JP5055914B2 - 半導体製造装置洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法 - Google Patents
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Description
KF:フッ化カリウム
CA:クエン酸
NH4OH:アンモニア水
KOH:水酸化カリウム
Al:アルミニウム
Ad−Al:陽極酸化されたアルミニウム
実施例1〜実施例4
エッチング工程においてプロセスチャンバー内壁(基材:アルミニウム又は陽極酸化されたアルミニウム)に堆積した付着物を洗浄除去するため、当該内壁を、表1に記載の洗浄用組成物に25℃、30分間浸漬し、堆積物が完全に除去される時間を測定した。その結果を表1にあわせて示す。
実施例3で用いた装置部品(基材:陽極酸化されたアルミニウム)と同様のものを、80℃に過熱した31%過酸化水素水に30分間、浸漬した。その結果、ダメージは全くなかったが、付着物が除去できなかった。
Claims (4)
- フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化リチウム及びフッ化アンモニウムからなる群より選ばれる一種又は二種以上のフッ化物が1〜10000ppm、クエン酸が0.1〜20重量%、pH調整剤が5重量%以下、残部が水であることを特徴とする半導体製造装置洗浄用組成物。
- pH調整剤が、アンモニア水、アルカリ金属、及び四級アンモニウム塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の塩基であることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置洗浄用組成物。
- 請求項1乃至請求項2のいずれかに記載の半導体製造装置洗浄用組成物を用いて、半導体製造装置の基材表面に付着した物質を洗浄することを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
- 半導体製造装置の基材が陽極酸化されたアルミニウムであることを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置の洗浄方法。
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