JP2010155902A - 磁気ディスク基板用リンス剤組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)カルボン酸基を有する構成単位及びスチレン誘導体に由来する構成単位の少なくとも一方と、スルホン酸基を有する構成単位とを有する共重合体。
(b)下記式(1)で表される両性界面活性剤。
本発明において「ナノ突起欠陥」とは、磁気ディスク基板の製造工程におけるリンス後の基板表面の欠陥であって、光学的に検出され得る高さ10nm未満程度の大きさの凸欠陥をいう。磁気ディスクの高密度化・大容量化のためには、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔は10nm未満となる必要があるため、ナノ突起は磁気ヘッドの消耗及び磁気ディスクドライブの記録密度の低下や不安定をもたらし得る。研磨後の基板においてナノ突起欠陥が低減されれば、磁気ヘッドの浮上量が低減でき、磁気ディスク基板の記録密度向上が可能となる。
本発明において「スクラッチ」とは、深さが1nm以上、幅が100nm以上、長さが1000nm以上の基板表面の微細な傷で、光学式欠陥検出装置であるVeeco社製のCandela6100シリーズや日立ハイテクノロジ−社製のNS1500シリーズで検出可能であり、スクラッチ数として定量評価できる。さらに、検出したスクラッチは原子間力顕微鏡(AFM)、走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)で大きさや形状を解析することができる。
(a)カルボン酸基を有する構成単位及びスチレン誘導体に由来する構成単位の少なくとも一方と、スルホン酸基を有する構成単位とを有する共重合体。
(b)下記式(1)で表される両性界面活性剤。
本発明において、カルボン酸基を有する構成単位は、カルボン酸基を有する単量体に由来することが好ましい。カルボン酸基を有する単量体とは、カルボン酸基(−COOH)及び又はその塩を少なくとも1以上含み重合可能な二重結合を有する単量体をいい、例えば、イタコン酸、無水イタコン酸、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、グルタコン酸、ビニル酢酸、アリル酢酸、フォスフィノカルボン酸、α−ハロアクリル酸、β−カルボン酸、またはこれらの塩類等が挙げられる。中でも、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、(メタ)アクリル酸が好ましい。なお、本発明において、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を指す。
本発明において、スチレン誘導体に由来する構成単位は、以下の単量体に由来することが好ましい。スチレン構造を含み重合可能な二重結合を有する単量体、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、2−メチルスチレン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレン、α、2−ジメチルスチレン、2,4−ジメチルスチレン、2,5−ジメチルスチレン、2,4,6−トリメチルスチレン、2−エチルスチレン、4−エチルスチレン、4−イソプロピルスチレン、2−メトキシスチレン、3−メトキシスチレン、4−メトキシスチレン、4−エトキシスチレン、4−フェノキシスチレン、4−フェニルスチレン、2−ヒドロキシスチレン、4−ヒドロキシスチレンなどが挙げられる。中でも、反応性、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、スチレンが好ましい。
本発明において、スルホン酸基を有する構成単位は、カルボン酸基を有する単量体に由来することが好ましい。スルホン酸基を含有する単量体とは、スルホン酸基(−SO3H)及び又はその塩を少なくとも1以上含む重合可能な二重結合を有する単量体をいい、例えば、イソプレンスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルベンジルスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、イソプレンスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸が好ましく、スチレンスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸がより好ましい。なお、本発明において、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸とは、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸又は2−メタクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸を指す。
本発明のリンス剤組成物は、酸化剤を含有する。本発明のリンス剤組成物に使用される酸化剤としては、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。
本発明のリンス剤組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。被リンス基板の表面清浄性の観点からイオン交換水及び超純水が好ましく、超純水がより好ましい。リンス剤組成物中の水の含有量は、60〜99.4重量%が好ましく、70〜98.9重量%がより好ましい。また、本発明の効果を阻害しない範囲内でアルコール等の有機溶剤を配合してもよい。
