JPH1121545A - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物

Info

Publication number
JPH1121545A
JPH1121545A JP17459097A JP17459097A JPH1121545A JP H1121545 A JPH1121545 A JP H1121545A JP 17459097 A JP17459097 A JP 17459097A JP 17459097 A JP17459097 A JP 17459097A JP H1121545 A JPH1121545 A JP H1121545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
polishing composition
polishing
chelating agent
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17459097A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Otake
竹 秀 樹 大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Priority to JP17459097A priority Critical patent/JPH1121545A/ja
Publication of JPH1121545A publication Critical patent/JPH1121545A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価であり、研磨速度が大きく、表面欠陥の
少ない優れた研磨表面を形成させることのできるカーボ
ンディスク用の研磨用組成物、ならびに生産性の高いメ
モリーハードディスク用カーボンディスクの製造法の提
供。 【解決手段】 酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化
セリウム、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウ
ム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少な
くとも1種類の研磨材、金属塩、キレート剤、および水
を含んでなることを特徴とする、カーボンディスクの研
磨用組成物、ならびにそれを用いたメモリーハードディ
スクの製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューターな
どに用いられる記憶装置に使用される磁気ディスク用基
盤として用いられるカーボンディスク基盤の製造におい
て、その表面の仕上げ研磨に好適な研磨用組成物に関す
るものである。
【0002】さらに詳しくは、本発明は、カーボンディ
スクの製造に用いる研磨用組成物に関するものであり、
表面粗さが小さい高鏡面に仕上げる研磨工程において、
研磨速度が大きいと同時に、高容量かつ高記録密度の磁
気ディスク装置に使用可能な優れた加工表面を得ること
ができる製造技術に適用可能な研磨用組成物に関するも
のである。
【0003】さらに本発明は、上記の研磨用組成物を用
いた、メモリーハードディスクの研磨方法に関するもの
である。
【0004】
【従来の技術】コンピューターなどの記憶媒体のひとつ
である磁気ディスク装置に使用されるメモリーハードデ
ィスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどってお
り、それに使用されるディスク基盤(以下、「サブスト
レート」という)は、従来のアルミニウムディスクか
ら、アルミニウム基盤に無電解Ni−Pメッキを成膜し
たNi−Pディスクが最も広く普及している。また、近
年、軽量で力学的特性に優れたカーボンや、高平滑性の
達成が見込まれる強化ガラスならびに結晶化ガラス、お
よびその他、が新たなサブストレートの材料として注目
されており、一部では実用化が検討されている。
【0005】メモリーハードディスクの高容量化にとも
ない、面記録密度は年に数十%の割合で向上している。
従って、記録される一定量の情報が占めるメモリーハー
ドディスク上のスペースはますます狭くなり、記録に必
要な磁力は弱くなってきている。このために最近の磁気
ディスク装置では、磁気ヘッドとメモリーハードディス
クの隙間であるヘッド浮上高を小さくする必要に迫られ
ており、現在では、そのヘッド浮上高は0.15μm以
下にまで及んでおり、いわゆる磁気ヘッドの低浮上化が
進んできている。
【0006】一方、メモリーハードディスクの表面に数
μm程度の微小な突起物があった場合も、ヘッドクラッ
シュが発生することがある。また、メモリーハードディ
スク上に微小なへこみ(以下、「ピット」という)が存
在した場合、情報が完全に書き込まれず、いわゆる「ビ
ット落ち」が発生したり、ピット部の磁気特性の乱れに
よる情報の欠落や情報の読み取り不良が発生し、エラー
発生の原因となることがある。
【0007】従って、磁性媒体を形成させる前工程、す
なわち研磨加工、においてピットおよびその他の表面欠
陥の発生を防ぐことが重要である。
【0008】ところで、メモリーハードディスクに用い
るサブストレートとして、カーボンディスクがある。こ
のカーボンディスク基盤は、一般に、円盤状に成形され
たカーボン樹脂を焼成により硬化させ、ラップ加工によ
り基盤の平行度および平坦度を整えた後、鏡面研磨を行
うことで製造される。
【0009】一般に、カーボンは耐薬品性が優れている
という特徴を有するため、化学的な作用を利用してカー
ボン基盤を研磨しようとする場合、対象とするカーボン
