JP2003277102A - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス基板からのアルカリの滲出を抑制する
ことができるとともに、ガラス基板表面に形成されるテ
クスチャーの形状変化を抑制することができる情報記録
媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス
基板を提供する。 【解決手段】 磁気ディスク用ガラス基板は、円盤加工
工程１１、内外周端面面取り工程１２、主表面研磨工程
１３、化学強化工程１４、酸処理工程１５、テクスチャ
ー加工工程１６及び中性水溶液処理又はアルカリ水溶液
処理工程１７を経て製造される。テクスチャーの形成に
よって除去されるガラス基板の厚み（取り代）は平均
０．５〜１０ｎｍであることが好ましい。前記テクスチ
ャー加工工程１６の後には、中性水溶液処理及びアルカ
リ性水溶液処理の少なくとも一方の処理を行うことが望
ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク、光
磁気ディスク、光ディスク等の情報記録媒体に用いられ
るガラス基板の製造方法及びその製造方法により製造さ
れる情報記録媒体用ガラス基板に関するものである。さ
らに詳しくは、化学強化処理後のガラス基板にテクスチ
ャーを形成した場合にアルカリの滲出を抑制することが
できるとともに、テクスチャーの形状変化を抑制するこ
とができる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情
報記録媒体用ガラス基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のガラス基板は、情報記録
媒体用の基板として所望される強度を得るために、化学
強化槽内に貯留された化学強化処理液中に浸漬されるこ
とによってその表面が化学強化処理される。化学強化処
理液としては、加熱溶融した硝酸カリウム（ＫＮＯ₃）
等が用いられる。そして、ガラス基板の表面近傍に存在
するリチウムイオン（Ｌｉ⁺）やナトリウムイオン（Ｎ
ａ⁺）がこれらよりイオン半径の大きいカリウムイオン
（Ｋ⁺）にイオン交換される。このため、化学強化処理
されたガラス基板の表面には、圧縮応力層が形成される
ことにより化学強化される。

【０００３】化学強化処理されたガラス基板は、その主
表面にダイヤモンドの研磨用スラリーを供給しながら研
磨用テープを円周方向に摺接させることにより、円周方
向に延びるライン状のテクスチャーが形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、ガラス
基板中の表面近傍に存在するリチウムイオン（Ｌｉ⁺）
やナトリウムイオン（Ｎａ⁺）がイオン交換されるカリ
ウムイオン（Ｋ⁺）は、リチウムイオンやナトリウムイ
オンに比べてイオン半径が大きい。このため、イオン交
換によって一旦ガラス基板中に入り込んだカリウムイオ
ンは、ガラス基板の表面からは滲出しにくい。

【０００５】しかしながら、化学強化処理後に前記のよ
うなテクスチャーを形成し、その後圧縮応力層を除去す
ると、カリウムイオンが高濃度で存在する層が除去され
ることになり、ガラス基板表面においてはナトリウムイ
オンやリチウムイオンの濃度が高くなる。ナトリウムイ
オン及びリチウムイオンは、カリウムイオンに比べてイ
オン半径が小さいため、ガラス基板中を移動しやすい。
従って、ガラス基板表面からナトリウムやリチウムなど
のアルカリが滲出しやすくなるという問題があった。

【０００６】加えて、ガラス基板表面からアルカリが滲
出すると、テクスチャーの形状が経時的に変化しやすく
なる。すなわち、ガラス基板表面のテクスチャーについ
て、最大山高さ、最大谷高さ、表面粗さなどが悪化する
方向に変化しやすい。その結果、ガラス基板を例えば磁
気記録媒体用として用いる場合、ガラス基板表面に記録
された磁気データを読み取る磁気ヘッドの浮上安定性が
低下したり、浮上高さが高くなって読み取り精度が低下
したりするという問題があった。

【０００７】本発明は、上記のような従来技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、ガラス基板からのアルカリの滲出を抑制す
ることができるとともに、ガラス基板表面に形成される
テクスチャーの形状変化を抑制することができる情報記
録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラ
ス基板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の発明の情報記録媒体用ガラス基
板の製造方法は、円盤状に形成されたガラス基板を化学
強化塩の加熱溶融液中に浸漬してガラス基板中の一部の
イオンをそれよりイオン半径の大きなイオンに交換して
化学強化処理した後、ガラス基板の主表面に研磨用スラ
リーを供給しながらテープ部材を円周方向に摺接させて
ライン状のテクスチャーを形成する情報記録媒体用ガラ
ス基板の製造方法であって、前記テクスチャーの形成に
よって除去されるガラス基板の厚みが平均０．５〜１０
ｎｍであることを特徴とするものである。

【０００９】請求項２に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項１に記載の発明におい
て、前記テクスチャーを形成した後、中性水溶液処理及
びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方の処理を行う
ことを特徴とするものである。

【００１０】請求項３に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項１又は請求項２に記載の
発明において、前記中性水溶液処理及びアルカリ性水溶
液処理の少なくとも一方の処理は、帯状の摺接部材で摺
りながら行う方法、スクラブ部材で摺りながら行う方
法、超音波を照射しながら行う方法並びに中性水溶液処
理及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方をシャワ
ーして行う方法の少なくとも１種の方法で行われるもの
であることを特徴とするものである。

【００１１】請求項４に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項２又は請求項３に記載の
発明において、前記アルカリ性水溶液は、テトラアンモ
ニウムハイドライドの水溶液であるものである。

【００１２】請求項５に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項２から請求項４のいずれ
か一項に記載の発明において、前記中性水溶液及びアル
カリ性水溶液に用いられる水は、無機塩の水溶液を電気
分解することにより得られた電解水又はガスが溶解され
たガス溶解水であるものである。

【００１３】請求項６に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項５に記載の発明におい
て、前記電解水は電気分解の陰極側から取り出されるカ
ソード水であり、ガス溶解水は水素ガスが溶解された水
素ガス溶解水であるものである。

【００１４】請求項７に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項１から請求項６のいずれ
か一項に記載の発明において、前記テクスチャーを形成
する前に、中性水溶液処理及びアルカリ性水溶液処理の
少なくとも一方の処理を行うことを特徴とするものであ
る。

【００１５】請求項８に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項７に記載の発明におい
て、前記中性水溶液処理及びアルカリ性水溶液処理の少
なくとも一方の処理の前又は後に酸性水溶液処理を行う
ことを特徴とするものである。

【００１６】請求項９に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法は、請求項８に記載の発明におい
て、前記酸性水溶液は、弗化水素酸、珪弗化水素酸、硫
酸、硝酸、塩酸、スルファミン酸、酢酸、酒石酸、クエ
ン酸、グルコン酸、マロン酸及びシュウ酸から選ばれる
少なくとも１種の水溶液であることを特徴とするもので
ある。

【００１７】請求項１０に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板の製造方法は、請求項８又は請求項９に記載
の発明において、前記酸性水溶液は、還元剤を含有して
いることを特徴とするものである。

【００１８】請求項１１に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板は、請求項１から請求項１０のいずれか一項
に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により製
造されるものであって、前記テクスチャーは、ＡＦＭ
（原子間力顕微鏡）で測定されたＲp(最大山高さ)とＲ
ＭＳ（自乗平均平方根粗さ）との比Ｒp／ＲＭＳが１５
以下のものである。

【００１９】請求項１２に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板は、請求項１１に記載の発明において、前記
テクスチャーは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定され
たＲｙ（最大谷高さ）が１０ｎｍ以下であるものであ
る。

【００２０】請求項１３に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板は、請求項１１又は請求項１２に記載の発明
において、前記テクスチャーの幅Ｌが１０〜２００ｎ
ｍ、尾根高さＨが２〜１０ｎｍ、及び平均尾根凹部深さ
Ｄが２ｎｍ以下で、かつ平均尾根凹部深さＤに対する高
さＨの比Ｈ／Ｄが１０以上であるものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明の
第１実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

【００２２】本実施形態における情報記録媒体用ガラス
基板は中心に円孔を有する円盤状をなし、磁気ディス
ク、光磁気ディスク、光ディスク等の情報記録媒体の基
板として使用されるものである。図１はこの情報記録媒
体用ガラス基板の製造工程を示す工程図である。この図
１に示すように、磁気ディスク用ガラス基板は、円盤加
工工程１１、内外周端面面取り工程１２、主表面研磨工
程１３、化学強化工程１４、酸処理工程１５、テクスチ
ャー加工工程１６及び中性水溶液処理又はアルカリ水溶
液処理工程１７を経て製造される。中性水溶液処理又は
アルカリ水溶液処理工程１７は、中性水溶液処理及びア
ルカリ性水溶液処理の少なくとも一方の処理を意味す
る。

【００２３】ガラス基板１８を形成するガラス材料（ガ
ラス素板）としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、酸化
ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）を
主成分としたソーダライムガラス、ＳｉＯ₂、酸化アル
ミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、Ｒ₂Ｏ（Ｒ＝カリウム（Ｋ）、
ナトリウム（Ｎａ）、リチウム（Ｌｉ））を主成分とし
たアルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、
酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）−ＳｉＯ₂系ガラス、Ｌｉ₂Ｏ
−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラス、Ｒ’Ｏ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｓ
ｉＯ₂系ガラス（Ｒ’＝マグネシウム（Ｍｇ）、カルシ
ウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）又はバリウム
（Ｂａ）を使用することができ、これらガラス材料に酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）や酸化チタン（ＴｉＯ₂）等
を添加した化学強化用ガラスであれば特に限定されな
い。そして、ガラス基板１８は、例えば外径が８９ｍｍ
（３．５インチ）、７６ｍｍ（３．０インチ）又は６４
ｍｍ（２．５インチ）等に形成されるとともに、その厚
みは０．６３ｍｍ等に形成される。

【００２４】円盤加工工程１１においては、シート状の
ガラス基板１８を超硬合金又はダイヤモンド製のカッタ
ーを用いて切断することにより、その中心に図２又は図
３に示す円孔１９を有する円盤状に形成される。このと
き、外周面と内周面とを同時に切断してもよいし、外周
面を切断した後に内周面を切断してもよい。

【００２５】次に、内外周端面面取り工程１２において
は、ガラス基板１８の外径寸法及び内径寸法が所定長さ
となるように内外周端面が研削加工されるとともに、内
外周端面の角部が研磨されて面取り加工される。具体的
には、ガラス基板１８はダイヤモンド砥粒等の砥粒が付
着した砥石によって、その内外周端面が研削加工される
とともに、内外周端面の角部が面取り加工される。

【００２６】このとき、ガラス基板１８の面取り加工
は、例えば＃３２５及び＃５００（又は＃６００）等の
ように粗いダイヤモンド砥粒と細いダイヤモンド砥粒と
によって２段階に分けて行うことができる。また、ガラ
ス基板１８の外径寸法及び内径寸法が予め所定長さに近
似した寸法に形成されているときには、面取り加工は１
段階のみで行うことができる。さらに、面取り加工が施
されたガラス基板１８の内外周端面は、その表面粗さを
細くするために、研磨材によって研磨加工される。

【００２７】このときの研磨量は好ましくは５〜２０μ
ｍである。５μｍ未満では内外周端面の表面粗さを充分
に細くすることができない。一方、２０μｍを越えて研
磨加工してもそれ以上内外周端面の表面粗さを細くする
ことは困難である。研磨材の具体例としては、酸化セリ
ウムや酸化ランタン等の希土類酸化物、酸化ジルコニウ
ム、二酸化マンガン、酸化アルミニウム、コロイダルシ
リカ等が挙げられる。これらの中でも、研磨効率が優れ
ていることから希土類酸化物が好ましく、酸化セリウム
がより好ましい。

【００２８】主表面研磨加工工程１３においては、内外
周端面の面取りが施されたガラス基板１８にラップ研磨
加工及び平滑研磨加工を施すことにより、ガラス基板１
８の主表面２０が研磨加工される。ここで主表面２０と
は、ガラス基板１８を情報記録媒体用ガラス基板とした
ときに情報が記録される表面のことをいう。ラップ研磨
加工は、ガラス基板１８の厚みを所定値にするととも
に、反りやうねりを取除いて主表面２０の平坦性を向上
させたり、凹凸やクラック等の大きな欠陥を取除いて表
面粗さを細くしたりするために行われる。このラップ研
磨加工はガラスの成型時に反りやうねりが許容される範
囲であれば、コスト削減などの理由で省略することも可
能である。

【００２９】平滑研磨加工は、情報記録媒体として使用
する場合に要求される平坦性や平滑性を確保するために
行われる。用いる研磨材は特に限定されないが、ガラス
に対して高い研磨力を有する酸化セリウム系の研磨材が
好ましい。研磨材のサイズも特に限定されないが、平滑
性と研磨速度を両立させるために、通常０．１〜３μｍ
程度のものが好ましい。研磨方法も特に限定されない
が、人工皮革スエードパッドを上定盤及び下定盤に貼り
付けた両面研磨機を用いることにより、低コストで両面
を精密に研磨することができる。また、研磨速度と平滑
性を両立させるために２段階の研磨処理を行ってもよ
い。

【００３０】この主表面研磨加工工程１３の後には、ガ
ラス基板１８表面に残留する研磨粉を除去するために洗
浄を行うことが望ましい。次に、化学強化工程１４にお
いては、情報記録媒体の基板として要求される耐衝撃
性、耐振動性、耐熱性等を向上させるために、主表面２
０に研磨加工が施されたガラス基板１８に化学強化処理
が施される。この化学強化処理とは、ガラス基板１８中
に含まれる一部のイオン、例えばリチウムイオンやナト
リウムイオン等の一価の金属イオンを、それよりイオン
半径が大きいナトリウムイオンやカリウムイオン等の一
価の金属イオンにイオン交換することをいう。このよう
なイオン交換により、ガラス基板１８の表面に圧縮応力
層が形成され、ガラス基板１８が化学強化される。

【００３１】化学強化処理は、化学強化塩を加熱溶融し
た化学強化処理液にガラス基板１８を所定時間浸漬する
ことによって行われる。化学強化塩の具体例としては、
硝酸カリウム（ＫＮＯ₃）、硝酸ナトリウム（ＮａＮ
Ｏ₃）、硝酸銀（ＡｇＮＯ₃）等をそれぞれ単独又は少な
くとも２種を混合したものが挙げられる。また、化学強
化処理液の温度は、ガラス基板１８の歪点よりも好まし
くは５０〜１５０℃程度低い温度であり、より好ましく
は化学強化処理液自体の温度が３５０〜４００℃程度で
ある。

【００３２】ガラス基板１８の歪点よりも１５０℃程度
低い温度未満では、ガラス基板１８を充分に化学強化処
理することができない。一方、ガラス基板１８の歪点よ
りも５０℃程度低い温度を越えると、ガラス基板１８を
化学強化処理１８するときに、ガラス基板１８に歪みが
発生しやすい。

【００３３】この化学強化処理においては、複数枚のガ
ラス基板１８が化学強化用ホルダーに保持され、その状
態の複数の化学強化用ホルダーがケージに収容される。
そして、そのようなケージが化学強化槽内の溶融塩が加
熱溶融された化学強化処理液中に浸漬されて化学強化処
理が行われる。

【００３４】図４に示すように、化学強化処理が施され
たガラス基板１８の最表面には、イオン交換によってカ
リウムイオン（Ｋ⁺）が増大し、その濃度が最も高くな
る。このカリウムイオンの濃度はガラス基板１８表面か
らの深さが深くなるほど次第に低くなる。一方、リチウ
ムイオン（Ｌｉ⁺）の濃度は、イオン交換によって減少
するため、ガラス基板１８の最表面で最も低く、ガラス
基板１８表面からの深さが深くなるほど次第に高くな
る。また、ナトリウムイオン（Ｎａ⁺）の濃度は、カリ
ウムイオンとのイオン交換により減少し、リチウムイオ
ンとのイオン交換により増加する。このため、ナトリウ
ムイオンの濃度は、ガラス基板１８の最表面で低く、ガ
ラス基板１８表面からの深さが深くなるにつれて高くな
って一定の深さでピークを示し、さらに深くなるとその
濃度が低くなる。

【００３５】化学強化処理により形成される圧縮応力層
（化学強化層）の厚みは、ガラス基板１８表面から好ま
しくは１００〜２００μｍである。１００μｍ未満の場
合には、ガラス基板１８の化学強化が不充分となって、
情報記録媒体の基板として要求される性能を発揮するこ
とができないときがある。一方、２００μｍを越える場
合には、化学強化処理液の温度を高くしたり、ガラス基
板１８を化学強化処理液に浸漬する時間を長くしたりす
る必要があるために、ガラス基板１８の生産効率が低下
しやすい。

【００３６】また、ガラス基板１８には、化学強化塩が
加熱溶融された化学強化処理液に浸漬されることによる
うねりが形成される。さらに、ガラス基板１８の表面に
は図示しない凹凸が多数形成されるためにその表面が粗
くなるとともに、内外周端縁には、内外周端面と主表面
２０とから圧縮応力が作用するために膨らみが形成され
る。このため、ガラス基板１８の主表面２０の平坦性は
低下する。

【００３７】化学強化処理が円滑に行われることによ
り、ガラス基板１８全体の強度を確保することができ
る。ガラス基板１８は、このようなイオン交換に基づい
てその表面に圧縮応力層が形成されて強度が高められる
ことにより、情報記録媒体として使用されるときに、高
速回転による破損を防止することができる。

【００３８】化学強化処理の後には、必要に応じて中性
水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理を行う工程或いは
酸処理工程１５が実施される。この場合、酸処理工程１
５は中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理を行う工
程１７の前又は後のいずれであってもよい。中性水溶液
としては、主として純水が使用されるが、有機溶剤、界
面活性剤、キレート剤などを添加してもよい。アルカリ
性水溶液としては、アンモニア水などの無機アルカリ水
溶液、有機アルカリ水溶液などが用いられるが、テトラ
アンモニウムハイドライドの水溶液が好ましい。このテ
トラアンモニウムハイドライドの水溶液は、強アルカリ
であるにもかかわらず、ガラスに対するエッチング力が
低いためである。

【００３９】酸性水溶液は、弗化水素酸、珪弗化水素
酸、硫酸、硝酸、塩酸、スルファミン酸、酢酸、酒石
酸、クエン酸、グルコン酸、マロン酸及びシュウ酸から
選ばれる少なくとも１種の水溶液であることが望まし
い。弗化水素酸及び珪弗化水素酸はエッチング作用を有
する酸である。硫酸、硝酸、塩酸及びスルファミン酸は
強酸であり、鉄系の異物などを溶解する溶解力に優れて
いる。酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、マロン酸
及びシュウ酸は、キレート作用を有し、鉄系の異物など
を溶解する溶解力と再析出防止力に優れている。

【００４０】これらの処理を実施することによって、化
学強化処理によりガラス基板１８表面に付着した鉄系の
異物などを除去することができる。その際、超音波を照
射したり、ブラシスクラブなどの処理を加えることで、
処理効果を向上させることができる。その結果、後述す
るテクスチャー加工において、異物によるガラス基板１
８表面の傷の発生を防止することができる。

【００４１】酸性水溶液は、ガラス基板１８に対するエ
ッチングを最小限に抑制した状態で、酸化セリウムなど
の金属酸化物の分解を促進でき、異物を除去できる点か
ら還元剤を含有していることが望ましい。この還元剤と
しては、過酸化水素酸又はアスコルビン酸が還元力が強
く、それ自身汚染の原因になりにくいため好ましい。

【００４２】上記の酸処理工程１５は中性水溶液処理又
はアルカリ性水溶液処理を行う工程１７の前に行うこと
が好ましい。異物を効率良く除去できるとともに、ガラ
ス基板１８のエッチング量を減じることができるからで
ある。なぜならば、酸化セリウムなどの金属酸化物は、
アルカリ性ではマイナスに帯電し、同じマイナスに帯電
しているガラス基板１８と静電気的に反発するためであ
る。

【００４３】酸処理、中性水溶液処理又はアルカリ性水
溶液処理は、単にガラス基板１８をこれらの水溶液中に
浸漬するだけでも良いが、加温処理、超音波照射処理又
はスクラブ処理を組合せることにより処理効率が向上
し、処理時間を短縮させることができる。

【００４４】前記処理工程の後には、テクスチャー加工
工程１６が行われ、図３に示すように、ガラス基板１８
主表面２０にテクスチャー２１が形成される。このテク
スチャー２１は、ガラス基板１８の円周方向に沿って形
成される（円周テクスチャー）。テクスチャー加工に供
されるガラス基板１８の主表面２０の平均粗さＲａは
０．１〜１．５ｎｍが好ましく、０．１〜１．０ｎｍが
さらに好ましく、０．１〜０．６ｎｍが特に好ましい。
この平均粗さＲａが０．１ｎｍ未満又は１．５ｎｍを越
えると、情報記録媒体用として好適とされる微細なテク
スチャーが形成されにくくなる。

【００４５】テクスチャー加工工程１６が化学強化工程
の前に行われると、化学強化処理によってテクスチャー
２１の形状が変化するおそれがあるため不適当である。
テクスチャー加工工程１６を化学強化工程１４の後に行
うことにより、テクスチャー形状の制御性を向上させ、
かつ線密度が高く、線長さの長いテクスチャー２１を形
成することができる。

【００４６】テクスチャー加工は、ガラス基板１８の主
表面２０にダイヤモンドスラリーを滴下しながらテープ
部材をガラス基板１８の主表面２０に摺接することによ
り行われる。テクスチャー加工を行う装置は特に限定さ
れず、アルミニウム基板のテクスチャー処理などで用い
られる、いわゆるテクスチャーマシンが使用される。そ
の構造の概略を図２に従って説明する。円盤状をなすガ
ラス基板１８の直上位置には、ガラス基板１８の半径方
向に延びるローラ２２が回動自在に支持されている。こ
のローラ２２の長さはガラス基板１８の半径にほぼ等し
くなるように設定されている。

【００４７】テクスチャー形成用のテープ部材２３は、
図２の矢印に示すようにローラ２２の一側方からガラス
基板１８とローラ２２の間を通り、ローラ２２の他側方
へ抜けるように構成されている。このテープ部材２３は
ガラス基板１８とローラ２２の間を通るときにローラ２
２の圧力によりガラス基板１８の主表面２０に押圧され
て摺接されるようになっている。テープ部材２３として
は、織物、不織布、植毛品などをテープ状に形成したも
のが用いられる。

【００４８】そして、ガラス基板１８が図２の矢印方向
に回転され、その上方から研磨用スラリーとしてのダイ
ヤモンドスラリー２４が滴下されるとともに、テープ部
材２３が図２の矢印方向に移動される。このような動作
によってガラス基板１８の主表面２０にテクスチャー２
１が形成される。

