JP5576634B2 - 研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法 - Google Patents
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Description
シリカ、分子中に繰り返し単位と、スルホン酸基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤、酸、過酸化水素、純水を混合、攪拌し、表1および表2に示す組成からなる研磨剤組成物を得た。分子中に繰り返し単位と、スルホン酸基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤として、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物(実施例1〜12)、メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物(実施例13〜15)、リグニンスルホン酸ナトリウム(実施例16〜21)、ナフタレンスルホン酸系化合物(実施例22〜33、混合物の割合は表4に示す。)、芳香族アミノスルホン酸系化合物(実施例34〜39、混合物の割合は表4に示す。)を用いた。また、酸としては、HEDP、リン酸、硫酸を用いた。
サンプル量 Wr(g)=150/スラリー中のコロイダルシリカ濃度(%)
(2)(1)で計算した量のスラリーをビーカーに秤量した。実際の秤量値をWa(g)とした。
(3)秤量したスラリーに純水100mlを加えた。
(4)さらにpHが3〜3.5になるように0.1mol/l塩酸水溶液を加えた。
(5)塩化ナトリウムを30g加え、純水50mlを加えて攪拌した。
(6)液にpH電極を浸けて攪拌しながら0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液をpH4.0となるまで滴定した。
(7)続けてpH9.0となるまで0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液を滴定した。ここでpH4.0から9.0までの滴定に要した0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液の量をVs(ml)とした。
(8)ブランク測定を行った。塩化ナトリウム30gに純水150mlを加えて攪拌し、pHが3〜3.5になるように0.1mol/l塩酸水溶液を加えた。さらに(6)、(7)と同様の方法で滴定を行い、ここでpH4.0〜9.0までの滴定に要した0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液の量をVb(ml)とした。
(9)比表面積SSAを計算した。
比表面積 SSA(m2/g)=26.5(Vs−Vb)/(Wr/Wa)
(10)比表面積から平均粒子径Dを計算した。
平均粒子径 D(nm)=3100/SSA
(コロイダルシリカの密度を1.9g/cm3として計算した。)
表1においては、基板としてNiP無電解メッキした外径95mmφのアルミディスクを粗研磨した基板を使用した。研磨試験機は、両面研磨機(9B型両面研磨機、スピードファム(株)製)、研磨パッドCF4301N(フジボウ製)を用いて、スラリー供給速度を5ml/min/pcsとして研磨剤組成物をアルミディスク上に供給した。定盤回転数は、下定盤を16rpm、上定盤を16/3rpm、加工圧力は100g/cm2とし、研磨時間は390秒とした。
研磨レートは、アルミディスクの研磨前後の重量減より換算した数値を相対値で表した。スクラッチは、測定器としてMicroMAX VMX−4100(VISION PSYTEC製)を用いた。
Claims (6)
- シリカ、酸、界面活性剤、酸化剤、及び水を含有する研磨剤組成物であって、
前記界面活性剤は、分子中に繰り返し単位と、スルホン酸(塩)基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤であり、
前記酸化剤は、過酸化物であり、
前記シリカは、コロイダルシリカ、またはヒュームドシリカであり、
前記酸は、有機ホスホン酸および/または無機酸であり、
前記酸を0.1〜8質量%含む、磁気ディスク基板を研磨するための研磨剤組成物。 - 前記スルホン酸(塩)基を有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する前記陰イオン界面活性剤は、ナフタレンスルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物およびそれら塩の群からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項1に記載の研磨剤組成物。
- 前記ナフタレンスルホン酸系化合物である前記陰イオン界面活性剤は、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物およびメチルナフタレンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項2に記載の研磨剤組成物。
- 前記酸化剤は、過酸化水素である請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨剤組成物。
- 前記酸化剤を0.01〜10質量%含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨剤組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する磁気ディスク基板の研磨方法。
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