JPH09197681A - レジスト用剥離液組成物 - Google Patents
レジスト用剥離液組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】変質したレジスト膜であっても低温（室温）で
短時間に剥離できるとともに、腐食され易い基板や周辺
装置を腐食することがなく、しかも中性で安全な上に排
気処理や廃液処理が容易にできるレジスト用剥離液組成
物を提供すること。 【解決手段】（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基
との塩、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、
さらに必要に応じて防食剤を含有し、水素イオン濃度
（ｐＨ）が５〜８であるレジスト用剥離液組成物。
短時間に剥離できるとともに、腐食され易い基板や周辺
装置を腐食することがなく、しかも中性で安全な上に排
気処理や廃液処理が容易にできるレジスト用剥離液組成
物を提供すること。 【解決手段】（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基
との塩、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、
さらに必要に応じて防食剤を含有し、水素イオン濃度
（ｐＨ）が５〜８であるレジスト用剥離液組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト用剥離液組成
物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或い
は液晶パネル素子の製造に好適に使用される、低温（室
温）での剥離性が高く、導電性金属膜を腐食することが
少ない上に、安全性が高く取り扱いが容易なレジスト用
剥離液組成物に関する。
物、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或い
は液晶パネル素子の製造に好適に使用される、低温（室
温）での剥離性が高く、導電性金属膜を腐食することが
少ない上に、安全性が高く取り扱いが容易なレジスト用
剥離液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光又は電子
線により描画したのち、現像してレジストパターンを形
成し、このパターンをマスクとして前記導電性金属膜や
絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成したの
ち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造されてい
る。
ル素子は、基板上に形成されたアルミニウム、銅、アル
ミニウム合金等の導電性金属膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、それを露光又は電子
線により描画したのち、現像してレジストパターンを形
成し、このパターンをマスクとして前記導電性金属膜や
絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成したの
ち、不要のレジスト層を剥離液で除去して製造されてい
る。
【０００３】上記レジストを除去する剥離液として、従
来、アルキルベンゼンスルホン酸を必須成分とした有機
スルホン酸系剥離液やモノエタノールアミン等の有機ア
ミンを必須成分とした有機アミン系剥離液が使用されて
きたが、有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノ
ール化合物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用される
ところから作業性が悪く、また環境問題が発生する上
に、基板の導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を
有していた。これに対し、有機アミン系剥離液は有機ス
ルホン酸系剥離液に比べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な
処理が必要でなく、またドライエチング、アッシング、
イオン注入などの処理で形成される変質膜の剥離性が良
い上に、ＡｌやＣｕなどを含む基板の腐食防止効果が優
れているところから今日広く使用されている。
来、アルキルベンゼンスルホン酸を必須成分とした有機
スルホン酸系剥離液やモノエタノールアミン等の有機ア
ミンを必須成分とした有機アミン系剥離液が使用されて
きたが、有機スルホン酸系剥離液は、毒性が高いフェノ
ール化合物やクロロベンゼン等の有機溶剤が併用される
ところから作業性が悪く、また環境問題が発生する上
に、基板の導電性金属膜等が腐食され易いという欠点を
有していた。これに対し、有機アミン系剥離液は有機ス
ルホン酸系剥離液に比べ毒性が低く、廃液処理に煩雑な
処理が必要でなく、またドライエチング、アッシング、
イオン注入などの処理で形成される変質膜の剥離性が良
い上に、ＡｌやＣｕなどを含む基板の腐食防止効果が優
れているところから今日広く使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において採られ
るドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理
条件が厳しくなり、処理後のレジスト膜等は有機膜から
無機的性質を有する膜に変質するようになった。そのた
め有機アミン系剥離液で処理しても、変質膜を十分に剥
離できない上に、有機アミン系剥離液処理は、処理温度
が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離液中の可燃
性有機化合物が揮発し、それに引火するという危険性が
ある。そのため前記剥離処理は引火防止設備の中で行わ
れるのが一般的であり、設備に多額の費用を要するばか
りでなく、処理時間がかかるため高スループット（単位
時間当たりのウェーハ処理枚数）の要求される半導体素
子や液晶パネル素子の剥離液としては満足のいくもので
はなくなってきている。そのため低温（室温）での剥離
処理が可能な剥離液が特開昭６４ー８８５４８号公報、
特開平５ー２５９０６６号公報等で提案された。しか
し、前記公報記載の剥離液はいずれも有機アミンと水を
含むため、剥離性が十分でない上に、基板に対する腐食
も大きいという欠点を有していた。
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において採られ
るドライエッチング、アッシング、イオン注入等の処理
条件が厳しくなり、処理後のレジスト膜等は有機膜から
無機的性質を有する膜に変質するようになった。そのた
め有機アミン系剥離液で処理しても、変質膜を十分に剥
離できない上に、有機アミン系剥離液処理は、処理温度
が６０〜１３０℃と比較的高温のため、剥離液中の可燃
性有機化合物が揮発し、それに引火するという危険性が
ある。そのため前記剥離処理は引火防止設備の中で行わ
れるのが一般的であり、設備に多額の費用を要するばか
りでなく、処理時間がかかるため高スループット（単位
時間当たりのウェーハ処理枚数）の要求される半導体素
子や液晶パネル素子の剥離液としては満足のいくもので
はなくなってきている。そのため低温（室温）での剥離
処理が可能な剥離液が特開昭６４ー８８５４８号公報、
特開平５ー２５９０６６号公報等で提案された。しか
し、前記公報記載の剥離液はいずれも有機アミンと水を
含むため、剥離性が十分でない上に、基板に対する腐食
も大きいという欠点を有していた。
【０００５】こうした現状に鑑み、本発明者等は、上記
欠点のないレジスト用剥離液組成物として特願平７−３
２８１７号でフッ化アンモニウムを含んでもよいフッ化
水素酸、いわゆるバッファードフッ酸、水溶性有機溶媒
及び防食剤を含有するレジスト用剥離液組成物を提案し
た。前記レジスト用剥離液組成物はフッ化水素酸を含ん
でいるところから、人体に対する安全性に問題があり取
り扱い難い上に、組成物が酸性であるところから剥離槽
と剥離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺
装置を腐食し易く、さらに煩雑な排気処理、廃液処理が
必要であるなどの問題点があった。
欠点のないレジスト用剥離液組成物として特願平７−３
２８１７号でフッ化アンモニウムを含んでもよいフッ化
水素酸、いわゆるバッファードフッ酸、水溶性有機溶媒
及び防食剤を含有するレジスト用剥離液組成物を提案し
た。前記レジスト用剥離液組成物はフッ化水素酸を含ん
でいるところから、人体に対する安全性に問題があり取
り扱い難い上に、組成物が酸性であるところから剥離槽
と剥離液が入ったコンテナを結ぶ薬液供給装置等の周辺
装置を腐食し易く、さらに煩雑な排気処理、廃液処理が
必要であるなどの問題点があった。
【０００６】そこで、本発明者等は、上記問題点のない
レジスト用剥離液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、水溶
性有機溶媒及び水を含有するレジスト用剥離液組成物と
することで、低温での剥離処理が短時間で行える上に、
基板上の金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止でき、かつ
毒性が低く、排気処理、廃液処理が容易に行えるレジス
ト用剥離液組成物が得られること、さらに前記レジスト
用剥離液組成物に防食剤を含有させると、腐食防止効果
が一段と向上することを見出し、本発明を完成したもの
である。すなわち、
レジスト用剥離液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、水溶
性有機溶媒及び水を含有するレジスト用剥離液組成物と
することで、低温での剥離処理が短時間で行える上に、
基板上の金属薄膜や周辺装置等の腐食が防止でき、かつ
毒性が低く、排気処理、廃液処理が容易に行えるレジス
ト用剥離液組成物が得られること、さらに前記レジスト
用剥離液組成物に防食剤を含有させると、腐食防止効果
が一段と向上することを見出し、本発明を完成したもの
である。すなわち、
【０００７】本発明は、ドライエッチング、アッシン
グ、イオン注入等の処理で変質した膜を低温（室温）で
しかも短時間で剥離でき、しかも基板上の金属薄膜や周
辺装置を腐食することのないレジスト用剥離液組成物を
提供することを目的とする。
グ、イオン注入等の処理で変質した膜を低温（室温）で
しかも短時間で剥離でき、しかも基板上の金属薄膜や周
辺装置を腐食することのないレジスト用剥離液組成物を
提供することを目的とする。
【０００８】また、本発明は、安全性が高く取り扱いが
容易な上に、煩雑な排気処理、廃液処理を必要としない
レジスト用剥離液組成物を提供することを目的とする。
容易な上に、煩雑な排気処理、廃液処理を必要としない
レジスト用剥離液組成物を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基との
塩、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水、さらに必要に
応じて（ｄ）防食剤を含有し、水素イオン濃度（ｐＨ）
が５〜８の範囲にあるレジスト用剥離液組成物に係る。
明は、（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基との
塩、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水、さらに必要に
応じて（ｄ）防食剤を含有し、水素イオン濃度（ｐＨ）
が５〜８の範囲にあるレジスト用剥離液組成物に係る。
【００１０】本発明のレジスト用剥離液組成物は、上述
のとおり（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基との
塩を含有するが、前記金属を含まない塩基とは、ヒドロ
キシルアミン類、第１級、第２級又は第３級の脂肪族ア
ミン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミンな
どの有機アミン、アンモニア水又は低級アルキル第４級
アンモニウム塩基のように分子中に金属を含有しない塩
基をいう。前記ヒドロキシルアミン類としては、具体的
にヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシル
アミンなどが、第１級脂肪族アミンとしては、具体的に
モノエタノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−
アミノエチルアミノ）エタノールなどが、第２級脂肪族
アミンとしては、具体的にジエタノールアミン、ジプロ
ピルアミン、２−エチルアミノエタノールなどが、第３
級の脂肪族アミンとしては、具体的にジメチルアミノエ
タノール、エチルジエタノールアミンなどが、脂環式ア
