JP2008547202A - 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法 - Google Patents
金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008547202A JP2008547202A JP2008516987A JP2008516987A JP2008547202A JP 2008547202 A JP2008547202 A JP 2008547202A JP 2008516987 A JP2008516987 A JP 2008516987A JP 2008516987 A JP2008516987 A JP 2008516987A JP 2008547202 A JP2008547202 A JP 2008547202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- acid
- total weight
- metal
- concentration ranging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 266
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 178
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 106
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 33
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 31
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 20
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 19
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims abstract description 17
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 29
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 15
- -1 amine hydrochloride Chemical class 0.000 claims description 13
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 11
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 claims description 9
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 8
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 8
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 4
- RNMCCPMYXUKHAZ-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-diamino-1,2,2-tris(carboxymethyl)cyclohexyl]acetic acid Chemical compound NC1(N)CCCC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C1(CC(O)=O)CC(O)=O RNMCCPMYXUKHAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 4
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 4
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 4
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 claims description 4
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 claims description 3
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- YGNWFPQDHGQKIM-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxo-2,4,8,9-tetraoxa-6-aza-1lambda5,3lambda5-diphosphabicyclo[4.2.2]decan-3-yl) dihydrogen phosphate Chemical compound C1N2COP(=O)(O1)OP(=O)(OC2)OP(=O)(O)O YGNWFPQDHGQKIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 claims description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- AAWZDTNXLSGCEK-LNVDRNJUSA-N (3r,5r)-1,3,4,5-tetrahydroxycyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1CC(O)(C(O)=O)C[C@@H](O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-LNVDRNJUSA-N 0.000 claims description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 2-phenylacetic acid Chemical compound O[14C](=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 0.000 claims description 2
- GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-3,3-difluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(Br)C=C GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 2
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AAWZDTNXLSGCEK-UHFFFAOYSA-N Cordycepinsaeure Natural products OC1CC(O)(C(O)=O)CC(O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 2
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 claims description 2
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 claims description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AAWZDTNXLSGCEK-ZHQZDSKASA-N Quinic acid Natural products O[C@H]1CC(O)(C(O)=O)C[C@H](O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-ZHQZDSKASA-N 0.000 claims description 2
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 2
- PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N acetone oxime Chemical compound CC(C)=NO PXAJQJMDEXJWFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 2
- KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N ammonium chlorate Chemical compound N.OCl(=O)=O KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 claims description 2
- ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N azane;iodic acid Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)=O ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N azanium;periodate Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)(=O)=O URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 claims description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N dimethylglyoxime Chemical compound O/N=C(/C)\C(\C)=N\O JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 claims description 2
- 229960000448 lactic acid Drugs 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 claims description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SWKDMSRRIBZZAY-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-n-(4,5-dihydro-1h-imidazol-2-ylmethyl)aniline;hydrochloride Chemical compound Cl.N=1CCNC=1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 SWKDMSRRIBZZAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O.C[N+](C)(C)C LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- GVXNBUDRLXVUCE-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;hypochlorite Chemical compound Cl[O-].C[N+](C)(C)C GVXNBUDRLXVUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O.C[N+](C)(C)C ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;periodate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]I(=O)(=O)=O HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;silicate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-][Si]([O-])([O-])[O-] APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N urea hydrogen peroxide Chemical compound OO.NC(N)=O AQLJVWUFPCUVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004474 valine Substances 0.000 claims description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 2
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical class OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- 150000001349 alkyl fluorides Chemical class 0.000 claims 2
- QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N azanium;chlorite Chemical compound [NH4+].[O-]Cl=O YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000005619 boric acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims 1
- FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.Cl(=O)O FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-N perchloric acid;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.OCl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005502 peroxidation Methods 0.000 claims 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 9
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 7028-40-2 Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001348 alkyl chlorides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 125000002648 azanetriyl group Chemical group *N(*)* 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077239 chlorous acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- BVBRZOLXXOIMQG-UHFFFAOYSA-N fluoroborane Chemical compound FB BVBRZOLXXOIMQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000012995 silicone-based technology Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorite Chemical compound [O-]Cl=O.C[N+](C)(C)C FDXKBUSUNHRUIZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 1
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 1
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
相補型金属酸化物半導体(CMOS)トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。1つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
Description
発明の分野
本発明は、マイクロ電子デバイス製造プロセスの間に金属ケイ化物の形成後に未反応金属または金属合金を除去するための組成物および方法に関する。さらに、本発明は、ウエハ再加工のためにマイクロ電子デバイス製造において使用された金属、金属化合物および/または金属合金を選択的に除去するための組成物および方法に関する。
本発明は、マイクロ電子デバイス製造プロセスの間に金属ケイ化物の形成後に未反応金属または金属合金を除去するための組成物および方法に関する。さらに、本発明は、ウエハ再加工のためにマイクロ電子デバイス製造において使用された金属、金属化合物および/または金属合金を選択的に除去するための組成物および方法に関する。
関連技術の説明
この数十年にわたって、半導体産業は、小型高集積電子デバイスを製造するためのシリコンベースの技術の使用の変革を遂げた。シリコンベースのマイクロ電子デバイスの1つは金属酸化物半導体(MOS)トランジスタであり、それはモデムパソコンの基本構成要素の1つである。
この数十年にわたって、半導体産業は、小型高集積電子デバイスを製造するためのシリコンベースの技術の使用の変革を遂げた。シリコンベースのマイクロ電子デバイスの1つは金属酸化物半導体(MOS)トランジスタであり、それはモデムパソコンの基本構成要素の1つである。
MOSトランジスタのゲート電極およびソース/ドレイン領域に対するコンタクトを形成するプロセスは、概して、「金属化」と称される。金属以外の導電性材料が金属化のために通常は用いられるので、金属化という用語はその適用において一般的である。金属化は典型的に、保護マスクを誘電体材料層上に形成する工程と、コンタクト領域がマスクされないようにこのような保護マスクをパターン化する工程と、このようなマスクされない領域に誘電体材料層をエッチングして、コンタクトが上に形成されるゲート電極およびソース/ドレイン領域の上に直接に開口部またはウインドウを形成する工程とを含む。次に、このような開口部またはウインドウは、コンタクトを形成するために導電性材料を充填される。この金属化プロセスに伴う問題は、コンタクトがゲート電極およびソース/ドレイン領域と整列されず、境界面での抵抗の増加をもたらす場合があることである。さらに、単独のマスキング工程でコンタクトウインドウを整列することは、ソース/ドレイン領域のサイズをさらに最小化するのを難しくする。
性能の改良は、所望の領域に自己整列される低抵抗コンタクトを製造するために有効である、ケイ化物プロセスの使用によって抵抗の増加および不整列の問題を解決することによって得られた。
ケイ化物プロセスは、ニッケル、コバルト、チタン、タングステンおよびそれらの合金などの耐火金属または金属合金を含有する金属層をゲート電極およびソース/ドレイン領域の上に堆積する工程と、耐火金属がシリコンを高濃縮された領域と接触しているこのような金属層の特定の領域においてケイ化物反応を行うために十分に高い温度にまでこのような金属層を加熱する工程とを含む。このようにして、導電性金属ケイ化物をソース/ドレイン領域上のみにおよびこのようなソース/ドレイン領域の間に挟まれた多結晶性シリコンゲート電極の上面に形成することができ、次に、金属ケイ化物の形成後に一切の未反応金属を選択的に除去することができる。
ニッケル、コバルト、チタン、タングステンまたは同金属を含有する金属合金などの様々な耐火金属が金属ケイ化物コンタクトを形成するために一般に使用される。ケイ化ニッケル(NiSi)がいくつかの理由のために特に好ましいケイ化物材料である。ケイ化ニッケルの主な利点は、比較的低温において急速に形成されうることであり、低温MOS製造のために適している。ケイ化ニッケルの他の利点には、線幅の非依存性、「クリープアップ」現象の低減、低い抵抗率、大きなプロセスウインドウ、および低いシリコン消費などがある。
ニッケル層は、約300℃〜約750℃の範囲の温度で行われる、単一工程の急速熱アニール(RTA)プロセスによってケイ化ニッケルに有効に変化されうる。典型的なRTAプロセスは、窒素雰囲気内で約40秒間、約550℃において行われる。ケイ化ニッケルの形成は、ニッケル層の一部が多結晶性シリコンゲート電極およびソース/ドレイン領域内に含有されるシリコンと反応してNi2Siを形成するとき、約250℃において始まる。300℃超まで温度を上げることによって、Ni2Siはシリコンとさらに反応してNiSiを形成する。
ゲート電極およびソース/ドレイン領域にNiSiを形成した後、ニッケル層の未反応ニッケルは選択的に除去されなければならない。未反応ニッケルの除去は、プラズマエッチングまたは化学エッチングのどちらを用いて行われてもよい。プラズマエッチングはしばしば、基板表面に損傷を与え、残留した微量のイオン汚染をもたらす。他方、化学エッチングは基板の損傷を減らすが、通常の化学エッチング剤を用いるニッケルエッチング速度は、非常に緩慢であるかまたはMOSデバイス製造プロセスと両立できない。
従って、RTAプロセスによってケイ化ニッケルの形成後に未反応ニッケルの有効かつ迅速な除去のために改良されたエッチング組成物を提供することは本技術分野において著しい前進であり、そしてそれは、MOSデバイス製造プロセスの間に金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、チタンタングステン合金、窒化チタンおよび窒化チタンアルミニウムなどの様々な未反応耐火金属および/またはそれらの合金をより一般に除去する。さらに、必要な場合、このようなエッチング組成物は望ましくは、ウエハ再加工のためにケイ化ニッケル、ケイ化コバルトおよび窒化チタンなどの金属ケイ化物および/または金属窒化物の効率的な除去をもたらし、MOSゲート構造物に与えられた他の材料の上の1種の金属または金属合金を選択的に除去するためのエッチング組成物を提供し、下にある基板表面に損傷を与えたりまたはその中に含有された誘電体酸化物を攻撃したりせずに未反応金属、金属合金、金属ケイ化物および/または金属窒化物を有効に除去する。
発明の概要
本発明は、MOSデバイスの製造のために金属ケイ化物の形成後に未反応金属または金属合金を有効に除去するための組成物および方法、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を有効に除去するための組成物および方法、およびMOSゲート構造物に存在する他の材料の上の金属または金属合金を選択的に除去するための組成物および方法に関する。
本発明は、MOSデバイスの製造のために金属ケイ化物の形成後に未反応金属または金属合金を有効に除去するための組成物および方法、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を有効に除去するための組成物および方法、およびMOSゲート構造物に存在する他の材料の上の金属または金属合金を選択的に除去するための組成物および方法に関する。
一の態様において、本発明は、
a)組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b)組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c)任意に、組成物の全重量の約0%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤とを含む水性金属エッチング組成物に関し、前記組成物は、前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから未反応金属または金属合金を除去するために適している。
a)組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b)組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c)任意に、組成物の全重量の約0%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤とを含む水性金属エッチング組成物に関し、前記組成物は、前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから未反応金属または金属合金を除去するために適している。
別の態様において、本発明は、ケイ化ニッケルおよび/またはケイ化コバルトの形成後に未反応ニッケル、コバルト、および/またはそれらの合金を除去するために有効である、シュウ酸、塩化物含有化合物、および任意に過酸化水素を含む水性金属エッチング組成物に関する。
さらに別の態様において、本発明は、誘電体材料および/または半導体基板を攻撃せずに、ケイ化物の形成後にニッケル、コバルト、チタン、タングステンおよび/またはそれらの合金を除去するために特に有用である、シュウ酸、塩化物含有化合物、過酸化水素、フルオロホウ酸、およびホウ酸を含有する水性金属エッチング組成物に関する。
さらに別の態様において、本発明は、誘電体材料および/または半導体基板を攻撃せずに、ケイ化ニッケル、ケイ化コバルト、および窒化チタンを除去するために特に有用である、シュウ酸、塩化物含有化合物、フルオロホウ酸、任意に過酸化水素、および任意にホウ酸を含有する水性金属エッチング組成物に関する。
本発明の別の態様は、組成物の全重量の約3%〜約9%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度のフルオロホウ酸、組成物の全重量の約7%〜約23%の範囲の濃度の過酸化水素、および任意に、組成物の全重量の5%以下の濃度の塩化アンモニウムを含む水性金属エッチング組成物に関し、前記組成物は、前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから未反応金属または金属合金を除去するために適している。
本発明のさらなる態様は、上述の水性金属エッチング組成物を、除去される金属、金属合金、金属ケイ化物および/または金属窒化物と接触させることによって、未反応金属、金属合金または金属ケイ化物を除去するための方法に関する。
本発明のさらに別の態様は、ニッケル、コバルト、およびそれらの混合物または合金からなる群から選択された未反応金属または金属合金を少なくとも部分的に除去するための方法に関し、前記方法は、前記未反応金属または金属合金を水性金属エッチング組成物と、それらの少なくとも部分的な除去を行うために十分な温度においておよび十分な時間にわたり、接触させる工程を含み、前記水性金属エッチング組成物は、
a.前記組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b.前記組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c.任意に、前記組成物の全重量の約0.1%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d.任意に、前記組成物の全重量の約0.05%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e.任意に、前記組成物の全重量の約0.03%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤とを含む。
a.前記組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b.前記組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c.任意に、前記組成物の全重量の約0.1%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d.任意に、前記組成物の全重量の約0.05%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e.任意に、前記組成物の全重量の約0.03%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤とを含む。
本発明のさらに別の態様は様々に、本発明の金属エッチング組成物、本発明の試薬組成物のための複数部分(multi−part)金属エッチング試薬キット、このような試薬組成物のための前駆調合物の使用、およびこのような試薬組成物をそれらの前駆調合物から製造する方法など、半導体製品を製造する方法に関する。
本発明の他の態様、特徴および実施形態は、次の開示および添付の特許請求の範囲からより完全に明らかであろう。
発明およびその好ましい実施形態の詳細な説明
本発明は、半導体デバイスの製造中に金属ケイ化物の形成後、未反応金属または金属合金、特にニッケル、コバルト、チタン、タングステン、チタンタングステン合金、窒化チタンおよび/または窒化チタンアルミニウムを有効に除去するための水性金属エッチング組成物を提供する。
本発明は、半導体デバイスの製造中に金属ケイ化物の形成後、未反応金属または金属合金、特にニッケル、コバルト、チタン、タングステン、チタンタングステン合金、窒化チタンおよび/または窒化チタンアルミニウムを有効に除去するための水性金属エッチング組成物を提供する。
また、本発明は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を有効に除去するための水性金属エッチング組成物を提供する。金属、金属合金および金属ケイ化物は、エッチング化学の組成および加工パラメータ(例えば温度および時間)を良好に調整することによって選択的にエッチングにより除去可能であり、シリコン、窒化シリコン、二酸化シリコンなどの基板または誘電体材料に対する損傷を与えないかまたは最小限に抑える。
本明細書において定義されるとき、金属ケイ化物には、ニッケル、コバルト、チタン、タングステンおよび/またはそれらの合金のケイ化物を含める。ニッケルおよびケイ化ニッケルに対する特定の言及は、以下、決して限定されるものではなく、ここに開示された他の金属および金属ケイ化物を包含することを意図する。
参照を容易にするために、「マイクロ電子デバイス」は、マイクロ電子、集積回路、またはコンピュータチップ用途において使用するために製造された、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロ電子機械システム(MEMS)に相当する。用語「マイクロ電子デバイス」は決して限定されるものではなく、最終的にマイクロ電子デバイスまたはマイクロ電子組立体になるいかなる基板も含めると理解されなければならない。
本明細書中で用いられるとき、「約」は、記載された値の±5%に相当することが意図される。
本明細書中で用いられるとき、材料を表面に有するマイクロ電子デバイスからの未反応金属または金属合金の「適性」は、マイクロ電子デバイスからの前記未反応金属または金属合金の少なくとも部分的な除去に相当する。好ましくは、材料の少なくとも約90%、より好ましくは材料の少なくとも95%、最も好ましくは材料の少なくとも99%が、本発明の組成物を用いてマイクロ電子デバイスから除去される。
本発明の組成物は、以下により詳細に記載されるように、多種多様な特定の調合物において具体化されてもよい。
組成物の特定の成分がゼロの下限を含む重量パーセンテージの範囲に関して記載される全てのこのような組成物において、組成物の様々な特定の実施形態においてこのような成分が存在するかまたは存在しない場合があること、このような成分が存在する場合、それらは、このような成分が使用される組成物の全重量を基準にして、0.01重量パーセントの低さの濃度においても存在しうることは理解されよう。
ニッケルは、MOSデバイスの金属ケイ化物のコンタクトを形成するために使用可能な金属種のなかでも除去するのが特に難しい。最も一般的な金属エッチング剤は、約30℃〜約50℃の範囲のエッチング温度において100Å/分未満であるエッチング速度しか達成できない。
本発明の水性金属エッチング組成物は、下にある基板表面または構造物に損傷を与えることなく、通常の金属エッチング剤よりもかなり速い速度でニッケルを除去する。具体的に、本発明の水性金属エッチング組成物は、1種以上の有機酸、1種以上の塩化物供給源、および任意に1種以上の酸化剤を含有する。
本発明の広い実施において、水性金属エッチング組成物は、1種以上の有機酸、1種以上の塩化物供給源、および任意に1種以上の酸化剤を含む、それらからなる、また、それらから本質的になってもよい。概して、有機酸、塩化物供給源、および任意の酸化剤の、互いに対する特定の比率および量は、金属、金属合金、金属ケイ化物および/または加工装置にエッチング組成物の所望の除去作用を提供するために好適に変化させられてもよく、必要以上の労力を要せずに本技術分野の技術の範囲内で容易に定量可能である。
組成物の有機酸成分は、例えば、シュウ酸、ギ酸、コハク酸、リンゴ酸、マロン酸、クエン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸(DDBSA)、グリコール酸、ニトリロトリス(メチレン)三リン酸(NTMTP)、酢酸、乳酸、サリチル酸、グリシン、アスコルビン酸、没食子酸、フタル酸、酒石酸、安息香酸、フマル酸、マンデル酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、アスパラギン酸、グルタル酸、グルコン酸の1種以上、およびそれらの組合せを含有することができる。好ましくは、有機酸は、組成物の全重量を基準にして、約1重量%〜約20重量%、より好ましくは約1重量%〜約10重量%、最も好ましくは約3重量%〜約9重量%の範囲の濃度において水性金属エッチング組成物中に存在する。シュウ酸は、ニッケルおよび/またはコバルトなどの未反応金属または金属合金の有効なおよび制御されたエッチングのために本発明の実施において特に好ましい有機酸種である。
硝酸は貴金属を溶解するために有効であるが、それは、金属および金属ケイ化物をエッチングする時に低いエッチ速度および低い選択率を有する。一の態様において、本発明は、その中に硝酸を含有しない水性金属エッチング組成物を考察する。
本発明の金属エッチング組成物において有用な酸化剤種には、フッ化水素(HF)、過酸化水素(H2O2)、オゾン(O3)、過塩素酸(HClO4)、亜塩素酸アンモニウム(NH4ClO2)、塩素酸アンモニウム(NH4ClO3)、ヨウ素酸アンモニウム(NH4IO3)、過ホウ酸アンモニウム(NH4BO3)、過塩素酸アンモニウム(NH4ClO4)、過ヨウ素酸アンモニウム(NH4IO3)、過硫酸アンモニウム((NH4)2S2O8)、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO2)、塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO3)、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)IO3)、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)BO3)、過塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO4)、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)IO4)、過硫酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)S2O8)、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO)、尿素過酸化水素((CO(NH2)2)H2O2)の1種以上、およびそれらの組合せがあるがそれらに限定されない、目標金属または金属合金を酸化するために適したいずれかの酸化化合物が挙げられる。過酸化水素は、ニッケルなどの貴金属を酸化するための特に好ましい酸化剤種である。好ましくは、酸化剤は、組成物の全重量を基準にして約0.1重量%〜約50重量%の範囲、より好ましくは約1重量%〜約30重量%の範囲、最も好ましくは約7重量%〜約23重量%までの範囲の濃度において水性金属エッチング組成物中に存在する。また、フッ化水素(HF)は、金属ケイ化物の形成後に未反応金属または金属合金を除去する時に、酸化剤としてのその多機能性質、SiO2をエッチングするためのその有効性、および金属塩の溶解度を増加させるのに非常に有効であるハロゲンのその導入のために、酸化剤種として非常に有利である。
本発明の組成物に有用な塩化物供給源は、エッチングプロセスの間に形成された金属塩の溶解度を増加させる働きをすると共に金属エッチング境界面上の固体堆積物の形成を防ぐいずれの塩化物含有化合物であってもよい。適した塩化物供給源には、塩化アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム(TMACI)、塩酸、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、いずれかの他の塩化アルキルおよび/またはアリール第三級アンモニウム塩、任意のアミン塩化水素塩の1種以上、およびそれらの組合せがあるがそれらに限定されない。塩酸は、堆積物の形成を防ぐその有効性および水への高い溶解性のために、特に好ましい。好ましくは、塩化物供給源は、組成物の全重量を基準にして約0.05重量%〜約15重量%の範囲、より好ましくは約0.5重量%〜約10重量%の範囲、最も好ましくは約0.5重量%〜約7重量%の範囲の濃度において水性金属エッチング組成物中に存在する。
水性金属エッチング組成物のpHは、得られた組成物が有効であるどんな適したpHレベルであってもよく、最も好ましくは中程度ないし強酸性である。様々な実施形態において、水性金属エッチング組成物のpHは好ましくは約0.1〜約7の範囲、より好ましくは約0.2〜約4の範囲、最も好ましくは約0.2〜約2の範囲である。より低いpH値、例えば、約4未満のエッチング組成物は、ニッケルおよびニッケル合金を溶解するために特に有効である。
チタンまたはチタン合金のエッチングの間、二酸化チタンの不溶性堆積物は、チタンエッチング境界面上に形成する傾向がある。酸化チタンの形成を低減するために、フッ化物イオンを金属エッチング組成物にさらに添加することができる。このような目的のための適したフッ化物供給源は、フルオロホウ酸、ホウフッ化アンモニウム、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラアルキルアンモニウム、いずれかのフッ化アルキルおよび/またはアリール第三級アンモニウム塩、いずれかの他のフッ化アミン塩、およびそれらの組合せなどがあるがそれらに限定されないいずれのフッ化物含有化合物であってもよい。金属エッチング組成物中で使用される時にフッ化物供給源は、組成物の全重量を基準にして好ましくは10重量%以下の濃度、より好ましくは約0.05%〜約5重量%の範囲、最も好ましくは約0.05%〜約2重量%の範囲において組成物中に存在する。
フッ化物イオンは、用途によっては、下にある誘電体酸化物構造物に対して有害な損傷を与える場合があるので、フッ化物イオンが組成物中に存在する時に誘電体不動態化剤が使用されてもよい。適した誘電体不動態化剤には、ホウ酸、ケイ酸テトラメチルアンモニウム、任意のシリコンまたはシリケート供給源、イミノ二酢酸(IDA)、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)、(1,2−シクロヘキシレンジニトリロ)四酢酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸および1,3−ジアミノプロパン四酢酸、それらの塩または付加化合物の1種以上、およびそれらの組合せが挙げられるが限定されない。誘電体不動態化剤を金属エッチング組成物に添加して誘電体酸化物構造物を保護し、このような誘電体酸化物のフッ化物攻撃によって生じた損傷を最小限に抑える。誘電体不動態化剤は、いずれかの適した濃度、例えば、金属エッチング組成物の全重量を基準にして10重量%以下、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下の濃度において、金属エッチング組成物中に存在することができる。
本出願の金属エッチング組成物は様々な他の適した成分をさらに含有してもよい。例えば、1種以上の金属キレート化化合物、例えばエチレンジアミン四酢酸(EDTA)、イミノ二酢酸(IDA)、シクロヘキサンジアミン四酢酸(CDTA)、酢酸、アセトンオキシム、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ベタイン、クエン酸、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセロール、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスタジン、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、シュウ酸、2,4−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、テレフタル酸、トリメリト酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール、前述のアミノ酸の誘導体、およびそれらの組合せを組成物に添加して、溶解された金属イオンとの錯体を形成し、エッチ表面上の金属の再堆積を防ぐことができる。
表面張力を低下および表面湿潤を改良することができる1種以上の湿潤剤または界面活性剤、例えばアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、双性イオン界面活性剤、または溶媒、例えばジエチレングリコールブチルエーテルまたは他のグリコールエーテルもまた、添加して金属エッチング速度を加速することができる。界面活性剤は好ましくは、金属エッチング組成物の全重量を基準にして、35重量%を超えない濃度において提供される。
シュウ酸、塩化物供給源、および過酸化水素を含有する本発明の水性金属エッチング組成物は、ニッケルエッチングのために特におよび予想外に有効である。具体的に、このような組成物は、約30℃〜約50℃の範囲のエッチング温度において約2,000Å/分〜約6,000Å/分の範囲のニッケルエッチング速度、ならびに約10,000Å/分〜約30,000Å/分の範囲のコバルトエッチング速度を達成することができる。
さらに、シュウ酸、塩化物供給源、過酸化水素、フルオロホウ酸、およびホウ酸を含有する水性金属エッチング組成物は、下にある誘電体酸化物構造物を損傷せずに、ニッケル、コバルト、チタンおよびタングステンをエッチングするのに非常に有効であることが見出された。具体的に、このような組成物は、約30℃〜約50℃の範囲のエッチング温度において、約35Å/分〜200Å/分の範囲のチタンエッチング速度、および約200Å/分の付近のタングステンエッチング速度を達成することができる。
本発明の特に好ましい実施形態において、金属エッチング組成物は、約2重量%〜約8重量%のシュウ酸、約2重量%〜約8重量%の塩化アンモニウム、および約7重量%〜約23重量%の過酸化水素を含有し、残余は脱イオン水である。このような金属エッチング組成物はアンモニアをさらに含有してもよく、本発明の特定の実施形態において、アンモニアは、第1の実施形態において約0.5〜約2重量%、第2の実施形態において約0.7〜約2.1重量%、および第3の実施形態において約0.9〜約2.9重量%の各実施形態の範囲にある濃度において存在し、全ての重量パーセンテージは組成物の全重量を基準にしている。
本発明の別の好ましい実施形態において、金属エッチング組成物は、約2重量%〜約8重量%の濃度のシュウ酸、約2重量%〜約8重量%の濃度の塩化アンモニウム、約0.4重量%〜約2重量%の濃度のフルオロホウ酸、任意に5重量%以下の濃度のホウ酸、約7重量%〜約23重量%の濃度の過酸化水素を含有し、残余は脱イオン水であり、全ての重量パーセンテージは組成物の全重量を基準にしている。
本発明の別の好ましい実施形態において、金属エッチング組成物は、約3重量%〜約9重量%のシュウ酸、任意に5重量%以下の塩化アンモニウム、約0.4重量%〜約2重量%のフルオロホウ酸、および約7重量%〜約23重量%の過酸化水素を含有し、残余は脱イオン水であり、全ての重量パーセンテージは組成物の全重量を基準にしている。
本発明のさらなる好ましい実施形態において、金属エッチング組成物は、約3重量%〜約9重量%のシュウ酸、約0.8重量%〜約3重量%の塩化アンモニウム、約0.4重量%〜約2重量%のフルオロホウ酸、任意に2重量%以下のホウ酸、および約7重量%〜約23重量%の過酸化水素を含有し、残余は脱イオン水であり、全ての重量パーセンテージは組成物の全重量を基準にしている。
本発明のさらに別の実施形態において、金属エッチング組成物は、約2重量%〜約8重量%のシュウ酸、約0.3重量%〜約2重量%の塩酸、および約6重量%〜約18重量%の過酸化水素を含有し、残余は脱イオン水であり、全ての重量パーセンテージは組成物の全重量を基準にしている。このような金属エッチング組成物は、組成物の全重量を基準にして、約0.2〜1重量%または0.4〜2重量%の範囲の濃度のフルオロホウ酸、および約0.03〜3重量%、好ましくは約0.03〜1重量%の範囲の濃度のホウ酸をさらに含有してもよい。
本発明のさらに別の実施形態は、約2重量%〜約8重量%のフルオロホウ酸、および約7重量%〜約22重量%の過酸化水素を含有する金属エッチング組成物を必要とし、残余は脱イオン水であり、全ての重量パーセンテージは組成物の全重量を基準にしている。
総合して考えると、シュウ酸の、塩化物含有化合物に対するモル比の範囲は約1:10〜約250:1、好ましくは約1:3〜約170:1、最も好ましくは約1:1〜約5:1の範囲であり、シュウ酸の、過酸化水素(存在する場合)に対するモル比の範囲は約1:20〜約1:1、好ましくは約1:10〜約1:1であり、シュウ酸の、フルオロホウ酸(存在する場合)に対するモル比の範囲は約1:2〜約60:1、好ましくは約1:1〜約40:1、最も好ましくは約5:1〜約15:1であり、シュウ酸の、ホウ酸(存在する場合)に対するモル比の範囲は約1:2〜約300:1、好ましくは約1:1〜約250:1、最も好ましくは約2:1〜約70:1である。
以下の表1は、識別(ID)記号A〜ZおよびBA〜BCを有する特定の具体的な金属エッチング組成物の調合物を示す。
表1に記載された金属エッチング組成物の全ては、組成物の残余として脱イオン水を含有し、それによって組成物の全ての成分は合計100重量パーセントになる。
また、本発明の水性金属エッチング溶液は、高温においておよび/または長時間にわたり加工されるときに金属ケイ化物および/または金属窒化物を除去するためにウエハ再加工に有用に使用され、下にある誘電体材料に対して損傷を与えないかまたは最小限に抑える。
本発明の特に好ましい実施形態において、エッチング組成物は、約3重量%〜約9重量%のシュウ酸、約0.2重量%〜約2重量%の塩酸、約0.2重量%〜約2重量%のフルオロホウ酸、任意に過酸化水素約0重量%〜約23重量%、および任意に2重量%以下のホウ酸を含有し、残余は脱イオン水であり、全ての成分の重量パーセントは組成物の全重量を基準にしており、合計100重量パーセントになる。具体的に、このような組成物は、約40℃〜約50℃の範囲のエッチング温度において約17Å/分程度のケイ化ニッケルエッチング速度、約9Å/分程度のケイ化コバルトエッチング速度、および約9Å/分程度の窒化チタンエッチング速度を達成することができる。
好ましくは、本発明の水性金属エッチング組成物は、シリカおよび/またはアルミナ、ポリマー粒子などの研磨材料、およびピロール、ピラゾール、イミダゾール、およびベンゾトリアゾールなどのトリアゾールなどの複素環化合物を実質的に含有しない。本明細書において定義された「実質的に含有しない(substantially devoid)」は、組成物の全重量を基準にして組成物の約0.5重量%未満、より好ましくは0.05重量%未満、最も好ましくは0.005重量%未満に相当する。
さらに別の実施形態において、水性金属エッチング組成物は、1種以上の有機酸、1種以上の塩化物供給源、残余材料、任意に1種以上の酸化剤、任意に1種以上のフッ化物供給源、および任意に1種以上の誘電体不動態化剤を含有し、残余材料は、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、それらの合金、ケイ化ニッケル、ケイ化コバルト、窒化チタン、およびそれらの組合せを含有する。重要なことには、残余材料は、本発明の水性金属エッチング組成物に溶解され、および/または懸濁されてもよい。
本発明の水性金属エッチング組成物は、各成分を単に添加して均質な条件に混合することによって容易に調合される。さらに、水性金属エッチング組成物は、単一パッケージ調合物または使用時にもしくは使用前に混合される複数部分調合物として容易に調合することができ、例えば、複数部分調合物の個々の部分を器具においてまたは器具の上流の貯蔵タンク内で混合することができる。各成分の濃度は水性金属エッチング組成物の特定の倍数において広範囲に変化されてもよく、すなわち、本発明の広い実施においてさらに希釈されるかまたはさらに濃縮されてもよく、本発明の水性金属エッチング組成物は本明細書の開示と一致した成分のいずれかの組合せを様々におよびもう1つの選択肢として含む、からなるまたはから本質的になりうることは理解されよう。
したがって、本発明の別の態様は、本発明の組成物を形成するようになっている1種以上の成分を1つ以上の容器内に含有するキットに関する。例えば、前記キットは、1つ以上の容器内に、少なくとも1種の有機酸および少なくとも1種の塩化物含有化合物、任意に少なくとも1種のフッ化物供給源、および任意に少なくとも1種の不動態化剤を例えば濃厚物として含有し、製造または使用時にそれぞれ、約1:10〜約10:1、より好ましくは約1:2〜約4:1、最も好ましくは約1:1〜約2:1の比において酸化剤を配合/希釈してもよい。キットの容器は、前記液体除去組成物を貯蔵および出荷するために適していなければならず、例えば、ナウパク(NOWPak)(登録商標)容器(アドバンスト・テクノロジー・マテリアルズ社(Advanced Technology Materials,Inc., Danbury,Coun.,USA))が挙げられる。
エッチングの適用において、水性金属エッチング組成物は、いずれかの適した方法で、例えば、マイクロ電子デバイスの表面上にエッチング組成物を吹付けることによって、エッチング組成物の容積内にマイクロ電子デバイスを浸すことによって、清浄にされるマイクロ電子デバイスを別の材料、例えば、エッチング組成物で含浸される、パッド、または繊維収着剤塗布要素と接触させることによって、マイクロ電子デバイスを循環エッチング組成物と接触させることによって、または清浄にされるマイクロ電子デバイスと接触してエッチング組成物を除去するいずれかの他の適した手段、方法または技術によって、清浄にされるマイクロ電子デバイスに適用される。
半導体製造作業に適用されるとき、本発明の水性金属エッチング組成物は、未反応ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、それらの合金、ケイ化ニッケル、ケイ化コバルト、窒化チタン、およびそれらの組合せを、このような材料を表面に有するマイクロ電子デバイス構造物から除去するために有用に使用される。
本発明の組成物は、誘電体層など、マイクロ電子デバイス上に存在してエッチング組成物に暴露されうる他の材料に対する、このような金属、金属合金および/または金属ケイ化物のそれらの選択率によって、高効率で金属、金属合金および/または金属ケイ化物の少なくとも部分的な除去を達成する。
金属、金属合金、および/または金属ケイ化物を、同材料を表面に有するマイクロ電子デバイス基板から除去するために本発明の組成物を使用するときに、エッチング組成物は典型的に、約1〜約60分間、好ましくは約15〜約30分間、約20℃〜約80℃、好ましくは約40℃〜約60℃の範囲の温度においてデバイス基板と接触される。このような接触時間および温度は例示目的であり、本発明の広い実施の範囲内で、金属、金属合金および/または金属ケイ化物をデバイス基板から少なくとも部分的に除去するために有効であるいずれかの他の適した時間および温度条件が使用されてもよい。本明細書において定義された「少なくとも部分的な除去」は、金属、金属合金および/または金属ケイ化物の少なくとも50%の除去、好ましくは、金属、金属合金および/または金属ケイ化物の少なくとも80%の除去に相当する。最も好ましくは、金属、金属合金および/または金属ケイ化物の少なくとも90%が本発明の組成物を用いて除去される。
所望の清浄化作用を達成した後、エッチング組成物は、例えば、リンス、洗浄、または本発明の組成物の所与の最終用途において望ましくかつ有効でありうるような、他の除去工程によって、以前に適用されているデバイスから容易に除去される。例えば、デバイスは脱イオン水でリンスされてもよい。
本発明のさらに別の実施形態は、マイクロ電子デバイスを含む物品を製造する方法に関し、前記方法は、金属、金属合金および/または金属ケイ化物を、前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから除去するために十分な時間、マイクロ電子デバイスを水性金属エッチング組成物と接触させる工程と、前記マイクロ電子デバイスを前記物品中に組み込む工程とを含み、前記水性金属エッチング組成物は、1種以上の有機酸、1種以上の塩化物供給源、任意に1種以上の酸化剤、任意に1種以上のフッ化物供給源、および任意に1種以上の誘電体不動態化剤を含有する。
さらに、ここに記載された組成物は、約1:1〜約100:1の比で水などの溶媒で希釈され、研磨スラリーからの粒子、炭素豊富粒子、研磨パッド粒子、ブラシ脱負荷粒子、構造粒子の装置材料、銅、酸化銅、および化学機械研磨(CMP)プロセスの副生成物であるいずれかの他の材料が挙げられるがそれらに限定されない後CMP残留物を除去するための後CMP組成物として使用されてもよいことはここで予想される。
本発明の特徴、態様および利点は、金属、金属ケイ化物および/または金属窒化物エッチング組成物の以下の特定の実施例によって、より完全に示される。
実施例1
組成物1〜15は、以下の表2の調合物によって構成され、各成分のパーセンテージは、組成物の全重量に基づいた重量パーセンテージであり、全ての成分の重量パーセンテージは合計100重量パーセントになる。
組成物1〜15は、以下の表2の調合物によって構成され、各成分のパーセンテージは、組成物の全重量に基づいた重量パーセンテージであり、全ての成分の重量パーセンテージは合計100重量パーセントになる。
前記組成物を窒化チタン(TiN)、ポリシリコン(ポリSi)、熱酸化物誘電体材料(TOX)、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)、窒化シリコン(SiN)およびケイ化ニッケル(NiSi)などの様々な基板のためのエッチング剤として測定した。基板の各々を40℃において15分間加工し、およびエッチ速度をオングストローム/分(Å/分)で測定した。全ての組成物1〜15のエッチ速度はコバルト金属上で>5000Å/分であり、ニッケル金属上で>4000Å/分であった。以下の表3はエッチ速度のデータを示す。
データは、組成物1〜15がポリシリコン、熱酸化物、TEOSおよび窒化シリコンなどの誘電体材料についてよりも窒化チタンおよびケイ化ニッケルについて、より高いエッチ速度を達成したことを示す。さらに、CoおよびNiのエッチ速度はそれぞれ、>5000Å min−1および>4000Å min−1であったので、窒化チタン、ケイ化物材料、および誘電体材料の最小のエッチングでマイクロ電子デバイスの表面からCoおよびNiを選択的に除去することが可能である。
実施例2
エネルギー分散型X線分光分析の検査を約255オングストロームの厚さのケイ化ニッケルの薄膜を表面に有するシリコン基板で行った。
エネルギー分散型X線分光分析の検査を約255オングストロームの厚さのケイ化ニッケルの薄膜を表面に有するシリコン基板で行った。
図1は、NiSi薄膜を表面に有するシリコン基板の対照用試料のエネルギー分散型X線分光分析のグラフである。著しいニッケルピークがグラフに存在する。
図2は15分間、40℃において実施例1の組成物7で加工された時の、シリコン基板試料上のNiSi薄膜のエネルギー分散型X線分光分析のグラフである。図1のグラフと比較して、ニッケルピークは図2のグラフにおいて実質的に存在せず、NiSi薄膜(約255オングストローム)がエッチングにより除去されたことを示す。走査電子顕微鏡法(SEM)を試料で行ない、NiSi層がエッチング組成物によって除去されたことを同様に裏づける断面画像を提供した。
実施例3
エネルギー分散型X線分光分析の検査を約1,000オングストロームの厚さの窒化チタンの薄膜を表面に有するシリコン基板で行った。
エネルギー分散型X線分光分析の検査を約1,000オングストロームの厚さの窒化チタンの薄膜を表面に有するシリコン基板で行った。
図3は、TiN薄膜を表面に有するシリコン基板の対照用試料のエネルギー分散型X線分光分析のグラフである。著しいチタンピークが観察された。
図4は15分間、60℃において実施例1の組成物14で加工された時の、シリコン基板試料上のTiN薄膜のエネルギー分散型X線分光分析のグラフである。図3のグラフと比較して、チタンピークは図4のグラフにおいて実質的に存在せず、TiN薄膜(約1000オングストローム)がエッチングにより除去されたことを示す。走査電子顕微鏡法(SEM)を試料で行ない、TiN層がエッチング組成物によって除去されたことを同様に裏づける断面画像を提供した。
実施例4
組成物16〜18は以下の表4の調合物によって構成され、各成分のパーセンテージは、組成物の全重量に基づいた重量パーセンテージであり、全ての成分の重量パーセンテージは合計100重量パーセントになる。
組成物16〜18は以下の表4の調合物によって構成され、各成分のパーセンテージは、組成物の全重量に基づいた重量パーセンテージであり、全ての成分の重量パーセンテージは合計100重量パーセントになる。
前記組成物をケイ化コバルト(CoSi2)およびケイ化ニッケル(NiSi)のエッチング剤として測定した。基板の各々を以下の表5に示されるように加工し、エッチ速度をオングストローム/分(Å/分)で測定した。以下の表5は、エッチ速度データを示す。
表5の結果が示すように、組成物16〜18はケイ化コバルト上の良いエッチング性能を明白に示し、組成物18はケイ化物上の良いエッチング性能を明白に示す。
本発明は、様々な特定の態様、特徴および実施形態に関してここに記載されたが、本発明はこれに限定されるものではなく、本明細書の開示に基づいて当業者に示唆されるような他の変型、改良および実施形態にまで及び、それらを包含することは理解されよう。したがって、本発明は、冒頭で特許請求される本発明の趣旨および範囲内で、全てのかかる他の変型、改良および実施形態を含めるとして広く解され、解釈されるものである。
Claims (41)
- a)組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b)組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c)任意に、組成物の全重量の約0%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e)任意に、組成物の全重量の約0%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤とを含み、
前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから未反応金属または金属合金を除去するために適している、水性金属エッチング組成物。 - 前記1種以上の有機酸が、シュウ酸、ギ酸、コハク酸、リンゴ酸、マロン酸、クエン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸(DDBSA)、グリコール酸、ニトリロトリス(メチレン)三リン酸(NTMTP)、酢酸、乳酸、サリチル酸、グリシン、アスコルビン酸、没食子酸、フタル酸、酒石酸、安息香酸、フマル酸、マンデル酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、グルコン酸、およびそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1種の有機酸を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記1種以上の塩化物含有化合物が、塩酸、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化アンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化テトラアルキルアンモニウム、塩化アリールアンモニウム塩、任意のアミン塩化水素塩、およびそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1種の塩化物含有組成物を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約0.1%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤をさらに含み、前記1種以上の酸化剤が、フッ化水素(HF)、過酸化水素(H2O2)、オゾン(O3)、過塩素酸(HClO4)、亜塩素酸アンモニウム(NH4ClO2)、塩素酸アンモニウム(NH4ClO3)、ヨウ素酸アンモニウム(NH4IO3)、過ホウ酸アンモニウム(NH4BO3)、過塩素酸アンモニウム(NH4ClO4)、過ヨウ素酸アンモニウム(NH4IO3)、過硫酸アンモニウム((NH4)2S2O8)、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO2)、塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO3)、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)IO3)、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO)、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)BO3)、過塩素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)ClO4)、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)IO4)、過硫酸テトラメチルアンモニウム((N(CH3)4)S2O8)、尿素過酸化水素((CO(NH2)2)H2O2)、およびそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1種の酸化剤を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約0.05%〜約10%の範囲の濃度の前記フッ化物含有化合物を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記フッ化物含有化合物が、フルオロホウ酸、ホウフッ化アンモニウム、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラアルキルアンモニウム、フッ化アルキル第三級アンモニウム、フッ化アリール第三級アンモニウム塩、フッ化アミン塩、およびそれらの組合せからなる群から選択された化合物を含む、請求項5に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約0.03%〜約10%の範囲の濃度の前記誘電体不動態化剤を含み、前記誘電体不動態化剤が、ホウ酸、ケイ酸テトラメチルアンモニウム、任意のシリコンまたはシリケート供給源、イミノ二酢酸(IDA)、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、(1,2−シクロヘキシレンジニトリロ)四酢酸、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、1,3−ジアミノプロパンテトラアセテート、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、およびそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1種の薬剤を含む、請求項5に記載の組成物。
- エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、イミノ二酢酸(IDA)、シクロヘキサンジアミン四酢酸(CDTA)、酢酸、アセトンオキシム、アラニン、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ベタイン、クエン酸、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセロール、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスタジン、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、シュウ酸、2,4−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、テレフタル酸、トリメリト酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール、前述のアミノ酸の誘導体、およびそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1種の化合物を含む金属キレート化化合物をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、双性イオン界面活性剤、溶媒、ジエチレングリコールブチルエーテル、グリコールエーテル、およびそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1種の表面活性剤を含む界面活性剤をさらに含み、前記少なくとも1種の表面活性剤が表面張力を低下させ、表面湿潤を改良する、請求項1に記載の組成物。
- シュウ酸を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約2%〜約9%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約1%〜約8%の範囲の濃度の塩化アンモニウム、および組成物の全重量の約0.1%〜約30%の範囲の濃度の過酸化水素を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約0.5%〜約3%の範囲の濃度のアンモニアをさらに含み、約0.2〜約4の範囲のpHを有する、請求項11に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約2%〜約9%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約1%〜約8%の範囲の濃度の塩化アンモニウム、組成物の全重量の約0.2%〜約4%の範囲の濃度のフルオロホウ酸、任意に、組成物の全重量の約0%〜約30%の範囲の濃度の過酸化水素、および任意に、組成物の全重量の約0%〜約5%の範囲の濃度のホウ酸を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約7%〜約23%の範囲の濃度の過酸化水素を含む、請求項13に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約2%〜約8%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度のフルオロホウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度の塩酸、任意に、組成物の全重量の約0%〜約2.0%の範囲の濃度のホウ酸、および任意に、組成物の全重量の約0%〜約18%の範囲の濃度の過酸化水素を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約6%〜約18%の範囲の濃度の過酸化水素を含む、請求項15に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約0.03%〜約2.0%の範囲の濃度のホウ酸を含む、請求項15に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約2%〜約8%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度のフルオロホウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度の塩酸、組成物の全重量の約0.03%〜約2.0%の範囲の濃度のホウ酸、および組成物の全重量の約6%〜約18%の範囲の濃度の過酸化水素を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約2%〜約8%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度の塩酸、および組成物の全重量の約6%〜約18%の範囲の濃度の過酸化水素を含む、請求項1に記載の組成物。
- pHが約0.2〜約4の範囲である、請求項1に記載の組成物。
- 硝酸を含有しない、請求項1に記載の組成物。
- 研磨剤、ポリマー粒子、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、およびトリアゾールを実質的に含有しない、請求項1に記載の組成物。
- 前記マイクロ電子デバイスが、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロ電子機械システム(MEMS)からなる群から選択された物品を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記未反応金属および金属合金が、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの組合せからなる群から選択された種を含む、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約3%〜約9%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度のフルオロホウ酸、組成物の全重量の約7%〜約23%の範囲の濃度の過酸化水素、および任意に、組成物の全重量の5%以下の濃度の塩化アンモニウムを含み、前記材料を表面に有するマイクロ電子デバイスから未反応金属または金属合金を除去するために適している、水性金属エッチング組成物。
- ニッケル、コバルト、チタン、タングステンおよびそれらの混合物および合金からなる群から選択された金属または金属合金のエッチングのために、シュウ酸、塩化物含有化合物、過酸化水素、フルオロホウ酸、およびホウ酸を含む、請求項1に記載の組成物。
- ケイ化ニッケル、ケイ化コバルト、窒化チタン、およびそれらの組合せからなる群から選択されたケイ化物および/または窒化物のエッチングのために、シュウ酸、塩化物含有化合物、フルオロホウ酸、任意に過酸化水素、および任意にホウ酸を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記塩化物含有化合物が塩酸を含む、請求項27に記載の組成物。
- ニッケル、コバルト、およびそれらの混合物または合金からなる群から選択された未反応金属または金属合金を少なくとも部分的に除去するための方法であって、前記未反応金属または金属合金を水性金属エッチング組成物と、それらの少なくとも部分的な除去を行うために十分な温度においておよび十分な時間にわたり、接触させる工程を含み、前記水性金属エッチング組成物が、
a.前記組成物の全重量の約1%〜約20%の範囲の濃度の1種以上の有機酸と、
b.前記組成物の全重量の約0.05%〜約15%の範囲の濃度の1種以上の塩化物含有化合物と、
c.任意に、前記組成物の全重量の約0.1%〜約50%の範囲の濃度の1種以上の酸化剤と、
d.任意に、前記組成物の全重量の約0.05%〜約10%の範囲の濃度の1種以上のフッ化物含有化合物と、
e.任意に、前記組成物の全重量の約0.03%〜約10%の範囲の濃度の1種以上の誘電体不動態化剤と、を含む、方法。 - 前記未反応金属または金属合金がニッケルから本質的になり、前記水性金属エッチング組成物が約30℃〜約50℃の範囲の温度において前記未反応金属または金属合金と接触され、前記未反応金属または金属合金が約2,000Å/分〜約6,000Å/分の範囲の速度において前記エッチング組成物によって除去される、請求項29に記載の方法。
- 前記未反応金属または金属合金がコバルトから本質的になり、前記水性金属エッチング組成物が約30℃〜約50℃の範囲の温度において前記未反応金属または金属合金と接触され、前記未反応金属または金属合金が約10,000Å/分〜約30,000Å/分の範囲の速度において、前記エッチング組成物によって除去される、請求項29に記載の方法。
- 前記未反応金属または金属合金がチタンおよびタングステンの少なくとも1種を含み、前記水性金属エッチング組成物がフッ化物含有化合物をさらに含む、請求項29に記載の方法。
- 前記フッ化物含有化合物が、フルオロホウ酸、ホウフッ化アンモニウム、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラアルキルアンモニウム、フッ化アルキルおよび/またはアリール第三級アンモニウム塩、およびフッ化アミン塩からなる群から選択された少なくとも1種の化合物を含む、請求項32に記載の方法。
- ケイ化ニッケル、ケイ化コバルト、窒化チタン、およびそれらの組合せからなる群から選択された金属ケイ化物または金属窒化物を少なくとも部分的に除去するための方法であって、前記金属ケイ化物または金属窒化物を請求項15に記載の水性金属エッチング組成物と、それらの少なくとも部分的な除去を行うために十分な温度においておよび十分な時間にわたり、接触させる工程を含む、方法。
- ニッケル、コバルト、チタン、タングステンおよびそれらの混合物または合金からなる群から選択された未反応金属または金属合金を少なくとも部分的に除去するための方法であって、前記未反応金属または金属合金を請求項18に記載の水性金属エッチング組成物と、前記金属または金属合金の少なくとも部分的な除去を行うために十分な温度においておよび十分な時間にわたり、接触させる工程を含む、方法。
- 請求項1に記載の水性金属エッチング組成物を使用することを含む、半導体製品を製造する方法。
- 請求項1に記載の組成物を含む複数部分金属エッチング試薬キットであって、各部分が組成物の全ての成分未満含まれ、全ての部分を合わせて組成物を提供する、複数部分金属エッチング試薬キット。
- 請求項1に記載の組成物を製造するための前駆調合物であって、水の全量以外の前記組成物のためのその成分を含む、前駆調合物。
- 金属エッチング組成物を製造する方法であって、請求項35に記載の前駆調合物を提供する工程と、水をそれに添加して前記組成物を製造する工程とを含む、方法。
- 組成物の全重量の約2%〜約9%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約1%〜約8%の範囲の濃度の塩化アンモニウム、および組成物の全重量の約0.1%〜約30%の範囲の濃度の過酸化水素からなる、請求項1に記載の組成物。
- 組成物の全重量の約2%〜約8%の範囲の濃度のシュウ酸、組成物の全重量の約0.2%〜約2%の範囲の濃度の塩酸、および組成物の全重量の約6%〜約18%の範囲の濃度の過酸化水素からなる、請求項1に記載の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US69011505P | 2005-06-13 | 2005-06-13 | |
PCT/US2006/022859 WO2006138235A2 (en) | 2005-06-13 | 2006-06-13 | Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008547202A true JP2008547202A (ja) | 2008-12-25 |
Family
ID=37571015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008516987A Withdrawn JP2008547202A (ja) | 2005-06-13 | 2006-06-13 | 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090212021A1 (ja) |
EP (1) | EP1894230A2 (ja) |
JP (1) | JP2008547202A (ja) |
KR (1) | KR20080015027A (ja) |
CN (1) | CN101233601A (ja) |
IL (1) | IL188082A0 (ja) |
TW (1) | TW200709294A (ja) |
WO (1) | WO2006138235A2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010214267A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tosoh Corp | 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 |
JP2011018777A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Fujifilm Corp | 電子素子及びその製造方法、表示装置、並びにセンサー |
WO2012017819A1 (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 昭和電工株式会社 | ニッケル白金合金系金属除去用組成物 |
WO2013032047A1 (ko) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
WO2013111907A1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | Fujifilm Corporation | Etching method and etching liquid used therein |
WO2013146060A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト密着性向上剤及び銅配線製造方法 |
JP2014001447A (ja) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属接着を向上させる活性化方法 |
WO2014069517A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
WO2014084204A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2015122496A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 窒化チタンハードマスク用組成物及びエッチング残渣の除去 |
JP2016025358A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-02-08 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 窒化チタンハードマスク及びエッチ残留物除去 |
JP2016127065A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
JP2016157714A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、エッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
JP2017502129A (ja) * | 2013-12-11 | 2017-01-19 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
KR20190007636A (ko) | 2017-07-13 | 2019-01-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 니켈계 및 질화티타늄계 금속 제거용 조성물 |
WO2020049955A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法 |
WO2020166676A1 (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-20 | 株式会社トクヤマ | 次亜塩素酸イオン、及びpH緩衝剤を含む半導体ウェハの処理液 |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1949422A1 (en) * | 2005-10-21 | 2008-07-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for cleaning a semiconductor structure and chemistry thereof |
CN101356629B (zh) | 2005-11-09 | 2012-06-06 | 高级技术材料公司 | 用于将其上具有低k介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法 |
JP5286664B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-09-11 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
SG177915A1 (en) * | 2006-12-21 | 2012-02-28 | Advanced Tech Materials | Liquid cleaner for the removal of post-etch residues |
TWI516573B (zh) * | 2007-02-06 | 2016-01-11 | 安堤格里斯公司 | 選擇性移除TiSiN之組成物及方法 |
US20080224092A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant for metal |
US20100112728A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
TW200908148A (en) * | 2007-03-31 | 2009-02-16 | Advanced Tech Materials | Methods for stripping material for wafer reclamation |
US7670497B2 (en) * | 2007-07-06 | 2010-03-02 | International Business Machines Corporation | Oxidant and passivant composition and method for use in treating a microelectronic structure |
US20100301010A1 (en) * | 2007-10-08 | 2010-12-02 | Basf Se | ETCHANT COMPOSITIONS AND ETCHING METHOD FOR METALS Cu/Mo |
EP2247672B1 (en) * | 2008-02-29 | 2013-06-05 | Avantor Performance Materials, Inc. | Microelectronic substrate cleaning compositions |
JP5561914B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-07-30 | 関東化学株式会社 | 半導体基板洗浄液組成物 |
KR101004506B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2010-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 공통 소스라인을 갖는 수직 자기형 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR101507592B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2015-04-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기발광다이오드표시장치의 식각액 조성물 |
KR20110063845A (ko) * | 2008-10-02 | 2011-06-14 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 실리콘 기판의 금속 로딩 및 표면 패시베이션을 향상시키기 위한 계면활성제/소포제 혼합물의 용도 |
JP4903242B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2012-03-28 | アバントール パフォーマンス マテリアルズ, インコーポレイテッド | 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物 |
EP2256549A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-01 | Obducat AB | Fabrication of Metallic Stamps for Replication Technology |
KR101146099B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2012-05-16 | 솔브레인 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 |
TWI427695B (zh) * | 2009-12-17 | 2014-02-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 紋理化半導體基板之改良方法 |
CN102234513A (zh) * | 2010-04-20 | 2011-11-09 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 含钛膜层的退镀液及其使用方法 |
KR101825493B1 (ko) | 2010-04-20 | 2018-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 |
JP2013533631A (ja) | 2010-07-16 | 2013-08-22 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤 |
JP6101421B2 (ja) | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
BR112013003854A2 (pt) | 2010-08-20 | 2016-06-07 | Advanced Tech Materials | processo sustentável para reivindicação de metais preciosos e metais de base oriundo de resíduo e |
WO2012048079A2 (en) | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
TWI502065B (zh) | 2010-10-13 | 2015-10-01 | Entegris Inc | 抑制氮化鈦腐蝕之組成物及方法 |
KR20120067198A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
US20140318584A1 (en) | 2011-01-13 | 2014-10-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for the removal of particles generated by cerium-containing solutions |
EP2683792B1 (en) | 2011-03-11 | 2019-09-25 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Novel etching composition |
KR20120138290A (ko) * | 2011-06-14 | 2012-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 |
JP6051632B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2016-12-27 | 日立化成株式会社 | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP5933950B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
TWI577834B (zh) | 2011-10-21 | 2017-04-11 | 富士軟片電子材料美國股份有限公司 | 新穎的鈍化組成物及方法 |
CN102496567B (zh) * | 2011-12-20 | 2013-10-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种iii-v族半导体镍金属化制造方法 |
SG11201403556WA (en) | 2011-12-28 | 2014-07-30 | Advanced Tech Materials | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
CN104508072A (zh) | 2012-02-15 | 2015-04-08 | 安格斯公司 | 用于cmp后去除的组合物及使用方法 |
JP2015517691A (ja) | 2012-05-18 | 2015-06-22 | インテグリス,インコーポレイテッド | 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス |
KR101922625B1 (ko) * | 2012-07-03 | 2018-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 |
US8603837B1 (en) * | 2012-07-31 | 2013-12-10 | Intermolecular, Inc. | High productivity combinatorial workflow for post gate etch clean development |
KR102002131B1 (ko) * | 2012-08-03 | 2019-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 |
US8709277B2 (en) | 2012-09-10 | 2014-04-29 | Fujifilm Corporation | Etching composition |
JP6017273B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2016-10-26 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2014103179A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
KR102118964B1 (ko) * | 2012-12-05 | 2020-06-08 | 엔테그리스, 아이엔씨. | Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법 |
GB2508827A (en) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | Henkel Ag & Co Kgaa | Aqueous compositions and processes for passivating and brightening stainless steel surfaces |
JP6363116B2 (ja) | 2013-03-04 | 2018-07-25 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 |
SG11201509933QA (en) | 2013-06-06 | 2016-01-28 | Advanced Tech Materials | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
CN103409753B (zh) * | 2013-07-23 | 2015-08-19 | 苏州羽帆新材料科技有限公司 | 金属蚀刻剂及其制备方法 |
US10138117B2 (en) | 2013-07-31 | 2018-11-27 | Entegris, Inc. | Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility |
CN104425654B (zh) * | 2013-08-28 | 2017-08-25 | 上海晶玺电子科技有限公司 | 蚀刻方法 |
EP3039098B1 (en) | 2013-08-30 | 2020-09-30 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
US20150087144A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method of manufacturing metal gate semiconductor device |
WO2015095175A1 (en) | 2013-12-16 | 2015-06-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same |
KR102352475B1 (ko) | 2013-12-20 | 2022-01-18 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 이온-주입된 레지스트의 제거를 위한 비-산화성 강산의 용도 |
CN103645187B (zh) * | 2013-12-31 | 2015-12-30 | 广州天至环保科技有限公司 | 一种在线快速无损检测金镀层品质的测试试剂及使用方法 |
US10475658B2 (en) | 2013-12-31 | 2019-11-12 | Entegris, Inc. | Formulations to selectively etch silicon and germanium |
TWI659098B (zh) | 2014-01-29 | 2019-05-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 化學機械研磨後配方及其使用方法 |
US11127587B2 (en) | 2014-02-05 | 2021-09-21 | Entegris, Inc. | Non-amine post-CMP compositions and method of use |
US20150368557A1 (en) * | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Hyosan Lee | Metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same |
KR102218669B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2021-02-22 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
JP6121959B2 (ja) * | 2014-09-11 | 2017-04-26 | 株式会社東芝 | エッチング方法、物品及び半導体装置の製造方法、並びにエッチング液 |
US20160163551A1 (en) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming metal silicide regions on semiconductor devices using an organic chelating material during a metal etch process |
KR102247235B1 (ko) * | 2015-01-26 | 2021-05-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 티타늄막 식각액 조성물 |
KR102360224B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2022-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 세정용 조성물 |
US10879076B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-12-29 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/silicon stack during manufacture of a semiconductor device |
US20190103282A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Versum Materials Us, Llc | Etching Solution for Simultaneously Removing Silicon and Silicon-Germanium Alloy From a Silicon-Germanium/Silicon Stack During Manufacture of a Semiconductor Device |
CN108193206B (zh) * | 2017-12-28 | 2019-09-27 | 北京钢研新冶工程设计有限公司 | 一种退镍剂、制备方法及使用方法 |
KR102463391B1 (ko) * | 2018-01-12 | 2022-11-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 약액, 기판의 처리 방법 |
CN109111925A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-01 | 绵阳致知高新科技有限责任公司 | 一种蚀刻液组合物及其氮化钽薄膜的湿法刻蚀方法 |
CN113412324B (zh) * | 2018-12-03 | 2022-12-02 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 蚀刻组合物 |
KR20220002555A (ko) * | 2019-05-01 | 2022-01-06 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 에칭 조성물 |
KR20220020363A (ko) * | 2019-06-13 | 2022-02-18 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 에칭 조성물 |
KR20210100258A (ko) | 2020-02-05 | 2021-08-17 | 삼성전자주식회사 | 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
CN115110139A (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-27 | 富联裕展科技(深圳)有限公司 | 钛合金工件、外壳、钛合金工件的制备方法及蚀刻液 |
CN114293056B (zh) * | 2021-12-20 | 2022-12-23 | 富联裕展科技(深圳)有限公司 | 金属工件、金属制品、蚀刻液以及金属工件的制作方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57164984A (en) * | 1981-04-06 | 1982-10-09 | Metsuku Kk | Exfoliating solution for tin or tin alloy |
US5320709A (en) * | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
US5800726A (en) * | 1995-07-26 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Selective chemical etching in microelectronics fabrication |
US7534752B2 (en) * | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
US5698503A (en) * | 1996-11-08 | 1997-12-16 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
US6896826B2 (en) * | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US6194317B1 (en) * | 1998-04-30 | 2001-02-27 | 3M Innovative Properties Company | Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer |
WO1998058089A1 (fr) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Procede de fusion de metal noble |
US6033993A (en) * | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
US6331490B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-12-18 | Semitool, Inc. | Process for etching thin-film layers of a workpiece used to form microelectric circuits or components |
KR20010025043A (ko) * | 1998-05-18 | 2001-03-26 | 바누치 유진 지. | 반도체 기판용 스트립팅 조성물 |
ATE474899T1 (de) * | 1998-10-23 | 2010-08-15 | Fujifilm Electronic Materials | Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung,eine beschleunigerlösung enthaltend |
KR100472882B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2005-03-07 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법 |
US6740590B1 (en) * | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
JP3974305B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2007-09-12 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器 |
DE19937503C1 (de) * | 1999-08-09 | 2001-01-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Ätzen von wismuthaltigen Oxidfilmen |
US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6194366B1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6492308B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6723691B2 (en) * | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6465404B2 (en) * | 2000-03-21 | 2002-10-15 | Bbj Environmental Solutions, Inc. | Aqueous cleaning composition with controlled PH |
US6486108B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
DE60131080T2 (de) * | 2000-05-31 | 2008-07-31 | Jsr Corp. | Schleifmaterial |
JP3837277B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 銅の研磨に用いる化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
US6936541B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-08-30 | Rohn And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for planarizing metal interconnects |
US6362095B1 (en) * | 2000-10-05 | 2002-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nickel silicide stripping after nickel silicide formation |
US6461227B1 (en) * | 2000-10-17 | 2002-10-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a memory or rigid disk with an ammonia-and/or halide-containing composition |
JP2002226974A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-08-14 | Ebara Corp | 無電解Ni−Bめっき液、電子デバイス装置及びその製造方法 |
CN1260778C (zh) * | 2000-12-04 | 2006-06-21 | 株式会社荏原制作所 | 基片加工方法 |
US6566315B2 (en) * | 2000-12-08 | 2003-05-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures |
US20020119245A1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Steven Verhaverbeke | Method for etching electronic components containing tantalum |
US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
US6642199B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-11-04 | Hubbard-Hall, Inc. | Composition for stripping nickel from substrates and process |
EP1389496A1 (en) * | 2001-05-22 | 2004-02-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for cleaning surface of substrate |
JP2003188254A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
JP2003332426A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6849200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material |
GB2395486B (en) * | 2002-10-30 | 2006-08-16 | Kao Corp | Polishing composition |
US8236485B2 (en) * | 2002-12-20 | 2012-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photoresist removal |
JP4267331B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2009-05-27 | 株式会社荏原製作所 | 基板の処理方法及びエッチング液 |
US6916742B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-07-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Modular barrier removal polishing slurry |
US6953532B2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-10-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a lanthanide substrate |
GB2402941B (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-27 | Kao Corp | Method for manufacturing substrate |
US20050056810A1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-03-17 | Jinru Bian | Polishing composition for semiconductor wafers |
US6971945B2 (en) * | 2004-02-23 | 2005-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-step polishing solution for chemical mechanical planarization |
US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
US20060154186A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings |
US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
SG10201504423QA (en) * | 2005-06-07 | 2015-07-30 | Entegris Inc | Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition |
-
2006
- 2006-06-13 KR KR1020077030095A patent/KR20080015027A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-06-13 TW TW095120894A patent/TW200709294A/zh unknown
- 2006-06-13 WO PCT/US2006/022859 patent/WO2006138235A2/en active Application Filing
- 2006-06-13 EP EP06772953A patent/EP1894230A2/en not_active Withdrawn
- 2006-06-13 CN CNA2006800281422A patent/CN101233601A/zh active Pending
- 2006-06-13 JP JP2008516987A patent/JP2008547202A/ja not_active Withdrawn
- 2006-06-13 US US11/917,453 patent/US20090212021A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-12-12 IL IL188082A patent/IL188082A0/en unknown
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010214267A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Tosoh Corp | 研磨した石英ガラス基板の洗浄方法 |
JP2011018777A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Fujifilm Corp | 電子素子及びその製造方法、表示装置、並びにセンサー |
WO2012017819A1 (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 昭和電工株式会社 | ニッケル白金合金系金属除去用組成物 |
WO2013032047A1 (ko) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
WO2013111907A1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | Fujifilm Corporation | Etching method and etching liquid used therein |
JP2013151726A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Fujifilm Corp | エッチング方法、およびこれに用いられるエッチング液 |
JP2014001447A (ja) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属接着を向上させる活性化方法 |
WO2013146060A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト密着性向上剤及び銅配線製造方法 |
JP2013211346A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nagase Chemtex Corp | レジスト密着性向上剤及び銅配線製造方法 |
WO2014069517A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2014093407A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2014107434A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
WO2014084204A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
US9514958B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-12-06 | Fujifilm Corporation | Etching method of semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device |
JP2017502129A (ja) * | 2013-12-11 | 2017-01-19 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 表面の残留物を除去するための洗浄配合物 |
JP2015122496A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 窒化チタンハードマスク用組成物及びエッチング残渣の除去 |
US9472420B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
JP2016025358A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-02-08 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 窒化チタンハードマスク及びエッチ残留物除去 |
JP2016127065A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
JP2016157714A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、エッチング方法および半導体基板製品の製造方法 |
KR20190007636A (ko) | 2017-07-13 | 2019-01-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 니켈계 및 질화티타늄계 금속 제거용 조성물 |
WO2020049955A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法 |
US11505743B2 (en) | 2018-09-06 | 2022-11-22 | Fujifilm Corporation | Chemical solution and method for treating substrate |
WO2020166676A1 (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-20 | 株式会社トクヤマ | 次亜塩素酸イオン、及びpH緩衝剤を含む半導体ウェハの処理液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006138235A3 (en) | 2007-04-19 |
EP1894230A2 (en) | 2008-03-05 |
CN101233601A (zh) | 2008-07-30 |
WO2006138235A2 (en) | 2006-12-28 |
US20090212021A1 (en) | 2009-08-27 |
IL188082A0 (en) | 2008-03-20 |
TW200709294A (en) | 2007-03-01 |
KR20080015027A (ko) | 2008-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008547202A (ja) | 金属ケイ化物の形成後の金属または金属合金の選択的な除去のための組成物および方法 | |
US10731109B2 (en) | Post chemical mechanical polishing formulations and method of use | |
TWI659088B (zh) | 蝕刻組成物 | |
EP3599634A1 (en) | Composition for titanium nitride hard mask removal and etch residue cleaning | |
EP2305788B1 (en) | Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device | |
EP2798669B1 (en) | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride | |
US20100056409A1 (en) | Compositions for processing of semiconductor substrates | |
TW201014906A (en) | Alkaline aqueous solution composition for treating a substrate | |
KR20150100953A (ko) | TiSiN의 선택적 제거를 위한 조성물 및 공정 | |
EP2041776A2 (en) | Cleaning formulation for removing residues on surfaces | |
WO2012174518A2 (en) | Compositions and methods for selectively etching silicon nitride | |
JP2023182750A (ja) | エッチング組成物 | |
KR20140079443A (ko) | 신규 패시베이션 조성물 및 방법 | |
US8211844B2 (en) | Method for cleaning a semiconductor structure and chemistry thereof | |
TWI743026B (zh) | 無胺之化學機械研磨後(post cmp)組成物及其使用方法 | |
WO2014115758A1 (ja) | エッチング液 | |
WO2014178326A1 (ja) | エッチング液 | |
EP3850123B1 (en) | Etching compositions | |
WO2017059051A1 (en) | Acidic semi-aqueous fluoride activated anti-relective coating cleaners with superior substrate compatibilities and exceptional bath stability | |
KR20230056740A (ko) | 세정 조성물 | |
KR102026484B1 (ko) | 알루미늄 에칭후 잔류물 제거 및 동시 표면 부동태화 | |
CN116568743A (zh) | 清洁组成物 | |
CN111315859A (zh) | 基于氟化物的清洁组合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090901 |