体は水溶性である。ここで「水溶性」とは、２０℃の水１００ｇに対する溶解度が２ｇ以上であることをいう。
アニオン性重合体のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。これらのアニオン性基は塩の形態であってもよい。アニオン性重合体は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、スルホン酸基及びカルボン酸基の少なくとも一方を有するアニオン性重合体が好ましい。
アニオン性基が塩を形成する場合、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属やアンモニウムが好ましく、１Ａ族に属する金属、アンモニウムがより好ましく、アンモニウム、ナトリウム及びカリウムがさらに好ましい。
アニオン性重合体は、例えば、スルホン酸基を有する単量体、カルボン酸基を有する単量体等のアニオン性基を有する単量体を重合することにより得られうる。これら単量体の重合は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよいが、ランダムが好ましい。
スルホン酸基を有する単量体の具体例としては、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。カルボン酸基を有する単量体としては、例えば、イタコン酸、（メタ）アクリル酸、マレイン酸等が挙げられる。リン酸エステル基又はホスホン酸基を有する単量体としては、例えば、ビニルホスホン酸、メタクロイルオキシメチルリン酸、メタクロリルオキシエチルリン酸、メタクロイルオキシブチルリン酸、メタクロリルオキシヘキシルリン酸、メタクロリルオキシオクチルリン酸、メタクロリルオキシデシルリン酸、メタクロリルオキシラウリルリン酸、メタロイルオキシステアリルリン酸、メタクロイルオキシ１、４−ジメチルシクロヘキシルリン酸が挙げられる。
また、アニオン性重合体には、上記以外の単量体を用いることもできる。他の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸オクチル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル類、ブタジエン、イソプレン、２−クロル−１，３−ブタジエン、１−クロル−１，３−ブタジエン等の脂肪族共役ジエン、（メタ）アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物が挙げられる。
アニオン性重合体の好ましい具体例としては、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸、アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、マレイン酸／スチレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸アルキルエステル／スチレンスルホン酸共重合体が挙げられるが、同様の観点から、ポリアクリル酸、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、スチレン／イソプレンスルホン酸共重合体、ポリスチレンスルホン酸、マレイン酸／スチレンスルホン酸共重合体、及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上が好ましく、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びスチレン／スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる１種以上がより好ましい。
アニオン性重合体が（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５モル％以上が好ましく、より好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、また、同様の観点から、９８モル％以下が好ましく、より好ましくは８０モル％以下、さらに好ましくは６０モル％以下、さらにより好ましくは５０モル％以下である。また、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）は、同様の観点から、９５／５〜２／９８が好ましく、より好ましくは８０／２０〜２０／８０、さらに好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらにより好ましくは６０／４０〜５０／５０である。
また、アニオン性重合体が、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、２０モル％以上が好ましく、より好ましくは３０モル％以上、さらに好ましくは４０モル％以上、さらにより好ましくは５０モル％以上であり、また、同様の観点から、９５モル％以下が好ましく、より好ましくは８５モル％以下、さらに好ましくは７５モル％以下、さらにより好ましくは７０モル％以下である。また、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）は、同様の観点から、８０／２０〜５／９５が好ましく、より好ましくは７０／３０〜１５／８５、さらに好ましくは６０／４０〜２５／７５、さらにより好ましくは５０／５０〜３０／７０である。
アニオン性重合体の重量平均分子量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、５００以上であることが好ましく、より好ましくは１０００以上、さらに好ましくは２０００以上、さらにより好ましくは２５００以上であり、また、同様の観点から、１０万以下であることが好ましく、より好ましくは５万以下、さらに好ましくは３万以下、さらにより好ましくは２万以下である。該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ｂ中におけるアニオン性重合体の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．００１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．００８質量％以上、さらにより好ましくは０．０１質量％以上であり、また、同様の観点から、１．０質量％以下が好ましく、より好ましくは０．５質量％以下、さらに好ましくは０．１質量％以下、さらにより好ましくは０．０５質量％以下である。
また、研磨液組成物Ｂにおける、シリカ粒子とアニオン性重合体との含有量比［シリカ粒子含有量（質量％）／アニオン性重合体含有量（質量％）］は粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．１以上が好ましく、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは５以上、さらにより好ましくは５０以上であり、また、同様の観点から、３００００以下が好ましく、より好ましくは１００００以下、さらに好ましくは５０００以下、さらにより好ましくは５００以下である。
[研磨液組成物Ｂ：複素環化合物]
研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、複素環化合物を含有することが好ましい。研磨液組成物Ｂに使用される「複素環化合物」は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、正電荷を有することが好ましく、含窒素複素環化合物であることがより好ましい。前記正電荷が、基板表面及び残留アルミナ粒子に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。本明細書において「複素環化合物」は、脂肪族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）及び芳香族複素環化合物を含み、前記芳香族複素環化合物として、五員芳香族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、イミダゾール、イミダゾリン、ピラゾール及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）、六員芳香族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、ピリジン、ピリダジン及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）、及び、多環芳香族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、ベンゾトリアゾール及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）を含みうる。
研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、複素環化合物を含有することが好ましい。研磨液組成物Ｂに使用される「複素環化合物」は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、正電荷を有することが好ましく、含窒素複素環化合物であることがより好ましい。前記正電荷が、基板表面及び残留アルミナ粒子に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。本明細書において「複素環化合物」は、脂肪族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）及び芳香族複素環化合物を含み、前記芳香族複素環化合物として、五員芳香族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、イミダゾール、イミダゾリン、ピラゾール及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）、六員芳香族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、ピリジン、ピリダジン及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）、及び、多環芳香族複素環化合物（限定されない一又は複数の実施形態において、ベンゾトリアゾール及びこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体など）を含みうる。
研磨液組成物Ｂに使用される「複素環化合物」は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピリジン、１，２，３−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、３-アミノピラゾール、４−アミノピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、ピラゾール、２−アミノイミダゾール、４−アミノイミダゾール、５−アミノイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、１，２，３−トリアゾール、４−アミノー１，２，３−トリアゾール、５−アミノー１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノー１，２，４−トリアゾール、５−アミノー１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノテトラゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−トリルトリアゾール、２−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノベンゾトリアゾール、又はこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体が挙げられる。前記アルキル置換体のアルキル基としては例えば、炭素数１〜４の低級アルキル基が挙げられ、より具体的にはメチル基、エチル基が挙げられる。また、前記アミン置換体としては１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]ベンゾトリアゾール、１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]トリルトリアゾールが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、入手容易性の観点から、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、ピリジン、イミダゾール、ピラゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾールが好ましく、ピリジン、ピラゾール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１Ｈ−ベンゾトリアゾールがより好ましく、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１Ｈ−ベンゾトリアゾールがさらに好ましく、１Ｈ−ベンゾトリアゾールがさらにより好ましい。なお、複素環化合物は、１種でも、２種以上を使用してもよい。
