JP6110716B2 - Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法、及びNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板 - Google Patents
Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法、及びNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板 Download PDFInfo
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本発明の仕上げ研磨用研磨剤組成物は、研磨材と、酸と、酸化剤と、スクラッチを低減するスクラッチ低減剤と水とを含む。スクラッチ低減剤が、スルホン酸系アニオン性界面活性剤および/または硫酸エステル系アニオン性界面活性剤であり、かつこれらのアニオン性界面活性剤がアミド構造を有するものである。
本発明の仕上げ研磨用研磨剤組成物は、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板(以下、「アルミディスク」)やガラス磁気ディスク基板等の磁気ディスク基板の研磨での使用に適している。特に、アルミディスクの研磨での使用に適している。したがって、本発明は、上記の仕上げ研磨用研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する磁気ディスク基板の研磨方法であり、その研磨方法を用いた磁気ディスク基板の製造方法である。また、本発明の仕上げ研磨用研磨剤組成物は、炭化ケイ素、ケイ素、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガリウム燐、インジウム燐、チッ化ガリウム等の半導体基板、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の単結晶基板、磁気ヘッド等の研磨にも利用することができる。
(実施例1〜11、比較例1〜3)
実施例1〜11および比較例1〜3で使用した仕上げ研磨用研磨剤組成物は下記の材料を含んだ研磨剤組成物である。イオン交換水と、下記の材料とを表1および表2に示した割合(イオン交換水と下記の材料との合計が100質量%)で含む。
コロイダルシリカ粒子II(平均粒子径:12nm、市販のコロイダルシリカ。含有量は表に示す。ただし、実施例1〜6、比較例1には含まない。)
HEDP(1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸) 0.20質量%
リン酸(含有量は表に示す。)
硫酸 0.60質量%
リン酸アンモニウム(含有量は表に示す。ただし、実施例1〜7、10、11、比較例1〜3には含まない。)
リン酸ナトリウム(含有量は表に示す。ただし、実施例1〜9、比較例1〜3には含まない。)
過酸化水素 0.60質量%
スクラッチ低減剤他(下記の界面活性剤A〜D、含有量は表に示す。ただし、比較例1、2には含まない。)
サンプル量 Wr(g)=150/コロイダルシリカ分散液中のコロイダルシリカ濃度(%)
(2)(1)で計算した量のコロイダルシリカ分散液をビーカーに秤量した。実際の秤量値をWa(g)とした。
(3)秤量したコロイダルシリカ分散液に純水100mlを加えた。
(4)さらにpHが3〜3.5になるように0.1mol/l塩酸水溶液を加えた。
(5)塩化ナトリウムを30g加え、純水50mlを加えて攪拌した。
(6)液にpH電極を浸けて攪拌しながら0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液をpH4.0となるまで滴定した。
(7)続けてpH9.0となるまで0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液を滴定した。ここでpH4.0から9.0までの滴定に要した0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液の量をVs(ml)とした。
(8)ブランク測定を行った。塩化ナトリウム30gに純水150mlを加えて攪拌し、pHが3〜3.5になるように0.1mol/l塩酸水溶液を加えた。さらに(6)、(7)と同様の方法で滴定を行い、ここでpH4.0〜9.0までの滴定に要した0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液の量をVb(ml)とした。
(9)比表面積SSAを計算した。
比表面積 SSA(m2/g)=26.5(Vs−Vb)/(Wr/Wa)
(10)比表面積から平均粒子径Dを計算した。
平均粒子径 D(nm)=3100/SSA
(コロイダルシリカの密度を1.9g/cm3として計算した。)
Ni−P無電解メッキした外径2.5インチのアルミディスクを研磨対象の基板として下記研磨条件で研磨を行った。
研磨機:スピードファム(株)製 9B両面研磨機
研磨パッド:(株)FILWEL社製 P2用パッド
定盤回転数:上定盤−7.5rpm
下定盤22.5rpm
研磨剤供給量:100ml/分
研磨時間:研磨量が0.37〜0.45μm/片面となる時間、研磨する(300〜390秒)。
加工圧力:9.8kPa
(3−1)研磨レート比
研磨レートは、研磨後に減少したアルミディスクの質量を測定し、下記式に基づいて算出した。
研磨レート(μm/min)=アルミディスクの質量減少量(g)/研磨時間(min)/アルミディスク片面の面積(cm2)/Ni−Pメッキの密度(g/cm3)×104
(但し、上記式中、アルミディスク片面の面積は28.3cm2、Ni−Pメッキの密度は8.0g/cm3)
研磨レート比は、実施例1〜6においては上記式を用いて求めた比較例1の研磨レートを1とした場合の相対値であり、実施例7〜11および比較例3においては上記式を用いて求めた比較例2の研磨レートを1とした場合の相対値である。
スクラッチは、MicroMAX VMX−4100を用いて、基板にあるスクラッチ本数を、測定条件チルト角−5°、倍率20倍で測定した。スクラッチ比は、実施例1〜6においては比較例1のスクラッチ本数を1とした場合の相対値であり、実施例7〜11および、比較例3においては比較例2のスクラッチ本数を1とした場合の相対値である。
実施例1〜11と、スクラッチ低減剤を含まない比較例1、2および本発明のスクラッチ低減剤と異なる界面活性剤を含む比較例3とを比較すると、本発明のスクラッチ低減剤を使用した場合にスクラッチが低減することがわかる。また、実施例7と、酸の塩を含む実施例8〜11とを比較すると、酸の塩を含まない実施例7の方がよりスクラッチが低減していることがわかる。
Claims (6)
- 研磨材と、酸と、酸化剤と、スクラッチを低減するスクラッチ低減剤と水とを含み、
前記スクラッチ低減剤が、スルホン酸系アニオン性界面活性剤および/または硫酸エステル系アニオン性界面活性剤であり、かつこれらのアニオン性界面活性剤がアミド構造を有するNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物。 - 前記スクラッチ低減剤が構造式(I)で表されるアニオン性界面活性剤である請求項1に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物。
- 前記研磨材の平均粒子径が5〜100nmである請求項1または2に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨するNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法。
- 請求項4に記載の磁気ディスク基板の研磨方法を用いたNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の仕上げ研磨用研磨剤組成物を用いて研磨されたNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板。
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