JP4758187B2 - フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液 - Google Patents
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Description
半導体装置の製造工程は、従来からフォトレジストパターンをマスクにして、基板上に成膜した層間絶縁膜材料や配線材料をパターニングするドライエッチングで行われている。
この製造工程では、層間絶縁膜材料上に形成した無機マスク層をフォトレジストをマスクとしてドライエッチングを行った後、アッシング処理によってフォトレジストを灰化除去し、無機マスクパターンを得る。この無機マスクを用いて層間絶縁膜をドライエッチングする。
ドライエッチング後のビアホール内部は、ビアホール側壁及び底面にポリマー残渣が残留し、そのまま残留した場合、層間絶縁膜材料と銅及び銅合金の層間絶縁膜材料への拡散を防止するバリアメタルとの密着性を低下させ、またポリマー残渣自体が不純物となり、電気特性の劣化を招く。しかも、配線間抵抗の上昇を招き、信頼性の低下の原因ともなる。
また、本発明は、さらにカルボン酸化合物を含有する、前記除去液に関する。
さらに、本発明は、カルボン酸化合物が、炭素数1〜4である一価の脂肪族カルボン酸、または炭素数2〜6である多価の脂肪族カルボン酸である、前記除去液に関する。
また、本発明は、フッ化水素酸の配合量が0.03〜0.05質量%であり、カルボン酸化合物の配合量が3〜30質量%である、前記除去液に関する。
さらに、本発明は、pHが1〜4である、前記除去液に関する。
また、本発明は、さらに有機溶剤を含む、前記除去液に関する。
さらに、本発明は、前記除去液を用いて、ドライエッチング及びアッシング処理後の半導体基板に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去する、半導体回路の製造方法に関する。
また、本発明の除去液は、酸化銅に対して高い溶解性を持ち、且つ銅をアタックしない。このことは、ドライエッチング及びアッシングのビアホール底部のCuをアタックすることなく、Cu表面に残留するフォトレジスト残渣、ポリマー残渣、並びにCu表面の酸化膜に対して高い除去性を有することを意味し、金属配線への影響を最小にしつつ、酸化銅を除去できる点で有用である。さらに、従来の除去液は、通常、枚葉式の洗浄装置に用いる場合を前提に、迅速な処理を主眼においていたため、長時間の浸漬による洗浄を行った場合には基板へのアタックが発生する問題が伴うが、本発明の除去液は、迅速な洗浄が要求される枚葉式洗浄装置に使用できるほか、浸漬法による洗浄にも使用できるなど、適用範囲が広いため、極めて有用である。
本発明の除去液は、有機溶剤を含有しない場合には、水溶液として構成され、水以外の各成分の合計含有量は、15質量%以下で十分な性能を得ることができるので、環境に対する負荷も極めて小さい。また、本発明の除去液は、有機溶剤を加えた場合には、本発明の除去液の特性には影響を与えることなく、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣の除去性を増すことができる。
ここで説明するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物は、層間絶縁膜材料のドライエッチング及びアッシング後に残留したフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去するために用いられるものであり、フッ化水素酸を含有した組成物として構成される。
本発明除去液中のフッ化水素酸は、シリコンを多く含有したポリマー残渣を溶解する成分、フォトレジスト残渣及び銅酸化物を短時間で剥離する成分として含有する。
フッ化水素酸含有量は、ドライエッチング条件、残渣除去性から適宜決定されるが、組成物全体に対し、好ましくは0.02〜0.05質量%であり、特に好ましくは0.03〜0.05質量%である。フッ化水素酸含有量が低すぎる場合は、残渣除去性が不十分であり、高すぎる場合は、シリコン系の層間絶縁膜材料の変質層ばかりか層間絶縁膜材料自身を腐食する。
また、本発明除去液は、フッ化水素酸とカルボン酸化合物の各成分の種類、濃度、比率を最適化することによって、組成物を所定のpHに調整することができる。カルボン酸化合物の配合量は、好ましくは3〜30質量%であり、特に好ましくは10〜25質量%である。組成物のpHは、ドライエッチング対象材料及びプロセス条件、残渣除去性から適宜決定されるが、好ましくは1〜4であり、特に好ましくは1〜2である。pHが低すぎる場合は、組成物中のHF2 −濃度が高くなり、層間絶縁膜材料やその変質層のエッチングが促進され、無機アルカリ、有機アルカリ、有機アミンを含有し、pHが高すぎる場合は、残渣除去性が不十分となり、銅が腐食される場合がある。
<フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物の調製方法>
(1)仕込み量に応じて秤量した所定のカルボン酸化合物を仕込み量に応じて秤量した超純水中に投入し、均一な状態に混合されるまで攪拌した(溶液A)。
(2)仕込み量に応じて秤量した所定のフッ化水素酸を溶液A中に投入し、均一な状態に混合されるまで攪拌した。(溶液B)。
シリコンウェハ上にTaをバリアメタルに用いたCuダマシン配線、層間絶縁膜材料(SiOC系low−k膜)等を順次成膜し、層間絶縁膜材料上に塗布、露光、現像したレジストをマスクとしてドライエッチングを行いビアホールを形成後、アッシングによりレジストの除去を行い、フォトレジスト残渣及びポリマー残渣が生成したウェハを得た。
そのウェハを各除去液組成物中に25℃、30、60、及び1200秒間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った後、電子顕微鏡によりフォトレジスト残渣及びポリマー残渣の除去性及び銅及びlow−k膜に対する腐食性を確認した。その結果を表1に示す。
表1から明らかなように、フッ化水素酸を含有し、無機フッ素化合物以外の無機酸、無機アルカリ、有機アルカリ、および水溶性有機アミンを含有しない除去液と、さらに脂肪族カルボン酸化合物を加えた組成物は、残渣除去性に優れ、Cu及び層間絶縁膜に対する腐食性が小さいことが確認された。
銅べた膜を過酸化水素にて、1800秒間浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行い、銅べた膜上に銅酸化物を形成した。その銅酸化物が形成された銅べた膜を各除去液組成物中に投入し、銅酸化物が除去され下地の銅が露出する時間を変色により確認した。その結果を表2に示す。
表2から明らかなように、本発明除去液は3〜5秒の短時間でCuOxを除去することが確認された。
シリコンウェハ上にプラズマTEOSを成膜したウェハを準備し、干渉式膜厚測定装置(ナノメトリクス社製NanoSpecAFT)にてプラズマTEOSの膜厚を測定した。続いてこのウェハを各除去液組成物中に投入し、25℃、600、1200、及び1800秒間無攪拌状態で浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った。その後、再度干渉式膜厚測定装置にて膜厚を測定し、除去液組成物処理前後のプラズマTEOSの膜厚変化より、エッチング量を算出した。その結果を表3に示す。
表3から明らかなように、長時間10〜30分間の浸漬によっても本発明除去液のエッチングの量は小さく、実用上問題のない範囲であることが確認された。
SiOC系low−k膜を準備し、干渉式膜厚測定装置(ナノメトリクス社製NanoSpecAFT)にてSiOC系low−k膜の膜厚及び屈折率を測定した。続いてこのウェハを各除去液組成物中に投入し、25℃、300、600、及び1200秒間無攪拌状態で浸漬処理し、超純水にて流水リンス処理、乾燥を行った。その後、再度干渉式膜厚測定装置にて膜厚及び屈折率を測定し、除去液組成物処理前後のSiOC系low−k膜の膜厚及び屈折変化量を算出した。その結果を表4に示す。
表4から明らかなように、本発明除去液は長時間浸漬しても、SiOC系low−k膜をアタックしないことが確認された。
Claims (7)
- 配線材料として銅又は銅合金を有する半導体回路素子の製造工程において、ドライエッチング及びアッシング処理後の半導体基板に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去する除去液であって、フッ化水素酸0.02〜0.05質量%、カルボン酸化合物3〜30質量%および水を含有し、無機フッ素化合物以外の無機酸、無機アルカリ、有機アルカリ、および水溶性有機アミンを含有しない、前記除去液。
- カルボン酸化合物が、炭素数1〜4である一価の脂肪族カルボン酸、または炭素数2〜6である多価の脂肪族カルボン酸である、請求項1に記載の除去液。
- フッ化水素酸の配合量が0.03〜0.05質量%である、請求項1または2に記載の除去液。
- pHが1〜4である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の除去液。
- さらに有機溶剤を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の除去液。
- カルボン酸化合物がクエン酸である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の除去液。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の除去液を用いて、ドライエッチング及びアッシング処理後の半導体基板に残留するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を除去する、半導体回路の製造方法。
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