JP6412714B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
研磨用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6412714B2 JP6412714B2 JP2014085047A JP2014085047A JP6412714B2 JP 6412714 B2 JP6412714 B2 JP 6412714B2 JP 2014085047 A JP2014085047 A JP 2014085047A JP 2014085047 A JP2014085047 A JP 2014085047A JP 6412714 B2 JP6412714 B2 JP 6412714B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive grains
- silica abrasive
- polishing
- silica
- minor axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、磁気ディスク基板の研磨に使用するための研磨用組成物に関する。
磁気ディスク基板の製造においては、一般に、最終製品の表面を高精度に仕上げるために行う最終研磨工程の前に、より研磨効率（例えば研磨レート）を重視した研磨（一次研磨）が行われている。例えば、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）に対して、少なくとも一次研磨と最終研磨とを行うことにより、高精度の表面が効率よく実現され得る。磁気ディスク基板等を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する技術文献として特許文献１が挙げられる。
特許文献１には、磁気ディスク基板等の研磨に使用される研磨用組成物に特定の粒度分布をもつコロイダルシリカを含有させることが提案されている。同文献には、かかる構成によって、経済的な速度で研磨を可能とすることが記載されている。しかし、このような技術によっても、研磨レートに関する近年の要求レベルを十分に満足させるには不十分であり、なお改善の余地がある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、研磨レートを向上させ得る磁気ディスク基板用研磨用組成物を提供することである。
本発明者らは、研磨用組成物に含有させることで研磨レートを向上させ得るシリカ砥粒の好適な形状を探索した。その結果、形状の異なる２種類のシリカ砥粒を組み合わせて使用することにより研磨レートを向上させ得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、この明細書によると、磁気ディスク基板の研磨に使用するための研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、平均アスペクト比Ａs1を有する第１シリカ砥粒と、前記第１シリカ砥粒よりも大きい平均アスペクト比Ａs2を有する第２シリカ砥粒とを含む。前記第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ前記第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1と前記第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2との関係が次式：１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３；を満たす。このように平均アスペクト比が異なる２種類のシリカ砥粒を特定の平均短径比となるように組み合わせて用いることにより、研磨用組成物の研磨レートを大きく向上させ得る。
ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記第２シリカ砥粒の平均アスペクト比Ａs2が１．２５以上である。かかる第２シリカ砥粒によると、より高い研磨レートが実現され得る。
ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記第２シリカ砥粒としてフュームドシリカを含む。かかる第２シリカ砥粒は、研磨レートの向上に効果的に寄与し得る。
ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、前記第１シリカ砥粒および前記第２シリカ砥粒の含有量の比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が重量基準で９５：５〜５：９５の範囲である。このような第１シリカ砥粒および第２シリカ砥粒の含有量の比の範囲内であると、研磨レート向上効果がより好適に発揮され得る。
上記研磨用組成物には研磨促進剤を含有させることができる。上記研磨促進剤は、研磨レートの向上に寄与し得る。
ここに開示されるいずれかの研磨用組成物の好ましい適用対象として、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）が挙げられる。なかでも、Ｎｉ−Ｐ基板の一次研磨用の研磨用組成物として好適である。
また、本発明によると、ここで開示される何れかの研磨用組成物を製造する方法が提供される。この製造方法では、前記第１シリカ砥粒と前記第２シリカ砥粒とを混合することを含む。上記製造方法によると、研磨レートを大きく向上させ得る研磨用組成物が提供される。
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
＜砥粒＞
ここに開示される技術の好ましい一態様に係る研磨用組成物は、磁気ディスク基板用（好ましくは一次研磨用）の研磨用組成物であって、平均アスペクト比Ａs1を有する第１シリカ砥粒と、第１シリカ砥粒よりも大きい平均アスペクト比Ａs2を有する第２シリカ砥粒とを含有する。
ここに開示される技術の好ましい一態様に係る研磨用組成物は、磁気ディスク基板用（好ましくは一次研磨用）の研磨用組成物であって、平均アスペクト比Ａs1を有する第１シリカ砥粒と、第１シリカ砥粒よりも大きい平均アスペクト比Ａs2を有する第２シリカ砥粒とを含有する。
＜平均アスペクト比Ａs1、Ａs2＞
第１シリカ砥粒の平均アスペクト比Ａs1は、Ａs1＜Ａs2を満たせばよく、特に限定されない。研磨レートや研磨安定性の観点から、上記態様の研磨用組成物における第１シリカ砥粒として、平均アスペクト比Ａs1が１．３０未満のシリカ砥粒を好ましく採用することができる。例えば、平均アスペクト比Ａs1が１．０２以上１．３０未満の第１シリカ砥粒が好ましく、１．０５以上１．２５以下のものがより好ましく、１．０７以上１．２３以下のものが特に好ましい。平均アスペクト比Ａs1が１．２未満（例えば１．１９以下）の第１シリカ砥粒であってもよい。このような第１シリカ砥粒の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。なかでもコロイダルシリカが好ましい。
第１シリカ砥粒の平均アスペクト比Ａs1は、Ａs1＜Ａs2を満たせばよく、特に限定されない。研磨レートや研磨安定性の観点から、上記態様の研磨用組成物における第１シリカ砥粒として、平均アスペクト比Ａs1が１．３０未満のシリカ砥粒を好ましく採用することができる。例えば、平均アスペクト比Ａs1が１．０２以上１．３０未満の第１シリカ砥粒が好ましく、１．０５以上１．２５以下のものがより好ましく、１．０７以上１．２３以下のものが特に好ましい。平均アスペクト比Ａs1が１．２未満（例えば１．１９以下）の第１シリカ砥粒であってもよい。このような第１シリカ砥粒の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。なかでもコロイダルシリカが好ましい。
一方、第２シリカ砥粒としては、平均アスペクト比Ａs2が第１シリカ砥粒より大きければよく、特に限定されない。通常は、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比Ａs2が１．２０以上であることが好ましい。研磨レートや平坦化効果の観点から、第２シリカ砥粒の平均アスペクト比Ａs2は、好ましくは１．２５以上である。例えば、平均アスペクト比Ａs2が１．２９以上１．６０未満の第２シリカ砥粒が好ましい。平均アスペクト比Ａs2が１．３３以上（例えば１．３６以上）の第２シリカ砥粒であってもよい。このような第２シリカ砥粒の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。なかでもフュームドシリカが好ましい。
なお、この明細書中において、１種類の砥粒についての「平均アスペクト比」とは、当該１種類の砥粒に含まれる複数個の粒子の長径／短径比の平均値をいう。すなわち、この平均アスペクト比は、上記１種類の砥粒の平均的な粒子形状を示す値である。平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡観察により求めることができる。具体的な手順としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、測定対象の砥粒に含まれる所定個数（例えば５００個）の粒子を観察し、各々の粒子画像に外接する面積が最小となる長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を各粒子の長径／短径比（アスペクト比）として算出する。ここで、上記アスペクト比は、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨用組成物中において独立して分散している粒子を１個の粒子と数えて算出するものとする。そして、上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。なお、各粒子のアスペクト比および平均アスペクト比は、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。
＜平均短径Ｄmin1、Ｄmin2＞
第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は、概ね２０ｎｍ以上である。研磨レート等の観点から、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は、好ましくは２５ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上である。また、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は、概ね７０ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下である。ここに開示される技術は、例えば、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である態様で好ましく実施され得る。