研磨液組成物Ｂにおける複素環化合物の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０００５質量％以上が好ましく、より好ましくは０．００１質量％以上、さらに好ましくは０．００５質量％以上、さらにより好ましくは０．００８質量％以上であり、また、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、さらにより好ましくは０．１質量％以下、さらにより好ましくは０．０５質量％以下である。
また、研磨液組成物Ｂにおける、シリカ粒子と芳香族複素環化合物との含有量比［シリカ粒子の含有量（質量％）／複素環化合物の含有量（質量％）］は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０１以上が好ましく、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは５以上、さらにより好ましくは５０以上、さらにより好ましくは１００以上であり、また、同様の観点から、３０００以下が好ましく、より好ましくは１０００以下、さらに好ましくは５００以下、さらにより好ましくは４００以下、さらにより好ましくは３５０以下である。
[研磨液組成物Ｂ：含窒素化合物]
研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、含窒素化合物を含有することが好ましい。研磨液組成物Ｂに使用される「含窒素化合物」は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、水溶液中で正電荷を有することが好ましい。前記正電荷が、基板表面及び残留アルミナ粒子に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。本明細書において、「含窒素化合物」は、脂肪族アミン化合物を含む。前記脂肪族アミン化合物は、脂肪族第一級アミン化合物（R-NH2で表わされるもの；例えば、エチルアミン、プロピルアミン、エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンなど）、脂肪族第二級アミン化合物（R2NHで表わされるもの；例えば、エチルメチルアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミンなど）、及び脂肪族第三級アミン化合物（R3Nで表わされるもの；例えば、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミンなど）を含みうる。また、本明細書において脂肪族アミン化合物は、好ましい一態様において、鎖式化合物である。
研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、含窒素化合物を含有することが好ましい。研磨液組成物Ｂに使用される「含窒素化合物」は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、水溶液中で正電荷を有することが好ましい。前記正電荷が、基板表面及び残留アルミナ粒子に吸着して保護膜を形成し、アルミナの再付着を防止すると考えられる。本明細書において、「含窒素化合物」は、脂肪族アミン化合物を含む。前記脂肪族アミン化合物は、脂肪族第一級アミン化合物（R-NH2で表わされるもの；例えば、エチルアミン、プロピルアミン、エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンなど）、脂肪族第二級アミン化合物（R2NHで表わされるもの；例えば、エチルメチルアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミンなど）、及び脂肪族第三級アミン化合物（R3Nで表わされるもの；例えば、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミンなど）を含みうる。また、本明細書において脂肪族アミン化合物は、好ましい一態様において、鎖式化合物である。
研磨液組成物Ｂに使用される含窒素化合物は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、エチルアミン、プロピルアミン、エタノールアミン、エチルメチルアミン、メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、ジメチルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンが挙げられる。これらの中でも、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、エタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、及びポリエチレンイミンがさらにより好ましく、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンがさらにより好ましく、エチレンジアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、ジエチレントリアミンがさらにより好ましく、Ｎ−アミノエチルエタノールアミンがさらにより好ましい。なお、含窒素化合物は、１種でも、２種以上を使用してもよい。
研磨液組成物Ｂにおける含窒素化合物の含有量は、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０００５質量％以上が好ましく、より好ましくは０．００１質量％以上、さらに好ましくは０．００２質量％以上、さらにより好ましくは０．００８質量％以上であり、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点から、５質量％以下が好ましく、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．２質量％以下、さらにより好ましくは０．０８質量％以下、さらにより好ましくは０．０３質量％以下である。
また、研磨液組成物Ｂにおける、シリカ粒子と含窒素化合物との含有量比［シリカ粒子の含有量（質量％）／含窒素化合物の含有量（質量％）］は、粗研磨工程における研磨速度を維持する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．０１以上が好ましく、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは５以上、さらにより好ましくは５０以上、さらにより好ましくは１００以上であり、また、同様の観点から、３０００以下が好ましく、より好ましくは１０００以下、さらに好ましくは５００以下、さらにより好ましくは４００以下、さらにより好ましくは３５０以下である。
研磨液組成物Ｂは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。好ましい酸、酸化剤については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様であり、さらに酸としては硫酸が好ましい。また、研磨液組成物Ｂに用いられる水、その他成分、研磨液組成物ＢのｐＨ、研磨液組成物Ｂの調製方法についても、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。
［研磨液組成物Ｃ］
工程（５）で使用される研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度向上の観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ｂで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。また、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アルミナ粒子を含有しないことが好ましい。
工程（５）で使用される研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度向上の観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ｂで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。また、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、アルミナ粒子を含有しないことが好ましい。
研磨液組成物Ｃに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは５ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、好ましくは８ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１２ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２０ｎｍ以下である。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは１８ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上、さらにより好ましくは２５ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
研磨液組成物Ｃに含まれるシリカ粒子の含有量は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、２質量％以上がさらに好ましく、２．５質量％以上がさらにより好ましく、また、同様の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、５質量％以下がさらにより好ましい。
研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点から、複素環化合物、含窒素化合物、及びアニオン性重合体から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、２種以上含有することがより好ましく、複素環化合物、含窒素化合物、及びアニオン性重合体を含有することがさらに好ましい。研磨液組成物Ｃに用いられる複素環化合物、含窒素化合物、及びアニオン性重合体の好ましい態様は研磨液組成物Ｂの場合と同様である。
研磨液組成物Ｃは、研磨速度を向上する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。酸、酸化剤の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様であり、さらに酸としては硫酸が好ましい。また、研磨液組成物Ｃに用いられる水、その他成分、研磨液組成物ＣのｐＨ、研磨液組成物Ｃの調製方法については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。