ディスク基盤の素材や研磨に使用する研磨用組成物の種
類により程度が異なるものの、多くの場合には研磨速度
が不足して研磨に長時間を要して、生産性が低くなって
しまうという問題点があった。また、研磨に長時間を要
することにより、サブストレート外周部がその他の部分
に比べて余分に研磨除去されてしまうことによるロール
オフ(これは面ダレの指標であり、「ダブオフ」ともい
う)の劣化などの問題が発生することもあった。
【0010】さらに、カーボンディスク基盤には、アモ
ルファスカーボンのマトリックス中にグラファイトが分
散されたものがあるが、このようなものの中にはカーボ
ンディスク基盤を従来の研磨用組成物を用いて研磨した
場合には、そのグラファイト部分がマトリックス部分よ
りも研磨除去されやすく、結果的にサブストレート表面
にピットが生じるものもあった。
【0011】このような問題点を解決するために、カー
ボンディスク基盤を、錫定盤と、ダイヤモンド砥粒を分
散させた研磨用組成物を用いて研磨することがあった。
この方法によれば、その他の従来の方法に比べれば、改
善されたサブストレート表面は得られるものの、まだ更
なる改善の余地があり、また、ダイヤモンド砥粒を用い
た研磨用組成物が高価であり、研磨コストが極めて高く
なると言う問題があった。さらには、このような研磨装
置の大型化も困難であり、実用性にも改善の余地があっ
た。
【0012】また、カーボンディスク基盤の研磨用組成
物としては、特開平6−339853号公報に、水、酸
化アルミニウム、ならびにクロム酸基、硝酸基、および
塩素基からなる群から選ばれた酸化性基とアルミニウム
塩を構成する水溶性無機物質の研磨助剤からなる、カー
ボンディスク基盤研磨用組成物が開示されている。
【0013】しかし、本発明者らが知る限り、その研磨
用組成物は、カーボンディスクに対する研磨速度の点で
改良の余地があり、また研磨済みサブストレート表面に
発生するピットを防止しきれないという問題点もあるよ
うである。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の課題
を解決するためになされたものであり、カーボンディス
ク基盤の研磨用組成物として基本的な研磨性能を有しな
がら、安価であり、かつ被研磨物に対する研磨速度が大
きく、ピット、スクラッチおよびその他の表面欠陥が実
質的に無い、優れたサブストレート表面を得ることがで
きる、という性能を兼ね備えた研磨用組成物を提供する
ものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
[発明の概要] <要旨>本発明のカーボンディスクの研磨用組成物は、
酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、窒化
ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、および二酸化
マンガンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の研
磨材、金属塩、キレート剤、および水を含んでなるこ
と、を特徴とするものである。
【0016】また、本発明のメモリーハードディスクの
製造法は、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリ
ウム、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、お
よび二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも
1種類の研磨材、金属塩、キレート剤、および水を含ん
でなる研磨用組成物を用いて、メモリーハードディスク
用のカーボンディスク基盤を研磨することからなるこ
と、を特徴とするものである。
【0017】<効果>本発明の研磨用組成物は、安価で
あり、かつカーボンディスクの表面研磨において研磨速
度が大きく、ピット、スクラッチおよびその他の表面欠
陥の少ない研磨表面を形成させることができる。
【0018】また、本発明のメモリーハードディスクの
製造法によれば、用いる研磨用組成物の大きな研磨速度
により、高い生産性でカーボンディスク基盤を製造する
ことができる。
【0019】[発明の具体的説明] <研磨材>本発明の研磨用組成物の成分の中で主研磨材
として用いるのに適当な研磨材とは、酸化アルミニウ
ム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、窒化ケイ素、酸化チ
タン、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからな
る群より選ばれる。
【0020】本発明の研磨用組成物に用いることのでき
る酸化アルミニウムには、α−アルミナ、δ−アルミ
ナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、およびその他の形態
的に異なる物がある。また製造法からフュームドアルミ
ナと呼ばれるものもある。
【0021】二酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フ
ュームドシリカ、およびその他の、製造法や性状の異な
るものが多種存在する。
【0022】酸化セリウムには、酸化数から3価のもの
と4価のもの、また結晶系から見て、六方晶系、等軸晶
系、および面心立方晶系のものがある。
【0023】酸化ジルコニウムは、結晶系から見て、単
斜晶系、正方晶系、および非晶質のものがある。また、
製造法からフュームドジルコニアと呼ばれるものもあ
る。
【0024】酸化チタンには、結晶系から見て、一酸化
チタン、三酸化二チタン、二酸化チタンおよびその他の
ものがある。また製造法からフュームドチタニアと呼ば
れるものもある。
【0025】窒化ケイ素は、α−窒化ケイ素、β−窒化
ケイ素、アモルファス窒化ケイ素、およびその他の形態
的に異なる物がある。
【0026】二酸化マンガンは、形態的に見てα−二酸
化マンガン、β−二酸化マンガン、γ−二酸化マンガ
ン、δ−二酸化マンガン、ε−二酸化マンガン、η−二
酸化マンガン、およびその他がある。
【0027】本発明の組成物には、これらのものを任意
に、必要に応じて組み合わせて、用いることができる。
組み合わせる場合には、その組み合わせ方や使用する割
合は特に限定されない。
【0028】上記の研磨材は、砥粒としてメカニカルな
作用により被研磨面を研磨するものである。このうち酸
化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化
ケイ素、および二酸化マンガンの粒径は、BET法によ
り測定した表面積から求められる平均粒子径で一般に
0.01〜10μm、好ましくは0.05〜3μm、で
ある。また、二酸化ケイ素の粒径は、BET法により測
定した表面積から求められる平均粒子径で一般に0.0
05〜0.5μm、好ましくは0.01〜0.2μm、
である。さらに、酸化セリウムの粒径は、走査電子顕微
鏡により観察される平均粒子径で、一般に0.01〜1
0μm、好ましくは0.05〜3μm、である。
【0029】これらの研磨材の平均粒子径がここに示し
た範囲を超えて大きいと、研磨された表面の表面粗さが
大きかったり、スクラッチが発生したりするなどの間題
があり、逆に、ここに示した範囲よりも小さいと研磨速
度が極端に小さくなってしまい実用的でない。
【0030】研磨用組成物中の研磨材の含有量は、通
常、組成物全量に対して一般に0.1〜50重量%、好
ましくは1〜25重量%、である。研磨材の含有量が余
りに少ないと研磨速度が小さくなり、逆に余りに多いと
均一分散が保てなくなり、かつ組成物粘度が過大となっ
て取扱いが困難となることがある。
【0031】<金属塩>本発明の研磨用組成物は、金属
塩を含んでなる。本発明の研磨用組成物において、金属
塩は後述するキレート剤とともに研磨促進剤として、ケ
ミカルな作用により研磨作用を促進するものである。使
用する金属塩は、組成物中に溶存していることが必要で
ある。
【0032】用いる金属塩は、本発明の効果を損なわな
いものであれば、特に限定されないが、アルミニウム塩
であることが好ましく、さらには、硝酸アルミニウム、
硫酸アルミニウム、塩化アルミニウム、硫酸ナトリウム
アルミニウム、硫酸カリウムアルミニウム、酢酸アルミ
ニウム、シュウ酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、リ
ン酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、臭化アルミニ
ウム、ラウリン酸アルミニウム、オレイン酸アルミニウ
ム、およびステアリン酸アルミニウムからなる群より選
ばれることが好ましい。これらの金属塩は2種類以上の
ものを併用することもできて、その場合の任意の割合で
併用することができる。
【0033】本発明の研磨用組成物の金属塩の含有量
は、用いる金属塩の効果により異なるが、研磨用組成物
の全量に対して、好ましくは0.01〜40重量%、さ
らに好ましくは0.05〜25重量%、である。金属塩
の添加量を増量することで、本発明の効果がより強く発
現する傾向があるが、過度に多いと、本発明の効果が小
さくなり、経済的なデメリットが生じることもあるばか
りか、ピットなどの表面欠陥が発生する要因となること
もあり得るので注意が必要である。
【0034】<キレート剤>本発明の研磨用組成物は、
キレート剤をさらに含んでなる。本発明の研磨用組成物
において、キレート剤は金属塩とともに研磨促進剤とし
て、ケミカルな作用により、研磨作用を促進するもので
ある。使用するキレート剤は、組成物中に溶存している
ことが必要である。
【0035】本発明で用いるキレート剤は、金属の多座
配位子として結合するものであれば、本発明の効果を損
なわない限り、任意のものを用いることができるが、
(1)エチレンジアミン四酢酸塩、(2)ヒドロキシエ
チルエチレンジアミン三酢酸塩、(3)ジヒドロキシエ
チルエチレンジアミン二酢酸塩、(4)ジエチレントリ
アミン五酢酸塩、(5)トリエチレンテトラミン六酢酸
塩、(6)ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩、および
(7)グルコン酸塩、から選ばれることが好ましい。具
体的には、(1)エチレンジアミン四酢酸二ナトリウ
ム、エチレンジアミン四酢酸三ナトリウム、エチレンジ
アミン四酢酸四ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸二
アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸三アンモニウ
ム、エチレンジアミン四酢酸四アンモニウム、(2)ヒ
ドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム、
ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三アンモニウ
ム、(3)ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸
二ナトリウム、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二
酢酸二アンモニウム、(4)ジエチレントリアミン五酢
酸五ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸五アンモ
