JP2006083376A - 洗浄液および洗浄法。 - Google Patents
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Abstract
半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。
【解決手段】
硝酸、硫酸、フッ素化合物および塩基性化合物を混合し、水の濃度が80重量%以上であるpH1以上3未満に調整した水溶液。
【選択図】 なし
Description
金属配線を形成する工程におけるエッチング残渣を除去する洗浄液としては、アルカノールアミンと有機溶剤の混合系からなる有機アミン系剥離液が開示されている(特許文献1,2参照)。しかし、これらの洗浄液は、エッチング残渣およびレジスト等の除去後に水洗を行った場合には、吸湿した水分によりアミンが解離してアルカリ性を呈するため、金属膜等を腐食するのでリンス液にアルコール等の有機溶剤を必要とし、安全面や環境面の負荷が大きくなる問題点を有する。
また、配線素材も従来多用されてきたアルミニウムを主成分とする素材では抵抗が高すぎ、回路を指定の速度で動作させることが困難となってきており、銅単体の利用が高まりつつある。そこで、このような配線素材にダメージを与えることなくエッチング残渣を除去することが、高品質の半導体素子を得るために極めて重要な課題となってきている。
本発明は更に、前記洗浄液を金属配線が施された半導体素子又は表示素子の表面に接触させる工程を含むことを特徴とする、金属配線の施された半導体素子又は表示素子の洗浄方法を提供する。
一方、本発明に使用されるフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウムおよび下記(1)式
この塩基性化合物の中では、強塩基である水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム(コリン)が好ましい。
基板上に、銅配線体1を形成し、その上にCVD法によりシリコン窒化膜2とシリコン酸化膜3を順に堆積した。シリコン酸化膜3上にレジストを塗布し、露光、現像してレジストをパターン化した。パターン化レジストをマスクとして、シリコン窒化膜2とシリコン酸化膜3をエッチングし、残存レジストを除去して半導体素子を得た。この半導体素子の一部断面図を図1に示す。側壁にエッチング残渣4が残存している。
上記銅回路素子を表-1および3で示した洗浄液を用いて所定の条件で洗浄した後、超純水でリンスして乾燥した。しかる後に、走査型電子顕微鏡(SEM)で表面状態を観察し、エッチング残渣の除去性および銅配線体の腐食について下記の判断基準に従って評価した。その結果を表-2および4に示した。
なお、評価基準は次の通りである。
(除去状態)A:完全に除去された。
B:ほぼ完全に除去された。
C:一部残存していた。
D:大部分残存していた。
(腐食状態)A:腐食が全く認められなかった。
B:腐食がほとんど認められなかった。
C:クレーター状あるいはピット状の腐食が認められた。
D:銅層の全面にあれが認められ、さらに銅層の後退が認められた。
表-2に示したように、本発明の洗浄液および洗浄法を適用した実施例1〜10においては、銅を全く腐食することなく、エッチング残渣の除去性も優れていた。
2:シリコン窒化膜
3:シリコン酸化膜
4:エッチング残渣
Claims (10)
- 硝酸、硫酸、フッ素化合物および塩基性化合物を含む水溶液であり、水の含有量が80重量%以上、pHが1以上3未満であることを特徴とする、金属配線が施された半導体素子または表示素子用の洗浄液。
- 硫酸/硝酸重量比が、0.1〜1000であることを特徴とする請求項1記載の洗浄液。
- フッ素化合物が、フッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムであることを特徴とする請求項1又は2の何れかに記載の洗浄液。
- 塩基性化合物が、無金属イオン強塩基であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の洗浄液。
- 塩基性化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムであることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の洗浄液。
- 更に界面活性剤及び/又は腐食防止剤を含んでいる請求項1〜5の何れかに記載の洗浄液。
- 前記界面活性剤が陰イオン性界面活性剤であることを特徴とする請求項6に記載の洗浄液。
- 前記界面活性剤がポリオキシエチレンアルキル(またはアルキルアリール)エーテルのリン酸エステルであることを特徴とする請求項6又は7に記載の洗浄液。
- 前記金属配線が、銅単体又は銅とバリアメタルの積層構造であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の洗浄液。
- 請求項1〜9の何れかに記載の洗浄液を金属配線が施された半導体素子又は表示素子の表面に接触させる工程を含むことを特徴とする、金属配線の施された半導体素子または表示素子の洗浄方法。
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---|---|
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153271A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 使用済み治具の洗浄方法および洗浄組成物 |
JP2008153272A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物 |
WO2008157345A2 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Wafer reclamation compositions and methods |
WO2009013987A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 洗浄防食用組成物および半導体素子または表示素子の製造方法 |
JP2009542849A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 表面上の残留物を除去するための洗浄調合物 |
WO2013187313A1 (ja) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法、および半導体素子の製造方法 |
JP2016138282A (ja) * | 2007-05-17 | 2016-08-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | Cmp後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤 |
JP2018511946A (ja) * | 2015-03-31 | 2018-04-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 洗浄配合 |
WO2019208686A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 |
WO2019208685A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 |
KR20210003730A (ko) | 2018-04-27 | 2021-01-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5920479A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-02-02 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 酸性洗浄剤組成物 |
JPH07506616A (ja) * | 1992-05-16 | 1995-07-20 | マイクロ−イメッジ・テクノロジー・リミテッド | エッチング液組成物 |
JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
JP2000503342A (ja) * | 1996-10-11 | 2000-03-21 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | 金属汚染ウエハ基板の平滑性維持洗浄 |
JP2000273663A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-10-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属の腐食防止剤及び洗浄液 |
JP2001098298A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-10 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | アルミノシリケートガラス基板又はセラミックガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
JP2002115087A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属製品の再生洗浄液の製造方法 |
JP2003515254A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | プラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物 |
JP2003313594A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Nec Corp | 洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2004059419A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基材の製造方法及びその製造方法で得られたガラス基材 |
JP2004094203A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | レジスト除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2004533511A (ja) * | 2001-05-10 | 2004-11-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 極限環境にさらされる適用物用の界面活性剤/添加剤としてのビス(ペルフルオロアルカンスルホニル)イミドおよびその塩ならびにそのための方法 |
JP2005507166A (ja) * | 2001-10-23 | 2005-03-10 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド | 半導体基板上の無機残滓を洗浄するための銅に対し特異な腐食防止剤を含む水性洗浄用組成物 |
-
2005
- 2005-08-17 JP JP2005236676A patent/JP4810928B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5920479A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-02-02 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 酸性洗浄剤組成物 |
JPH07506616A (ja) * | 1992-05-16 | 1995-07-20 | マイクロ−イメッジ・テクノロジー・リミテッド | エッチング液組成物 |
JPH0848996A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-02-20 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
JP2000503342A (ja) * | 1996-10-11 | 2000-03-21 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | 金属汚染ウエハ基板の平滑性維持洗浄 |
JP2000273663A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-10-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属の腐食防止剤及び洗浄液 |
JP2001098298A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-10 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | アルミノシリケートガラス基板又はセラミックガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 |
JP2003515254A (ja) * | 1999-11-15 | 2003-04-22 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | プラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物 |
JP2002115087A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属製品の再生洗浄液の製造方法 |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
JP2004533511A (ja) * | 2001-05-10 | 2004-11-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 極限環境にさらされる適用物用の界面活性剤/添加剤としてのビス(ペルフルオロアルカンスルホニル)イミドおよびその塩ならびにそのための方法 |
JP2005507166A (ja) * | 2001-10-23 | 2005-03-10 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド | 半導体基板上の無機残滓を洗浄するための銅に対し特異な腐食防止剤を含む水性洗浄用組成物 |
JP2003313594A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Nec Corp | 洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2004059419A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基材の製造方法及びその製造方法で得られたガラス基材 |
JP2004094203A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | レジスト除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009542849A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 表面上の残留物を除去するための洗浄調合物 |
JP2008153272A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 半導体製造装置用部品の洗浄方法及び洗浄液組成物 |
JP2008153271A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Tosoh Corp | 使用済み治具の洗浄方法および洗浄組成物 |
JP2016138282A (ja) * | 2007-05-17 | 2016-08-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | Cmp後洗浄配合物用の新規な酸化防止剤 |
WO2008157345A2 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Wafer reclamation compositions and methods |
WO2008157345A3 (en) * | 2007-06-13 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Wafer reclamation compositions and methods |
WO2009013987A1 (ja) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 洗浄防食用組成物および半導体素子または表示素子の製造方法 |
JP5278319B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2013-09-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄防食用組成物および半導体素子または表示素子の製造方法 |
US8802608B2 (en) | 2007-07-26 | 2014-08-12 | Mitsubishi Gas Chemical Comany, Inc. | Composition for cleaning and rust prevention and process for producing semiconductor element or display element |
US9587208B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-03-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid composition, method for cleaning semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor element |
WO2013187313A1 (ja) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法、および半導体素子の製造方法 |
JP2018511946A (ja) * | 2015-03-31 | 2018-04-26 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 洗浄配合 |
WO2019208686A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 |
WO2019208685A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 |
KR20210003744A (ko) | 2018-04-27 | 2021-01-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법 |
KR20210003740A (ko) | 2018-04-27 | 2021-01-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법 |
KR20210003730A (ko) | 2018-04-27 | 2021-01-12 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법 |
US11352593B2 (en) | 2018-04-27 | 2022-06-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Aqueous composition and cleaning method using same |
US11613720B2 (en) | 2018-04-27 | 2023-03-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Aqueous composition and cleaning method using same |
US11629315B2 (en) | 2018-04-27 | 2023-04-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Aqueous composition and cleaning method using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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