JP2000273445A - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物

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JP2000273445A
JP2000273445A JP31401999A JP31401999A JP2000273445A JP 2000273445 A JP2000273445 A JP 2000273445A JP 31401999 A JP31401999 A JP 31401999A JP 31401999 A JP31401999 A JP 31401999A JP 2000273445 A JP2000273445 A JP 2000273445A
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polishing
polishing composition
nitrate
oxide
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Kazushi Kodama
玉 一 志 児
Hisaki Owaki
脇 寿 樹 大
Katsumi Tani
克 己 谷
Noritaka Yokomichi
道 典 孝 横
Takashi Tokuue
植 孝 徳
Norio Fujioka
岡 則 夫 藤
Tetsuya Sayama
山 哲 也 佐
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Toho Chemical Industry Co Ltd
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Fujimi Inc
Toho Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリーハードディスクに使用されるサブス
トレートの鏡面研磨において、従来の研磨用組成物に比
べて、研磨速度が大きく、また消泡性が高く、微細なピ
ット、微小突起、およびその他の表面欠陥の発生を防止
することができる研磨用組成物の提供。 【解決手段】 下記の(a)〜(d)の成分を含んでな
ること、を特徴とする研磨用組成物。 (a)水、(b)ポリスチレンスルホン酸およびその塩
類からなる群から選択される少なくとも1種類の化合
物、(c)成分(b)以外の、無機酸、有機酸、および
それらの塩類からなる群から選択される化合物、および
(d)酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、およ
び二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1
種類の研磨材。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリーハードデ
ィスク、すなわちコンピューターなどに用いられる記憶
装置に使用される磁気ディスク用基盤、の製造におい
て、その表面の仕上げ研磨に好適な研磨用組成物に関す
るものである。
【0002】さらに詳しくは、本発明は、Ni−Pディ
スク、Ni−Feディスク、アルミニウムディスク、ボ
ロンカーバイドディスク、およびカーボンディスク等に
代表されるメモリーハードディスクに使用されるディス
ク基盤(以下、「サブストレート」という)の仕上げ研
磨において、従来の研磨用組成物に比べて消泡性が高
く、研磨速度が大きく、微細なピット、微小突起、およ
びその他の表面欠陥の発生を防止することが可能である
と同時に、高容量かつ高記録密度の磁気ディスク装置に
使用できる優れた加工表面を得ることができる製造技術
に適用可能な研磨用組成物に関するものである。
【0003】
【従来の技術】コンピューターなどの記憶媒体のひとつ
である磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードデ
ィスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどってお
り、磁性媒体は従来の塗布型からスパッタリング法やメ
ッキ法およびその他の方法による薄膜媒体へと移行しつ
つある。
【0004】現在、最も広く普及しているサブストレー
トは、ブランク材に無電解Ni−Pメッキを成膜したも
のである。ブランク材とは、サブストレートの基材であ
るアルミニウムおよびその他の基盤を、平行度や平坦度
を持たせる目的でダイヤターンによる旋盤加工、SiC
研磨材を固めて作られたPVA砥石を用いたラップ加工
およびその他の方法により整形したものである。しか
し、前記の各種整形方法では比較的大きなうねりは完全
には除去できない。そして、このブランク材に成膜され
る無電解Ni−Pメッキも前記のうねりに沿って成膜さ
