JP4632290B2 - 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 - Google Patents
窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4632290B2 JP4632290B2 JP2004084253A JP2004084253A JP4632290B2 JP 4632290 B2 JP4632290 B2 JP 4632290B2 JP 2004084253 A JP2004084253 A JP 2004084253A JP 2004084253 A JP2004084253 A JP 2004084253A JP 4632290 B2 JP4632290 B2 JP 4632290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- susceptor
- metal
- semiconductor
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 15
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 12
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
- A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
- A63B69/00—Training appliances or apparatus for special sports
- A63B69/20—Punching balls, e.g. for boxing; Other devices for striking used during training of combat sports, e.g. bags
- A63B69/32—Punching balls, e.g. for boxing; Other devices for striking used during training of combat sports, e.g. bags with indicating devices
- A63B69/325—Punching balls, e.g. for boxing; Other devices for striking used during training of combat sports, e.g. bags with indicating devices for vertical blows on a horizontal surface
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
-
- A63B69/004—
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G06Q50/00—Information and communication technology [ICT] specially adapted for implementation of business processes of specific business sectors, e.g. utilities or tourism
- G06Q50/10—Services
- G06Q50/22—Social work or social welfare, e.g. community support activities or counselling services
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/80—Apparatus for specific applications
- H05B6/806—Apparatus for specific applications for laboratory use
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
- A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
- A63B2220/00—Measuring of physical parameters relating to sporting activity
- A63B2220/80—Special sensors, transducers or devices therefor
- A63B2220/803—Motion sensors
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
- A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
- A63B2225/00—Miscellaneous features of sport apparatus, devices or equipment
- A63B2225/09—Adjustable dimensions
- A63B2225/093—Height
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Business, Economics & Management (AREA)
- Tourism & Hospitality (AREA)
- Clinical Laboratory Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Human Resources & Organizations (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Child & Adolescent Psychology (AREA)
- Marketing (AREA)
- Primary Health Care (AREA)
- Strategic Management (AREA)
- General Business, Economics & Management (AREA)
- Economics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physical Education & Sports Medicine (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、窒化アルミニウム製サセプターおよびその洗浄方法に関するものである。
現在、半導体ウエハーの搬送、露光、ＣＶＤ、スパッタリング等の成膜プロセス、微細加工、洗浄、エッチング、ダイシング等の工程において、半導体ウエハーを吸着し、保持するために、静電チャックが使用されている。また、半導体ウエハーを加熱処理するためのセラミックヒーターや、高周波発生用の電極装置が実用化されている。
最近、半導体の配線ルールが更に微細化されてきており、例えば０．１３μｍ以下の微細配線が採用されてきている。このために、従来は問題とならなかったような水準の金属汚染（メタルコンタミネーション）が問題になってきている。即ち、セラミック部材の表面にシリコンウエハーを設置し、高温、例えば５００℃以上の温度で保持したときに、セラミック部材の表面に存在する微量の金属元素がシリコンウエハーに移行、拡散すると、半導体欠陥を引き起し、不良品の原因となる。
セラミック部材の金属汚染を防止するための従来の洗浄方法としては、有機溶剤および純水を用いて超音波洗浄する方法が知られている。
