JP4355201B2 - タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 - Google Patents
タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4355201B2 JP4355201B2 JP2003403240A JP2003403240A JP4355201B2 JP 4355201 B2 JP4355201 B2 JP 4355201B2 JP 2003403240 A JP2003403240 A JP 2003403240A JP 2003403240 A JP2003403240 A JP 2003403240A JP 4355201 B2 JP4355201 B2 JP 4355201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten metal
- tungsten
- acid
- removal
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 93
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims description 93
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims description 93
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 81
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- TWLXDPFBEPBAQB-UHFFFAOYSA-N orthoperiodic acid Chemical compound OI(O)(O)(O)(O)=O TWLXDPFBEPBAQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
Description
例えば、過酸化水素や過酸化水素水とアンモニアと水との混合液(特許文献2〜4)が、タングステン金属のエッチング液として提案されているが、過酸化水素水は酸素を放出して分解しやすくエッチング液としての寿命が短いという問題がある。さらにこれらのエッチング液は、エッチング後に粒状または膜状の残渣が生じるなど、決して実用的なエッチング液とはいえないものである。したがって、これらはタングステン金属の除去液としても適さないものである。
塩の析出を防止するための酸性のタングステン除去液としては、フッ化水素酸と硝酸とを含む水溶液が考えられるが、この水溶液はシリコン、酸化シリコンをも腐食するので、デバイス製造において適さないことが報告されている(特許文献2)。
一方、除去対象金属が異なるが、半導体基板周縁部に成膜または付着したルテニウム金属を除去する酸性除去液として、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを含む組成物が報告されている(特許文献5)。しかし、タングステン金属の除去については何ら開示されていない。
また、本願に類似する組成物として、フッ化水素酸、過ヨウ素酸、及び硫酸を含むエッチング液が報告されている(特許文献6)。
また、本発明は、オルト過ヨウ素酸の含有量が5〜50質量%であり、およびフッ化水素酸の含有量が0.01〜5質量%である、前記除去液に関する。
さらに、本発明は、タングステン金属が半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属である、前記除去液に関する。
また、本発明は、タングステン金属を成膜した半導体基板を水平に保持して回転させ、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に、前記除去液を吹き付けることをによる、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属の除去方法に関する。
に関する。
また、本発明の除去液は、安定性に優れるため、長期に保存することができる。さらに、本発明の除去液は、エッチング後に粒状または膜状の残渣が生じることもなく、また、他の酸性の液と同一装置で効率良く使用できることから、非常に実用的なエッチング液である。
本発明の除去液の成分であるオルト過ヨウ素酸と類似の化合物として過塩素酸、過硫酸、臭素酸、過酸化水素水等があるが、過塩素酸、過硫酸は充分なタングステン金属の溶解・除去効果が得られない。また、臭素酸は安定性が無く、過酸化水素水は、前述したようにそれ自体が分解するため使用が難しい。これらに比べオルト過ヨウ素酸は、タングステン金属を充分に溶解・除去し、また、アルカリ金属を含まないため、素子に対する悪影響も少ないことから好ましい。
本発明において、オルト過ヨウ素酸の含量は、タングステン金属を充分に溶解・除去することができる程度であれば制限されないが、オルト過ヨウ素酸の析出を効果的に防止することができる程度の含量に抑えることが好ましいことから、典型的には5〜50質量%であり、好ましくは15〜30質量%である。
本発明の除去液は、オルト過ヨウ素酸、フッ化水素酸以外に、通常、水を含有する構成とする。
また本発明の除去液は、除去性能を損なわない範囲で界面活性剤等の各種添加剤や水溶性有機溶剤を添加してもよい。
本発明の除去液の好ましい実施形態としては、オルト過ヨウ素酸からなる水溶液、オルト過ヨウ素酸とフッ化水素酸からなる水溶液、あるいは、これに界面活性剤等の添加剤等を少量加えた構成を挙げることができる。
本発明の除去液は、特に素子形成領域以外の領域にタングステン金属が成膜または付着した半導体基板の洗浄に用いた場合に効果的である。例えば、半導体基板の素子形成領域にタングステン金属を成膜した後、素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属を洗浄除去することに用いた場合に顕著な効果を示す。
シリコン基板上にタングステン金属を成膜したもの(膜厚500nm)を約15mm角のチップに切り出し、試料を作製した。この試料を本発明の除去液に処理温度50℃にて浸漬した。使用した本発明の除去液の組成を表1に示す。各成分の含量は、除去液全体に対する質量%の値で示した。残部は水である。タングステン金属膜が消失するまで浸漬し、タングステン金属膜が消失するまでに要した時間からタングステン金属の溶解速度を求めた。その結果を表1、2及び3に示す。表中の溶解速度はnm/minである。
表1〜3に示した結果から、オルト過ヨウ素酸、または、オルト過ヨウ素酸とフッ化水素酸を組み合わせた場合に顕著なタングステン金属の除去効果が得られたことが判る。
シリコン基板上にタングステン金属を成膜したもの(膜厚500nm)を約15mm角のチップに切り出し、試料を作製した。この試料を、本発明の除去液に浸漬し、除去液をスターラーにより攪拌した場合と攪拌しない場合のそれぞれについて、30℃、40℃及び50℃における溶解速度を求めた。使用した除去液の組成を表4に示す。各成分の含量は、除去液全体に対する質量%の値で表示した。残部は水である。タングステン金属膜が消失するまで浸漬し、タングステン金属膜が消失するまでに要した時間から、タングステン金属の溶解速度を求めた。その結果を表4に示す。なお、表中の溶解速度の単位はnm/minである。
攪拌を行うことによりタングステン金属の溶解が速くなることが明らかになった。このことから、物理的な作用が働くスピン洗浄においては、浸漬法と比較し速やかなタングステン金属の除去が期待できる。
シリコン基板上に酸化シリコン、窒化チタンを成膜したものを試料とし、50℃における窒化チタン、酸化シリコンの溶解速度を求めた。結果を表5及び表6に示す。一般的にタングステン金属と下地の酸化シリコン、窒化チタンとのエッチング選択比は10以上であることが好ましいが、本発明においては、タングステン金属の溶解速度と比較して、酸化シリコン、窒化チタンの溶解速度は大幅に低く、エッチング選択比は10以上であることが明らかとなった。このことから、本発明の除去液は、タングステン下地膜である窒化チタン及び酸化シリコンに対する腐食の少ない、非常に実用的な除去液であることがわかる。
2、2’・・タングステン膜
3・・・・・絶縁膜
5・・・・・基板載置台
Claims (3)
- シリコン半導体基板上に成膜または付着したタングステン金属の除去液であって、オルト過ヨウ素酸、フッ化水素酸、及び水からなり、オルト過ヨウ素酸の含有量が5〜50質量%であり、およびフッ化水素酸の含有量が0.01〜5質量%である、前記除去液。
- タングステン金属が半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属である、請求項1に記載の除去液。
- タングステン金属を成膜した半導体基板を水平に保持して回転させ、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に、請求項1に記載の除去液を吹き付けることによる、該半導体基板の素子形成領域以外の領域に成膜または付着したタングステン金属の除去方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003403240A JP4355201B2 (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 |
TW093136900A TW200519197A (en) | 2003-12-02 | 2004-11-30 | Tungsten metal removing solution and method for removing tungsten metal by use thereof |
KR1020040099712A KR101135565B1 (ko) | 2003-12-02 | 2004-12-01 | 텅스텐 금속제거액 및 이를 이용한 텅스텐 금속의 제거방법 |
US11/001,684 US7351354B2 (en) | 2003-12-02 | 2004-12-01 | Tungsten metal removing solution and method for removing tungsten metal by use thereof |
CNB2004100978345A CN100516303C (zh) | 2003-12-02 | 2004-12-02 | 钨金属去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003403240A JP4355201B2 (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005166924A JP2005166924A (ja) | 2005-06-23 |
JP2005166924A5 JP2005166924A5 (ja) | 2007-01-25 |
JP4355201B2 true JP4355201B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=34726600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003403240A Expired - Lifetime JP4355201B2 (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7351354B2 (ja) |
JP (1) | JP4355201B2 (ja) |
KR (1) | KR101135565B1 (ja) |
CN (1) | CN100516303C (ja) |
TW (1) | TW200519197A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050110470A (ko) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
KR20050116739A (ko) * | 2004-06-08 | 2005-12-13 | 동부아남반도체 주식회사 | 기판 상의 금속막 스트립 방법 |
US7790624B2 (en) * | 2008-07-16 | 2010-09-07 | Global Foundries Inc. | Methods for removing a metal-comprising material from a semiconductor substrate |
CN103484864B (zh) * | 2012-06-11 | 2016-04-27 | 北大方正集团有限公司 | 钨层去除溶液 |
JP5854230B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2016-02-09 | 栗田工業株式会社 | 基板洗浄液および基板洗浄方法 |
WO2016068183A1 (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | 富士フイルム株式会社 | ルテニウム除去組成物、及び、磁気抵抗メモリの製造方法 |
JP6460729B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 基板処理方法、及び、半導体素子の製造方法 |
JP6769760B2 (ja) | 2016-07-08 | 2020-10-14 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
CN108130535B (zh) * | 2016-12-01 | 2020-04-14 | 添鸿科技股份有限公司 | 钛钨合金的蚀刻液 |
JP6941959B2 (ja) | 2017-03-31 | 2021-09-29 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
TW202138620A (zh) | 2020-03-31 | 2021-10-16 | 日商德山股份有限公司 | 半導體用處理液及其製造方法 |
US20220298416A1 (en) | 2020-08-07 | 2022-09-22 | Tokuyama Corporation | Treatment liquid for semiconductor wafers |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2681433B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1997-11-26 | 株式会社フロンテック | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
KR100271769B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2001-02-01 | 윤종용 | 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액조성물 및 반도체소자 |
US6232228B1 (en) * | 1998-06-25 | 2001-05-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices, etching composition for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices made using the method |
JP4240424B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2009-03-18 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法 |
TW490756B (en) * | 1999-08-31 | 2002-06-11 | Hitachi Ltd | Method for mass production of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic components |
JP2002016053A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4083528B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
-
2003
- 2003-12-02 JP JP2003403240A patent/JP4355201B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-11-30 TW TW093136900A patent/TW200519197A/zh unknown
- 2004-12-01 US US11/001,684 patent/US7351354B2/en active Active
- 2004-12-01 KR KR1020040099712A patent/KR101135565B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-12-02 CN CNB2004100978345A patent/CN100516303C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050053330A (ko) | 2005-06-08 |
US7351354B2 (en) | 2008-04-01 |
CN100516303C (zh) | 2009-07-22 |
KR101135565B1 (ko) | 2012-04-17 |
US20050156140A1 (en) | 2005-07-21 |
JP2005166924A (ja) | 2005-06-23 |
CN1626699A (zh) | 2005-06-15 |
TW200519197A (en) | 2005-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101282177B1 (ko) | 티탄계 금속, 텅스텐계 금속, 티탄-텅스텐계 금속 또는 그것들의 질화물의 에칭액 | |
TWI617705B (zh) | 銅腐蝕抑制系統 | |
JP5379441B2 (ja) | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 | |
JP4355201B2 (ja) | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 | |
JP2005166924A5 (ja) | ||
JP7180667B2 (ja) | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 | |
JP6378271B2 (ja) | タングステン膜エッチング液組成物、これを用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイス | |
JP2004325918A (ja) | 剥離剤組成物 | |
KR20180041936A (ko) | 금속막 식각액 조성물 | |
JP2006210857A (ja) | 不純物除去用洗浄液組成物及びこれを用いた不純物除去方法 | |
JP4577095B2 (ja) | 金属チタンのエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法 | |
JP2008216843A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
JP2001005200A (ja) | レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 | |
JP5206177B2 (ja) | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
KR102487249B1 (ko) | 텅스텐막 식각액 조성물 | |
JP4130392B2 (ja) | 銅および銅合金の平面仕上げエッチング処理方法 | |
JP7306373B2 (ja) | ドライエッチング残渣を除去するための洗浄液及びこれを用いた半導体基板の製造方法 | |
JP4478908B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物 | |
JP5407121B2 (ja) | 洗浄剤組成物 | |
JP4170710B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP4337445B2 (ja) | エッチング剤及びエッチング方法 | |
JP2005256077A (ja) | エッチング液 | |
JP2005109319A (ja) | 酸化タンタルのエッチング用組成物 | |
JP4305024B2 (ja) | 酸化ハフニウムをエッチングする方法 | |
KR20210061368A (ko) | 식각 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061204 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4355201 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130807 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |