JP2000262991A - 多成分系ガラス基板の洗浄方法 - Google Patents
多成分系ガラス基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JP2000262991A JP2000262991A JP11070148A JP7014899A JP2000262991A JP 2000262991 A JP2000262991 A JP 2000262991A JP 11070148 A JP11070148 A JP 11070148A JP 7014899 A JP7014899 A JP 7014899A JP 2000262991 A JP2000262991 A JP 2000262991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- cleaning
- solution
- fluorine
- component glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0075—Cleaning of glass
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ディスク用ガラス基板および液晶用ガラ
ス基板等に用いられるガラス基板表面に潜傷の発生がな
く、かつ残留異物のない高い清浄度が得られる多成分系
ガラス基板の洗浄方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 多成分系ガラス基板の洗浄方法におい
て、前記多成分系ガラス基板を、ｐＨが３以上７以下の
フッ素系溶液で処理する工程を含む多成分系ガラス基板
の洗浄方法である。
ス基板等に用いられるガラス基板表面に潜傷の発生がな
く、かつ残留異物のない高い清浄度が得られる多成分系
ガラス基板の洗浄方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 多成分系ガラス基板の洗浄方法におい
て、前記多成分系ガラス基板を、ｐＨが３以上７以下の
フッ素系溶液で処理する工程を含む多成分系ガラス基板
の洗浄方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い清浄度を必要
とする磁気ディスク用ガラス基板や液晶用ガラス基板等
に好適な多成分系ガラス基板の洗浄方法に関する。
とする磁気ディスク用ガラス基板や液晶用ガラス基板等
に好適な多成分系ガラス基板の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク用ガラス基板、液晶用ガラ
ス基板等に用いられる多成分系ガラス基板の応用分野で
は、ガラス基板は、通常高い平坦性を確保するため、ガ
ラス基板成形後に酸化セリウム等の研磨剤で研磨され
る。
ス基板等に用いられる多成分系ガラス基板の応用分野で
は、ガラス基板は、通常高い平坦性を確保するため、ガ
ラス基板成形後に酸化セリウム等の研磨剤で研磨され
る。
【０００３】しかし、前記ガラス基板を研磨剤で研磨す
ると、その表面に研磨剤が強固に付着した状態で残留
し、後工程でピンホールの形成等の問題が発生すること
があった。このように付着残留する研磨剤は、多くの場
合、水や中性洗剤では容易に除去することができないた
め、フッ化水素酸のようなエッチング作用のある薬液を
用いて基板の洗浄が行われてきた（特開昭５０−４５４
６５号公報）。
ると、その表面に研磨剤が強固に付着した状態で残留
し、後工程でピンホールの形成等の問題が発生すること
があった。このように付着残留する研磨剤は、多くの場
合、水や中性洗剤では容易に除去することができないた
め、フッ化水素酸のようなエッチング作用のある薬液を
用いて基板の洗浄が行われてきた（特開昭５０−４５４
６５号公報）。
【０００４】また、フッ化水素酸で除去できなかった汚
れ粒子を除去するためにフッ化水素酸で洗浄した後に、
さらにアルカリを含む洗浄剤で洗浄することもあった。
れ粒子を除去するためにフッ化水素酸で洗浄した後に、
さらにアルカリを含む洗浄剤で洗浄することもあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
５０−４５４６５号公報に記載されたフッ化水素酸を洗
浄に用いた場合、フッ化水素酸中では、ガラス基板は負
に帯電する性質を持つのに対し、研磨剤をはじめとする
多くの汚れ粒子は、正に帯電する性質を持つため、両者
に静電気的引力が働く。そのため、一旦除去した研磨剤
等の汚れがガラス基板に再付着して高い清浄度が得られ
ないという問題があった。
５０−４５４６５号公報に記載されたフッ化水素酸を洗
浄に用いた場合、フッ化水素酸中では、ガラス基板は負
に帯電する性質を持つのに対し、研磨剤をはじめとする
多くの汚れ粒子は、正に帯電する性質を持つため、両者
に静電気的引力が働く。そのため、一旦除去した研磨剤
等の汚れがガラス基板に再付着して高い清浄度が得られ
ないという問題があった。
【０００６】また、フッ化水素酸で処理した後に、さら
にアルカリを含む洗浄剤中で処理する場合においては、
アルカリ中では汚れ粒子とガラスの間に静電気的反発力
が働くので、汚れ粒子が基板に再付着する問題は解決さ
れるが、潜傷（研磨工程を経た基板ガラス表面に潜在す
る研磨傷がガラス表面のエッチングにより顕在化した
傷）が発生しやすくなるという問題が新たに生じた。
にアルカリを含む洗浄剤中で処理する場合においては、
アルカリ中では汚れ粒子とガラスの間に静電気的反発力
が働くので、汚れ粒子が基板に再付着する問題は解決さ
れるが、潜傷（研磨工程を経た基板ガラス表面に潜在す
る研磨傷がガラス表面のエッチングにより顕在化した
傷）が発生しやすくなるという問題が新たに生じた。
【０００７】アルカリで洗浄した場合に、上記のように
潜傷が発生しやすくなるのは、以下の理由からである。
潜傷が発生しやすくなるのは、以下の理由からである。
【０００８】すなわち、多成分から形成されるガラスを
酸性水溶液中で処理する場合は、ガラスの各成分毎の溶
解は一様ではなく、酸に弱い成分が優先的に溶解する。
その結果、酸を含む洗浄剤で処理した後にガラス基板表
面近傍に、酸に強い部分からなる多孔質な層（リーチン
グ層）が形成されるために平滑性が悪くなったり、また
は潜傷が発生しやすくなったりする。
酸性水溶液中で処理する場合は、ガラスの各成分毎の溶
解は一様ではなく、酸に弱い成分が優先的に溶解する。
その結果、酸を含む洗浄剤で処理した後にガラス基板表
面近傍に、酸に強い部分からなる多孔質な層（リーチン
グ層）が形成されるために平滑性が悪くなったり、また
は潜傷が発生しやすくなったりする。
【０００９】また、この潜傷がついたガラス基板に磁性
膜や導電膜を積層した場合、この潜傷発生部ではディス
クの読み書きができず、エラーが発生したり、電圧がか
からず、文字エラー等が発生するという問題が生じた。
膜や導電膜を積層した場合、この潜傷発生部ではディス
クの読み書きができず、エラーが発生したり、電圧がか
からず、文字エラー等が発生するという問題が生じた。
【００１０】さらに、磁気ディスク基板に於いては、記
録密度の向上を目指し、基板とヘッドとの距離がさらに
近づく傾向にあり、基板表面に異物が付着したり、ある
いは基板表面の平滑性が悪くなったりすると、読み書き
時にヘッドが異物および／または基板の凸部と衝突し、
ヘッドクラッシュの原因となる。このため基板表面の清
浄度や平滑さがさらに要求されるようになった。
録密度の向上を目指し、基板とヘッドとの距離がさらに
近づく傾向にあり、基板表面に異物が付着したり、ある
いは基板表面の平滑性が悪くなったりすると、読み書き
時にヘッドが異物および／または基板の凸部と衝突し、
ヘッドクラッシュの原因となる。このため基板表面の清
浄度や平滑さがさらに要求されるようになった。
【００１１】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
ためになされたものであり、磁気ディスク用ガラス基板