ニウム、ジエチレントリアミン五酢酸二ナトリウム鉄、
ジエチレントリアミン五酢酸二アンモニウム鉄、(5)
トリエチレンテトラミン六酢酸六ナトリウム、トリエチ
レンテトラミン六酢酸六アンモニウム、(6)ヒドロキ
シエチルイミノ二酢酸二ナトリウム、ヒドロキシエチル
イミノ二酢酸二アンモニウム、(7)グルコン酸ナトリ
ウム、グルコン酸カリウム、グルコン酸カルシウム、お
よびグルコン酸−6−リン酸三ナトリウム、が挙げられ
る。
【0036】これらのキレート剤は、結晶水を含むもの
であっても、無水物であってもよい。また、これらのキ
レート剤は、2種類以上を併用することができて、その
場合、任意の割合で併用することができる。
【0037】本発明の研磨用組成物のキレート剤の含有
量は、用いるキレート剤の効果により異なるが、研磨用
組成物の全量に対して、好ましくは0.001〜40重
量%、さらに好ましくは0.05〜25重量%、であ
る。一般にキレート剤の添加量を増量することで、本発
明の効果がより強く発現する傾向があるが、過度に多い
と、本発明の効果が小さくなり、経済的なデメリットが
生じることもあり得るので注意が必要である。
【0038】<研磨用組成物>本発明の研磨用組成物
は、一般に前記の各成分、すなわち酸化アルミニウム、
二酸化ケイ素、酸化セリウム、窒化ケイ素、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる
群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材を所望の含有
率で水に混合し、分散させ、さらに金属塩およびキレー
ト剤を所定量溶解させることにより調製する。これらの
成分を水中に分散または溶解させる方法は任意であり、
例えば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波分散により分
散させる。また、これらの各成分の混合順序は任意であ
り、研磨材の分散と、金属塩およびキレート剤の溶解の
どちらを先に行ってもよく、また同時に行ってもよい。
【0039】また、本発明の研磨用組成物の調製に際し
ては、製品の品質保持や安定化を図る目的や、被加工物
の種類、加工条件およびその他の研磨加工上の必要に応
じて、各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。
【0040】このような、さらなる添加剤の好適な例と
しては、下記のものが挙げられる。 (イ)セルロース類、例えばセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、およびヒドロキシエチルセルロース、
およびその他、(ロ)水溶性アルコール類、例えばエタ
ノール、プロパノール、およびエチレングリコール、お
よびその他、(ハ)界面活性剤、例えばアルキルベンゼ
ンスルホン酸ソーダおよびナフタリンスルホン酸のホル
マリン縮合物、およびその他、(ニ)有機ポリアニオン
系物質、例えばリグニンスルホン酸塩、およびポリアク
リル酸塩、およびその他、(ホ)水溶性高分子(乳化
剤)類、例えばポリビニルアルコール、およびその他、
ならびに(ヘ)殺菌剤、例えばアルギン酸ナトリウム、
炭酸水素カリウム、およびその他、また、本発明の研磨
用組成物に用いる前記研磨材および研磨促進剤が、研磨
材または研磨促進剤として、例えば研磨材の沈降防止の
作用をすることがある。このように、前記の本発明に用
いる研磨材または研磨促進剤を、さらなる補助添加剤と
して用いることも可能である。
【0041】本発明の研磨用組成物は、その主要成分の
添加によりpHが7以下となるのが普通である。各種の
補助添加剤の添加により研磨用組成物のpHは変動する
が、本発明の効果を発現させるためにはpHが7以下で
あることが好ましい。従って、研磨用組成物のpHが7
を超えるときには、酸などの添加によりpHを調整する
ことが好ましい。また、前記の金属塩をpH調整剤とし
て用いることも可能である。
【0042】また、本発明の研磨用組成物は、比較的高
濃度の原液として調製して貯蔵または輸送などをし、実
際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述
の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして
記載したのであり、このような使用方法をとる場合、貯
蔵または輸送などをされる状態においてはより高濃度の
溶液となることは言うまでもない。さらには、取り扱い
性の観点から、そのような濃縮された形態で製造される
ことが好ましい。
【0043】なお、本発明の研磨用組成物がカーボンデ
ィスク基盤の研磨において、研磨速度が大きく、ピッ
ト、スクラッチおよびその他の表面欠陥の発生が少ない
理由についての詳細な機構は不明であるが、カーボンデ
ィスク基盤を例に挙げると以下のように推察される。
【0044】カーボンディスク基盤を研磨する速度が大
きいことの理由に関しては、本発明の添加剤である金属
塩、キレート剤、またはそれらが結合した錯塩などによ
ってカーボンディスク表面が化学的に変化して、研磨材
のメカニカルな作用により除去され易くなるためと考え
られる。さらには、研磨用組成物中に存在する金属塩、
キレート剤、またはそれらが結合した錯塩などが、微細
な、本発明の特定の研磨材の分散状態に寄与し、適度な
大きさの凝集物によるメカニカルな作用により研磨速度
が大きくなるものと考えられる。その一方で、研磨用組
成物中に溶存する金属塩、またはキレート剤、またはそ
れらが結合した錯塩などにより研磨材粒子間の凝集/分
散状態が適当に保たれ、過度に大きな凝集物の発生が防
止されるためにスクラッチの発生が少なくなると同時
に、研磨用組成物中に溶存する金属塩、キレート剤、ま
