JP2011129232A - ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】固定砥粒の性能を十分に引き出して効率的にガラス基板の製造を可能とするガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削するラッピング工程と、ラッピング工程後、ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程と、を備えたガラス基板の製造方法であって、ラッピング工程は、遊離砥粒又は固定砥粒を用いてガラス基板の主表面を研削する１次ラッピング工程と、１次ラッピング工程における遊離砥粒又は固定砥粒の粒径よりも小さい粒径の固定砥粒を用いてガラス基板の主表面を研削する２次ラッピング工程と、１次ラッピング工程後、２次ラッピング工程前に、ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄する洗浄工程と、を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法に関し、例えばハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」という）等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。

近年、高記録密度化に適した磁気ディスク用基板の一つとして、ガラス基板が用いられている。ガラス基板は、金属の基板に比べて剛性が高いので、磁気ディスク装置の高速回転化に適している。また、ガラス基板は、平滑で平坦な表面が得られるので、磁気ヘッドの浮上量を低下させてＳ/Ｎ比の向上と高記録密度化に適している。

この磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、概してガラス基板の形状を形成する形状加工工程と、ガラス基板の主表面を研削する粗ラッピング工程と粗ラッピング工程よりも小さい砥粒を用いてガラス基板の主表面を研削する精ラッピング工程からなるラッピング工程と、ラッピングしたガラス基板の主表面を所望の表面粗さに研磨する研磨工程と、から構成される。

特許文献１の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、内転ギヤと外転ギヤを回転させると共に研削液に遊離砥粒を含有させたスラリーをワークの主表面に供給することにより、キャリア内に収納したガラス基板の主表面を研削する（粗ラッピング工程）。続いて、ガラス基板の中央部分に孔を空けると共に外周端面及び内周端面に所定の面取り加工を施して形状加工し（端面形状加工工程）、ガラス基板の外周端面及び内周端面を研磨して鏡面化する（端面研磨工程）。続いて、端面研磨後のガラス基板の主表面を固定砥粒を用いて研削する（固定砥粒研削工程）。その後、固定砥粒研削工程で残留したキズ等や歪みを除去する目的でガラス基板の主表面を研磨している（主表面研磨工程）。

この特許文献１の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で行なわれる固定砥粒研削工程は、従来行なわれていた精ラッピング工程に代わるもので、精ラッピング工程で使用される遊離砥粒よりも十分に小さい粒径の固定砥粒を用いることができ、後工程での表面研磨量を軽減することができるという利点があった。特許文献１の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法では、この固定砥粒研削工程の前に、端面研磨工程を終えたガラス基板の主表面を水洗浄することを開示している。

特開２００９−９９２５０号公報

しかしながら、粗ラッピング工程を経たガラス基板の主表面には、粗ラッピング工程で使用したスラリー中に分散された砥粒がガラス基板の主表面に刺さるように付着している。そのため、ガラス基板の主表面を水洗浄しただけではこの付着砥粒を排除することはできない。固定砥粒はダイヤモンド砥粒を用いた砥石成型体で構成されているため、主表面が異物の影響を受け易く、この付着砥粒が付着したままガラス基板の主表面を研削すると、大きなキズが発生してしまい固定砥粒の性能を十分に引き出すことができなかった。

そこで、本発明は、固定砥粒の性能を十分に引き出して効率的なガラス基板の製造を可能とするガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、ガラス基板の主表面を研削するラッピング工程と、該ラッピング工程後、前記ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程と、を備えたガラス基板の製造方法であって、前記ラッピング工程は、遊離砥粒又は固定砥粒を用いて前記ガラス基板の主表面を研削する１次ラッピング工程と、該１次ラッピング工程における前記遊離砥粒又は前記固定砥粒の粒径よりも小さい粒径の固定砥粒を用いて前記ガラス基板の主表面を研削する２次ラッピング工程と、前記１次ラッピング工程後、前記２次ラッピング工程前に、前記ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄する洗浄工程と、を備えることを特徴とする。
また、該ガラス基板の製造方法において、前記ラッピング工程後、前記主表面研磨工程前に、前記ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄する洗浄工程を備えることが好ましい。
また、該ガラス基板の製造方法において、前記酸洗浄は、フッ素系溶液を用いて前記ガラス基板の主表面を洗浄することが好ましい。
また、該ガラス基板の製造方法において、前記洗浄工程は、前記ガラス基板の主表面を酸洗浄した後、アルカリを含む洗浄剤で洗浄することが好ましい。
また、該ガラス基板の製造方法において、前記ガラス基板は、磁気ディスク用ガラス基板であることが好ましい。

本発明によれば、１次ラッピング工程後、固定砥粒を用いて研削する２次ラッピング工程前に、ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄するので、１次ラッピング工程でガラス基板の主表面に付着した通常の水洗浄では排除できない砥粒等の異物を排除することができる。これにより、その後に行なわれる固定砥粒を用いて研削する２次ラッピング工程において、砥粒等の異物によるガラス基板のキズ付きを防止し、固定砥粒の性能を十分に引き出すことでき、効率的にガラス基板を製造することができる。

磁気ディスク用ガラス基板の斜視図である。 本発明のガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。 １次ラッピング後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。 １次ラッピング後、水洗浄した後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。 １次ラッピング後、スクラブ洗浄した後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。 １次ラッピング後、酸洗浄した後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。

本発明に係るガラス基板の製造方法の一実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明のガラス基板の製造方法で製造されるガラス基板は、磁気ディスク用、フォトマスク用、液晶テレビ用、平面レンズ用等いずれのガラス基板の製造にも用いる事が出来る。ここでは、ＨＤＤ等に搭載される磁気ディスクのガラス基板として使用される磁気ディスク用ガラス基板を例に説明するが、これに限定されるものではない。

磁気ディスク用ガラス基板は、外径１５ｍｍ乃至３０ｍｍ、内径５ｍｍ乃至１２ｍｍ、板厚０．３５ｍｍ乃至０．５ｍｍであり、例えば、「０．８インチ型磁気ディスク」（内径６ｍｍ、外径２１．６ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）、「１．０インチ型磁気ディスク」（内径７ｍｍ、外径２７．４ｍｍ、板厚０．３８１ｍｍ）などの所定の直径を有する磁気ディスクとして作製される。また、「２．５インチ型磁気ディスク」、「３．５インチ型磁気ディスク」など磁気ディスクとして作製される。なお、「内径」とは、ガラス基板の中心部の円孔の内径である。

図１は、磁気ディスク用ガラス基板の構成を示す斜視図である。磁気ディスク用ガラス基板１は、図１に示すように、中心部に円孔２を有している。この磁気ディスク用ガラス基板１は、ガラス材料からなることにより、鏡面研磨によって優れた平滑性を実現することができ、硬度が高く、また、剛性が高いので、耐衝撃性に優れている。ガラスは脆性材料であるが、化学強化や風冷強化などの強化処理、あるいは、結晶化の手段により、破壊強度を向上させることができる。

磁気ディスク用ガラス基板１としては、リチウムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノリチウムシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダタイムガラス、ホウ珪酸ガラス等が挙げられるが、アルミノシリケートガラスが好ましい。また、アモルファスガラス、結晶化ガラスを用いることもできる。ガラス上に形成する軟磁性層をアモルファスとする場合にあっては、アモルファスガラスとすると好ましい。例えば、アルミノシリケートガラスのガラス成分としては、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５７〜７４％、ＺｎＯ_２を０〜２．８％、Ａｌ_２Ｏ_３を３〜１５％、ＬｉＯ_２を７〜１６％、Ｎａ_２Ｏを４〜１４％、を含有する。また、他のアルミノシリケートガラスのガラス成分としては、質量％表示で、ＳｉＯ_２を５０〜６５％、Ａｌ_２Ｏ_３を５〜１５％、Ｎａ_２Ｏを２〜７％、Ｋ_２Ｏを４〜９％、ＭｇＯを０．５〜５％、ＣａＯを２〜８％、ＺｒＯ_２を１〜６％、を含有する。なお、高いヤング率（１００ＧＰａ以上）を得るためのガラス成分としては、モル％表示で、ＳｉＯ_２を４５〜６５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜１５％、Ｌｉ_２Ｏを４〜２０％、Ｎａ_２Ｏを１〜８％、ＣａＯを０〜２１％、ＭｇＯを０〜２２％、Ｙ_２Ｏ_３を０〜１６％、ＴｉＯ_２を１〜１５％、及び、ＺｒＯ_２を０〜１０％を含有する。

続いて、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板１の製造方法は、図２にも示すように、
（１）形状加工工程（Ｓ１）と、
（２）面取り工程（Ｓ２）と、
（３）１次ラッピング工程（Ｓ３）と、
（４）第１洗浄工程（Ｓ４）と、
（５）２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）と、
（６）第２洗浄工程（Ｓ６）と、
（７）端面研磨工程（Ｓ７）
（８）主表面研磨工程（Ｓ８）と、を有している。
なお、本明細書では、主表面を研磨する主表面研磨工程前に行なわれる主表面の研削又は研削工程を砥粒の種類によらずラッピング又はラッピング工程と呼び、該ラッピング工程は、少なくとも１次ラッピング工程（Ｓ３）と、第１洗浄工程（Ｓ４）と、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）と、を含む。

形状加工工程（Ｓ１）は、円形の磁気ディスク用ガラス基板１を準備する工程であって、矩形の板ガラスの中央に貫通孔（内孔）を形成し、円形のガラスに切り出す。

面取り工程（Ｓ２）は、切り出した円形のガラスのエッジ（主表面と貫通孔を形成する内周端面との交線及び主表面と外周端面との交点）に面取り処理を施す工程である。ここで、主表面とは、磁気ディスク用ガラス基板１の表面及び裏面を含めた環状部分をいう。

１次ラッピング工程（Ｓ３）は、両面加工装置で遊離砥粒又は固定砥粒を用いて磁気ディスク用ガラス基板１の上下面を研削する工程である。遊離砥粒を用いる場合、平均粒径が典型的には８μｍ〜４０μｍであるアルミナ砥粒、ジルコニア砥粒、炭化珪素砥粒、ダイヤモンド砥粒のいずれかを含有する水を主たる分散媒とするスラリーを供給しながら金属定盤を用いて研削する。また、固定砥粒を用いる場合は、平均粒径が典型的には８μｍ〜３８μｍであるダイヤモンド砥粒がシートに取り付けられた固定砥粒パッドを両面加工装置の上下定盤に取り付けてクーラントを供給しながら磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を研削する。本実施形態では、面取り工程（Ｓ２）の後にラッピングを施すため、チッピングの影響を低減することができる。
なお、１次ラッピング工程における砥粒の粒径Ｄ１は２次ラッピング工程における砥粒の粒径Ｄ２よりも大きいものとされ、例えば、Ｄ１が２０〜４０μｍまたは２１〜４０μｍの場合はＤ２は４〜１５μｍ、Ｄ１が９〜１９μｍまたは９〜２０μｍの場合はＤ２は１〜６μｍ程度とすることが好ましい。

第１洗浄工程（Ｓ４）は、１次ラッピング工程（Ｓ３）後、２次ラッピング工程（固定砥粒研削）（Ｓ５）前に磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を精密に洗浄する洗浄工程である。かかる洗浄工程は、１次ラッピング工程（Ｓ３）でスラリー中に分散され又は固定砥粒パッドから脱落したガラス基板の主表面に刺さるように付着した砥粒やガラス屑等の異物を２次ラッピング工程（固定砥粒研削）（Ｓ５）前に除去するものである。具体的には、超音波洗浄、スクラブ洗浄、又は酸洗浄が行なわれる。超音波洗浄及びスクラブ洗浄は水によるものでもよく、酸洗浄と併せて酸を用いて超音波洗浄やスクラブ洗浄をしてもよい。これにより、１次ラッピング工程でガラス基板の主表面に刺さるように付着した通常の水洗浄では排除できなかった砥粒などの異物を排除することができる。なお、酸洗浄によれば、水による洗浄に比べて、磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を溶解することでより異物の排除に効果がある。

超音波洗浄は、超音波振動によって洗浄液に発生するキャビテーション作用、加速度作用、流体（洗浄液）の流れである直進流等を利用して、磁気ディスク用ガラス基板１の主表面に付着した砥粒などの異物を排除するものであり、公知の装置を用いて行なわれる。

スクラブ洗浄は、スクラブロールと呼ばれる高分子多孔質ロールを回転させながら磁気ディスク用ガラス基板１の主表面に接触させて、磁気ディスク用ガラス基板１の主表面に付着した異物を除去することによって洗浄するもので、公知の装置を用いて行なうことができる。また、これに限らず、人の手によりスポンジなどを磁気ディスク用ガラス基板１の主表面にこすりつけることで洗浄してもよい。

酸洗浄は、硫酸、リン酸、硝酸、フッ酸、塩酸などの酸や、これらの酸の混酸、あるいはこれらの酸にこれらの酸の塩（フッ化アンモニウム、硝酸カリウムなど）を加えた洗浄剤に磁気ディスク用ガラス基板１を浸漬することによって洗浄するものである。このうち、フッ素系溶液で処理することが好ましく、さらにｐＨ２以上７以下のフッ素系溶液がさらに好ましい。この溶液を用いることで耐酸性の低い部分の選択溶解を抑制することができる。

また、ｐＨが２以上７以下のフッ素系溶液で処理した後に、アルカリを含む洗浄剤で処理することが好ましい。これにより、磁気ディスク用ガラス基板１の主表面の高い清浄度を得ることができる。

すなわち、多成分で形成されるガラスでは、酸に弱い成分としてはアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルミニウム酸化物等が相当し、酸に強い成分にはシリカ酸化物、チタニア酸化物、ジルコニア酸化物等が相当するが、ｐＨが２以上７以下のフッ素系溶液を含む洗浄剤で処理すれば、酸に弱い成分の選択溶解を抑制することができる。なお、アルカリを含む洗浄剤で処理する前及び／又は処理した後に水洗浄を行なってもよい。

フッ素系溶液は、フッ化水素酸溶液にｐＨ調整剤を添加してｐＨを２以上７以下に調整したものが好ましい。フッ化水素酸溶液に添加して緩衝効果を出すという観点からは、このｐＨ調整剤は、フッ化物で具体的には、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、ホウフッ化アンモニウム、または珪フッ化アンモニウムのうちから少なくとも１種選ばれるのが好ましい。

フッ素系溶液としては、フッ化水素アンモニウム溶液および／または、珪フッ化水素酸溶液を用いるのが、ガラスのエッチングの点から好ましい。

フッ素系溶液中にｐＨ調整剤をある濃度以上加えると、溶液はｐＨ７の実質上中性になるので、選択溶解を抑制させるためのフッ素系溶液として好ましいｐＨは、２以上７以下である。フッ素系溶液のｐＨを２以上に限定するのは、ｐＨが２未満であると実質上ｐＨ調整剤が機能せず、耐酸性の低い成分の選択溶解が容易に起こるためである。

アルカリ性の洗剤は、通常はアルカリ成分、界面活性剤、およびキレート剤を主成分とする水溶液が用いられ、例えば市販されているアルカリ洗剤の中から選ぶことができる。

アルカリ成分としては、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下ＴＭＡＨと表記する）、苛性ソーダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア等があるが、いずれを用いる場合においても、より高いｐＨで使用するほど静電気的反発力が大きくなるので、良好な清浄度を得るためにはより高いｐＨにして使用するのが好ましい。

アルカリ成分の中でもＴＭＡＨはアンモニウムイオンの水素部分をかさ高いメチル基で置換した構造をとっており、アルカリ成分がガラス基板にアタックする際の立体障害因子が大きく、基板に与えるダメージがより小さい。

このことからＴＭＡＨを用いるとより高いｐＨで使用することができ、ＴＭＡＨ以外のアルカリ成分を使用する場合に比べてさらに良好な清浄度を得ることができる。したがって、アルカリ成分としてＴＭＡＨを用いることがさらに好ましい。

界面活性剤は特に限定されないが、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体のような非イオン界面活性剤、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライドのような第４級アンモニウム塩；硬化牛脂アミンのような高級アミンハロゲン酸塩；塩化ドデシルピリジニウムのようなハロゲン化アルキルピリジウム等の陽イオン界面活性剤、アルキル硫酸エステルナトリウム、脂肪酸ナトリウム、アルキルアリールスルホン酸塩等の陰イオン界面活性剤、ラウリルアミノプロピオン酸ナトリウムのようなアミノ酸塩等の両性界面活性剤が用いられる。

キレート剤としては特に限定しないが、例えばジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸等が用いられる。

アルカリ性の洗剤の界面活性剤濃度やキレート剤濃度は特に限定しないが、例えば界面活性剤０ｗｔ％〜１ｗｔ％、キレート剤０ｗｔ％〜１ｗｔ％で用いられる。

２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）は、両面加工装置で固定砥粒を用いて磁気ディスク用ガラス基板１の上下面を研削する。固定砥粒は、前述したように１次ラッピング工程における遊離砥粒又は固定砥粒の平均粒径よりも小さい粒径のダイヤモンド砥粒（典型的には１μｍ〜２０μｍ）を用いる。このダイヤモンド砥粒がシートに取り付けられた固定砥粒パッドを両面加工装置の上下定盤に取り付けてクーラントを供給しながら磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を研削する。これにより、従来の精ラッピングに比べて小さい粒子を用いることができ効率よく所望の表面粗さの磁気ディスク用ガラス基板１を得ることができる。また、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）は、磁気ディスク用ガラス基板１の主表面が異物の影響を受けやすいが、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）前に、上述した精密な洗浄を行なっているため、磁気ディスク用ガラス基板１の主表面にキズが付くのを抑制することができる。

第２洗浄工程（Ｓ６）は、ラッピング工程後、即ち２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）後、主表面研磨工程（Ｓ８）前に磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を精密に洗浄する洗浄工程である。かかる第２洗浄工程（Ｓ６）は、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）で発生するガラス屑や固定砥粒パッドから脱落したダイヤモンド砥粒を除去するものである。具体的には、第１洗浄工程（Ｓ４）と同様に、水による超音波洗浄、スクラブ洗浄、又は酸洗浄が行なわれる。以下、第２洗浄工程（Ｓ６）については、第１洗浄工程（Ｓ４）と同様の処理がなされるため詳細は省略する。

端面研磨工程（Ｓ７）は、面取りした磁気ディスク用ガラス基板１の内周端面および外周端面を鏡面に研磨する工程である。

主表面研磨工程（Ｓ８）は、セリアスラリーを供給しながら磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を研磨処理する工程である。かかる主表面研磨工程（Ｓ８）は、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）で磁気ディスク用ガラス基板１の主表面に形成されていた微細な凹凸形状を低減させ鏡面化された主表面を得るものである。より具体的には、主表面研磨工程（Ｓ８）を例えば２段階に分けて、第１主表面研磨工程においては、典型的には平均粒径０．１μｍ〜５．０μｍのセリア砥粒を水に分散させたセリアスラリーを供給し、上下定盤に硬質発泡ウレタンパッドやスエード状ウレタンパッドを貼り付けた両面加工装置を用いて磁気ディスク用ガラス基板１を研磨し鏡面加工を行う。続いて、水、洗剤、強酸もしくは強アルカリを用いた超音波洗浄後、第２主表面研磨工程においては、典型的には平均粒径０．００５μｍ〜０．２μｍのコロイダルシリカ砥粒を水に分散させたシリカスラリーを供給し、上下定盤にスエード状ウレタンパッドを貼り付けた両面加工装置を用いて磁気ディスク用ガラス基板１を研磨し粗さを整える。なお、必ずしも２段階に分ける必要はなく、また、より磁気ディスク用ガラス基板１の主表面を鏡面化するために３段階に分けて研磨処理してもよい。

本実施形態のガラス基板の製造方法は、１次ラッピング工程（Ｓ３）後、固定砥粒を用いて研削する２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）（Ｓ５）前に上述した精密な洗浄を行なう第１洗浄工程（Ｓ４）を含んでいれば良く、その他の順序は適宜変更できる。例えば、面取り工程（Ｓ２）と１次ラッピング工程（Ｓ３）の順番を入れ替えて、１次ラッピングを経た後に円形の磁気ディスク用ガラス基板１のエッジに面取り処理を施してもよい。これにより、磁気ディスク用ガラス基板１の表面と裏面に高低差ができるのを抑制することができる。
また、例示した工程以外に他の工程を含んでいてもよい。例えば、主表面研磨工程（Ｓ８）後、ガラス基板に化学強化を施す化学強化工程を含んでいてもよい。化学強化工程は、ガラス基板の表面（例えば、ガラス基板表面から約５μｍまで）に存在するイオン（例えば、アルミノシリケートガラス使用の場合、Ｌｉ^＋及びＮａ^＋）よりもイオン半径の大きなイオン（Ｎａ^＋及びＫ^＋）にイオン交換することにより、ガラス表面に圧縮応力を与えることでガラス基板の剛性を上げることができる。
なお、本実施形態では、両面加工装置を用いて磁気ディスク用ガラス基板１の両面を同時に処理したが、これに限定されず片面ずつ順次処理してもよい。