および液晶用ガラス基板等に用いられるガラス基板表面
に潜傷の発生がなく、かつ残留異物のない高い清浄度が
得られる多成分系ガラス基板の洗浄方法を提供すること
を目的とする。
ためになされたものであり、磁気ディスク用ガラス基板
および液晶用ガラス基板等に用いられるガラス基板表面
に潜傷の発生がなく、かつ残留異物のない高い清浄度が
得られる多成分系ガラス基板の洗浄方法を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、多成分系ガラ
ス基板の洗浄方法において、前記多成分系ガラス基板
を、ｐＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理する工程
を含む多成分系ガラス基板の洗浄方法である。
ス基板の洗浄方法において、前記多成分系ガラス基板
を、ｐＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理する工程
を含む多成分系ガラス基板の洗浄方法である。
【００１３】また多成分系ガラス基板の洗浄方法におい
て、ｐＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理する工
程、およびその後にアルカリを含む洗浄剤で処理する工
程を、少なくとも１回含む多成分系ガラス基板の洗浄方
法である。
て、ｐＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理する工
程、およびその後にアルカリを含む洗浄剤で処理する工
程を、少なくとも１回含む多成分系ガラス基板の洗浄方
法である。
【００１４】さらに前記多成分系ガラス基板を予めアル
カリを含む洗浄剤で処理する工程を含む多成分系ガラス
基板の洗浄方法であることが好ましい。
カリを含む洗浄剤で処理する工程を含む多成分系ガラス
基板の洗浄方法であることが好ましい。
【００１５】またさらに前記フッ素系溶液として、フッ
化水素酸溶液にｐＨ調整剤を添加した混合溶液を用いる
多成分系ガラス基板の洗浄方法であることが好ましい。
化水素酸溶液にｐＨ調整剤を添加した混合溶液を用いる
多成分系ガラス基板の洗浄方法であることが好ましい。
【００１６】また前記フッ素系溶液として、フッ化水素
アンモニウム溶液および／または、珪フッ化水素酸溶液
を用いる多成分系ガラス基板の洗浄方法であることが好
ましい。
アンモニウム溶液および／または、珪フッ化水素酸溶液
を用いる多成分系ガラス基板の洗浄方法であることが好
ましい。
【００１７】さらに前記ｐＨ調整剤がフッ化物である多
成分系ガラス基板の洗浄方法であることが好ましい。
成分系ガラス基板の洗浄方法であることが好ましい。
【００１８】またさらに前記フッ化物をフッ化ナトリウ
ム、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、ホウフッ化
アンモニウム、または珪フッ化アンモニウムのうち少な
くとも１種とする多成分系ガラス基板の洗浄方法である
ことが好ましい。
ム、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、ホウフッ化
アンモニウム、または珪フッ化アンモニウムのうち少な
くとも１種とする多成分系ガラス基板の洗浄方法である
ことが好ましい。
【００１９】また前記洗浄剤中のアルカリが、苛性ソ−
ダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
アンモニア、またはテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイドのうち少なくとも１種である多成分系ガラス
基板の洗浄方法であることが好ましい。
ダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
アンモニア、またはテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイドのうち少なくとも１種である多成分系ガラス
基板の洗浄方法であることが好ましい。
【００２０】さらに前記洗浄剤がアルカリ以外に、界面
活性剤および／またはキレ−ト剤を含む多成分系ガラス
基板の洗浄方法であることが好ましい。
活性剤および／またはキレ−ト剤を含む多成分系ガラス
基板の洗浄方法であることが好ましい。
【００２１】上記構成のうち第１の特徴的な点は、ガラ
ス洗浄時、ｐＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理す
る点である。この溶液を用いることで耐酸性の低い部分
の選択溶解を抑制するのである。
ス洗浄時、ｐＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理す
る点である。この溶液を用いることで耐酸性の低い部分
の選択溶解を抑制するのである。
【００２２】また第２の特徴的な点は、ｐＨが３以上７
以下のフッ素系溶液で処理する工程、およびその後にア
ルカリを含む洗浄剤で処理する工程を、少なくとも１回
含む点である。これにより、基板表面の高い清浄度を得
ると同時に、かつ耐酸性の低い部分の選択溶解を抑制す
ることで基板の平滑性を保つことができる。
以下のフッ素系溶液で処理する工程、およびその後にア
ルカリを含む洗浄剤で処理する工程を、少なくとも１回
含む点である。これにより、基板表面の高い清浄度を得
ると同時に、かつ耐酸性の低い部分の選択溶解を抑制す
ることで基板の平滑性を保つことができる。
【００２３】すなわち、多成分で形成されるガラスで
は、酸に弱い成分としてはアルカリ金属酸化物、アルカ
リ土類金属酸化物、アルミニウム酸化物等が相当し、酸
に強い成分にはシリカ酸化物、チタニア酸化物、ジルコ
ニア酸化物等が相当するが、ｐＨが３以上７以下のフッ
素系溶液を含む洗浄剤で処理すれば、酸に弱い成分の選
択溶解を抑制し、アルカリを含む洗浄剤で洗浄する際の
潜傷の発生を抑制することができる。
は、酸に弱い成分としてはアルカリ金属酸化物、アルカ
リ土類金属酸化物、アルミニウム酸化物等が相当し、酸
に強い成分にはシリカ酸化物、チタニア酸化物、ジルコ
ニア酸化物等が相当するが、ｐＨが３以上７以下のフッ
素系溶液を含む洗浄剤で処理すれば、酸に弱い成分の選
択溶解を抑制し、アルカリを含む洗浄剤で洗浄する際の
潜傷の発生を抑制することができる。
【００２４】フッ素系溶液は、フッ化水素酸溶液にｐＨ
調整剤を添加してｐＨを３以上７以下に調整したものが
好ましい。フッ化水素酸溶液に添加して緩衝効果を出す
という観点からは、このｐＨ調整剤は、フッ化物で具体
的には、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ア
ンモニウム、ホウフッ化アンモニウム、または珪フッ化
アンモニウムのうちから少なくとも１種選ばれるのが好
ましい。
調整剤を添加してｐＨを３以上７以下に調整したものが
好ましい。フッ化水素酸溶液に添加して緩衝効果を出す
という観点からは、このｐＨ調整剤は、フッ化物で具体
的には、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ア
ンモニウム、ホウフッ化アンモニウム、または珪フッ化
アンモニウムのうちから少なくとも１種選ばれるのが好
ましい。
【００２５】前記フッ素系溶液としては、フッ化水素ア
ンモニウム溶液および／または、珪フッ化水素酸溶液を
用いるのが、ガラスのエッチングの点から好ましい。
ンモニウム溶液および／または、珪フッ化水素酸溶液を
用いるのが、ガラスのエッチングの点から好ましい。
【００２６】フッ素系溶液中にｐＨ調整剤をある濃度以
上加えると、溶液はｐＨ７の実質上中性になるので、選
択溶解を抑制させるためのフッ素系溶液ｐＨとして好ま
しいｐＨは、３以上７以下である。フッ素系溶液のｐＨ
を３以上に限定するのは、ｐＨが３未満であると実質上
ｐＨ調整剤が機能せず、耐酸性の低い成分の選択溶解が
容易に起こり、潜傷が発生しやすくなるためである。
上加えると、溶液はｐＨ７の実質上中性になるので、選
択溶解を抑制させるためのフッ素系溶液ｐＨとして好ま
しいｐＨは、３以上７以下である。フッ素系溶液のｐＨ
を３以上に限定するのは、ｐＨが３未満であると実質上
ｐＨ調整剤が機能せず、耐酸性の低い成分の選択溶解が
容易に起こり、潜傷が発生しやすくなるためである。
【００２７】アルカリ性の洗剤は、通常はアルカリ成
分、界面活性剤、およびキレート剤を主成分とする水溶
液が用いられ、例えば市販されているアルカリ洗剤の中
から選ぶことができる。
分、界面活性剤、およびキレート剤を主成分とする水溶
液が用いられ、例えば市販されているアルカリ洗剤の中
から選ぶことができる。
【００２８】アルカリ成分としては、例えばテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド（以下ＴＭＡＨと表
記する）、苛性ソーダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、アンモニア等があるが、いずれを用
いる場合においても、より高いｐＨで使用するほど静電
気的反発力が大きくなるので、良好な清浄度を得るため
には潜傷が起こらない範囲でより高いｐＨにして使用す
るのが好ましい。
ルアンモニウムハイドロオキサイド（以下ＴＭＡＨと表
記する）、苛性ソーダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、アンモニア等があるが、いずれを用
いる場合においても、より高いｐＨで使用するほど静電
気的反発力が大きくなるので、良好な清浄度を得るため
には潜傷が起こらない範囲でより高いｐＨにして使用す
るのが好ましい。
【００２９】アルカリ成分の中でもＴＭＡＨはアンモニ
ウムイオンの水素部分をかさ高いメチル基で置換した構
造をとっており、アルカリ成分がガラス基板にアタック
する際の立体障害因子が大きく、基板に与えるダメージ
がより小さい。
ウムイオンの水素部分をかさ高いメチル基で置換した構
造をとっており、アルカリ成分がガラス基板にアタック
する際の立体障害因子が大きく、基板に与えるダメージ
がより小さい。
【００３０】このことからＴＭＡＨを用いるとより高い
ｐＨで使用することができ、ＴＭＡＨ以外のアルカリ成
分を使用する場合に比べてさらに良好な清浄度を得るこ
とができる。したがって、アルカリ成分としてＴＭＡＨ
を用いることがさらに好ましい。
ｐＨで使用することができ、ＴＭＡＨ以外のアルカリ成
分を使用する場合に比べてさらに良好な清浄度を得るこ
とができる。したがって、アルカリ成分としてＴＭＡＨ
を用いることがさらに好ましい。
【００３１】界面活性剤は特に限定されないが、例えば
ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチ
レン誘導体のような非イオン界面活性剤、ラウリルトリ
メチルアンモニウムクロライドのような第４級アンモニ
ウム塩；硬化牛脂アミンのような高級アミンハロゲン酸
塩；塩化ドデシルピリジニウムのようなハロゲン化アル
キルピリジウム等の陽イオン界面活性剤、アルキル硫酸
エステルナトリウム、脂肪酸ナトリウム、アルキルアリ
ールスルホン酸塩等の陰イオン界面活性剤、ラウリルア
ミノプロピオン酸ナトリウムのようなアミノ酸塩等の両
性界面活性剤が用いられる。
ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチ
レン誘導体のような非イオン界面活性剤、ラウリルトリ
メチルアンモニウムクロライドのような第４級アンモニ
ウム塩；硬化牛脂アミンのような高級アミンハロゲン酸
塩；塩化ドデシルピリジニウムのようなハロゲン化アル
キルピリジウム等の陽イオン界面活性剤、アルキル硫酸
エステルナトリウム、脂肪酸ナトリウム、アルキルアリ
ールスルホン酸塩等の陰イオン界面活性剤、ラウリルア
ミノプロピオン酸ナトリウムのようなアミノ酸塩等の両
性界面活性剤が用いられる。
【００３２】キレート剤としては特に限定しないが、例
えばジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセ
チルアセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニ
トリロ三酢酸等が用いられる。
えばジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセ
チルアセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニ
トリロ三酢酸等が用いられる。
【００３３】アルカリ性の洗剤の界面活性剤濃度やキレ
ート剤濃度は特に限定しないが、例えば界面活性剤０ｗ
ｔ％〜１ｗｔ％、キレート剤０ｗｔ％〜１ｗｔ％で用い
られる。
ート剤濃度は特に限定しないが、例えば界面活性剤０ｗ
ｔ％〜１ｗｔ％、キレート剤０ｗｔ％〜１ｗｔ％で用い
られる。
【００３４】また、多成分系ガラスとしては、ソーダ石
灰ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラ
ス、アルミノホウ珪酸ガラス等があげられ、特に限定さ
れないが、磁気ディスク用ガラス基板としては耐候性の
面およびコストの面からはアルミノシリケ−ト系ガラス
であることが好ましく、アルミノシリケートガラスの組
成としてはモル分率で示して、 ＳｉＯ2 ６３〜７０ｍｏｌ％ Ａｌ2Ｏ3 ６〜１２．５ｍｏｌ％ Ｌｉ2Ｏ ５〜１１ｍｏｌ％ Ｎａ2Ｏ ６〜１４ｍｏｌ％ Ｋ2Ｏ ０〜２ｍｏｌ％ ＴｉＯ2 ０〜５ｍｏｌ％ ＺｒＯ2 ０〜２．５ｍｏｌ％ ＲＯ ２〜１２ｍｏｌ％ ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯで ＭｇＯ ０〜４．５ｍｏｌ％ ＣａＯ ２〜７．５ｍｏｌ％ ＳｒＯ ０〜３ｍｏｌ％ ＢａＯ ０〜２ｍｏｌ％ であることが好ましい。
灰ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラ
ス、アルミノホウ珪酸ガラス等があげられ、特に限定さ
れないが、磁気ディスク用ガラス基板としては耐候性の
面およびコストの面からはアルミノシリケ−ト系ガラス
であることが好ましく、アルミノシリケートガラスの組
成としてはモル分率で示して、 ＳｉＯ2 ６３〜７０ｍｏｌ％ Ａｌ2Ｏ3 ６〜１２．５ｍｏｌ％ Ｌｉ2Ｏ ５〜１１ｍｏｌ％ Ｎａ2Ｏ ６〜１４ｍｏｌ％ Ｋ2Ｏ ０〜２ｍｏｌ％ ＴｉＯ2 ０〜５ｍｏｌ％ ＺｒＯ2 ０〜２．５ｍｏｌ％ ＲＯ ２〜１２ｍｏｌ％ ただし、ＲＯ＝ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯで ＭｇＯ ０〜４．５ｍｏｌ％ ＣａＯ ２〜７．５ｍｏｌ％ ＳｒＯ ０〜３ｍｏｌ％ ＢａＯ ０〜２ｍｏｌ％ であることが好ましい。
【００３５】また、ガラス基板表面層の改質について
は、化学強化によって基板表面に圧縮応力層が形成され
ている場合等も挙げられるが、特に限定はされない。
は、化学強化によって基板表面に圧縮応力層が形成され
ている場合等も挙げられるが、特に限定はされない。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明について実例を挙
げて詳細に説明する。但し、本発明はかかる実施例に限
定されるものではない。
げて詳細に説明する。但し、本発明はかかる実施例に限
定されるものではない。
【００３７】（実施例１）基板組成がＳｉＯ2 ６６．
０ｍｏｌ％，Ａｌ2Ｏ3 １１．０ｍｏｌ％，Ｌｉ2Ｏ
８．０ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．１ｍｏｌ％，ＭｇＯ
２．４ｍｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％であり、５０
℃の温度下において０．１重量％フッ化水素酸溶液によ
るエッチングレ−トが１１３ｎｍ／ｍｉｎであるガラス
基板をを、酸化セリウムを主成分とする研磨剤とスエー
