RU2014136176A - Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту - Google Patents

Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту Download PDF

Info

Publication number
RU2014136176A
RU2014136176A RU2014136176A RU2014136176A RU2014136176A RU 2014136176 A RU2014136176 A RU 2014136176A RU 2014136176 A RU2014136176 A RU 2014136176A RU 2014136176 A RU2014136176 A RU 2014136176A RU 2014136176 A RU2014136176 A RU 2014136176A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
acid
composition
group
alkyl
ruthenium
Prior art date
Application number
RU2014136176A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2631870C2 (ru
Inventor
Южуо ЛИ
Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН
Мингже ЖОНГ
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2014136176A publication Critical patent/RU2014136176A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2631870C2 publication Critical patent/RU2631870C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3427—Organic compounds containing sulfur containing thiol, mercapto or sulfide groups, e.g. thioethers or mercaptales
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/66—Non-ionic compounds
    • C11D1/662—Carbohydrates or derivatives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/66—Non-ionic compounds
    • C11D1/722—Ethers of polyoxyalkylene glycols having mixed oxyalkylene groups; Polyalkoxylated fatty alcohols or polyalkoxylated alkylaryl alcohols with mixed oxyalkylele groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2003—Alcohols; Phenols
    • C11D3/2065—Polyhydric alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
    • C11D3/2082—Polycarboxylic acids-salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/349—Organic compounds containing sulfur additionally containing nitrogen atoms, e.g. nitro, nitroso, amino, imino, nitrilo, nitrile groups containing compounds or their derivatives or thio urea
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
    • C11D3/3765—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions in liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/268—Carbohydrates or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/40—Specific cleaning or washing processes
    • C11D2111/44—Multi-step processes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

1. Очищающая композиция после химико-механического полирования, содержащая:(A) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR) или тиокарбонильную (>C=S) группу, где Rпредставляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,(B) является эритритом, треитом или их стреоизомером или их смесью,(C) водную среду.2. Композиция по п. 1, в которой соединение (А) представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR) или тиокарбонильную (>C=S) группу и по меньшей мере одну амино (-NH, -NHRили -NRR) группу, и где R, R, Rи Rпредставляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил.3. Композиция по п. 2, в которой соединение (А) представляет собой тиомочевину или ее производное.4. Композиция по п. 2, в которой соединение (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную (-SH) или тиоэфирную (-SR) группу или производное этой аминокислоты,где Rпредставляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил.5. Композиция по п. 4, в которой соединение (А) представляет собой цистеин, цистин, глутатион, N-ацетилцистеин или их производное.6. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит (D), по меньшей мере один хелатообразующий агент металла.7. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере один хелатообразующий агент металла (D), который выбирают из группы, состоящей из пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты, лимонной кислоты, бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты, пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты, тримеллитовой кислоты, тримезитовой кислоты, пиромеллитовой кислоты, меллитовой кислоты и олигомерных и полимерных поликарбоновых кислот.8. Композиция по любому из п.п. 1-7, в которой композиция допол

Claims (31)

1. Очищающая композиция после химико-механического полирования, содержащая:
(A) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу, где R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
(B) является эритритом, треитом или их стреоизомером или их смесью,
(C) водную среду.
2. Композиция по п. 1, в которой соединение (А) представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR1) или тиокарбонильную (>C=S) группу и по меньшей мере одну амино (-NH2, -NHR2 или -NR3R4) группу, и где R1, R2, R3 и R4 представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил.
3. Композиция по п. 2, в которой соединение (А) представляет собой тиомочевину или ее производное.
4. Композиция по п. 2, в которой соединение (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную (-SH) или тиоэфирную (-SR1) группу или производное этой аминокислоты,
где R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил.
5. Композиция по п. 4, в которой соединение (А) представляет собой цистеин, цистин, глутатион, N-ацетилцистеин или их производное.
6. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит (D), по меньшей мере один хелатообразующий агент металла.
7. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере один хелатообразующий агент металла (D), который выбирают из группы, состоящей из пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты, лимонной кислоты, бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты, пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты, тримеллитовой кислоты, тримезитовой кислоты, пиромеллитовой кислоты, меллитовой кислоты и олигомерных и полимерных поликарбоновых кислот.
8. Композиция по любому из п.п. 1-7, в которой композиция дополнительно содержит (Е), по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество.
9. Композиция по любому из п.п. 1-7, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество (Е), которое выбирают из группы, состоящей из:
(Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерньгх звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, где заместители выбирают из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22), содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(Е3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
10. Применение композиции для очистки после СМР, как определено в любом одном из пп. 1-9, для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
11. Применение по п. 10, в котором композиция для очистки после СМР имеет значение рН в интервале от 4 до 8.
12. Применение по п. 10, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
13. Применение по п. 10, в котором очищающую композицию применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения, или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них
после химико-механического полирования.
14. Способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией для очистки после СМР, как определено в любом одном из пп. 1-9.
15. Способ по п. 14, в котором очищающая композиция имеет значение рН в интервале от 4 до 8.
16. Способ по п. 14, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
17. Способ по п. 14, в котором полупроводниковые подложки содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них.
18. Композиция для очистки после химико-механического полирования, содержащая:
(А) соединение, представляющее собой цистеин, глютатион, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное,
(L) по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, и
(С) водную среду.
19. Композиция по п. 18, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты.
20. Композиция по п. 18, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую по меньшей мере 20 групп карбоновой кислоты.
21. Композиция по п. 18, в которой среднемассовая молекулярная масса олигомерной или полимерной поликарбоновой кислоты (L) составляет более чем 2000 Дальтон, как определено посредством гельпроникающей хроматографии.
22. Композиция по п. 18, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер, содержащий
(i) мономерные звенья акриловой кислоты, и
(ii) мономерные звенья, производные от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида.
23. Композиция по п. 18, в котором (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты.
24. Композиция по любому из пп. 18-23, в которой композиция дополнительно содержит (Е), по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество.
25. Композиция по любому одному из пп. 18-23, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество (Е), которое выбирают из группы, состоящей из:
(Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерных звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, где заместители выбирают из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22) содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(Е3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
26. Применение композиции для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом из п.п. 18-25, для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
27. Применение по п. 26, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
28. Применение по п. 26, в котором очищающую композицию применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них
после химико-механического полирования.
29. Способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом из пп. 18-25.
30. Способ по п. 29, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
31. Способ по п. 29, в котором полупроводниковые подложки содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения, или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них.
RU2014136176A 2012-02-06 2013-01-24 Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту RU2631870C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261595180P 2012-02-06 2012-02-06
US61/595,180 2012-02-06
PCT/IB2013/050625 WO2013118013A1 (en) 2012-02-06 2013-01-24 A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound and a sugar alcohol or a polycarboxylic acid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014136176A true RU2014136176A (ru) 2016-03-27
RU2631870C2 RU2631870C2 (ru) 2017-09-28

Family

ID=48946959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014136176A RU2631870C2 (ru) 2012-02-06 2013-01-24 Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9458415B2 (ru)
EP (2) EP3385363B1 (ru)
JP (2) JP6231017B2 (ru)
KR (1) KR102050704B1 (ru)
CN (1) CN104093824B (ru)
IL (1) IL233665B (ru)
MY (1) MY171165A (ru)
RU (1) RU2631870C2 (ru)
SG (1) SG11201404613VA (ru)
TW (2) TWI580775B (ru)
WO (1) WO2013118013A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10926201B2 (en) * 2012-02-12 2021-02-23 Ide Technologies Ltd. Integrated unit for intake and pretreatment with local backwashing
US10844333B2 (en) 2015-12-22 2020-11-24 Basf Se Composition for post chemical-mechanical-polishing cleaning
TWI673357B (zh) * 2016-12-14 2019-10-01 美商卡博特微電子公司 自化學機械平坦化基板移除殘留物之組合物及方法
JP2020504460A (ja) * 2017-01-18 2020-02-06 インテグリス・インコーポレーテッド セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法
WO2019073931A1 (ja) 2017-10-10 2019-04-18 三菱ケミカル株式会社 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
US11446708B2 (en) * 2017-12-04 2022-09-20 Entegris, Inc. Compositions and methods for reducing interaction between abrasive particles and a cleaning brush
JP7211298B2 (ja) * 2019-07-24 2023-01-24 Jsr株式会社 洗浄用組成物及びその製造方法
JP7467188B2 (ja) * 2020-03-24 2024-04-15 キオクシア株式会社 Ｃｍｐ方法及びｃｍｐ用洗浄剤
JP7531343B2 (ja) 2020-08-11 2024-08-09 東京応化工業株式会社 ルテニウム配線の製造方法
KR20220061628A (ko) * 2020-11-06 2022-05-13 주식회사 케이씨텍 연마 입자 용해용 조성물 및 이를 이용한 세정 방법
JP7569677B2 (ja) 2020-12-17 2024-10-18 花王株式会社 シリコンウェーハ用リンス剤組成物

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114292A (en) * 1989-10-26 2002-09-30 Momentive Performance Mat Jp Method for removing residual liquid cleaning agent using a rinsing composition containing a polyorganosiloxane
JP2003013266A (ja) * 2001-06-28 2003-01-15 Wako Pure Chem Ind Ltd 基板洗浄剤
JP4221191B2 (ja) 2002-05-16 2009-02-12 関東化学株式会社 Ｃｍｐ後洗浄液組成物
CN100442449C (zh) * 2003-05-02 2008-12-10 Ekc技术公司 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除
US7087564B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-08 Air Liquide America, L.P. Acidic chemistry for post-CMP cleaning
JP5600376B2 (ja) 2005-01-27 2014-10-01 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 半導体基材の処理のための組成物
KR101088568B1 (ko) * 2005-04-19 2011-12-05 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 갈바닉 부식을 억제하는 비수성 포토레지스트 스트립퍼
JP4667147B2 (ja) * 2005-07-15 2011-04-06 株式会社トクヤマ 基板洗浄液
TW200734448A (en) 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
JP4732948B2 (ja) 2006-05-01 2011-07-27 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 送信装置および受信装置並びにランダムアクセス制御方法
CN101130876B (zh) * 2006-08-25 2012-02-29 安集微电子（上海）有限公司 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液
US20080139436A1 (en) * 2006-09-18 2008-06-12 Chris Reid Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material
KR20100051839A (ko) * 2007-08-02 2010-05-18 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 마이크로전자 장치로부터 잔사를 제거하기 위한 플루오라이드 비-함유 조성물
JP2009071165A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体デバイス用基板洗浄液
JP2009099945A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法
TW200946448A (en) * 2007-10-29 2009-11-16 Ekc Technology Inc Stabilization of hydroxylamine containing solutions and method for their preparation
TW200946621A (en) * 2007-10-29 2009-11-16 Ekc Technology Inc Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use
MY150211A (en) * 2007-12-07 2013-12-13 Fontana Technology Particle removal cleaning method and composition
JP2009194049A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
JP5412661B2 (ja) * 2008-03-28 2014-02-12 富士フイルム株式会社 半導体デバイス用洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法
JP5561914B2 (ja) * 2008-05-16 2014-07-30 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物
US20090291873A1 (en) 2008-05-22 2009-11-26 Air Products And Chemicals, Inc. Method and Composition for Post-CMP Cleaning of Copper Interconnects Comprising Noble Metal Barrier Layers
CN101685272A (zh) 2008-09-26 2010-03-31 安集微电子（上海）有限公司 一种光刻胶清洗剂
JP5873718B2 (ja) * 2008-10-21 2016-03-01 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
JP2010153790A (ja) * 2008-11-21 2010-07-08 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体の製造方法
EP2449076B1 (en) 2009-06-30 2016-09-21 Basf Se Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use
WO2011000694A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Basf Se Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use
US8765653B2 (en) * 2009-07-07 2014-07-01 Air Products And Chemicals, Inc. Formulations and method for post-CMP cleaning
US8101561B2 (en) * 2009-11-17 2012-01-24 Wai Mun Lee Composition and method for treating semiconductor substrate surface
US8894774B2 (en) * 2011-04-27 2014-11-25 Intermolecular, Inc. Composition and method to remove excess material during manufacturing of semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
TWI624542B (zh) 2018-05-21
MY171165A (en) 2019-09-28
SG11201404613VA (en) 2014-09-26
KR20140123994A (ko) 2014-10-23
TW201718842A (zh) 2017-06-01
EP2812422A4 (en) 2016-10-19
TWI580775B (zh) 2017-05-01
EP2812422B1 (en) 2019-08-07
JP2015512959A (ja) 2015-04-30
RU2631870C2 (ru) 2017-09-28
CN104093824A (zh) 2014-10-08
IL233665A0 (en) 2014-08-31
EP3385363B1 (en) 2022-03-16
EP2812422A1 (en) 2014-12-17
US9458415B2 (en) 2016-10-04
EP3385363A1 (en) 2018-10-10
JP2017222860A (ja) 2017-12-21
TW201335361A (zh) 2013-09-01
US20150018261A1 (en) 2015-01-15
JP6577526B2 (ja) 2019-09-18
KR102050704B1 (ko) 2019-12-02
CN104093824B (zh) 2018-05-11
JP6231017B2 (ja) 2017-11-15
IL233665B (en) 2018-12-31
WO2013118013A1 (en) 2013-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014136176A (ru) Композиция для очистки после химико-механического полирования (после - смр), содержащая конкретное содержащее серу соединение и сахарный спирт или поликарбоновую кислоту
JP2015512959A5 (ru)
JP6999603B2 (ja) ポスト化学機械平坦化（ｃｍｐ）洗浄
JP5749457B2 (ja) Ｃｍｐ後洗浄のための配合物及び方法
KR100974034B1 (ko) 세정액 및 이것을 이용한 세정방법
JP5856411B2 (ja) アルマイト用洗浄剤組成物
JP2007335856A (ja) エレクトロニクス材料用洗浄剤
RU2015103813A (ru) Композиция для химико-механической полировки (смр), содержащая неионное поверхностно-активное вещество и карбонатную соль
KR101510832B1 (ko) 순동 및 동계 합금의 변색 방지제 조성물
JP7035773B2 (ja) 研磨組成物
JP6604269B2 (ja) 硬質表面用リンス剤
TWI804963B (zh) 後化學機械平坦化(cmp)清潔
JP7073907B2 (ja) 洗浄剤
CN110669594B (zh) 一种碳化硅单晶片清洗剂及其制备方法和应用
JP5055914B2 (ja) 半導体製造装置洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法
JP6626748B2 (ja) タンタル含有層用エッチング液組成物及びエッチング方法
JP5743480B2 (ja) 鋼材の脱スケール酸洗剤及び脱スケール酸洗方法
JP2003138297A (ja) 液体洗剤組成物
JP2007284673A (ja) 液状界面活性剤組成物