JP5600376B2 - 半導体基材の処理のための組成物 - Google Patents
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Description
本発明は、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄及びポスト化学的機械的研磨洗浄のために有用な組成物を含む、超小型電子装置基材の処理のための組成物に関する。
超小型電子装置ウェハは集積回路を形成させるために用いられている。超小型電子装置ウェハは、絶縁性、導電性又は半導電性の特性を有する異なる材料の堆積のために領域がパターン化されるシリコン等の基材を含む。
本発明は、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄及びポスト化学的機械的研磨洗浄のために様々に有用な組成物を含む、超小型電子装置基材の処理のための組成物に関する。
本発明は、例えば、超小型電子装置のウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄、ポスト灰洗浄及びポスト化学的物理的研磨洗浄等の操作において銅メタライゼーションを有するために更に処理されなければならないウェハ物品又は更に処理されるべく意図されているウェハ物品の処理のために、超小型電子装置製造において様々に有用である組成物に関する。
アルカノールアミン、例えばモノエタノールアミン:9重量%
水酸化4級アンモニウム、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム:5重量%
錯化剤、例えば乳酸:1.9重量%
残部としての水;組成物のすべての成分の重量%が合計で100重量%になる。
アルカノールアミン、例えばモノエタノールアミン:0.3重量%
水酸化4級アンモニウム、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム:0.166重量%
錯化剤、例えばテレフタル酸:0.004重量%
残部としての水;組成物のすべての成分の重量%が合計で100重量%になる。
後に続く実施例において用いられる組成物を以下で明示する(すべての百分率は、水を含む組成物の全重量を基準にした重量による)。
組成物A:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.2%酢酸、残部としての水。
組成物B:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.5%アセトンオキシム、残部としての水。
組成物C:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.8%アラニン、残部としての水。
組成物D:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.8%5−アミノテトラゾール、残部としての水。
組成物E:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%アスパラギン、残部としての水。
組成物F:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.6%アルギニン、残部としての水。
組成物G:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%アスパラギン酸、残部としての水。
組成物H:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%ベタイン、残部としての水。
組成物I:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、4.0%クエン酸、残部としての水。
組成物J:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%シアヌル酸、残部としての水。
組成物K:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.5%システイン、残部としての水。
組成物L:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%ジメチルグリオキシム、残部としての水。
組成物M:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.2%エチレンジアミン、残部としての水。
組成物N:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%フマル酸、残部としての水。
組成物O:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、4.3%グルカラート、残部としての水。
組成物P:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.5%没食子酸、残部としての水。
組成物Q:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.0%グルタミン酸、残部としての水。
組成物R:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.0%グルタミン、残部としての水。
組成物S:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%グルタル酸、残部としての水。
組成物T:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%グリセロール、残部としての水。
組成物U:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.6%グリシン、残部としての水。
組成物V:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.6%グリコール酸、残部としての水。
組成物W:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.2%ヒスチジン、残部としての水。
組成物X:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.4%イミダゾール、残部としての水。
組成物Y:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%イミノ二酢酸、残部としての水。
組成物Z:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%イタコン酸、残部としての水。
組成物AA:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物AB:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.7%ロイシン、残部としての水。
組成物AC:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.0%リシン、残部としての水。
組成物AD:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%マレイン酸、残部としての水。
組成物AE:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.8%リンゴ酸、残部としての水。
組成物AF:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.2%マロン酸、残部としての水。
組成物AG:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.1%2−メルカプトベンズイミダゾール、残部としての水。
組成物AH:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、4.2%ムチン酸、残部としての水。
組成物AI:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%シュウ酸、残部としての水。
組成物AJ:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.1%2,4−ペンタンジオン、残部としての水。
組成物AK:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.4%フェニルアラニン、残部としての水。
組成物AM:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.7%プロリン、残部としての水。
組成物AN:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、4.0%キナ酸、残部としての水。
組成物AO:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.2%セリン、残部としての水。
組成物AP:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.8%ソルビトール、残部としての水。
組成物AQ:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%コハク酸、残部としての水。
組成物AR:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.1%酒石酸、残部としての水。
組成物AS:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.7%チロシン、残部としての水。
組成物AT:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%バリン、残部としての水。
組成物AU:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.1%キシリトール、残部としての水。
組成物AV:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、残部としての水。
組成物AW:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物AX:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%シュウ酸、残部としての水。
組成物AY:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.0%クエン酸、残部としての水。
組成物AZ:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、0.9%アミノエトキシエタノール、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BA:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、0.9%アミノエトキシエタノール、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%シュウ酸、残部としての水。
組成物BB:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、0.9%アミノエトキシエタノール、0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.0%クエン酸、残部としての水。
組成物BC:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BD:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.9%乳酸、残部としての水。
組成物BE:10%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BF:1%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BG:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、2.5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BH:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.4%コハク酸、残部としての水。
組成物BI:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、2.2%マロン酸、残部としての水。
組成物BJ:21%トリエタノールアミン、0.9%1−アミノ−2−プロパノール、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BK:21%トリエタノールアミン、0.9%2−アミノ−1−ブタノール、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BL:21%トリエタノールアミン、0.9%2−アミノ−2−メチル−1−プロパノール、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BM:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.4%フタル酸、残部としての水。
組成物BN:21%トリエタノールアミン、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.4%テレフタル酸、残部としての水。
組成物BO:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BP:10.6%2−メチルアミノエタノール、1%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BQ:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、0.9%アミノエトキシエタノール、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、残部としての水。
組成物BR:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、0.9%アミノエトキシエタノール、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.4%テレフタル酸、残部としての水。
組成物BS:18.7%ジメチルアミノエトキシエタノール、0.9%アミノエトキシエタノール、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.4%テレフタル酸、残部としての水。
組成物BT:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.9%乳酸、0.5%2−メルカプトベンズイミダゾール、残部としての水。
組成物BU:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.5%2−メルカプトベンズイミダゾール、残部としての水。
組成物CB:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.003重量%フェニル酢酸、残部としての水。
組成物CC:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.003重量%酢酸、残部としての水。
組成物CD:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.003重量%安息香酸、残部としての水。
組成物CE:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム及び0.005重量%1,3,5−ベンゼントリカルボン酸(トリメシン酸)、残部としての水。
組成物CF:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム及び0.006重量%1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸(ピロメリット酸)、残部としての水。
組成物CG:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.005重量%1,2,4−ベンゼントリカルボン酸(トリメリット酸)、残部としての水。
組成物CH:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.004重量%1,2−ベンゼンジカルボン酸(フタル酸)、残部としての水。
組成物CI:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.004重量%1,3−ベンゼンジカルボン酸(イソフタル酸)、残部としての水。
組成物CJ:0.3重量%モノエタノールアミン、0.166重量%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.004重量%1,4−ベンゼンジカルボン酸(テレフタル酸)、残部としての水。
組成物CK:0.003%アンモニウムベンゾエート、0.166%水酸化テトラメチルアンモニウム、残部としての水。
組成物CL:0.003%アンモニウムベンゾエート、0.3%モノエタノールアミン、残部としての水。
組成物CM:0.004%フタル酸、0.166%水酸化テトラメチルアンモニウム、残部としての水。
組成物CN:0.004%フタル酸、0.3%モノエタノールアミン、残部としての水。
組成物CO:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、3.5%アスコルビン酸、残部としての水。
組成物CP:11%トリエタノールアミン、3%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1.85%乳酸、残部としての水。
組成物CQ:76%モノエタノールアミン、2%水酸化テトラメチルアンモニウム、2%安息香酸、残部としての水。
組成物CR:77%モノエタノールアミン、1%水酸化テトラメチルアンモニウム、2%安息香酸、残部としての水。
組成物CS:77.5%モノエタノールアミン、2%水酸化テトラメチルアンモニウム、2%安息香酸、残部としての水。
組成物CT:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%アンモニウムベンゾエート、1.85%乳酸、83.90%水。
組成物CU:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%ベンゾトリアゾール、1.85%乳酸、83.90%水。
組成物CV:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、83.90%水。
組成物CW:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%1,2,4−トリアゾール、1.85%乳酸、83.90%水。
組成物CX:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%1,2,4−トリアゾール、0.10%アンモニウムベンゾエート、1.85%乳酸、83.80%水。
組成物CY:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、0.10%アンモニウムベンゾエート、1.85%乳酸、83.80%水。
組成物CZ:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.5%1,2,4−トリアゾール、10%ブチルカルビトール、64.50%水。
組成物DA:10%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.5%1,2,4−トリアゾール、20%メチルカルビトール、64.50%水。
組成物DB:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、1%アンモニウムベンゾエート、1.85%乳酸、83%水。
組成物DC:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、72.9%水。
組成物DD:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、20%ジメチルスルホキシド、52.9%水。
組成物DE:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、0.5%TSA−99、72.4%水。
組成物DF:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、0.5%ジエチレングリコールヘキシルエーテル、72.4%水。
組成物DG:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、20%ジメチルスルホキシド、0.5%TSA−99、52.4%水。
組成物DH:20%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.85%乳酸、0.5%ジエチレングリコールヘキシルエーテル、20%ジメチルスルホキシド、52.4%水。
組成物DI:9%モノエタノールアミン、5%水酸化テトラメチルアンモニウム、0.10%2−メルカプトベンズイミダゾール、1.86%乳酸、84.04%水。
PCMP洗浄
PCMP854ウェハ(セマテック(Sematech)854ウェハパターンで製作されたウェハ)のポストCMP洗浄のために組成物を用いた。ウェハは乾燥スラリー及び他のPCMP残渣をウェハ表面上に有していた。30:1(希釈剤として組成物1部及び脱イオン水30部)で希釈された溶液により回転/噴霧工具上で各実例のウェハを22℃、100rpmで1分にわたり洗浄し、30秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。ナノスコープ(Nanoscope)IIIa原子力顕微鏡を用いてプレ洗浄分析及びポスト洗浄分析を行った。
として計算した。
コバルト被覆のための表面調製
後続のコバルト被覆のため、超小型電子装置ウェハ、すなわち、Cu/TEOS854ウェハ(TEOS=テトラエチルオルトシリケート)の表面調製ために本発明による組成物を用いた。組成物を40:1(希釈剤として組成物1部及び脱イオン水40部)で希釈し、22℃で30秒にわたり静的浸漬によってウェハに塗布した。コバルト被覆の前にDI水でリンスした。JEOL走査電子顕微鏡(SEM)を用いて分析を行った。
装置試験パターン上の0.18μm線の銅浸食
854パターン化Cu/TEOSウェハ(TEOS=テトラエチルオルトシリケート)上の銅浸食について上述した組成物を試験した。40:1(希釈剤として組成物1部及び脱イオン水40部)で希釈された溶液にウェハ部分を22℃で5分にわたり浸漬した。0.18μm線の銅エッチングをAFMにより分析してライン高さの変化を決定し、エッチング速度をオングストローム/分で測定した。データを下の表4に記載している。
PCMP洗浄
下の表5で明示された組成物を40:1(希釈剤として組成物1部及び脱イオン水40部)で希釈し、PCMP854ウェハのポストCMP洗浄のために用いた。ウェハは乾燥スラリー及び他のPCMP残渣を表面上に有していた。各実例のウェハを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで1分にわたり洗浄し、30秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。ナノスコープ(Nanoscope)IIIa原子力顕微鏡を用いてプレ洗浄分析及びポスト洗浄分析を行った。
として計算した。
PCMP洗浄
本発明による組成物をPCMP854ウェハのポストCMP洗浄のために用いた。ウェハは乾燥スラリー及び他のPCMP残渣を表面上に有していた。各実例のウェハを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで1分にわたり溶液で洗浄し、30秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。JOEL SEMを用いてプレ洗浄分析及びポスト洗浄分析を行った。
として計算した。
銅荒れ
洗浄溶液CA〜CJの銅腐食に及ぼす影響を評価した。
組成物成分の相乗作用
本発明の組成物における洗浄に及ぼす水酸化4級アンモニウムとアミンの効果を決定するために洗浄組成物CK〜CNを評価した。
として計算した。
電気化学による銅エッチング速度
洗浄溶液を調製し、洗浄溶液の銅エッチング速度性能を評価した。
ベンゾトリアゾール(BTA)の除去
静的浸漬と合わせて1時間の間10ppmBTA溶液を用いて汚染された銅シードウェハを洗浄するために洗浄組成物を用い、その後、脱イオン(DI)水でリンスし、その後、窒素を吹かせて乾燥させた。サンプルを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで1分にわたり洗浄し、30秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。XPSを用いて分析を15度の角度で行った。組成物を30:1(希釈剤として組成物1部及び脱イオン水30部)の希釈で用いた。データを下の表10に示している。
ポストエッチング残渣の除去
通路の中の残渣で汚染されたポストエッチングウェハを洗浄するために組成物を用いた。ウェハを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで45秒にわたり洗浄し、15秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。JEOL SEMを用いて分析を行った。
ポストエッチング残渣の除去
通路の中の残渣で汚染されたポストエッチングウェハを洗浄するために組成物を用いた。ウェハを22℃で2分にわたる静的浸漬によって洗浄し、15秒にわたりDI水でリンスし、N2で乾燥させた。JEOL SEMを用いて分析を行った。
銅エッチング
非研磨PVD銅ウェハを洗浄するために、実施例11で試験したのと同じ組成物、及び米国特許第6,194,366号明細書の開示による錯化剤として没食子酸を含有する対応するTMAH/MEA組成物を用いた。銅の約1000オングストロームを物理蒸着法によってこれらのウェハ上に堆積させていた。
銅荒れ
研磨された銅ウェハを洗浄するために本発明による組成物を用いた。各実例のウェハを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで1分にわたり洗浄し、30秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。ナノスコープ(Nanoscope)IIIa原子力顕微鏡を用いて分析を行った。
銅荒れ
研磨された銅ウェハを洗浄するために本発明による組成物を用いた。各実例のウェハを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで1分にわたり洗浄し、30秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。ナノスコープ(Nanoscope)IIIa原子力顕微鏡を用いて分析を行った。
図11〜20は、40,000倍及び80,000倍のそれぞれの大きさでのポストエッチングウェハの顕微鏡写真である。図11及び12は未処理のままのウェハを示している。すべての他の場合、ウェハを回転/噴霧工具上で22℃、100rpmで45秒にわたり洗浄し、15秒にわたりDI水でリンスし、回転乾燥させた。図13及び14は、乳酸含有TMAH/MEA組成物AAで回転/噴霧洗浄後のウェハを示している。図15及び16は、グリシン含有TMAH/MEA組成物Uで回転/噴霧洗浄後のウェハを示している。図17及び18は、コハク酸含有TMAH/MEA組成物AQで回転/噴霧洗浄後のウェハを示している。図19及び20は、アスコルビン酸含有TMAH/MEA組成物COで回転/噴霧洗浄後のウェハを示している。
図21〜25は、22℃で2分にわたり静的浸漬によってウェハを洗浄し、15秒にわたりDI水でリンスし、N2で乾燥させた後の40,000倍及び80,000倍のそれぞれの大きさでのポストエッチングウェハの顕微鏡写真である。図21及び22は、乳酸含有TMAH/MEA組成物AAで浸漬洗浄後のウェハを示している。図23は、グリシン含有TMAH/MEA組成物Uで浸漬洗浄後のウェハを示している。図24及び25は、コハク酸含有TMAH/MEA組成物AQで浸漬洗浄後のウェハを示している。
銅腐食を抑制する(すなわち、銅エッチング速度を最小化する)ための配合物CT〜CYの効力を評価した。装置はブランケット銅ウェハであった。各実例のウェハを50℃で10分にわたりそれぞれの組成物に浸漬し、その後、脱イオン水でリンスし、回転乾燥させた。浸漬の前に、4点プローブ測定技術を用いてサンプルを測定して、固有抵抗の関数として基材の厚さを決定した。回帰曲線を作成し、銅の厚さを固有抵抗の関数として決定して、各組成物における銅のエッチング速度を誘導した。結果を図26で例示している。
残渣を上に有するパターン化ウェハを攪拌(250rpm)された配合物CVのビーカーに40℃で2分にわたり浸漬させた。パターン化ウェハは、銅表面上にFSGボンドパッドを含んでいた。洗浄後に、ウェハをDI水でリンスし、乾燥させ、走査電子顕微鏡(SEM)のために提出した。銅のエッチング速度を1.4Å分−1であると決定した。
ポスト−通路エッチングバリアブレークスルーウェハを攪拌(250rpm)された配合物CVのビーカーに室温で2分にわたり浸漬させた。通路−エッチングプロセス中に、ウェハを50%過剰エッチングに供して、厳しい側壁ポリマー残渣を提供した。洗浄後、ウェハをDI水でリンスし、乾燥させ、SEMのために提出した。
専有のパターン化ポストエッチング・ポスト灰Alウェハを室温、40℃及び60℃で5分にわたり配合物CQに浸漬させた。指定時間にわたる浸漬後に、ウェハをDI水でリンスし、N2を用いて乾燥させた。ヒタチ(Hitachi)又はJEOL製の走査電子顕微鏡を用いて電子顕微鏡写真を撮った。顕微鏡写真を残渣除去及び基材損傷に関して分析した。
図32A及び33Aは、銅基材にエッチドダウンされた専有のプラズマエッチドTEOSウェハを示している。ここで、銅基材は延長されたプラズマ過剰エッチング及びTEOS機構上に残された著しいポストエッチング残渣のゆえに厳しく損傷されている。ウェハを40℃で2分にわたり配合物CQに静かに浸漬させた。指定時間にわたる浸漬後に、ウェハをDI水でリンスし、N2を用いて乾燥させた。JEOL製の走査電子顕微鏡を用いて電子顕微鏡写真を撮った。
Claims (18)
- 銅メタライゼーションを含む超小型電子装置基材から望ましくない材料を除去するための、(i)少なくとも1つのアルカノールアミンと(ii)少なくとも1つの水酸化4級アンモニウムと(iii)少なくとも1つの錯化剤と(iv)水とからなる水性組成物であって、
前記少なくとも1つの錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記少なくとも1つの錯化剤が、酢酸、アセトンオキシム、アラニン、5−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、2−メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、2,4−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、コハク酸、テレフタル酸、1,2,4−トリアゾール、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、およびバリンからなる群から選択されたものであり、
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、アミノエチルエタノールアミン、N−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、およびC1〜C8アルカノールアミン、およびこれらの組合せからなる群から選択されたものであり、
前記少なくとも1つの水酸化4級アンモニウムが、コリン、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、およびこれらの組合せからなる群から選択されたものである、
水性組成物。 - 前記水性組成物の全重量を基準にして、0.001〜90重量%のアルカノールアミン、0.00001〜40重量%の水酸化4級アンモニウム、0.00001〜20重量%の錯化剤、および残部としての水からなる、
請求項1に記載の水性組成物。 - 水が、前記水性組成物の重量を基準にして95重量%〜99.999重量%の量で存在する、
請求項1に記載の水性組成物。 - 前記水性組成物が9〜14の範囲内のpHを有する、
請求項1に記載の水性組成物。 - 前記水性組成物が没食子酸およびアスコルビン酸を含まない、
請求項1に記載の水性組成物。 - 前記水性組成物が、(I)、(II)、または(III)で更に特徴付けられる、
(I)乳酸と2−メルカプトベンズイミダゾールとを含む、
(II)モノエタノールアミンとトリエタノールアミンとを含む、
(III)安息香酸を含む、
請求項1に記載の水性組成物。 - 前記少なくとも1つの錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記少なくとも1つの錯化剤が、アセトンオキシム、アラニン、5−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリコール酸、ヒスチジン、イミダゾール、イソフタル酸、イタコン酸、ロイシン、リシン、リンゴ酸、2−メルカプトベンズイミダゾール、フェニル酢酸、フェニルアラニン、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、コハク酸、テレフタル酸、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、およびバリンからなる群から選択されたものである、
請求項1に記載の水性組成物。 - 超小型電子装置基材から望ましくない材料を除去する処理方法であって、前記超小型電子装置が銅メタライゼーションを含み、
前記方法が、(i)少なくとも1つのアルカノールアミンと(ii)少なくとも1つの水酸化4級アンモニウムと(iii)少なくとも1つの錯化剤と(iv)水とからなる水性組成物の有効量に、前記超小型電子装置基材を接触させることを含み、
前記少なくとも1つの錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記少なくとも1つの錯化剤が、酢酸、アセトンオキシム、アラニン、5−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、2−メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、2,4−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、コハク酸、テレフタル酸、1,2,4−トリアゾール、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、およびバリンからなる群から選択されたものであり、
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、アミノエチルエタノールアミン、N−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、およびC1〜C8アルカノールアミン、およびこれらの組合せからなる群から選択されたものであり、
前記少なくとも1つの水酸化4級アンモニウムが、コリン、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、およびこれらの組合せからなる群から選択されたものである、
方法。 - 前記望ましくない材料が、エッチング残渣、灰残渣、化学的機械的研磨残渣、またはBTAからなる群から選択される、
請求項8に記載の方法。 - 前記水性組成物が、前記水性組成物の全重量を基準にして、0.001〜90重量%のアルカノールアミン、0.00001〜40重量%の水酸化4級アンモニウム、0.00001〜20重量%の錯化剤、および残部としての水からなる、
請求項8に記載の方法。 - 前記水性組成物が9〜14の範囲内のpHを有する、
請求項8に記載の方法。 - 超小型電子装置を製造する方法であって、
請求項1に記載の水性組成物の有効量に、前記超小型電子装置基材を接触させることにより望ましくない材料を上に有する超小型電子装置基材から前記望ましくない材料を除去することを含み、
前記超小型電子装置が銅メタライゼーションを含む、
超小型電子装置を製造する方法。 - 水性組成物を形成するための試薬を1つまたは複数の容器内に含むキットであって、
前記水性組成物が、(i)少なくとも1つのアルカノールアミンと(ii)少なくとも1つの水酸化4級アンモニウムと(iii)少なくとも1つの錯化剤と(iv)水とからなり、
前記少なくとも1つの錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記少なくとも1つの錯化剤が、酢酸、アセトンオキシム、アラニン、5−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、2−メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、2,4−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、コハク酸、テレフタル酸、1,2,4−トリアゾール、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、およびバリンからなる群から選択されたものであり、
前記少なくとも1つのアルカノールアミンが、アミノエチルエタノールアミン、N−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、およびC1〜C8アルカノールアミン、およびこれらの組合せからなる群から選択されたものであり、
前記少なくとも1つの水酸化4級アンモニウムが、コリン、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、およびこれらの組合せからなる群から選択されたものであり、
望ましくない材料を上に有する超小型電子装置基材から前記望ましくない材料を除去するかまたは後続の処理のために前記超小型電子装置基材の表面を調製するのに適した組成物を形成するように適応されており、
前記超小型電子装置が銅メタライゼーションを含んでいる、
キット。 - 半導体ウェハのポスト化学的機械的研磨洗浄に有用である、
請求項1に記載の水性組成物。 - 前記超小型電子装置基材を処理して、エッチング残渣、灰残渣、または化学的機械的研磨残渣を超小型電子装置基材から除去することを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記超小型電子装置基材を処理して、ベンゾトリアゾールを前記超小型電子装置基材から除去することを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記超小型電子装置基材を処理して、前記超小型電子装置基材上に材料を後で堆積させるために前記超小型電子装置基材を調製することを含む、
請求項8に記載の方法。 - 前記材料の堆積がコバルト被覆を含む、
請求項17に記載の方法。
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WO2009013987A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 洗浄防食用組成物および半導体素子または表示素子の製造方法 |
JP2009197175A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | The Inctec Inc | 洗浄剤原液 |
TWI450052B (zh) * | 2008-06-24 | 2014-08-21 | Dynaloy Llc | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 |
JP5278434B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-09-04 | ダイキン工業株式会社 | 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法 |
US20100062164A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Lam Research | Methods and Solutions for Preventing the Formation of Metal Particulate Defect Matter Upon a Substrate After a Plating Process |
US8831437B2 (en) | 2009-09-04 | 2014-09-09 | Luxtera, Inc. | Method and system for a photonic interposer |
US8877616B2 (en) | 2008-09-08 | 2014-11-04 | Luxtera, Inc. | Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes |
JP5379441B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-12-25 | 関東化学株式会社 | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 |
KR101752684B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2017-07-04 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 구리 세척 및 보호 조성물 |
US8361237B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics |
CN102227687A (zh) * | 2008-12-25 | 2011-10-26 | 长瀬化成株式会社 | 光致抗蚀剂剥离剂组合物、层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法和制造方法 |
US8754021B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-06-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-amine post-CMP composition and method of use |
US8614053B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
US8444768B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8969275B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-03-03 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
US8110535B2 (en) * | 2009-08-05 | 2012-02-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same |
US9331096B2 (en) * | 2009-09-04 | 2016-05-03 | Luxtera, Inc. | Method and system for hybrid integration of optical communication systems |
JP5646882B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 |
CN101768445B (zh) * | 2010-01-29 | 2014-02-19 | 东莞市亚马电子有限公司 | 一种环保型氧化物薄膜蚀刻膏 |
TWI539493B (zh) | 2010-03-08 | 2016-06-21 | 黛納羅伊有限責任公司 | 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物 |
CN101805675B (zh) * | 2010-03-18 | 2012-02-29 | 同济大学 | 一种电子工业清洗剂、制备方法及其应用 |
US8058221B2 (en) * | 2010-04-06 | 2011-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for removing a photoresist and method of manufacturing semiconductor device using the composition |
CN102268332B (zh) * | 2010-06-01 | 2012-10-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种相变材料抛光后清洗液 |
EP2596091B1 (en) | 2010-07-19 | 2019-09-18 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
JP2012058273A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-22 | Kanto Chem Co Inc | フォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物 |
KR101089211B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2011-12-02 | 엘티씨 (주) | 1차 알칸올 아민을 포함하는 lcd 제조용 포토레지스트 박리액 조성물 |
CN103168092A (zh) * | 2010-12-16 | 2013-06-19 | 克兹恩公司 | 用于去除焊剂的清洗剂 |
US8987181B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-03-24 | Dynaloy, Llc | Photoresist and post etch residue cleaning solution |
RU2631870C2 (ru) | 2012-02-06 | 2017-09-28 | Басф Се | Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту |
KR101997950B1 (ko) * | 2012-02-17 | 2019-07-08 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 반도체 디바이스용 세정액 및 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법 |
US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
US9158202B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
JP6044936B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2016-12-14 | Shマテリアル株式会社 | 半導体素子搭載用基板の製造方法 |
KR101464881B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2014-11-25 | 오씨아이 주식회사 | 금속 제거용 킬레이트제를 포함하는 웨이퍼 세정용 알칼리 수용액 |
US9834746B2 (en) * | 2013-10-21 | 2017-12-05 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulations for removing residues on surfaces |
TWI642777B (zh) | 2013-11-08 | 2018-12-01 | 日商富士軟片和光純藥股份有限公司 | 半導體基板用洗淨劑及半導體基板表面之處理方法 |
KR20230129193A (ko) | 2013-12-06 | 2023-09-06 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 표면 잔류물 제거용 세정 제형 |
KR102115548B1 (ko) * | 2013-12-16 | 2020-05-26 | 삼성전자주식회사 | 유기물 세정 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6228505B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2017-11-08 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理方法 |
US10460954B2 (en) | 2014-06-04 | 2019-10-29 | Entegris, Inc. | Anti-reflective coating cleaning and post-etch residue removal composition having metal, dielectric and nitride compatibility |
JPWO2016158648A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-03-01 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用処理組成物、化学機械研磨方法および洗浄方法 |
US10400167B2 (en) * | 2015-11-25 | 2019-09-03 | Versum Materials Us, Llc | Etching compositions and methods for using same |
US10073352B2 (en) * | 2016-04-12 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Aqueous solution and process for removing substances from substrates |
JP7156266B2 (ja) | 2017-03-17 | 2022-10-19 | 三菱ケミカル株式会社 | 半導体デバイス用基板の洗浄剤組成物、半導体デバイス用基板の洗浄方法、半導体デバイス用基板の製造方法及び半導体デバイス用基板 |
SG11201908617QA (en) | 2017-03-24 | 2019-10-30 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc | Surface treatment methods and compositions therefor |
WO2019073931A1 (ja) | 2017-10-10 | 2019-04-18 | 三菱ケミカル株式会社 | 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法 |
KR20200100132A (ko) | 2018-01-05 | 2020-08-25 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 표면 처리 조성물 및 방법 |
SG11202008828VA (en) | 2018-03-28 | 2020-10-29 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc | Cleaning compositions |
JP7220040B2 (ja) | 2018-09-20 | 2023-02-09 | 関東化学株式会社 | 洗浄液組成物 |
WO2021011515A1 (en) * | 2019-07-15 | 2021-01-21 | Versum Materials Us, Llc | Compositions for removing etch residues, methods of using and use thereof |
WO2021131449A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社 | 洗浄液、洗浄方法 |
JP7419905B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2024-01-23 | 日油株式会社 | 回路基板用樹脂膜剥離剤 |
EP4282945A3 (en) * | 2022-05-27 | 2024-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning composition, method of cleaning metal-containing film and method of manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63274149A (ja) | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体処理剤 |
JP2906590B2 (ja) * | 1990-06-14 | 1999-06-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | アルミニウム配線半導体基板の表面処理剤 |
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
US5981454A (en) * | 1993-06-21 | 1999-11-09 | Ekc Technology, Inc. | Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine |
US5988186A (en) * | 1991-01-25 | 1999-11-23 | Ashland, Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
JP2579401B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1997-02-05 | 多摩化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
EP0662223A1 (en) | 1992-09-28 | 1995-07-12 | Ducoa L.P. | Photoresist stripping process using n,n-dimethyl-bis(2-hydroxyethyl) quaternary ammonium hydroxide |
US5308745A (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
AU7221294A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-28 | Semitool, Inc. | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles |
JP3264405B2 (ja) | 1994-01-07 | 2002-03-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
JPH07247498A (ja) | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体装置用洗浄剤及び配線パターンの形成方法 |
US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
US5498293A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
US5567574A (en) * | 1995-01-10 | 1996-10-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
US5597420A (en) * | 1995-01-17 | 1997-01-28 | Ashland Inc. | Stripping composition having monoethanolamine |
US5563119A (en) * | 1995-01-26 | 1996-10-08 | Ashland Inc. | Stripping compositions containing alkanolamine compounds |
JP3255551B2 (ja) | 1995-01-31 | 2002-02-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US5571447A (en) * | 1995-03-20 | 1996-11-05 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
US5612304A (en) * | 1995-07-07 | 1997-03-18 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Redox reagent-containing post-etch residue cleaning composition |
KR100429440B1 (ko) * | 1995-07-27 | 2004-07-15 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 기체의표면처리방법및그에사용되는표면처리조성물 |
JP2911792B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-06-23 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
JP3236220B2 (ja) | 1995-11-13 | 2001-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
KR100360394B1 (ko) * | 1995-12-20 | 2003-01-24 | 삼성전자 주식회사 | 반도체기판의세정방법및이에사용되는세정액 |
JPH09319098A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Rohm Co Ltd | レジスト膜用剥離液 |
US6410494B2 (en) * | 1996-06-05 | 2002-06-25 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
US5855811A (en) * | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
US5989353A (en) | 1996-10-11 | 1999-11-23 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
US6896826B2 (en) * | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US5962384A (en) * | 1997-10-28 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning semiconductor devices |
US5997658A (en) * | 1998-01-09 | 1999-12-07 | Ashland Inc. | Aqueous stripping and cleaning compositions |
JPH11271985A (ja) | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Nagase Denshi Kagaku Kk | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
DE69941088D1 (de) * | 1998-05-18 | 2009-08-20 | Mallinckrodt Baker Inc | Alkalische, silikat enthaltende reinigungslösungen für mikroelektronische substrate |
US6440326B1 (en) * | 1998-08-13 | 2002-08-27 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Photoresist removing composition |
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP3372903B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2003-02-04 | ニチゴー・モートン株式会社 | フォトレジスト剥離剤 |
US6395693B1 (en) * | 1999-09-27 | 2002-05-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Cleaning solution for semiconductor surfaces following chemical-mechanical polishing |
JP4283952B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2009-06-24 | 多摩化学工業株式会社 | 非鉄金属洗浄用洗浄液組成物 |
US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6723691B2 (en) * | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6492308B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6194366B1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
AU2001241190A1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-10-03 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Semiconductor wafer cleaning agent and cleaning method |
TW538138B (en) * | 2000-04-27 | 2003-06-21 | Otsuka Kagaku Kk | Process for treating and producing the parts made of magnesium and/or magnesium alloy |
US6514434B1 (en) * | 2000-06-16 | 2003-02-04 | Corning Incorporated | Electro-optic chromophore bridge compounds and donor-bridge compounds for polymeric thin film waveguides |
US6992050B2 (en) * | 2000-06-28 | 2006-01-31 | Nec Corporation | Stripping agent composition and method of stripping |
US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
EP1211563B1 (en) * | 2000-11-30 | 2011-12-21 | Tosoh Corporation | Resist stripper composition |
JP3958687B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2007-08-15 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | 酸化剤および錯体化合物を備える組成物 |
JP2002299300A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kaijo Corp | 基板処理方法 |
US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
MY139607A (en) * | 2001-07-09 | 2009-10-30 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
MY143399A (en) * | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
MY131912A (en) * | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
TWI297102B (en) * | 2001-08-03 | 2008-05-21 | Nec Electronics Corp | Removing composition |
JP3797541B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-07-19 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
JP2003155586A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品用洗浄液 |
US20030119692A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-26 | So Joseph K. | Copper polishing cleaning solution |
CN1441043A (zh) * | 2002-02-06 | 2003-09-10 | 希普利公司 | 清洁用组合物 |
US6773873B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-08-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates |
JP4634718B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2011-02-16 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | エッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 |
JP2004047740A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 洗浄用添加剤 |
JP4443864B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
TWI309675B (en) * | 2002-10-22 | 2009-05-11 | Ekc Technology Inc | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices |
JP4350364B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2009-10-21 | 昭和電工株式会社 | 洗浄剤組成物、半導体ウェーハの洗浄方法および製造方法 |
US8236485B2 (en) * | 2002-12-20 | 2012-08-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Photoresist removal |
JP4419528B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2010-02-24 | 東ソー株式会社 | 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 |
EA008038B1 (ru) * | 2003-01-08 | 2007-02-27 | Чирон Корпорейшн | Стабилизированные водные композиции, содержащие ингибитор пути метаболизма, тканевого фактора (tfpi) или вариант ингибитора пути метаболизма тканевого фактора |
JP4085262B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2008-05-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤 |
JP2004281848A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
US20050100621A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-05-12 | Popp Karl F. | Dermatological compositions |
US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
US20050205835A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Tamboli Dnyanesh C | Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions |
JP4440689B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-24 | 東友ファインケム株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
US9217929B2 (en) * | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
US20060073997A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Lam Research Corporation | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides |
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