れるために、サブストレートにも前記のうねりが残って
しまうことがある。このサブストレートのうねりを除去
し、表面を平滑化する目的で研磨が行われている。
【0005】メモリーハードディスクの高容量化にとも
ない、面記録密度は年に数十%の割合で向上している。
従って、記録される一定量の情報が占めるメモリーハー
ドディスク上のスペースはますます狭くなり、記録に必
要な磁力は弱くなってきている。このために最近の磁気
ディスク装置では、磁気ヘッドとメモリーハードディス
クの隙間であるヘッド浮上高を小さくする必要に迫られ
ており、現在では、そのヘッド浮上高は0.02μm以
下にまで及んでいる。
【0006】また、情報の読み書きを行う磁気ヘッドが
メモリーハードディスクへ吸着すること、およびサブス
トレート表面に研磨による、メモリーハードディスクの
回転方向とは異なる一定方向の筋目がつくことにより、
メモリーハードディスク上の磁界が不均一になること、
を防止する目的で、研磨後のサブストレートに同心円状
の筋目をつける、いわゆるテクスチャー加工が行われる
ことがある。最近では、ヘッド浮上高をさらに低くする
目的で、サブストレート上に施す筋目をより薄くしたラ
イトテクスチャー加工が行われたり、さらにはテクスチ
ャー加工を行わずに筋目をつけないノンテクスチャーの
サブストレートも用いられるようになっている。このよ
うな、磁気ヘッドの低浮上化をサポートする技術も開発
され、ヘッドの低浮上化がますます進んできている。
【0007】磁気ヘッドは、非常に高速で回転している
メモリーハードディスクの表面の形状に沿って浮上して
いるが、メモリーハードディスク表面に数μm程度のピ
ットが存在した場合、情報が完全に書き込まれず、いわ
ゆる「ビット落ち」と呼ばれる情報の欠落や情報の読み
取り不良が発生し、エラー発生の原因となることがあ
る。
【0008】なお、ここでいう「ピット」とは、サブス
トレートにもともと存在するへこみであったり、研磨に
よりサブストレート表面に発生したへこみのことであ
り、また微細なピットとは、そのうち直径がおおよそ5
0μm未満のへこみのことである。
【0009】従って、磁性媒体を形成させる前工程、す
なわち研磨加工、においてサブストレート表面の粗さを
小さくすることが重要であると同時に、比較的大きなう
ねり、微小突起やピットおよびその他の表面欠陥を完全
に除去する必要がある。
【0010】前記目的のために、従来は、一般に酸化ア
ルミニウムまたはその他の各種研磨材および水に、各種
の研磨促進剤を含む研磨用組成物(以下、その性状から
「スラリー」という)を用いて1回の研磨で仕上げられ
ていた。例えば、特公昭64−436号公報および特公
平2−23589号公報には、水と水酸化アルミニウム
に、研磨促進剤として硝酸アルミニウム、硝酸ニッケ
ル、または硫酸ニッケルなどを添加し、混合してスラリ
ーとしたメモリーハードディスクの研磨用組成物が開示
されている。また、特公平4−38788号公報には、
水とアルミナ研磨材微粉に、研磨促進剤としてグルコン
酸または乳酸と、表面改質剤としてコロイダルアルミナ
と、からなる酸性のアルミニウム磁気ディスクの研磨用
組成物が開示されている。
【0011】しかし、前述した研磨用組成物はいずれ
も、1段階の研磨ではサブストレート表面の比較的大き
なうねりや表面欠陥を除去し、かつ一定時間内に表面粗
さを非常に小さく仕上げ、さらに微小突起、微細なピッ
ト、およびその他の表面欠陥の発生を防止することのす
べてを満足することは非常に困難であった。このため、
2段階以上の研磨プロセスが検討されるようになってき
た。
【0012】なお、求められる表面粗さの程度は、サブ
ストレートの製造プロセス、メモリーハードディスクと
しての最終的な記録容量およびその他の条件によって決
定されるが、求められる表面粗さの程度如何によって
は、2段階を超える研磨工程が採用されることもある。
【0013】2段階で研磨プロセスを行う場合、1段目
の研磨は、サブストレート表面の比較的大きなうねり、
大きなピット、およびその他などの表面欠陥を除去する
こと、すなわち整形、が主たる目的となる。このため、
表面粗さを小さくすることより、むしろ2段目の仕上研
磨で除去できないような深いスクラッチの発生が少な
く、前記のうねりや表面欠陥に対して加工修正能力の大
きい研磨用組成物が要求される。このため、研磨速度を
大きくする目的で、組成物中の研磨材としては比較的大
きな粒子径のものが用いられる。
【0014】また、2段目の研磨、すなわち仕上研磨、
は、サブストレートの表面粗さを非常に小さくすること
を目的とする。このため、1段目の研磨で要求されるよ
うな大きなうねりや表面欠陥に対して加工修正能力が大
きいことよりも、表面粗さを小さくすることが可能であ
り、微小突起、微細なピット、およびその他の表面欠陥
の発生を防止できることが要求される。
【0015】従来、1段目および2段目の研磨にかかわ