【００４９】テクスチャー２１の形成に使用されるテー
プ部材２３の材質は特に制限されず、ポリエチレン繊維
など、この種のテクスチャー形成に使用されるものであ
ればいかなるものも用いることができる。

【００５０】また、ダイヤモンドスラリー２４に含まれ
るダイヤモンド砥粒の粒子径、形状は特に制限されず、
要求されるテクスチャー２１の線密度に応じて適宜選定
することができる。さらに、ダイヤモンド砥粒の結晶性
も制限されず、単結晶のほか、多結晶のものも用いるこ
とができる。加えて、研削力を高めるためにダイヤモン
ドのほかに、酸化セリウムや酸化マンガンなどの砥粒を
添加したり、アルカリ剤を添加したりしてもよい。

【００５１】ダイヤモンド砥粒の粒径は、平均粒径（Ｄ
₅₀）として０．０５〜０．３μｍであることが好まし
く、０．０８〜０．２５μｍであることがより好まし
い。平均粒径が０．０５μｍ未満の場合、テクスチャー
２１を形成する能力が低下し、テクスチャー２１の形成
速度が遅くなってテクスチャー加工コストの増大を招い
て好ましくない。一方、０．３μｍを越える場合、ガラ
ス基板１８の半径方向に小さな尾根を単位長さ当たり多
数形成することができず、テクスチャー２１の線密度を
充分に大きくすることができない。

【００５２】ダイヤモンド砥粒を分散させてスラリーと
するための溶媒も特に制限されず、またダイヤモンド砥
粒の分散性を向上させるために界面活性剤を添加しても
よい。

【００５３】次に、テクスチャー２１の加工条件は、目
的とするテクスチャー２１の形状、密度、長さに応じて
適宜設定される。具体的には、次に示す１）及び２）の
２つの加工条件が挙げられる。

【００５４】１） テープ部材２３の張力 ２２．１
（Ｎ）、テープ部材２３の移動速度７．６（cm/min）、
ローラ２２の押圧力 ３０．９（Ｎ）、ガラス基板１８
の回転速度 ３００（ｒｐｍ）、テープ部材２３の材質
ポリエステル、ダイヤモンド砥粒の平均粒径０．２
（μｍ）及びダイヤモンドスラリー２４の供給量 ２０
（ml/min）。

【００５５】２） 上記１）の加工条件でダイヤモンド
砥粒の平均粒径を０．１（μｍ）に変更したもの。 上記のような条件下にテクスチャー加工を行うことによ
り、ガラス基板１８の円周方向に沿ってライン状のテク
スチャー（表面凹凸）２１が形成される。その際、テク
スチャー２１の形成によって除去されるガラス基板１８
の厚み、すなわち取り代は、平均０．５〜１０ｎｍ（ナ
ノメートル）であり、０．５〜４ｎｍであることが好ま
しい。取り代が平均０．５ｎｍ未満の場合、テクスチャ
ー２１の高さが低いものとなり、磁気の保持力を向上さ
せるために必要なテクスチャー２１を形成することがで
きなくなる。一方、取り代が平均１０ｎｍを越える場
合、ガラス基板１８表面に存在するカリウムイオンの濃
度が高い圧縮応力層の除去量が増大し、ナトリウムやカ
リウムなどの動きやすいアルカリがガラス基板１８表面
から滲出することとなる。しかも、テープ部材２３の表
面状態の微視的なむらや異物の存在などで取り代が部分
的に少なくなった場合、その部位が周辺部に比べて異常
に高い尾根状突起を形成する確率が高くなる。そのた
め、ガラス基板１８の表面に記録された情報（磁気デー
タ）を読み取る読取り装置としての磁気ヘッドのクラッ
シュなどハードディスクドライブの信頼性が低下する。

【００５６】得られるテクスチャー２１は、ＡＦＭ（原
子間力顕微鏡：デジタルインスツルメント社のナノスコ
ープ）で測定されたＲp(最大山高さ）とＲＭＳ（自乗平
均平方根粗さ）との比Ｒp／ＲＭＳが、１５以下である
ことが好ましく、５以下であることがさらに好ましい。
この比が１５を越える場合には、ＨＴＯ（磁気ヘッドの
浮上高さ）が５ｎｍより大きくなってガラス基板表面に
記録された情報（磁気データ）を読み取る読取り装置と
しての磁気ヘッドの浮上安定性が阻害されるため好まし
くない。Ｒp／ＲＭＳが５以下であれば、ＨＴＯを４ｎ
ｍ以下にできるためより好ましい。

【００５７】また、テクスチャー２１は、ＡＦＭで測定
されたＲy（最大谷高さ）が１０ｎｍ以下であることが
望ましい。Ｒyが１０ｎｍを越える場合には、テクスチ
ャー形成後のガラス基板１８表面に磁性層を設けると
き、深い溝の部分で結晶配向が乱れて磁気特性が低下
し、磁気ヘッドが磁気データの信号を読み取りにくくな
るため望ましくない。

【００５８】図５はテクスチャー２１の一部を示す概略
図である。この図に示すように、テクスチャー２１は山
型状に形成され、円周方向に延びる尾根２５には尾根凹
部２６が形成されている。そして、テクスチャー２１の
幅Ｌが１０〜２００ｎｍ、高さ（尾根高さ）Ｈが２〜１
０ｎｍである場合において、平均尾根凹部深さＤが２ｎ
ｍ以下で、平均尾根凹部深さＤに対する高さＨの比Ｈ／
Ｄが１０以上であることが好ましい。平均尾根凹部深さ
Ｄは０．５ｎｍであることがより好ましい。Ｄが２ｎｍ
を越え、比Ｈ／Ｄが１０未満の場合、ＨＴＯが５ｎｍよ
り大きくなって磁気ヘッドの浮上安定性が阻害されるた
め好ましくない。Ｄが０．５ｎｍであることにより、Ｈ
ＴＯを４ｎｍ以下にできるためより好ましい。

【００５９】次に、テクスチャー加工工程１６の後に行
われる中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理工程１
７においては、テクスチャー加工工程１６でガラス基板
１８の表面に残留するダイヤモンドスラリー２４などの
異物が除去される。中性水溶液処理又はアルカリ性水溶
液処理は、帯状の摺接部材で摺りながら行う方法、スク
ラブ部材で摺りながら行う方法、超音波を照射しながら
行う方法並びに中性水溶液及びアルカリ性水溶液の少な
くとも一方をシャワーして行う方法の少なくとも１種の
方法が好適である。

【００６０】これらの方法のうち、帯状の摺接部材で摺
りながら行う方法について説明すると、中性水溶液又は
アルカリ水溶液がガラス基板１８の主表面２０に供給さ
れた状態で摺接部材がガラス基板１８の主表面２０に押
し付けられ、円周方向に摺られることにより行われる。
この場合、界面活性剤、キレート剤、有機溶剤などを添
加してもよい。中性水溶液処理又はアルカリ水溶液処理
は、前述したテクスチャー形成のための装置と同様の装
置を用いて行うことができる。その処理は、例えば次の
ような条件で実施される。

【００６１】摺接部材の張力 ８．８（Ｎ）、摺接部材
の移動速度 ７．６（cm/min）、ローラの押圧力 ８．
８（Ｎ）、ガラス基板の回転速度 ３００（ｒｐｍ）、
摺接部材の材質 ナイロン、中性水溶液処理又はアルカ
リ水溶液の供給量 ２０（ml/min）。