たはそれらが結合した錯塩などが、カーボンディスク表
面に対して、適度にケミカルな作用をするために、ピッ
ト、およびその他の表面欠陥が少なくなるものと考えら
れる。
【0045】<メモリーハードディスクの製造法>本発
明によるメモリーハードディスクの製造法は、前記した
とおりの研磨用組成物を用いて、カーボンディスク基盤
を研磨することを含んでなる。
【0046】本発明のメモリーハードディスクの製造法
に用いるカーボンディスク基盤は、従来知られているカ
ーボンディスクであれば、いかなるものも用いることが
できる。このようなカーボンディスク基盤は、一般に、
円盤状に成形されたカーボン含有樹脂、例えばフェノー
ル樹脂、ポリカルボジイミド、ポリアクリロニトリル、
ポリイミド、ポリ塩化ビニル、およびその他、を焼成に
より硬化させ、ラップ加工により基盤の平行度および平
坦度を整えた後、鏡面研磨を行うことで製造されるもの
である。また、前記のカーボン樹脂に各種の添加剤を添
加することもある。
【0047】本発明のメモリーハードディスクの製造法
は、前記したとおりの研磨用組成物を用いるならば、従
来のいかなるメモリーハードディスクの研磨方法や研磨
条件を組み合わせることもできる。
【0048】たとえば、研磨機には、片面研磨機、両面
研磨機、およびその他を用いることができる。また、研
磨パッドには、スウェードタイプ、不織布タイプ、植毛
布タイプ、起毛タイプ、およびその他、を用いることが
できる。
【0049】また、本発明のメモリーハードディスクの
製造法に用いる研磨用組成物は、研磨速度が大きいと同
時に、より平坦な研磨面が得られることから、研磨工程
を1段階で行うことも可能であるが、研磨工程を条件の
異なった2段階以上で行うこともできる。研磨工程を2
段階以上で行う場合には、前記した研磨用組成物を用い
た研磨工程を最後の研磨工程とすること、すなわち予備
研磨されたサブストレートに対して、前記した研磨用組
成物を用いて研磨すること、が好ましい。さらには、前
記した研磨用組成物以外の研磨用組成物を用いた1段目
の研磨工程と、前記した研磨用組成物を用いた2段目の
研磨工程との2段階の研磨工程を含むことがより好まし
い。
【0050】以下は、本発明の研磨用組成物を例を用い
て具体的に説明するものである。なお、本発明は、その
要旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定
されるものではない。
【0051】
【発明の実施の形態】
<研磨用組成物の調製>まず、研磨材として、酸化アル
ミニウム(平均粒子径0.8μm)を撹拌機を用いて水
に分散させて、研磨材濃度10重量%のスラリーを調製
した。次いでこのスラリーに表1に記載した金属塩およ
びキレート剤を各々所定量添加した後、さらに撹拌機を
用いて溶解させて、実施例1〜9、および比較例2〜7
の試料を調製した。また、前記の酸化アルミニウムだけ
を添加して分散させた試料を比較例1の試料とした。
【0050】表1 例 金属塩 キレート剤 (添加量/重量%) (添加量/重量%) 実施例1 硝酸アルミニウム エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム (16) (3) 実施例2 硝酸アルミニウム ジエチレントリアミン五酢酸五ナトリウム (10) (1) 実施例3 硝酸アルミニウム ジエチレントリアミン五酢酸五ナトリウム (16) (5) 実施例4 硝酸アルミニウム ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸 (16) 三ナトリウム (5) 実施例5 硝酸アルミニウム ジヒドロキシエチルエチレンジアミン (16) 二酢酸二ナトリウム (3) 実施例6 硝酸アルミニウム トリエチレンテトラミン六酢酸六ナトリウム (16) (5) 実施例7 硝酸アルミニウム ヒドロキシエチルイミノ二酢酸二ナトリウム (16) (5) 実施例8 硝酸アルミニウム グルコン酸酸ナトリウム (16) (5) 実施例9 硫酸アルミニウム ジエチレントリアミン五酢酸五ナトリウム (16) (5) 比較例1 − (0) − (0) 比較例2 硝酸 (5) − (0) 比較例3 硝酸アルミニウム − (10) (0) 比較例4 硝酸アルミニウム − (16) (0) 比較例5 硫酸鉄アンモニウムム − (16) (0) 比較例6 塩化アルミニウム − (16) (0) 比較例7 塩化第二鉄 − (16) (0)
【0051】<研磨試験>次に、これらの試料による研
磨試験を行った。条件は下記に示すとおりであった。研磨条件 被加工物 2.5” カーボンディスク 研磨機 片面研磨機 研磨パッド Surfin018−3 ((株)フジミインコーポレーテッド製) 加工圧力 100g/cm2 定盤回転数 130rpm 研磨用組成物供給量 10cc/分 研磨時間 5分
【0052】研磨後、サブストレートを常法により順次
洗浄、乾燥した後、研磨によるサブストレートの重量減
を測定し、予め求められているカーボンディスクの比重
およびサブストレートの面積より、研磨速度を求めた。
得られた結果は表1に示すとおりである。
【0053】ピットについては、暗室内でシャドーグラ
フにて表面欠陥の有無および位置を確認した。表面欠陥
の発生が認められたサブストレートについてその箇所を
微分干渉顕微鏡を用いて観察し、表面欠陥がピットであ
るか否かを判定した。その評価基準は下記の通りであ
る。 ◎:ピットは目視確認されない。 ○:ピットはほとんど目視確認されない △:ピットは目視確認されるが、問題とならないレベル
である。 ×:ピットはかなり目視確認され、問題となるレベルで
ある。
【0054】また、スクラッチについては、研磨後、サ
ブストレートを洗浄、乾燥して、暗室内においてスポッ