第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は、概ね２０ｎｍ以上である。研磨レート等の観点から、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は、好ましくは２５ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上である。また、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は、概ね７０ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下である。ここに開示される技術は、例えば、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である態様で好ましく実施され得る。
第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2は、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1より大きければよい。研磨レート等の観点から、第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2は、好ましくは６０ｎｍ超、より好ましくは６５ｎｍ超、さらに好ましくは７０ｎｍ超である。また、第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2は、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下、例えば１００ｎｍ以下である。ここに開示される技術は、例えば、第２シリカ砥粒の平均短径が６０ｎｍより大きく１８０ｎｍ以下（より好ましくは６５ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下、例えば７０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下）である態様で好ましく実施され得る。
第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することによる効果をよりよく発揮させる観点から、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1と第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2との関係が、１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３を満たすことが好ましい。ここに開示される技術は、例えば、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1と第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2との関係が、１．０５≦（Ｄmin2／Ｄmin1）≦２．９５、より好ましくは１．１０≦（Ｄmin2／Ｄmin1）≦２．８、さらに好ましくは１．２≦（Ｄmin2／Ｄmin1）≦２．６、特に好ましくは１．２５≦（Ｄmin2／Ｄmin1）≦２．５である態様で好ましく実施され得る。
第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2は、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1より１０ｎｍ以上大きいことが好ましく、１５ｎｍ以上大きいことがより好ましい。また、第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2から第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1を減じた値は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは７０ｎｍ以下、特に好ましくは６０ｎｍ以下である。
第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2は、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1より１０ｎｍ以上大きいことが好ましく、１５ｎｍ以上大きいことがより好ましい。また、第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2から第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1を減じた値は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは７０ｎｍ以下、特に好ましくは６０ｎｍ以下である。
なお、この明細書中において、１種類の砥粒についての「平均短径」とは、当該１種類の砥粒に含まれる複数個（例えば５００個）の粒子の短径の平均値をいう。各粒子の短径は、上述したアスペクト比と同様、ＳＥＭにより得られた各々の粒子画像に外接し、面積が最小となる長方形の短辺の長さの算術平均値として求めることができる。平均アスペクト比が１．００である場合、平均短径の値と平均長径の値とは一致する。
＜平均一次粒子径＞
第１シリカ砥粒の平均一次粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。また、より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下である。
上述した第１シリカ砥粒の好ましい平均一次粒子径は、第２シリカ砥粒の平均一次粒子径にも好ましく適用され得る。
第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とは、その平均一次粒子径が概ね同程度であってもよい。ここに開示される技術は、例えば、第２シリカ砥粒の平均一次粒子径が第１シリカ砥粒の平均一次粒子径の０．２５〜２倍（より好ましくは０．３〜１．５倍、さらに好ましくは０．５〜１．１倍）である態様で好ましく実施され得る。
第１シリカ砥粒の平均一次粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。また、より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下である。
上述した第１シリカ砥粒の好ましい平均一次粒子径は、第２シリカ砥粒の平均一次粒子径にも好ましく適用され得る。
第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とは、その平均一次粒子径が概ね同程度であってもよい。ここに開示される技術は、例えば、第２シリカ砥粒の平均一次粒子径が第１シリカ砥粒の平均一次粒子径の０．２５〜２倍（より好ましくは０．３〜１．５倍、さらに好ましくは０．５〜１．１倍）である態様で好ましく実施され得る。
なお、ここに開示される技術において、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ｍ２／ｇ）から、Ｄ＝２７２７／Ｓ（ｎｍ）の式により算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。
＜平均二次粒子径＞
第１シリカ砥粒の平均二次粒子径は、典型的には１５ｎｍ以上であり、研磨レート等の観点から、好ましくは３０ｎｍ超、より好ましくは４０ｎｍ超、さらに好ましくは５０ｎｍ超である。平均二次粒子径が５０ｎｍ超の第１シリカ砥粒によると、より高い研磨レートが実現され得る。また、上記第１シリカ砥粒の平均二次粒子径は、例えば１μｍ以下であり得る。より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均二次粒子径は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下である。例えば、平均二次粒子径が２０ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下の第１シリカ砥粒を好ましく採用し得る。
第１シリカ砥粒の平均二次粒子径は、典型的には１５ｎｍ以上であり、研磨レート等の観点から、好ましくは３０ｎｍ超、より好ましくは４０ｎｍ超、さらに好ましくは５０ｎｍ超である。平均二次粒子径が５０ｎｍ超の第１シリカ砥粒によると、より高い研磨レートが実現され得る。また、上記第１シリカ砥粒の平均二次粒子径は、例えば１μｍ以下であり得る。より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均二次粒子径は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下である。例えば、平均二次粒子径が２０ｎｍより大きく１５０ｎｍ以下の第１シリカ砥粒を好ましく採用し得る。
第２シリカ砥粒の平均二次粒子径は、典型的には１５ｎｍ以上であり、研磨レート等の観点から、好ましくは３０ｎｍ超、より好ましくは６０ｎｍ超、さらに好ましくは８０ｎｍ超であり、特に好ましくは１００ｎｍ超である。平均二次粒子径が１００ｎｍ超の第２シリカ砥粒によると、より高い研磨レートが実現され得る。また、上記第２シリカ砥粒の平均二次粒子径は、例えば１μｍ以下であり得る。より平滑性の高い表面を得るという観点から、上記平均二次粒子径は、好ましくは５００ｎｍ以下である。例えば、平均二次粒子径が１２０ｎｍより大きく４００ｎｍ以下の第２シリカ砥粒を好ましく採用し得る。
なお、ここに開示される技術において、砥粒の平均二次粒子径とは、特記しない限り、動的光散乱法に基づく体積基準の平均粒子径（５０％体積平均粒子径）をいう。動的光散乱法に基づく粒子径の測定は、例えば、日機装株式会社製「Ｎａｎｏｔｒａｃ Ｗａｖｅ−ＵＴ１５１」を用いて行うことができる。ここでいう砥粒の平均二次粒子径とは、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨用組成物中において粒子として分散している砥粒の平均粒子径を指す。
＜含有量＞