以下、本発明の実施例について説明する。
ガラス基板として２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いて、平均粒径が５μｍ〜２０μｍのアルミナ砥粒を含有する水を主たる分散媒とするスラリーを供給しながら両面加工装置で１５分間、１次ラッピングし、１次ラッピング工程後、２次ラッピング工程前に、洗浄方法を変えてガラス基板の主表面を実体顕微鏡写真で観察した。

図３は、１次ラッピング後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。白く帯状に見える部分が１次ラッピングによりガラス基板の主表面に付着した砥粒やガラス屑等の異物である。

図４は、１次ラッピング後のガラス基板の主表面を３分間、水洗浄した後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。白く帯状に見える異物は、図２の１次ラッピング後に比べて少なくなっているが、以前として異物が残っているのが分かる。このことからも、１次ラッピングで付着した砥粒やガラス屑等の異物はガラス基板の主表面に突き刺さるように存在していることが推測される。

図５は、１次ラッピング後のガラス基板の主表面を３分間、水を洗浄液として手でスポンジをこすりつけてスクラブ洗浄した後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。図２で白く帯状に見えていた異物が、ほとんど存在していないのが分かる。これにより、１次ラッピングで付着した砥粒やガラス屑等の異物に対して、スクラブ洗浄が効果的であることが確認できた。なお、スクラブ洗浄に限らず超音波洗浄でも同様の効果を確認できた。

図６は、１次ラッピング後のガラス基板の主表面を１分間、ｐＨ２．８のフッ化水素アンモニウム溶液に浸して酸洗浄した後のガラス基板の主表面の実体顕微鏡写真である。図２で白く帯状に見えていた異物が、ほとんど存在していないのが分かる。これにより、１次ラッピングで付着した砥粒やガラス屑等の異物に対して、酸洗浄も効果的であることが確認できた。

なお、本実施例は、１次ラッピング工程後、２次ラッピング工程前に、洗浄方法を変えてガラス基板の主表面を観察したが、２次ラッピング工程後、主表面研磨工程前にガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄、又は酸洗浄で洗浄しても同様の結果が得られる。

以上、説明したように、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、１次ラッピング工程後、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）前に、ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄するので、１次ラッピング工程でガラス基板の主表面に付着した砥粒等の異物を排除することができる。これにより、その後に行なわれる固定砥粒を用いて研削する２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）において、通常の水洗浄では排除できない砥粒等の異物によりガラス基板のキズ付きを防止し、固定砥粒の性能を十分に引き出すことができる。
また、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）は、従来の精ラッピングに比べて小さい粒子を用いることができるため、効率よく所望の表面粗さのガラス基板を得ることができる。なお、１次ラッピング工程を固定砥粒を用いて研削することでより研削処理を短時間で行うことができる。

また、ラッピング工程後、即ち２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）後、主表面研磨工程前に、ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄するので、２次ラッピング工程（固定砥粒研削工程）で発生するガラス屑や固定砥粒パッドから脱落したダイヤモンド砥粒を除去することができ、これにより、主表面研磨工程で異物によるガラス基板のキズ付きを防止することができ、短時間で高品質なガラス基板を得ることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施し得るものである。

１ 磁気ディスク用ガラス基板（ガラス基板）
２ 円孔

Claims (5)

1. ガラス基板の主表面を研削するラッピング工程と、該ラッピング工程後、前記ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程と、を備えたガラス基板の製造方法であって、
   前記ラッピング工程は、
   遊離砥粒又は固定砥粒を用いて前記ガラス基板の主表面を研削する１次ラッピング工程と、
   該１次ラッピング工程における前記遊離砥粒又は前記固定砥粒の粒径よりも小さい粒径の固定砥粒を用いて前記ガラス基板の主表面を研削する２次ラッピング工程と、
   前記１次ラッピング工程後、前記２次ラッピング工程前に、前記ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄する洗浄工程と、を備えることを特徴とするガラス基板の製造方法。
2. 前記ラッピング工程後、前記主表面研磨工程前に、前記ガラス基板の主表面を超音波洗浄、スクラブ洗浄及び酸洗浄の少なくとも１つにより洗浄する洗浄工程を備えることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
3. 前記酸洗浄は、フッ素系溶液を用いて前記ガラス基板の主表面を洗浄することを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
4. 前記洗浄工程は、前記ガラス基板の主表面を酸洗浄した後、アルカリを含む洗浄剤で洗浄することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
5. 前記ガラス基板は、磁気ディスク用ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。