［洗浄剤組成物］
工程（４）の洗浄では、洗浄剤組成物を用いることが好ましい。前記洗浄剤組成物としては、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。
工程（４）の洗浄では、洗浄剤組成物を用いることが好ましい。前記洗浄剤組成物としては、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。
〔アルカリ剤〕
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
洗浄剤組成物の基板上の残留物の分散性の向上、保存安定性の向上の観点から、前記アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
洗浄剤組成物中におけるアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する高い洗浄性を発現させ、かつ、取扱時の安全性を高める観点から、０．０５質量％以上であると好ましく、０．１質量％以上であるとより好ましく、また、同様の観点から、１０質量％以下であると好ましく、３質量％以下であるとより好ましい。
洗浄剤組成物のｐＨは、基板上の残留物の分散性を向上させる観点から、８以上であることが好ましく、より好ましくは９以上、さらに好ましくは１０以上、さらにより好ましくは１１以上であり、また、同様の観点から、１３以下であることが好ましい。なお、上記のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後４０分後の数値である。
〔各種添加剤〕
前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤（成分に該当する界面活性剤は除く。）、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。
前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤（成分に該当する界面活性剤は除く。）、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。
前記洗浄剤組成物に含まれる水以外の成分の含有量は、基板上の残留物の分散性の向上及び、濃縮時・使用時の保存安定性の向上の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を１００質量％とすると、好ましくは１０質量％以上であり、より好ましくは１５質量％以上であり、また、同様の観点から、好ましくは６０質量％以下であり、より好ましくは５０質量％以下であり、さらに好ましくは４０質量％以下である。
前記洗浄剤組成物は、希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは１０倍以上、より好ましくは２０倍以上、さらに好ましくは５０倍以上であり、また、同様の観点から、好ましくは５００倍以下、より好ましくは２００倍以下、さらに好ましくは１００倍以下である。希釈用の水は、前述の研磨液組成物と同様のものでよい。
本発明の基板製造方法によれば、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を提供できるため、高度の表面平滑性が要求される垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。
［研磨方法］
本発明は、さらにその他の態様として、下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の研磨方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
本発明は、さらにその他の態様として、下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の研磨方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
なお、本発明の研磨方法における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物Ａ〜Ｃの組成、リンス処理の方法、洗浄剤組成物、並びに、研磨の方法及び条件については、上述の本発明の基板製造方法と同様とすることができる。
本態様の研磨方法によれば、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができ、製品歩留まりの低下を抑制して基板品質が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
本発明の研磨方法を使用することにより、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さり及び仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥が低減して品質が向上した磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が好ましくは提供される。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。
本発明はさらに以下の限定されない一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞ 下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の製造方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
＜２＞ 前記リンス処理の研磨荷重が、１００％以下、好ましくは９０％以下、より好ましくは８５％以下、さらに好ましくは７５％以下、さらにより好ましくは６５％以下であり、又は、４０％以上、好ましくは４５％以上、より好ましくは５５％以上であり、又は、４０％〜１００％、好ましくは４０％〜９０％、より好ましくは４０％〜８５％、さらに好ましくは４０％〜７５％、さらにより好ましくは４５％〜６５％、さらにより好ましくは５５％〜６５％である、＜１＞記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜３＞ 前記リンス処理の時間が、１００秒以下、好ましくは９０秒以下、より好ましくは８０秒以下、さらにより好ましくは７０秒以下、さらにより好ましくは６５秒以下であり、又は、１０秒以上、好ましくは１０秒を超える時間、より好ましくは１５秒以上、さらにより好ましくは２０秒以上、さらにより好ましくは３０秒以上、さらにより好ましくは３５秒以上であり、又は、１０秒以上１２０未満、好ましくは１０秒を超え１００秒以下、より好ましくは１５〜９０秒、さらに好ましくは２０〜８０秒、さらにより好ましくは３０〜７０秒、さらにより好ましくは３５〜６５秒である、＜１＞又は＜２＞に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜４＞ 前記リンス液組成物が、酸性又はアルカリ性であり、酸性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、０．５以上であり、好ましくは１．５以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．５以上であり、又は、６．０以下、好ましくは５．５以下、より好ましくは５．０以下、さらに好ましくは４．５以下であり、又は、０．５〜６．０、好ましくは１．５〜５．５、より好ましくは２．５〜５．０、さらに好ましくは３．５〜４．５であり、アルカリ性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、８．０以上、好ましくは９．０以上、より好ましくは１０．０以上、さらに好ましくは１１．０以上であり、又は、１２．５以下、好ましくは１２．０以下であり、又は、８．０〜１２．５、好ましくは９．０〜１２．５、より好ましくは１０．０〜１２．０、さらに好ましくは１１．０〜１２．０である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜５＞ 前記リンス処理のリンス液の供給速度が、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上、好ましくは０．８ｍＬ／分以上、より好ましくは１ｍＬ／分以上であり、又は、被研磨基板１ｃｍ2あたり４ｍＬ／分以下、好ましくは２．５ｍＬ／分以下、より好ましくは２ｍＬ／分以下であり、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５〜４ｍＬ／分であり、好ましくは０．８〜２．５ｍＬ／分であり、より好ましくは１〜２ｍＬ／分である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜６＞ 前記リンス処理の被研磨基板の線速度が、０．２０ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは０．３０ｍ／ｓｅｃ以上、より好ましくは０．５０ｍ／ｓｅｃ以上、さらに好ましくは０．６０ｍ／ｓｅｃ以上であり、又は、１．００ｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは０．９０ｍ／ｓｅｃ以下、より好ましくは０．８０ｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは０．７５ｍ／ｓｅｃ以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜７＞ 前記リンス液組成物が、さらに、アニオン性重合体を含有する、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜８＞ 前記アニオン性重合体が（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、５モル％以上、好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、又は、９８モル％以下、好ましくは８０モル％以下、より好ましくは６０モル％以下、さらに好ましくは５０モル％以下あり、又は、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）が、９５／５〜２／９８、好ましくは８０／２０〜２０／８０、より好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらに好ましくは６０／４０〜５０／５０である、＜７＞記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜９＞ 前記アニオン性重合体がスチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、２０モル％以上、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは４０モル％以上、さらに好ましくは５０モル％以上、又は、９５モル％以下、好ましくは８５モル％以下、より好ましくは７５モル％以下、さらに好ましくは７０モル％以下であり、又は、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）が、８０／２０〜５／９５、好ましくは７０／３０〜１５／８５、より好ましくは６０／４０〜２５／７５、さらに好ましくは５０／５０〜３０／７０である、＜７＞記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１０＞ 前記アニオン性重合体の重量平均分子量が、５００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、さらに好ましくは２５００以上であり、又は、１０万以下、好ましくは５万以下、より好ましくは３万以下、さらに好ましくは２万以下である、＜７＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１１＞ リンス液組成物における前記アニオン性重合体の含有量が、０．００１質量％以上、好ましくは０．００５質量％以上、より好ましくは０．０１０質量％以上であり、又は、０．５００質量％以下、好ましくは０．２００質量％以下、より好ましくは０．１００質量％以下、さらに好ましくは０．０７５質量％以下、さらにより好ましくは０．０５０質量％以下である、＜７＞から＜１０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１２＞ 前記研磨液組成物Ａが、カチオン性重合体を含有する、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１３＞ 前記研磨液組成物Ｂが、スルホン酸基及び／又はカルボン酸基を有する構成単位を含むアニオン性重合体を含有する、＜１＞から＜１２＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１４＞ 前記研磨液組成物Ｂが、脂肪族複素環化合物又は芳香族複素環化合物を含有する、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１５＞ 前記研磨液組成物Ｂが、ヒドロキシ基数が１以上である含窒素化合物を含有する、＜１＞から＜１４＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１６＞ 前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、＜１＞から＜１５＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１７＞ 前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１８＞ 下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の研磨方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の研磨方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
＜１９＞ 前記リンス処理の研磨荷重が、１００％以下、好ましくは９０％以下、より好ましくは８５％以下、さらに好ましくは７５％以下、さらにより好ましくは６５％以下であり、又は、４０％以上、好ましくは４５％以上、より好ましくは５５％以上であり、又は、４０％〜１００％、好ましくは４０％〜９０％、より好ましくは４０％〜８５％、さらに好ましくは４０％〜７５％、さらにより好ましくは４５％〜６５％、さらにより好ましくは５５％〜６５％である、＜１８＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２０＞ 前記リンス処理の時間が、１００秒以下、好ましくは９０秒以下、より好ましくは８０秒以下、さらにより好ましくは７０秒以下、さらにより好ましくは６５秒以下であり、又は、１０秒以上、好ましくは１０秒を超える時間、より好ましくは１５秒以上、さらにより好ましくは２０秒以上、さらにより好ましくは３０秒以上、さらにより好ましくは３５秒以上であり、又は、１０秒以上１２０未満、好ましくは１０秒を超え１００秒以下、より好ましくは１５〜９０秒、さらに好ましくは２０〜８０秒、さらにより好ましくは３０〜７０秒、さらにより好ましくは３５〜６５秒である、＜１８＞又は＜１９＞に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２１＞ 前記リンス液組成物が、酸性又はアルカリ性であり、酸性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、０．５以上であり、好ましくは１．５以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．５以上であり、又は、６．０以下、好ましくは５．５以下、より好ましくは５．０以下、さらに好ましくは４．５以下であり、又は、０．５〜６．０、好ましくは１．５〜５．５、より好ましくは２．５〜５．０、さらに好ましくは３．５〜４．５であり、アルカリ性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、８．０以上、好ましくは９．０以上、より好ましくは１０．０以上、さらに好ましくは１１．０以上であり、又は、１２．５以下、好ましくは１２．０以下であり、又は、８．０〜１２．５、好ましくは９．０〜１２．５、より好ましくは１０．０〜１２．０、さらに好ましくは１１．０〜１２．０である、＜１８＞から＜２０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２２＞ 前記リンス処理のリンス液の供給速度が、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上、好ましくは０．８ｍＬ／分以上、より好ましくは１ｍＬ／分以上であり、又は、被研磨基板１ｃｍ2あたり４ｍＬ／分以下、好ましくは２．５ｍＬ／分以下、より好ましくは２ｍＬ／分以下であり、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５〜４ｍＬ／分であり、好ましくは０．８〜２．５ｍＬ／分であり、より好ましくは１〜２ｍＬ／分である、＜１８＞から＜２１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２３＞ 前記リンス処理の被研磨基板の線速度が、０．２０ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは０．３０ｍ／ｓｅｃ以上、より好ましくは０．５０ｍ／ｓｅｃ以上、さらに好ましくは０．６０ｍ／ｓｅｃ以上であり、又は、１．００ｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは０．９０ｍ／ｓｅｃ以下、より好ましくは０．８０ｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは０．７５ｍ／ｓｅｃ以下である、＜１８＞から＜２２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２４＞ 前記リンス液組成物が、さらに、アニオン性重合体を含有する、＜１８＞から＜２３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２５＞ 前記アニオン性重合体が（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、５モル％以上、好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、又は、９８モル％以下、好ましくは８０モル％以下、より好ましくは６０モル％以下、さらに好ましくは５０モル％以下あり、又は、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）が、９５／５〜２／９８、好ましくは８０／２０〜２０／８０、より好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらに好ましくは６０／４０〜５０／５０である、＜２４＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２６＞ 前記アニオン性重合体がスチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、２０モル％以上、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは４０モル％以上、さらに好ましくは５０モル％以上、又は、９５モル％以下、好ましくは８５モル％以下、より好ましくは７５モル％以下、さらに好ましくは７０モル％以下であり、又は、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）が、８０／２０〜５／９５、好ましくは７０／３０〜１５／８５、より好ましくは６０／４０〜２５／７５、さらに好ましくは５０／５０〜３０／７０である、＜２４＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２７＞ 前記アニオン性重合体の重量平均分子量が、５００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、さらに好ましくは２５００以上であり、又は、１０万以下、好ましくは５万以下、より好ましくは３万以下、さらに好ましくは２万以下である、＜２４＞から＜２６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２８＞ リンス液組成物における前記アニオン性重合体の含有量が、０．００１質量％以上、好ましくは０．００５質量％以上、より好ましくは０．０１０質量％以上であり、又は、０．５００質量％以下、好ましくは０．２００質量％以下、より好ましくは０．１００質量％以下、さらに好ましくは０．０７５質量％以下、さらにより好ましくは０．０５０質量％以下である、＜２４＞から＜２７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２９＞ 前記研磨液組成物Ａが、カチオン性重合体を含有する、＜１８＞から＜２８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３０＞ 前記研磨液組成物Ｂが、スルホン酸基及び／又はカルボン酸基を有する構成単位を含むアニオン性重合体を含有する、＜１８＞から＜２９＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３１＞ 前記研磨液組成物Ｂが、脂肪族複素環化合物又は芳香族複素環化合物を含有する、＜１８＞から＜３０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３２＞ 前記研磨液組成物Ｂが、ヒドロキシ基数が１以上である含窒素化合物を含有する、＜１８＞から＜３１＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３３＞ 前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、＜１８＞から＜３２＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３４＞ 前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、＜１８＞から＜３３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３＞ 前記リンス処理の時間が、１００秒以下、好ましくは９０秒以下、より好ましくは８０秒以下、さらにより好ましくは７０秒以下、さらにより好ましくは６５秒以下であり、又は、１０秒以上、好ましくは１０秒を超える時間、より好ましくは１５秒以上、さらにより好ましくは２０秒以上、さらにより好ましくは３０秒以上、さらにより好ましくは３５秒以上であり、又は、１０秒以上１２０未満、好ましくは１０秒を超え１００秒以下、より好ましくは１５〜９０秒、さらに好ましくは２０〜８０秒、さらにより好ましくは３０〜７０秒、さらにより好ましくは３５〜６５秒である、＜１＞又は＜２＞に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜４＞ 前記リンス液組成物が、酸性又はアルカリ性であり、酸性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、０．５以上であり、好ましくは１．５以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．５以上であり、又は、６．０以下、好ましくは５．５以下、より好ましくは５．０以下、さらに好ましくは４．５以下であり、又は、０．５〜６．０、好ましくは１．５〜５．５、より好ましくは２．５〜５．０、さらに好ましくは３．５〜４．５であり、アルカリ性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、８．０以上、好ましくは９．０以上、より好ましくは１０．０以上、さらに好ましくは１１．０以上であり、又は、１２．