本発明のリンス剤組成物のpHは、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、6以下であり、好ましくは5以下、さらに好ましくは4以下、さらにより好ましくは3以下である。また、被リンス基板及び研磨機の腐食防止の観点から、1以上が好ましく、より好ましくは1.2以上、さらに好ましくは1.3以上、さらにより好ましくは1.4以上である。したがって、リンス剤組成物のpHは、1〜6であり、好ましくは1.2〜5、さらに好ましくは1.3〜4、さらにより好ましくは1.4〜3である。
本発明のリンス剤組成物は、酸を含むことが好ましい。本発明において、酸には酸及び又はその塩が含まれる。本発明のリンス剤組成物に使用される酸としては、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、その酸のpK1が2以下の化合物が好ましく、スクラッチを低減する観点から、好ましくはpK1が1.5以下、より好ましくは1以下、さらに好ましくはpK1で表せない程の強い酸性を示す化合物である。その例としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸及びその塩、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1,−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸及びその塩、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸及びその塩、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸及びその塩等が挙げられる。中でも、スクラッチ低減の観点から、無機酸や有機ホスホン酸及びそれらの塩が好ましい。また、無機酸及びその塩の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びそれらの塩がより好ましく、硫酸がさらに好ましい。有機ホスホン酸及びその塩の中では、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)及びそれらの塩がより好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)がさらに好ましい。これらの酸及びその塩は単独で又は2種以上を混合して用いてもよい。ここで、pK1とは有機化合物または無機化合物の第一酸解離定数(25℃)の逆数の対数値である。各化合物のpK1は例えば改訂4版化学便覧(基礎編)II、pp316−325(日本化学会編)等に記載されている。
本発明の研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。研磨液組成物中のこれら他の任意成分の含有量は、0〜10重量%が好ましく、0〜5重量%がより好ましい。
本発明は、その他の態様として、磁気ディスク基板の製造方法(以下、本発明の製造方法ともいう。)に関する。本発明の製造方法は、一実施形態において、被リンス基板を本願発明のリンス剤組成物を用いてリンスするリンス工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。前記被リンス基板としては、後述するとおり、研磨工程後に得られる研磨後の基板が挙げられる。したがって、本発明の製造方法はその他の実施形態において、アルミナ、コロイダルシリカ等の研磨材を含む研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程と、本発明のリンス剤組成物を用いて前記研磨工程で得られる研磨後の基板をリンスするリンス工程とを含む磁気ディスク基板の製造方法である。本発明の製造方法によれば、リンス工程において生じる基板表面のスクラッチやナノ突起欠陥が低減された磁気ディスク基板を好ましくは提供できる。本発明の製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。よって、本発明の製造方法は、その他の態様として、本発明のリンス剤組成物を用いたリンス工程を含む垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法である。
本発明で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
本発明のリンス剤組成物を用いたリンス工程で使用されるリンス荷重は、生産性及び洗浄効率向上の観点から、好ましくは1.0kPa以上、より好ましくは2.0kPa以上、さらに好ましくは3.5kPa以上である。また、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、7.0kPa以下が好ましく、より好ましくは6.0kPa以下、さらに好ましくは5.0kPa以下である。したがって、リンス工程においてリンス荷重は1.0〜7.0kPaが好ましく、2.0〜6.0kPaがより好ましく、3.5〜5.0kPaがさらに好ましい。リンス荷重の調整は、定盤及び被リンス基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。なお、本発明の製造方法においてリンス荷重とは、リンス時に被リンス基板のリンス面に加えられる定盤の圧力をいう。
