JP2008153272A - 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化リチウム及びフッ化アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ化物及びクエン酸を含んでなる洗浄用組成物を用いて、構成部品の基材にダメージを与えることなく半導体製造装置用部品を洗浄する。
【選択図】なし
Description
半導体素子の製造工程であるエッチング工程で使用する半導体製造装置から取り外した、表面が付着物に由来する元素としてAlで汚染された石英からなる部品を長さ30mm、幅14mm、厚さ12mmに裁断し、試験片とした。この試験片を表1に示す液組成に調製した各洗浄液組成物に浸漬し、25℃で1時間保持した後、試験片を取り出し、これを水洗いし、乾燥した。表面のSEM(走査型電子顕微鏡)観察及び、EPMA(X線マイクロアナライザー)による定量分析にて付着物の除去状態を調べた。
○ : SEM観察により付着物の存在が確認できず、さらにEPMAによりAlが0.01重量%未満検出された、もしくは検出されなかった。
× : SEM観察により付着物の残存が確認され、さらにEPMAによりAlが0.01重量%以上、0.3重量%未満検出された。
○ : 未使用品と比較し変化なし。
× : 粗れ、欠損、粒界腐食等が発生。
半導体素子の製造工程であるエッチング工程で使用する半導体製造装置から取り外した、表面が付着物に由来する元素としてAl、Si及びFで汚染されたアルミナセラミックスからなる部品を長さ18mm、幅16mm、厚さ10mmに裁断し、試験片とした。この試験片を表2に示す液組成に調製した各洗浄液組成物に浸漬し、25℃で1時間保持した後、試験片を取り出し、これを水洗いし、乾燥した。表面のSEM観察及び、EPMAによる定量分析にて付着物の除去状態を調べた。
○ : SEM観察により付着物の存在が確認できず、さらにEPMAによりFが1.5重量%未満検出された、もしくは検出されなかった。
× : SEM観察により付着物の残存が確認され、さらにEPMAによりFが1.5重量%以上、43.6重量%未満検出された。
○ : 未使用品と比較し変化なし。
× : 粗れ、欠損、粒界腐食等が発生。
半導体素子の製造工程であるエッチング工程で使用する半導体製造装置から取り外した、表面が付着物に由来する元素としてAl及びFで汚染されたサファイア基材からなる部品を長さ20mm、幅15mm、厚さ12mmに裁断し、試験片とした。この試験片をクエン酸が5重量%、NH4Fが0.3重量%(残部:水)含まれる洗浄液組成物に浸漬した。25℃で1時間保持した後、試験片を取り出し、これを水洗いし、乾燥した。表面を目視で観察した結果、付着物が完全に除去された。また、表面のSEM観察においても付着物の存在が確認できず、、EPMAによる分析では、洗浄前の含有量が4.6重量%であったFの含有量が、洗浄後では0.2重量%へと低減された。
半導体素子の製造工程であるエッチング工程で使用する半導体製造装置から取り外した、表面が付着物に由来する元素としてAl、Si及びFで汚染されたアルミナセラミックスからなる部品を長さ18mm、幅16mm、厚さ10mmに裁断し、試験片とした。この試験片をクエン酸が5重量%、NH4Fが0.3重量%(残部:水)含まれる洗浄液組成物に浸漬した。25℃で1時間保持した後、試験片を取り出し、これを水洗いし、乾燥した。得られた試験片のパーティクル発生量の測定を行ったところ、7603counts/cm2(サイズ>2μm)であった。
半導体素子の製造工程であるエッチング工程で使用する半導体製造装置から取り外した、表面が付着物に由来する元素としてAl、Si及びFで汚染されたアルミナセラミックスからなる部品を長さ18mm、幅16mm、厚さ10mmに裁断し、試験片とした。この試験片をクエン酸が5重量%、NH4Fが0.3重量%(残部:水)含まれる洗浄液組成物に浸漬した。25℃で5時間保持した後、取り出した試験片を、別途調製した、前記洗浄液組成物を水で100倍に希釈したリンス用薬液に素早く浸漬し、25℃で1時間保持した。試験片を取り出し、これを水洗いし、乾燥した後、パーティクル発生量の測定を行った結果、2646counts/cm2(サイズ>2μm)であった。
Claims (10)
- 半導体製造装置に用いられる部品を、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化リチウム及びフッ化アンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種のフッ化物及びクエン酸を含んでなる洗浄液組成物により洗浄することを特徴とする半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- フッ化物がフッ化アンモニウムであることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 洗浄液組成物の組成比が、フッ化物を0.01〜5重量%、クエン酸を0.1〜20重量%含有し残部が水からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 半導体製造装置に用いられる部品の基材が石英からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 半導体製造装置に用いられる部品の基材がセラミックスからなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 半導体製造装置に用いられる部品の基材がサファイアからなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 半導体製造装置に用いられる部品が、窓材、シールドリング、サセプター、セラミックドーム、フォーカスリング、キャプチャーリングまたはガスノズルである、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 組成比として、フッ化アンモニウムが0.01〜5重量%、クエン酸が0.1〜20重量%で残部が水からなることを特徴とする洗浄液組成物。
- 請求項1乃至請求項7に記載の洗浄工程を第1工程とし、次いで第1工程で洗浄した基材を前工程で使用した洗浄液組成物の希釈液でリンス洗浄する第2工程を具備することを特徴とする半導体製造装置用部品の洗浄方法。
- 希釈液が、第1工程で用いた洗浄液組成物を20〜200倍に希釈したものであることを特徴とする請求項9に記載の半導体製造装置用部品の洗浄方法。
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