ドパッドを用いて研磨した後、純水のシャワーで洗っ
て、基板表面に弱く付着した研磨剤を除去した。
０ｍｏｌ％，Ａｌ2Ｏ3 １１．０ｍｏｌ％，Ｌｉ2Ｏ
８．０ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．１ｍｏｌ％，ＭｇＯ
２．４ｍｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％であり、５０
℃の温度下において０．１重量％フッ化水素酸溶液によ
るエッチングレ−トが１１３ｎｍ／ｍｉｎであるガラス
基板をを、酸化セリウムを主成分とする研磨剤とスエー
ドパッドを用いて研磨した後、純水のシャワーで洗っ
て、基板表面に弱く付着した研磨剤を除去した。
【００３８】引き続き４０℃に保持したｐＨ７のフッ素
系溶液（フッ化水素酸 ０．０１重量％、フッ化アンモ
ニウム ４重量％）浴中に基板を２．５分間浸漬し、約
４８kHz、１Ｗ／ｃｍ2の超音波を１分間照射した後、引
き上げて純水浴中でリンスして薬液を除去した。
系溶液（フッ化水素酸 ０．０１重量％、フッ化アンモ
ニウム ４重量％）浴中に基板を２．５分間浸漬し、約
４８kHz、１Ｗ／ｃｍ2の超音波を１分間照射した後、引
き上げて純水浴中でリンスして薬液を除去した。
【００３９】次いで、４０℃に保持した市販のｐＨ１１
のアルカリ洗剤（ｐＨ１１、株式会社ケミカルプロダク
ツ製 ＲＢ２５）を純水で５０倍に希釈した浴中に基板
を２．５分間浸漬し、約４８kHz、１Ｗ／ｃｍ2の超音波
を２．５分間照射した後、引き上げて純水浴中でリンス
して薬液を除去した。
のアルカリ洗剤（ｐＨ１１、株式会社ケミカルプロダク
ツ製 ＲＢ２５）を純水で５０倍に希釈した浴中に基板
を２．５分間浸漬し、約４８kHz、１Ｗ／ｃｍ2の超音波
を２．５分間照射した後、引き上げて純水浴中でリンス
して薬液を除去した。
【００４０】その後、基板を純水浴に浸漬してリンスす
る操作を３回繰り返し、最後にイソプロピルアルコール
の浴に基板を浸漬して約４８kHzの超音波を２分間照射
した後、イソプロピルアルコール蒸気中で１分間乾燥さ
せ、実施例１の試料とした。
る操作を３回繰り返し、最後にイソプロピルアルコール
の浴に基板を浸漬して約４８kHzの超音波を２分間照射
した後、イソプロピルアルコール蒸気中で１分間乾燥さ
せ、実施例１の試料とした。
【００４１】（実施例２〜４）前記アルカリを含む洗浄
剤として、アルカリ成分として水酸化カリウムおよび、
界面活性剤としてラウリルトリメチルアンモニウムクロ
ライドを０．５重量％加えて４０℃においてｐＨを１１
に調整した水溶液を用いた以外は、実施例１と同じ組成
の基板を、同じ条件で処理を行い実施例２の試料とし
た。
剤として、アルカリ成分として水酸化カリウムおよび、
界面活性剤としてラウリルトリメチルアンモニウムクロ
ライドを０．５重量％加えて４０℃においてｐＨを１１
に調整した水溶液を用いた以外は、実施例１と同じ組成
の基板を、同じ条件で処理を行い実施例２の試料とし
た。
【００４２】次に、前記アルカリを含む洗浄剤として、
アルカリ成分として水酸化カリウムを、界面活性剤とし
てラウリルトリメチルアンモニウムクロライド０．５重
量％を、またキレ−ト剤としてＥＤＴＡを０．５重量％
加えて４０℃においてｐＨを１１に調整した水溶液を用
いた以外は、実施例１と同じ組成の基板を、同じ条件で
処理を行い実施例３の試料とした。
アルカリ成分として水酸化カリウムを、界面活性剤とし
てラウリルトリメチルアンモニウムクロライド０．５重
量％を、またキレ−ト剤としてＥＤＴＡを０．５重量％
加えて４０℃においてｐＨを１１に調整した水溶液を用
いた以外は、実施例１と同じ組成の基板を、同じ条件で
処理を行い実施例３の試料とした。
【００４３】同様に、前記アルカリを含む洗浄剤として
４０℃においてｐＨ１３に調整したテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を用いた以外は
前記実施例１と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行
い実施例４の試料とした。
４０℃においてｐＨ１３に調整したテトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を用いた以外は
前記実施例１と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行
い実施例４の試料とした。
【００４４】（実施例５）フッ素系溶液で処理する前
に、あらかじめ４０℃に保持した市販のｐＨ１１のアル
カリ洗剤（ｐＨ１１、株式会社ケミカルプロダクツ製
ＲＢ２５）を純水で５０倍に希釈した浴中に基板を２．
５分間浸漬し、約４８kHz、１Ｗ／ｃｍ2の超音波を２．
５分間照射する処理を施した以外は、前記実施例１と同
じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い実施例５の試料
とした。
に、あらかじめ４０℃に保持した市販のｐＨ１１のアル
カリ洗剤（ｐＨ１１、株式会社ケミカルプロダクツ製
ＲＢ２５）を純水で５０倍に希釈した浴中に基板を２．
５分間浸漬し、約４８kHz、１Ｗ／ｃｍ2の超音波を２．
５分間照射する処理を施した以外は、前記実施例１と同
じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い実施例５の試料
とした。
【００４５】前記フッ素系溶液として、ｐＨ４．２のフ
ッ素系溶液（フッ化水素酸 ０．０１重量％、フッ化ア
ンモニウム ０．１５重量％）を用いた以外は前記実施
例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い実施例
６の試料とした。
ッ素系溶液（フッ化水素酸 ０．０１重量％、フッ化ア
ンモニウム ０．１５重量％）を用いた以外は前記実施
例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い実施例
６の試料とした。
【００４６】次に、前記フッ素系溶液として、ｐＨ３．
７のフッ素系溶液（フッ化水素酸０．０１重量％、フッ
化アンモニウム ０．０５重量％）を用いた以外は前記
実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い実
施例７の試料とした。
７のフッ素系溶液（フッ化水素酸０．０１重量％、フッ
化アンモニウム ０．０５重量％）を用いた以外は前記
実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い実
施例７の試料とした。
【００４７】次に、前記フッ素系溶液として、ｐＨ４．
１のフッ素系溶液（フッ化水素酸０．０１５重量％、フ
ッ化アンモニウム ０．１５重量％）を用いた以外は前
記実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い
実施例８の試料とした。
１のフッ素系溶液（フッ化水素酸０．０１５重量％、フ
ッ化アンモニウム ０．１５重量％）を用いた以外は前
記実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い
実施例８の試料とした。
【００４８】次に、前記フッ素系溶液として、ｐＨ４．
２のフッ素系溶液（フッ化水素酸 ０．００５重量％、
フッ化アンモニウム ０．１０重量％）を用いた以外は
前記実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行
い実施例９の試料とした。
２のフッ素系溶液（フッ化水素酸 ０．００５重量％、
フッ化アンモニウム ０．１０重量％）を用いた以外は
前記実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行
い実施例９の試料とした。
【００４９】（実施例１０〜１１）基板組成がＳｉＯ2
６５．５ｍｏｌ％，Ａｌ2Ｏ3 １１．５ｍｏｌ％，Ｌ
ｉ2Ｏ ８．０ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．１ｍｏｌ％，Ｍ
ｇＯ ２．４ｍｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％であ
り、５０℃の温度下において０．１重量％フッ化水素酸
溶液によるエッチングレ−トが１６０ｎｍ／ｍｉｎであ
るガラス基板を用いて、実施例４と同じ条件で処理を行
い実施例１０の試料とした。
６５．５ｍｏｌ％，Ａｌ2Ｏ3 １１．５ｍｏｌ％，Ｌ
ｉ2Ｏ ８．０ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．１ｍｏｌ％，Ｍ
ｇＯ ２．４ｍｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％であ
り、５０℃の温度下において０．１重量％フッ化水素酸
溶液によるエッチングレ−トが１６０ｎｍ／ｍｉｎであ
るガラス基板を用いて、実施例４と同じ条件で処理を行
い実施例１０の試料とした。
【００５０】次に、基板組成がＳｉＯ2 ６５．０ｍｏ
ｌ％，Ａｌ2Ｏ3 １２．０ｍｏｌ％，Ｌｉ2Ｏ ８．０
ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．１ｍｏｌ％，ＭｇＯ ２．４
ｍｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％であり、５０℃の温
度下において０．１重量％フッ化水素酸溶液によるエッ
チングレ−トが２００ｎｍ／ｍｉｎであるガラス基板を
用いて、実施例４と同じ条件で処理を行い実施例１１の
試料とした。
ｌ％，Ａｌ2Ｏ3 １２．０ｍｏｌ％，Ｌｉ2Ｏ ８．０
ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．１ｍｏｌ％，ＭｇＯ ２．４
ｍｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％であり、５０℃の温
度下において０．１重量％フッ化水素酸溶液によるエッ
チングレ−トが２００ｎｍ／ｍｉｎであるガラス基板を
用いて、実施例４と同じ条件で処理を行い実施例１１の
試料とした。
【００５１】（実施例１２〜１３）基板組成がＳｉＯ2
６６．０ｍｏｌ％，Ａｌ2Ｏ3 ９．７ｍｏｌ％，Ｌｉ
2Ｏ７．４ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．６ｍｏｌ％，ＭｇＯ
２．９ｍｏｌ％，ＣａＯ４．３ｍｏｌ％，Ｋ２Ｏ
０．２ｍｏｌ％であり、５０℃の温度下において０．１
重量％フッ化水素酸溶液によるエッチングレ−トが４７
ｎｍ／ｍｉｎであるガラス基板を用いて、実施例９と同
じ条件で処理を行い実施例１２の試料とした。
６６．０ｍｏｌ％，Ａｌ2Ｏ3 ９．７ｍｏｌ％，Ｌｉ
2Ｏ７．４ｍｏｌ％，Ｎａ2Ｏ ９．６ｍｏｌ％，ＭｇＯ
２．９ｍｏｌ％，ＣａＯ４．３ｍｏｌ％，Ｋ２Ｏ
０．２ｍｏｌ％であり、５０℃の温度下において０．１
重量％フッ化水素酸溶液によるエッチングレ−トが４７
ｎｍ／ｍｉｎであるガラス基板を用いて、実施例９と同
じ条件で処理を行い実施例１２の試料とした。
【００５２】次に基板組成がＳｉＯ2 ６７．３ｍｏｌ
％，Ａｌ2Ｏ3 ７．１ｍｏｌ％，Ｌｉ2Ｏ ６．２ｍｏ
ｌ％，Ｎａ2Ｏ １１．３ｍｏｌ％，ＭｇＯ ２．４ｍ
ｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％，Ｋ2Ｏ ０．２ｍｏ
ｌ％，ＳｒＯ ２．０ｍｏｌ％であり、５０℃の温度下
において０．１重量％フッ化水素酸溶液によるエッチン
グレ−トが１４ｎｍ／ｍｉｎであるガラス基板を用い
て、実施例９と同じ条件で処理を行い実施例１３の試料
とした。
％，Ａｌ2Ｏ3 ７．１ｍｏｌ％，Ｌｉ2Ｏ ６．２ｍｏ
ｌ％，Ｎａ2Ｏ １１．３ｍｏｌ％，ＭｇＯ ２．４ｍ
ｏｌ％，ＣａＯ ３．６ｍｏｌ％，Ｋ2Ｏ ０．２ｍｏ
ｌ％，ＳｒＯ ２．０ｍｏｌ％であり、５０℃の温度下
において０．１重量％フッ化水素酸溶液によるエッチン
グレ−トが１４ｎｍ／ｍｉｎであるガラス基板を用い
て、実施例９と同じ条件で処理を行い実施例１３の試料
とした。
【００５３】（比較例１）フッ素系溶液のｐＨを低くし
たときの潜傷を実施例と比較するために、前記フッ素系
溶液として、ｐＨ２．４のフッ素系溶液（フッ化水素酸
０．０１重量％、フッ化アンモニウム ０．００１重
量％）を用いた以外は前記実施例４と同じ組成の基板
を、同じ条件で処理を行い比較例１の試料とした。
たときの潜傷を実施例と比較するために、前記フッ素系
溶液として、ｐＨ２．４のフッ素系溶液（フッ化水素酸
０．０１重量％、フッ化アンモニウム ０．００１重
量％）を用いた以外は前記実施例４と同じ組成の基板
を、同じ条件で処理を行い比較例１の試料とした。
【００５４】（比較例２）ｐＨ調整剤を入れなかったフ
ッ素系溶液を用いたときの潜傷を実施例と比較するため
に、前記フッ素系溶液として、０．０１重量％のフッ化
水素酸を用いた以外は前記実施例４と同じ組成の基板
を、同じ条件で処理を行い比較例２の試料とした。
ッ素系溶液を用いたときの潜傷を実施例と比較するため
に、前記フッ素系溶液として、０．０１重量％のフッ化
水素酸を用いた以外は前記実施例４と同じ組成の基板
を、同じ条件で処理を行い比較例２の試料とした。
【００５５】（比較例３）フッ素系溶液での処理を施さ
なかったときの基板清浄度を実施例と比較するために、
フッ素系溶液での処理を施さなかったこと以外は、前記
実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い比
較例３の試料とした。
なかったときの基板清浄度を実施例と比較するために、
フッ素系溶液での処理を施さなかったこと以外は、前記
実施例４と同じ組成の基板を、同じ条件で処理を行い比
較例３の試料とした。
【００５６】上記方法で作製した実施例試料１〜１３と
比較例試料１〜３のエッチングレートと処理工程の関係
を表１に、また実施例試料１〜１３と比較例試料１〜３
のガラス表面を、光学顕微鏡を用いて観察し、２００倍
の倍率で１視野内（１ｍｍ2）に観察される高さ約０．
２μｍ以上の異物の平均個数を数えた結果、潜傷の有
無、および走査型プロ−ブ顕微鏡であるＡＦＭ（デジタ
ルインスツルメンツ製ＮａｎｏｓｃｏｐｅIIIa）を用い
て１００μm×１００μm視野中（０．０１ｍｍ2）に観
察される高さ１０ｎｍ以上の異物の平均個数を数えた結
果を表２にまとめた。
比較例試料１〜３のエッチングレートと処理工程の関係
を表１に、また実施例試料１〜１３と比較例試料１〜３
のガラス表面を、光学顕微鏡を用いて観察し、２００倍
の倍率で１視野内（１ｍｍ2）に観察される高さ約０．
２μｍ以上の異物の平均個数を数えた結果、潜傷の有
無、および走査型プロ−ブ顕微鏡であるＡＦＭ（デジタ
ルインスツルメンツ製ＮａｎｏｓｃｏｐｅIIIa）を用い
て１００μm×１００μm視野中（０．０１ｍｍ2）に観
察される高さ１０ｎｍ以上の異物の平均個数を数えた結
果を表２にまとめた。
【００５７】
【表１】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 処理工程 アルカリ溶液 フッ素系溶液 ア ル カ リ 溶 液 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 種類 pH 濃度 pH アルカリ キレート剤 pH (pH調整剤) (界面活性剤) −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例1 − − 0.01wt%HF 7.0 RB25 − 11 (4wt%NH4F) (−) 実施例2 − − 0.01wt%HF 7.0 KOH − 11 (4wt%NH4F) (＊１) 実施例3 − − 0.01wt%HF 7.0 KOH EDTA 11 (4wt%NH4F) (＊１) 実施例4 − − 0.01wt%HF 7.0 TMAH − 13 (4wt%NH4F) (−) 実施例5 RB25 10.0 0.01wt%HF 7.0 RB25 − 11 (4wt%NH4F) (−) 実施例6 − − 0.01wt%HF 4.2 TMAH − 13 (0.15wt%NH4F) (−) 実施例7 − − 0.01wt%HF 3.7 TMAH − 13 (0.05wt%NH4F) (−) 実施例8 − − 0.015wt%HF 4.1 TMAH − 13 (0.15wt%NH4F) (−) 実施例9 − − 0.005wt%HF 4.2 TMAH − 13 (0.1wt%NH4F) (−) 実施例10 − − 0.01wt%HF 7.0 TMAH − 13 (4wt%NH4F) (−) 実施例11 − − 0.01wt%HF 7.0 TMAH − 13 (4wt%NH4F) (−) 実施例12 − − 0.005wt%HF 4.2 TMAH − 13 (0.1wt%NH4F) (−) 実施例13 − − 0.005wt%HF 4.2 TMAH − 13 (0.1wt%NH4F) (−) −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 比較例1 − − 0.01wt%HF 2.4 TMAH − 13 (0.001wt%NH4F) (−) 比較例2 − − 0.01wt%HF − TMAH − 13 ( − ) (−) 比較例3 − − − − TMAH − 13 ( − ) (−) −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− ＊１：ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド
【００５８】
【表２】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 清 浄 度 評 価 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 光学顕微鏡観察(×200) AFM観察 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 0.2μm以上の 潜傷 視野面積： 異物数 100μm×100μm 個／視野（1mm2） 個／視野（0.01mm2） 実施例１ 2.8 0 7.5 実施例２ 2.9 0 7.6 実施例３ 2.9 0 7.5 実施例４ 2.2 0 7.0 実施例５ 1.8 0 6.8 実施例６ 2.2 0 7.1 実施例７ 1.9 0 6.8 実施例８ 2.0 0 6.8 実施例９ 2.1 0 6.9 実施例１０ 1.7 0 6.1 実施例１１ 2.0 0 5.7 実施例１２ 1.9 0 5.9 実施例１３ 1.7 0 6.0 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 比較例１ 2.3 10個以上 8.3 比較例２ 2.8 10個以上 8.8 比較例３ 50.8 0 105 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００５９】表１、２から明らかなように、実施例１〜
４と比較例３を比較すると、アルカリ処理の前にフッ化
水素酸とｐＨ調整剤からなるフッ素系溶液による処理を
施せば、１ｍｍ2の観察エリア内での０．２μｍ以上の
異物個数が３個以下（比較例３の１／２０以下）に減少
しており、０．０１μｍ2の観察エリア内での１０ｎｍ
以上の異物数も８個以下（比較例３の１／１０以下）に
減少しており、基板の清浄度は良好で、潜傷も発生して
いないことが分かる。また、アルカリ処理で用いるアル
カリ溶液としては、アルカリ成分単独で用いた場合、界
面活性剤を添加した場合、あるいはキレ−ト剤を添加し
た場合のいずれにおいても基板の清浄度は良好である
が、実施例４のようにｐＨがより大きいアルカリ溶液を
用いた場合の方が基板の清浄度がさらに良くなることが
分かる。
４と比較例３を比較すると、アルカリ処理の前にフッ化
水素酸とｐＨ調整剤からなるフッ素系溶液による処理を
施せば、１ｍｍ2の観察エリア内での０．２μｍ以上の
異物個数が３個以下（比較例３の１／２０以下）に減少
しており、０．０１μｍ2の観察エリア内での１０ｎｍ
以上の異物数も８個以下（比較例３の１／１０以下）に
減少しており、基板の清浄度は良好で、潜傷も発生して
いないことが分かる。また、アルカリ処理で用いるアル
カリ溶液としては、アルカリ成分単独で用いた場合、界
面活性剤を添加した場合、あるいはキレ−ト剤を添加し
た場合のいずれにおいても基板の清浄度は良好である
が、実施例４のようにｐＨがより大きいアルカリ溶液を
用いた場合の方が基板の清浄度がさらに良くなることが
分かる。
【００６０】また、実施例４、６、７、８、９と比較例
１の比較から明らかなように、フッ素系溶液のｐＨが３
よりも小さいと、フッ素系溶液処理後のアルカリ溶液処
理で潜傷が発生するので、フッ素系溶液のｐＨは３より
も大きくすることが重要であることが分かる。
１の比較から明らかなように、フッ素系溶液のｐＨが３
よりも小さいと、フッ素系溶液処理後のアルカリ溶液処
理で潜傷が発生するので、フッ素系溶液のｐＨは３より
も大きくすることが重要であることが分かる。
【００６１】また、実施例１と実施例５を比較すると、
フッ素系溶液での処理を施す前にアルカリで処理する
と、基板の清浄度がさらに良くなることが分かる。
フッ素系溶液での処理を施す前にアルカリで処理する
と、基板の清浄度がさらに良くなることが分かる。
【００６２】また、実施例４、１０、１１と比較例４の
比較から明らかなように、耐酸性の指標である、５０℃
の温度下における０．１重量％のフッ化水素酸溶液によ
るエッチングレ−トが２００ｎｍ／ｍｉｎ以下の基板を
用いると、潜傷の発生もなく良好な清浄度が得られるこ
とが分かる。
比較から明らかなように、耐酸性の指標である、５０℃
の温度下における０．１重量％のフッ化水素酸溶液によ
るエッチングレ−トが２００ｎｍ／ｍｉｎ以下の基板を
用いると、潜傷の発生もなく良好な清浄度が得られるこ
とが分かる。
【００６３】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、アルミノシリケートガラス等の多成分系のガラス基
板に対し、ｐＨ３以上のフッ素系溶液を用いた処理とア
ルカリ処理を組み合わせた処理を施すことで、潜傷がな
い良好な清浄度の基板を得ることができる。
ば、アルミノシリケートガラス等の多成分系のガラス基
板に対し、ｐＨ３以上のフッ素系溶液を用いた処理とア
ルカリ処理を組み合わせた処理を施すことで、潜傷がな
い良好な清浄度の基板を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安宅 功一 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 BB02 BB82 BB83 BB93 BB94 BB96 CB15 CC01 CC11 CC21 4G059 AA01 AA08 AC30
Claims (9)
- 【請求項１】 多成分系ガラス基板の洗浄方法におい
て、前記多成分系ガラス基板を、ｐＨが３以上７以下の
フッ素系溶液で処理する工程を含むことを特徴とする多
成分系ガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 多成分系ガラス基板の洗浄方法におい
て、ＰＨが３以上７以下のフッ素系溶液で処理する工
程、およびその後にアルカリを含む洗浄剤で処理する工
程を、少なくとも１回含むことを特徴とする多成分系ガ
ラス基板の洗浄方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の多成分系ガラ
ス基板の洗浄方法において、前記多成分系ガラス基板を
あらかじめアルカリを含む洗浄剤で処理する工程を含む
ことを特徴とする多成分系ガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
多成分系ガラス基板の洗浄方法において、前記フッ素系