５以下、好ましくは１２．０以下であり、又は、８．０〜１２．５、好ましくは９．０〜１２．５、より好ましくは１０．０〜１２．０、さらに好ましくは１１．０〜１２．０である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜５＞ 前記リンス処理のリンス液の供給速度が、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上、好ましくは０．８ｍＬ／分以上、より好ましくは１ｍＬ／分以上であり、又は、被研磨基板１ｃｍ2あたり４ｍＬ／分以下、好ましくは２．５ｍＬ／分以下、より好ましくは２ｍＬ／分以下であり、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５〜４ｍＬ／分であり、好ましくは０．８〜２．５ｍＬ／分であり、より好ましくは１〜２ｍＬ／分である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜６＞ 前記リンス処理の被研磨基板の線速度が、０．２０ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは０．３０ｍ／ｓｅｃ以上、より好ましくは０．５０ｍ／ｓｅｃ以上、さらに好ましくは０．６０ｍ／ｓｅｃ以上であり、又は、１．００ｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは０．９０ｍ／ｓｅｃ以下、より好ましくは０．８０ｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは０．７５ｍ／ｓｅｃ以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜７＞ 前記リンス液組成物が、さらに、アニオン性重合体を含有する、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜８＞ 前記アニオン性重合体が（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、５モル％以上、好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、又は、９８モル％以下、好ましくは８０モル％以下、より好ましくは６０モル％以下、さらに好ましくは５０モル％以下あり、又は、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）が、９５／５〜２／９８、好ましくは８０／２０〜２０／８０、より好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらに好ましくは６０／４０〜５０／５０である、＜７＞記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜９＞ 前記アニオン性重合体がスチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、２０モル％以上、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは４０モル％以上、さらに好ましくは５０モル％以上、又は、９５モル％以下、好ましくは８５モル％以下、より好ましくは７５モル％以下、さらに好ましくは７０モル％以下であり、又は、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）が、８０／２０〜５／９５、好ましくは７０／３０〜１５／８５、より好ましくは６０／４０〜２５／７５、さらに好ましくは５０／５０〜３０／７０である、＜７＞記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１０＞ 前記アニオン性重合体の重量平均分子量が、５００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、さらに好ましくは２５００以上であり、又は、１０万以下、好ましくは５万以下、より好ましくは３万以下、さらに好ましくは２万以下である、＜７＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１１＞ リンス液組成物における前記アニオン性重合体の含有量が、０．００１質量％以上、好ましくは０．００５質量％以上、より好ましくは０．０１０質量％以上であり、又は、０．５００質量％以下、好ましくは０．２００質量％以下、より好ましくは０．１００質量％以下、さらに好ましくは０．０７５質量％以下、さらにより好ましくは０．０５０質量％以下である、＜７＞から＜１０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１２＞ 前記研磨液組成物Ａが、カチオン性重合体を含有する、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１３＞ 前記研磨液組成物Ｂが、スルホン酸基及び／又はカルボン酸基を有する構成単位を含むアニオン性重合体を含有する、＜１＞から＜１２＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１４＞ 前記研磨液組成物Ｂが、脂肪族複素環化合物又は芳香族複素環化合物を含有する、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１５＞ 前記研磨液組成物Ｂが、ヒドロキシ基数が１以上である含窒素化合物を含有する、＜１＞から＜１４＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１６＞ 前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、＜１＞から＜１５＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１７＞ 前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１８＞ 下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の研磨方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の研磨方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
＜１９＞ 前記リンス処理の研磨荷重が、１００％以下、好ましくは９０％以下、より好ましくは８５％以下、さらに好ましくは７５％以下、さらにより好ましくは６５％以下であり、又は、４０％以上、好ましくは４５％以上、より好ましくは５５％以上であり、又は、４０％〜１００％、好ましくは４０％〜９０％、より好ましくは４０％〜８５％、さらに好ましくは４０％〜７５％、さらにより好ましくは４５％〜６５％、さらにより好ましくは５５％〜６５％である、＜１８＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２０＞ 前記リンス処理の時間が、１００秒以下、好ましくは９０秒以下、より好ましくは８０秒以下、さらにより好ましくは７０秒以下、さらにより好ましくは６５秒以下であり、又は、１０秒以上、好ましくは１０秒を超える時間、より好ましくは１５秒以上、さらにより好ましくは２０秒以上、さらにより好ましくは３０秒以上、さらにより好ましくは３５秒以上であり、又は、１０秒以上１２０未満、好ましくは１０秒を超え１００秒以下、より好ましくは１５〜９０秒、さらに好ましくは２０〜８０秒、さらにより好ましくは３０〜７０秒、さらにより好ましくは３５〜６５秒である、＜１８＞又は＜１９＞に記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２１＞ 前記リンス液組成物が、酸性又はアルカリ性であり、酸性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、０．５以上であり、好ましくは１．５以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．５以上であり、又は、６．０以下、好ましくは５．５以下、より好ましくは５．０以下、さらに好ましくは４．５以下であり、又は、０．５〜６．０、好ましくは１．５〜５．５、より好ましくは２．５〜５．０、さらに好ましくは３．５〜４．５であり、アルカリ性の場合前記リンス液組成物のｐＨが、８．０以上、好ましくは９．０以上、より好ましくは１０．０以上、さらに好ましくは１１．０以上であり、又は、１２．５以下、好ましくは１２．０以下であり、又は、８．０〜１２．５、好ましくは９．０〜１２．５、より好ましくは１０．０〜１２．０、さらに好ましくは１１．０〜１２．０である、＜１８＞から＜２０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２２＞ 前記リンス処理のリンス液の供給速度が、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上、好ましくは０．８ｍＬ／分以上、より好ましくは１ｍＬ／分以上であり、又は、被研磨基板１ｃｍ2あたり４ｍＬ／分以下、好ましくは２．５ｍＬ／分以下、より好ましくは２ｍＬ／分以下であり、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５〜４ｍＬ／分であり、好ましくは０．８〜２．５ｍＬ／分であり、より好ましくは１〜２ｍＬ／分である、＜１８＞から＜２１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２３＞ 前記リンス処理の被研磨基板の線速度が、０．２０ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは０．３０ｍ／ｓｅｃ以上、より好ましくは０．５０ｍ／ｓｅｃ以上、さらに好ましくは０．６０ｍ／ｓｅｃ以上であり、又は、１．００ｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは０．９０ｍ／ｓｅｃ以下、より好ましくは０．８０ｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは０．７５ｍ／ｓｅｃ以下である、＜１８＞から＜２２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２４＞ 前記リンス液組成物が、さらに、アニオン性重合体を含有する、＜１８＞から＜２３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２５＞ 前記アニオン性重合体が（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占める２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、５モル％以上、好ましくは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以上、さらにより好ましくは４０モル％以上であり、又は、９８モル％以下、好ましくは８０モル％以下、より好ましくは６０モル％以下、さらに好ましくは５０モル％以下あり、又は、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）が、９５／５〜２／９８、好ましくは８０／２０〜２０／８０、より好ましくは７０／３０〜４０／６０、さらに好ましくは６０／４０〜５０／５０である、＜２４＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２６＞ 前記アニオン性重合体がスチレン／スチレンスルホン酸共重合体である場合、共重合体を構成する全構成単位中に占めるスチレンスルホン酸由来の構成単位の含有率が、２０モル％以上、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは４０モル％以上、さらに好ましくは５０モル％以上、又は、９５モル％以下、好ましくは８５モル％以下、より好ましくは７５モル％以下、さらに好ましくは７０モル％以下であり、又は、スチレンとスチレンスルホン酸との重合モル比（スチレン／スチレンスルホン酸）が、８０／２０〜５／９５、好ましくは７０／３０〜１５／８５、より好ましくは６０／４０〜２５／７５、さらに好ましくは５０／５０〜３０／７０である、＜２４＞記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２７＞ 前記アニオン性重合体の重量平均分子量が、５００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、さらに好ましくは２５００以上であり、又は、１０万以下、好ましくは５万以下、より好ましくは３万以下、さらに好ましくは２万以下である、＜２４＞から＜２６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２８＞ リンス液組成物における前記アニオン性重合体の含有量が、０．００１質量％以上、好ましくは０．００５質量％以上、より好ましくは０．０１０質量％以上であり、又は、０．５００質量％以下、好ましくは０．２００質量％以下、より好ましくは０．１００質量％以下、さらに好ましくは０．０７５質量％以下、さらにより好ましくは０．０５０質量％以下である、＜２４＞から＜２７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２９＞ 前記研磨液組成物Ａが、カチオン性重合体を含有する、＜１８＞から＜２８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３０＞ 前記研磨液組成物Ｂが、スルホン酸基及び／又はカルボン酸基を有する構成単位を含むアニオン性重合体を含有する、＜１８＞から＜２９＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３１＞ 前記研磨液組成物Ｂが、脂肪族複素環化合物又は芳香族複素環化合物を含有する、＜１８＞から＜３０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３２＞ 前記研磨液組成物Ｂが、ヒドロキシ基数が１以上である含窒素化合物を含有する、＜１８＞から＜３１＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３３＞ 前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、＜１８＞から＜３２＞ののいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
＜３４＞ 前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、＜１８＞から＜３３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
下記のとおりに研磨液組成物Ａ、Ｂ及びＣ、並びに、リンス液組成物を調製し、下記の条件で工程（１）〜（５）を含む被研磨基板の研磨を行った。研磨液組成物の調製方法、使用した添加剤、各パラメーターの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。
１．研磨液組成物Ａ〜Ｃ、及びリンス液組成物の調製
[工程（１）で使用する研磨液組成物Ａの調製]
下記表１に示すアルミナ粒子を含むアルミナ砥粒１又は２、クエン酸、硫酸、過酸化水素、水、並びに、場合によって下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ａ、及び、下記表３の添加剤Ａを用いて研磨液組成物Ａを調製した（下記表４）。研磨液組成物Ａの砥粒とその含有量は、実施例１〜１８、参考例１、及び比較例１においてアルミナ砥粒１を５．０質量％とした。実施例１９〜２３では、アルミナ砥粒２を３．０質量％に、さらにコロイダルシリカ粒子ａを２．０質量％とした。また、研磨液組成物Ａにおけるその他の各成分の含有量は、クエン酸０．３質量％、硫酸０．４質量％、過酸化水素０．６質量％であり、研磨液組成物ＡのｐＨは１．４であった。添加剤の含有量は、実施例１９〜２３において、添加剤Ａを０．０１質量％とした。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用い、電極の浸漬後４０分後の数値である（以下同様）。
[工程（１）で使用する研磨液組成物Ａの調製]
下記表１に示すアルミナ粒子を含むアルミナ砥粒１又は２、クエン酸、硫酸、過酸化水素、水、並びに、場合によって下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ａ、及び、下記表３の添加剤Ａを用いて研磨液組成物Ａを調製した（下記表４）。研磨液組成物Ａの砥粒とその含有量は、実施例１〜１８、参考例１、及び比較例１においてアルミナ砥粒１を５．０質量％とした。実施例１９〜２３では、アルミナ砥粒２を３．０質量％に、さらにコロイダルシリカ粒子ａを２．０質量％とした。また、研磨液組成物Ａにおけるその他の各成分の含有量は、クエン酸０．３質量％、硫酸０．４質量％、過酸化水素０．６質量％であり、研磨液組成物ＡのｐＨは１．４であった。添加剤の含有量は、実施例１９〜２３において、添加剤Ａを０．０１質量％とした。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用い、電極の浸漬後４０分後の数値である（以下同様）。
[工程（３）で使用する研磨液組成物Ｂの調製]
下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ａ〜ｃのいずれか、硫酸、過酸化水素、及び水、並びに場合によって添加剤Ｂ、Ｅ、Ｆを用い、研磨液組成物Ｂを調製した（下記表４）。研磨液組成物Ｂにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子３．０質量％、硫酸０．２質量％、過酸化水素０．１質量％とした。また、添加剤は実施例１０〜１９及び２３で添加剤Ｂを０．０３質量％とし、実施例２０で添加剤Ｂを０．０３質量％、添加剤Ｅを０．０１質量％とし、実施例２１及び２２で添加剤Ｂを０．０３質量％、添加剤Ｅを０．０１質量％、添加剤Ｆを０．０１質量％とした。なお、研磨液組成物ＢのｐＨは１．６であった。
下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ａ〜ｃのいずれか、硫酸、過酸化水素、及び水、並びに場合によって添加剤Ｂ、Ｅ、Ｆを用い、研磨液組成物Ｂを調製した（下記表４）。研磨液組成物Ｂにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子３．０質量％、硫酸０．２質量％、過酸化水素０．１質量％とした。また、添加剤は実施例１０〜１９及び２３で添加剤Ｂを０．０３質量％とし、実施例２０で添加剤Ｂを０．０３質量％、添加剤Ｅを０．０１質量％とし、実施例２１及び２２で添加剤Ｂを０．０３質量％、添加剤Ｅを０．０１質量％、添加剤Ｆを０．０１質量％とした。なお、研磨液組成物ＢのｐＨは１．６であった。
[工程（５）で使用する研磨液組成物Ｃの調製]
下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ｃ、硫酸、過酸化水素、及び水を用い研磨液組成物Ｃを調製した。研磨液組成物Ｃにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ砥粒ａ３．０質量％、硫酸０．５質量％、過酸化水素０．３質量％であり、研磨液組成物ＣのｐＨは１．３であった。
下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ｃ、硫酸、過酸化水素、及び水を用い研磨液組成物Ｃを調製した。研磨液組成物Ｃにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ砥粒ａ３．０質量％、硫酸０．５質量％、過酸化水素０．３質量％であり、研磨液組成物ＣのｐＨは１．３であった。
[リンス液組成物の調製]
リンス処理工程（２）に使用するリンス液組成物は次のように調製した。ｐＨ７のリンス液組成物は、イオン交換水を使用した。必要に応じて、添加剤Ｂ、Ｃ又はＤを０．０３質量％で添加した。ｐＨ２及び４のリンス液組成物は、硫酸０．０４質量％及び０．０００６質量％を調整し作製した。ｐＨ１０及び１２のリンス液組成物は、ＮａＯＨ０．０１質量％及び０．０５質量％を調整し作製した。
リンス処理工程（２）に使用するリンス液組成物は次のように調製した。ｐＨ７のリンス液組成物は、イオン交換水を使用した。必要に応じて、添加剤Ｂ、Ｃ又はＤを０．０３質量％で添加した。ｐＨ２及び４のリンス液組成物は、硫酸０．０４質量％及び０．０００６質量％を調整し作製した。ｐＨ１０及び１２のリンス液組成物は、ＮａＯＨ０．０１質量％及び０．０５質量％を調整し作製した。
２．各パラメーターの測定方法
［アルミナ粒子の平均二次粒子径の測定］
０．５質量％ポイズ５３０（花王社製;特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤）水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が７５〜９５％になるようにサンプルを投入し、その後、５分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器 ：堀場製作所社製 レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度 ：４
超音波強度：４
［アルミナ粒子の平均二次粒子径の測定］
０．５質量％ポイズ５３０（花王社製;特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤）水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が７５〜９５％になるようにサンプルを投入し、その後、５分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器 ：堀場製作所社製 レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度 ：４
超音波強度：４
[アルミナのα化率の測定方法]
アルミナスラリー２０ｇを１０５℃で５時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末Ｘ線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末Ｘ線回折法にて分析し、１０４面におけるピーク面積を比較した。粉末Ｘ線回折法による測定条件は下記のとおりとした。
測定条件；
装置：（株）リガク社製、粉末Ｘ線解析装置 ＲＩＮＴ２５００ＶＣ
Ｘ線発生電圧：４０ｋＶ
放射線：Ｃｕ−Ｋα１線（λ＝０．１５４０５０ｎｍ）
電流：１２０ｍＡ
Ｓｃａｎ Ｓｐｅｅｄ：１０度／分
測定ステップ：０．０２度／分
α化率（％）＝αアルミナ特有ピーク面積÷ＷＡ−１０００のピーク面積×１００
また、各ピークの面積は、得られた粉末Ｘ線回折スペクトルから、粉末Ｘ線回折装置付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトＪＡＤＥ（ＭＤＩ社）を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書（Ｊａｄｅ（Ｖｅｒ．５）ソフトウェア、取扱説明書 Ｍａｎｕａｌ Ｎｏ．ＭＪ１３１３３Ｅ０２、（株）リガク社製）に基づいて算出した。なお、ＷＡ−１０００はα化率９９．９％のα−アルミナ（昭和電工社製）である。
アルミナスラリー２０ｇを１０５℃で５時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末Ｘ線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末Ｘ線回折法にて分析し、１０４面におけるピーク面積を比較した。粉末Ｘ線回折法による測定条件は下記のとおりとした。
測定条件；
装置：（株）リガク社製、粉末Ｘ線解析装置 ＲＩＮＴ２５００ＶＣ
Ｘ線発生電圧：４０ｋＶ
放射線：Ｃｕ−Ｋα１線（λ＝０．１５４０５０ｎｍ）
電流：１２０ｍＡ
Ｓｃａｎ Ｓｐｅｅｄ：１０度／分
測定ステップ：０．０２度／分
α化率（％）＝αアルミナ特有ピーク面積÷ＷＡ−１０００のピーク面積×１００
また、各ピークの面積は、得られた粉末Ｘ線回折スペクトルから、粉末Ｘ線回折装置付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトＪＡＤＥ（ＭＤＩ社）を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書（Ｊａｄｅ（Ｖｅｒ．５）ソフトウェア、取扱説明書 Ｍａｎｕａｌ Ｎｏ．ＭＪ１３１３３Ｅ０２、（株）リガク社製）に基づいて算出した。なお、ＷＡ−１０００はα化率９９．９％のα−アルミナ（昭和電工社製）である。
［シリカ粒子の平均一次粒子径及び一次粒子径の標準偏差の測定］
シリカ粒子を日本電子社製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「JEM-2000FX」、８０ｋＶ、１〜５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「WinROOF(Ver.3.6)」（販売元：三谷商事）を用いて１０００〜２０００個のシリカ粒子データについて１個１個のシリカ粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフト「EXCEL」（マイクロソフト社製）にて、体積基準の粒径の標準偏差（標本標準偏差）を得た。また、前記表計算ソフト「EXCEL」にて、粒子直径から粒子体積に換算して得られるシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合（体積基準％）を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度（％）を得た。得られたシリカ粒子の粒径及び累積体積頻度データに基づき、粒径に対して累積体積頻度をプロットすることにより、粒径対累積体積頻度グラフが得られる。前記グラフにおいて、小粒径側からの累積体積頻度が５０％となる粒径をシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）とした。また、小粒径側からの累積体積頻度が１０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）とし、小粒径側からの累積体積頻度が９０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）とした。
シリカ粒子を日本電子社製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「JEM-2000FX」、８０ｋＶ、１〜５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「WinROOF(Ver.3.6)」（販売元：三谷商事）を用いて１０００〜２０００個のシリカ粒子データについて１個１個のシリカ粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフト「EXCEL」（マイクロソフト社製）にて、体積基準の粒径の標準偏差（標本標準偏差）を得た。また、前記表計算ソフト「EXCEL」にて、粒子直径から粒子体積に換算して得られるシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合（体積基準％）を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度（％）を得た。得られたシリカ粒子の粒径及び累積体積頻度データに基づき、粒径に対して累積体積頻度をプロットすることにより、粒径対累積体積頻度グラフが得られる。前記グラフにおいて、小粒径側からの累積体積頻度が５０％となる粒径をシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）とした。また、小粒径側からの累積体積頻度が１０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）とし、小粒径側からの累積体積頻度が９０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）とした。
［添加剤Ａ−Ｄ：重量平均分子量の測定］
添加剤Ａ〜Ｄの共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記条件のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した。標準サンプルを用いて較正曲線を求め、その較正曲線を基に重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を求めた。
添加剤Ａ〜Ｄの共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記条件のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した。標準サンプルを用いて較正曲線を求め、その較正曲線を基に重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）を求めた。
〔添加剤ＡのＧＰＣ条件〕
・測定装置：Ｌ−６０００形 高速液体クロマトグラフ（日立製作所社製）
・カラム：アサヒパックＧＳ−２２０ＨＱ＋ ＧＳ−６２０ＨＱ（昭和電工社製）
・カラム温度：３０℃
・溶離液：０．４ｍｏｌ／Ｌ塩化ナトリウム水溶液
・流速：１．０ｍＬ／分
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・検出器：ＲＩ（ショーデックスＲＩＳＥ−６１、昭和電工社製）
・換算標準：ポリエチレングリコール（分子量１０６、１９４、４４０、６００、１４７０、４１００、７１００、１０３００、１２６００、２３０００ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐ．製）
・測定装置：Ｌ−６０００形 高速液体クロマトグラフ（日立製作所社製）
・カラム：アサヒパックＧＳ−２２０ＨＱ＋ ＧＳ−６２０ＨＱ（昭和電工社製）
・カラム温度：３０℃
・溶離液：０．４ｍｏｌ／Ｌ塩化ナトリウム水溶液
・流速：１．０ｍＬ／分
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・検出器：ＲＩ（ショーデックスＲＩＳＥ−６１、昭和電工社製）
・換算標準：ポリエチレングリコール（分子量１０６、１９４、４４０、６００、１４７０、４１００、７１００、１０３００、１２６００、２３０００ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐ．製）
〔添加剤ＢのＧＰＣ条件〕
カラム ：ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００ＰＷＸＬ＋ＴＳＫｇｅｌ Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー社製）
ガードカラム：ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液 ：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝９／１（体積比）
温度 ：４０℃
流速 ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
検出器 ：ＲＩ
換算標準 ：ポリアクリル酸Ｎａ（分子量（Ｍｐ）：１１．５万、２．８万、４１００、１２５０（創和科学社及びＡｍｅｒｉｃａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐ．製））
カラム ：ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００ＰＷＸＬ＋ＴＳＫｇｅｌ Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー社製）
ガードカラム：ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液 ：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝９／１（体積比）
温度 ：４０℃
流速 ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
検出器 ：ＲＩ
換算標準 ：ポリアクリル酸Ｎａ（分子量（Ｍｐ）：１１．５万、２．８万、４１００、１２５０（創和科学社及びＡｍｅｒｉｃａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐ．製））
〔添加剤ＣのＧＰＣ条件〕
カラム ：ＴＳＫｇｅｌ α−Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ α−Ｍ（東ソー社製）
ガードカラム：ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ α（東ソー社製）
溶離液 ：６０ｍｍｏｌ／Ｌ リン酸，５０ｍｍｏｌ／Ｌ ＬｉＢｒ／ＤＭＦ
温度 ：４０℃
流速 ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料サイズ：３ｍｇ／ｍＬ
検出器 ：ＲＩ
換算標準 ：ポリスチレン（分子量（Ｍｗ）：５９０、３６００、３万、９．６４万、９２．９万、８４２万（東ソー社、西尾工業社、ｃｈｅｍｃｏ社製））
カラム ：ＴＳＫｇｅｌ α−Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ α−Ｍ（東ソー社製）
ガードカラム：ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ α（東ソー社製）
溶離液 ：６０ｍｍｏｌ／Ｌ リン酸，５０ｍｍｏｌ／Ｌ ＬｉＢｒ／ＤＭＦ
温度 ：４０℃
流速 ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料サイズ：３ｍｇ／ｍＬ
検出器 ：ＲＩ
換算標準 ：ポリスチレン（分子量（Ｍｗ）：５９０、３６００、３万、９．６４万、９２．９万、８４２万（東ソー社、西尾工業社、ｃｈｅｍｃｏ社製））
〔添加剤ＤのＧＰＣ条件〕
測定装置 ：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム ：Ｇ４０００ＳＷＸＬ＋Ｇ２５００ＳＷＸＬ（東ソー社製）
・溶離液 ：３０ｍＭ 酢酸ナトリウム／ＣＨ3ＣＮ＝６／４体積比 （ｐＨ6.9）
・温度 ：４０℃
・流速 ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・注入量 ：１００μＬ
・検出器 ：ＵＶ２８０ｎｍ（東ソー社製）
・標準物質：ポリスチレン（分子量（Ｍｗ）：４０００、３万、９．６４万、９０万、８４２万（東ソー社、西尾工業社、ｃｈｅｍｃｏ社製））
測定装置 ：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
・カラム ：Ｇ４０００ＳＷＸＬ＋Ｇ２５００ＳＷＸＬ（東ソー社製）
・溶離液 ：３０ｍＭ 酢酸ナトリウム／ＣＨ3ＣＮ＝６／４体積比 （ｐＨ6.9）
・温度 ：４０℃
・流速 ：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
・試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
・注入量 ：１００μＬ
・検出器 ：ＵＶ２８０ｎｍ（東ソー社製）
・標準物質：ポリスチレン（分子量（Ｍｗ）：４０００、３万、９．６４万、９０万、８４２万（東ソー社、西尾工業社、ｃｈｅｍｃｏ社製））
３．研磨条件
［被研磨基板］
被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍ（中心部直径２５ｍｍの穴あきドーナツ型）であった。
［被研磨基板］
被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍ（中心部直径２５ｍｍの穴あきドーナツ型）であった。
［被研磨基板の研磨］
工程（１）〜（５）を含む被研磨基板の研磨を行った。各工程の条件を以下に示す。なお、工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、工程（５）を前記研磨機とは別個の研磨機で行った。
工程（１）〜（５）を含む被研磨基板の研磨を行った。各工程の条件を以下に示す。なお、工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、工程（５）を前記研磨機とは別個の研磨機で行った。
［工程（１）：第１の粗研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０４ｍｍ、平均気孔径４３μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（＝１００ｇ重／ｃｍ2）（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））、３分間
研磨量：１．０〜１．２ｍｇ／ｃｍ2
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０４ｍｍ、平均気孔径４３μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（＝１００ｇ重／ｃｍ2）（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））、３分間
研磨量：１．０〜１．２ｍｇ／ｃｍ2
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
［工程（２）：中間リンス］
リンス条件：
研磨機及び研磨パッド：工程（１）と同じ
定盤回転数：４５ｒｐｍ、２３ｒｐｍ、５２ｒｐｍ
研磨荷重：１００、４０、６０、８０、１５０ｇ重／ｃｍ2（設定値）
（＝９．８、３．９２、５．８８、７．８４、１４．７ｋＰａ）
イオン交換水供給量：２Ｌ／分（１．５２ｍＬ／（ｃｍ2・分））で１０、２０、４０、６０、９０、１２０秒間
リンス条件：
研磨機及び研磨パッド：工程（１）と同じ
定盤回転数：４５ｒｐｍ、２３ｒｐｍ、５２ｒｐｍ
研磨荷重：１００、４０、６０、８０、１５０ｇ重／ｃｍ2（設定値）
（＝９．８、３．９２、５．８８、７．８４、１４．７ｋＰａ）
イオン交換水供給量：２Ｌ／分（１．５２ｍＬ／（ｃｍ2・分））で１０、２０、４０、６０、９０、１２０秒間
［工程（３）：第２の粗研磨］
研磨機及び研磨パッド：工程（１）と同じ
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））、１分間
研磨量：０．０２〜０．０４ｍｇ／ｃｍ2
工程（３）は上記の条件で研磨した後、下記の条件によるリンス工程を含む。
リンス条件：
定盤回転数：２０ｒｐｍ
研磨荷重：１．４ｋＰａ
イオン交換水供給量：２Ｌ／分で１５秒間
研磨機及び研磨パッド：工程（１）と同じ
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））、１分間
研磨量：０．０２〜０．０４ｍｇ／ｃｍ2
工程（３）は上記の条件で研磨した後、下記の条件によるリンス工程を含む。
リンス条件：
定盤回転数：２０ｒｐｍ
研磨荷重：１．４ｋＰａ
イオン交換水供給量：２Ｌ／分で１５秒間
［工程（４）：洗浄］
工程（３）で得られた基板を、下記条件で洗浄した。
１． ０．１質量％のＫＯＨ水溶液からなるｐＨ１２のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、工程（３）で得られた基板を５分間浸漬する。
２． 浸漬後の基板を、イオン交換水で２０秒間すすぎを行う。
３． すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。
工程（３）で得られた基板を、下記条件で洗浄した。
１． ０．１質量％のＫＯＨ水溶液からなるｐＨ１２のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、工程（３）で得られた基板を５分間浸漬する。
２． 浸漬後の基板を、イオン交換水で２０秒間すすぎを行う。
３． すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。
［工程（５）：仕上げ研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）、工程（１）〜（３）で使用した研磨機とは別個の研磨機
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径５μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））、４分間
研磨量：０．２〜０．３ｍｇ／ｃｍ2
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
工程（５）後に、リンス及び洗浄を行った。リンスは、前記工程（３）と同条件で行い、洗浄は前記工程（４）と同条件で行った。
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）、工程（１）〜（３）で使用した研磨機とは別個の研磨機
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径５μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））、４分間
研磨量：０．２〜０．３ｍｇ／ｃｍ2
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
工程（５）後に、リンス及び洗浄を行った。リンスは、前記工程（３）と同条件で行い、洗浄は前記工程（４）と同条件で行った。
４．評価方法
［洗浄工程（４）後のアルミナ突き刺さりの評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：洗浄工程（４）で得られた基板を、研磨量０．０５ｍｇ／ｃｍ2とした以外は、工程（５）と同一の条件にて、研磨液組成物Ｃを用いて研磨を行い、リンス及び洗浄を行った後、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してアルミナ突き刺さり数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるアルミナ突き刺さり数（個）の合計を８で除して、基板面当たりのアルミナ突き刺さり数（個）を算出した。その結果を、下記表４に、比較例１を１００とした相対値として示す。なお、リンス条件は、前記工程（３）における条件と同様であり、洗浄条件は、前記工程（４）と同条件で行った。
［洗浄工程（４）後のアルミナ突き刺さりの評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：洗浄工程（４）で得られた基板を、研磨量０．０５ｍｇ／ｃｍ2とした以外は、工程（５）と同一の条件にて、研磨液組成物Ｃを用いて研磨を行い、リンス及び洗浄を行った後、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射してアルミナ突き刺さり数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるアルミナ突き刺さり数（個）の合計を８で除して、基板面当たりのアルミナ突き刺さり数（個）を算出した。その結果を、下記表４に、比較例１を１００とした相対値として示す。なお、リンス条件は、前記工程（３）における条件と同様であり、洗浄条件は、前記工程（４）と同条件で行った。
［仕上げ研磨工程（５）後の突起欠陥数の評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：仕上げ研磨工程（５）の後に、前記工程（４）と同じ条件でスクラブ洗浄を行った基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を８０００ｒｐｍにてレーザーを照射して突起欠陥数を測定した。その４枚の基板の各々両面にある突起欠陥数（個）の合計を８で除して、基板面当たりの突起欠陥数を算出した。その結果を、下記表４に、比較例１を１００とした相対値として示す。
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：仕上げ研磨工程（５）の後に、前記工程（４）と同じ条件でスクラブ洗浄を行った基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を８０００ｒｐｍにてレーザーを照射して突起欠陥数を測定した。その４枚の基板の各々両面にある突起欠陥数（個）の合計を８で除して、基板面当たりの突起欠陥数を算出した。その結果を、下記表４に、比較例１を１００とした相対値として示す。
表４に示すとおり、中間リンス処理工程（２）を有する実施例１〜２３は、リンス処理をしない比較例１に比べて、工程（４）後（粗研磨終了後）の基板上のアルミナ突き刺さり、及び、工程（５）後（仕上げ研磨終了後）の基板上の突起欠陥が著しく低減した。また、実施例１〜２３は、参考例１に比べリンス処理時間が短いにもかかわらず、参考例１と同等かそれ以上の工程（４）後（粗研磨終了後）の基板上のアルミナ突き刺さり、及び、工程（５）後（仕上げ研磨終了後）の基板上の突起欠陥の低減を示した。
また、実生産においては、仕上げ研磨後、突起欠陥が多い場合には、磁気ディスク用基板として用いることができないため、再研磨又は廃棄されることから、本発明の仕上げ研磨後の突起欠陥数を低減する効果は基板収率の向上を期待することができる。
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、例えば、高記録密度の磁気ディスク基板の製造に好適に用いることができる。
Claims (11)
- 下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の製造方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。 - 前記リンス処理の研磨荷重が、工程（１）の研磨荷重の４０％〜８５％である、請求項１記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記リンス処理の時間が、１０秒以上である、請求項１又は２記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記リンス液組成物のｐＨが、０．５〜６．０又は８．０〜１２．５である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスクの製造方法。
- 前記研磨液組成物Ａが、カチオン性重合体を含有する、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Ｂが、スルホン酸基及び／又はカルボン酸基を有する構成単位を含むアニオン性重合体を含有する、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Ｂが、脂肪族複素環化合物又は芳香族複素環化合物を含有する、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Ｂが、ヒドロキシ基数が１以上である含窒素化合物を含有する、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記研磨液組成物Ａが、さらにシリカ粒子を含有する、請求項１から８のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項１から９のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の研磨方法であって、下記リンス処理の研磨荷重は工程（１）の研磨荷重の３０％以上１５０％以下であり、下記リンス処理に用いるリンス液組成物のｐＨは０．５以上１２．５以下であり、下記リンス処理の時間は１２０秒未満である、磁気ディスク基板の研磨方法。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
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