ミンとしては、具体的にシクロヘキシルアミン、ジシク
ロヘキシルアミンなどが、芳香族アミンとしては、具体
的にベンジルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベ
ンジルアミンなどが、複素環式アミンとしては、具体的
にピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モル
ホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ−ヒドロキシエチル
ピペリジン、オキサゾール、チアゾールなどが挙げられ
る。さらに低級アルキル第４級アンモニウム塩基として
は、具体的にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒド
ロキシド（コリン）などが挙げられる。中でもアンモニ
ア水、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシドは入手が容易である上に安全性に優れて
いるところから好ましい。前記金属を含まない塩基とフ
ッ化水素酸との塩は、市販のフッ化水素５０〜６０％濃
度のフッ化水素酸に金属を含まない塩基をｐＨが５〜８
となるように添加することで製造できる。前記塩として
市販のフッ化アンモニウムが使用できることはいうまで
もない。
のとおり（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基との
塩を含有するが、前記金属を含まない塩基とは、ヒドロ
キシルアミン類、第１級、第２級又は第３級の脂肪族ア
ミン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミンな
どの有機アミン、アンモニア水又は低級アルキル第４級
アンモニウム塩基のように分子中に金属を含有しない塩
基をいう。前記ヒドロキシルアミン類としては、具体的
にヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシル
アミンなどが、第１級脂肪族アミンとしては、具体的に
モノエタノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−
アミノエチルアミノ）エタノールなどが、第２級脂肪族
アミンとしては、具体的にジエタノールアミン、ジプロ
ピルアミン、２−エチルアミノエタノールなどが、第３
級の脂肪族アミンとしては、具体的にジメチルアミノエ
タノール、エチルジエタノールアミンなどが、脂環式ア
ミンとしては、具体的にシクロヘキシルアミン、ジシク
ロヘキシルアミンなどが、芳香族アミンとしては、具体
的にベンジルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベ
ンジルアミンなどが、複素環式アミンとしては、具体的
にピロール、ピロリジン、ピロリドン、ピリジン、モル
ホリン、ピラジン、ピペリジン、Ｎ−ヒドロキシエチル
ピペリジン、オキサゾール、チアゾールなどが挙げられ
る。さらに低級アルキル第４級アンモニウム塩基として
は、具体的にテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒド
ロキシド（コリン）などが挙げられる。中でもアンモニ
ア水、モノエタノールアミン、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシドは入手が容易である上に安全性に優れて
いるところから好ましい。前記金属を含まない塩基とフ
ッ化水素酸との塩は、市販のフッ化水素５０〜６０％濃
度のフッ化水素酸に金属を含まない塩基をｐＨが５〜８
となるように添加することで製造できる。前記塩として
市販のフッ化アンモニウムが使用できることはいうまで
もない。
【００１１】本発明のレジスト用剥離液組成物は、ｐＨ
が５〜８のほぼ中性である。前記ｐＨ値範囲を達成する
には（ａ）成分をほぼ中性に調製すればよいが、フッ化
水素酸に添加する金属を含まない塩基の種類により中性
にするための含有量が異なるところから一義的に規定す
ることができないが、例えば、アンモニア水の場合、等
モル濃度のフッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合す
れば目的とするｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、
エタノールアミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素酸１
０００ｍｌとモノエタノールアミン１モルとを混合すれ
ば同じように（ａ）成分が調製できる。（ａ）成分のｐ
Ｈ値が前記範囲にあることにより変質膜の剥離性の低下
がなく、基板の上の金属膜や薬液供給装置などの周辺装
置の腐食を抑制したまま、安全に取り扱うことができ、
さらに、フッ化水素の含有量が少ないところから前記フ
ッ化水素の発生に起因する煩雑な排気処理、廃液処理を
必要としない。
が５〜８のほぼ中性である。前記ｐＨ値範囲を達成する
には（ａ）成分をほぼ中性に調製すればよいが、フッ化
水素酸に添加する金属を含まない塩基の種類により中性
にするための含有量が異なるところから一義的に規定す
ることができないが、例えば、アンモニア水の場合、等
モル濃度のフッ化水素酸とアンモニア水を等容積混合す
れば目的とするｐＨの（ａ）成分が調製できる。また、
エタノールアミンの場合、１モル／ｌのフッ化水素酸１
０００ｍｌとモノエタノールアミン１モルとを混合すれ
ば同じように（ａ）成分が調製できる。（ａ）成分のｐ
Ｈ値が前記範囲にあることにより変質膜の剥離性の低下
がなく、基板の上の金属膜や薬液供給装置などの周辺装
置の腐食を抑制したまま、安全に取り扱うことができ、
さらに、フッ化水素の含有量が少ないところから前記フ
ッ化水素の発生に起因する煩雑な排気処理、廃液処理を
必要としない。
【００１２】本発明で使用する（ｂ）成分としては前記
（ａ）成分、（ｃ）及び（ｄ）成分と混和性のある有機
溶媒であればよく、従来の有機アミン系剥離液に使用さ
れた水溶性有機溶媒が使用できる。前記水溶性有機溶媒
としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、
ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒド
ロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等の
スルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等
のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル
−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ
−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシ
エチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−
イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミ
ダゾリジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラク
トン、δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレング
リコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げ
られる。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエチ
レングリコールモノブチルエーテルがレジスト変質膜の
剥離性に優れ好ましい。特に、（ｂ）成分を少なくとも
１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒
とするとホール状のレジストパターンの剥離処理時に、
金属蒸着板の腐食防止効果が高く、好ましい。この際、
エチレングリコールの含有量が多い程腐食防止効果が向
上するのでエチレングリコール単独で（ｂ）成分として
もよいし、またジメチルスルホキシドと等量の混合物と
してもよい。
（ａ）成分、（ｃ）及び（ｄ）成分と混和性のある有機
溶媒であればよく、従来の有機アミン系剥離液に使用さ
れた水溶性有機溶媒が使用できる。前記水溶性有機溶媒
としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、
ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒド
ロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等の
スルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等
のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル
−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ
−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシ
エチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−
イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミ
ダゾリジノン等のイミダゾリジノン類、γ−ブチロラク
トン、δ−バレロラクトン等のラクトン類、エチレング
リコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体が挙げ
られる。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエチ
レングリコールモノブチルエーテルがレジスト変質膜の
剥離性に優れ好ましい。特に、（ｂ）成分を少なくとも
１０重量％のエチレングリコールを含む水溶性有機溶媒
とするとホール状のレジストパターンの剥離処理時に、
金属蒸着板の腐食防止効果が高く、好ましい。この際、
エチレングリコールの含有量が多い程腐食防止効果が向
上するのでエチレングリコール単独で（ｂ）成分として
もよいし、またジメチルスルホキシドと等量の混合物と
してもよい。
【００１３】本発明のレジスト用剥離液組成物が（ａ）
成分、（ｂ）成分及び（ｃ）成分を含有する場合には、
（ａ）成分が０．２〜３０重量％、好ましくは０．５〜
３０重量％、（ｂ）成分が３０〜９０重量％、好ましく
は４０〜９０重量％及び残部が（ｃ）成分の範囲がよ
い。各成分が前記範囲で含有されることにより変質膜の
剥離性、室温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向
上する。特に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の
基板、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなど
の基板の場合には前記範囲とすることを必須とする。
（ａ）成分が前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥
離性が低下し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
成分、（ｂ）成分及び（ｃ）成分を含有する場合には、
（ａ）成分が０．２〜３０重量％、好ましくは０．５〜
３０重量％、（ｂ）成分が３０〜９０重量％、好ましく
は４０〜９０重量％及び残部が（ｃ）成分の範囲がよ
い。各成分が前記範囲で含有されることにより変質膜の
剥離性、室温での剥離性、及び基板の腐食防止効果が向
上する。特に剥離される基板が腐食され易い金属蒸着の
基板、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕなど
の基板の場合には前記範囲とすることを必須とする。
（ａ）成分が前記範囲より少ない場合には、変質膜の剥
離性が低下し、多い場合には基板が腐食し易くなる。
【００１４】本発明は、上記（ａ）〜（ｃ）成分に加え
て（ｄ）成分を含有することができる。前記（ｄ）成分
の含有により、本発明のレジスト用剥離液組成物は腐食
され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板
の防食性を変質膜の剥離性を低下させることなく一段と
向上できる。前記防食剤としては、芳香族ヒドロキシ化
合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機
化合物及びその無水物、トリアゾール化合物及び糖類が