トライトをあて、目視でスクラッチの有無を判定した。
その基準は下記の通りである。 ◎:スクラッチは目視確認されない。 ○:スクラッチはほとんど目視確認されない。 △:スクラッチはわずかに目視確認されるが、問題とな
らないレベルである。 ×:スクラッチはかなり目視確認され、問題となるレベ
ルである。
【0055】表2 例番号 研磨速度(μm/分) ピット スクラッチ 実施例1 1.52 ◎ ◎ 実施例2 1.10 ◎ ◎ 実施例3 1.71 ◎ ◎ 実施例4 0.90 ◎ ◎ 実施例5 0.88 ◎ ◎ 実施例6 0.73 ◎ ◎ 実施例7 0.87 ◎ ◎ 実施例8 0.77 ◎ ◎実施例9 0.92 ◎ ◎ 比較例1 0.07 × × 比較例2 0.62 △ △ 比較例3 0.71 ○ ○ 比較例4 0.73 ○ ○ 比較例5 0.09 × × 比較例6 0.25 △ ×比較例7 0.10 × ×
【0056】表2に示した結果から、本発明の研磨用組
成物は、キレート剤を含まない研磨用組成物に対してカ
ーボンディスクに対する研磨速度が著しく大きくなって
おり、また、ピットおよびスクラッチの発生について、
優れた結果を示すことがわかった。
【0057】
【発明の効果】本発明の研磨用組成物は、カーボンディ
スクの表面研磨において、研磨速度が大きく、ピット、
スクラッチ、およびその他の表面欠陥の少ない優れた研
磨表面を形成させることができること、ならびに本発明
のメモリーハドディスクの製造法によれば、研磨速度が
大きいために生産性が高く、ピット、スクラッチ、およ
びその他の表面欠陥の少ないメモリーハードディスクを
得ることができること、は[発明の概要]の項に前記し
たとおりである。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セ
    リウム、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、
    および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくと
    も1種類の研磨材、金属塩、キレート剤、および水を含
    んでなることを特徴とする、カーボンディスクの研磨用
    組成物。
  2. 【請求項2】金属塩が、アルミニウム塩である、請求項
    1に記載の研磨用組成物。
  3. 【請求項3】アルミニウム塩が、硝酸アルミニウム、硫
    酸アルミニウム、塩化アルミニウム、硫酸ナトリウムア
    ルミニウム、硫酸カリウムアルミニウム、酢酸アルミニ
    ウム、シュウ酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、リン
    酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、臭化アルミニウ
    ム、ラウリン酸アルミニウム、オレイン酸アルミニウ
    ム、およびステアリン酸アルミニウムからなる群より選
    ばれる、請求項2に記載の研磨用組成物。
  4. 【請求項4】金属塩の含有量が、研磨用組成物の重量を
    基準にして0.01〜40重量%である、請求項1〜3
    のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  5. 【請求項5】キレート剤が、エチレンジアミン四酢酸
    塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩、ジヒ
    ドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸塩、ジエチレン
    トリアミン五酢酸塩、トリエチレンテトラミン六酢酸
    塩、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸塩、およびグルコン
    酸塩、から選ばれる請求項1〜4のいずれか1項に記載
    の研磨用組成物。
  6. 【請求項6】キレート剤が、エチレンジアミン四酢酸二
    ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸三ナトリウム、エ
    チレンジアミン四酢酸四ナトリウム、エチレンジアミン
    四酢酸二アンモニウム、エチレンジアミン四酢酸三アン
    モニウム、エチレンジアミン四酢酸四アンモニウム、ヒ
    ドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三ナトリウム、
    ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸三アンモニウ
    ム、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸二ナト
    リウム、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸二
    アンモニウム、ジエチレントリアミン五酢酸五ナトリウ
    ム、ジエチレントリアミン五酢酸五アンモニウム、ジエ
    チレントリアミン五酢酸二ナトリウム鉄、ジエチレント
    リアミン五酢酸二アンモニウム鉄、トリエチレンテトラ
    ミン六酢酸六ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢
    酸六アンモニウム、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸二ナ
    トリウム、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸二アンモニウ
    ム、グルコン酸ナトリウム、グルコン酸カリウム、グル
    コン酸カルシウム、およびグルコン酸−6−リン酸三ナ
    トリウムからなる群から選ばれる、少なくとも1種の化
    合物である、請求項5に記載の研磨用組成物。
  7. 【請求項7】キレート剤の含有量が、研磨用組成物の重
    量を基準にして0.01〜40重量%である、請求項1
    〜6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  8. 【請求項8】酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セ
    リウム、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、
    および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくと
    も1種類の研磨材、金属塩、キレート剤、および水を含
    んでなる研磨用組成物を用いてメモリーハードディスク
    用のカーボンディスクを研磨することを特徴とする、メ
    モリーハードディスクの製造法。
JP17459097A 1997-06-30 1997-06-30 研磨用組成物 Pending JPH1121545A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17459097A JPH1121545A (ja) 1997-06-30 1997-06-30 研磨用組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17459097A JPH1121545A (ja) 1997-06-30 1997-06-30 研磨用組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1121545A true JPH1121545A (ja) 1999-01-26

Family

ID=15981234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17459097A Pending JPH1121545A (ja) 1997-06-30 1997-06-30 研磨用組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1121545A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001048114A1 (fr) * 1999-12-27 2001-07-05 Showa Denko K.K. Composition destinee au polissage d'un substrat de disque magnetique, procede de polissage, et substrat de disque magnetique poli au moyen de ladite composition
JP2002020732A (ja) * 2000-07-05 2002-01-23 Showa Denko Kk 研磨用組成物
US6383060B2 (en) 2000-04-27 2002-05-07 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Method of polishing silicon wafer
EP1274123A1 (en) * 2000-04-13 2003-01-08 Showa Denko K.K. Polishing compound for polishing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same
CN1125861C (zh) * 1999-07-16 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
CN1125862C (zh) * 1999-09-20 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
US7204936B2 (en) 2002-07-31 2007-04-17 Kao Corporation Polishing composition
JP2008260105A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
JP2014101518A (ja) * 2014-01-06 2014-06-05 Fujimi Inc 研磨用組成物、研磨方法、及び研磨パッドの弾力性低下抑制方法
CN109153889A (zh) * 2016-05-19 2019-01-04 东进世美肯株式会社 用于化学机械抛光的浆料组合物
JP2021141105A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 Atシリカ株式会社 コロイダルシリカスラリー

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1125861C (zh) * 1999-07-16 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
CN1125862C (zh) * 1999-09-20 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
WO2001048114A1 (fr) * 1999-12-27 2001-07-05 Showa Denko K.K. Composition destinee au polissage d'un substrat de disque magnetique, procede de polissage, et substrat de disque magnetique poli au moyen de ladite composition
EP1274123A4 (en) * 2000-04-13 2007-03-07 Showa Denko Kk POLISHING FOR THE POLISHING OF SEMICONDUCTOR WASHERS AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS USING THIS POLISHING AGENT
EP1274123A1 (en) * 2000-04-13 2003-01-08 Showa Denko K.K. Polishing compound for polishing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same
US6383060B2 (en) 2000-04-27 2002-05-07 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Method of polishing silicon wafer
JP2002020732A (ja) * 2000-07-05 2002-01-23 Showa Denko Kk 研磨用組成物
US7204936B2 (en) 2002-07-31 2007-04-17 Kao Corporation Polishing composition
JP2008260105A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
WO2008133023A1 (ja) * 2007-04-13 2008-11-06 Fujimi Incorporated 研磨用組成物及び研磨方法
JP2014101518A (ja) * 2014-01-06 2014-06-05 Fujimi Inc 研磨用組成物、研磨方法、及び研磨パッドの弾力性低下抑制方法
CN109153889A (zh) * 2016-05-19 2019-01-04 东进世美肯株式会社 用于化学机械抛光的浆料组合物
US11001732B2 (en) 2016-05-19 2021-05-11 Dongjin Semichem Co., Ltd. Polishing slurry composition
CN109153889B (zh) * 2016-05-19 2021-10-29 东进世美肯株式会社 用于化学机械抛光的浆料组合物
JP2021141105A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 Atシリカ株式会社 コロイダルシリカスラリー

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4273475B2 (ja) 研磨用組成物
US6811583B2 (en) Polishing composition for a substrate for a magnetic disk and polishing method employing it
JP4090589B2 (ja) 研磨用組成物
US6117220A (en) Polishing composition and rinsing composition
JPH10204416A (ja) 研磨用組成物
US6258140B1 (en) Polishing composition
US6332831B1 (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disk
US6280490B1 (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disk
US8241516B2 (en) Substrate for magnetic disk
JP4009986B2 (ja) 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法
JP4450142B2 (ja) 研磨用組成物
US6309434B1 (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disks
JP4439755B2 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法
US6193790B1 (en) Polishing composition
US6328774B1 (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disk
JPH1121545A (ja) 研磨用組成物
JPH07216345A (ja) 研磨用組成物
JP2001288456A (ja) 研磨用組成物およびそれを用いたメモリハードディスク製造方法
WO2001079377A1 (fr) Composition destinee a etre utilisee pour polir des substrats de disques magnetiques et procede de preparation de ladite composition
JP2000273445A (ja) 研磨用組成物
JP3857799B2 (ja) ガラス研磨用研磨材組成物およびその研磨方法
GB2435263A (en) Substrate for a magnetic disk and polishing method therefor