らず、サブストレートの表面粗さを小さくする手段とし
ては、組成物中の研磨材として比較的小さな粒子径のも
のを用いたり、界面活性剤を含む研磨用組成物を使用し
たりしていた。例えば、特開平5−32959号公報に
は、水、アルミナ研磨材、およびフッ素系界面活性剤か
らなることを特徴とする研磨用組成物が、また特開平5
−59351号公報には、水、アルミナ研磨材、研磨促
進剤としての水溶性金属塩、およびフッ素系界面活性剤
を含有することを特徴とする金属材料の研磨用組成物
が、あるいは特開平5−112775号公報には、水、
アルミナ研磨材、フッ素系界面活性剤、およびアミノ酸
を含有することを特徴とする金属材料の研磨用組成物が
開示されている。
【0016】しかし、本発明者らの知る限り、粒子径が
比較的小さい、特に平均粒子径が2μm以下のアルミナ
研磨材、水、水溶性金属塩、またはアミノ酸、およびフ
ッ素系界面活性剤を含む研磨用組成物を用いる場合、研
磨速度が著しく小さく、実際の生産には不十分であり、
かつ組成物の研磨加工能力が小さいために微細なピット
およびスクラッチなどが発生しやすいという問題があっ
た。さらに、この組成物は著しく発泡しやすいため、取
り扱いが困難であったり、排水処理において問題となる
ことがあった。また、この組成物に消泡剤を添加するこ
とにより発泡を抑えた場合、研磨速度がさらに小さくな
ったり、表面欠陥が発生しやすくなることがあった。さ
らに、前記のアルキルベンゼンスルホン酸塩などの界面
活性剤を含有した研磨用組成物も、著しく発泡しやすい
ため、取り扱い性が困難であったり、排水処理において
問題が起きることもあった。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の問題
点を解決するためのものであり、メモリーハードディス
クに使用されるサブストレートの仕上研磨において、従
来の研磨用組成物に比べて消泡性が高く、また研磨速度
が大きく、微細なピット、微小突起、およびその他の表
面欠陥の発生を防止できると同時に、優れた加工表面を
得ることが可能な研磨用組成物を提供することを目的と
するものである。
【0018】
【課題を解決するための手段】[発明の概要] <要旨>本発明のメモリーハードディスクの研磨用組成
物は、下記の(a)〜(d)の成分を含んでなること、
を特徴とするものである。 (a)水、(b)ポリスチレンスルホン酸およびその塩
類からなる群から選択される少なくとも1種類の化合
物、(c)成分(b)以外の、無機酸、有機酸、および
それらの塩類からなる群から選択される化合物、および
(d)酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、およ
び二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1
種類の研磨材。
【0019】<効果>本発明の研磨用組成物は、メモリ
ーハードディスクに使用されるサブストレートの鏡面研
磨において、従来の研磨用組成物に比べて、消泡性が高
く、また研磨速度が大きく、微細なピット、微小突起、
およびその他の表面欠陥の発生を防止することができる
ものである。
【0020】[発明の具体的説明] <ポリスチレンスルホン酸およびその塩類>本発明の研
磨用組成物は、成分(b)として、ポリスチレンスルホ
ン酸およびその塩類からなる群から選択される、少なく
とも1種類の化合物(以下、「ポリスチレンスルホン酸
化合物」という)を含んでなる。本発明において、ポリ
スチレンスルホン酸とは、ポリスチレンのベンゼン環の
任意の水素がスルホン酸基で置換されたもののほかに、
本発明の効果を損なわない範囲で、任意の置換基を有す
るもの、ならびに基本骨格に本発明の効果を損なわない
範囲で任意の繰り返し単位を含んでもよい。
【0021】また、ポリスチレンスルホン酸化合物とし
ては、ポリスチレンスルホン酸と、ナトリウム、カリウ
ム、およびその他のアルカリ土類金属、ならびにモノエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン、モルホリン、アンモニア、およびその他のアミ
ン化合物、との塩であることが好ましい。
【0022】このようなポリスチレンスルホン酸化合物
の分子量は特に限定されないが、その重量平均分子量
は、好ましくは2,000〜1,000,000、さら
に好ましくは10,000〜50,000、最も好まし
くは10,000〜30,000、である。ここで、ポ
リスチレンスルホン酸化合物の分子量を調整すること
で、研磨速度と表面欠陥の抑制とのバランスを調整する
ことが可能である。
【0023】このようなポリスチレンスルホン酸化合物
は、本発明の研磨用組成物に、研磨用組成物の全重量を
基準として、好ましくは0.001〜2重量%、より好
ましくは0.005〜1重量%、さらに好ましくは0.
01〜0.7重量%、の割合で含有される。このポリス
チレンスルホン酸化合物の含有量を増加させることで、
微細なピットおよびその他の表面欠陥の発生が低減され
る傾向があるが、過度に増加させると研磨速度や加工能
力の低下が起こり、却って微細なピットやスクラッチが
発生することがある。逆に、ポリスチレンスルホン酸化
合物の含有量が過度に少ないと、表面欠陥の発生を抑制
するという本発明の効果が発現しにくい。
【0024】前記したポリスチレンスルホン酸化合物
は、組成物中に溶存しているべきである。また、本発明
の効果を損なわない範囲で、複数の種類のポリスチレン
スルホン酸化合物を任意の割合で併用することもでき
る。
【0025】<無機酸、有機酸、およびそれらの塩類>
本発明の研磨用組成物は、成分(c)として、前記した
成分(b)以外の、無機酸、有機酸、およびそれらの塩
類からなる群から選択される、少なくとも1種類の化合
物(以下、「酸化合物」という)を含んでなる。このよ
うな酸化合物としては、硝酸、亜硝酸、硫酸、塩酸、モ
リブデン酸、スルファミン酸、グリシン、グリセリン
酸、マンデル酸、マロン酸、アスコルビン酸、グルタミ
ン酸、グリオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、乳
酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、およびクエン酸、
ならびにそれらの塩または誘導体からなる群から選択さ
れるものが好ましい。具体的には、硝酸アルミニウム、
硝酸ニッケル、硝酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カ
リウム、硝酸鉄(III)、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリ
ウム、硫酸アルミニウム、硫酸ニッケル、硫酸リチウ
ム、硫酸ナトリウム、硫酸鉄(III)、硫酸アンモニウ
ム、塩化アルミニウム、塩化鉄(III)、塩化アンモニウ
ム、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸アンモニウ
ム、スルファミン酸ニッケル、およびスルファミン酸ア
ンモニウムが挙げられる。
【0026】これらの酸化合物は、組成物中に溶存して
いるべきである。また、これらの酸化合物は、本発明の
効果を損なわない範囲で、任意の割合で併用することも
できる。
【0027】本発明の研磨用組成物中の酸化合物の含有
量は、用いる酸化合物の種類により異なるが、研磨用組
成物の全重量に対して、好ましくは0.01〜30重量
%、より好ましくは0.1〜25重量%、最も好ましく
は0.5〜20重量%、である。酸化合物の添加量を増
量することで、研磨速度が大きくなる傾向があるが、過
度に多く添加すると研磨用組成物のケミカルな作用が強
くなり、微小突起、微細なピット、およびその他の表面
欠陥が発生することがある。逆に過度に少ないと、研磨
速度が小さくなり、微細なピット、微小突起、およびそ
の他の表面欠陥を抑制する効果が十分に発現しないこと
がある。
【0028】<研磨材>本発明の研磨用組成物の成分の
中で主研磨材として用いるのに適当な研磨材とは、酸化
アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化チタ
ン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、および二酸化マン
ガンからなる群より選ばれる少なくとも1種類である。
【0029】酸化アルミニウムには、α−アルミナ、δ
−アルミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、およびその
他の形態的に異なるものがある。また製造法からフュー
ムドアルミナと呼ばれるものもある。
【0030】また、二酸化ケイ素には、コロイダルシリ
カ、フュームドシリカ、およびその他の、製造法や性状
の異なるものが多種存在する。
【0031】酸化セリウムには、酸化数から3価のもの
と4価のもの、また結晶系から見て、六方晶系、等軸晶
系、および面心立方晶系のものがある。
【0032】酸化ジルコニウムは、結晶系から見て、単
斜晶系、正方晶系、および非晶質のものがある。また、
製造法からフュームドジルコニアと呼ばれるものもあ
る。
【0033】酸化チタンには、結晶系から見て、一酸化
チタン、三酸化二チタン、二酸化チタンおよびその他の
ものがある。また製造法からフュームドチタニアと呼ば
れるものもある。
【0034】窒化ケイ素は、α−窒化ケイ素、β−窒化
ケイ素、アモルファス窒化ケイ素、およびその他の形態
的に異なる物がある。
【0035】二酸化マンガンは、形態的に見てα−二酸
化マンガン、β−二酸化マンガン、γ−二酸化マンガ
ン、δ−二酸化マンガン、ε−二酸化マンガン、η−二
酸化マンガン、およびその他がある。
【0036】本発明の組成物には、これらのものを任意
に、必要に応じて組み合わせて、用いることができる。
組み合わせる場合には、その組み合わせ方や使用する割
合は特に限定されない。
【0037】上記の研磨材は、砥粒としてメカニカルな
作用により被研磨面を研磨するものである。このうち二
酸化ケイ素の粒径は、BET法により測定した表面積か
ら求められる平均粒子径で一般に0.005〜0.5μ
m、好ましくは0.01〜0.3μm、である。また、
酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒
化ケイ素、および二酸化マンガンの粒径は、レーザー回
折方式粒度測定器LS−230(Coulter社(米国)
製)で測定した平均粒子径で、一般に0.01〜2μ
m、好ましくは0.05〜1.5μm、である。さら
に、酸化セリウムの粒径は、走査型電子顕微鏡により観
察される平均粒子径で、一般に0.01〜0.5μm、
好ましくは0.05〜0.45μm、である。
【0038】これらの研磨材の平均粒子径がここに示し
た範囲を超えて大きいと、研磨された表面の表面粗さが
大きかったり、スクラッチが発生したりするなどの問題
があり、逆に、ここに示した範囲よりも小さいと研磨速
度が極端に小さくなってしまい実用的でない。
【0039】研磨用組成物中の研磨材の含有量は、組成
物全量に対して一般に0.1〜50重量%、好ましくは
1〜25重量%、である。研磨材の含有量が余りに少な
いと、微小突起や微細なピット、およびその他の表面欠
陥が発生しやすく、研磨速度も小さくなることがあり、
逆に余りに多いと均一分散が保てなくなり、かつ組成物
粘度が過大となって取扱いが困難となることがある。
【0040】<研磨用組成物>本発明の研磨用組成物
は、一般に上記の各成分、すなわち酸化アルミニウム、
二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化
チタン、窒化ケイ素、および二酸化マンガンからなる群
より選ばれる研磨材(成分(d))を所望の含有率で水
(成分(a))に混合し、分散させ、ポリスチレンスル
ホン酸化合物(成分(b))および酸化合物(成分
(c))をさらに溶解させることにより調製する。これ
らの成分を水中に分散または溶解させる方法は任意であ
り、例えば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波分散によ
り分散させる。また、これらの混合順序は任意であり、
研磨材の分散とポリスチレンスルホン酸化合物または酸
化合物の溶解のいずれを先に行ってもよく、また同時に
行ってもよい。
【0041】また、上記の研磨用組成物の調製に際して
は、製品の品質保持や安定化を図る目的や、被加工物の
種類、加工条件およびその他の研磨加工上の必要に応じ
て、各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。
【0042】すなわち、さらなる添加剤の好適な例とし
ては、下記のものが挙げられる。 (イ)セルロース類、例えばセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、および
その他、(ロ)水溶性アルコール類、例えばエタノー
ル、プロパノール、エチレングリコール、およびその
他、(ハ)有機ポリアニオン系物質、例えばリグニンス
ルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、およびその他、(ニ)
水溶性高分子(乳化剤)類、例えばポリビニルアルコー
ル、その他、(ホ)キレート剤、例えばジメチルグリオ
キシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、グリ
シン、EDTA、NTA、およびその他、ならびに
(ヘ)殺菌剤、例えばアルギン酸ナトリウム、炭酸水素
カリウム、およびその他。
【0043】また、本発明の研磨用組成物に用いるのに
適当である、前記研磨材、ポリスチレンスルホン酸化合
物、または酸化合物を、前記した用途以外の目的で、例
えば研磨材の沈降防止のために、補助添加剤として用い
ることも可能である。
【0044】本発明の研磨用組成物は、比較的高濃度の
原液として調製して貯蔵または輸送などをし、実際の研
磨加工時に希釈して使用することもできる。前述の好ま
しい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして記載し
たものであり、使用時に希釈する使用方法をとる場合、
貯蔵または輸送などをされる状態においてはより高濃度
の溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性
の観点から、そのような濃縮された形態で製造されるこ
とが好ましい。
【0045】本発明の研磨用組成物が、表面粗さが小さ
な研磨面が得られるにもかかわらず、アルキルベンゼン
スルホン酸塩またはフッ素系界面活性剤を含む従来の研
磨用組成物に比べて、研磨速度が大きく、また表面粗さ
が小さく、微細なピット、微小突起、およびその他の表
面欠陥の発生を低減することが可能である理由について
の詳細な機構は不明であるが、Ni−Pメッキしたサブ
ストレートを例に挙げると以下のように推察される。
【0046】まず、ポリスチレンスルホン酸化合物は研
磨材粒子を適度に凝集させる作用を有しており、小さな
研磨材粒子が比較的弱い凝集力で凝集する。一般に、研
磨用組成物の研磨加工能力が低いと微細なピットが発生
しやすい傾向があるが、本発明の研磨用組成物において
は、比較的粒子径の小さい研磨材粒子が比較的弱い力で
凝集しているために研磨加工能力が高く、大きな研磨速
度を得ることができる。また、この凝集は研磨加工中に
徐々に解離していき、加工面に対するダメージが小さ
く、表面粗さが小さい加工面が得られる。さらに、前記
した凝集した研磨材粒子のメカニカルな作用と、酸化合
物とのケミカルな作用により、微細なピットなどの表面
欠陥(加工歪みが存在する部分)が選択的に加工される
ことがなく、その欠陥が大きくならないことで均一な加
工面を得ることができる。そして、組成物中の研磨材や
研磨により削り出された切り粉は、ポリスチレンスルホ
ン酸化合物によりその表面を覆われるため、サブストレ
ート表面に付着しにくくなり、微小突起などの表面欠陥
の発生が低減されるものと考えられる。
【0047】なお、本発明の研磨用組成物により研磨加
工をする場合、その前および(または)後に、本発明の
研磨用組成物から研磨材成分(成分(d))を除去した
リンス用組成物によりリンス処理することが好ましい。
本発明の研磨用組成物による研磨処理の前に、そのよう
なリンス用組成物で処理することで、ケミカルな効果を
補うことができ、また本発明の研磨用組成物による研磨
処理の後に、そのようなリンス用組成物で処理すること
で、サブストレートの表面に残った研磨用組成物の各成
分や切り粉などを効果的に除去することが可能となる。
【0048】以下は、本発明の研磨用組成物を例を用い
て具体的に説明するものである。なお、本発明は、その
要旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定
されるものではない。
【0049】
【発明の実施の形態】<研磨用組成物の調製>まず、研
磨材として、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、ま
たは酸化チタンを撹拌機を用いてそれぞれ水に分散させ
て、研磨材濃度10重量%のスラリーを調製した。次い
で、表1に記載した量の酸化合物およびポリスチレンス
ルホン酸化合物(または、比較としてアルキルベンゼン
スルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ト
リエタノールアミン、またはフッ素系化合物であるパー
フルオロアルキルアミンオキシド)を添加、混合して、
実施例1〜9、ならびに比較例1〜8の試料を調製し
た。
【0050】 表1 研磨材 酸化合物 添加量 ポリスチレン 添加量 重量% スルホン酸化合物 重量% 実施例1 酸化Al*1 硝酸Al*4 0.5 PSS−Na*6 0.01 実施例2 酸化Al 硝酸Al 0.5 PSS−Na 0.1 実施例3 酸化Al 硫酸Al*5 0.5 PSS−Na 0.1 実施例4 酸化Al リンゴ酸 0.5 PSS−Na 0.1 実施例5 酸化Al グルコン酸 0.5 PSS−Na 0.1 実施例6 酸化Al 硝酸Al 0.5 PSS−K*7 0.1 実施例7 酸化Al 硝酸Al 0.5 PSS−TEA*8 0.1 実施例8 酸化Zr*2 硝酸Al 0.5 PSS−Na 0.1 実施例9 酸化Ti*3 硝酸Al 0.5 PSS−Na 0.1 比較例1 酸化Al 硝酸Al 0.5 − − 比較例2 酸化Al 硫酸Al 0.5 − 0.1 比較例3 酸化Al リンゴ酸 0.5 − − 比較例4 酸化Al グルコン酸 0.5 − − 比較例5 酸化Al 硝酸Al 0.5 ABS−Na*9 0.1 比較例6 酸化Al 硝酸Al 0.5 DBS−TEA*10 0.1 比較例7 酸化Al 硝酸Al 0.5 PAAO*11 0.1比較例8 酸化Ti 硝酸Al 0.5 − − *1 酸化Al:酸化アルミニウム*2 酸化Zr:酸化ジルコニウム*3 酸化Ti:酸化チタン*4 硝酸Al:硝酸アルミニウム*5 硫酸Al:硫酸アルミニウム*6 PSS−Na:ポリスチレンスルホン酸ナトリウ
*7 PSS−K:ポリスチレンスルホン酸カリウム*8 PSS−TEA:ポリスチレンスルホン酸トリエ
タノールアミン*9 ABS−Na:アルキルベンゼンスルホン酸ナト
リウム*10 DBS−TEA:ドデシルベンゼンスルホン酸
トリエタノールアミン*11 PAAO:パーフルオロアルキルアミンオキシ
【0051】<研磨試験用サブストレートの作製>前記
の研磨用組成物を用いて、研磨試験を行うためのサブス
トレートを作製した。2段研磨による評価をするため
に、まず、下記のようにして試験用のサブストレートを
作製した。研磨条件(1段目) 被加工物 3.5インチ 無電解Ni−Pサブストレート 加工枚数 10枚 研磨機 両面研磨機(定盤径640mm) 研磨パッド Politex DG(Rodel社(米国)製) 加工圧力 80g/cm 定盤回転数 60rpm 研磨用組成物 DISKLITE−3471 ((株)フジミインコーポレーテッド製) 組成物希釈率 1:2純水 研磨用組成物供給量 100cc/分 研磨時間 5分
【0052】<研磨試験>次に、上記の研磨用組成物で
1段研磨済のサブストレートを用いて研磨試験を行っ
た。条件は下記の通りであった。研磨条件(2段目) 被加工物 3.5インチ 無電解Ni−Pサブストレート (1段研磨済) 加工枚数 10枚 研磨機 両面研磨機(定盤径640mm) 研磨パッド Polilex DG(Rodel社(米国)製) 加工圧力 60g/cm 定盤回転数 60rpm 研磨用組成物供給量 100cc/分 研磨時間 5分
【0053】研磨後、サブストレートを順次洗浄、乾燥
した後、研磨によるサブストレートの重量減を測定し、
その平均から研磨速度を求めた。
【0054】また、微分干渉顕微鏡(50倍)を用い
て、サブストレート表面を観察し、微小突起または微細
なピットの有無を測定した。その評価基準は下記の通り
である。 ○:微小突起または微細なピットはほとんど目視確認さ
れない。 ×:微小突起または微細なピットはかなり目視確認さ
れ、問題となるレベルである。 得られた結果は、表2に示すとおりであった。
【0055】また、上記の研磨用組成物について、ホモ
ミキサを使用して600rpmで撹拌し、30秒経過後
の消泡性能について目視で評価した。その評価基準は以
下の通りである。 ○:泡は少し確認されるが、使用上問題のないレベルで
ある。 ×:泡がかなり確認され、使用上問題となるレベルであ
る。 得られた結果は表2に示すとおりである。
【0056】 表2 研磨速度(μm/分) 微細なピット 消泡性 実施例1 0.38 ○ ○ 実施例2 0.36 ○ ○ 実施例3 0.18 ○ ○ 実施例4 0.15 ○ ○ 実施例5 0.15 ○ ○ 実施例6 0.30 ○ ○ 実施例7 0.32 ○ ○ 実施例8 0.15 ○ ○ 実施例9 0.17 ○ ○ 比較例1 0.40 × ○ 比較例2 0.20 × ○ 比較例3 0.20 × ○ 比較例4 0.20 × ○ 比較例5 0.18 × × 比較例6 0.35 × × 比較例7 0.18 × ×比較例8 0.23 × ×
【0057】表2に示した結果より、本発明の研磨用組
成物は、従来の研磨用組成物に比べて研磨速度が大き
く、微細なピットの発生および消泡性について優れた結
果を示すことがわかる。
【0058】
【発明の効果】本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドディスクに使用されるサブストレートの鏡面研磨にお
いて、従来の研磨用組成物に比べて、研磨速度が大き
く、また消泡性が高く、微細なピット、微小突起、およ
びその他の表面欠陥の発生を防止することができるもの
であることは、[発明の概要]の項に前記したとおりであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) (72)発明者 大 脇 寿 樹 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領二丁目1 番地の1 株式会社フジミインコーポレー テッド内 (72)発明者 谷 克 己 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領二丁目1 番地の1 株式会社フジミインコーポレー テッド内 (72)発明者 横 道 典 孝 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領二丁目1 番地の1 株式会社フジミインコーポレー テッド内 (72)発明者 徳 植 孝 神奈川県横須賀市浦郷町五丁目2931番地 東邦化学工業株式会社内 (72)発明者 藤 岡 則 夫 神奈川県横須賀市浦郷町五丁目2931番地 東邦化学工業株式会社内 (72)発明者 佐 山 哲 也 神奈川県横須賀市浦郷町五丁目2931番地 東邦化学工業株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記の(a)〜(d)の成分を含んでなる
    ことを特徴とする、メモリーハードディスクの研磨用組
    成物。 (a)水、(b)ポリスチレンスルホン酸およびその塩
    類からなる群から選択される少なくとも1種類の化合
    物、(c)成分(b)以外の、無機酸、有機酸、および
    それらの塩類からなる群から選択される化合物、および
    (d)酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウ
    ム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、およ
    び二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1
    種類の研磨材。
  2. 【請求項2】成分(c)が、硝酸、亜硝酸、硫酸、塩
    酸、モリブデン酸、スルファミン酸、グリシン、グリセ
    リン酸、マンデル酸、マロン酸、アスコルビン酸、グル
    タミン酸、グリオキシル酸、リンゴ酸、グリコール酸、
    乳酸、グルコン酸、コハク酸、酒石酸、およびクエン
    酸、ならびにそれらの塩または誘導体からなる群から選
    択されるものである、請求項1に記載の研磨用組成物。
  3. 【請求項3】成分(c)が、硝酸アルミニウム、硝酸ニ
    ッケル、硝酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウ
    ム、硝酸鉄(III)、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウ
    ム、硫酸アルミニウム、硫酸ニッケル、硫酸リチウム、
    硫酸ナトリウム、硫酸鉄(III)、硫酸アンモニウム、塩
    化アルミニウム、塩化鉄(III)、塩化アンモニウム、モ
    リブデン酸ナトリウム、モリブデン酸アンモニウム、ス
    ルファミン酸ニッケル、およびスルファミン酸アンモニ
    ウムからなる群から選択されるものである、請求項2に
    記載の研磨用組成物。
  4. 【請求項4】成分(d)の含有量が、研磨用組成物の重
    量を基準にして0.1〜50重量%である、請求項1〜
    3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  5. 【請求項5】成分(c)の含有量が、研磨用組成物の全
    重量を基準にして、0.1〜30重量%である、請求項
    1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  6. 【請求項6】成分(b)の含有量が、研磨用組成物の全
    重量を基準にして0.001〜2重量%である、請求項
    1〜5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
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