挙げられる。芳香族ヒドロキシ化合物としては、具体的
にフェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコ
ール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、
１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコー
ル、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキ
シベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアル
コール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノー
ル、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−
ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４
−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香
酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロ
キシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコ
ールが好適である。
て（ｄ）成分を含有することができる。前記（ｄ）成分
の含有により、本発明のレジスト用剥離液組成物は腐食
され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等の基板
の防食性を変質膜の剥離性を低下させることなく一段と
向上できる。前記防食剤としては、芳香族ヒドロキシ化
合物、アセチレンアルコール、カルボキシル基含有有機
化合物及びその無水物、トリアゾール化合物及び糖類が
挙げられる。芳香族ヒドロキシ化合物としては、具体的
にフェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコ
ール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、
１，２，４−ベンゼントリオール、サリチルアルコー
ル、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｏ−ヒドロキ
シベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフェネチルアル
コール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノー
ル、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノール、ｐ−
ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香酸、２，４
−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香
酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロ
キシ安息香酸等を挙げることができ、中でもピロカテコ
ールが好適である。
【００１５】アセチレンアルコールとしては、具体的に
２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２
−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、
２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−
ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−
ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−
１，４−ジオール が好適である。
２−ブチン−１，４−ジオール、３，５−ジメチル−１
−ヘキシン−３−オール、２−メチル−３−ブチン−２
−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、
２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−
ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−
ジオール等を挙げることができる。中でも２−ブチン−
１，４−ジオール が好適である。
【００１６】カルボキシル基含有有機化合物及びその無
水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３
−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることがで
きる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物として
は、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサ
リチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリ
チル酸が好適である。
水物としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マ
レイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、１，２，３
−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸 、無水酢酸、無水フタル酸、無水マレ
イン酸、無水コハク酸、サリチル酸等を挙げることがで
きる。好ましいカルボキシル基含有有機化合物として
は、蟻酸、フタル酸、安息香酸、無水フタル酸、及びサ
リチル酸があり、特にフタル酸、無水フタル酸及びサリ
チル酸が好適である。
【００１７】トリアゾール化合物としては、ベンゾトリ
アゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリア
ゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾト
リアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニト
ロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾト
リアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリア
ゾールが好適である。
アゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリア
ゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾト
リアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニト
ロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾト
リアゾール等を挙げることができ、中でもベンゾトリア
ゾールが好適である。
【００１８】糖類としては、具体的にＤ−ソルビトー
ル、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げ
ることができ、中でもＤ−ソルビトールが好適である。
ル、アラビトール、マンニトール、蔗糖、澱粉等を挙げ
ることができ、中でもＤ−ソルビトールが好適である。
【００１９】上記各防食剤は単独でも、又２種以上を組
み合わせても使用できる。
み合わせても使用できる。
【００２０】本発明のレジスト用剥離液組成物が（ａ）
〜（ｄ）成分を含有する場合には、（ａ）成分が０．２
〜３０重量、好ましくは０．５〜２０重量％、（ｂ）成
分が３０〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％、
（ｄ）成分が０．５〜４０重量％、好ましくは、１〜３
０重量％で残部が水であるのが好ましい。各成分が前記
範囲を逸脱すると、変質膜の剥離性、防食性に劣る。
〜（ｄ）成分を含有する場合には、（ａ）成分が０．２
〜３０重量、好ましくは０．５〜２０重量％、（ｂ）成
分が３０〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％、
（ｄ）成分が０．５〜４０重量％、好ましくは、１〜３
０重量％で残部が水であるのが好ましい。各成分が前記
範囲を逸脱すると、変質膜の剥離性、防食性に劣る。
【００２１】本発明のレジスト用剥離液組成物は、ネガ
型及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて
現像できるレジストに有利に使用できる。前記レジスト
としては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラ
ック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸
を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対
する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を
含有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発
生する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有す
るネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定される
ものではない。
型及びポジ型レジストを含めてアルカリ水溶液を用いて
現像できるレジストに有利に使用できる。前記レジスト
としては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化合物とノボラ
ック樹脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉ）露光によ
り酸を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液
に対する溶解性が増大する化合物及びアルカリ可溶性樹
脂を含有するポジ型レジスト、（ｉｉｉ）露光により酸
を発生する化合物、酸により分解しアルカリ水溶液に対
する溶解性が増大する基を有するアルカリ可溶性樹脂を
含有するポジ型レジスト、及び（ｉｖ）光により酸を発
生する化合物、架橋剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有す
るネガ型レジスト等が挙げられるが、これに限定される
ものではない。
【００２２】
【発明の実施の態様】次に、実施例により本発明をさら
に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。
に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。
【００２３】
実施例１〜７ 約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコン
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ
３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、
９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μ
ｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲー
２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパター
ンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパタ
ーンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポスト
ベークを行った。
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ
３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、
９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μ
ｍのレジスト層を形成した。このレジスト層をＮＳＲー
２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用いてマスクパター
ンを介して、露光し、２．３８重量％のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、レジストパタ
ーンを形成した。次いで、１２０℃で９０秒間のポスト
ベークを行った。
【００２４】次に、上記レジストパターンを有する約
１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウ
エーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京応化工
業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスをエッチ
ャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０
℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とトリ
フルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍｍＴｏｒ
ｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョ
ン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−
２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧
力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１
５０秒間のアッシング処理を行った。
１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコンウ
エーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東京応化工
業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガスをエッチ
ャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０
℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸素とトリ
フルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍｍＴｏｒ
ｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコロージョ
ン処理をした。前記処理後更にアッシング装置ＴＣＡ−
２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを用いて圧
力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の条件で１
５０秒間のアッシング処理を行った。
【００２５】上記処理済シリコンウエーハを、表１に示
す組成の剥離液に２３℃で５分間浸漬し剥離処理を行っ
た。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウェ
ーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、
及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）の写真観察により評価した。前記変質膜の剥
離性は、 ○：剥離性良好、 ×：不完全な剥離 腐食の状態は ○：腐食なし、 ×：腐食あり とし、その結果を表１に示した。
す組成の剥離液に２３℃で５分間浸漬し剥離処理を行っ
た。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウェ
ーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、
及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）の写真観察により評価した。前記変質膜の剥
離性は、 ○：剥離性良好、 ×：不完全な剥離 腐食の状態は ○：腐食なし、 ×：腐食あり とし、その結果を表１に示した。
【００２６】
【表１】 注）Ａ・ＨＦ：フッ化アンモニウム塩 ＭＥＡ・ＨＦ：フッ化水素酸のモノエタノールアミン塩 ＴＭＡＨ・ＨＦ：フッ化水素酸のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキド塩 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＤＭＩ：１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＢＴ：ベンゾトリアゾール ＰＣ：ピロカテコール
ウムヒドロキド塩 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＤＭＩ：１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＢＴ：ベンゾトリアゾール ＰＣ：ピロカテコール
【００２７】比較例１〜４ 実施例において、剥離液の組成を表２に示すように代え
た以外は、実施例と同様にして変質膜の剥離性及び腐食
性の評価を行った。その結果を表２に示す。
た以外は、実施例と同様にして変質膜の剥離性及び腐食
性の評価を行った。その結果を表２に示す。
【００２８】
【表 ２】 注）Ａ・ＨＦ：フッ化アンモニウム塩 ＴＭＡＨ・ＨＦ：フッ化水素酸のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロキド塩 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＰＣ：ピロカテコール ＮＨ4Ｆ・ＨＦ：酸性フッ化アンモニウム
ウムヒドロキド塩 ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＰＣ：ピロカテコール ＮＨ4Ｆ・ＨＦ：酸性フッ化アンモニウム
【００２９】上記表１、２から明らかなように本発明の
レジスト用剥離液組成物はほぼ中性であるにもかかわら
ず低温（室温）で短時間に変質膜を良好に剥離するとと
もに基板を腐食することがない。
レジスト用剥離液組成物はほぼ中性であるにもかかわら
ず低温（室温）で短時間に変質膜を良好に剥離するとと
もに基板を腐食することがない。
【００３０】実施例８ 約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を蒸着したシリコン
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ
３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、
９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μ
ｍのレジスト層を形成した。このレジスト層に縮小投影
露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用
いてマスクパターンを介してｉ線（３６５ｎｍ）を照射
し、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液で現像し、ホール状のレジストパターンを
形成した。
ウエーハ上にナフトキノンジアジド化合物とノボラック
樹脂からなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ
３３００（東京応化工業社製）をスピンナー塗布して、
９０℃で、９０秒間のプレベークを施し、膜厚２．０μ
ｍのレジスト層を形成した。このレジスト層に縮小投影
露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）を用
いてマスクパターンを介してｉ線（３６５ｎｍ）を照射
し、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液で現像し、ホール状のレジストパターンを
形成した。
【００３１】次に、上記ホール状のレジストパターンを
有する約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の蒸着したシ
リコンウェーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東
京応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガス
をエッチャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ
温度２０℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸
素とトリフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍ
ｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコ
ロージョン処理をした。前記処理後更にアッシング装置
ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを
用いて圧力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の
条件で１５０秒間のアッシング処理を行った。
有する約１．０μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の蒸着したシ
リコンウェーハをエッチング装置ＴＳＳ−６０００（東
京応化工業社製）を用い、塩素と三塩化硼素の混合ガス
をエッチャントとして、圧力５ｍｍＴｏｒｒ、ステージ
温度２０℃で１６８秒間エッチング処理し、次いで、酸
素とトリフルオロメタンの混合ガスを用い、圧力２０ｍ
ｍＴｏｒｒ、ステージ温度２０℃で３０秒間アフターコ
ロージョン処理をした。前記処理後更にアッシング装置
ＴＣＡ−２４００（東京応化工業社製）で、酸素ガスを
用いて圧力０．３ｍｍＴｏｒｒ、ステージ温度６０℃の
条件で１５０秒間のアッシング処理を行った。
【００３２】上記処理済シリコンウエーハを、エチレン
グリコール６８．９重量％、水３０重量％、フッ化アン
モニウム１．０重量％及びフッ化水素０．１重量％から
なる剥離液に２３℃で２０分間浸漬し剥離処理を行っ
た。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウェ
ーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、
及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）の写真観察により評価したところ、レジスト
膜は基板の金属蒸着層を腐食することなく良好に剥離さ
れていた。なお、前記剥離液のｐＨは８．０であった。
グリコール６８．９重量％、水３０重量％、フッ化アン
モニウム１．０重量％及びフッ化水素０．１重量％から
なる剥離液に２３℃で２０分間浸漬し剥離処理を行っ
た。処理した基板を純水でリンス処理し、シリコンウェ
ーハのアッシング残渣の剥離状態（変質膜の剥離性）、
及びＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜の腐食状態をＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）の写真観察により評価したところ、レジスト
膜は基板の金属蒸着層を腐食することなく良好に剥離さ
れていた。なお、前記剥離液のｐＨは８．０であった。
【００３３】実施例９ 実施例８において、剥離液をジメチルスルホキシド／エ
チレングリコール（重量比で１／１）６８．９重量％、
水３０重量％、フッ化アンモニウム１．０重量％及びフ
ッ化水素０．１重量％の剥離液とした以外、実施例８と
同様な剥離処理を行った。金属蒸着層には腐食がなくレ
ジスト膜が良好に剥離されていた。なお、前記剥離液の
ｐＨは８．０であった。
チレングリコール（重量比で１／１）６８．９重量％、
水３０重量％、フッ化アンモニウム１．０重量％及びフ
ッ化水素０．１重量％の剥離液とした以外、実施例８と
同様な剥離処理を行った。金属蒸着層には腐食がなくレ
ジスト膜が良好に剥離されていた。なお、前記剥離液の
ｐＨは８．０であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、過酷な処理条件で変質したレ
ジスト膜であっても低温（室温）で短時間に剥離できる
とともに、腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ等の基板や周辺装置を腐食することがなく、しか
も前記剥離液組成物は中性で安全であるとともに取り扱
いが容易で、フッ化水素の発生がなく排気処理、廃液処
理が容易に行えるレジスト用剥離液組成物である。
ジスト膜であっても低温（室温）で短時間に剥離できる
とともに、腐食され易いＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ等の基板や周辺装置を腐食することがなく、しか
も前記剥離液組成物は中性で安全であるとともに取り扱
いが容易で、フッ化水素の発生がなく排気処理、廃液処
理が容易に行えるレジスト用剥離液組成物である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基
との塩、（ｂ）水溶性有機溶媒及び（ｃ）水を含有し、
かつ水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の範囲にあること
を特徴とするレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項２】（ａ）成分が０．２〜３０重量％、（ｂ）
成分が３０〜９０重量％及び残部が（ｃ）成分であるこ
とを特徴とする請求項１記載のレジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項３】（ａ）フッ化水素酸と金属を含まない塩基
との塩、（ｂ）水溶性有機溶媒、（ｃ）水及び（ｄ）防
食剤を含有し、かつ水素イオン濃度（ｐＨ）が５〜８の
範囲にあることを特徴とするレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項４】（ａ）成分が０．２〜３０重量％、（ｂ）
成分が３０〜８０重量％、（ｄ）成分が０．５〜４０重
量％及び残部が（ｃ）成分であることを特徴とする請求
項３記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項５】（ａ）成分がフッ化水素酸とヒドロキシル
アミン類、第１級、第２級又は第３級の脂肪族アミン、
脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、アンモ
ニア水及び低級アルキル第４級アンモニウム塩基から選
ばれる少なくとも１種との塩であることを特徴とする請
求項１又は３記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項６】（ａ）成分がフッ化アンモニウムであるこ
とを特徴とする請求項５記載のレジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項７】（ｂ）成分がジメチルスルホキシド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール及びジエ
チレングリコールモノブチルエーテルから選ばれる少な
くとも１種であることを特徴とする請求項１又は３記載
のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項８】（ｂ）成分が少なくとも１０重量％のエチ
レングリコールを含む水溶性有機溶媒であることを特徴
とする請求項７記載のレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項９】（ｄ）成分が芳香族ヒドロキシ化合物、ア
セチレンアルコール、カルボキシル基含有有機化合物及
びその無水物、トリアゾール化合物並びに糖類から選ば
れる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３記
載のレジスト用剥離液組成物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17987296A JP3236220B2 (ja) | 1995-11-13 | 1996-06-21 | レジスト用剥離液組成物 |
| TW085113788A TW439018B (en) | 1995-11-13 | 1996-11-11 | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same |
| EP96118205A EP0773480B1 (en) | 1995-11-13 | 1996-11-13 | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the the same |
| DE69620848T DE69620848T2 (de) | 1995-11-13 | 1996-11-13 | Photolack-Entfernungslösung und Verfahren zur Entfernung von Photolack unter Verwendung derselben |
| US08/747,898 US5792274A (en) | 1995-11-13 | 1996-11-13 | Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same |
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197681A true JPH09197681A (ja) | 1997-07-31 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| DE (1) | DE69620848T2 (ja) |
| TW (1) | TW439018B (ja) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020019813A (ko) * | 2000-09-07 | 2002-03-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버조성물 |
| JP2002075993A (ja) * | 2000-06-15 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002110509A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| JP2003507901A (ja) * | 1999-07-16 | 2003-02-25 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 半導体装置のための有機およびプラズマ・エッチング残留物の洗浄用ラクタム組成物 |
| JP2003107754A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離液組成物 |
| US6638899B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists with the same |
| JP2004502980A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-01-29 | イーケイシー テクノロジー インコーポレーテッド | 半導体デバイスの有機及びプラズマエッチング残さの洗浄用組成物 |
| WO2004084288A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Daikin Industries Ltd. | エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 |
| KR100510446B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 콘택홀 세정방법 |
| JP2005532691A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-10-27 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | エッチング残渣除去用組成物、及び、その使用 |
| KR100561178B1 (ko) * | 1999-05-03 | 2006-03-15 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 |
| KR100569533B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2006-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정용 조성물 |
| KR100607431B1 (ko) * | 1998-11-13 | 2006-08-02 | 카오카부시키가이샤 | 레지스트용 박리제 조성물 |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| KR100645619B1 (ko) * | 1998-07-06 | 2006-11-13 | 이케이시 테크놀로지 인코퍼레이티드 | 듀얼 다마스크 시스템 후엣칭 세정조성물 및 방법 |
| JP2007519942A (ja) * | 2003-12-02 | 2007-07-19 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | レジスト、ｂａｒｃ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法 |
| US7250391B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Cleaning composition for removing resists and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009218439A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Daikin Ind Ltd | 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法 |
| JP2010019978A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP2010047770A (ja) * | 2002-09-26 | 2010-03-04 | Air Products & Chemicals Inc | エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 |
| JP4689855B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-05-25 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 残渣剥離剤組成物およびその使用方法 |
| US8192923B2 (en) | 2001-08-03 | 2012-06-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| JP2013032473A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Mitsuhiro Kawada | 水系洗浄剤 |
| EP2930565A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Stripping solution for photolithography and pattern forming process |
| US9436094B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-09-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Stripping solution for photolithography and pattern formation method |
| US9535330B2 (en) | 2011-11-01 | 2017-01-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Stripping solution for photolithography and pattern formation method |
| US10119103B2 (en) | 2016-03-04 | 2018-11-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning liquid and method for cleaning |
| US10920179B2 (en) | 2016-11-10 | 2021-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning solution and method for cleaning substrate |
Families Citing this family (89)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
| US20040018949A1 (en) * | 1990-11-05 | 2004-01-29 | Wai Mun Lee | Semiconductor process residue removal composition and process |
| US7205265B2 (en) | 1990-11-05 | 2007-04-17 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions and methods of use thereof |
| US7144849B2 (en) * | 1993-06-21 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
| JP3755776B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2006-03-15 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
| JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US5968848A (en) * | 1996-12-27 | 1999-10-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment |
| JPH10239865A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Jsr Corp | ネガ型フォトレジスト用剥離液組成物 |
| US6268323B1 (en) * | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| JPH1167632A (ja) * | 1997-08-18 | 1999-03-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置用洗浄剤 |
| US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
| US6432209B2 (en) * | 1998-03-03 | 2002-08-13 | Silicon Valley Chemlabs | Composition and method for removing resist and etching residues using hydroxylazmmonium carboxylates |
| TW460748B (en) * | 1998-05-26 | 2001-10-21 | Matsushita Electronics Corp | Capacitor and method for fabricating the same |
| JP3606738B2 (ja) * | 1998-06-05 | 2005-01-05 | 東京応化工業株式会社 | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
| US6348239B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-02-19 | Simon Fraser University | Method for depositing metal and metal oxide films and patterned films |
| US6440326B1 (en) * | 1998-08-13 | 2002-08-27 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Photoresist removing composition |
| SG77710A1 (en) * | 1998-09-09 | 2001-01-16 | Tokuyama Corp | Photoresist ashing residue cleaning agent |
| TW546553B (en) * | 1998-12-25 | 2003-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same |
| US6828289B2 (en) * | 1999-01-27 | 2004-12-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature |
| KR100319881B1 (ko) | 1999-02-03 | 2002-01-10 | 윤종용 | 집적 회로 기판 표면의 불순물을 제거하기 위한 세정 수용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| JP4224651B2 (ja) | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| US6673757B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-01-06 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
| US6274504B2 (en) * | 1999-06-15 | 2001-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Minimizing metal corrosion during post metal solvent clean |
| US6200940B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-03-13 | Napier International Technologies, Inc. | Paint stripper compositions |
| KR20010080533A (ko) * | 1999-09-24 | 2001-08-22 | 미우라 유이찌, 쓰지 가오루 | 세정제 |
| JP2001100436A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
| US6123088A (en) * | 1999-12-20 | 2000-09-26 | Chartered Semiconducotor Manufacturing Ltd. | Method and cleaner composition for stripping copper containing residue layers |
| JP2001183849A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
| US6207350B1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-03-27 | Headway Technologies, Inc. | Corrosion inhibitor for NiCu for high performance writers |
| US6531436B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
| DE60108286T2 (de) | 2000-03-27 | 2005-12-29 | Shipley Co., L.L.C., Marlborough | Entfernungsmittel für Polymer |
| US6831048B2 (en) | 2000-04-26 | 2004-12-14 | Daikin Industries, Ltd. | Detergent composition |
| US7427529B2 (en) * | 2000-06-06 | 2008-09-23 | Simon Fraser University | Deposition of permanent polymer structures for OLED fabrication |
| KR100363271B1 (ko) * | 2000-06-12 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
| KR20010113396A (ko) * | 2000-06-19 | 2001-12-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버 조성물 |
| US7456140B2 (en) * | 2000-07-10 | 2008-11-25 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
| JP3738996B2 (ja) * | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
| JP4525885B2 (ja) | 2001-01-12 | 2010-08-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用現像液及びフォトレジストの現像方法 |
| JP2002303993A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20030022800A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-01-30 | Peters Darryl W. | Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners |
| MY131912A (en) * | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
| MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
| TWI297102B (en) | 2001-08-03 | 2008-05-21 | Nec Electronics Corp | Removing composition |
| JP2003129089A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Daikin Ind Ltd | 洗浄用組成物 |
| US20030171239A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-09-11 | Patel Bakul P. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
| US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
| JP2004029346A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
| US7393819B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-07-01 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
| DE10331033B4 (de) * | 2002-07-12 | 2010-04-29 | Ekc Technology K.K. R&D Business Park Bldg. D-3F, Kawasaki | Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung und Reinigungszusammensetzung dafür |
| US6849200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material |
| EP1544324A4 (en) * | 2002-08-19 | 2005-11-09 | Merk Kanto Advanced Chemical L | ablation solution |
| EP1536291A4 (en) * | 2002-08-22 | 2008-08-06 | Daikin Ind Ltd | REMOVING SOLUTION |
| JP4282054B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2009-06-17 | 東京応化工業株式会社 | デュアルダマシン構造形成プロセスに用いられる洗浄液および基板の処理方法 |
| TWI295076B (en) * | 2002-09-19 | 2008-03-21 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | Washing liquid for semiconductor substrate and method of producing semiconductor device |
| TW200413522A (en) * | 2002-11-08 | 2004-08-01 | Sumitomo Chemical Co | Washing liquid for semiconductor substrate |
| KR100543457B1 (ko) * | 2003-06-02 | 2006-01-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정에서 사용되는 부식방지제를 포함하는 세정액 |
| US20050089489A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Carter Melvin K. | Composition for exfoliation agent effective in removing resist residues |
| CA2544209C (en) * | 2003-10-28 | 2011-10-18 | Sachem, Inc. | Cleaning solutions and etchants and methods for using same |
| US6946396B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Nissan Chemical Indusries, Ltd. | Maleic acid and ethylene urea containing formulation for removing residue from semiconductor substrate and method for cleaning wafer |
| US8030263B2 (en) * | 2004-07-01 | 2011-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for stripping and cleaning and use thereof |
| US9217929B2 (en) * | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
| US20060063687A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Minsek David W | Composition and process for ashless removal of post-etch photoresist and/or bottom anti-reflective material on a substrate |
| TWI299514B (en) * | 2004-11-04 | 2008-08-01 | Nec Lcd Technologies Ltd | Method of processing substrate and chemical used in the same (1) |
| KR20060064441A (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-13 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물 |
| US7923423B2 (en) | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| JP5600376B2 (ja) | 2005-01-27 | 2014-10-01 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 半導体基材の処理のための組成物 |
| US7682458B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-03-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
| US7888302B2 (en) * | 2005-02-03 | 2011-02-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous based residue removers comprising fluoride |
| US7718590B2 (en) * | 2005-02-25 | 2010-05-18 | Ekc Technology, Inc. | Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-k dielectric material |
| EP1701218A3 (en) * | 2005-03-11 | 2008-10-15 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Polymer remover |
| TWI408212B (zh) * | 2005-06-07 | 2013-09-11 | Advanced Tech Materials | 金屬及介電相容犧牲抗反射塗層清洗及移除組成物 |
| TWI339780B (en) * | 2005-07-28 | 2011-04-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Stripper |
| KR100674300B1 (ko) * | 2005-10-07 | 2007-01-24 | 삼성전기주식회사 | 리지드-플렉시블 인쇄회로기판의 제조방법 |
| US20070099806A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Stewart Michael P | Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces |
| AU2006340825A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-10-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon |
| US7534753B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
| US8685909B2 (en) | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
| US7879783B2 (en) * | 2007-01-11 | 2011-02-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning composition for semiconductor substrates |
| US20080234162A1 (en) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | General Chemical Performance Products Llc | Semiconductor etch residue remover and cleansing compositions |
| JP2011503899A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-01-27 | イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレーテッド | 半導体基板から金属ハードマスクエッチング残留物を除去するための組成物 |
| JP5370358B2 (ja) * | 2008-08-05 | 2013-12-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 残渣剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法 |
| JP5873718B2 (ja) | 2008-10-21 | 2016-03-01 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 銅の洗浄及び保護配合物 |
| CN103019051B (zh) | 2012-12-07 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种抗蚀剂剥离液 |
| EP3084809A4 (en) * | 2013-12-20 | 2017-08-23 | Entegris, Inc. | Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist |
| CA3039238A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-05 | Fluid Energy Group Ltd. | Novel inhibited hydrofluoric acid composition |
| CN114196405A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-18 | 广东长兴半导体科技有限公司 | 一种废ic取晶圆的药水及其制备工艺与应用 |
| CN115161032A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-10-11 | 北京师范大学 | 一种适用于单晶硅片的腐蚀溶液及方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3890176A (en) * | 1972-08-18 | 1975-06-17 | Gen Electric | Method for removing photoresist from substrate |
| US4165295A (en) * | 1976-10-04 | 1979-08-21 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
| US4215005A (en) * | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
| US4171240A (en) * | 1978-04-26 | 1979-10-16 | Western Electric Company, Inc. | Method of removing a cured epoxy from a metal surface |
| SU777887A1 (ru) * | 1978-07-25 | 1980-11-07 | Предприятие П/Я Г-4377 | Раствор дл травлени резистивных сплавов |
| JPS6488546A (en) | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Fujitsu Ltd | Method for exposing thick film resist |
| US5030319A (en) * | 1988-12-27 | 1991-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of oxide etching with condensed plasma reaction product |
| JP2829341B2 (ja) * | 1990-01-08 | 1998-11-25 | 日本電信電話株式会社 | レジスト剥離液 |
| JP2581268B2 (ja) * | 1990-05-22 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の処理方法 |
| JPH05259066A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Texas Instr Japan Ltd | ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
| DE69333877T2 (de) * | 1992-07-09 | 2006-06-14 | Ekc Technology Inc | Reinigungsmittelzusammensetzung, das einem Redox Aminverbindung enthält |
| US5308745A (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
| US5320709A (en) * | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
| US5376236A (en) * | 1993-10-29 | 1994-12-27 | At&T Corp. | Process for etching titanium at a controllable rate |
| JP3264405B2 (ja) * | 1994-01-07 | 2002-03-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
| JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
| US5478436A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-26 | Motorola, Inc. | Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device |
| JP3255551B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2002-02-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
| US5571447A (en) * | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP17987296A patent/JP3236220B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-11 TW TW085113788A patent/TW439018B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-11-13 DE DE69620848T patent/DE69620848T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-13 EP EP96118205A patent/EP0773480B1/en not_active Revoked
- 1996-11-13 US US08/747,898 patent/US5792274A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-13 KR KR1019960053572A patent/KR100222513B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-06-03 US US09/089,661 patent/US5905063A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510446B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 콘택홀 세정방법 |
| KR100645619B1 (ko) * | 1998-07-06 | 2006-11-13 | 이케이시 테크놀로지 인코퍼레이티드 | 듀얼 다마스크 시스템 후엣칭 세정조성물 및 방법 |
| KR100607431B1 (ko) * | 1998-11-13 | 2006-08-02 | 카오카부시키가이샤 | 레지스트용 박리제 조성물 |
| KR100561178B1 (ko) * | 1999-05-03 | 2006-03-15 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 |
| JP2003507901A (ja) * | 1999-07-16 | 2003-02-25 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 半導体装置のための有機およびプラズマ・エッチング残留物の洗浄用ラクタム組成物 |
| KR100674387B1 (ko) * | 1999-09-10 | 2007-01-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법 |
| US6638899B1 (en) | 1999-09-10 | 2003-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists with the same |
| JP2002075993A (ja) * | 2000-06-15 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004502980A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-01-29 | イーケイシー テクノロジー インコーポレーテッド | 半導体デバイスの有機及びプラズマエッチング残さの洗浄用組成物 |
| KR20020019813A (ko) * | 2000-09-07 | 2002-03-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버조성물 |
| JP4496631B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| JP2002110509A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| JP4689855B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-05-25 | イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド | 残渣剥離剤組成物およびその使用方法 |
| US8192923B2 (en) | 2001-08-03 | 2012-06-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
| JP4639567B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2011-02-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2003107754A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離液組成物 |
| KR100569533B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2006-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정용 조성물 |
| JP2005532691A (ja) * | 2002-07-10 | 2005-10-27 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | エッチング残渣除去用組成物、及び、その使用 |
| US7250391B2 (en) | 2002-07-12 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Cleaning composition for removing resists and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2013092776A (ja) * | 2002-09-26 | 2013-05-16 | Air Products & Chemicals Inc | エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 |
| JP2010047770A (ja) * | 2002-09-26 | 2010-03-04 | Air Products & Chemicals Inc | エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 |
| KR100695246B1 (ko) * | 2003-03-17 | 2007-03-14 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 에칭용 또는 세정용 용액의 제조법 |
| WO2004084288A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Daikin Industries Ltd. | エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 |
| JP2007519942A (ja) * | 2003-12-02 | 2007-07-19 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | レジスト、ｂａｒｃ、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法 |
| EP1701217A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| US7816312B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-10-19 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for photoresist stripping solution and process of photoresist stripping |
| JP2009218439A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Daikin Ind Ltd | 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法 |
| JP2010019978A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP2013032473A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Mitsuhiro Kawada | 水系洗浄剤 |
| US9535330B2 (en) | 2011-11-01 | 2017-01-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Stripping solution for photolithography and pattern formation method |
| US9436094B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-09-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Stripping solution for photolithography and pattern formation method |
| EP2930565A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Stripping solution for photolithography and pattern forming process |
| US10119103B2 (en) | 2016-03-04 | 2018-11-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning liquid and method for cleaning |
| US10920179B2 (en) | 2016-11-10 | 2021-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning solution and method for cleaning substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5792274A (en) | 1998-08-11 |
| TW439018B (en) | 2001-06-07 |
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