KR102026484B1 - 알루미늄 에칭후 잔류물 제거 및 동시 표면 부동태화 - Google Patents

알루미늄 에칭후 잔류물 제거 및 동시 표면 부동태화 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에칭후 잔류물을 제거하면서 동시에 노출된 Al 표면을 부동태화하는, 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1의 형태의 선형 또는 분지형 알킬기일 수 있고, n은 4 내지 19임)의 알칸산으로 도핑된 Al 에칭후 잔류물 제거 조성물에 관한 것이다.

Description

알루미늄 에칭후 잔류물 제거 및 동시 표면 부동태화 {ALUMINUM POST-ETCH RESIDUE REMOVAL WITH SIMULTANEOUS SURFACE PASSIVATION}
본원에 개시되고 청구된 본 발명의 개념(들)은 알루미늄 (Al)을 포함하는 기판의 생산라인 전단 (Front End Of Line: FEOL) 반도체 가공을 위해 설계된 조성물 및 방법, 및 보다 특히 목적하지 않은 에칭후 잔류물을 제거할 뿐만 아니라 노출된 Al 표면을 동시에 부동태화하는 조성물로 에칭후 잔류물을 제거하는 것에 관한 것이다.
집적회로를 제작하는데 있어서, 목적하지 않은 입자 및 가공 잔류물을 웨이퍼, 즉 기판, 표면으로부터 제거하고 이를 통해 후속 가공 단계를 위한 웨이퍼 표면을 준비하기 위해서 웨이퍼 세정에서 사용하도록 액체 화학 조성물이 고안되어 왔다. 습식 세정 중, 기저 기판 표면의 특징을 변경하지 않으면서 입자 및 잔류물을 제거해야 한다. FEOL 세정 공정에서, 기판 물질은 전형적으로 비교적 혹독한 열 및 화학적 조작을 견디기에 충분히 강한 규소, 산화규소 및 질화규소이고, 따라서 통상의 습식 세정 방법은 무기 산 또는 암모니아와 과산화수소의 다양한 혼합물을 이용하는 경향이 있다. 최근 반도체 설계는 폴리실리콘 게이트를 고-k 유전 물질의 구현과 결부된 금속으로 대체하고 있다. 새로운 FEOL 기판은 통상의 공격적인 세정을 견딜 수 없다. 그 외에, 기판 물질 손실에 대한 허용치는 장치 크기가 줄어들면서 더 작아지고 있다.
따라서, Al, TiN, TaN, NiSi 및 산화규소를 비롯한 FEOL 가공에서 사용되는 새로운 물질과 상용성인, 에칭후 잔류물 제거를 위한 개선된 조성물 및 방법에 대한 요구가 존재한다. 동시에 Al 금속 표면을 처리, 예를 들어 부동태화함으로써 표면이 장치 가공 단계 사이에서 분해되는 것을 보호하는 기능성을 갖는 개선된 조성물을 설계하는 것이 특히 중요하다.
본원에 기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 FEOL 가공을 위한 개선된 반도체 세정 조성물에 관한 것이다. 일 실시양태에서, 조성물은
(a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 약 50 중량% 내지 약 90 중량%;
(b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%;
(c) 유기 산, 포스폰산, 아미노산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 킬레이팅제 1 중량% 내지 약 5 중량%; 및
(d) 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1 형태의 선형 또는 분지형 알킬 기일 수 있고, 여기서 n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm
을 포함한다. 본 발명의 발명자들은 뜻밖에도 비교적 장쇄의 알칸산을 조성물에 첨가하는 것이 Al을 위한 이상적인 표면 컨디셔너로서 작용한다는 것을 발견하였다. 알칸산이 세정된, 즉 본래의 (pristine) 금속 표면 상에 정연되고 얇은 모노층 (monolayer)을 형성하는 동시에 잔류물 및 기타 목적하지 않은 입자가 세정 조성물 중 기타 성분의 작용에 의해 제거되는 것이 관찰되었다. 또한, 반도체 세정 조성물은 Al, TiN, TaN, NiSi 및 산화규소와 상용성이다.
또다른 실시양태에서, 기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 FEOL 공정에서 Al을 포함하는 반도체 기판 표면으로부터 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 방법이다. 상기 방법은 에칭후 잔류물이 상부에 잔류하는 표면에
(a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 약 50 중량% 내지 약 90 중량%;
(b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%;
(c) 유기 산, 포스폰산, 아미노산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 킬레이팅제 1 중량% 내지 약 5 중량%; 및
(d) 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1 형태의 선형 또는 분지형 알킬 기일 수 있고, 여기서 n은 4 내지 19임)의 n-알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm
을 포함하는 유효량의 조성물을 적용하는 것을 포함한다. 에칭후 잔류물은 제거되고, Al 표면은 동시에 부동태화된다. 장쇄 n-알칸산에 의해 형성되는 정연되고 얇은 모노층은 금속의 표면 상에 잔류하여 표면의 부식 및 산화를 막는다. 보호 모노층은 플라즈마 처리 또는 베이킹 (baking)으로 용이하게 탈착되어 다음 가공 단계를 위한 새로운 깨끗한 금속 표면을 산출할 수 있다.
또다른 실시양태에서, 기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 FEOL 가공을 위한 반도체 세정 조성물의 개선을 나타낸다. 이러한 개선은 Al을 포함하는 반도체 표면으로부터 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 조성물에 관한 것이다. 세정 조성물 전형적으로
(a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 약 50 중량% 내지 약 90 중량%;
(b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%; 및
(c) 유기 산, 포스폰산, 아미노산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로부터 선택되는 1종 이상의 킬레이팅제 1 중량% 내지 약 5 중량%
를 포함한다.
상기 개선은 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1 형태의 선형 또는 분지형 알킬 기일 수 있고, 여기서 n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm으로 조성물을 도핑하는 것을 포함하고, 여기서 알칸산은 금속 표면 상에 잔류하여 금속 표면의 부식 및 산화를 막는 정연되고 얇은 모노층을 형성하는 작용을 한다. 보호 모노층은 플라즈마 처리 또는 베이킹으로 용이하게 탈착되어 다음 가공 단계를 위한 새로운 깨끗한 금속 표면을 산출할 수 있다.
또다른 실시양태에서, 기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 FEOL 반도체 공정에서 Al을 부동태화하는 동시에 처리된 반도체 기판으로부터 에칭후 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1 형태의 선형 또는 분지형 알킬 기일 수 있고, 여기서 n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm에 Al을 노출시키는 것을 포함한다. 에칭후 잔류물은 제거되고, 동시에 Al은 금속 표면 상에 잔류하여 금속 표면의 부식 및 산화를 막는 정연되고 얇은 모노층의 형성에 의해 부동태화된다.
또다른 실시양태에서, 기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 Al의 부식을 억제하는 동시에 에칭후 잔류물을 제거하기 위해서 반도체 기판을 가공 조성물로 처리하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1 형태의 선형 또는 분지형 알킬 기일 수 있고, 여기서 n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm을 가공 조성물로 도입하는 것을 포함한다. 에칭후 잔류물 제거를 위한, 본 발명에 가장 적합한 전형적인 가공 조성물은
(a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 60 중량% 내지 약 90 중량%;
(b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%; 및
(c) 유기 산 및 아민으로부터 선택되는 1종 이상의 킬레이팅제 1 중량% 내지 약 5 중량%
를 포함한다.
에칭후 잔류물 제거용 개선된 반도체 가공 조성물을 위해서 본원에 기재되고 청구되는 본 발명의 설계는 양호한 잔류물 제거 역량을 나타내는 동시에 세정된 금속 표면을 다음 웨이퍼 가공 단계까지 연장된 기간 동안 보호하는 자가-조립된 (self-assembled) 모노층을 제공한다. 가공 조성물은 FEOL 세정뿐만 아니라 생산라인 후단 (Back End Of Line: BEOL) 세정을 위해서 사용될 수 있다.
본 발명의 개념(들)의 다른 측면, 특징 및 이점은 하기 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 및 청구범위로부터 보다 더 명백할 것이다.
도 1은 하기 보다 자세히 기재되는, 영역 A 및 영역 B가 묘사되어 있고 알칸산 농도에 따른 접촉각을 일반적으로 나타내는 그래프이다.
도 2는 3종의 알칸산에 대한 산 농도에 따른 접촉각을 나타내는 그래프이다.
본원에 기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 개선된 반도체 가공 조성물에 관한 것이다. 본 조성물은 특히 FEOL 가공에서 활용되며, Al, TiN, TaN, NiSi 및 산화규소를 비롯한 상기 공정에서 사용되는 물질과 상용성이다.
본원에서 사용되는 "잔류물"은 반도체 장치, 예를 들어 웨이퍼의 제작 (플라즈마 에칭, 애슁, 화학적 기계적 연마, 습식 에칭 및 이들의 조합을 포함하나 이에 제한되지는 않음) 동안 생성되는 입자에 해당한다.
본원에서 사용되는 "저-k 유전 물질"은 층상 마이크로전자 장치에서 유전 물질로서 사용되며, 유전 상수가 약 3.5 미만인 임의의 물질을 의미한다.
본원에서 사용되는 "에칭후 잔류물"은 기상 플라즈마 에칭 공정, 예를 들어 FEOL, BEOL 이중 다마신 공정 또는 습식 에칭 공정 후 잔류하는 물질을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 에칭후 잔류물은 본질적으로 예를 들어 규소 함유 물질, 탄소계 유기 물질, 및 에칭 기체 잔류물, 예컨대 산소 및 불소와 같은 유기물, 유기금속, 유기규소 또는 무기물일 수 있다.
본원에서 사용되는 "착화제"는 착화제, 킬레이팅제 및/또는 금속이온 봉쇄제인 것으로 당업자가 이해하는 화합물을 포함한다. 착화제는 본원에 기재되는 조성물을 사용하여 제거되는 금속 이온 또는 금속 원자와 화학적으로 결합되거나 또는 상기 금속 이온 또는 금속 원자를 물리적으로 보유할 것이다.
본원에서 사용되는 용어 "약"은 관련 수치의 ±5%를 의미하도록 의도된다.
본원에서 기재되는 반도체 가공 조성물, 즉 세정 조성물은 양호한 금속 상용성, 예를 들어 상호접촉 금속 및/또는 상호접촉부 금속 규화물 물질 상에서의 낮은 에칭 속도를 갖는다. 주요 관심 금속은 Al, TiN, TaN, NiSi 및 산화규소를 포함한다.
본원에 기재되는 세정 조성물은 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로부터 선택될 수 있는 적어도 1종 또는 그 이상의 수혼화성 유기 용매를 포함한다. 수혼화성 유기 용매의 농도는 약 50 중량% 내지 약 90 중량% 이하일 수 있다.
본원에 기재되는 조성물은 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플루오라이드 화합물을 약 0.1 중량% 내지 약 1.0 중량% 이하로 포함한다.
본원에 기재되는 조성물은 또한 유기산, 포스폰산, 아미노산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로부터 선택되는 1종 이상의 착화제를 약 1.0 중량% 내지 약 5 중량% 이하로 포함할 것이다.
기재되고 청구되는 본 발명의 개념(들)은 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n +1의 형태의 선형 또는 분지형 알킬기일 수 있고, 여기서 n은 4 내지 19임)의 n-알칸산 약 50 ppm 내지 약 20000 ppm을 본원에 기재되는 세정 조성물에 포함시킬 경우 에칭후 잔류물 제거 후 부식 및 산화로부터 금속 표면을 보호하는 정연되고 얇은 모노층이 금속의 표면 상에 동시에 형성됨을 발견한 것과 관련된다.
알칸산 농도와 관련하여 가장 유리하거나 최적의 모노층-형성 범위는 해당하는 최대 접촉각 형성 범위에 의해 결정된다. 예를 들어, 일 실시양태에서, 알칸산이 라우르산인 경우, 세정 조성물 중의 농도가 50 ppm 내지 500 ppm, 바람직하게는 100 ppm 내지 250 ppm일 때 최적의 접촉각을 나타낼 것이다. 또한, 실시가능한 접촉각이 3000 ppm 내지 10000 ppm 범위의 보다 높은 농도에서도 관찰된다. 또한, 스테아르산은 본 발명의 개념(들)을 수행하는데 있어 최적의 접촉각에 해당하는 2가지 상이한 농도 범위를 나타내는 것으로 관찰된다.
본원에 기재된 장쇄 n-알칸산은 에칭후 반도체 가공 조성물에 신규하고 매우 바람직한 기능성을 부여한다. 금속 표면과 결합하여 세정된, 즉 본래의 금속 표면 상에 정연되고 얇은 모노층을 형성하려는 n-알칸산의 경향으로 인해 금속 부식이 제어될 수 있다. 모노층은 연장된 시간 동안 금속 표면에 잔류하고, 이어서 플라즈마 처리 또는 베이킹으로 용이하게 탈착되어 다음 가공 단계에서 새로운 금속 표면을 이용가능하게 할 수 있다.
실험 결과
상기 기재된 장쇄 n-알칸산을 대표적인 에칭후 반도체 가공 조성물로 도핑하고, 다양한 농도로 희석하였다. Al 박막 웨이퍼를 수 분 동안 실온에서 도핑된 화학 용액에 침지시키고, 탈이온수 (DIW)로 세정하고, 질소 기체로 송풍 건조시켰다. X-선 광전자 분광법 (XPS)을 이용하여 화학 처리 후의 금속 표면 상태를 확인하였다. 화학 처리된 Al 웨이퍼 상의 물의 접촉각을 측정하여 표면 부동태화 층의 형성을 입증하였다.
웨이퍼 표면 부식 메카니즘
건식 에칭 및 습식 세정 가공 단계 이후의 Al 부식에 대하여 관찰되는 메카니즘 중 하나는 주위 환경에서의 에이징(aging) 후의 잔류 에칭 할라이드 기체의 존재로 인한 표면 결함의 형성으로부터 기인한다. 이러한 결함은 통상적인 과산화암모늄 세정 혼합물 (APM) 또는 다른 에칭후 잔류물 제거제에 의해 Al 산화물과 함께 제거될 수 있다. 그러나, 웨이퍼 대기 시간, 즉 유지 시간 동안, 다음 웨이퍼 가공 단계까지, 잔류 할라이드 기체가 Al 금속 표면에 재-침착되는 것이 관찰되며, 금속-할라이드 결함은 주위 환경에서 재생성될 수 있다. 이러한 웨이퍼 표면 부식 메카니즘은 하기 표 1에서 나타낸 XPS 분석 및 접촉각 측정 데이터에 의해 입증된다.
<표 1>
Figure 112013021494233-pat00001
본 실시예에서의 건식 에칭 및 애슁 공정 단계 이후, Al 표면은 산화될 수 있으며, 잔류 에칭 기체 분자는 산화물 층으로 확산될 수 있다. 표 1에서의 XPS 데이터는 Al 금속 표면 상에서의 F, Cl 및 Br의 존재를 입증한다. 높은 접촉각 값은 소수성 Al 산화물 표면을 입증한다. EKC 세정 또는 APM 세정 직후에, Al 표면 상에 잔류하는 할라이드의 상대적인 농도가 유의하게 감소된 것으로 관찰되었다. 다른 원소, 예컨대 O 및 Al의 농도에서의 상응하는 증가가 있었다. 보다 낮은 접촉각은 2가지 화학적으로 처리된 표면에 대하여 어느 정도 유사하였으며, 보다 친수성인 Al 금속 표면임을 나타냈다.
본 발명의 개념(들)을 입증하기 위하여, 본원에 기재된 본 발명의 개념(들)에 따라 Al 금속 표면 상에 자가-조립 모노층을 형성할 수 있는 장쇄 알칸산인 라우르산을 Al 부동태화제로서 선택하였다. 일련의 희석에 대한 접촉각을 측정하여, 모노층을 형성하기 위한 최적 도핑 농도 범위를 입증하였다. 도 1에서 나타낸 그래프를 참조하면, 라우르산의 농도가 증가됨에 따라, 분자는 Al 금속 표면 상에 부착되기 시작하며 (영역 A), 정렬된 모노층이 형성되었다. 상응하는 접촉각은 90 도 초과인 최대 값에 도달하였다. 보다 많은 라우르산 분자가 용액에 도핑되는 경우에, 이들은 제1 모노층에 부착되기 시작하며 무작위 배향된 2차 층을 형성하였다. 따라서, 접촉각은 감소되기 시작하였다. Al 금속 표면 상에서의 얇은 라우르산 필름의 시각적 검출 (영역 B)이 보다 높은 산 농도에서 가능하였다. 접촉각 측정은 본 발명에 따른 모노층 형성에 대한 최적 알칸산 농도 범위의 선택을 가능하게 하였다.
본 발명을 추가로 입증하기 위하여, Al 부동태화제로서 Al 금속 표면 상에 자가-조립 모노층을 형성할 수 있는 다양한 장쇄 알칸산으로 추가의 배합물을 제조하였다. 본 실시예에 대하여 선택된 배합물 데이터를 하기 표 1A에서 나타낸다. 옥탄산, 라우르산 및 스테아르산을 배합물의 알칸산 성분으로서 선택하였다. 산을 관찰된 접촉각 및 상응하는 모노층 농도 범위와 함께 표 1B에 열거하였다. 또한, 얻어진 접촉각을 도 2에서 그래프로 도시하였다.
<표 1A>
Figure 112013021494233-pat00002
<표 1B>
Figure 112013021494233-pat00003
도핑된 조성물은 바람직하지 않은 에칭후 잔류물 및 할라이드 오염물을 제거할 뿐 아니라, 또한 Al 금속 표면 상에 부동태화 단층을 침착시켰다. 이 결과는 F, Cl 및 Br에 대한 큰 접촉 각 및 감소된 XPS 신호를 나타내는 표 2에 나타낸 원소 농도의 XPS 결과에 의해 확인되었다. 표 2의 선 1 및 2에서의 17.1% 및 22.8%의 탄소 농도는 또한 본원에 기재된 본 발명의 개념(들)에 따라 부동태화 모노층의 형성에 상응한다.
<표 2>
Figure 112013021494233-pat00004
선 3은 10 초의 Ar 이온 스퍼터링에의 노출 후 Al 시험 웨이퍼에 대한 XPS 신호를 나타낸다. C에 대한 XPS 데이터는 탄소 농도의 감소를 나타내었으며, 이는 알칸산 모노층이 제거되었으며, 새로운 Al 금속 표면이 생성되었다는 증거이다. 이는 또한 Al에 대한 XPS 신호의 증가에 의해 입증된다.

Claims (7)

  1. (a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 50 중량% 내지 90 중량%;
    (b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%;
    (c) 유기산, 포스폰산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로부터 선택된 1종 이상의 킬레이트제 1 중량% 내지 5 중량%; 및
    (d) 화학식 R-COOH의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm (식 중, R은 CnH2n+1의 형태의 선형 또는 분지형 알킬기일 수 있고, n은 4 내지 19임)
    을 포함하는 반도체 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, Al, TiN, TaN, NiSi 및 산화규소와 상용성인 반도체 세정 조성물.
  3. FEOL 공정에서 Al을 포함하는 반도체 기판 표면으로부터 에칭후 잔류물을 제거하는 방법으로서, 상기 에칭후 잔류물이 상부에 잔류하는 표면에
    (a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 50 중량% 내지 90 중량%;
    (b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%;
    (c) 유기산, 포스폰산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로부터 선택된 1종 이상의 킬레이트제 1 중량% 내지 5 중량%; 및
    (d) 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n+1의 형태의 선형 또는 분지형 알킬기일 수 있고, n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm
    을 포함하는 유효량의 조성물을 적용하는 것을 포함하며, 에칭후 잔류물이 제거되고 동시에 Al 표면이 부동태화되는 방법.
  4. 에칭후 잔류물이 Al을 포함하는 반도체 표면으로부터 제거되고, 세정 조성물이
    (a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 50 중량% 내지 90 중량%;
    (b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%; 및
    (c) 유기산, 포스폰산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로부터 선택된 1종 이상의 킬레이트제 1 중량% 내지 5 중량%
    를 포함하는 FEOL 가공을 위한 반도체 세정 조성물로서, 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n+1의 형태의 선형 또는 분지형 알킬기일 수 있고, n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm으로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 세정 조성물.
  5. 에칭후 잔류물을 제거하기 위해 반도체 기판을 가공 조성물로 처리함과 동시에 Al의 부식을 억제하는 방법으로서,
    (a) 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 글리콜 에테르, 디글리콜 에테르, 디프로필렌 글리콜, 알킬 디올, 지방족 알코올, 글리세린, N-메틸-2-피롤리디논, 술폴란 및 디메틸 술폭시드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 수혼화성 유기 용매 50 중량% 내지 90 중량%;
    (b) 암모늄 플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라 알킬 암모늄 플루오라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 플루오라이드 화합물 0.1 중량% 내지 1.0 중량%; 및
    (c) 유기산, 포스폰산, 이미노디아세트산, 술폰산 및 아민으로부터 선택된 1종 이상의 킬레이트제 1 중량% 내지 5 중량%
    를 포함하는 가공 조성물에 화학식 R-COOH (식 중, R은 CnH2n+1의 형태의 선형 또는 분지형 알킬기일 수 있고, n은 4 내지 19임)의 알칸산 50 ppm 내지 20000 ppm을 도입하는 것을 포함하는 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
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