しかし、配線ルールの微細化に伴い、シリコンウエハー裏面への金属汚染量を大きく低減することが求められている。一例を挙げると、１２インチウエハーについて、金属原子数を１×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下とすることが求められている。
本出願人は、この問題を解決するために、特許文献１において、セラミック製サセプターの表面をブラスト処理し、次いで有機酸または弱酸によって洗浄することを開示した。
特開平２００３−１３６０２７
本出願人は、この問題を解決するために、特許文献１において、セラミック製サセプターの表面をブラスト処理し、次いで有機酸または弱酸によって洗浄することを開示した。
従来の純水洗浄によるセラミックヒーターでは、ヒーター表面の金属コンタミネーション量は、Feが１×１０１４ａｔｏｍｓ/ｃｍ２ほどあり、高温時（500℃以上）使用において、シリコンウエハーに拡散する金属量は１×１０１２ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以上であることが分かった。
更に、特許文献１に記載の方法では、セラミック製サセプター表面における金属原子数を著しく低減することに成功したが、それでもシリコンウエハー表面に移行する金属原子数は１×１０１０ａｔｏ ｍｓ／ｃｍ２を超えることが判明してきた。
高温におけるこのような微細な金属量でのセラミック製サセプターからシリコンウエハーへの金属原子の移行は研究されてきておらず、またこれほど高度にセラミック製サセプター表面の金属原子数を低減する洗浄技術は未だ提供されてこなかった。
また、本発明の課題は、セラミック製サセプターの表面における金属原子数を著しく低減する洗浄方法を提供することである。
本発明は、半導体設置面を有する窒化アルミニウム製サセプターを洗浄する方法に係るものである。
すなわち、本発明は、機械加工および仕上げ加工後のサセプターをサンドブラスト処理する工程、および
次いでサセプターをエチレンジアミン４酢酸およびシュウ酸の混合物によって洗浄することによって、前記半導体設置面におけるアルミニウムを除く各金属の原子数をそれぞれ１×１０ １１ ａｔｏｍｓ/ｃｍ ２ 以下とする工程
を有する。
次いでサセプターをエチレンジアミン４酢酸およびシュウ酸の混合物によって洗浄することによって、前記半導体設置面におけるアルミニウムを除く各金属の原子数をそれぞれ１×１０ １１ ａｔｏｍｓ/ｃｍ ２ 以下とする工程
を有する。
本発明者は、機械加工および仕上げ加工後の窒化アルミニウム製サセプターを洗浄する際に、金属原子を錯体化して再付着を防ぐ効果のある錯化剤、例えばエチレンジアミン４酢酸（EDTA）を用いた。
これと共に、サセプターを最初にブラスト加工すると共に、ＥＤＴＡをシュウ酸と併用することによってセラミック製サセプター表面の金属原子数を１×１０１１ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下まで著しく減少させることに成功した。
このような原子数は従来技術においては達成されていない水準である。
図１は、半導体保持装置１上に半導体ウエハーＷを設置した状態を模式的に示す図である。半導体保持装置１は、セラミック製サセプター２と、サセプター２を保持する円筒状の保持部３と、基部４とを備えている。保持部３の端面３ａはサセプター２の背面２ｂに接合されている。保持部３の端面３ｂは基部４に接合されている。サセプター２の半導体設置面２ａに半導体ウエハーＷが設置されている。２ｃはサセプター２の側面である。サセプター２の内部には、例えば抵抗発熱体や静電チャック電極を埋設できる。
半導体ウエハーＷをサセプター２の半導体設置面２ａに設置した状態で、半導体ウエハーＷを、高温、例えば５００℃以上の温度に加熱すると、サセプター２の半導体設置面２ａ側から半導体ウエハーＷの表面領域Ｗａへと金属元素が拡散する。本発明においては、このような金属元素の移行、拡散を抑制することができる。
本発明では、半導体設置面を有するセラミック製サセプターの種類は特に限定されない。本発明のサセプターが適用可能な半導体製造装置は、半導体の金属汚染が懸念されるような、幅広い半導体製造プロセスにおいて使用される装置のことを意味している。これには、成膜装置の他、エッチング装置、クリーニング装置、検査装置が含まれる。
セラミック製サセプターは、静電チャック、真空チャック、プラズマを発生させるための高周波電極、ヒーターであってよい。
サセプターを構成するセラミックは窒化アルミニウムである。
半導体設置面において、セラミックを構成する金属原子を除く各金属の原子数がそれぞれ１×１０１１ ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下である。「セラミックを構成する金属原子」とは、セラミック化合物の構成単位となっている金属原子のことである。具体的にはアルミニウムである。
まだ半導体設置面において、各金属の原子数をそれぞれ１×１０１１ ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下とする必要がある。この金属は、具体的には、周期律表のＩａ〜ＶＩＩａ、ＶＩＩＩ、Ｉｂ、ＩＩｂに属する金属元素およびＩＩＩｂ、ＩＶｂに属する元素の一部（Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ）である。
半導体設置面における各金属の量は、ＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合プラズマ−質量分析法）、半導体表面における各金属の量は、ＴＸＲＦ法（全反射蛍光Ｘ線分析法）によって後述のように測定する。
また、本発明の方法においては、金属原子と錯体を生成する錯化剤を用いて洗浄する。このような錯化剤が結合する金属原子としては、特に半導体汚染に影響の大きい銅と鉄とが重要であり、銅、鉄を本方法によって効果的に極微量にまで除去することができる。
このような錯化剤としては、エチレンジアミン４酢酸（ＥＤＴＡ）を用いる。
また、錯化剤によってセラミック製サセプターを洗浄する際には、シュウ酸を混合する。
本発明においては，サセプターをサンドブラスト処理した後に、錯化剤を用いて洗浄を行う。
サンドブラストにおけるブラスト材としては、炭化珪素、アルミナ等のセラミックが好ましく、金属はメタルコンタミネーション源となるので好ましくない。
ブラスト材の粒径は、♯１８０以上の細かいものが、セラミックスの表面へのダメージを低減でき、ダメージ部のメタル成分残留量を低減できるため、好ましい。
ブラストノズル材はセラミックスが好ましい。湿式、乾式のいずれであってもよい。
（測定方法）
平板形状のセラミックヒーターを製造した。具体的には、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バインダーを添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒顆粒を得た。３層のシート状成形体を順次一軸加圧成形し、３層の成形体を積層し、一体化した。この一軸加圧成形体の中には、モリブデン製のコイル状の抵抗発熱体を埋設した。
平板形状のセラミックヒーターを製造した。具体的には、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バインダーを添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒顆粒を得た。３層のシート状成形体を順次一軸加圧成形し、３層の成形体を積層し、一体化した。この一軸加圧成形体の中には、モリブデン製のコイル状の抵抗発熱体を埋設した。
この成形体をホットプレス型中に収容し、密封した。この温度を上昇させる際、室温〜１０００℃の温度範囲で減圧を行った。この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を１８００℃とし、最高温度で４時間保持し、圧力を２００ｋｇｆ／ｃｍ２とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体を得た。この焼結体を機械加工し、更に仕上げ加工してヒーターを得た。このヒーター２の直径を３３０ｍｍとし、厚さを１５ｍｍとした。次いで、後述するような各方法に従って、半導体設置面を洗浄した。
次いで、ヒーター２を、図１に示すように装備し、ヒーター２の半導体設置面２ａに、１２インチのシリコンウエハーＷの鏡面を設置した。次いで、抵抗発熱体に電力を供給し、セラミック製サセプター２の半導体設置面２ａの平均温度を約６００℃にした。チャンバー内の圧力は１×１０−３Ｔｏｒｒとした。６００℃で２０分間保持し、次いで降温し、ヒーター２からシリコンウエハーを取り外した。
次いで、ＴＸＲＦ法によって、１２インチシリコンウエハーへの金属元素の拡散量を測定した。即ち、微小液滴をシリコンウエハー上に滴下して、Ｘ線を全反射条件で照射したときに発生する蛍光Ｘ線を検出する。この蛍光Ｘ線の波長から金属元素の種類、波長から量を検出することができる。
この際、前記ヒーターの半導体設置面は、後述する実験例のようにして洗浄した。また、これと同時に、上記の試料から切り出した、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ４ｍｍのテストピースにも同じ洗浄を施し、表面上の金属元素をICP−MS法を用いて測定した。即ち、シリコンウエハー表面Ｗａ、Ｗｂを、１ｃｍ３のフッ化水素酸および過酸化水素水の混酸によって処理し、得られた試料溶液を分取し、蒸発乾固させる。この残滓をフッ化水素水に溶解し、霧吹き状にＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ−質量分析）装置に散布する。散布された溶液は、装置中でプラズマによりイオン化される。このイオンをイオンレンズに通すことによって、余分な元素を除去する。次いで、４重極の＋、−電極で、質量数の小さい元素から順にイオンの進行方向を９０°曲げ、そのイオン数をカウントする。これによって、質量数ごとのイオンのカウント数を検出することができる。
（実験例１）
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、塩酸で洗浄し、更にシュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度は１Nとし、常温で洗浄時間を10分間とした。
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、塩酸で洗浄し、更にシュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度は１Nとし、常温で洗浄時間を10分間とした。
この結果、テストピースのFeのカウント数は１．５×１０１２ａｔｏｍｓ/ｃｍ２、Cuのカウント数は７．０×１０１１ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。アルミニウムを除く他の金属原子のカウント数は、いずれも１．０×１０１０ ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下であった。
シリコンウエハーのFeのカウント数は９．５×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は８．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。
シリコンウエハーのFeのカウント数は９．５×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は８．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。
（実験例２）
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、塩酸で洗浄し、更にシュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度は１Nとし、50℃で洗浄時間を10分間とした。
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、塩酸で洗浄し、更にシュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度は１Nとし、50℃で洗浄時間を10分間とした。
この結果、 テストピースのFeのカウント数は４．５×１０１１ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は５．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。アルミニウムを除く他の金属原子のカウント数は、いずれも１．０×１０１０ ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下であった。シリコンウエハーのFeのカウント数は５．５×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は２．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。
（実験例３）
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、シュウ酸の水溶液にエチレンジアミン４酢酸（EDTA）を加えて洗浄した。シュウ酸の濃度は１N、EDTAは０．１％とし、50℃で洗浄時間を10分間とした。
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、シュウ酸の水溶液にエチレンジアミン４酢酸（EDTA）を加えて洗浄した。シュウ酸の濃度は１N、EDTAは０．１％とし、50℃で洗浄時間を10分間とした。
この結果、テストピースのFeのカウント数は１．５×１０１１ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は８．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。アルミニウムを除く他の金属原子のカウント数は、いずれも１．０×１０１０ ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下であった。シリコンウエハーのFeのカウント数は１．５×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は１．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。
このように、実験例１、２と比較すると、テストピース上での金属原子のカウント数は著しく低減することに成功した。
このように、実験例１、２と比較すると、テストピース上での金属原子のカウント数は著しく低減することに成功した。
（実験例４）
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、シュウ酸の水溶液にエチレンジアミン４酢酸（EDTA）を加えて洗浄した。シュウ酸の濃度は１N、EDTAは０．１％とし、50℃で洗浄時間を10分間とした。これを2回繰返し洗浄した。
セラミックヒーターのウエハー設置面をブラスト処理した後、シュウ酸の水溶液にエチレンジアミン４酢酸（EDTA）を加えて洗浄した。シュウ酸の濃度は１N、EDTAは０．１％とし、50℃で洗浄時間を10分間とした。これを2回繰返し洗浄した。
この結果、テストピースのFeのカウント数は７．５×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は５．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。アルミニウムを除く他の金属原子のカウント数は、いずれも１．０×１０１０ ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下であった。シリコンウエハーのFeのカウント数は５．０×１０９ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であり、Cuのカウント数は３．０×１０９ａｔｏｍｓ/ｃｍ２であった。
このように、実験例１、２と比較すると、テストピース上での金属原子のカウント数を著しく低減することに成功した。更に、テストピース上での各金属原子のカウント数を１．０×１０１１ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下とすることによって、シリコンウエハー上での金属原子のカウント数を１．０×１０１０ａｔｏｍｓ/ｃｍ２以下とできることが判明した。
１ 半導体保持装置 ２ セラミック製サセプター ２ａ 半導体設置面 Ｗ 半導体
Claims (1)
- 半導体設置面を有する窒化アルミニウム製サセプターを洗浄する方法であって、
機械加工および仕上げ加工後の前記サセプターをサンドブラスト処理する工程、および
次いで前記サセプターをエチレンジアミン４酢酸およびシュウ酸の混合物によって洗浄することによって、前記半導体設置面におけるアルミニウムを除く各金属の原子数をそれぞれ１×１０ １１ ａｔｏｍｓ/ｃｍ ２ 以下とする工程
を有することを特徴とする、窒化アルミニウム製サセプターを洗浄する方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004084253A JP4632290B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
| TW094104447A TWI249804B (en) | 2004-03-23 | 2005-02-16 | Ceramic susceptor and a method of cleaning the same |
| KR1020050023589A KR100618533B1 (ko) | 2004-03-23 | 2005-03-22 | 세라믹제 서셉터 및 그 세정 방법 |
| US11/087,094 US7261780B2 (en) | 2004-03-23 | 2005-03-22 | Ceramic susceptor and a method of cleaning the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004084253A JP4632290B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005276891A JP2005276891A (ja) | 2005-10-06 |
| JP4632290B2 true JP4632290B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=34988558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004084253A Expired - Lifetime JP4632290B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7261780B2 (ja) |
| JP (1) | JP4632290B2 (ja) |
| KR (1) | KR100618533B1 (ja) |
| TW (1) | TWI249804B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4632290B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-02-16 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
| JP5055914B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-10-24 | 東ソー株式会社 | 半導体製造装置洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法 |
| WO2016093431A1 (ko) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 주식회사 티씨케이 | 서셉터 재생방법 |
| CN105702561B (zh) | 2014-12-12 | 2018-09-18 | 韩国东海炭素株式会社 | 半导体处理组件再生方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03265586A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
| JPH05339072A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-21 | Toshiba Corp | セラミックス部品の洗浄方法 |
| JPH10270916A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Kyocera Corp | 誘電体共振器 |
| JPH11310463A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体の洗浄方法 |
| JP2003289060A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498293A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| EP0789071B1 (en) * | 1995-07-27 | 2006-10-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor |
| US5981449A (en) * | 1995-08-09 | 1999-11-09 | The Procter & Gamble Company | Acidic cleaning compositions |
| US5837662A (en) | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
| US5895781A (en) * | 1997-12-22 | 1999-04-20 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Cleaning compositions for ceramic and porcelain surfaces and related methods |
| JP3003684B1 (ja) * | 1998-09-07 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄液 |
| US6296716B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-02 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Process for cleaning ceramic articles |
| JP4663059B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のクリーニング方法 |
| US6890861B1 (en) | 2000-06-30 | 2005-05-10 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having improved particle performance |
| US6498131B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-12-24 | Ekc Technology, Inc. | Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus |
| EP1389496A1 (en) * | 2001-05-22 | 2004-02-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for cleaning surface of substrate |
| JP2003136027A (ja) | 2001-11-01 | 2003-05-13 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法、洗浄剤および洗浄剤の組み合わせ |
| JP4632290B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-02-16 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
-
2004
- 2004-03-23 JP JP2004084253A patent/JP4632290B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-16 TW TW094104447A patent/TWI249804B/zh active
- 2005-03-22 US US11/087,094 patent/US7261780B2/en active Active
- 2005-03-22 KR KR1020050023589A patent/KR100618533B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03265586A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
| JPH05339072A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-21 | Toshiba Corp | セラミックス部品の洗浄方法 |
| JPH10270916A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Kyocera Corp | 誘電体共振器 |
| JPH11310463A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体の洗浄方法 |
| JP2003289060A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050211703A1 (en) | 2005-09-29 |
| TWI249804B (en) | 2006-02-21 |
| KR20060044541A (ko) | 2006-05-16 |
| JP2005276891A (ja) | 2005-10-06 |
| TW200532843A (en) | 2005-10-01 |
| KR100618533B1 (ko) | 2006-08-31 |
| US7261780B2 (en) | 2007-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7211156B2 (en) | Method for cleaning a ceramic member for use in a system for producing semiconductors, a cleaning agent and a combination of cleaning agents | |
| TWI376275B (en) | Wet cleaning of electrostatic chucks | |
| JP5864481B2 (ja) | 低温結合方法 | |
| US11901172B2 (en) | Method and device for the surface treatment of substrates | |
| JP5957812B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| TW200428479A (en) | Cleaning a component of a process chamber | |
| JP4236292B2 (ja) | ウエハー吸着装置およびその製造方法 | |
| TW201246335A (en) | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer | |
| JP4443976B2 (ja) | セラミックスの洗浄方法および高清浄性セラミックス | |
| KR100618533B1 (ko) | 세라믹제 서셉터 및 그 세정 방법 | |
| JP2006310881A (ja) | 半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法 | |
| JP4275682B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3300380B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH09232409A (ja) | ウエハ保持装置 | |
| JP6397621B2 (ja) | 基板保持部材の洗浄方法 | |
| JP2019062228A (ja) | 基板を表面処理する方法及び装置 | |
| JP4021325B2 (ja) | プラズマ処理装置用部品の製造方法 | |
| JP2002134599A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2004277227A (ja) | 窒化アルミニウムセラミックス部材の洗浄方法および窒化アルミニウムセラミックス部材 | |
| JP2002329774A (ja) | ウエハ支持部材 | |
| CN112639195A (zh) | 用于对电子材料进行等离子体处理的装置和方法 | |
| JP2009176788A (ja) | 半導体デバイス製造装置の製造方法及び半導体デバイス製造装置の洗浄方法 | |
| JP2005064244A (ja) | 半導体基板の酸化膜形成装置及び半導体基板の酸化膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091023 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100601 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101111 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101111 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4632290 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |