RU2631870C2 - Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту - Google Patents
Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту Download PDFInfo
- Publication number
- RU2631870C2 RU2631870C2 RU2014136176A RU2014136176A RU2631870C2 RU 2631870 C2 RU2631870 C2 RU 2631870C2 RU 2014136176 A RU2014136176 A RU 2014136176A RU 2014136176 A RU2014136176 A RU 2014136176A RU 2631870 C2 RU2631870 C2 RU 2631870C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- acid
- composition
- group
- alkyl
- ruthenium
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 208
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims description 37
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 title description 28
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 title 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 66
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims abstract description 47
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- PWKSKIMOESPYIA-BYPYZUCNSA-N L-N-acetyl-Cysteine Chemical compound CC(=O)N[C@@H](CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims abstract description 16
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229960004308 acetylcysteine Drugs 0.000 claims abstract description 16
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims abstract description 14
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 32
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- -1 ruthenium nitride Chemical class 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 16
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 16
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 15
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 13
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 9
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 8
- 125000005119 alkyl cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004367 cycloalkylaryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N mellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N tricarballylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC(O)=O KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 claims description 4
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PSZAEHPBBUYICS-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenepropanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C(O)=O PSZAEHPBBUYICS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940091181 aconitic acid Drugs 0.000 claims description 4
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 claims description 4
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 claims description 4
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 125000001316 cycloalkyl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 4
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 claims description 4
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N trans-aconitic acid Natural products OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims description 3
- CHGYKYXGIWNSCD-UHFFFAOYSA-N pyridine-2,4,6-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=NC(C(O)=O)=C1 CHGYKYXGIWNSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYGGIQVMMDMTKB-UHFFFAOYSA-N pentane-1,2,3,4,5-pentacarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(O)=O XYGGIQVMMDMTKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 abstract description 26
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 abstract description 7
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 abstract description 7
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 abstract description 7
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 125000000151 cysteine group Chemical group N[C@@H](CS)C(=O)* 0.000 abstract 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 17
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 16
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 16
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 14
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 14
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 10
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 7
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 6
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 6
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 6
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 6
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 6
- 235000010356 sorbitol Nutrition 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-threitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 5
- SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N Hexa-Ac-myo-Inositol Natural products CC(=O)OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC(C)=O SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 229960000367 inositol Drugs 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N scyllo-inosotol Natural products OC1C(O)C(O)C(O)C(O)C1O CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 5
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 5
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 description 5
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 5
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 4
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 4
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 4
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- RWSXRVCMGQZWBV-WDSKDSINSA-N glutathione Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(=O)N[C@@H](CS)C(=O)NCC(O)=O RWSXRVCMGQZWBV-WDSKDSINSA-N 0.000 description 4
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 4
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 4
- SERLAGPUMNYUCK-DCUALPFSSA-N 1-O-alpha-D-glucopyranosyl-D-mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O SERLAGPUMNYUCK-DCUALPFSSA-N 0.000 description 3
- HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N D-arabinitol Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JVWLUVNSQYXYBE-UHFFFAOYSA-N Ribitol Natural products OCC(C)C(O)C(O)CO JVWLUVNSQYXYBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 3
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FBPFZTCFMRRESA-GUCUJZIJSA-N galactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-GUCUJZIJSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N inositol Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N 0.000 description 3
- 239000000905 isomalt Substances 0.000 description 3
- 235000010439 isomalt Nutrition 0.000 description 3
- HPIGCVXMBGOWTF-UHFFFAOYSA-N isomaltol Natural products CC(=O)C=1OC=CC=1O HPIGCVXMBGOWTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000832 lactitol Substances 0.000 description 3
- 235000010448 lactitol Nutrition 0.000 description 3
- VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N lactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N 0.000 description 3
- 229960003451 lactitol Drugs 0.000 description 3
- 239000000845 maltitol Substances 0.000 description 3
- 235000010449 maltitol Nutrition 0.000 description 3
- VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N maltitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N 0.000 description 3
- 229940035436 maltitol Drugs 0.000 description 3
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical class CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 3
- HEBKCHPVOIAQTA-ZXFHETKHSA-N ribitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-ZXFHETKHSA-N 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Substances C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVWYRKDKASIDU-QWWZWVQMSA-N D-cystine Chemical compound OC(=O)[C@H](N)CSSC[C@@H](N)C(O)=O LEVWYRKDKASIDU-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 2
- 108010024636 Glutathione Proteins 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical class CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 229960002433 cysteine Drugs 0.000 description 2
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical class CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical class CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 2
- 229960003180 glutathione Drugs 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N heptadecane Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCC NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBCIHIVRDWLAME-UHFFFAOYSA-N hexanitrodiphenylamine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C1NC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O CBCIHIVRDWLAME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 150000004001 inositols Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical class CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N neopentane Chemical class CC(C)(C)C CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical class CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical class CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical class CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 2
- QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N trans-caffeic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N 0.000 description 2
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical class CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical class CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N (E)-3,4,5-trihydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazolidine-2-thione Chemical compound SC1=NCCS1 WGJCBBASTRWVJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanethiol Chemical compound SCC1=NC=CN1 FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 2-acetamido-3-sulfanylpropanoic acid Chemical compound CC(=O)NC(CS)C(O)=O PWKSKIMOESPYIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOSGXJWQVBHGLT-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxy-3,4-dihydro-1h-quinolin-2-one Chemical group N1C(=O)CCC2=CC(O)=CC=C21 HOSGXJWQVBHGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N Alpha-Lactose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-XLOQQCSPSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 description 1
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N Lactose Natural products OC[C@H]1O[C@@H](O[C@H]2[C@H](O)[C@@H](O)C(O)O[C@@H]2CO)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-QKKXKWKRSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- 229920002257 Plurafac® Polymers 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical compound BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 239000012490 blank solution Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 235000004883 caffeic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074360 caffeic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- MPVXINJRXRIDDB-VCDGYCQFSA-N dodecanoic acid;(2r,3r,4r,5s)-hexane-1,2,3,4,5,6-hexol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO.CCCCCCCCCCCC(O)=O MPVXINJRXRIDDB-VCDGYCQFSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007046 ethoxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethyl mercaptane Natural products CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000008101 lactose Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003020 moisturizing effect Effects 0.000 description 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical class CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N protochatechuic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940035024 thioglycerol Drugs 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Chemical compound COC1=CC(C(O)=O)=CC=C1O WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Natural products COC1=CC(O)=CC(C(O)=O)=C1 TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
- C11D3/3427—Organic compounds containing sulfur containing thiol, mercapto or sulfide groups, e.g. thioethers or mercaptales
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/662—Carbohydrates or derivatives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/722—Ethers of polyoxyalkylene glycols having mixed oxyalkylene groups; Polyalkoxylated fatty alcohols or polyalkoxylated alkylaryl alcohols with mixed oxyalkylele groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2003—Alcohols; Phenols
- C11D3/2065—Polyhydric alcohols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
- C11D3/2082—Polycarboxylic acids-salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
- C11D3/349—Organic compounds containing sulfur additionally containing nitrogen atoms, e.g. nitro, nitroso, amino, imino, nitrilo, nitrile groups containing compounds or their derivatives or thio urea
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
- C11D3/3765—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions in liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/268—Carbohydrates or derivatives thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
- C11D2111/44—Multi-step processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Очищающая композиция после химико-механического полирования (после-СМР), содержащая: (А) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное, (В) эритрит, (С) водную среду и (Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, и ее применение для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения), т.е. изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол после СМР. 6 н. и 20 з.п. ф-лы, 5 табл., 3 ил.
Description
Это изобретение относится по существу к композиции для очистки после химико-механического полирования (после-СМР) и ее применению для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек. Кроме того, это изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол после СМР. В частности, это изобретение относится к применению очищающей композиции после СМР для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих электропроводящие слои (такие как медные слои), электроизолирующие диэлектрические слои (такие как слои диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью) и барьерные слои (такие как слои тантала, нитрида тантала, нитрида титана или рутения) после СМР.
Описание предшествующего уровня техники
В полупроводниковой промышленности химико-механическое полирование (сокращенно СМР) является широко известной технологией, применяемой в изготовлении современных фотонных, микроэлектромеханических и микроэлектронных материалов и устройств, таких как полупроводниковые платы.
В ходе изготовления материалов и устройств, применяемых в полупроводниковой промышленности, СМР используется для выравнивания металлических и/или оксидных поверхностей. СМР использует взаимосвязь химического и механического воздействия для достижения выравнивания поверхностей, которые следует полировать. Процесс СМР сам по себе включает в себя удерживание и вращение тонкой, плоской подложки полупроводникового устройства по отношению к увлажненному полировальнику при контролируемых давлении и температуре в присутствии суспензий СМР. Суспензии СМР содержат абразивные материалы и различные химические добавки в соответствии с конкретным процессом СМР и требованиями. После процесса СМР загрязнения и остатки, содержащие частицы из суспензий СМР, добавленные химикаты, и реакционные побочные продукты, остаются на полированной поверхности подложки. Эти остатки, которые остаются на подложках после обработки посредством СМР, могут также включать соединения-ингибиторы коррозии, такие как бензотриазол (ВТА), который может - если, например, концентрация ионов меди превышает максимальную растворимость комплексов медь-ингибитор во время СМР - осаждаться из раствора и коагулировать в поверхностный остаток. Кроме того, полирование поверхности подложки, имеющей медь/диэлектрики с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, часто генерирует обогащенные углеродом частицы, которые осаждаются на поверхность после СМР.
Однако все остатки и загрязнения должны быть удалены перед любыми дальнейшими стадиями в процессе изготовления микроэлектронного устройства, чтобы избежать снижения надежности устройства и внедрения дефектов в микроэлектронные устройства.
В современном уровне развития техники, композиции для очистки после СМР, содержащие сахарные спирты или их производные, известны и описаны, например, в следующих ссылках.
US 7922823 В2 раскрывает способ обработки подложки микроэлектронного устройства для удаления из него нежелательного материала, причем указанный способ включает в себя контактирование подложки микроэлектронного устройства после СМР с эффективным количеством композиции, содержащей (i) алканоламин, (ii) гидроксид четвертичного аммония и (iii) специфический комплексообразователь, где комплексообразователь может включать - среди прочего - глицерин, сорбит, ксилит, при условии, что комплексообразователь не включает лимонную кислоту. Композиция АР, описанная в US 7922823 В2, содержит 9% моноэтаноламина, 5% гидроксида тетраметиламмония, 3,8% сорбита, балансовую воду и показывает хорошую очищающую эффективность действия.
В современном уровне техники, композиции для очистки после СМР, содержащие поликарбоновые кислоты, известны и описаны, например, в следующих ссылках.
US 7087562 В2 раскрывает промывочную жидкую композицию после-СМР, состоящую из одного типа или двух или более типов алифатических поликарбоновых кислот и одного типа или двух или более типов, выбранных из группы, состоящей из глиоксиловой кислоты, аскорбиновой кислоты, глюкозы, фруктозы, лактозы и маннозы, причем промывочная жидкая композиция имеет pH менее, чем 3,0.
US 2010/0286014 A1 раскрывает кислотную композицию, содержащую по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество, по меньшей мере один диспергатор, по меньшей мере один углеводород, содержащий сульфоновую кислоту, и воду, в которой указанная кислотная композиция является подходящей для очистки остатка и загрязнений с микроэлектронного устройства, имеющего на себе указанный остаток и загрязнения. Например, композиция содержит один из составов А, В или С: алкилбензолсульфоновая кислота, полиакриловая кислота и метансульфоновая кислота (состав А); додецилбензолсульфоновая кислота, полиакриловая кислота и метансульфоновая кислота (состав В); или додецилбензолсульфоновая кислота, полиакриловая кислота, метансульфоновая кислота и лимонная кислота (состав С).
В современном уровне техники композиции для очистки после СМР, содержащие соединение, содержащее тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу, известны и описаны, например, в следующих ссылках.
US 2005/0197266 A1 раскрывает композицию для очистки полупроводникового изделия, причем композиция содержит:
(a) очищающее средство, выбранное из группы, состоящей из: (i) цитрата аммония; (ii) оксалата аммония; (iii) аспарагиновой кислоты; (iv) бензойной кислоты; (v) лимонной кислоты; (vi) цистеина; (vii) глицина; (viii) глюконовой кислоты; (ix) глутаминовой кислоты; (х) гистидина; (xi) малеиновой кислоты; (xii) щавелевой кислоты; (xiii) пропионовой кислоты; (xiv) салициловой кислоты; (xv) винной кислоты; (xvi) и их смесей; и
(b) соединение, ингибирующее коррозию, выбранное из группы, состоящей из: (i) аскорбиновой кислоты; (ii) бензотриазола; (iii) кофейной кислоты; (iv) коричной кислоты; (v) цистеина; (vi) глюкозы; (vii) имидазола; (viii) меркаптотиазолина; (ix) меркаптоэтанола; (x) меркаптопропионовой кислоты; (xi) меркаптобензотиазола; (xii) меркаптометилимидазола; (xiii) дубильной кислоты; (xiv) тиоглицерина; (xv) тиосалициловой кислоты; (xvi) триазола; (xvii) ванилина; (xviii) ванилиновой кислоты; (xix) и их смесей. Например, композиция для очистки содержит цитрат аммония, аскорбиновую кислоту и цистеин.
WO 2011/000694 А1 раскрывает водную щелочную очищающую композицию, содержащую (а) по меньшей мере одну тиоаминокислоту, имеющую по меньшей мере одну первичную аминогруппу и по меньшей мере одну меркаптогруппу, (b) по меньшей мере один гидроксид четвертичного аммония, (с) по меньшей мере одно конкретное хелатирующее и/или ингибирующее коррозию средство, и (d) по меньшей мере один органический растворитель, имеющий увлажняющие свойства и температуру плавления ниже 0°C. Например, очищающая композиция содержит L-цистеин, гидроксид тетраметиламмония (называемый далее ТМАН), этилендиамин и простой монобутиловый эфир диэтиленгликоля.
WO 2011/000758 А1 раскрывает водную щелочную очищающую композицию, содержащую (а) по меньшей мере одну тиоаминокислоту, имеющую по меньшей мере одну вторичную или третичную аминогруппу и по меньшей мере одну меркаптогруппу, и (b) по меньшей мере один гидроксид четвертичного аммония. Например, очищающая композиция содержит N-ацетилцистеин, ТМАН, этилендиамин и простой монобутиловый эфир диэтиленгликоля. В еще одном примере, очищающая композиция содержит N-ацетилцистеин, ТМАН, диэтилентриамин, 1,2,4-триазол, лимонную кислоту и поверхностно-активное вещество, такое как 3,5-диметил-1-гексин-3-ол или лаурат полиоксиэтиленсорбита.
Цели изобретения
Одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции для очистки после СМР и способа очистки после СМР, подходящих для очистки после СМР содержащих медь микроэлектронных подложек и проявляющих улучшенные характеристики очистки, в частности
(i) эффективное предотвращение нежелательной коррозии содержащих медь поверхностей, или
(ii) высокую эффективность удаления остатков и загрязнений, которые остаются после стадии СМР, или
(iii) высокую эффективность удаления пассивирующих пленок, особенно бензотриазольных пленок, с содержащих медь поверхностей, или
(iv) применимость в интервале умеренного pH, таком как от 4 до 8, или
(v) комбинацию (i)-(iv).
Кроме того, одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции для очистки после СМР, не содержащей или содержащей минимальные количества органических растворителей, которые могут вызывать беспокойство, связанное с охраной окружающей среды и безопасностью. Кроме того, одна из целей настоящего изобретения заключалась в предоставлении композиции для очистки после СМР, которая не вызывает увеличения шероховатости поверхности содержащей медь поверхности или увеличения на ней дефектов. Последнее, но немаловажное состоит в том, что пытались найти способ очистки после СМР, который легко применять и который требует минимального количества возможных стадий.
Сущность изобретения
Соответственно, была найдена композиция для очистки после СМР, содержащая:
(A) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу, в которой R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
(B) по меньшей мере один сахарный спирт, который содержит по меньшей мере три гидроксильных (-ОН) группы и не содержит никакую группу карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатные (-СОО-) группы, и
(C) водную среду.
Эта композицию для очистки после СМР согласно изобретению далее упоминается как (Q1) или композиция (Q1).
Согласно еще одному аспекту изобретения, была найдена композиция для очистки после СМР, содержащая:
(А) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу, в котором R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
(L) по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, и
(С) водную среду
Эта композицию для очистки после СМР согласно изобретению далее упоминается как (Q2) или композиция (Q2).
(Q1) и/или (Q2) в общем случае далее упоминаются как (Q) или композиция (Q).
Кроме того, было найдено применение композиции (Q) для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
Кроме того, был найден способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q). Этот способ изобретения далее упоминается как способ (Р).
Предпочтительные варианты выполнения объясняются в формуле изобретения и описании. Понятно, что комбинации предпочтительных вариантов выполнения находятся в пределах объема настоящего изобретения.
Преимущества изобретения
Принимая во внимание предшествующий уровень техники, обсуждаемый выше, было неожиданным и не могло ожидаться специалистом в данной области, что задачи, лежащие в основе настоящего изобретения, могли бы решаться посредством композиции (Q) и посредством способа (Р).
Особенно неожиданным было то, что композиция (Q) и способ (Р) превосходным образом подходили для последующей обработки подложек, применимых для изготовления электрических устройств, в частности, полупроводниковых интегральных схем (ИС), более предпочтительно ИС с БИС (большими интегральными схемами) или ОБИС (очень большими интегральными схемами). Даже более неожиданным было то, что композиция (Q) и способ (Р) наиболее превосходно подходили для способов высокоточного изготовления, включающих в себя между прочих стадии подготовки поверхности, предварительной очистки покрытий, очистки после травления и/или очистки после СМР. Композиция (Q) и способ (Р) были наиболее особенно хорошо подходящими для осуществления вышеуказанных стадий очистки, в частности, очистки после СМР полупроводниковых плат и изготовления ИС с БИС или ОБИС, в частности, посредством способа посредством медной узорной инкрустации или двойной узорной инкрустации.
Все виды остатков и загрязнений, генерируемых во время подготовки поверхности подложки, осаждения, покрытия, травления и СМР - в частности во время СМР - удалялись наиболее эффективно композицией (Q) и посредством способа (Р), и было гарантировано, что подложки, в частности ИС, не содержали остатки и загрязнения, которые иначе оказывали бы неблагоприятное воздействие на функции электрических и оптических устройств, в частности ИС, или делали бы их даже бесполезными для выполнения их предназначенных функций. В частности, образование царапин, травление и появление шероховатости на медной металлизации в инкрустированных структурах предотвращались композицией (Q) и способом (Р). Кроме того, пассивирующая пленка, особенно, пленка бензотриазола, также полностью удалялась с содержащих медь поверхностей композицией (Q) и посредством способа (Р). Кроме того, коррозия содержащих медь поверхностей предотвращалась композицией (Q) и посредством способа (Р). Последним, но немаловажным является то, что композиция (Q) и способ (Р) были применимы в умеренном интервале pH, таком как от 4 до 8.
Подробное описание изобретения
Композицию (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для изготовления микроэлектронных устройств. Указанные остатки и загрязнения могут представлять собой любые остатки и загрязнения, включающие, но не ограниченные ими, абразивные частицы, остатки от обработки, оксиды металлов, включая оксид меди, ионы металлов, соли, пассивирующие пленки, и изношенные или разложившиеся диэлектрики с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью. Указанные остатки и загрязнения предпочтительно содержат пассивирующую пленку, более предпочтительно содержат N-гетероциклическое соединение, наиболее предпочтительно содержат диазолы, триазолы, тетразолы или их производные, особенно предпочтительно содержат бензотриазол или его производное, например, содержат бензотриазол. В частности, (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол или его производное, с содержащей медь поверхности полупроводниковой подложки после СМР. Например, (Q) применяют для удаления пассивирующей пленки, содержащей бензотриазол, с содержащей медь поверхности полупроводниковой подложки после СМР.
Предпочтительно, композицию (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств, после СМР. Более предпочтительно, композицию (Q) применяют для удаления остатков и загрязнений с указанной поверхности после того, как указанная поверхность была отполирована на стадии СМР.
Указанные полупроводниковые подложки предпочтительно содержат электропроводящие слои, электроизолирующие диэлектрические слои и барьерные слои, более предпочтительно содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, рутений-нитрид, рутений-карбид, или нитрид рутения вольфрама или состоящие из них.
Несмотря на то, что композиция (Q) может преимущественно применяться для других целей, она в частности хорошо подходит для способа (Р).
Микроэлектронные устройства могут быть промышленно изготовлены из полупроводниковых подложек посредством способа (Р), способ (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q). Указанные остатки и загрязнения предпочтительно содержат пассивирующую пленку, более предпочтительно содержат N-гетероциклическое соединение, наиболее предпочтительно содержат диазолы, триазолы, тетразолы, или их производное, особенно предпочтительно содержат бензотриазол или его производное, например, содержат бензотриазол. В частности, (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений, содержащих бензотриазол или его производное с содержащей медь поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с (Q).
Предпочтительно, способ (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q) после СМР. Более предпочтительно, способ (Р) включает в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией (Q) после полирования указанной поверхности на стадии СМР.
Способ (Р) может применяться не только для очистки после СМР, но также для удаления фоторезиста и удаления остатков после травления. Однако, способ (Р) проявляет свои особенные преимущества при очистке после СМР вышеописанных полупроводниковых подложек.
Композиция (Q) содержит по меньшей мере одно соединение (А), содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу, в которой R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Предпочтительно, композиция (Q) содержит одно соединение (А).
Как правило, соединение (А) может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (А) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям к данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Количество (А) составляет предпочтительно не более чем 1,5 массовых процента (далее упоминаются как "мас. %"), более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,1 мас. %, в частности, не более чем 0,07 мас. %, например не более чем 0,05 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Количество (А) составляет предпочтительно по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,004 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,01 мас. %, например по меньшей мере 0,03 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
Предпочтительно, соединение (А) представляет собой соединение, содержащее
(А1) по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу и
(А2) по меньшей мере одну амино (-NH2, -NHR2 или -NR3R4) группу,
в которой R1, R2, R3 и R4 представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Для части (А2), как правило, более предпочтительными являются аминогруппы -NH2 и -NHR2, и наиболее предпочтительными являются аминогруппы -NH2.
Согласно одному варианту выполнения, соединение (А) предпочтительно представляет собой соединение, содержащее
(А1) по меньшей мере одну тиокарбонильную группу (>C=S) и
(А2) по меньшей мере одну аминогруппу (-NH2, -NHR2, или -NR3R4),
в котором R2, R3 и R4 представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Более предпочтительно, (А) представляет собой соединение, содержащее
(А1) одну тиокарбонильную группу (>C=S) и
(А2) по меньшей мере две аминогруппы (-NH2, -NHR2, или -NR3R4).
Наиболее предпочтительно, (А) представляет собой тиомочевину или ее производное. В частности, (А) является тиомочевиной.
Согласно еще одному варианту выполнения, соединение (А) предпочтительно представляет собой соединение, содержащее
(A1) по меньшей мере одну тиольную (-SH), или тиоэфирную (-SR1) группу, и
(А2) по меньшей мере одну аминогруппу (-NH2, -NHR2, или -NR3R4),
в котором R1, R2, R3 и R4 представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Более предпочтительно, (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную (-SH) или тиоэфирную (-SR1) группу, или производное этой аминокислоты, в которой R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил. Наиболее предпочтительно, (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную группу (-SH) или производное этой аминокислоты. В частности, (А) представляет собой аминокислоту, содержащую одну тиольную группу (-SH) или производное этой аминокислоты. Особенно предпочтительно, (А) представляет собой цистеин, цистин, глутатион, N-ацетилцистеин или их производное. Например, (А) является цистеином или N-ацетилцистеином.
R1 может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R1 является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода.
R2 может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R2 является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода.
R3 может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R3 является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода.
R4 может, как правило, представлять собой любую замещенную или незамещенную алкильную, арильную, алкиларильную или арилалкильную группу. R4 является предпочтительно алкилом, более предпочтительно незамещенным алкилом, наиболее предпочтительно алкилом, содержащим от 1 до 20 атомов углерода, в частности алкилом, содержащим от 1 до 10 атомов углерода, например, алкилом, содержащим от 1 до 4 атомов углерода в частности C1-С10алкилом, например C1-С4алкилом.
Композиция (Q1) содержит по меньшей мере один сахарный спирт, который содержит по меньшей мере три гидроксильные группы (-ОН) и не содержит никакой группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатной группы (-СОО-). Композиция (Q2) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один сахарный спирт, который содержит по меньшей мере три гидроксильные группы (-ОН) и не содержит никакой группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатной группы (-СОО-).
Как правило, указанный сахарный спирт (В) может содержаться в различных количествах в композиции (Q), и количества или концентрацию (В) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применения и способа согласно изобретению. Предпочтительно, количество (В) составляет не более чем 1,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,2 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,06 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (В) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,007 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,02 мас. %, например по меньшей мере 0,04 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
Как правило, сахарный спирт представляет собой гидрированную форму углевода, карбонильная группа или ацетальная группа которого были восстановлены до первичной или вторичной гидроксильной группы.
Указанный сахарный спирт (В) содержит предпочтительно по меньшей мере четыре гидроксильные группы (-ОН), более предпочтительно от 4 до 18 гидроксильных групп (-ОН), наиболее предпочтительно от 4 до 9 гидроксильных (групп -ОН), в частности от 4 до 6 гидроксильных групп (-ОН), например, 4 гидроксильные группы (-ОН).
Как правило, гидроксильные группы (-ОН), содержащиеся в указанном сахарном спирте (В), могут представлять собой любой тип гидроксильных групп (-ОН). Предпочтительно, указанные гидроксильные группы (-ОН) представляют собой такие гидроксильные группы (-ОН), которые по существу не способны к диссоциации в водной среде, более предпочтительно, указанные гидроксильные группы (-ОН) представляют собой такие гидроксильные (-ОН) группы, которые не способны к диссоциации в водной среде.
Как правило, указанный сахарный спирт (В) может представлять собой насыщенный сахарный спирт, т.е. сахарный спирт, который не содержит никаких двойных или тройных С-С связей, или ненасыщенный сахарный спирт, т.е. сахарный спирт, содержащий по меньшей мере одну двойную или тройную С-С связь. Предпочтительно, (В) представляет собой насыщенный сахарный спирт. Более предпочтительно, (В) представляет собой насыщенный сахарный спирт, который содержит по меньшей мере четыре гидроксильные группы (-ОН).
Как правило, указанный сахарный спирт (В) может представлять собой замещенный или незамещенный сахарный спирт и является предпочтительно О-замещенным (т.е. замещенным по меньшей мере по одному из атомов кислорода сахарного спирта) или незамещенный сахарный спирт, более предпочтительно моно-О-замещенный (т.е. замещенный по одному из атомов кислорода сахарного спирта) или незамещенный сахарный спирт, наиболее предпочтительно незамещенный сахарный спирт. Примерами моно-О-замещенных сахарных спиртов (В) являются изомальт, мальтит или лактит, примерами незамещенных сахарных спиртов (В) являются эритрит, треит, арабит, ксилит, рибит, маннит, сорбит, галактит, идит или инозит.
Предпочтительно, указанный сахарный спирт (В) представляет собой
(B1) альдит, выбранный из группы, состоящей из тетрита, пентита, гексита, гептита и октита, или их димеров или олигомеров или
(B2) циклит или его димеры или олигомеры или
(В3) пентаэритрит или его димеры или олигомеры
или их смесь. Более предпочтительно, (В) является (В1). Наиболее предпочтительно, (В) представляет собой тетрит, пентит, или гексит или их смесь. Особенно предпочтительно, (В) представляет собой эритрит, треит, арабит, ксилит, рибит, маннит, сорбит, галактит, идит, изомальт, мальтит, лактит или их стереоизомер или их смесь. Наиболее особенно предпочтительно, (В) представляет собой эритрит, треит, ксилит, маннит, сорбит или их стереоизомер или их смесь. В частности, (В) представляет собой эритрит, треит или их стереоизомер или их смесь. Например, (В) представляет собой эритрит.
В варианте выполнения, где указанный сахарный спирт (В) представляет собой (В2), (В2) более предпочтительно является О-замещенным или незамещенным инозитом, или его стереоизомером, или их смесью, и (В2) наиболее предпочтительно представляет собой незамещенный инозит, или его стереоизомер, или их смесь, и (В2) является, например, инозитом.
Согласно изобретению, композиция (Q) содержит водную среду (С). (С) может быть одного типа или смесью различных типов водных сред.
Как правило, водной средой (С) может быть любая среда, которая содержит воду. Предпочтительно водная среда (С) представляет собой смесь воды и органического растворителя, совместимого с водой (например, спирта, предпочтительно спирта, содержащего от 1 до 3 атомов углерода, или производного алкиленгликоля). Более предпочтительно, водной средой (С) является вода. Наиболее предпочтительно, водной средой (С) является деионизированная вода.
Если количества компонентов, отличающихся от (С), в общем составляют у мас. % от композиции (Q), тогда количество (С) равно (100-y) мас. % композиции (Q).
Композиция (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один хелатообразующий агент (D) металла, предпочтительно один хелатообразующий агент (D) металла. В общем случае, хелатообразующий агент металла, используемый в композиции для очистки после СМР, представляет собой химическое соединение, которое образует растворимые молекулы комплексов с некоторыми ионами металлов, инактивируя ионы таким образом, что они не могут нормально взаимодействовать с другими элементами или ионами с получением осадков или окалины.
Как правило, указанный хелатообразующий агент (D) металла может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (D) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, количество (D) составляет не более чем 1,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,2 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например, не более чем 0,06 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (D) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,007 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,02 мас. %, например по меньшей мере 0,04 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
Предпочтительно, хелатообразующий агент (D) металла представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере две группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатные группы (-СОО-). Более предпочтительно, (D) представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере три группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатные группы (-СОО-). Наиболее предпочтительно, хелатообразующий агент (D) металла выбирают из группы, состоящей из
(D1) пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты,
(D2) лимонной кислоты,
(D3) бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты,
(D4) пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты,
(D5) тримеллитовой кислоты,
(D6) тримезитовой кислоты,
(D7) пиромеллитовой кислоты,
(D8) меллитовой кислоты, и
(D9) олигомерных и полимерных поликарбоновых кислот.
Особенно предпочтительно, (D) выбирают из группы, состоящей из (D1), (D2), (D3), (D4), (D5), (D6), (D7) и (D8). В частности, (D) выбирают из группы, состоящей из (D1), (D2), (D3) и (D4). Например, хелатообразующий агент (D) металла представляет собой лимонную кислоту (D2).
В варианте выполнения, где хелатообразующим агентом (D) металла является (D9), среднемассовая молекулярная масса (D9), как определяют посредством гельпроникающей хроматографии, составляет предпочтительно менее чем 20000 Дальтон, более предпочтительно менее чем 15000 Дальтон, наиболее предпочтительно менее чем 10000 Дальтон, в частности, менее чем 5000 Дальтон, и предпочтительно более чем 500 Дальтон, более предпочтительно более чем 1000 Дальтон, наиболее предпочтительно более чем 2000 Дальтон, в частности, более чем 2500 Дальтон. (D9) могут представлять собой гомополимеры, т.е., гомополимеры или сополимеры полиакриловой кислоты или полиметакриловой кислоты - предпочтительно полиакриловой кислоты. Указанные сополимеры могут содержать по существу любые подходящие другие мономерные звенья, предпочтительно мономерные звенья, содержащие по меньшей мере одну группу карбоновой кислоты, в частности, мономерные звенья, являющиеся производными от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида. Наиболее предпочтительно, указанный сополимер является сополимером малеиновой кислоты/акриловой кислоты. Например, указанный сополимер представляет собой Sokalan® CP 12 S.
Олигомерная поликарбоновая кислота является поликарбоновой кислотой, содержащей по меньшей мере 7 групп карбоновой кислоты. Полимерная поликарбоновая кислота является поликарбоновой кислотой, содержащей по меньшей мере 30 групп карбоновой кислоты.
Композиция (Q2) содержит по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту (L).
Как правило, олигомерная или полимерная поликарбоновая кислота (L) может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (L) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, количество (L) составляет не более чем 1,5 мас. %, более предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,2 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,06 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (L) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,007 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,02 мас. %, например по меньшей мере 0,04 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
(L) является олигомерной или полимерной поликарбоновой кислотой, содержащей по меньшей мере 7, предпочтительно по меньшей мере 9, более предпочтительно по меньшей мере 12, наиболее предпочтительно по меньшей мере 16, особенно предпочтительно по меньшей мере 20, в частности, по меньшей мере 25, например по меньшей мере 30 групп карбоновой кислоты.
(L) является предпочтительно олигомерной или полимерной поликарбоновой кислотой, содержащей мономерные звенья акриловой кислоты и/или метакриловой кислоты, более предпочтительно олигомерной или полимерной поликарбоновой кислотой, содержащей мономерные звенья акриловой кислоты. Среднемассовая молекулярная масса (L), как определяют посредством гельпроникающей хроматографии, составляет предпочтительно менее чем 20000 Дальтон, более предпочтительно менее чем 15000 Дальтон, наиболее предпочтительно менее чем 10000 Дальтон, в частности, менее чем 5000 Дальтон, и предпочтительно более чем 500 Дальтон, более предпочтительно более чем 1000 Дальтон, наиболее предпочтительно более чем 2000 Дальтон, в частности, более чем 2500 Дальтон. (L) могут представлять собой гомополимеры, т.е., гомополимеры или сополимеры полиакриловой кислоты или полиметакриловой кислоты - предпочтительно полиакриловой кислоты. Более предпочтительно, (L) является сополимером, содержащим мономерные звенья акриловой кислоты. Указанный сополимер, содержащий мономерные звенья акриловой кислоты, может содержать по существу любые подходящие другие мономерные звенья, предпочтительно мономерные звенья, содержащие по меньшей мере одну группу карбоновой кислоты, в частности, мономерные звенья, производные от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида. Наиболее предпочтительно, указанный сополимер является сополимером малеиновой кислоты/акриловой кислоты. Например, указанный сополимер представляет собой Sokalan® CP 12 S.
Композиция (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество (Е), предпочтительно одно поверхностно-активное вещество (Е), более предпочтительно одно поверхностно-активное вещество (Е), которое выбирают из группы растворимых воде или диспергируемых в воде- предпочтительно растворимых в воде - амфифильных неионогенных поверхностно-активных веществ (Е1), (Е2) и (E3).
В общем случае, поверхностно-активное вещество, используемое в композиции для очистки после СМР, представляет собой поверхностно-активное соединение, которое уменьшает поверхностное натяжение жидкости, межфазное натяжение на границе раздела фаз между двумя жидкостями или межфазное натяжение на границе раздела фаз между жидкостью и твердым веществом.
Как правило, указанное поверхностно-активное вещество (Е) может содержаться в композиции (Q) в различных количествах, и количества или концентрацию (Е) можно регулировать наиболее преимущественным образом согласно конкретным требованиям данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, количество (Е) составляет не более чем 5 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 1 мас. %, в частности, не более чем 0,5 мас. %, например не более чем 0,3 мас. % на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, количество (Е) составляет по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,005 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,01 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,05 мас. %, например, по меньшей мере 0,1 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
Амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество (Е1) содержит по меньшей мере одну гидрофобную группу (e11). Это означает, что (Е1) может содержать более, чем одну гидрофобную группу (e11), например, 2, 3 или более групп (e11), которые отделены друг от друга по меньшей мере одной гидрофильной группой (e12), описанной ниже в данном документе.
Гидрофобную группу (e11) выбирают из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20, предпочтительно от 7 до 16 и наиболее предпочтительно от 8 до 15 атомов углерода.
Предпочтительно, разветвленные алкильные группы (e11) имеют среднюю степень разветвления, равную от 1 до 5, предпочтительно от 1 до 4 и наиболее предпочтительно от 1 до 3.
Подходящие разветвленные алкильные группы (e11) являются производными изомеров изопентана, неопентана и разветвленных изомеров гексана, гептана, октана, нонана, декана, ундекана, додекана, тридекана, тетрадекана, пентадекана, гексадекана, гептадекана, нонадекана и эйкозана.
Наиболее предпочтительно, разветвленные алкильные группы (e11) являются производными от спиртов Гербе, содержащих от 8 до 15, предпочтительно, 10 атомов углерода (см. Römpp Online 2011, "Guerbet-Reaktion").
(E1) содержит по меньшей мере одну гидрофильную группу (e12). Это означает, что (Е1) может содержать более чем одну группу (e12), например, 2, 3 или более групп (e12), которые отделены друг от друга гидрофобными группами (el 1).
Гидрофильные группы (e12) состоят из оксиэтиленовых мономерных звеньев. Степень полимеризации гидрофильных групп (e12) может изменяться в широких пределах и, следовательно, может быть приспособлена наиболее преимущественным образом к конкретным требованиям, предъявляемым к данной композиции, применению и способу согласно изобретению. Предпочтительно, степень этоксилирования находится в интервале от 4 до 20, более предпочтительно от 6 до 16 и наиболее предпочтительно от 7 до 8.
(Е1) может иметь различные блочные общие структуры. Примеры таких общих блочных структур представляют собой:
- e11-e12,
- e11-e12-e11,
- e12-e11-e12,
- e12-e11-e12-e11,
- e11-e12-e11-e12-e11, и
- e12-e11-e12-e11-e12.
Наиболее предпочтительно, используют блочную общую структуру e11-е12.
Предпочтительно, среднемассовая молекулярная масса (Е1) находится в интервале от 300 до 800 Дальтон, предпочтительно от 400 до 750 Дальтон и наиболее предпочтительно от 400 до 600 Дальтон, как определяют посредством эксклюзионной хроматографии.
Предпочтительно, значение гидрофильного-липофильного баланса (HLB) находится в интервале от 8 до 16, предпочтительно от 9 до 15 и наиболее предпочтительно от 11 до 14.
Амфифильные неионогенные поверхностно-активные вещества (Е1) представляют собой общепринятые и известные материалы и являются доступными от BASF SE под торговым наименованием Lutensol®. (El) представляет собой, в частности, Lutensol® ХР80 или Lutensol® ХР70, например, Lutensol® ХР80,
Амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество (Е2) также содержит по меньшей мере одну гидрофобную группу (е21) и по меньшей мере одну гидрофильную группу (е22).
Это означает, что амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество (Е2) содержит более чем одну группу (е22), например, 2, 3 или более групп (е22), которые отделены друг от друга гидрофобными группами (е21) или оно содержит более чем одну группу (е22), например, 2, 3 или более групп (е22), которые отделены друг от друга гидрофобными группами (е21).
Амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество (Е2) может иметь различные блочные общие структуры. Примеры таких общих блочных структур представляют собой:
- е21-е22,
- е21-е22-е21,
- е22-е21-е22,
- е22-е21-е22-е21,
- е21-е22-е21-е22-е21 и
- е22-е21-е22-е21-е22.
Наиболее предпочтительно, применяют блочные общие структуры е21-е22.
Предпочтительно, гидрофобные группы (e11), описанные выше, используют в качестве гидрофобных групп (е21).
Гидрофильная группа (е22) содержит оксиэтиленовые мономерные звенья (е221).
Кроме того, гидрофильная группа (е22) содержит по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев (е222), в котором заместители выбирают из группы, состоящей из алкильной, циклоалкильной, арильной, алкил-циклоалкильной, алкил-арильной, циклоалкил-арильной и алкил-циклоалкил-арильной групп.
Предпочтительно, оксиалкиленовые мономерные звенья (е222) являются производными от замещенных оксиранов, в которых заместители выбирают из группы, состоящей из алкилыюй, циклоалкильной, арильной, алкил-циклоалкильной, алкил-арильной, циклоалкил-арильной и алкил-циклоалкил-арильной групп.
Заместители оксиранов предпочтительно выбирают из группы, состоящей из алкильных групп, содержащих от 1 до 10 атомов углерода, циклоалкильных групп, содержащих от 5 до 10 атомов углерода в спироциклической, экзоциклической и/или отожженной конфигурации, арильных групп, содержащих от 6 до 10 атомов углерода, алкил-циклоалкильных групп, содержащих от 6 до 20 атомов углерода, алкил-арильных групп, содержащих от 7 до 20 атомов углерода, циклоалкил-арильных групп, содержащих от 11 до 20 атомов углерода, и алкил-циклоалкил-арильных групп, содержащих от 12 до 30 атомов углерода.
Примерами подходящих алкильных групп являются метил, этил, пропил, изопропил, н-бутил, н-пентил и н-гексил. Примерами подходящих циклоалкильных групп являются циклопентил и циклогексил. Примерами подходящих арильных групп являются фенил и 1-и 2-нафтил.
Примерами особенно предпочтительных замещенных оксиранов являются метилоксиран (пропиленоксид) и этилоксиран (бутиленоксид).
Предпочтительно, гидрофильная группа (е22) состоит из мономерных звеньев (е221) и (е222).
Полиоксиалкиленовая группа содержит мономерные звенья (е221) и (е222) в статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении. Это означает, что одна гидрофильная группа (е22) может иметь только один тип распределения, т.е.,
- статистический: …-е221-е221-е222-е221-е222-е222-е222-е221-е222-…;
- чередующийся: … -е221-е222-е221-е222-е221-…;
- градиентный: …е221-е221-е221-е222-е221-е221-е222-е222-е221-е222-е222-е222-…;
или
- блочный: …-е221-е221-е221-е221-е222-е222-е222-е222-…
Или гидрофильная группа (е22) может содержать по меньшей мере два типа распределений, например, олигомерный или полимерный сегмент, имеющий статистическое распределение, и олигомерный или полимерный сегмент, имеющий чередующееся распределение.
Предпочтительно, гидрофильная группа (е22) имеет только один тип распределения. Наиболее предпочтительно, распределение является статистическим или блочным.
Молярное отношение оксиэтиленовых мономерных звеньев (е221) к оксиалкиленовым мономерным звеньям (е222) может изменяться в широких пределах и, следовательно, может регулироваться наиболее преимущественным образом до конкретных требований к данной композиции, способу и применению изобретения. Предпочтительно молярное отношение (е221):(е222) составляет от 100:1 до 1:1, более предпочтительно от 60:1 до 1,5:1 и наиболее предпочтительно от 50:1 до 1,5:1.
Степень полимеризации олигомерных или полимерных полиоксиалкиленовых групп (е22) также может изменяться в широких пределах и, следовательно, может регулироваться наиболее преимущественным образом до конкретных требований к данной композиции, способу и применению изобретения. Предпочтительно, степень полимеризации находится в интервале от 5 до 100, предпочтительно от 5 до 90 и наиболее предпочтительно от 5 до 80.
Амфифильные неионогенные поверхностно-активные вещества (Е2) представляют собой общепринятые и известные материалы и являются доступными для приобретения от BASF SE под торговым наименованием Plurafac™ или от Dow под торговым наименованием Triton™.
Амфифильные неионогенные поверхностно-активные вещества (E3) представляют собой алкилполиглюкозиды (APG). APG предпочтительно имеют среднюю степень полимеризации от 1 до 5, предпочтительно от 1,2 до 1,5. Предпочтительно, алкильные группы APG содержат от 8 до 16 атомов углерода и, наиболее предпочтительно от 12 до 14 атомов углерода. APG представляют собой общепринятые и известные материалы и являются доступными от Cognis под торговым наименованием Glucopon™.
Предпочтительно, поверхностно-активное вещество (Е) выбирают из группы, состоящей из: (Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерных звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, в которых заместители выбирают из группы, состоящей из алкильной, циклоалкильной, арильной, алкил-циклоалкильной, алкил-арильной, циклоалкил-арильной и алкил-циклоалкил-арильной групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22) содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(E3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
Более предпочтительно, поверхностно-активное вещество (Е) представляет собой
(Е1) амфифильные неионогенные, растворимые в воде или диспергируемые в воде поверхностно-активное вещества, содержащие
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерных звеньев.
Свойства композиции (Q) и способа (Р), такие как характеристики очистки, в целом, и эффективность удаления пассивирующих пленок, могут зависеть от pH соответствующей композиции. Значение pH композиции (Q) составляет предпочтительно по меньшей мере 2, более предпочтительно по меньшей мере 3, наиболее предпочтительно по меньшей мере 4, в частности, по меньшей мере 5, например, по меньшей мере 5,5. Значение pH композиции (Q) составляет предпочтительно не более чем 11, более предпочтительно не более чем 10, наиболее предпочтительно не более чем 9, особенно предпочтительно не более чем 8, в частности, не более чем 7, например, не более чем 6,5.
Композиция (Q) может дополнительно необязательно содержать по меньшей мере один регулятор pH (G). Как правило, регулятор pH (G) представляет собой соединение, которое добавляют к композиции (Q), чтобы регулировать ее значение pH до требуемого значения. Предпочтительно, композиция (Q) содержит по меньшей мере один регулятор pH (G). Предпочтительные регуляторы pH (G) представляют собой неорганические кислоты, карбоновые кислоты, аминные основания, гидроксиды щелочных металлов, гидроксиды аммония, включая гидроксиды тетраалкиламмония. В частности, регулятор pH (G) представляет собой азотную кислоту, серную кислоту, аммиак, гидроксид натрия или гидроксид калия. Например, регулятор pH (G) является азотной кислотой или гидроксидом калия.
Если присутствует регулятор pH (G), то он может содержаться в различных количествах. Если присутствует(О), его количество составляет предпочтительно не более чем 10 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,05 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Если присутствует(О), его количество составляет предпочтительно по меньшей мере 0,0005 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,005 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,025 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,1 мас. %, например, по меньшей мере 0,4 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
Композиция (Q) может также содержать, при необходимости, различные другие добавки, включающие, но не ограниченные ими, стабилизаторы, понижающие трение добавки, биоциды или консерванты и т.д. Указанные другие добавки представляют, например, добавки, обычно используемые в композициях для очистки после СМР и, таким образом, известные специалисту в данной области. Такое добавление может, например, стабилизировать композиции для очистки после СМР или улучшать характеристики очистки.
Если присутствует указанная другая добавка, она может содержаться в различных количествах. Предпочтительно, общее количество указанных других добавок составляет не более чем 10 мас. %, более предпочтительно не более чем 2 мас. %, наиболее предпочтительно не более чем 0,5 мас. %, в частности, не более чем 0,1 мас. %, например не более чем 0,01 мас. %, на основе общей массы композиции (Q). Предпочтительно, общее количество указанных других добавок составляет по меньшей мере 0,0001 мас. %, более предпочтительно по меньшей мере 0,001 мас. %, наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,008 мас. %, в частности, по меньшей мере 0,05 мас. %, например, по меньшей мере 0,3 мас. %, на основе общей массы композиции (Q).
Для следующих предпочтительных вариантов выполнения от (РЕ1) до (РЕ32),
(A-i) обозначает "соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу и по меньшей мере одну амино (-NH2, -NHR2, или -NR3R4) группу, и где
R1, R2, R3 и R4 представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил";
(A-ii) обозначает "цистеин, цистин, глутатион, N-ацетилцистеин, или их производное";
(B-i) обозначает "насыщенный сахарный спирт, который содержит по меньшей мере четыре гидроксильные группы (-ОН) и не содержит никакой группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатной группы (-СОО-)";
(B-ii) обозначает "эритрит, треит, арабит, ксилит, рибит, маннит, сорбит, галактит, идит, изомальт, мальтит, лактит, инозит или их стереоизомер или их смесь";
(D-i) обозначает " хелатообразующий агент металла, выбранный из группы, состоящей из пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты, лимонной кислоты, бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты, пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты, тримеллитовой кислоты, тримезитовой кислоты, пиромеллитовой кислоты, меллитовой кислоты и олигомерных или полимерных поликарбоновых кислот".
(L-i) обозначает "олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер, содержащий
(i) мономерные звенья акриловой кислоты, и
(ii) мономерные звенья, производные от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида."
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ1) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-i),
(B) представляющее собой (B-i), и
(C) водную среду.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ2) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-i),
(B) представляющее собой (B-ii), и
(C) водную среду.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (PE3) композиция (Q) содержит
(A) тиомочевину или ее производное,
(B) представляющее собой (B-i), и
(C) водную среду.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ4) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i), и
(С) водную среду.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ5) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i), и
(C) водную среду,
где композиция (Q) имеет значение pH от 4 до 8.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ6) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-ii), и
(C) водную среду.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ7) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду, и
(D) представляющее собой (D-i).
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ8) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду, и
(D) представляющее собой (D-i).
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ9) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду, и
(D) лимонную кислоту.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕЮ) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду, и
(D) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕП) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду, и
(D) сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ12) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-ii),
(C) водную среду, и
(D) представляющее собой (D-i).
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ13) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-i),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду,
(D) хелатообразующий агент металла, и
(E) поверхностно-активное вещество.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ14) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-i),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду,
(D) хелатообразующий агент металла, и
(E) растворимое в воде или диспергируемое в воде амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ15) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду,
(D) соединение, содержащее по меньшей мере три группы карбоновой кислоты (-СООН) или карбоксилатной группы (-СОО-) в качестве хелатообразующего агента металла, и
(E) поверхностно-активное вещество,
где композиция (Q) имеет значение pH от 4 до 8.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения (РЕ16) композиция (Q) содержит
(A) представляющее собой (A-ii),
(B) представляющее собой (B-i),
(C) водную среду,
(D) хелатообразующий агент металла, и
(E) поверхностно-активное вещество,
где количества (А), (В), (D) составляют - независимо друг от друга - каждое в интервале от 0,001 мас. % до 0,5 мас. % на основе общей массы композиции (Q), и количество (Е) находится в интервале от 0,005 мас. % до 2 мас. % на основе общей массы композиции (Q).
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ17) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ18), композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую по меньшей мере 20 групп карбоновой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ19) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) представляющее собой (L-i), и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ20) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ21) композиция (Q) содержит
(А) тиомочевину или ее производное,
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ22) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ23) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую по меньшей мере 20 групп карбоновой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ24) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) представляющее собой (L-i), и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ25) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты, и
(С) водную среду.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ26) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты,
(С) водную среду, и
(Е) амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ27) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты,
(С) водную среду, и
(Е) амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ28) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) представляющее собой (L-i),
(С) водную среду, и
(Е) амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество,
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ29) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) представляющее собой (L-i),
(С) водную среду, и
(Е) амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (PE30) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-i),
(L) сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты,
(С) водную среду, и
(Е) амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ31) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты,
(С) водную среду, и
(Е) амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество.
Согласно предпочтительному варианту выполнения (РЕ32) композиция (Q) содержит
(А) представляющее собой (A-ii),
(L) представляющее собой (L-i),
(С) водную среду, и
(Е) растворимое в воде или диспергируемое в воде амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество,
в которой количества (А) и (L) составляют - независимо друг от друга - каждое в интервале от 0,001 мас. % до 0,5 мас. % на основе общей массы композиции (Q), и количество (Е) находится в интервале от 0,005 мас. % до 2 мас. % на основе общей массы композиции (Q).
Получение композиции (Q) не имеет каких-либо особенностей, но может осуществляться посредством растворения или диспергирования вышеописанных ингредиентов (А) и (В) и необязательно (D) и/или (Е) и/или других добавок в водной среде (С), в частности, в деионизированной воде и, наиболее предпочтительно, в ультрачистой воде. Для этой цели можно применять традиционные и стандартные процессы перемешивания и устройства для перемешивания, такие как механические смесители, поточные аппараты для растворения, мешалки с высоким усилием сдвига, ультразвуковые смесители, гомогенизаторы с пульверизацией или противоточные смесители.
Для способа (Р) или для применения композиции (Q) для очистки после стадии СМР можно применять большое разнообразие общепринятых очищающих инструментов и способов. Эти очищающие инструменты включают мегазвуковые очистители, щеточные очистители и их комбинации. Обычно, щетки изготавливают из мягких и пористых материалов из поливинилового спирта. Щетки могут иметь различные формы в зависимости от изготовителя обрабатывающего инструмента. Наиболее общепринятыми формами являются ролики, диски и карандаши.
После контакта полупроводниковых подложек с композицией (Q) полупроводниковые подложки удаляют из композиции и сушат. Очищающую стадия можно проводить, как описано, например, в Американской патентной заявке US 2009/02191873 A1, страница 4, параграф [0022].
Характеристики очистки или удаления, т.е., степень удаления остатков и загрязнений, композиции (Q) и способа (Р) можно определить в соответствии с разнообразными способами. Предпочтительно, характеристики оценивают посредством сравнения необработанных полупроводниковых поверхностей с соответствующими полупроводниковыми поверхностями, которые были обработаны с помощью композиции (Q) и способа (Р). С этой целью можно проводить сканирующую электронную микроскопию (SEM) и/или атомно-силовую микроскопию (AFM), и изображения, полученные от соответствующих обработанных и необработанных полупроводниковых поверхностей, можно сравнить друг с другом.
Примеры и Сравнительные Примеры
Ludox® ТМ50 представляет собой коллоидный диоксид кремния в форме 50 мас. % суспензии в Н2О, и его получают от Sigma-Aldrich.
Lutensol® ХР80 представляет собой разветвленное амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество, предоставляемое BASF SE. Он является простым эфиром алкилполиэтиленгликоля на основе спирта Гербе, содержащего 10 атомов углерода, и этиленоксида.
Sokalan® CP 12 S представляет собой полимерную поликарбоновую кислоту, предоставляемую BASF SE. Он является сополимером малеиновой кислоты/акриловой кислоты.
"Тесты с погружением" проводили с использованием медного купона с электрохимическим покрытием. В следующей методике суспензия диоксида кремния состояла из 0,5 мас. % Ludox® ТМ50 при pH 4. Образец купона сначала погружали в 0,02 мас. % HNO3 на 35 сек, промывали деионизированной водой и после этого погружали в суспензию диоксида кремния на 5 мин, затем промывали деионизированной водой в течение 15 сек. Каждый купон затем погружали в раствор предметного поверхностно-активного вещества на 2 мин, промывали деионизированной водой в течение 15 сек. Купоны подвешивали для сушки воздухом в условиях окружающей среды. Высушенные купоны оценивали посредством сканирующей электронной микроскопии (SEM) для установления оставшегося абразива диоксида кремния. Высушенные купоны сравнивали.
Изображения SEM записывали с использованием Сканирующего Электронного Микроскопа с Высоким разрешением и эмиссией поля JEOL 7400 при ускоряющем потенциале, равном 15 кВ, и увеличением 50000.
Значение pH измеряют с помощью pH-электрода (Schott, синия линия, pH 0-14 /-5…100°C/ 3 моль/л хлорида натрия).
Измерения контактного угла
Определяли контактный угол для деионизированной воды (деионизированная вода далее упоминается как "DIW") на обработанной и необработанной поверхности медной платы. Электрохимическое покрытие медной поверхности медной платы без какой-либо обработки имело контактный угол DIW, равный приблизительно 80°, подразумевая, что существует адсорбция органических остатков на медной поверхности. Медный купон погружали в 0,02 мас. % HNO3 на 35 сек и промывали DIW для получения свежей поверхности. Свежая медная поверхность имеет контактный угол DIW, равный приблизительно 50°, что указывало на то, что поверхность была относительно гидрофильной. Затем медный купон, предварительно обработанный HNO3, погружали в раствор 0,2 мас. % бензотриазола (бензотриазол далее упоминается как "ВТА") на 5 мин, промывали DIW и сушили сжатым воздухом. Cu-ВТА поверхность имеет контактный угол DIW, равный приблизительно 89°, что указывало на то, что поверхность была относительно гидрофобной (т.е., несмачиваемой). Cu-BTA поверхность погружали в разнообразные композиции, как перечислено в Таблице А, на 5 мин, промывали DIW в течение 15 сек с последующей сушкой сжатым воздухом в течение 1 мин, после этого сразу же определяли контактный угол DIW. Для сравнения, также определяли контактный угол DIW на свежей медной поверхности, обработанной той же самой композицией. Исследованные поверхности обобщены ниже в Таблице А.
Можно видеть, что Cu-BTA поверхности, обработанные лимонной кислотой, серином, мочевиной, имеют контактный угол, равный приблизительно 64°, 75°, 67° соответственно, что указывает, что обработанные поверхности были еще относительно гидрофобными. В отличие от этого, свежая Cu поверхность, обработанная лимонной кислотой, серином, мочевиной, имеет контактный угол, равный 41°, 46°, 38° соответственно, указывая на то, обработанные поверхности были гидрофильными. Однако, как Cu-BTA поверхность, так и свежая Cu поверхность, обработанные цистеином, имели контактный угол DIW, равный приблизительно 34° и 32°. Интересно, что Cu-BTA поверхность, обработанная ацетил-цистеином, имеет контактный угол DIW, равный 43°, который является таким же в случае свежей медной поверхности, обработанной ацетил-цистеином. Аналогично, Cu-BTA поверхность, обработанная тиомочевиной, имеет контактный угол DIW, равный приблизительно 63°, что является близким значением для контактного угла DIW на свежей медной поверхности, обработанной тиомочевиной. Результаты иллюстрируют, что после обработки композициями, содержащими соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу, Cu-BTA и свежая медная поверхность будут иметь почти одинаковые контактные углы DIW.
Измерения эффективности очистки пленки ВТА на медной поверхности по уравнению Тафеля
Эффективность очистки пленки ВТА на Cu-поверхности оценивали посредством измерения по уравнению Тафеля. Свежий купон из Cu-платы погружали в 0,2% раствор ВТА, имеющий естественный pH 5,8, на 15 мин, промывали DIW с последующей сушкой сжатым воздухом. В качестве рабочего электрода, относительно электрода сравнения Ag/AgCl, обработанный ВТА медный купон погружали в разнообразные композиции для измерений. Для сравнения свежий медный купон также погружали в разнообразные композиции для измерений. Коррозионный потенциал и коррозионный ток подложек в различных растворах обобщены ниже в Таблице В.
Можно видеть, что коррозионный ток меди, обработанной 0,2 мас. % ВТА в DIW pH 6, равен 0,018 мкА/см2, что намного меньше, чем коррозионный ток свежей меди в том же самом растворе, указывая на высокую эффективность пассивирующей пленки ВТА на поверхности Си. Как и в случае хелатирующего средства, коррозионный ток свежей меди в лимонной кислоте и серине намного выше, чем коррозионный ток меди в холостом растворе (DIW pH 6). Однако, коррозионный ток Cu-BTA поверхности в лимонной кислоте и серине меньше, чем коррозионный ток Cu поверхности в таком же растворе, но относительно выше, чем Cu-BTA поверхности в холостом растворе. В то же время, коррозионный потенциал Cu-BTA выше, чем Cu поверхности, указывая на то, что лимонная кислота и серии смогли удалить некоторое количество слоя ВТА, но пленка ВТА еще оставалась на медной поверхности. В отличие от этого, коррозионный ток Cu-BTA в растворе ацетил-цистеина, цистеина и тиомочевины был почти идентичен коррозионному току Cu поверхности в таком же растворе, указывая на то, что пленка Cu-BTA удалялась растворами полностью. В другом аспекте, эффективность удаления ВТА может быть предсказана просто посредством измерения коррозионного потенциала и коррозионного тока Cu-BTA и Cu поверхности.
Измерения эффективности очистки пленки ВТА на медной поверхности методом XPS
Оценивали эффективность действия составов для удаления ВТА на Cu подложке. Купон из платы предварительно обрабатывали 0,02 мас. % HNO3 в течение 35 сек, промывали DIW и далее сушили сжатым воздухом. Затем купон погружали в раствор 0,2 мас. % ВТА на 5 мин, с последующим промыванием DIW и сушкой сжатым воздухом. После этого медный купон, обработанный ВТА, погружали в разнообразные составы при pH 6 в течение 5 мин, промывали DIW и далее сушили сжатым воздухом. Образец с обработкой ВТА и необработанный образец анализировали для сравнения. Анализ проводили с использованием рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) при углах 55°. Таблица С включает результаты по удалению ВТА в растворах различных составов относительно ВТА и необработанного образца.
Таблица С:
н
Отношение азота к меди указывает на количество ВТА, оставшееся на медной поверхности. Как и ожидалось, лимонная кислота и серии смогли удалить некоторую часть слоя ВТА, но все еще оставляли ВТА на поверхности платы. В отличие от этого, соединения, содержащие по меньшей мере одну тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу (например, ацетил-цистеин, цистеин и тиомочевина) имеют высокую эффективность удаления ВТА.
Ряд №1 тестов с погружением
Тесты проводили для оценки относительных характеристик очистки различных составов, как перечислено в Таблице D. Медный купон погружали в 0,02 мас. % HNO3 на 35 сек, промывали DIW и далее сушили сжатым воздухом. Купон погружали в 0,2 мас. % ВТА на 5 мин, промывали DIW, после этого Cu-BTA поверхность погружали в 0,5 мас. % Ludox® ТМ 50 pH 4 на 5 мин. После этого, купон погружали в очищающие композиции на 2 мин с последующим промыванием DIW и сушкой воздухом. Контрольный образец Z представлял собой купон, который погружали в 0,2 мас. % ВТА на 5 мин, промывали DIW, после этого Cu-BTA поверхность этого купона погружали в 0,5 мас. % Ludox® ТМ 50 pH 4 на 5 мин. Контрольный образец Z не подвергали никакой очищающей обработке. Результаты анализа SEM обобщены на фигуре 1.
Результаты на Фигуре 1 показывают, что медная поверхность, очищенная без соединения, содержащего по меньшей мере одну тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу, все еще имела на поверхности значительное количество частиц диоксида кремния, возможно вследствие присутствия адсорбированного ВТА на Cu поверхности. В отличие от этого, когда медь очищали с помощью композиции, содержащей соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу (например, цистеин или N-ацетилцистеин), количество частиц диоксида кремния резко снижалось.
Очищающие композиции S32 и S33 показывают улучшенные характеристики очистки.
Ряд №2 тестов с погружением
Тесты проводили для оценки характеристик очистки различных очищающих композиций при различных условиях pH. Эти тестируемые композиции получали, как изложено в Таблице Е. Все композиции регулировали посредством разбавленных KOH или HNO3. Полученные очищающие композиции оценивали с использованием платы с электрохимическим медным покрытием согласно следующей методике. Плату полировали барьерной суспензией, содержащей частицы диоксида кремния, Н2О2, ВТА. После этого, полированную плату разрезали на купоны. Медные купоны погружали в очищающие композиции на 5 мин и затем промывали DI водой в течение 15 сек с последующей сушкой сжатым воздухом в течение 1 мин. Высушенные купоны оценивали посредством сканирующей электронной микроскопии (SEM), чтобы убедиться в наличии оставшегося абразивного диоксида кремния и пассивирующих слоев ВТА. Для сравнения, посредством SEM также оценивали полированный купон без очищающей обработки (контрольный образец Y). Результаты показаны на Фигурах 2 и 3.
Результаты на Фигурах 2 и 3 указывают, что частицы диоксида кремния удалялись полностью, когда медные поверхности очищали очищающими композициями, содержащими соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу (например, N-ацетилцистеин). В отличие о этого, частицы диоксида кремния с трудом очищались очищающими композициями, которые не содержат такое соединение. Результаты показывают, что после барьерного процесса СМР на верхней части медной поверхности существуют пассивирующие слои ВТА, которые будут подавлять удаление частиц диоксида кремния во время процесса очистки. Также результаты демонстрируют, что композиции, содержащие соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную, тиоэфирную или тиокарбонильную группу (например, N-ацетилцистеин) имеют удовлетворительные характеристики при pH 3, 6 и 10,5. Следовательно, композиции для очистки после СМР согласно изобретению являются подходящими для применения в кислотных, нейтральных и щелочных условиях.
Очищающие Композиции S35, S36, S37, S44, S45 и S46 показывают улучшенные характеристики очистки.
Краткое описание чертежей
Фигура 1 показывает результаты анализа SEM ряда №1 тестов с погружением с использованием очищающих композиций S31, S32, S33, S34, а также результаты анализа SEM контрольного образца Z.
Фигура 2 показывает результаты анализа SEM ряда №2 тестов с погружением с использованием композиций для очистки S35, S36, S37, S38, S39, S40, а также результаты анализа SEM контрольного образца Y.
Фигура 3 показывает результаты анализа SEM ряда №2 тестов с погружением с использованием композиций для очистки S41, S42, S43, S44, S45 и S46.
Claims (69)
1. Очищающая композиция после химико-механического полирования, содержащая:
(A) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное,
(B) эритрит
(C) водную среду и
(Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество.
2. Композиция по п. 1, в которой соединение (А) представляет собой тиомочевину или ее производное.
3. Композиция по п. 4, в которой соединение (А) представляет собой цистеин, N-ацетилцистеин или их производное.
4. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит (D), по меньшей мере, один хелатообразующий агент металла.
5. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере один хелатообразующий агент металла (D), который выбирают из группы, состоящей из пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты, лимонной кислоты, бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты, пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты, тримеллитовой кислоты, тримезитовой кислоты, пиромеллитовой кислоты, меллитовой кислоты и олигомерных и полимерных поликарбоновых кислот.
6. Композиция по любому одному из пп. 1-5, в которой поверхностно-активное вещество (Е)выбирают из группы, состоящей из:
(Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерных звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, где заместители выбирают из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22) содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(Е3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
7. Применение композиции для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом одном из пп. 1-6, для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
8. Применение по п. 7, в котором указанная композиция для очистки имеет значение рН в интервале от 4 до 8.
9. Применение по п. 7, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
10. Применение по п. 7, в котором очищающую композицию применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения, или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них
после химико-механического полирования.
11. Способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом одном из пп. 1-6.
12. Способ по п. 11, в котором очищающая композиция имеет значение рН в интервале от 4 до 8.
13. Способ по п. 11, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
14. Способ по п. 11, в котором полупроводниковые подложки содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них.
15. Композиция для очистки после химико-механического полирования, содержащая:
(А) соединение, представляющее собой цистеин, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное,
(L) по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты,
(С) водную среду и
(Е) по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество.
16. Композиция по п. 15, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую по меньшей мере 20 групп карбоновой кислоты.
17. Композиция по п. 15, в которой средиемассовая молекулярная масса олигомерной или полимерной поликарбоновой кислоты (L) составляет более чем 2000 Дальтон, как определено посредством гельпроникающей хроматографии.
18. Композиция по п. 15, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер, содержащий
(i) мономерные звенья акриловой кислоты, и
(ii) мономерные звенья, производные от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида.
19. Композиция по п. 15, в котором (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты.
20. Композиция по любому одному из пп. 15-19, в которой поверхностно-активное вещество (Е) выбирают из группы, состоящей из:
(Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(el2) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерных звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, где заместители выбирают из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22) содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(Е3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
21. Применение композиции для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом одном из пп. 15-20, для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
22. Применение по п. 21, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
23. Применение по п. 21, в котором очищающую композицию применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них после химико-механического полирования.
24. Способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом одном из пп. 15-20.
25. Способ по п. 24, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
26. Способ по п. 24, в котором полупроводниковые подложки содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения, или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261595180P | 2012-02-06 | 2012-02-06 | |
| US61/595,180 | 2012-02-06 | ||
| PCT/IB2013/050625 WO2013118013A1 (en) | 2012-02-06 | 2013-01-24 | A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol or a polycarboxylic acid |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014136176A RU2014136176A (ru) | 2016-03-27 |
| RU2631870C2 true RU2631870C2 (ru) | 2017-09-28 |
Family
ID=48946959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014136176A RU2631870C2 (ru) | 2012-02-06 | 2013-01-24 | Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9458415B2 (ru) |
| EP (2) | EP3385363B1 (ru) |
| JP (2) | JP6231017B2 (ru) |
| KR (1) | KR102050704B1 (ru) |
| CN (1) | CN104093824B (ru) |
| IL (1) | IL233665B (ru) |
| MY (1) | MY171165A (ru) |
| RU (1) | RU2631870C2 (ru) |
| SG (1) | SG11201404613VA (ru) |
| TW (2) | TWI580775B (ru) |
| WO (1) | WO2013118013A1 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10926201B2 (en) * | 2012-02-12 | 2021-02-23 | Ide Technologies Ltd. | Integrated unit for intake and pretreatment with local backwashing |
| EP3394879A2 (en) * | 2015-12-22 | 2018-10-31 | Basf Se | Composition for post chemical-mechanical-polishing cleaning |
| TWI673357B (zh) * | 2016-12-14 | 2019-10-01 | 美商卡博特微電子公司 | 自化學機械平坦化基板移除殘留物之組合物及方法 |
| CN110234719A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-09-13 | 恩特格里斯公司 | 用于从表面去除氧化铈粒子的组合物和方法 |
| KR20200058428A (ko) | 2017-10-10 | 2020-05-27 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
| US11446708B2 (en) * | 2017-12-04 | 2022-09-20 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for reducing interaction between abrasive particles and a cleaning brush |
| JP7211298B2 (ja) * | 2019-07-24 | 2023-01-24 | Jsr株式会社 | 洗浄用組成物及びその製造方法 |
| JP7467188B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-04-15 | キオクシア株式会社 | Ｃｍｐ方法及びｃｍｐ用洗浄剤 |
| JP7531343B2 (ja) | 2020-08-11 | 2024-08-09 | 東京応化工業株式会社 | ルテニウム配線の製造方法 |
| KR20220061628A (ko) * | 2020-11-06 | 2022-05-13 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 입자 용해용 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
| JP7569677B2 (ja) | 2020-12-17 | 2024-10-18 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用リンス剤組成物 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2104331C1 (ru) * | 1989-10-26 | 1998-02-10 | Кабусики Кайся Тосиба | Очищающее средство (варианты) |
| US20050245409A1 (en) * | 2003-05-02 | 2005-11-03 | Mihaela Cernat | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing |
| US20080139436A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
| US20110136717A1 (en) * | 2009-07-07 | 2011-06-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations And Method For Post-CMP Cleaning |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013266A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 基板洗浄剤 |
| JP4221191B2 (ja) | 2002-05-16 | 2009-02-12 | 関東化学株式会社 | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 |
| US7087564B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-08-08 | Air Liquide America, L.P. | Acidic chemistry for post-CMP cleaning |
| US7922823B2 (en) | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
| KR101088568B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-12-05 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼 |
| JP4667147B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-04-06 | 株式会社トクヤマ | 基板洗浄液 |
| TW200734448A (en) | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
| JP4732948B2 (ja) | 2006-05-01 | 2011-07-27 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 送信装置および受信装置並びにランダムアクセス制御方法 |
| CN101130876B (zh) * | 2006-08-25 | 2012-02-29 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 |
| US20100261632A1 (en) * | 2007-08-02 | 2010-10-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device |
| JP2009071165A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板洗浄液 |
| JP2009099945A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法 |
| WO2009058288A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Amidoxime compounds as chelating agents in semiconductor processes |
| WO2009058274A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use |
| MY150211A (en) * | 2007-12-07 | 2013-12-13 | Fontana Technology | Particle removal cleaning method and composition |
| JP2009194049A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅配線半導体用洗浄剤 |
| JP5412661B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法 |
| JP5561914B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-07-30 | 関東化学株式会社 | 半導体基板洗浄液組成物 |
| US20090291873A1 (en) | 2008-05-22 | 2009-11-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and Composition for Post-CMP Cleaning of Copper Interconnects Comprising Noble Metal Barrier Layers |
| CN101685272A (zh) * | 2008-09-26 | 2010-03-31 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| US9074170B2 (en) | 2008-10-21 | 2015-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper cleaning and protection formulations |
| JP2010153790A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-07-08 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
| KR101751553B1 (ko) | 2009-06-30 | 2017-06-27 | 바스프 에스이 | 수성 알칼리 세정 조성물 및 그 사용 방법 |
| WO2011000694A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Basf Se | Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use |
| US8101561B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
| US8894774B2 (en) * | 2011-04-27 | 2014-11-25 | Intermolecular, Inc. | Composition and method to remove excess material during manufacturing of semiconductor devices |
-
2013
- 2013-01-24 EP EP18169062.9A patent/EP3385363B1/en active Active
- 2013-01-24 JP JP2014555353A patent/JP6231017B2/ja active Active
- 2013-01-24 US US14/376,978 patent/US9458415B2/en active Active
- 2013-01-24 EP EP13746032.5A patent/EP2812422B1/en active Active
- 2013-01-24 MY MYPI2014002274A patent/MY171165A/en unknown
- 2013-01-24 RU RU2014136176A patent/RU2631870C2/ru active
- 2013-01-24 CN CN201380007434.8A patent/CN104093824B/zh active Active
- 2013-01-24 KR KR1020147025096A patent/KR102050704B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-24 SG SG11201404613VA patent/SG11201404613VA/en unknown
- 2013-01-24 WO PCT/IB2013/050625 patent/WO2013118013A1/en active Application Filing
- 2013-02-05 TW TW102104464A patent/TWI580775B/zh active
- 2013-02-05 TW TW106101052A patent/TWI624542B/zh active
-
2014
- 2014-07-16 IL IL233665A patent/IL233665B/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-15 JP JP2017117450A patent/JP6577526B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2104331C1 (ru) * | 1989-10-26 | 1998-02-10 | Кабусики Кайся Тосиба | Очищающее средство (варианты) |
| US20050245409A1 (en) * | 2003-05-02 | 2005-11-03 | Mihaela Cernat | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing |
| US20080139436A1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-06-12 | Chris Reid | Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material |
| US20110136717A1 (en) * | 2009-07-07 | 2011-06-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations And Method For Post-CMP Cleaning |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150018261A1 (en) | 2015-01-15 |
| WO2013118013A1 (en) | 2013-08-15 |
| US9458415B2 (en) | 2016-10-04 |
| IL233665A0 (en) | 2014-08-31 |
| EP2812422A4 (en) | 2016-10-19 |
| JP6231017B2 (ja) | 2017-11-15 |
| SG11201404613VA (en) | 2014-09-26 |
| EP3385363A1 (en) | 2018-10-10 |
| CN104093824B (zh) | 2018-05-11 |
| TWI624542B (zh) | 2018-05-21 |
| RU2014136176A (ru) | 2016-03-27 |
| EP2812422A1 (en) | 2014-12-17 |
| TWI580775B (zh) | 2017-05-01 |
| EP3385363B1 (en) | 2022-03-16 |
| JP2017222860A (ja) | 2017-12-21 |
| JP6577526B2 (ja) | 2019-09-18 |
| MY171165A (en) | 2019-09-28 |
| JP2015512959A (ja) | 2015-04-30 |
| CN104093824A (zh) | 2014-10-08 |
| EP2812422B1 (en) | 2019-08-07 |
| KR102050704B1 (ko) | 2019-12-02 |
| IL233665B (en) | 2018-12-31 |
| TW201718842A (zh) | 2017-06-01 |
| TW201335361A (zh) | 2013-09-01 |
| KR20140123994A (ko) | 2014-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2631870C2 (ru) | Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту | |
| TWI585198B (zh) | 半導體裝置用洗淨液及半導體裝置用基板之洗淨方法 | |
| WO2002094462A1 (fr) | Procede de nettoyage de la surface d'un substrat | |
| KR101846597B1 (ko) | 반도체 디바이스용 기판의 세정액 및 세정 방법 | |
| TWI794152B (zh) | 用於化學機械研磨後清潔之組成物 | |
| KR20030041092A (ko) | 기판표면 세정액 및 세정방법 | |
| TWI736567B (zh) | 用於化學機械硏磨後清潔之組成物 | |
| US20040112753A1 (en) | Methods for polishing and/or cleaning copper interconnects and/or film and compositons therefor | |
| JP2014170927A (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
| KR20200058428A (ko) | 세정액, 세정 방법 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JP2015165562A (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
| JP2003068696A (ja) | 基板表面洗浄方法 | |
| JP2003109930A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
| TW201339299A (zh) | 包含特定含硫化合物及包含非有效量之特定含氮化合物之化學機械拋光後之清洗組合物 | |
| JP2015203047A (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
| KR102399811B1 (ko) | 금속막 연마 후 세정액 조성물 | |
| JP4376022B2 (ja) | シリカスケール除去剤 |