第１シリカ砥粒の含有量と第２シリカ砥粒の含有量との比（重量基準）は特に限定されない。第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することによる効果をよりよく発揮させる観点から、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との重量比が９５：５〜５：９５であることが適当であり、９５：５〜２０：８０であることが好ましく、８０：２０〜２０：８０であることがより好ましい。研磨レートの観点からは、第２シリカ砥粒の含有量が第１シリカ砥粒の含有量以上（すなわち、上記重量比が５０：５０以上）であってもよく、第２シリカ砥粒の含有量が第１シリカ砥粒の含有量より多くてもよい。
第１シリカ砥粒の含有量と第２シリカ砥粒の含有量との比（重量基準）は特に限定されない。第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを併用することによる効果をよりよく発揮させる観点から、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との重量比が９５：５〜５：９５であることが適当であり、９５：５〜２０：８０であることが好ましく、８０：２０〜２０：８０であることがより好ましい。研磨レートの観点からは、第２シリカ砥粒の含有量が第１シリカ砥粒の含有量以上（すなわち、上記重量比が５０：５０以上）であってもよく、第２シリカ砥粒の含有量が第１シリカ砥粒の含有量より多くてもよい。
研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量のうち第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との合計量は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上、典型的には９５重量％以上である。ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との合計重量が、当該研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量に等しい。
第１シリカ砥粒および第２シリカ砥粒を含む研磨用組成物は、例えば、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒と水系溶媒と必要に応じて用いられる任意成分（研磨促進剤等）とを所望の量比で混合することにより調製され得る。
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、第１シリカ砥粒および第２シリカ砥粒以外のシリカ砥粒（すなわち、第３以降のシリカ砥粒）や、シリカ以外の材質からなる砥粒（以下、非シリカ砥粒ともいう。）を含有してもよい。そのような非シリカ砥粒の例として、アルミナ砥粒、チタニア砥粒、ポリアクリル酸等の樹脂砥粒が挙げられる。
上記非シリカ砥粒の含有量は、研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量のうち、例えば３０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。
ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量のうちシリカ砥粒の割合（２種類以上のシリカ砥粒を含む研磨用組成物では、それらの合計割合）が９０重量％よりも大きい態様で好ましく実施され得る。上記シリカ砥粒の割合は、より好ましくは９５重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上、特に好ましくは９９重量％以上である。なかでも、研磨用組成物に含まれる砥粒の１００重量％がシリカ砥粒である研磨用組成物が好ましい。
上記非シリカ砥粒の含有量は、研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量のうち、例えば３０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。
ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量のうちシリカ砥粒の割合（２種類以上のシリカ砥粒を含む研磨用組成物では、それらの合計割合）が９０重量％よりも大きい態様で好ましく実施され得る。上記シリカ砥粒の割合は、より好ましくは９５重量％以上、さらに好ましくは９８重量％以上、特に好ましくは９９重量％以上である。なかでも、研磨用組成物に含まれる砥粒の１００重量％がシリカ砥粒である研磨用組成物が好ましい。
ここに開示される研磨用組成物は、アルミナ砥粒を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。このことによって、アルミナ砥粒の使用に起因する品質低下（例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留等）を除くことができる。ここで、アルミナ砥粒を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる砥粒の全重量のうちアルミナ砥粒の割合が０〜１重量％（より好ましくは０〜０．５重量％、典型的には０〜０．１重量％）であることをいう。アルミナ砥粒の割合が０重量％である研磨用組成物、すなわちアルミナ砥粒を含まない研磨用組成物が特に好ましい。
ここに開示される研磨用組成物が複数種類の砥粒を含む場合、その組成物に含まれる砥粒の種類数は、通常、それら複数種類の砥粒の外形の相違をもとに概ね把握することができる。砥粒の外形の相違は、例えば、平均アスペクト比の相違、平均短径の相違、平均一次粒子径の相違、平均二次粒子径の相違、粒子の表面形状の相違（例えば、突起の有無やその程度）等のうちの少なくとも一つであり得る。砥粒の外形は、例えば、ＳＥＭ観察により把握することができる。また、研磨用組成物に含まれる複数種類の砥粒の各含有量および含有量比は、例えば、ＳＥＭ観察による画像解析に基づいて求めることができる。上記複数種類の砥粒を含む研磨用組成物は、例えば、それらの砥粒と水系溶媒と必要に応じて用いられる任意成分（研磨促進剤等）とを所望の量比で混合することにより調製され得る。
ここで開示される研磨用組成物は、平均アスペクト比Ａs1を有する第１シリカ砥粒と、第１シリカ砥粒よりも大きい平均アスペクト比Ａs2を有する第２シリカ砥粒とを含有する。そして、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1と第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2との関係が１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３を満たす。このように平均アスペクト比が異なる２種類のシリカ砥粒を特定の平均短径比となるように組み合わせて用いることにより、研磨レートを効果的に向上させることができる。このような効果が得られる理由としては、平均アスペクト比が小さい第１シリカ砥粒が、平均アスペクト比が大きい第２シリカ砥粒の転がり（典型的には第２シリカ砥粒の長径側の面が研磨対象物の表面に当接するように横転すること）を阻止することにより研磨レートの向上に寄与していると考えられ得る。また、小径の第１シリカ砥粒が第２シリカ砥粒／研磨対象物／研磨パッドの隙間に入り込み、加工点が増えることにより研磨レートの向上に寄与していると考えられ得る。
＜水系溶媒＞
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、砥粒の他に水系溶媒を含有する。ここで水系溶媒とは、水と、水を主成分とする混合溶媒とを包含する概念である。水を主成分とする混合溶媒とは、典型的には、水の含有量が５０体積％を超える混合溶媒を指す。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、蒸留水、純水等を用いることができる。上記混合溶媒を構成する水以外の溶媒としては、水と均一に混合し得る有機溶剤（低級アルコール等）を用いることができる。通常は、水系溶媒の８０体積％以上（より好ましくは９０体積％以上、さらに好ましくは９５体積％以上）が水である水系溶媒の使用が好ましい。特に好ましい例として、実質的に水からなる水系溶媒（例えば、９９．５〜１００体積％が水である水系溶媒）が挙げられる。
ここに開示される研磨用組成物（典型的にはスラリー状の組成物）は、例えば、その固形分含量（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ ｃｏｎｔｅｎｔ；ＮＶ）が５ｇ／Ｌ〜５００ｇ／Ｌである形態で好ましく実施され得る。上記ＮＶが１０ｇ／Ｌ〜３５０ｇ／Ｌである形態がより好ましい。
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、砥粒の他に水系溶媒を含有する。ここで水系溶媒とは、水と、水を主成分とする混合溶媒とを包含する概念である。水を主成分とする混合溶媒とは、典型的には、水の含有量が５０体積％を超える混合溶媒を指す。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、蒸留水、純水等を用いることができる。上記混合溶媒を構成する水以外の溶媒としては、水と均一に混合し得る有機溶剤（低級アルコール等）を用いることができる。通常は、水系溶媒の８０体積％以上（より好ましくは９０体積％以上、さらに好ましくは９５体積％以上）が水である水系溶媒の使用が好ましい。特に好ましい例として、実質的に水からなる水系溶媒（例えば、９９．５〜１００体積％が水である水系溶媒）が挙げられる。
ここに開示される研磨用組成物（典型的にはスラリー状の組成物）は、例えば、その固形分含量（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ ｃｏｎｔｅｎｔ；ＮＶ）が５ｇ／Ｌ〜５００ｇ／Ｌである形態で好ましく実施され得る。上記ＮＶが１０ｇ／Ｌ〜３５０ｇ／Ｌである形態がより好ましい。
＜その他の成分＞
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、研磨促進剤、キレート剤、ｐＨ調整剤、防腐剤等の、磁気ディスク基板用の研磨用組成物（典型的には、Ｎｉ−Ｐ基板の一次研磨に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、研磨促進剤、キレート剤、ｐＨ調整剤、防腐剤等の、磁気ディスク基板用の研磨用組成物（典型的には、Ｎｉ−Ｐ基板の一次研磨に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
研磨促進剤の例としては、酸化剤、酸およびその塩が挙げられる。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩等が挙げられるが、これらに限定されない。このような酸化剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、ペルオキソ二硫酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。
ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤として少なくとも硝酸鉄（水和物であり得る。）を含む態様で特に好ましく実施され得る。上記硝酸鉄としては、例えば、硝酸鉄（III）９水和物のような３価の硝酸鉄を好ましく用いることができる。また、２価の硝酸鉄（すなわち硝酸鉄（II））も使用可能である。硝酸鉄（II）は、典型的には他の酸化剤（例えば、ペルオキソ二硫酸塩、過酸化水素等）と組み合わせて用いられることにより、研磨対象物に対して硝酸鉄（III）と同様の作用を発揮し得る。
酸の例としては、鉱酸（硝酸、硫酸、塩酸、リン酸等）や有機酸（炭素原子数が１〜１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸等）が挙げられるが、これらに限定されない。有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、ギ酸、シュウ酸、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、メタンスルホン酸、等が挙げられる。このような酸は、典型的には前述の酸化剤と合わせて用いられることにより、研磨促進剤として効果的に作用し得る。研磨効率の観点から好ましい酸として、メタンスルホン酸、硫酸、硝酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸等が例示される。なかでも硝酸、メタンスルホン酸が好ましい。
キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。
ここに開示される研磨用組成物は、水溶性高分子をさらに含有してもよい。水溶性高分子をさらに含有させることにより、研磨用組成物による研磨後の磁気ディスク基板の表面粗さがより一層低減され得る。水溶性高分子としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。
＜用途＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有するディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の研磨に好ましく適用され得る。特に、かかるディスク基板の一次研磨用の研磨用組成物として好適である。上記基材ディスクは、例えば、アルミニウム合金製、ガラス製、ガラス状カーボン製等であり得る。このような基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えたディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板の一次研磨用の研磨用組成物として好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。
ここに開示される研磨用組成物は、例えば、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有するディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）の研磨に好ましく適用され得る。特に、かかるディスク基板の一次研磨用の研磨用組成物として好適である。上記基材ディスクは、例えば、アルミニウム合金製、ガラス製、ガラス状カーボン製等であり得る。このような基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えたディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ−Ｐ基板の一次研磨用の研磨用組成物として好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。
また、ここに開示される研磨用組成物は、例えば、Ｓｃｈｍｉｔｔ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｃ．社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））が１００Å〜３００Å程度の磁気ディスク基板を研磨（典型的には一次研磨）して１０Å以下の表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））に調整する用途に好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。
＜研磨液＞
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物（磁気ディスク基板）に供給されて、該研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨液と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物（磁気ディスク基板）に供給されて、該研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨液と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。
研磨液における砥粒の含有量（複数種類の砥粒を含む場合には、それらの合計含有量）は、典型的には５ｇ／Ｌ以上であり、１０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、３０ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、研磨後の基板の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、通常、上記含有量としては、２５０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは２００ｇ／Ｌ以下、より好ましくは１５０ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは１００ｇ／Ｌ以下である。
研磨促進剤としての酸化剤を含む態様では、研磨液中における該酸化剤の含有量（複数の酸化剤を含む場合には、それらの合計含有量）を、例えば０．１ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨レート等の観点から、好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨用組成物の経済性の観点から、酸化剤の含有量は、１００ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは７５ｇ／Ｌ以下、より好ましくは６０ｇ／Ｌ以下である。好ましい含有量の範囲は、使用する酸化剤の種類によっても異なり得る。例えば、酸化剤として硝酸鉄（III）９水和物を用いる場合、その含有量は、通常、２０〜１００ｇ／Ｌ程度が適当であり、３０〜７５ｇ／Ｌが好ましい。また、酸化剤として過酸化水素を用いる場合、その含有量は、通常、Ｈ２Ｏ２濃度として０．１〜５０ｇ／Ｌ程度が適当であり、１〜３０ｇ／Ｌが好ましい。
酸、特に有機酸を含む態様では、研磨液中における該有機酸の含有量（複数の有機酸を含む態様では、それらの合計含有量）を、例えば０．１ｇ／Ｌ以上とすることができる。上記含有量は、研磨レート等の観点から、好ましくは０．５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは１ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは５ｇ／Ｌ以上である。また、研磨用組成物の貯蔵安定性等の観点から、上記含有量は、７０ｇ／Ｌ以下が適当であり、好ましくは５０ｇ／Ｌ以下、例えば３０ｇ／Ｌ以下である。
上記研磨液のｐＨとしては、研磨レートや表面平滑性等の観点から、４以下が好ましく、３以下がより好ましい。研磨液において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸等のｐＨ調整剤を含有させることができる。上記ｐＨは、例えば、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の研磨に用いられる研磨液（特に、一次研磨用の研磨液）に好ましく適用され得る。
水溶性高分子を含む態様では、研磨液中における該水溶性高分子の含有量（複数の水溶性高分子を含む態様では、それらの合計含有量）を、例えば０．０１ｇ／Ｌ以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の磁気ディスク基板の表面平滑性等の観点から、好ましくは０．０５ｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．０８ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは５ｇ／Ｌ以下、例えば１ｇ／Ｌ以下である。
＜研磨＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物（ここでは磁気ディスク基板）の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（典型的にはスラリー状の研磨液であり、研磨スラリーと称されることもある。）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物（ここでは磁気ディスク基板）の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（典型的にはスラリー状の研磨液であり、研磨スラリーと称されることもある。）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。
次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。
上述のような研磨工程は、磁気ディスク基板（例えば、Ｎｉ−Ｐ基板）の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む磁気ディスク基板の製造方法が提供される。
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物の一次研磨に好ましく使用され得る。したがって、この明細書によると、上記研磨用組成物を用いた一次研磨工程を含む磁気ディスク基板の製造方法が提供される。この磁気ディスク基板製造方法は、上記一次研磨工程の後に最終研磨工程を含み得る。この最終研磨工程は、従来公知の方法と同様にして実施することができるため、詳しい説明は省略する。
＜濃縮液＞
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は、２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は、２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。
このように濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を研磨対象物に供給する態様で好適に使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の水系溶媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記水系溶媒が混合溶媒である場合、該水系溶媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えてもよく、それらの構成成分を上記水系溶媒とは異なる量比で含む混合溶媒を加えて希釈してもよい。
上記濃縮液のＮＶは、例えば５００ｇ／Ｌ以下とすることができる。研磨用組成物の貯蔵安定性（例えば、砥粒の分散安定性）等の観点から、濃縮液のＮＶは、４５０ｇ／Ｌ以下とすることが適当であり、好ましくは３５０ｇ／Ｌ以下である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、濃縮液のＮＶは、１０ｇ／Ｌより高いことが適当であり、好ましくは３０ｇ／Ｌ超、より好ましくは５０ｇ／Ｌ超、例えば１００ｇ／Ｌ超である。
上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば５００ｇ／Ｌ未満とすることができる。研磨用組成物の貯蔵安定性等の観点から、上記含有量は、４５０ｇ／Ｌ未満が適当であり、好ましくは３５０ｇ／Ｌ未満である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、砥粒の含有量は、例えば１０ｇ／Ｌ以上とすることができ、好ましくは２０ｇ／Ｌ以上、より好ましくは３０ｇ／Ｌ以上（例えば５０ｇ／Ｌ以上）である。
ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（典型的には、水系溶媒以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。具体的には、例えば、第１シリカ砥粒を含むＡ液と、第２シリカ砥粒を含むＢ液と、シリカ砥粒以外の構成成分を含むＣ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよいし、また、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを含むＡ液と、シリカ砥粒以外の構成成分を含むＢ液とが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。また、研磨用組成物の構成成分に酸化剤を含む場合、酸化剤と他の構成成分とが混合されることで、構成成分の一部または全部が変質あるいは分解することがあるため、酸化剤を含む一剤または多剤の液と、酸化剤以外の構成成分を含む一剤または多剤の液とに分けてもよい。
ここに開示される研磨用組成物または該組成物を用いた研磨によると、研磨対象物の表面を効率よく平坦化することができる。このため、Ｎｉ−Ｐ基板等の磁気ディスク基板の一次研磨に好ましく適用可能な研磨効率が実現され得る。
以下、本発明に関するいくつかの例を説明するが、本発明をかかる例に示すものに限定することを意図したものではない。
＜ディスクの研磨＞
研磨レートは次のようにして測定した。各例の研磨液を用いて、下記の条件で、研磨対象基板の研磨を行った。研磨対象基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。上記研磨対象基板（以下「Ｎｉ−Ｐ基板」ともいう。）の直径は３．５インチ（約９５ｍｍ）、厚さは１．７５ｍｍであった。
研磨レートは次のようにして測定した。各例の研磨液を用いて、下記の条件で、研磨対象基板の研磨を行った。研磨対象基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。上記研磨対象基板（以下「Ｎｉ−Ｐ基板」ともいう。）の直径は３．５インチ（約９５ｍｍ）、厚さは１．７５ｍｍであった。
［研磨条件］
研磨装置：スピードファム社製の両面研磨機、型式「ＤＳＭ ９Ｂ−５Ｐ−ＩＶ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のポリウレタンパッド、商品名「ＣＲ２００」
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ２
上定盤回転数：１２ｒｐｍ
下定盤回転数：３６ｒｐｍ
研磨液の供給レート：１００ｍＬ／分
研磨量：各基板の両面の合計で約２μｍの厚さ
研磨装置：スピードファム社製の両面研磨機、型式「ＤＳＭ ９Ｂ−５Ｐ−ＩＶ」
研磨パッド：ＦＩＬＷＥＬ社製のポリウレタンパッド、商品名「ＣＲ２００」
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ２
上定盤回転数：１２ｒｐｍ
下定盤回転数：３６ｒｐｍ
研磨液の供給レート：１００ｍＬ／分
研磨量：各基板の両面の合計で約２μｍの厚さ
＜研磨レート＞
各例の研磨液を用いて上記Ｎｉ−Ｐ基板を研磨したときの研磨レートを次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０４
各例の研磨液を用いて上記Ｎｉ−Ｐ基板を研磨したときの研磨レートを次の計算式に基づいて求めた。
研磨レート［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０４
試験例１〜３で使用した各シリカ砥粒の詳細は表１に示すとおりである。ここでは第１シリカ砥粒としてコロイダルシリカ（以下、「Ｃシリカ」と表記する。）を使用した。また、第２シリカ砥粒としてフュームドシリカ（以下、「Ｆシリカ」と表記する。）を使用した。なお、各砥粒の平均アスペクト比および平均短径は、ＳＥＭ観察に基づく上述の方法に準じて、５００個の粒子の平均値として求めたものである。また、各砥粒の平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて測定された値である。各砥粒の平均二次粒子径は、日機装株式会社製「Ｎａｎｏｔｒａｃ Ｗａｖｅ−ＵＴ１５１」を用いて測定された値である。また、各砥粒Ａ〜Ｌをそれぞれ単独で含む研磨液の研磨レートを測定した。研磨液中における各砥粒Ａ〜Ｌの含有量は６重量％となる量とした。各砥粒Ａ〜Ｌを単独で用いた点以外は後述する例１と同様にして研磨液を調製した。
＜試験例１＞
試験例１では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｂ、Ｃ、Ｄを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ａを使用した。
試験例１では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｂ、Ｃ、Ｄを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ａを使用した。
＜研磨用組成物の調製＞
（例１）
第１シリカ砥粒としての砥粒Ｂと、第２シリカ砥粒としての砥粒Ａと、硝酸と、過酸化水素と、脱イオン水とを混合して、表２に示す組成の研磨液を調製した。研磨液中における硝酸の濃度は８ｇ／Ｌ、過酸化水素の濃度は６．１ｇ／Ｌとした。研磨液中における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを合わせた砥粒の含有量は６重量％となる量とした。第１シリカ砥粒（砥粒Ｂ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．９９である。また、本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例１）
第１シリカ砥粒としての砥粒Ｂと、第２シリカ砥粒としての砥粒Ａと、硝酸と、過酸化水素と、脱イオン水とを混合して、表２に示す組成の研磨液を調製した。研磨液中における硝酸の濃度は８ｇ／Ｌ、過酸化水素の濃度は６．１ｇ／Ｌとした。研磨液中における第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを合わせた砥粒の含有量は６重量％となる量とした。第１シリカ砥粒（砥粒Ｂ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．９９である。また、本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例２）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｃを用いた点以外は例１と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｃ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．２９である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｃを用いた点以外は例１と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｃ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．２９である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例３）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｄを用いた点以外は例１と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｄ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．４４である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｄを用いた点以外は例１と同様にして、表２に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｄ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．４４である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
図１は、各例の研磨液について、横軸に砥粒の全重量のうちの第２シリカ砥粒（砥粒Ａ）の含有割合をとり、縦軸に研磨レートをとったグラフである。また、表２には、各例の研磨液における３種類の組成のうち研磨レートが最大値を示した組成の結果を記載した。表２の「向上率Ｒ１」の欄には、第１シリカ砥粒を単独で用いた場合の研磨レートに対する各例の研磨レートの向上率（各例の研磨レート／第１シリカ砥粒を単独で用いた場合の研磨レート）を記載した。また、表２の「向上率Ｒ２」の欄には、第２シリカ砥粒を単独で用いた場合の研磨レートに対する各例の研磨レートの向上率（各例の研磨レート／第２シリカ砥粒を単独で用いた場合の研磨レート）を記載した。
表２に示すように、例１〜３の研磨液は、平均アスペクト比が相対的に小さい第１シリカ砥粒と、平均アスペクト比が相対的に大きい第２シリカ砥粒とを含有する。そして、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ短径比が１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３である。かかる例１〜３によると、第１シリカ砥粒または第２シリカ砥粒を単独で含む研磨液を用いた場合に比べて、砥粒全体の含有量が同じであるにもかかわらず、研磨レートを格段に向上させることができた（表１、表２および図１参照）。例えば、砥粒Ｂと砥粒Ａとを組み合わせて用いた例１によると、砥粒Ｂを単独で用いた場合に比べて、研磨レートを２．２倍も向上させることができた。また、砥粒Ａを単独で用いた場合に比べて、研磨レートを９．７倍も向上させることができた。このことから、第１シリカ砥粒および第１シリカ砥粒をそれぞれ単独で使用するよりも、それらを組み合わせて使用することの方がより高い研磨レート向上効果が実現されることが確認された。換言すると、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを組み合わせて使用することにより、かかる組み合わせによる相乗効果として、研磨レートが大きく向上した研磨液が得られるといえる。
＜試験例２＞
試験例２では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｆ、Ｇ、Ｈを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを使用した。
試験例２では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｆ、Ｇ、Ｈを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを使用した。
（例４）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｆを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを用いた点以外は例１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｆ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．９１である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計４種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｆを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを用いた点以外は例１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｆ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．９１である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計４種類の研磨液を調製した。
（例５）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｇを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを用いた点以外は例１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｇ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．２５である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｇを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを用いた点以外は例１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｇ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．２５である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例６）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｈを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを用いた点以外は例１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｈ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．４９である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計２種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｈを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｅを用いた点以外は例１と同様にして、表３に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｈ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．４９である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計２種類の研磨液を調製した。
図２は、各例の研磨液について、横軸に砥粒の全重量のうちの第２シリカ砥粒（砥粒Ｅ）の含有割合をとり、縦軸に研磨レートをとったグラフである。
表３に示すように、例４、５の研磨液は、平均アスペクト比が相対的に小さい第１シリカ砥粒と、平均アスペクト比が相対的に大きい第２シリカ砥粒とを含有する。そして、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ短径比が１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３である。かかる例４、５によると、第１シリカ砥粒または第２シリカ砥粒を単独で含む研磨液を用いた場合に比べて、研磨レートを格段に向上させることができた（表１、表３および図２参照）。一方、平均短径Ｄmin1が２９．７ｎｍの第１シリカ砥粒を用いた例６は、平均アスペクト比が異なる２種類のシリカ砥粒を用いたにもかかわらず、例４、５ほどは性能向上効果が認められなかった。この結果から、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを組み合わせて用いる場合、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は３０ｎｍ以上にすることが好ましい。
＜試験例３＞
試験例２では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｆ、Ｇ、Ｊ、Ｋを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを使用した。
試験例２では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｆ、Ｇ、Ｊ、Ｋを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを使用した。
（例７）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｆを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｆ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．３３である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計５種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｆを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｆ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．３３である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計５種類の研磨液を調製した。
（例８）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｇを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｇ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．５３である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｇを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｇ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．５３である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例９）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｊを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｊ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．６４である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｊを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｊ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．６４である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例１０）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｋを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｋ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．４１である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｋを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｉを用いた点以外は例１と同様にして、表４に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｋ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．４１である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
図３は、各例の研磨液について、横軸に砥粒の全重量のうちの第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の含有割合をとり、縦軸に研磨レートをとったグラフである。
表４に示すように、例７〜９の研磨液は、平均アスペクト比が相対的に小さい第１シリカ砥粒と、平均アスペクト比が相対的に大きい第２シリカ砥粒とを含有する。そして、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ短径比が１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３である。かかる例７〜９によると、第１シリカ砥粒または第２シリカ砥粒を単独で含む研磨液を用いた場合に比べて、研磨レートを格段に向上させることができた（表１、表４および図３参照）。一方、平均短径Ｄmin1が６３．９ｎｍの第１シリカ砥粒を用いた例１０は、平均アスペクト比が異なる２種類のシリカ砥粒を用いたにもかかわらず、例７〜９ほどは性能向上効果が認められなかった。この結果から、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを組み合わせて用いる場合、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は６０ｎｍ以下にすることが好ましい。
＜試験例４＞
試験例４では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｆ、Ｇ、Ｊ、Ｋを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを使用した。
試験例４では、第１シリカ砥粒として砥粒Ｆ、Ｇ、Ｊ、Ｋを使用した。また、第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを使用した。
（例１１）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｆを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｆ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．０８である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｆを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｆ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、２．０８である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例１２）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｇを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｇ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．３７である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｇを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｇ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．３７である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例１３）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｊを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｊ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．４７である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｊを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｊ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．４７である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
（例１４）
第１シリカ砥粒として砥粒Ｋを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｋ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．２６である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
第１シリカ砥粒として砥粒Ｋを用い、かつ第２シリカ砥粒として砥粒Ｌを用いた点以外は例１と同様にして、表５に示す組成の研磨液を調製した。第１シリカ砥粒（砥粒Ｋ）の平均短径Ｄmin1に対する第２シリカ砥粒（砥粒Ｌ）の平均短径Ｄmin2の短径比（Ｄmin2／Ｄmin1）は、１．２６である。本例では、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒との含有量の重量比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が互いに異なる計３種類の研磨液を調製した。
図４は、各例の研磨液について、横軸に砥粒の全重量のうちの第２シリカ砥粒（砥粒Ｉ）の含有割合をとり、縦軸に研磨レートをとったグラフである。
表５に示すように、例１１〜１３の研磨液は、平均アスペクト比が相対的に小さい第１シリカ砥粒と、平均アスペクト比が相対的に大きい第２シリカ砥粒とを含有する。そして、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ短径比が１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３である。かかる例１１〜１３によると、第１シリカ砥粒または第２シリカ砥粒を単独で含む研磨液を用いた場合に比べて、研磨レートを格段に向上させることができた（表１、表５および図４参照）。一方、平均短径Ｄmin1が６３．９ｎｍの第１シリカ砥粒を用いた例１４は、平均アスペクト比が異なる２種類のシリカ砥粒を用いたにもかかわらず、例１１〜１３ほどは性能向上効果が認められなかった。この結果から、第１シリカ砥粒と第２シリカ砥粒とを組み合わせて用いる場合、第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1は６０ｎｍ以下にすることが好ましい。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
Claims (9)
- 磁気ディスク基板（ただし、シリコン基板を除く。）の研磨に使用するための研磨用組成物であって、
平均アスペクト比Ａs1を有する第１シリカ砥粒と、
前記第１シリカ砥粒よりも大きい平均アスペクト比Ａs2を有する第２シリカ砥粒と、
を含み、
前記第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、かつ
前記第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1と前記第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2との関係が次式：１＜（Ｄmin2／Ｄmin1）＜３；を満たし、
前記第２シリカ砥粒の平均短径Ｄmin2は、前記第１シリカ砥粒の平均短径Ｄmin1より１５ｎｍ以上大きい、研磨用組成物。 - 前記第２シリカ砥粒の平均アスペクト比Ａs2が１．２５以上である、請求項１に記載の研磨用組成物。
- 前記第２シリカ砥粒としてフュームドシリカを含む、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
- 前記第１シリカ砥粒および前記第２シリカ砥粒の含有量の比（第１シリカ砥粒：第２シリカ砥粒）が重量基準で９５：５〜５：９５の範囲である、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記研磨用組成物が研磨促進剤を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記研磨促進剤は酸化剤を含む、請求項５に記載の研磨用組成物。
- ｐＨが４以下である、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の一次研磨に用いられる、請求項１から７のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 請求項１から８のいずれか一項に記載の研磨用組成物を製造する方法であって、
前記第１シリカ砥粒と前記第２シリカ砥粒とを混合することを含む、研磨用組成物の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014085047A JP6412714B2 (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 研磨用組成物 |
| MYPI2015000977A MY175402A (en) | 2014-04-16 | 2015-04-14 | Polishing composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014085047A JP6412714B2 (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 研磨用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015203108A JP2015203108A (ja) | 2015-11-16 |
| JP6412714B2 true JP6412714B2 (ja) | 2018-10-24 |
Family
ID=54596758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014085047A Active JP6412714B2 (ja) | 2014-04-16 | 2014-04-16 | 研磨用組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6412714B2 (ja) |
| MY (1) | MY175402A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6487308B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2019-03-20 | 大阪ガスケミカル株式会社 | フルオレン骨格を有するポリエステルポリ（メタ）アクリレート、その硬化性組成物及び硬化物、並びにその製造方法 |
| JP6584935B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2019-10-02 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP6679386B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-04-15 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法 |
| JP6637816B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-01-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、基板の研磨方法および基板の製造方法 |
| JP6775453B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-10-28 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005108407A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Univ Waseda | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体用基板 |
| JP6305674B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2018-04-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び半導体基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-04-16 JP JP2014085047A patent/JP6412714B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-14 MY MYPI2015000977A patent/MY175402A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015203108A (ja) | 2015-11-16 |
| MY175402A (en) | 2020-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6412714B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP6259182B2 (ja) | ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板の一次研磨用研磨液 | |
| JP2017179217A (ja) | 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法 | |
| JP2018174009A (ja) | 研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスクの研磨方法 | |
| JP4202201B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP4202172B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2004263074A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP6564638B2 (ja) | 研磨用組成物、磁気ディスク基板製造方法および磁気ディスク基板 | |
| JP6362385B2 (ja) | 基板の製造方法および研磨用組成物 | |
| JP6637816B2 (ja) | 研磨用組成物、基板の研磨方法および基板の製造方法 | |
| JP6688129B2 (ja) | 研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスク基板の研磨方法 | |
| JP2018174010A (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP6362395B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
| JP6170798B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
| JP2015071660A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP7111492B2 (ja) | 研磨用組成物、パッド表面調整用組成物およびその利用 | |
| JP7058097B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP6916648B2 (ja) | 磁気ディスク基板の研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット | |
| JP6637817B2 (ja) | 磁気ディスク基板研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および研磨方法 | |
| WO2019216205A1 (ja) | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP6480139B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP7441101B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP7368998B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
| JP7262197B2 (ja) | 研磨用組成物およびその利用 | |
| JP6572082B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスク基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170309 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180307 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180329 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180730 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180830 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181001 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6412714 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |