KR100561178B1 - 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 - Google Patents
반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100561178B1 KR100561178B1 KR1020017014021A KR20017014021A KR100561178B1 KR 100561178 B1 KR100561178 B1 KR 100561178B1 KR 1020017014021 A KR1020017014021 A KR 1020017014021A KR 20017014021 A KR20017014021 A KR 20017014021A KR 100561178 B1 KR100561178 B1 KR 100561178B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- composition
- water
- cleaning
- organic
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000003857 carboxamides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 claims description 17
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 9
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical group NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims 1
- RAYLUPYCGGKXQO-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylacetamide;hydrate Chemical compound O.CN(C)C(C)=O RAYLUPYCGGKXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002585 base Substances 0.000 abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 20
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MHABMANUFPZXEB-UHFFFAOYSA-N O-demethyl-aloesaponarin I Natural products O=C1C2=CC=CC(O)=C2C(=O)C2=C1C=C(O)C(C(O)=O)=C2C MHABMANUFPZXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 2
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WKJYBARSSHPINT-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-ethoxyethanol Chemical compound CCOC(O)CN WKJYBARSSHPINT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUZRULCYIRZMNC-UHFFFAOYSA-N 7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyl-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyloxy)-bis(ethenyl)silane Chemical compound C(=C)[Si](OC1CC=2C1=CC=CC2)(C2CC=1C2=CC=CC1)C=C DUZRULCYIRZMNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Natural products OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003070 Statistical process control Methods 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005360 alkyl sulfoxide group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLDSOYXADOWAKB-UHFFFAOYSA-N aluminium nitrate Chemical class [Al+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O JLDSOYXADOWAKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000013020 final formulation Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000002920 hazardous waste Substances 0.000 description 1
- 125000001145 hydrido group Chemical group *[H] 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910001959 inorganic nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- TYQCGQRIZGCHNB-JLAZNSOCSA-N l-ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(O)=C(O)C1=O TYQCGQRIZGCHNB-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003408 phase transfer catalysis Methods 0.000 description 1
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- XIPFMBOWZXULIA-UHFFFAOYSA-N pivalamide Chemical compound CC(C)(C)C(N)=O XIPFMBOWZXULIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- RTHYXYOJKHGZJT-UHFFFAOYSA-N rubidium nitrate Chemical class [Rb+].[O-][N+]([O-])=O RTHYXYOJKHGZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical class [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3263—Amides or imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
약 0.01 내지 약 5 중량%의 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 약 20 내지 약 50 중량%의 물, 약 20 내지 약 80 중량%의 유기 아미드 용매 및 0 내지 약 50 중량%의 유기 설폭사이드 용매를 포함하는, 기판으로부터 잔사를 세척하기 위한 조성물을 개시한다. 상기 조성물의 pH는 약 7 내지 약 10이다. 추가로, 상기 조성물은 부식 억제제, 킬레이트제, 계면활성제, 산 및 염기를 임의로 함유한다. 조성물의 용도에서, 기판을 상기 기판의 세척을 허용하는 시간 및 온도에서 상기 조성물과 접촉시킨다.
Description
본 발명은 반도체 기판으로부터 유기 및 무기 화합물 또는 “중합체”(에칭 후 잔사)를 세척하는데 특히 유용한 반 수성 세척 조성물에 관한 것이다. 본 원에 사용된 “반 수성”이란 용어는 물과 유기 용매의 혼합물을 지칭한다. 본 발명은 또한 반도체 기판으로부터의 잔사의 세척에 상기 조성물을 사용하는 방법을 포함한다. 보다 특히, 본 발명은 반 수성 세척 조성물 및 그의 사용 방법을 개시한다. 상기 용액은 유기암모늄 화합물 및 아민 카복실레이트 화합물이 없고 플루오라이드 화합물, 물 및 용매를 함유하며 임의로 부식 억제제, 킬레이트제, 계면활성제, 산 및 염기를 함유한다.
플루오라이드를 함유하는 화학물질은 수년간 반도체 산업에서 초기 실리콘 웨이퍼(아직 이온 주입이나 장치 구성이 이루어지지 않은 웨이퍼)의 세척에 사용되어 왔다. 통상적으로는 상기 플루오라이드 화학물질(대개는 묽은 불화수소산)은 “RCA 세정”이라 칭하는 시퀀스에서 마지막 공정 단계로서 사용된다. 기판 은 종종 선행 공정 단계들로부터 단층 량의 금속, 음이온 및/또는 유기 오염물질 또는 표면 잔사(입자)로 오염된다. 이러한 오염물질들은 간단한 시험 장치 구조물의 전기 보전에 상당한 영향을 미치는 것으로 나타났으며 상기 보전을 손상시키지 않으면서 상기 구조물을 효율적으로 세척할 필요가 있다. 이러한 세척 방법에는 기술 문헌, 예를 들어 [Int. Conf. On Solid State Devices and Materials, 1991, pp. 484-486], 또는 [Kujime, T. et al., Proc. of the 1996 Semi. Pure Water and Chemicals, pp. 245-256] 및 [Singer, P. Semi. International, p.88, Oct. 1995]에 논의된 기법들이 포함될 수 있다.
초기 웨이퍼를 저 pH 용액으로 세척하는 방법을 교시하는 특허들로는 미국 특허 제 5,560,857 및 5,645,737; 5,181,985; 5,603,849; 5,705,089 호가 있다.
최종 RCA 세척 단계로서 플루오라이드 화학물질(대개는 HF)을 사용하는 것은 실리콘 웨이퍼 표면을 소수성 상태(상기 표면이 Si-H 그룹으로 덮인다)로 만들어 물을 반발하게 할 것이다. 이러한 세척 단계 동안 일정 비율의 웨이퍼 표면이 용해(제거)된다. 세척 조건(시간, 온도, 용액 조성)을 조심스럽게 감시하지 않는 한, 기판은 손상을 입을 수 있다(Rafols, C. et al., J. Electroanalytic Chem. 433, pp. 77-83, 1997). 다수의 조성물들이 물과 유기 용매를 겸비한다. 이들 HF 용액에서 물의 농도는 매우 결정적이다. 실리카 옥사이드는 HF/수 중에서 21 Å/분(@25 ℃)의 에칭률을 가지나, 이소부탄올에서 상기 에칭율은 2.14 Å/분으로 낮아지고 아세톤(비양성자성 용매)에서는 단지 0.12 Å/분으로 훨씬 더 낮아진다(NSF/SRC Eng. Res. Center, Environmentally Benign Semiconductor Manufacturing, Aug. 5-7, 1998, Stanford University).
프런트 엔드 오브 라인(FEOL) 세척 공정 후에 웨이퍼는 반도체 장치에 전형적인 백 엔드 오브 라인(BEOL) 제작 공정으로 진행하며, 이때 상기 장치는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 스태틱 랜덤 액세스 메모리(SRAM), 로직, 전기적으로 프로그램가능한 리드 온리 메모리(EPROM), 상보적인 메탈 온 실리콘(CMOS) 등일 수 있다. 화학 반응들(액체 또는 플라즈마)을 이용하는 에칭 제작 기술은 상기와 같은 반도체 기판들 상에 배선 구조를 형성시키는 방법으로서 사용되어 왔다.
포토레지스트 필름을 웨이퍼 상에 증착시켜 마스크를 형성시키고, 이어서 기판 디자인을 상기 필름 층상에 형상화하고, 굽고, 현상되지 않은 상을 포토레지스트 세척제로 제거한다. 이어서 남은 상을 플라즈마 에너지에 의해 촉진되는 반응성 에칭 기체에 의해 하부의 물질(유전체 또는 금속)로 옮긴다. 상기 에칭 기체는 기판의 보호되지 않은 영역을 선택적으로 공격한다. 대개 플루오라이드 화학물질을 함유하는 액체 에칭 화학 물질은 금속(Al)과 유전체의 에칭을 위해 수년에 걸쳐 광범위하게 사용되어 왔다. 플루오라이드 화학물질은 매우 공격적일 수 있으며 등방성 에칭(모든 방향으로 균등한 에칭)을 발생시킬 수 있다. 등방성 에칭 효과는, 통계적인 공정 조절 기술을 통한 등방성 에칭의 조절이 시도되었지만, 엄격한 임계 치수 조절을 필요로 하는 오늘날의 요구에 허용될 수 없다(Taylor, D., Solid State Technology, July 1998, p. 119).
통상적인 플라즈마 에칭 공정은 이방성(단향성) 에칭을 수반하는 동시에 부산물(포토레지스트, 에칭 기체 및 에칭된 물질로 구성됨)이 잔사로서 에칭된 개방 영역의 측벽 상에 침착된다.
이러한 보호성 측벽 침착물 형성의 단점은 에칭 과정 후 잔사를 제거하기가 매우 어려울 수 있다는 것이다. 이들 잔사 중의 성분들이 일부 방식으로 제거되거나 중화되지 않는 경우 상기 잔사는 수분을 흡수하여 금속 구조물을 부식시킬 수 있는 산성 종들을 형성시킬 것이다. 생성된 산은 배선 물질을 부식시켜 전기 저항의 증가 및 단선과 같은 역효과를 가져온다. 이러한 문제들은 특히 배선 물질로서 일반적으로 사용되는 알루미늄 및 알루미늄 합금에서 빈번히 발생한다. 산성 물질과 접촉된 웨이퍼 기판을 제어하지 않는 경우 금속 구조물을 파괴시킬 수 있다.
에칭 공정의 완료에 이어서 레지스트 마스크를 보호 표면으로부터 제거하여 마무리 공정을 허용할 필요가 있다. 금속 회로의 부식, 용해 또는 감도의 감소 없이, 또는 웨이퍼 기판을 화학적으로 변화시키지 않으면서 피복된 무기 기판으로부터 유기 중합체성 물질을 제거하기 위한 개선된 세척 조성물을 개발하는 것이 바람직하다.
포토레지스트 피막(아직 소진되지 않은 경우) 및 다른 기판들의 제거에 사용되는 세척 조성물은 대부분 고도로 가연성이며, 일반적으로는 인체와 환경 모두에 위험한 것이었고, 바람직하지 못할 정도의 독성을 나타내는 반응성 용매 혼합물을 포함한다. 더욱이, 이러한 세척 조성물은 독성일 뿐 아니라 위험한 폐기물로서 폐기될 수도 있기 때문에 이의 폐기에 비용이 많이 든다. 또한, 이들 조성물은 일반적으로 전해조의 수명을 심각하게 제한하며, 대부분의 경우 재생 또는 재 사용 이 불가능하다.
측벽 잔사는 산성 유기 용매 또는 알칼리성 유기 용매에 의해 제거하여 왔다. 산성 용매는 일반적으로 페놀 화합물 또는 클로로 용매 및/또는 방향족 탄화수소 및/또는 알킬벤젠설폰산으로 구성된다. 이들 배합물은 일반적으로 100 ℃ 이하의 온도에서 사용할 것이 요구된다. 이러한 화학물질들은 통상적으로 이소프로판올로 세정시킬 필요가 있다.
묽은 불화수소산 용액은 특정 조건 하에서 유전체의 접촉 영역(via) 측벽을 침략적으로 공격하고, 따라서 장치의 치수를 변화(Ireland, P., Thin Solid Films, 304, pp. 1-12(1997))시키고 추정 상 유전 상수를 변화시킴으로써 측벽 중합체를 제거할 수 있다. HF, 질산, 물 및 하이드록실아민을 함유하는 선행 화학물질들은 에이 뮬러(A. Muller)에게 허여된 미국 특허 제 3,592,773 호에 교시된 바와 같이 실리콘을 에칭시킬 정도로 충분히 공격적이다. 최근의 정보는 또한 상기 묽은 HF 용액이 보다 새로운 CFx 에칭 잔사를 세척하는데는 효과적이지 않을 수 있음을 지적한다(K. Ueno et al., “Cleaning of CHF3 Plasma-Etched SiO2/SiN/Cu Via Structures with Dilute Hydrofluoric Acid Solutions.”, J. Electrochem. Soc., vol. 144, (7) 1997). TiSi2 상으로 개방된 접촉 통로들도 또한 HF 용액으로 세척하기 어려운데, 그 이유는 하부의 TiSi2 층에 대한 공격이 나타나기 때문이다. 또한 좁은 친수성 접촉 통로에서 상기 화학물질들을 다량 운송하는 것이 어려울 수도 있다(Baklanov, M.R. et al., Proc. Electrochem. Soc., 1998, 97-35, pp. 602- 609).
흔한 층간 유전체로, 단계 적용범위의 보다 양호한 균일성을 위해서 초 대규모 통합(ULSI) 구조물에 흔히 사용되는 TEOS(테트라에틸오르토실리케이트) 및 보론 포스포실리케이트 유리(BPSG)의 접촉 통로 주변의 포토레지스트를 대개는 HF 용액으로 제거한다. HF가 유전체 물질을 또한 공격하는 것은 드물지 않다. 이러한 공격은 바람직하지 않다(Lee, C. and Lee, S, Solid State Electronics, 4, pp. 921-923(1997)).
에칭 후 잔사 제거를 위한 알칼리성 유기 용매는 아민 및/또는 알칸올아민 및/또는 중성 유기 용매로 구성될 수 있다. 이러한 배합물은 일반적으로 100 ℃ 이상의 온도에서 사용되어야 한다. 최근에 새로운 에칭 후 잔사 세척 화학물질 군이 이들 기판을 세척하는데 사용되었다. 상기 화학물질에는 하이드록실아민, 아민, 알칸올아민 및 부식 억제제가 포함되며, 이들은 일반적으로 20 내지 30 ℃ 이하의 온도에서 작용한다.
최근에, 플루오라이드-기재 화학물질들은 부식 후 잔사를 제거하고, 제한된 정도로, BEOL(백 엔드 오브 라인) 공정 동안 집적 회로 기판으로부터 포토레지스트 잔사를 제거하는데 제한된 경우로 사용되어 왔다. 다수의 웨이퍼 세척 조성물들은 플루오라이드 성분, 특히 불화 수소를 함유한다. 또한 이들 조성물은 미국 특허 제 5,129,955; 5,563,119; 또는 5,571,447 호에 개시된 바와 같은 강한 부식성 화학물질들(콜린-유도체, 테트라알킬 암모늄 하이드록사이드, 암모늄 하이드록사이드)을 함유하거나, 2 상 용매 시스템, 즉 불화수소산과 물이 있는 하나의 상 과, 비 극성 유기 용매(케톤, 에테르, 알칸 또는 알켄)가 있는 제 2 상을 함유하는 시스템(미국 특허 제 5,603,849 호)을 사용할 수도 있다. 다른 배합물들은 하이드록실아민 및 암모늄 플루오라이드(와드(Ward)에게 허여된 미국 특허 제 5,709,756 호)를 포함한다. 추가의 예로서 공개된 유럽 특허 출원 제 0662705 호에 개시된 바와 같은 4급 암모늄 염 및 플루오라이드 기재 조성물, 및 미국 특허 제 5,630,904 호에 개시된 바와 같은 유기 카복실 암모늄 염 또는 아민 카복실레이트 및 플루오라이드 기재 조성물이 있다.