溶液として、フッ化水素酸溶液にＰＨ調整剤を添加した
混合溶液を用いることを特徴とする多成分系ガラス基板
の洗浄方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
多成分系ガラス基板の洗浄方法において、前記フッ素系
溶液として、フッ化水素アンモニウム溶液および／また
は、珪フッ化水素酸溶液を用いることを特徴とする多成
分系ガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項６】 請求項４に記載の多成分系ガラス基板の
洗浄方法において、前記ＰＨ調整剤がフッ化物であるこ
とを特徴とする多成分系ガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の多成分系ガラス基板の
洗浄方法において、前記フッ化物をフッ化ナトリウム、
フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、ホウフッ化アン
モニウム、または珪フッ化アンモニウムのうち少なくと
も１種とすることを特徴とする多成分系ガラス基板の洗
浄方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７に記載の多成分系ガラス
基板の洗浄方法において、前記洗浄剤中のアルカリが、
苛性ソ−ダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、アンモニア、またはテトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイドのうち少なくとも１種であることを
特徴とする多成分系ガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の多成分系ガラス基板の
洗浄方法において、前記洗浄剤がアルカリ以外に、界面
活性剤および／またはキレ−ト剤を含むことを特徴とす
る多成分系ガラス基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07014899A JP3801804B2 (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 多成分系ガラス基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07014899A JP3801804B2 (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 多成分系ガラス基板の洗浄方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004349357A Division JP4393975B2 (ja) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 多成分系ガラス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000262991A true JP2000262991A (ja) | 2000-09-26 |
| JP3801804B2 JP3801804B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=13423211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07014899A Expired - Lifetime JP3801804B2 (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | 多成分系ガラス基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3801804B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531043B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-05-12 | Showa Denko Kk | Magnetic disk substrate and production method of magnetic disk |
| JP2009149488A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-07-09 | Schott Ag | 蛍光ランプに使用するランプ用ガラス管の洗浄方法 |
| JP2010214267A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tosoh Corp | 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 |
| WO2011021478A1 (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
| JP2011129232A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法 |
| WO2014051145A1 (ja) * | 2012-09-29 | 2014-04-03 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法、並びに磁気ディスク用ガラス基板の洗浄液 |
| WO2018062025A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ガラス用研磨液および研磨方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5045465A (ja) * | 1973-08-28 | 1975-04-23 | ||
| JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JPH08126873A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nec Corp | 電子部品等の洗浄方法及び装置 |
| JPH10128253A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-19 | Japan Organo Co Ltd | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH10163164A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JPH10296198A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-10 | Atsushi Kitada | 洗浄方法 |
| JPH1126417A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び洗浄液の混合方法 |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP07014899A patent/JP3801804B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5045465A (ja) * | 1973-08-28 | 1975-04-23 | ||
| JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
| JPH08126873A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nec Corp | 電子部品等の洗浄方法及び装置 |
| JPH10128253A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-19 | Japan Organo Co Ltd | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH10163164A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JPH10296198A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-10 | Atsushi Kitada | 洗浄方法 |
| JPH1126417A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及び洗浄液の混合方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7531043B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-05-12 | Showa Denko Kk | Magnetic disk substrate and production method of magnetic disk |
| JP2009149488A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-07-09 | Schott Ag | 蛍光ランプに使用するランプ用ガラス管の洗浄方法 |
| JP2010214267A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tosoh Corp | 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 |
| WO2011021478A1 (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | コニカミノルタオプト株式会社 | ガラス基板の製造方法、ガラス基板、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
| JP2011129232A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法 |
| WO2014051145A1 (ja) * | 2012-09-29 | 2014-04-03 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法、並びに磁気ディスク用ガラス基板の洗浄液 |
| JPWO2014051145A1 (ja) * | 2012-09-29 | 2016-08-25 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法、並びに磁気ディスク用ガラス基板の洗浄液 |
| WO2018062025A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ガラス用研磨液および研磨方法 |
| JP2018058707A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ガラス用研磨液および研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3801804B2 (ja) | 2006-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3956587B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法 | |
| US6576353B1 (en) | Glass substrate for use as information recording medium and method of manufacturing such glass substrate | |
| JP4336524B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基材の製造方法 | |
| JP5555289B2 (ja) | 携帯端末装置のカバーガラス用のガラス基材 | |
| US20110151752A1 (en) | Process for producing glass substrate | |
| JP2002150547A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
| WO2004008247A1 (ja) | マスクブランクス用ガラス基板、及びその製造方法 | |
| JP2019006615A (ja) | 化学強化ガラスの製造方法 | |
| TW201938506A (zh) | 用於減少靜電帶電之紋理化玻璃表面 | |
| JP4115722B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2000262991A (ja) | 多成分系ガラス基板の洗浄方法 | |
| JP4130514B2 (ja) | 精密洗浄剤組成物 | |
| JP4393975B2 (ja) | 多成分系ガラス基板の製造方法 | |
| JP2873310B2 (ja) | 半導体ウェーハの研摩方法 | |
| US7415841B2 (en) | Method for producing chemically strengthened glass substrate for information recording medium | |
| JP2000311336A (ja) | 磁気ディスク用基板の作製方法、その方法により得られた磁気ディスク用基板及び磁気記録媒体 | |
| JP2000343390A (ja) | ガラス基板の処理方法 | |
| JP2000302482A (ja) | ガラス基板の製造方法およびそれにより得られる磁気記録媒体用ガラス基板 | |
| JP2579401B2 (ja) | 洗浄剤組成物 | |
| JP4326825B2 (ja) | 化学強化ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2002273358A (ja) | 光学素子の洗浄方法 | |
| JP2001070898A (ja) | 精密基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
| JP6737124B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法 | |
| JP2002177908A (ja) | 光学部品の洗浄方法 | |
| JP2001181686A (ja) | 液晶セルガラス基板用洗浄剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040105 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040301 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041201 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050207 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060425 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060426 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130512 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140512 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |