JP2010214267A - 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】研磨した石英ガラス基板をpHが2〜5、シリカのゼータ電位が−30mV以上−20mV以下、セリアのゼータ電位が−20mV以上−10mV以下、室温における石英ガラスのエッチング速度が0.3〜3.0nm/分であるフッ素化合物とホスホン酸とを含んでなる水溶液からなる洗浄液に浸漬して洗浄する。
【選択図】なし
Description
電極の種類:金メッキステンレス電極
周波数 :1.1〜1.2MHz
測定温度 :26〜27℃
(実施例1)
多槽式洗浄機の第1槽の洗浄液をアニオン系の界面活性剤に水酸化ナトリウムを添加してpHを12とした洗剤、第2槽の洗浄液を冷純水、第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸1.0wt%からなる水溶液、第4槽の洗浄液を冷純水、第5槽の洗浄液を冷純水、第6槽の洗浄液を温純水とした。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸0.5wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸2.0wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸1.0wt%、硝酸0.5wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.2wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸1.0wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.7wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸1.0wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液を珪フッ化水素酸0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸0.8wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)1.0wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸2.0wt%、アンモニア0.2wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸4.0wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化水素酸0.2wt%、硝酸4.0wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第3槽の洗浄液をフッ化水素酸0.2wt%からなる水溶液とし、他の槽の洗浄液は実施例1と同じで、実施例1と同様の手順で2種類の研磨剤で研磨した石英ガラス基板を洗浄した。
多槽式洗浄機の第1槽の洗浄液をフッ化アンモニウム0.4wt%、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸1.0wt%からなる水溶液、第2槽の洗浄液を冷純水、第3槽の洗浄液を非イオン系界面活性剤に炭酸ナトリウムを添加してpHを9とした洗剤、第4槽の洗浄液を超純水に水素を1ppm、アンモニアを3ppm以下添加した水素水、第5槽の洗浄液を冷純水、第6槽の洗浄液を温純水とした。
Claims (10)
- pHが2〜5、シリカのゼータ電位が−30mV以上−20mV以下、セリアのゼータ電位が−20mV以上−10mV以下、室温における石英ガラスのエッチング速度が0.3〜3.0nm/分である、フッ素化合物とホスホン酸とを含んでなる水溶液からなる洗浄液に、研磨した石英ガラス基板を浸漬して洗浄することを特徴とする研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液の酸化還元電位が450mV以上600mV以下であることを特徴とする請求項1記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液中のフッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、珪フッ化水素酸、フルオロホウ酸の1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液中のホスホン酸が、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、アミノトリメチレンホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)の1種又は2種以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 前記洗浄液のpHがアンモニアにより調整されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 基板を浸漬させるための洗浄キャリアがステンレス製であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 石英ガラス基板が、あらかじめアルカリ洗剤で超音波洗浄されたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- pHが2〜5、シリカのゼータ電位が−30mV以上−20mV以下、セリアのゼータ電位が−20mV以上−10mV以下、室温における石英ガラスのエッチング速度が0.3〜3.0nm/分である、フッ素化合物とホスホン酸とを含んでなる水溶液からなる洗浄液に、研磨した石英ガラス基板を浸漬して洗浄後、石英ガラス基板を更に弱アルカリ洗剤で洗浄することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の研磨した石英ガラス基板の洗浄方法で用いられる、フッ素化合物中のフッ素として0.1〜0.5wt%、ホスホン酸0.2〜3.0wt%を含んでなる水溶液からなる洗浄液。
- フッ素化合物がフッ化アンモニウムであり、ホスホン酸がヒドロキシエチリデンジホスホン酸であることを特徴とする請求項9記載の洗浄液。
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