일부 화학물질들은 또한 웨이퍼 표면으로부터 이온성 및 음이온성 오염을 제거하는데 일조하는 킬레이트제(PCT US98/02794)를 포함하였으나, 특히 시트르산, 갈산 및 카테콜과 같은 킬레이트제는 Al 금속 라인을 덮고 있는 알루미늄 옥사이드에 대해 공격적일 수 있다. 오만과 스조버그(Ohman and Sjoberg)의 연구는 시트르산 이온의 강한 착화 능력이 알루미늄 옥사이드의 용해도를 증가시킬 수 있으며 이에 의해 금속이 pH 5 및 6에서 166 및 468 인자까지의 추가의 부식에 노출될 수 있음을 보인다(Ohman et al., J. Chem. Soc. Dalton Trans. (1983), p. 2513).
웨이퍼 상의 금속 및 금속 옥사이드 잔사를 세척하는 다른 방법들로는 플라즈마 건식 제거 챔버내로의 수증기의 분무에 이은 불소 함유 기체(불화수소산)(미국 특허 제 5,181,985 호) 또는 불화수소산, 암모늄 플로라이드 및 물을 함유하는 액체(pH 1.5 내지 7)의 도입이 있다.
또한 BEOL 공정 동안 웨이퍼 표면으로부터 미립자 잔사를 제거할 필요가 있다. 현재 대부분의 공정들은 울트라- 또는 메가소닉 세척의 유무에 관계없이 이소프로판올 및/또는 DI 수 세정에 의존한다. 옥사이드 웨이퍼의 화학적 기계적 광택(CMP) 후 세척에, 통상적으로는 오직 DI 수만이 사용되나, 텅스텐 웨이퍼의 경우에는 대개 묽은 NH4OH 및 묽은 HF의 배합물이 요구된다.
웨이퍼 표면으로부터 불순물(입자 및/또는 이온)을 제거하는데는 5 가지의 기전이 있다:
1. 용매에 의한 물리적 탈착으로, 소수의 강하게 흡수된 입자를 다량의 약하게 흡착된 용매로 대체시킴(표면 전하의 상호작용을 변화시킴)을 포함한다;
2. 산 또는 염기에 의한 표면 전하의 변화, 즉 Si-OH 그룹을 양성으로 만들거나 산으로 양자화시키거나, 또는 상기 양자를 제거함으로써 염기로 음성으로 만들 수 있다;
3. 산 첨가에 의한 흡착된 금속 이온의 제거에 의한 이온 착화(즉, 이온 교환);
4. 불순물의 산화 또는 분해로, 금속, 유기 물질 또는 슬러리 입자 표면의 산화를 포함하며, 불순물과 기판 표면 간의 화학력을 변화시킬 것이다. 상기 화학 반응은 산화환원 반응 또는 유리 라디칼을 통한 것일 수 있다.
5. 옥사이드 표면의 부식으로, 특정 두께의 기판 표면을 용해시키면서 불순물을 방출시킨다.
현재 이용가능한 플루오라이드-기재 화학물질은 2 및 5 항을 도울 수 있으나, 세척 조건을 조심스럽게 조절해야 한다. 많은 경우에, 세척 조성물의 성분 들은 비교적 독성의 반응성 용매 혼합물이며 따라서 엄격한 사용 조건을 가해야 하고 위험한 화학물질 처리 과정이 필요하고 상기 세척 조성물과의 접촉을 피하기 위해서 사용자는 안전한 의복과 복장을 착용할 것이 요구된다. 추가로, 이러한 세척 조성물의 독성 성분들 중 다수는 매우 휘발성이어서 증발되기 매우 쉬우므로, 상기 조성물의 보관 및 사용에 전문가가 필요하고 환경 안전 예방조치를 취할 것이 요구된다.
따라서, 광범위하게 다양한 기판으로부터 다양한 침착물들을 효율적으로 세척하기위해 개선된 세척 조성물을 개발할 필요가 있다. 특히 집적 회로 제작 분야에서, 세척할 기판에 대한 공격을 피하면서 세척 성능을 개선시키고자 하는 요구가 꾸준히 증가하고 있음을 인식해야 할 것이다. 이는 제작 공정에서 덜 정교한 집적 회로 기판의 세척에 적합했던 조성물로는 보다 진보된 집적 회로를 함유하는 기판에 대해 만족할만한 결과를 발생시킬 수 없음을 의미한다.
상기 조성물은 또한 경제적이어야 하고, 환경 친화적이어야 하며 사용하기 용이해야 한다.
본 발명은 이러한 신규하고 개선된 세척 조성물과 그의 사용 방법을 교시한다. 상기 조성물은 수성이며, 유기 및 무기 물질들을 모두 용해시키고, 공정에서 사용 시 다양한 기판들을 세척할 수 있다. 상기 조성물은 보다 효율적인 기판 세척을 제공하고, 이는 보다 효율적인 잔사 제거를 의미하며, 차례로 이는 세척되는 기판으로부터 보다 높은 생산 수율을 얻을 수 있음을 의미한다.
발명의 요약
본 발명의 신규 세척 조성물은 개별적인 성분들, 또는 다른 세척 성분들과 배합된 성분들, 또는 다른 세척 성분들, 예를 들어 에톡시에탄올아민 또는 알킬아미드와 배합된 성분들을 사용하여서는 가능하지 않은, 저온에서 상승적으로 향상된 세척 작용과 세척 능력을 나타낸다.
본 발명의 일반적인 목적은 저온에서 효과적인 반도체 기판 세척 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 금속 이온의 재 침착을 억제하는 에칭 후 잔사 세척 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 가연성이지 않은 상기와 같은 세척 용액을 제조하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 실리콘 옥사이드의 에칭률이 낮은 상기와 같은 세척 용액을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 금속 구조물로부터 에칭 후 잔사를 제거하는 상기와 같은 세척 용액 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 접촉 영역으로부터 에칭 후 잔사를 제거하는 상기와 같은 세척 용액 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 저 k 유전체로부터 에칭 후 잔사를 제거하는 상기와 같은 세척 용액 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 및 관련된 목적들은 본 원에 개시된 조성물 및 방법의 사용을 통해 획 득된다.
본 발명에 따른 조성물은 기판으로부터 잔사를 세척하기 위한 것이며 유기암모늄 및 아민 카복실레이트가 없다. 상기는 약 0.01 내지 약 5 중량%의 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 약 20 내지 약 50 중량%의 물, 약 20 내지 약 80 중량%의 유기 아미드 용매 및 0 내지 약 50 중량%의 유기 설폭사이드 용매를 포함한다. 상기 조성물의 pH는 약 7 내지 약 10이다. 또한, 상기 조성물은 부식 억제제, 킬레이트제, 계면활성제, 산 및 염기를 임의로 함유한다.
본 발명에 따른 기판으로부터의 잔사의 세척 방법은 기판을 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 물 및 유기 아미드 용매를 포함하는 유기 암모늄 및 아민 카복실레이트 비 함유 조성물과 상기 기판의 세척에 충분한 온도 및 시간 동안 접촉시킴을 포함한다.
도 1A는 본 발명의 실시에서 성취된 부식 결과를 조성물의 함수로서 작성한 삼각형 도표이다.
도 1B 및 1C는 도 1A의 삼각형 도표에 나타낸 조성물로 처리한 후의 반도체 웨이퍼의 일부에 대한 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다.
도 2A는 본 발명의 실시에서 성취된 세척 결과를 조성물의 함수로서 작성한 삼각형 도표이다.
도 2B 및 2C는 도 2A의 삼각형 도표에 나타낸 조성물로 처리한 후의 반도체 웨이퍼의 일부에 대한 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명에 따른 조성물 함수로서의 pH를 작성한 삼각형 도표이다.
도 4는 본 발명에 따른 조성물로 처리하기 전의 반도체 웨이퍼의 일부에 대한 SEM 사진이다.
도 5A 내지 5D는 본 발명에 따른 조성물로 처리한 후의 반도체 기판의 일부들에 대한 해당 SEM 사진이다.
본 발명의 세척 조성물은 유기암모늄 및 아민 카복실레이트가 없다. 다수의 이점들은 상기 조성물로부터 유기암모늄과 아민 카복실레이트 화합물을 제거할 수 있음으로써 성취된다. 이들 화합물의 제거는 제품 비용을 낮춘다. 유기암모늄 및 아민 카복실레이트 화합물은 또한 상 전달 촉매라 칭하는 화합물 군이다. 이러한 화합물은 특정한 용매 조건 하에서 바람직하지 못한 부 반응들, 즉 하이드록사이드 또는 할라이드 반응의 활성화(금속 표면을 부식시킬 수 있다)를 가속화시킬 수 있다(“Phase-Transfer Catalysis in Industry”, A Practical Guide and Handbook; Mar. 1991, PTC Interface, Inc. Marietta, GA). 화학물질 중에 이러한 화합물들의 존재는 또한 원료 물질 공급원으로서 추가적인 양이온 및 음이온 오염을 도래시킬 수 있다.
상기 세척 조성물은 하나 이상의 플루오라이드 화합물을 함유한다. 적합한 플루오라이드 화합물은 암모늄 플루오라이드, 암모늄 비플루오라이드 및 불화 수소이다. 바람직한 플루오라이드 화합물은 암모늄 플루오라이드 및 암모늄 비플루오라이드이다. 불화 수소를 사용하는 경우 pH를 약 7 내지 약 10으로 만들기 위해서 완충제가 필요하다. 상기 플루오라이드 화합물은 바람직하게는 약 0.01 내지 약 5 중량%, 바람직하게는 약 0.05 내지 약 5 중량%의 양으로 존재한다. 일반적으로는, 조성물 중의 상기 플루오라이드 화합물의 농도가 낮을수록 요구되는 사용 온도가 높아진다.
상기 세척 조성물은 하나 이상의 유기 아미드 용매를 함유한다. 적합한 유기 아미드 용매는 N,N-디메틸아세트아미드 및 N,N-디메틸포름아미드이다. 바람직한 유기 아미드 용매는 N,N-디메틸아세트아미드이다. 유기 아미드 용매를 단독으로 또는 혼합물로서 사용할 수 있다. 상기 조성물은 디메틸 설폭사이드와 같은 알킬 설폭사이드를 임의로 함유한다.
상기 세척 조성물은 물을 함유한다. 전형적으로는 고 순도의 탈이온수가 사용된다.
상기 조성물은 부식 억제제를 임의로 함유한다. 적합한 부식 억제제로는 무기 질산 염, 예를 들어 암모늄, 칼륨, 나트륨 및 루비듐 질산염, 알루미늄 질산염 및 아연 질산염이 있다.
상기 조성물은 킬레이트제를 임의로 함유한다. 적합한 킬레이트제는 1997년 9월 30일자로 리(Lee)에게 허여된, 통상적으로 양도된 미국 특허 제 5,672,577 호에 개시되어 있으며, 상기 특허는 본 발명에 참고로 인용되어 있다. 바람직한 킬레이트제로는 카테콜, 에틸렌디아민테트라아세트산 및 시트르산이 있 다.
상기 조성물은 계면활성제를 임의로 함유한다. 적합한 계면활성제에는 폴리(비닐 알콜), 폴리(에틸렌이민), 및 음이온계, 양이온계, 비이온계, 양쪽성 및 실리콘계로 분류된 계면활성제 조성물중 임의의 것이 있다. 바람직한 계면활성제는 폴리(비닐 알콜) 및 폴리(에틸렌이민)이다.
성분들의 일부 배합은 pH를 허용가능한 값으로 조절하기 위해서 산 및/또는 염기의 첨가를 요한다. 본 발명에 사용하기에 적합한 산은 유기 또는 무기산이다. 산으로는 질산, 황산, 인산, 염산(염산은 금속을 부식시킬 수 있다) 및 유기 산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, n-부티르산, 이소부티르산, 벤조산, 아스코르브산, 글루콘산, 말산, 말론산, 옥살산, 숙신산, 타르타르산, 시트르산, 갈산이 있다. 상기 마지막 5 개의 산들은 킬레이트제의 예들이다.
유기 산에 대한 일반적인 구조는 하기와 같다:
상기에서,
X는 -OH, -NHR, -H, -할로겐, -CO2H 및 -CH2-CO2H, -CHOH-CO2H이고,
R은 일반적으로 지방족, H 또는 방향족이다.
산의 농도는 약 1 내지 약 25 중량%로 다양할 수 있다. 중요한 인자는 수 용액 중의 임의의 추가적인 시약들과의 산 및 염기 생성물의 용해도이다.
세척 용액의 pH를 조절하는데 사용하기에 적합한 부식성 성분들은 임의의 통상적인 염기, 즉 나트륨, 칼륨, 마그네슘 하이드록사이드 등을 포함할 수 있다. 주요 문제는 이들 염기가 최종 배합물에 이동성 이온을 도입시키는 것이다. 이동성 이온은 오늘날 반도체 산업에서 생산하고 있는 컴퓨터 칩들을 파괴할 수 있다. 다른 염기들로는 콜린(4급 아민) 또는 암모늄 하이드록사이드가 있을 수 있다.
실시:
본 발명의 세척 조성물을 사용하는 기판 세척 방법은 잔사, 특히 유기금속 또는 금속 옥사이드 잔사가 위에 놓인 기판을 본 발명의 세척 조성물과 상기 잔사의 제거에 충분한 시간 및 온도에서 접촉시킴을 포함한다. 당해 분야에 공지된 교반, 순환, 초음파 처리 또는 다른 기법들을 임의로 사용할 수도 있다. 기판을 일반적으로는 세척 조성물에 침지시킨다. 시간 및 온도는 기판으로부터 제거되는 특정 물질을 기준으로 결정된다. 일반적으로는, 온도는 대략 주변 온도 또는 실온 내지 100 ℃의 범위이며 접촉 시간은 약 1 내지 60 분이다. 본 발명에 바람직한 접촉 온도 및 시간은 25 내지 45 ℃, 2 내지 60 분이다. 일반적으로는 기판을 조성물 사용 후 세정할 것이다. 바람직한 세정액은 이소프로판올 및 DI 수이다.
본 발명의 조성물은 금속 및 접촉 영역 특징물로부터 잔사를 제거하는데 특 히 유용하다.
본 발명의 조성물은 저-k 유전체에 대해 특히 유용하다. 저-k 유전체는 당해 분야에 공지되어 있으며, 여기에는 불소화된 실리케이트 유리(FSG), 하이드리도 유기 실록산 중합체(HOSP), 저 유기 실록산 중합체(LOSP), 미소다공성 실리카(나노글래스), 수소 실세스퀴옥산(HSQ), 메틸 실세스퀴옥산(MSQ), 디비닐실록산 비스(벤조사이클로부텐)(BCB), 실리카 저-k(SiLK), 폴리(아릴렌 에테르)(PAE, Flare, Parylene), 및 불소화된 폴리이미드(FPI)가 포함된다.
기판으로부터 레지스트 마스크 또는 잔사를 제거하는데 적합한 본 발명에 따른 세척 조성물 및 방법의 예를 하기 실시예에 열거한다.
실시예 1. 암모늄 플루오라이드, 물, 하나 이상의 아미드, 예를 들어 표 1에 나열된 N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸프로피온아미드 및 디메틸 설폭사이드를 함유하는 세척 화학물질 그룹을 상업적으로 입수할 수 있는 AMT DPS 에칭기에서 Cl2/BCl3 플라즈마로 에칭시킨 TEOS/Ti/TiN/AlCu/TiN(기부에서 상단으로)의 스택을 갖는 금속 웨이퍼를 사용하여 시험하였다. 생성된 잔사가 있는 금속 웨이퍼를 작은 시편들로 절단하고, 이어서 상기 시편들을 표 1의 화학 용액에 실온에서 5 분간 세척을 위해 침지시켰다. 상기 시편들을 꺼내고, 탈이온수로 세정하고 N2 기류 하에서 건조시켰다. 세척 및 부식 효과를 평가하기 위해서 히타치(Hitachi) 4500 FE-SEM을 사용하여 SEM을 수행하였다. 금속 스택에 대한 잔사 제거 및 부식 효과를 가시적인 비교로 평가하고 모두 1에서 10의 규모로 등급을 매겼다. 표 1의 배합물들은 중량%로 나타낸다.
결과는 DMF가 부식 없이 최상의 세척 성능을 제공하는 것으로 나타났다. 그러나, DMAC 및 DMSO를 부식과 독성이 없는 세척 성능을 근거로 추가의 연구를 위해 선택하였다.
실시예 2. 실시예 1의 결과를 기준으로, N,N-디메틸아세트아미드와 디메틸 설폭사이드를 암모늄 플루오라이드 및 물을 갖는 세척 배합물의 최적화를 위해 선 택하였다. Cl2/BCl3 플라즈마를 사용하는 상업적으로 입수할 수 있는 LAM TCP9600 에칭기를 옥사이드/Ti/TiN/AlCu/TiN(기부에서 상단으로)의 스택을 갖는 금속 웨이퍼의 에칭에 사용하였다. 생성된 잔사가 있는 금속 웨이퍼를 작은 시편들로 절단하고, 이어서 상기 시편들을 표 2의 화학 용액에 실온에서 5 분간 세척을 위해 침지시켰다. 상기 시편들을 꺼내고, 탈이온수로 세정하고 N2 기류 하에서 건조시켰다. 세척 및 부식 효과를 평가하기 위해서 히타치(Hitachi) 4500 FE-SEM을 사용하여 SEM을 수행하였다. 금속 스택에 대한 잔사 제거 및 부식 효과를 가시적인 비교로 평가하고 모두 1에서 10의 규모로 등급을 매겼다. 도 3에 보고된 바와 같은 pH 값을 유리 pH 전극이 있는 오리온(Orion) SA520 미터를 사용하여 측정하였다. 표 2의 배합물을 중량%로 나타낸다.
표 2에 나타낸 배합물에 의해 수득된 결과를 이해하기 위해서, 데이터로 도 1A, 2A 및 3, 3 개의 삼각형 도표를 작성하였으며, 상기 도면들은 각각 용액 중의 물, DMAC 및 DMSO 농도의 함수로서 알루미늄 부식, 용액 중의 물, DMAC 및 DMSO 농도의 함수로서 잔사 세척 성능, 및 용액 중의 물, DMAC 및 DMSO 농도의 함수로서 조성물의 pH를 나타낸다. 도 1B의 비교는 수 함량이 높고 DMAC 및 DMSO 함량이 낮은 조성물에 의한 상당한 부식을 나타낸다. 도 1C는 보다 높은 DMAC 및 DMSO 함량 및 보다 낮은 수 함량으로는 부식이 없음을 나타낸다. 도 2B는 수 함량이 높고 DMAC 및 DMSO 함량이 낮은 조성물에 의한 단지 부분적인 잔사 세척을 나타낸다. 도 2C는 보다 높은 DMAC 및 DMSO 함량 및 보다 낮은 수 함량에 의한 완전한 잔사 세척 부식을 나타낸다. 도 1A 및 2A와 함께 고찰된 도 3은 상당한 알루미늄 부식을 피하고 최적의 세척 결과를 얻는데 적합한 pH 범위를 나타낸다.
실시예 3. 표 2의 조성물들 중 하나(조성물 N)를 선택하여 Cl2/BCl3 플라즈마를 사용하는 AMT DPS 에칭기로 에칭된 금속 웨이퍼를 가공하였다. 건식 에칭 공정 후에, 도 4의 전형적인 샘플에 나타난 바와 같이 상기 금속 웨이퍼 상에 대량의 잔사들이 형성되었다. 잔사가 있는 금속 웨이퍼를 작은 시편들로 절단하고, 상기 시편들을 실온에서 3, 5 및 10 분간 상기 대량 잔사의 제거를 위해 선택된 화학 용액에 침지시켰다. 조성물 N은 잔사를 5 분 이상에서 완전히 세척하였으나, 3 분째에는 상기 잔사를 완전히 세척할 수 없었다(도 5A 내지 5C). 시편들을 꺼내고, 탈이온수로 세정하고 N2 기류 하에서 건조시켰다. 세척 및 부식 효과를 평가하기 위해서 히타치 4500 FE-SEM으로 SEM을 수행하였다.
포토-제거 및 잔사-제거 기술은 300-㎜ 웨이퍼 가공의 필요를 만족시키기 위해서 더욱 발달할 것이다. SEZ 도구 및 다른 새로운 유형의 장치들은 25-웨이퍼 로트 보다는 오히려 개별적인 웨이퍼들을 향해 초점이 이동된 큰 크기의 웨이퍼 가공을 위해 점점 더 인기를 끌고 있다. 상기 보다 큰 웨이퍼 크기는 점점 더 값이 비싸지는 웨이퍼들의 손실을 방지하기 위해서 손상 없는 레지스트 건식 제거 공정 및 잔사 제거 공정의 중요성을 증가시킨다. 더욱 또한, 각각의 단일 웨이퍼들에 대한 고속의 가공 과정은 전체 공정에 대해서 상당한 시간 절감을 축적할 것이다. 상기 가공 시간을 줄이기 위해서, 0.1 중량%의 모노에탄올아민(MEA)을 선택된 배합물에 가하였다. MEA가 있는 새로운 배합물은 도 5D에 나타낸 바와 같이 3 분째에 잔사를 완전히 세척할 수 있다.
당해 분야의 숙련가는 상기 실시예들로부터 생산 공정 고유 조건의 변화에 따라 상기 세척 용액에 대해 변형 및 변경을 수행할 수 있고 이것이 예상됨을 인지할 것이다. 상기 실시태양들을 예로서 제공한다. 일례로, 유전체 보존에 대한 구체적인 논의는 제안된 세척 용액 및 방법에 의해 보호되는 다른 금속, 금속 합금 및 폴리실리콘 구조물을 가리킨다. 교시되는 예들은 본 발명을 제한하지 않으며, 본 발명은 하기 청구의 범위에 의해서 한정된다.
본 명세서에서 언급한 모든 공보 및 특허 출원들은 각각의 개별적인 공보 또는 특허 출원이 특정하고 개별적으로 참고로 인용되는 것을 나타내는 것과 동일한 정도로 본 발명에 참고로 인용된다.
이제 본 발명을 충분히 개시하였지만, 첨부된 청구 범위의 진의 또는 범위로부터 이탈됨없이 본 발명에 대한 다수의 변화 및 변경을 수행할 수 있음은 당해 분야의 숙련가에게 자명할 것이다.
Claims (25)
- 0.01 내지 5 중량%의 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 20 내지 50 중량%의 물, 20 내지 80 중량%의 유기 아미드 용매 및 0 내지 50 중량%의 유기 설폭사이드 용매를 포함하고 pH가 8 내지 10인기판으로부터 잔사를 세척하기 위한 유기암모늄 및 아민 카복실레이트 비 함유 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 아민을 추가로 포함하는 조성물.
- 제 2 항에 있어서, 아민이 알칸올아민인 조성물.
- 제 3 항에 있어서, 알칸올아민이 모노에탄올아민인 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 부식 억제제를 추가로 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 킬레이트제를 추가로 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 산을 추가로 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 염기를 추가로 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 암모늄 플루오라이드, 물 및 N,N-디메틸아세트아미드를 포함하는 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 디메틸 설폭사이드를 추가로 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 암모늄 플루오라이드, 물, N,N-디메틸아세트아미드 및 아민을 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 암모늄 플루오라이드, 물, N,N-디메틸아세트아미드 및 알칸올아민을 포함하는 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 암모늄 플루오라이드, 물, 하이드록실아민, 알칸올아민, 킬레이트제 및 부식 억제제를 포함하는 조성물.
- 기판을 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 물 및 유기 아미드 용매를 포함하는 유기 암모늄 및 아민 카복실레이트 비 함유 조성물과 pH 8 내지 10에서 상기 기판의 세척을 위하여 온도 20 내지 100 ℃로 1 내지 60분 동안 접촉시킴을 포함하는, 기판으로부터 잔사를 세척하는 방법.
- 삭제
- 제 15 항에 있어서, 상기 온도가 25 내지 45 ℃인 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 시간이 3 분 내지 10 분인 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 조성물이 0.01 내지 5 중량%의 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 20 내지 50 중량%의 물, 20 내지 80 중량%의 유기 아미드 용매를 포함하는 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 조성물이 50 중량% 이하의 유기 설폭사이드 용매를 추가로 포함하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 조성물이 아민을 추가로 포함하는 방법.
- 제 21 항에 있어서, 아민이 알칸올아민인 방법.
- 제 22 항에 있어서, 알칸올아민이 모노에탄올아민인 방법.
- 0.01 내지 5 중량%의 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 20 내지 50 중량%의 물, 20 내지 80 중량%의 유기 아미드 용매 및 0 내지 50 중량%의 유기 설폭사이드 용매를 포함하고 pH가 8 내지 10이며 계면활성제를 추가로 포함하는기판으로부터 잔사를 세척하기 위한 유기암모늄 및 아민 카복실레이트 비 함유 조성물.
- 0.01 내지 5 중량%의 하나 이상의 플루오라이드 화합물, 20 내지 50 중량%의 물, 20 내지 80 중량%의 유기 아미드 용매 및 0 내지 50 중량%의 유기 설폭사이드 용매를 포함하고 pH가 8 내지 10이며 하이드록실아민을 추가로 포함하는기판으로부터 잔사를 세척하기 위한 유기암모늄 및 아민 카복실레이트 비 함유 조성물.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/304,450 | 1999-05-03 | ||
US09/304,450 US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 1999-05-03 | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020001863A KR20020001863A (ko) | 2002-01-09 |
KR100561178B1 true KR100561178B1 (ko) | 2006-03-15 |
Family
ID=23176568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020017014021A KR100561178B1 (ko) | 1999-05-03 | 2000-05-02 | 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6248704B1 (ko) |
EP (1) | EP1177275B1 (ko) |
JP (1) | JP2002543272A (ko) |
KR (1) | KR100561178B1 (ko) |
AT (1) | ATE331020T1 (ko) |
AU (1) | AU4980300A (ko) |
DE (1) | DE60028962T2 (ko) |
HK (1) | HK1041020B (ko) |
TW (1) | TWI237659B (ko) |
WO (1) | WO2000066697A1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101117939B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-02-29 | 사켐,인코포레이티드 | 세척액 및 에칭제 및 이의 사용 방법 |
KR101279455B1 (ko) | 2009-03-02 | 2013-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 알루미늄 함유 기판으로부터 비-금속성 침착물의 비파괴 선택적 침착 제거 |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040134873A1 (en) * | 1996-07-25 | 2004-07-15 | Li Yao | Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same |
US6755989B2 (en) | 1997-01-09 | 2004-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US6896826B2 (en) | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US6562726B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
US6344432B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures |
US6451707B2 (en) * | 1999-12-07 | 2002-09-17 | Matsushita Electronics Corporation | Method of removing reaction product due to plasma ashing of a resist pattern |
DE10018338C1 (de) * | 2000-04-13 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
JP4368498B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2009-11-18 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、半導体ウェーハおよびこれらの製造方法 |
US7427529B2 (en) * | 2000-06-06 | 2008-09-23 | Simon Fraser University | Deposition of permanent polymer structures for OLED fabrication |
AU2001278890A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-21 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
US7456140B2 (en) * | 2000-07-10 | 2008-11-25 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
US6762132B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-07-13 | Micron Technology, Inc. | Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use |
US6656894B2 (en) * | 2000-12-07 | 2003-12-02 | Ashland Inc. | Method for cleaning etcher parts |
US6566315B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures |
US20030022800A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-30 | Peters Darryl W. | Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners |
US6627546B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
MY131912A (en) * | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
US7077880B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-07-18 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization |
US20030171239A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-09-11 | Patel Bakul P. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
WO2003064581A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-08-07 | Ekc Technology, Inc. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
US7513920B2 (en) * | 2002-02-11 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations |
US20030162398A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
US7252718B2 (en) * | 2002-05-31 | 2007-08-07 | Ekc Technology, Inc. | Forming a passivating aluminum fluoride layer and removing same for use in semiconductor manufacture |
US6677286B1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
JP4443864B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
DE10331033B4 (de) * | 2002-07-12 | 2010-04-29 | Ekc Technology K.K. R&D Business Park Bldg. D-3F, Kawasaki | Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und Reinigungszusammensetzung dafür |
US6849200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material |
DE10309368A1 (de) * | 2002-08-06 | 2004-02-26 | Aventis Behring Gmbh Intellectual Property/Legal | Pharmazeutische Zubereitung mit RNA als Cofaktor der Hämostase |
CN1646732A (zh) * | 2002-08-19 | 2005-07-27 | 伊默克化学科技股份有限公司 | 清洗液 |
US20040217006A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-11-04 | Small Robert J. | Residue removers for electrohydrodynamic cleaning of semiconductors |
CN100442449C (zh) * | 2003-05-02 | 2008-12-10 | Ekc技术公司 | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 |
US7344988B2 (en) * | 2003-10-27 | 2008-03-18 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Alumina abrasive for chemical mechanical polishing |
US20050126588A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Carter Melvin K. | Chemical mechanical polishing slurries and cleaners containing salicylic acid as a corrosion inhibitor |
US7419911B2 (en) * | 2003-11-10 | 2008-09-02 | Ekc Technology, Inc. | Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates |
JP4498726B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-07-07 | Kisco株式会社 | 洗浄剤 |
JP4326928B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2009-09-09 | 株式会社東芝 | フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法 |
KR100795364B1 (ko) * | 2004-02-10 | 2008-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법 |
KR20050110470A (ko) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
KR100634401B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조공정의 기판 처리 방법 |
US20060063388A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for using a water vapor treatment to reduce surface charge after metal etching |
CN101163776A (zh) * | 2004-11-19 | 2008-04-16 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于半导体应用的选择性去除化学物质,其制备方法和用途 |
KR20060104531A (ko) * | 2005-03-30 | 2006-10-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치의 제조방법 |
CN101233456B (zh) * | 2005-06-07 | 2013-01-02 | 高级技术材料公司 | 金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物 |
KR100734274B1 (ko) * | 2005-09-05 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정용 조성물을 이용한 게이트 형성 방법 |
JP4734090B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2011-07-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US7534753B2 (en) | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
EP2191041A4 (en) * | 2007-09-06 | 2013-07-17 | Ekc Technology Inc | COMPOSITIONS AND PROCESS FOR TREATING COPPER SURFACE |
ES2386384T3 (es) * | 2008-04-19 | 2012-08-20 | Cognis Ip Management Gmbh | Composiciones para el desengrasado de superficies metálicas |
US9481937B2 (en) * | 2009-04-30 | 2016-11-01 | Asm America, Inc. | Selective etching of reactor surfaces |
US8101561B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
US8921295B2 (en) | 2010-07-23 | 2014-12-30 | American Sterilizer Company | Biodegradable concentrated neutral detergent composition |
JP2012252070A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Panasonic Corp | 剥離剤組成物 |
US9536730B2 (en) | 2012-10-23 | 2017-01-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations |
KR102356356B1 (ko) * | 2017-05-31 | 2022-01-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 세정 조성물 및 이를 이용하는 전자 장치의 제조방법 |
EP3721297B1 (en) * | 2017-12-08 | 2024-02-07 | Henkel AG & Co. KGaA | Photoresist stripper compostion |
KR102653027B1 (ko) * | 2019-01-30 | 2024-04-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리이미드 제거용 조성물 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09197681A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-07-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
Family Cites Families (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165295A (en) | 1976-10-04 | 1979-08-21 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
FR2372904A1 (fr) | 1976-11-19 | 1978-06-30 | Ibm | Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application |
US4269654A (en) | 1977-11-18 | 1981-05-26 | Rca Corporation | Silicon nitride and silicon oxide etchant |
US4215005A (en) | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
US4221674A (en) | 1979-03-09 | 1980-09-09 | Allied Chemical Corporation | Organic sulfonic acid stripping composition and method with nitrile and fluoride metal corrosion inhibitor system |
US4198262A (en) | 1979-03-29 | 1980-04-15 | Atlantic Richfield Company | Solar cell manufacture |
US4276186A (en) | 1979-06-26 | 1981-06-30 | International Business Machines Corporation | Cleaning composition and use thereof |
US4275100A (en) | 1980-01-04 | 1981-06-23 | Rca Corporation | Video disc processing |
US4330419A (en) | 1980-10-20 | 1982-05-18 | Halliburton Company | Method of and solvent for removing inorganic fluoride deposits |
DE3048083C2 (de) | 1980-12-19 | 1983-09-29 | Ludwig 8900 Augsburg Fahrmbacher-Lutz | Verfahren zur chemischen Entfernung von Oxidschichten von Gegenständen aus Titan oder Titanlegierungen |
SE8206447L (sv) | 1981-11-24 | 1983-05-25 | Occidental Chem Co | Avmetalliseringskomposition och -forfarande |
US4567946A (en) | 1982-02-08 | 1986-02-04 | Union Oil Company Of California | Increasing the permeability of a subterranean reservoir |
JPS58139430A (ja) | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Toray Ind Inc | レジストの剥離法 |
US4395304A (en) | 1982-05-11 | 1983-07-26 | Rca Corporation | Selective etching of phosphosilicate glass |
FR2539140A1 (fr) | 1983-01-07 | 1984-07-13 | Ugine Kuhlmann | Stabilisation de solutions aqueuses contenant du peroxyde d'hydrogene, de l'acide fluorhydrique et des ions metalliques |
US4498953A (en) | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
JPS6066825A (ja) | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4508591A (en) | 1984-03-08 | 1985-04-02 | Hewlett-Packard Company | Polymethyl methacrylate compatible silicon dioxide complexing agent |
US4620934A (en) | 1984-04-26 | 1986-11-04 | Allied Corporation | Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4 |
US4517106A (en) | 1984-04-26 | 1985-05-14 | Allied Corporation | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions |
US4552783A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-12 | General Electric Company | Enhancing the selectivity of tungsten deposition on conductor and semiconductor surfaces |
US4569722A (en) | 1984-11-23 | 1986-02-11 | At&T Bell Laboratories | Ethylene glycol etch for processes using metal silicides |
US4738747A (en) | 1986-07-22 | 1988-04-19 | Westinghouse Electric Corp. | Process for etching zirconium metallic objects |
US4847004A (en) | 1986-11-26 | 1989-07-11 | Mcleod Harry L | Aqueous cleaning solution containing chelating agents and surfactants |
US4721548A (en) | 1987-05-13 | 1988-01-26 | Intel Corporation | Semiconductor planarization process |
US4759823A (en) | 1987-06-02 | 1988-07-26 | Krysalis Corporation | Method for patterning PLZT thin films |
US4802990A (en) | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Inskeep Jr Eugene L | Solution and method for dissolving minerals |
US5181985A (en) | 1988-06-01 | 1993-01-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers |
US5250471A (en) | 1988-12-26 | 1993-10-05 | The Furukawa Electric Co. | Method for manufacturing compound semiconductor devices including a step where the semiconductor is etched without exposure to light |
US5129955A (en) | 1989-01-11 | 1992-07-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method |
US5238500A (en) | 1990-05-15 | 1993-08-24 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric and hydrochloric acid vapor processing of semiconductor wafers |
US4921572A (en) | 1989-05-04 | 1990-05-01 | Olin Corporation | Etchant solutions containing hydrogen fluoride and a polyammonium fluoride salt |
JPH069195B2 (ja) | 1989-05-06 | 1994-02-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法 |
JP2787788B2 (ja) | 1990-09-26 | 1998-08-20 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 残留物除去方法 |
US5556482A (en) * | 1991-01-25 | 1996-09-17 | Ashland, Inc. | Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor |
US5496491A (en) * | 1991-01-25 | 1996-03-05 | Ashland Oil Company | Organic stripping composition |
US5415811A (en) | 1991-04-09 | 1995-05-16 | E And R Investments | Cleaning composition and method for utilizing same |
US5219791A (en) | 1991-06-07 | 1993-06-15 | Intel Corporation | TEOS intermetal dielectric preclean for VIA formation |
US5326406A (en) | 1991-07-31 | 1994-07-05 | Kawasaki Steel Corporation | Method of cleaning semiconductor substrate and apparatus for carrying out the same |
JP3217116B2 (ja) | 1992-03-06 | 2001-10-09 | 日産化学工業株式会社 | 低表面張力洗浄用組成物 |
TW263531B (ko) | 1992-03-11 | 1995-11-21 | Mitsubishi Gas Chemical Co | |
US5236552A (en) * | 1992-04-13 | 1993-08-17 | At&T Bell Laboratories | Photoresist stripping method |
WO1993024860A1 (en) | 1992-06-02 | 1993-12-09 | Mitsubishi Kasei Corporation | Composition for forming anti-reflection film on resist and pattern formation method |
US5225034A (en) | 1992-06-04 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing |
US5277715A (en) | 1992-06-04 | 1994-01-11 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of reducing particulate concentration in process fluids |
US5308400A (en) | 1992-09-02 | 1994-05-03 | United Microelectronics Corporation | Room temperature wafer cleaning process |
WO1994018696A1 (en) | 1993-02-04 | 1994-08-18 | Daikin Industries, Ltd. | Wet-etching composition for semiconductors excellent in wettability |
US5389194A (en) | 1993-02-05 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing |
US5320709A (en) | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
DE9304878U1 (ko) | 1993-03-31 | 1993-06-09 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De | |
JP2586304B2 (ja) | 1993-09-21 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 |
US5656097A (en) | 1993-10-20 | 1997-08-12 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
US5340370A (en) | 1993-11-03 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Slurries for chemical mechanical polishing |
JP3326644B2 (ja) | 1993-11-16 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | シリコン系材料層の加工方法 |
JP3264405B2 (ja) | 1994-01-07 | 2002-03-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
US5427709A (en) | 1994-01-14 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Environmentally safe, ready-to-use, non-toxic, non-flammable, inorganic, aqueous cleaning composition |
JPH07216392A (ja) | 1994-01-26 | 1995-08-15 | Daikin Ind Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
JP3074634B2 (ja) | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
KR0154252B1 (ko) | 1994-03-31 | 1998-12-01 | 아베 아끼라 | 에칭제 및 전자소자와 그의 제조방법 |
US5466389A (en) | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
US5498293A (en) | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
JP2760418B2 (ja) | 1994-07-29 | 1998-05-28 | 住友シチックス株式会社 | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 |
JP2914555B2 (ja) | 1994-08-30 | 1999-07-05 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコンウェーハの洗浄方法 |
US5486266A (en) | 1994-09-01 | 1996-01-23 | Taiwan Semiconductor Manuf. Company | Method for improving the adhesion of a deposited metal layer |
US5478436A (en) | 1994-12-27 | 1995-12-26 | Motorola, Inc. | Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device |
JP2659088B2 (ja) | 1995-03-15 | 1997-09-30 | 工業技術院長 | シリコン表面の処理方法 |
US5681398A (en) | 1995-03-17 | 1997-10-28 | Purex Co., Ltd. | Silicone wafer cleaning method |
US5571447A (en) | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
JPH08264500A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sony Corp | 基板の洗浄方法 |
US5637185A (en) | 1995-03-30 | 1997-06-10 | Rensselaer Polytechnic Institute | Systems for performing chemical mechanical planarization and process for conducting same |
US5695661A (en) | 1995-06-07 | 1997-12-09 | Micron Display Technology, Inc. | Silicon dioxide etch process which protects metal |
US5654238A (en) | 1995-08-03 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Method for etching vertical contact holes without substrate damage caused by directional etching |
KR0147659B1 (ko) | 1995-08-18 | 1998-08-17 | 김광호 | 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
US5681397A (en) | 1995-09-12 | 1997-10-28 | Micron Technology, Inc. | Methods for high temperature water rinsing and drying of silicon wafers after being cleaned in hydrofluoric acid |
US5601656A (en) | 1995-09-20 | 1997-02-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for cleaning silicon wafers with an aqueous solution of hydrofluoric acid and hydriodic acid |
US5783495A (en) | 1995-11-13 | 1998-07-21 | Micron Technology, Inc. | Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same |
US5603849A (en) | 1995-11-15 | 1997-02-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and compositions for cleaning silicon wafers with a dynamic two phase liquid system with hydrofluoric acid |
US5851928A (en) | 1995-11-27 | 1998-12-22 | Motorola, Inc. | Method of etching a semiconductor substrate |
US5700383A (en) | 1995-12-21 | 1997-12-23 | Intel Corporation | Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide |
JP3690619B2 (ja) | 1996-01-12 | 2005-08-31 | 忠弘 大見 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
US5645737A (en) | 1996-02-21 | 1997-07-08 | Micron Technology, Inc. | Wet clean for a surface having an exposed silicon/silica interface |
US5670019A (en) | 1996-02-26 | 1997-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Removal process for tungsten etchback precipitates |
KR0183826B1 (ko) | 1996-03-04 | 1999-05-01 | 김광호 | 연마공정 후처리용 세정 용액 및 그를 이용하는 세정 방법 |
US5716535A (en) | 1996-03-05 | 1998-02-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity |
JPH09246222A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
KR100207469B1 (ko) | 1996-03-07 | 1999-07-15 | 윤종용 | 반도체기판의 세정액 및 이를 사용하는 세정방법 |
JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
US5855811A (en) | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
US5709756A (en) | 1996-11-05 | 1998-01-20 | Ashland Inc. | Basic stripping and cleaning composition |
US5698503A (en) * | 1996-11-08 | 1997-12-16 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
JP2962250B2 (ja) | 1996-11-12 | 1999-10-12 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US5843322A (en) | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
US5968848A (en) * | 1996-12-27 | 1999-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment |
WO1998030667A1 (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Semiconductor wafer cleaning composition and method with aqueous ammonium fluoride and amine |
KR100234541B1 (ko) | 1997-03-07 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 웨이퍼의 세정을 위한 세정조성물 및 그를 이용한 세정방법 |
US5817569A (en) | 1997-05-08 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of reducing wafer particles after partial saw |
JPH1116882A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Toray Fine Chem Co Ltd | フォトレジスト剥離用組成物 |
US5824601A (en) | 1997-06-30 | 1998-10-20 | Motorola, Inc. | Carboxylic acid etching solution and method |
JPH1167632A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置用洗浄剤 |
JP3773227B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2006-05-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
US5837662A (en) | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
JP2002510752A (ja) * | 1998-04-06 | 2002-04-09 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | フォトレジストとプラズマエッチ残滓の除去方法 |
JP2000181083A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-06-30 | Nagase Denshi Kagaku Kk | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
-
1999
- 1999-05-03 US US09/304,450 patent/US6248704B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-02 WO PCT/US2000/011892 patent/WO2000066697A1/en active IP Right Grant
- 2000-05-02 DE DE60028962T patent/DE60028962T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-02 AU AU49803/00A patent/AU4980300A/en not_active Abandoned
- 2000-05-02 KR KR1020017014021A patent/KR100561178B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-05-02 JP JP2000615722A patent/JP2002543272A/ja active Pending
- 2000-05-02 AT AT00932008T patent/ATE331020T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-05-02 EP EP00932008A patent/EP1177275B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-16 TW TW089108389A patent/TWI237659B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-04-12 HK HK02102776.4A patent/HK1041020B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09197681A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-07-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101117939B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-02-29 | 사켐,인코포레이티드 | 세척액 및 에칭제 및 이의 사용 방법 |
KR101279455B1 (ko) | 2009-03-02 | 2013-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 알루미늄 함유 기판으로부터 비-금속성 침착물의 비파괴 선택적 침착 제거 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE331020T1 (de) | 2006-07-15 |
EP1177275A1 (en) | 2002-02-06 |
KR20020001863A (ko) | 2002-01-09 |
HK1041020B (zh) | 2006-09-22 |
EP1177275B1 (en) | 2006-06-21 |
HK1041020A1 (en) | 2002-06-28 |
US6248704B1 (en) | 2001-06-19 |
DE60028962D1 (de) | 2006-08-03 |
JP2002543272A (ja) | 2002-12-17 |
AU4980300A (en) | 2000-11-17 |
DE60028962T2 (de) | 2006-12-28 |
TWI237659B (en) | 2005-08-11 |
WO2000066697A1 (en) | 2000-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100561178B1 (ko) | 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 | |
EP1212150B1 (en) | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
JP4959095B2 (ja) | 半導体デバイスの有機及びプラズマエッチング残さの洗浄用組成物 | |
JP6339555B2 (ja) | 高いwn/w選択率を有するストリッピング組成物 | |
US7456140B2 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
EP1381663B1 (en) | Cleaning compositions | |
EP1688798B1 (en) | Aqueous based residue removers comprising fluoride | |
KR100700998B1 (ko) | 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법 | |
US20030181342A1 (en) | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates | |
JP2011503899A (ja) | 半導体基板から金属ハードマスクエッチング残留物を除去するための組成物 | |
EP3599633B1 (en) | Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same | |
JP5801594B2 (ja) | 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法 | |
US20050089489A1 (en) | Composition for exfoliation agent effective in removing resist residues | |
KR102321217B1 (ko) | 에칭 후 잔여물 세정 조성물 및 이의 사용 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090225 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |