JP6626748B2 - タンタル含有層用エッチング液組成物及びエッチング方法 - Google Patents
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本発明で使用する基体としては、当該エッチングの技術分野で一般に使用されているものを使用することができる。基体の具体例としては、ガラス、シリコン、石英等が挙げられる。
(B)成分として表1に示す化合物を用い、表2に示す配合で実施例組成物No.1〜30を調製した。(C)成分は、表2に示すpHとなるのに必要なだけ添加した。各実施例組成物において、残部は水である。
表3に示す配合で比較組成物No.1〜3を調製した。(C)成分は、表3に示すpHとなるのに必要なだけ添加した。各比較組成物において、残部は水である。
シリコン基板上に窒化タンタル層(300nm)を形成した基体を準備し、これを10mm×10mmに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して実施例組成物No.1〜30を用いて45℃、24時間の条件でディップ法によるエッチングを行った。
シリコン基板上に窒化タンタル層(300nm)を形成した基体を準備し、これを10mm×10mmに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して比較組成物No.1〜3を用いて45℃、24時間の条件でディップ法によるエッチングを行った。
実施例2及び比較例1で得られたテストピースについて、エッチング前後の重量変化が10質量%以上である場合を++とし、エッチング前後の重量変化が1質量%以上10質量%未満である場合を+とし、エッチング前後の重量変化が1質量%未満である場合を−として評価した。なお、エッチング後のテストピースを目視で確認したところ、全てのテストピースにおいてガラス基板に変化は見られなかった。また、600分以内に全ての窒化タンタル層が溶けたことが目視で確認できたテストピースについては、その時間を測定した。結果を表4に示す。
シリコン基板上に窒化タンタル層(300nm)を形成した基体上にポジ型液状レジストを用いて線幅100μm、開口部100μmのレジストパターンを形成した基板を10mm×10mmに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して実施例組成物No.1〜30を用いて45℃でディップ法によるパターンエッチングを行った。エッチング時間は、各々のエッチング液組成物を使用した際に必要なだけ行った。
実施例3で得られたパターンを目視で観察し、所望のパターンが形成されているものを++とし、所望のパターンが形成できなかったものを−として評価した。結果を表5に示す。
Claims (4)
- (A)過酸化水素 0.1〜30質量%と、
(B)ニトリロトリスメチレントリス(ホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びこれらのアルカリ金属塩からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物 0.1〜20質量%と、
(C)pH調整剤と、
水とを含み、pH7〜14であることを特徴とするタンタル含有層用エッチング液組成物。 - 前記(B)が、ニトリロトリスメチレントリス(ホスホン酸)五ナトリウム、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)五ナトリウム及びジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸七ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項1に記載のタンタル含有層用エッチング液組成物。
- 前記pHが10〜14である請求項1又は2に記載のタンタル含有層用エッチング液組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のタンタル含有層用エッチング液組成物を用いて、基体上のタンタル含有層をエッチングする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Cites Families (6)
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---|---|---|---|---|
JP2005064066A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Tosoh Corp | タンタル酸化物溶解用組成物及びそれを用いた溶解方法 |
JP2005109319A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Tosoh Corp | 酸化タンタルのエッチング用組成物 |
JP2008536312A (ja) * | 2005-04-08 | 2008-09-04 | サッチェム, インコーポレイテッド | 金属窒化物の選択的なウェットエッチング |
JP6061915B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2017-01-18 | 株式会社Jcu | 選択的エッチング方法 |
US20150104952A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | Ekc Technology, Inc. | Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper |
WO2015054460A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Removal composition for selectively removing hard mask |
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