【００６２】中性水溶液又はアルカリ性水溶液として
は、テクスチャー加工工程１６の前の工程で使用したも
のと同様のものが使用できる。この中性水溶液処理又は
アルカリ水溶液処理により、ガラス基板１８の主表面２
０に強く付着した微小な異物は、摺接部材による物理的
な力によって効率良く除去される。また、摺接部材が円
周方向に擦られるため、テクスチャー形状の変化を最小
限に抑制することができる。この工程での処理を中性水
溶液処理又はアルカリ水溶液処理としたのは、酸性水溶
液処理を行うとガラス基板１８の主表面２０に不均一な
エッチングが起こり、テクスチャー形状が大きく変化す
るのに対し、中性水溶液処理又はアルカリ水溶液処理で
あればそのようなテクスチャー形状の変化は生じないか
らである。

【００６３】スクラブ部材で摺りながら行う方法につい
て説明すると、スクラブ部材としてスポンジを用い、ガ
ラス基板１８の円周方向と交差する方向にスクラブ処理
を行うことにより、尾根状に形成された異常突起を効率
的に除去することができる。尾根状の異常突起は、周囲
の平均高さより異常に高いライン状に形成された突起で
あり、このような異常突起が残存していると、ガラス基
板を磁気記録媒体としたとき磁気ヘッドの浮上安定性に
悪影響を及ぼすのである。この異常突起はテクスチャー
加工によって円周方向に形成されているため、円周方向
と交差する方向にスクラブすることによって異常突起を
効率的に除去することができる。

【００６４】スクラブ処理に用いられるスポンジの材質
は特に制限されないが、アスカーＣ硬度４０以上の硬質
スポンジは尾根状の突起を効率良く除去できる点から好
ましい。ここで、アスカーＣ硬度は日本ゴム協会標準規
格ＳＲＩＳＯ１０１に規定されている硬度をいう。スク
ラブ時の圧力やガラス基板の回転数などのスクラブ条件
は特に限定されず、中性水溶液処理又はアルカリ水溶液
処理後の表面状態に応じて適宜設定される。

【００６５】超音波を照射しながら行う方法について説
明すると、超音波処理の条件は特に制限されないが、テ
クスチャーの形状変化を防ぐため、超音波の周波数が３
８ｋＨｚ以上、出力が１Ｗ／ｃｍ²以下、照射時間が２
〜２０分、温度が７０℃以下であることが好ましい。超
音波処理を照射することにより、ガラス表面に残存する
異物など比較的付着力の弱い異物を完全に除去すること
ができる。

【００６６】中性水溶液処理及びアルカリ性水溶液処理
の少なくとも一方をシャワーして行う方法について説明
すると、その条件は特に制限されないが、テクスチャー
２１の形状変化を防ぐため、中性水溶液又はアルカリ水
溶液をガラス基板の円周方向にシャワーすることによっ
て行われる。シャワーの量、圧力などは、ガラス基板表
面に残存する異物の量などに応じて適宜設定される。

【００６７】中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理
は、上記のいずれの方法も単独で又は２以上の方法を適
宜組合せて実施される。そのうち、摺接部材で摺りなが
ら行う方法、スクラブ部材で摺りながら行う方法、超音
波を照射しながら行う方法並びに中性水溶液及びアルカ
リ性水溶液の少なくとも一方をシャワーして行う方法の
順で行うことが好ましい。

【００６８】中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理
工程１７の後には、ガラス基板が乾燥される。乾燥方法
としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による乾
燥法、スピン乾燥法などが挙げられる。

【００６９】前記酸処理工程１５、テクスチャー加工工
程１６及び中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理工
程１７によるガラス基板の総取り代は１０ｎｍ以下であ
ることが望ましい。それにより、ガラス基板１８表面か
らのアルカリの滲出を確実に抑制することができるから
である。

【００７０】さて、ガラス素板は円盤加工工程１１、内
外周端面面取り工程１２及び主表面研磨工程１３を経て
化学強化工程１４に送られる。この工程で、ガラス基板
１８中のリチウムイオン及びナトリウムイオンがそれよ
りイオン半径の大きなカリウムイオン又はナトリウムイ
オンにイオン交換される。

【００７１】その後、テクスチャー加工工程１６が行わ
れる。この工程においては、ガラス基板１８の取り代が
平均０．５〜１０ｎｍに設定され、ガラス基板１８表面
の圧縮応力層が充分に残される。そのため、ガラス基板
１８表面のカリウムイオン濃度が高く維持され、表面状
態が保持される。続いて、ガラス基板１８表面に中性水
溶液処理又はアルカリ性水溶液処理が施され、表面が清
浄化される。

【００７２】以上詳述した本実施形態によれば、次のよ
うな効果が発揮される。 ・ 本実施形態の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
によれば、化学強化処理した後にテクスチャー２１を形
成し、そのテクスチャー２１の形成によって除去される
ガラス基板１８の厚みを平均０．５〜１０ｎｍとした。
このため、ガラス基板１８には圧縮応力層が充分に残存
し、その表面におけるカリウムイオンを高く維持するこ
とができる。従って、ガラス基板１８表面からのアルカ
リの滲出を抑制することができる（この技術分野におい
ては、いわゆる耐候性を保持することができる）。

【００７３】その結果、ガラス基板１８表面に形成され
るテクスチャー２１の形状変化、つまりテクスチャー２
１の最大山高さ、最大谷高さ、表面粗さなどが変化する
のを抑制することができる。

【００７４】・ また、テクスチャー２１の形成後に、
中性水溶液処理及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも
一方の処理を行うことにより、ガラス基板１８に対する
エッチングが抑制される。その状態で、テクスチャー２
１の形状変化を防止しながら中性水溶液処理又はアルカ
リ性水溶液処理を行うことができ、ガラス基板１８の表
面を清浄なものにすることができる。

【００７５】・ 前記中性水溶液処理又はアルカリ性水
溶液処理は、帯状の摺接部材で摺りながら行う方法、ス
クラブ部材で摺りながら行う方法、超音波を照射しなが
ら行う方法並びに中性水溶液処理及びアルカリ性水溶液
処理の少なくとも一方をシャワーして行う方法の少なく
とも１種の方法で行われる。従って、これらの物理的な
処理力により中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理
を効率良く行うことができる。

【００７６】特に、アルカリ性水溶液としてテトラアン
モニウムハイドライドの水溶液を用いることにより、ガ
ラス基板１８に対するエッチングを充分に抑制しながら
中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理を円滑に行う
ことができる。

【００７７】・ テクスチャー２１の形成前に、中性水
溶液処理及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方の
処理を行うことにより、テクスチャー加工工程１６の前
にガラス基板１８表面の微細な異物を除去することがで
きる。従って、テクスチャー加工において、ガラス基板
１８表面に傷が発生するのを抑制することができる。

【００７８】・ 前記中性水溶液処理又はアルカリ性水
溶液処理の前又は後に酸性水溶液処理を行うことによ
り、ガラス基板１８表面に付着した酸化セリウムなどの
研磨剤や鉄系の異物（金属鉄）を容易に除去することが
できる。特に、エッチング力、強酸又はキレート力を有
する酸を使用することにより、研磨剤や鉄系の異物に対
する溶解力と異物の再析出防止力を向上させることがで
き、ガラス基板１８表面の異物除去効果を高めることが
できる。

【００７９】加えて、酸性水溶液が還元剤を含有してい
ることにより、ガラス基板１８に対するエッチングを抑
制しつつ、金属酸化物の分解を促進できて異物の除去能
率を向上させることができる。 （第２実施形態）次に、本発明の第２実施形態について
説明する。なお、本実施形態においては前記第１実施形
態と異なる部分について主に説明し、同一となる部分の
説明を省略する。

【００８０】テクスチャーを形成した後に行われる中性
水溶液処理及びアルカリ性水溶液処理に使用される中性
水溶液及びアルカリ性水溶液に用いられる水は、無機塩
の水溶液を電気分解することにより得られた電解水又は
ガスが溶解されたガス溶解水である。無機塩としては、
一般に塩化ナトリウムなどのアルカリ金属塩が用いられ
る。また、電解水は電気分解に際し陽極側又は陰極側で
得られる水が使用される。

【００８１】電解水又はガス溶解水を用いることによ
り、テクスチャー２１に対して損傷を強めることなく、
ガラス基板１８表面に残存する研磨剤などの粒子状の異
物を除去することができる。これらの電解水又はガス溶
解水は機能水と呼ばれ、これらの機能水は水のクラスタ
ー（水分子の集団のサイズ）が小さいため浸透性が増す
などの理由により、粒子状の異物とガラス基板１８表面
との間の親和力が弱められて粒子状の異物がガラス基板
１８表面から遊離されて除去されやすくなるものと考え
られる。従って、洗浄のために使用する界面活性剤など
の薬剤の使用量を低減させることができる。

【００８２】この場合、超音波を照射することにより、
前記の理由に加えてキャビテーションなるエネルギーの
高い現象が起きて電解水又はガス溶解水に基づくラジカ
ルが多く生成し、電解水又はガス溶解水の機能が一層高
められるので好ましい。

【００８３】前記電解水としてはカソード水が好まし
く、ガス溶解水としては水素ガスが溶解された水素ガス
溶解水が好ましい。カソード水は水の電気分解に際して
陰極側から取り出される水（水素ガスを含む水）であ
る。これらカソード水又は水素ガス溶解水は、前記の理
由に加えてゼータ電位すなわちガラス基板１８表面と中
性水溶液又はアルカリ性水溶液との界面の界面動電位に
よる現象に基づいてガラス基板表面の異物がガラス基板
１８表面から引き離されて分離除去されやすくなるもの
と推定される。

【００８４】よって、本実施形態の情報記録媒体用ガラ
ス基板の製造方法によれば、テクスチャーの形状変化を
抑制しつつ、ガラス基板表面に残存するダイヤモンドな
どの粒子状の異物を容易かつ速やかに除去することがで
きる。

【００８５】

【実施例】以下、前記実施形態を具体化した実施例につ
いて説明する。 （実施例１）ガラス基板として、厚み０．６ｍｍ、外径
６５ｍｍ、内径２０ｍｍの円盤状をなすアルミノシリケ
ートガラス（ＳｉＯ₂ ６３モル％、Ａｌ₂Ｏ₃ １６モ
ル％、Ｎａ₂Ｏ １１モル％、Ｌｉ₂Ｏ ４モル％、Ｍｇ
Ｏ ２モル％、ＣａＯ ４モル％）を使用した。このガ
ラス基板に内外周端面の面取りを施した後、主表面にラ
ップ研磨加工及び平滑研磨加工を施した。平滑研磨は、
酸化セリウムを含有する研磨剤及びアスカーＣ硬度が７
０の研磨パッドを用い、ガラス基板の両面を研磨するこ
とによって行った。

【００８６】その後、ポリビニルアルコールを用いたス
ポンジ洗浄、強アルカリ性の水溶液を用いた超音波洗浄
によってガラス基板表面に付着した研磨粉を除去した
後、純水でリンスした。続いて、ガラス基板をイソプロ
ピルアルコール蒸気中で１分間乾燥させた。

【００８７】次いで、３５０〜４００℃に加熱した硝酸
カリウムと硝酸ナトリウムとの混合溶融塩中にガラス基
板を９０分間浸漬することによって、ガラス基板中のリ
チウムイオンやナトリウムイオンをそれらよりイオン半
径の大きいカリウムイオンに置換する化学強化処理を行
った。その後、ガラス基板を６５℃の温水中に１時間浸
漬し、溶融塩を除去した。

【００８８】次に、テクスチャーマシーン（ＥＤＣ社
製）を使用し、ガラス基板１８を回転させながらダイヤ
モンドスラリーを滴下し、次のような条件でガラス基板
の主表面にテクスチャー加工を行った。そして、取り代
は１ｎｍであった。

【００８９】テープ部材２３の張力：２２．１(Ｎ)、テ
ープ部材２３の速度：７．６(cm/min)、ローラ２２の押
圧力：３０．９(Ｎ)、スピンドルの回転速度：３００
(ｒｐｍ)、テープ部材２３の材質：ポリエステル、ダイ
ヤモンド砥粒の粒子径：０．２（μｍ）、水性スラリー
の供給量：２０(ml/min)。

【００９０】テクスチャー加工後には水酸化カリウム水
溶液（ｐＨ１０）を用い、テープによるアルカリ水溶液
処理を行った。その後、アルカリの滲出を測定した。す
なわち、５０℃で１００時間放置後に発生するアルカリ
の滲出（アルカリ金属塩の結晶の析出）を光学顕微鏡で
測定した。その結果、アルカリの滲出は非常に少なかっ
た。

【００９１】また、テクスチャーの形状を知るために、
テクスチャーの線密度及びアスペリティー（異常突起）
も測定した。その結果、線密度は８０００（本／ｍ
ｍ）、アスペリティーはＲmaxが７．９（ｎｍ）であ
り、良好な結果であった。 （実施例２）テクスチャー加工における取り代を４ｎｍ
とした以外は、実施例１と同様にしてテクスチャー加工
及びアルカリ水溶液処理を行ない、アルカリの滲出を測
定した。その結果、アルカリの滲出は非常に少ないもの
であった。

【００９２】また、テクスチャーの線密度は９５００
（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが８．５（ｎ
ｍ）であり、良好な結果であった。 （実施例３）テクスチャー加工における取り代を７ｎｍ
とした以外は、実施例１と同様にしてテクスチャー加工
及びアルカリ水溶液処理を行ない、アルカリの滲出を測
定した。その結果、アルカリの滲出は少ないものであっ
た。

【００９３】また、テクスチャーの線密度は９５００
（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが９．３（ｎ
ｍ）であり、良好な結果であった。 （実施例４）テクスチャー加工前にフッ酸による酸処理
を行なった以外は、実施例１と同様にしてテクスチャー
加工及びアルカリ水溶液処理を行ない、アルカリの滲出
を測定した。酸処理は、ガラス基板を５０℃のフッ酸中
に２分間浸漬し、ガラス基板の表面を２ｎｍエッチング
することによって行った。その結果、アルカリの滲出は
非常に少ないものであった。

【００９４】また、テクスチャーの線密度は８０００
（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが７．６（ｎ
ｍ）であり、良好な結果であった。 （実施例５）テクスチャー加工前にフッ酸による酸処理
を行なってガラス基板１８の表面を４ｎｍエッチング
し、テクスチャー加工における取り代を３ｎｍとした以
外は、実施例４と同様にして酸処理、テクスチャー加工
及びアルカリ水溶液処理を行ない、アルカリの滲出を測
定した。その結果、アルカリの滲出は少ないものであっ
た。

【００９５】また、テクスチャーの線密度は９３００
（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが８．２（ｎ
ｍ）であり、良好な結果であった。 （比較例１）テクスチャー加工における取り代を１２ｎ
ｍとした以外は、実施例１と同様にしてテクスチャー加
工及びアルカリ水溶液処理を行ない、アルカリの滲出を
測定した。その結果、アルカリの滲出は多いというもの
であった。

【００９６】また、テクスチャーの線密度は９２００
（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが１３．４（ｎ
ｍ）であり、アスペリティーが大きく、不適当な結果で
あった。 （実施例６）アルカリ水溶液処理を純水によるスクラブ
処理に代えた以外は実施例１と同様に処理を行った。ス
クラブ処理は、ガラス基板を５０℃の純水に２分間浸漬
することによって行った。そして、テクスチャーの線密
度及びアスペリティーを測定した。その結果、線密度は
８５００（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが７．
５（ｎｍ）であり、良好であった。 （実施例７）純水によるスクラブ処理をｐＨ１０の水酸
化カリウム水溶液のスクラブ処理に代えた以外は実施例
６と同様に処理を行った。そして、テクスチャー２１の
線密度及びアスペリティーを測定した。その結果、線密
度は８０００（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが
７．９（ｎｍ）であり、良好であった。 （実施例８）純水によるスクラブ処理をｐＨ１０の水酸
化カリウム水溶液のシャワー処理に代えた以外は実施例
６と同様に処理を行った。そして、テクスチャー２１の
線密度及びアスペリティーを測定した。その結果、線密
度は８３００（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが
８．３（ｎｍ）であり、良好であった。 （実施例９）純水によるスクラブ処理をｐＨ１０の水酸
化カリウム水溶液の超音波処理に代えた以外は実施例６
と同様に処理を行った。そして、テクスチャー２１の線
密度及びアスペリティーを測定した。その結果、線密度
は７９００（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが
７．６（ｎｍ）であり、良好であった。 （実施例１０）水酸化カリウム水溶液の超音波処理をｐ
Ｈ１０のテトラメチルアンモニウムハイドライド水溶液
処理に代えた以外は実施例９と同様に処理を行った。そ
して、テクスチャー２１の線密度及びアスペリティーを
測定した。その結果、線密度は８３００（本／ｍｍ）、
アスペリティーはＲmaxが７．６（ｎｍ）であり、良好
であった。 （実施例１１）テクスチャー加工前に硫酸による酸処理
を行った以外は実施例１と同様に処理を行った。酸処理
は、ガラス基板１８を５０℃の硫酸中に２分間浸漬する
ことによって行った。そして、アスペリティーを測定し
た。その結果、アスペリティーはＲmaxが６．４（ｎ
ｍ）であり、良好であった。 （実施例１２）テクスチャー加工前にシュウ酸による酸
処理を行った以外は実施例１と同様に処理を行った。酸
処理は、ガラス基板１８を５０℃の硫酸中に２分間浸漬
することによって行った。そして、アスペリティーを測
定した。その結果、アスペリティーはＲmaxが６．７
（ｎｍ）であり、良好であった。 （実施例１３）テクスチャー加工前に硫酸による酸処
理、その後水酸化カリウム水溶液によるアルカリ処理を
行った以外は実施例１と同様に処理を行った。酸処理は
ガラス基板１８を５０℃の硫酸中に２分間浸漬すること
によって行ない、アルカリ処理はｐＨ１０の水酸化カリ
ウムを用いたテープ処理によって行った。そして、アス
ペリティーを測定した。その結果、アスペリティーはＲ
maxが５．７（ｎｍ）であり、非常に良好であった。 （実施例１４）テクスチャー加工前に硫酸に還元剤とし
てアスコルビン酸を添加した以外は実施例１３と同様に
処理を行った。そして、アスペリティーを測定した。そ
の結果、アスペリティーはＲmaxが４．９（ｎｍ）であ
り、非常に良好であった。 （実施例１５）前記実施例９において、テトラアンモニ
ウムハイドライド水溶液の超音波処理を、水素ガスを
１．５ｐｐｍ溶解した純水（ｐＨ７）の処理に代えた以
外は実施例１０と同様に処理を行った。そして、テクス
チャー２１の線密度及びアスペリティーを測定した。そ
の結果、線密度は８３００（本／ｍｍ）、アスペリティ
ーはＲmaxが６．７（ｎｍ）であり、良好であった。 （実施例１６）前記実施例９において、水酸化カリウム
水溶液の超音波処理を、水素ガスを１．５ｐｐｍ溶解し
た純水（ｐＨ１０）の処理に代えた以外は実施例９と同
様に処理を行った。そして、テクスチャー２１の線密度
及びアスペリティーを測定した。その結果、線密度は７
９００（本／ｍｍ）、アスペリティーはＲmaxが６．３
（ｎｍ）であり、良好であった。

【００９７】なお、前記実施形態又は実施例を次のよう
に変更して構成してもよい。 ・ テクスチャーを形成する前に、中性水溶液処理又は
アルカリ性水溶液処理行うこともできる。このように構
成した場合には、テクスチャー加工前にガラス基板表面
の異物を除去でき、テクスチャー加工における傷の発生
を抑制することができる。

【００９８】・ テクスチャーを形成した後で、中性水
溶液処理又はアルカリ性水溶液処理行う前に酸性水溶液
処理を行ってもよい。このように構成した場合、研磨剤
や鉄系の異物の除去効果を高めることができる。

【００９９】・ 中性水溶液処理及びアルカリ性水溶液
処理の双方の処理を組合せて行ってもよい。このように
構成した場合、テクスチャーの形状変化を抑制しながら
処理効率を向上させることができる。

【０１００】・ 第２実施形態において、ガス溶解水と
して純水を脱気した後、酸素ガスやオゾンガスを溶解し
た水などを用いることもできる。 ・ 第２実施形態において、電解水として水の電気分解
で陽極側から取り出されるアノード水を用いることも可
能である。

【０１０１】次に、前記実施形態から把握できる技術的
思想について以下に記載する。 ・ 前記テクスチャーの形成によって除去されるガラス
基板の厚みが平均０．５〜４ｎｍである請求項１に記載
の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。この製造方法
によれば、請求項１に記載の発明の効果を向上させるこ
とができる。

【０１０２】・ 前記酸性水溶液処理、中性水溶液処理
及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方の処理並び
にテクスチャーの形成によって除去されるガラス基板の
厚みが１０ｎｍ以下である請求項７から請求項１０のい
ずれか一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方
法。この製造方法によれば、請求項７から請求項１０の
いずれか一項に記載の発明の効果に加え、ガラス基板表
面からのアルカリの滲出を確実に抑制することができ
る。

【０１０３】・ 前記還元剤は、過酸化水素酸又はアス
コルビン酸である請求項１０に記載の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法。この製造方法によれば、請求項１
０に記載の発明の効果に加え、還元剤による汚染を防止
しつつ、還元力を向上させることができる。

【０１０４】・ 前記中性水溶液処理及びアルカリ性水
溶液処理の少なくとも一方の処理の前に酸性水溶液処理
を行う請求項８に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製
造方法。この製造方法によれば、請求項８に記載の発明
の効果に加え、ガラス基板表面の異物を効率的に除去で
きるとともに、ガラス基板のエッチング量を減じること
ができる。

【０１０５】・ 前記酸性水溶液処理を行なった後にテ
クスチャーを形成し、その後に中性水溶液処理及びアル
カリ性水溶液処理の少なくとも一方の処理を行うことを
特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか一項に記
載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。このように
構成した場合、ガラス基板の表面をより効果的に清浄化
することができる。

【０１０６】・ 前記化学強化処理後のガラス基板の主
表面の平均粗さＲａは０．１〜１．５ｎｍであることを
特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記
載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。この製造方
法によれば、請求項１から請求項８のいずれか一項に記
載の発明の効果に加え、情報記録媒体用として好適なテ
クスチャーを形成することができる。

【０１０７】・ 円盤状に形成されたガラス基板を化学
強化塩の加熱溶融液中に浸漬してガラス基板中の一部の
イオンをそれよりイオン半径の大きなイオンに交換して
化学強化処理した後、ガラス基板の主表面に研磨用スラ
リーを供給しながらテープ部材を円周方向に摺接させて
ライン状のテクスチャーを形成し、該テクスチャーは、
ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定されたＲp(最大山高
さ)とＲＭＳ（自乗平均平方根粗さ）との比Ｒp／ＲＭＳ
が１５以下のものである情報記録媒体用ガラス基板。こ
のように構成した場合、磁気ヘッドの浮上高さを低くで
き、磁気ヘッドの浮上安定性を向上させることができ
る。

【０１０８】

【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ため、次のような効果を奏する。請求項１に記載の発明
の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によれば、ガラ
ス基板からのアルカリの滲出を抑制することができると
ともに、ガラス基板表面に形成されるテクスチャーの形
状変化を抑制することができる。

【０１０９】請求項２に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項１に記載の発明の
効果に加え、テクスチャーの形状変化を抑制しながら中
性水溶液処理又はアルカリ性水溶液処理を行うことがで
きる。

【０１１０】請求項３に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項１又は請求項２に
記載の発明の効果に加え、物理的な処理力により中性水
溶液処理又はアルカリ性水溶液処理を行うことができ
る。

【０１１１】請求項４に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項２又は請求項３に
記載の発明の効果に加え、ガラス基板に対するエッチン
グを抑制しながら中性水溶液処理又はアルカリ性水溶液
処理を行うことができる。

【０１１２】請求項５に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項２から請求項４の
いずれか一項に記載の発明の効果に加え、テクスチャー
の形状変化を抑制しつつ、ガラス基板表面に残存する研
磨剤などの粒子状の異物を容易に除去することができ
る。

【０１１３】請求項６に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項５に記載の発明の
効果を向上させることができる。請求項７に記載の発明
の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によれば、請求
項１から請求項６のいずれか一項に記載の発明の効果に
加え、テクスチャー加工前にガラス基板表面の異物を除
去でき、テクスチャー加工における傷の発生を抑制する
ことができる。

【０１１４】請求項８に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項７に記載の発明の
効果に加え、研磨剤や鉄系の異物を容易に除去すること
ができる。

【０１１５】請求項９に記載の発明の情報記録媒体用ガ
ラス基板の製造方法によれば、請求項８に記載の発明の
効果に加え、エッチング、強酸又はキレートによる溶解
力と異物の再析出防止力を向上させることができ、ガラ
ス基板表面の異物除去効果を高めることができる。

【０１１６】請求項１０に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板の製造方法によれば、請求項８又は請求項９
に記載の発明の効果に加え、ガラス基板に対するエッチ
ングを抑制しつつ、金属酸化物の分解を促進できて異物
の除去能率を向上させることができる。

【０１１７】請求項１１に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板によれば、請求項１から請求項１０のいずれ
か一項に記載の発明の効果に加え、ガラス基板表面の情
報を読み取る読取り装置の浮上高さを低くでき、読取り
装置の浮上安定性を向上させることができる。

【０１１８】請求項１２に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板によれば、請求項１１に記載の発明の効果に
加え、テクスチャー形成後のガラス基板表面に磁性層を
設けるとき、読取り装置が信号を読み取りにくくなるの
を抑制することができる。

【０１１９】請求項１３に記載の発明の情報記録媒体用
ガラス基板によれば、請求項１１又は請求項１２に記載
の発明の効果に加え、読取り装置の浮上高さをより低く
でき、読取り装置の浮上安定性をさらに向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１実施形態の情報記録媒体用ガラス基板の
製造工程を示す工程図。

【図２】 ガラス基板の主表面にテクスチャーを形成す
る装置の斜視図。

【図３】 テクスチャー形成後のガラス基板の主表面を
示す平面図。

【図４】 ガラス基板の深さと組成との関係を示すグラ
フ。

【図５】 円周状に形成されたテクスチャーを示す概略
図。

【符号の説明】

１４…化学強化工程、１５…酸処理工程、１６…テクス
チャー加工工程、１７…中性水溶液処理又はアルカリ水
溶液処理工程、１８…ガラス基板、２０…ガラス基板の
主表面、２１…テクスチャー、２３…テープ部材、２４
…研磨用スラリーとしてのダイヤモンドスラリー。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅山 竜郎 大阪府大阪市中央区北浜四丁目７番28号 日本板硝子 株式会社内 (72)発明者 奥畑 浩治 大阪府大阪市中央区北浜四丁目７番28号 日本板硝子 株式会社内 (72)発明者 橋本 敏昭 大阪府大阪市中央区北浜四丁目７番28号 日本板硝子 株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AB01 AB03 AB09 AB11 AC03 AC24 BB12 5D006 CB04 CB07 DA03 FA02 5D112 AA02 AA24 BA03 BA09 GA02 GA09 GA28 GA30

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円盤状に形成されたガラス基板を化学強
   化塩の加熱溶融液中に浸漬してガラス基板中の一部のイ
   オンをそれよりイオン半径の大きなイオンに交換して化
   学強化処理した後、ガラス基板の主表面に研磨用スラリ
   ーを供給しながらテープ部材を円周方向に摺接させてラ
   イン状のテクスチャーを形成する情報記録媒体用ガラス
   基板の製造方法であって、 前記テクスチャーの形成によって除去されるガラス基板
   の厚みが平均０．５〜１０ｎｍであることを特徴とする
   情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記テクスチャーを形成した後、中性水
   溶液処理及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方の
   処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の情報記録
   媒体用ガラス基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記中性水溶液処理及びアルカリ性水溶
   液処理の少なくとも一方の処理は、帯状の摺接部材で摺
   りながら行う方法、スクラブ部材で摺りながら行う方
   法、超音波を照射しながら行う方法並びに中性水溶液処
   理及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方をシャワ
   ーして行う方法の少なくとも１種の方法で行われるもの
   であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
   情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記アルカリ性水溶液は、テトラアンモ
   ニウムハイドライドの水溶液である請求項２又は請求項
   ３に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記中性水溶液及びアルカリ性水溶液に
   用いられる水は、無機塩の水溶液を電気分解することに
   より得られた電解水又はガスが溶解されたガス溶解水で
   ある請求項２から請求項４のいずれか一項に記載の情報
   記録媒体用ガラス基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記電解水は電気分解の陰極側から取り
   出されるカソード水であり、ガス溶解水は水素ガスが溶
   解された水素ガス溶解水である請求項５に記載の情報記
   録媒体用ガラス基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記テクスチャーを形成する前に、中性
   水溶液処理及びアルカリ性水溶液処理の少なくとも一方
   の処理を行うことを特徴とする請求項１から請求項６の
   いずれか一項に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記中性水溶液処理及びアルカリ性水溶
   液処理の少なくとも一方の処理の前又は後に酸性水溶液
   処理を行うことを特徴とする請求項７に記載の情報記録
   媒体用ガラス基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記酸性水溶液は、弗化水素酸、珪弗化
   水素酸、硫酸、硝酸、塩酸、スルファミン酸、酢酸、酒
   石酸、クエン酸、グルコン酸、マロン酸及びシュウ酸か
   ら選ばれる少なくとも１種の水溶液であることを特徴と
   する請求項８に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造
   方法。
10. 【請求項１０】 前記酸性水溶液は、還元剤を含有して
    いることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の情
    報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記テクスチャーは、ＡＦＭ（原子間
    力顕微鏡）で測定されたＲp(最大山高さ)とＲＭＳ（自
    乗平均平方根粗さ）との比Ｒp／ＲＭＳが１５以下のも
    のである請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載
    の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法により製造され
    る情報記録媒体用ガラス基板。
12. 【請求項１２】 前記テクスチャーは、ＡＦＭ（原子間
    力顕微鏡）で測定されたＲｙ（最大谷高さ）が１０ｎｍ
    以下である請求項１１に記載の情報記録媒体用ガラス基
    板。
13. 【請求項１３】 前記テクスチャーの幅Ｌが１０〜２０
    ０ｎｍ、尾根高さＨが２〜１０ｎｍ、及び平均尾根凹部
    深さＤが２ｎｍ以下で、かつ平均尾根凹部深さＤに対す
    る高さＨの比Ｈ／Ｄが１０以上である請求項１１又は請
    求項１２に記載の情報記録媒体用ガラス基板。