リンス工程における本発明のリンス剤組成物の供給速度は、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、被リンス基板1cm2当たり、好ましくは0.3〜2.0mL/分であり、より好ましくは0.6〜1.5mL/分であり、さらに好ましくは0.7〜1.4mL/分である。
本発明の製造方法のリンス工程において、研磨機を用いてリンスを行う時間としては、スクラッチ及びナノ突起欠陥低減の観点から、10〜120秒が好ましく、15〜60秒がより好ましく、15〜30秒がさらに好ましい。
本発明において好適に使用される被リンス基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含有する被リンス基板が好適である。特にNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板に適しており、中でもNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板が適している。
本発明は、その他の態様として、上述したリンス剤組成物を研磨パッドに接触させながら被リンス基板をリンスすることを含む被リンス基板の研磨方法に関する。本発明のリンス方法を使用することにより、基板表面のスクラッチ及びナノ突起欠陥が低減された磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が好ましくは提供される。本発明のリンス方法における前記被リンス基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。なお、具体的な研磨の方法及び条件は、上述のとおりとすることができる。
〔アクリル酸/2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体のGPC条件〕
カラム :TSKgel G4000PWXL+TSKgel G2500PWXL(東ソー製)
溶離液 :0.2Mリン酸バッファー/CH3CN=9/1体積比
温度 :40℃
流速 :1.0mL/min
試料サイズ:5mg/mL
検出器 :RI
換算標準 :ポリアクリル酸Na
カラム :TSKgel α−M+TSKgel α−M(東ソー製)
ガードカラム:TSKguardcolumn α(東ソー製)
溶離液 :60mmol/L リン酸,50mmol/L LiBr/DMF
温度 :40℃
流速 :1.0mL/min
試料サイズ:3mg/mL
検出器 :RI
換算標準 :ポリスチレン
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」
研磨パッド:フジボウ社製スエードタイプ(厚さ0.9mm、平均開孔径30μm)
研磨液組成物供給量:100mL/分(被研磨基板1cm2あたりの供給速度:0.072mL/分)
下定盤回転数:32.5rpm
研磨荷重:7.9kPa
研磨時間:4分間
研磨液組成物:4.5重量%コロイダルシリカ(日揮触媒化成社製、平均粒径25nm)、0.4重量%硫酸(和光純薬工業社製 特級)、0.1重量%HEDP(1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、ソルーシア・ジャパン製)、0.4重量%過酸化水素(旭電化製 濃度:35重量%)、残部イオン交換水。
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」
研磨パッド:フジボウ社製スエードタイプ(厚さ0.9mm、平均開孔径30μm)
リンス剤組成物供給量:600mL/分(被リンス基板1cm2あたりの供給速度:0.91mL/分)
下定盤回転数:32.5rpm
リンス荷重:3.92kPa
リンス時間:30秒
測定機器:Candela Instruments社製、OSA6100
評価:研磨試験機に投入した基板の中、無作為に4枚を選択し、各々の基板を10000rpmにてレーザーを照射してナノ突起欠陥及びスクラッチを測定した。その4枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数(本)の合計を8で除して、基板面当たりのスクラッチの数を算出した。同様に4枚の基板の各々両面にあるナノ突起欠陥数(本)の合計を8で除して、基板面当たりのナノ突起欠陥の数を算出した。その結果を下記表1に示す。
Claims (6)
- さらに、酸を含有する、請求項1記載の磁気ディスク基板用リンス剤組成物。
- 酸化剤の含有量が、研磨液組成物中0.01〜5重量%である、請求項1又は2記載の磁気ディスク基板用リンス剤組成物。
- 前記共重合体及び前記界面活性剤の合計含有量が、研磨液組成物中0.001〜1重量%である、請求項1から3のいずれかに記載の磁気ディスク基板用リンス剤組成物。
- 研磨機を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程と、
前記工程で得られる研磨後の前記基板を、研磨機を用いてリンスするリンス工程とを含み、
前記リンス工程は、請求項1から4のいずれかに記載の磁気ディスク基板用リンス剤組成物を用いて前記基板をリンスすることを含む、磁気ディスク基板の製造方法。 - 前記研磨工程は、コロイダルシリカを含む研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法。
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