CN102227687A - 光致抗蚀剂剥离剂组合物、层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法和制造方法 - Google Patents

光致抗蚀剂剥离剂组合物、层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法和制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物、使用了该光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法以及制造方法，所述光致抗蚀剂剥离剂组合物在半导体基板和FPD基板的铜或铜合金布线制造工序中使用，其在不含有苯并三唑类和具有硫羟基的化合物的情况下，不腐蚀铜或铜合金布线、铜或铜合金与钼或钼合金的层积金属布线。本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，该组合物含有A)1重量％-50重量％的仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺；B)5重量％-85重量％的水溶性有机溶剂；C)0.002重量％-0.1重量％的分子内不含有硫羟基和酰胺结构、且具有2个以上氮原子的氨基酸；D)10重量％-93.998重量％的水，其中，(B)和(D)的总量为49.9重量％-98.998重量％，以重量比计用水稀释20倍后的溶液的pH值超过8。

Description

光致抗蚀剂剥离剂组合物、层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法和制造方法
技术领域
本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，详细地说，涉及一种适用于以液晶显示器为代表的平板显示器(以下，也称作FPD)基板和半导体基板的铜或铜合金布线基板的、具有良好的防蚀性和剥离性的光致抗蚀剂剥离剂组合物、使用上述光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法以及层积金属布线基板的制造方法。
背景技术
FPD基板和半导体基板具有设置了微细布线的电极结构，在其制造工序中使用了光致抗蚀剂。例如，在形成于基板上的铝、铝合金、铜、铜合金等导电性金属层或SiO2膜等绝缘膜上，涂布光致抗蚀剂，对其进行曝光、显影处理而形成抗蚀剂图案，将该图案化的抗蚀剂作为掩模而对上述导电性金属层或绝缘膜等进行蚀刻，形成微细布线之后，用剥离剂除去不再需要的光致抗蚀剂层来制造。
以往，作为光致抗蚀剂剥离剂组合物，使用有机碱、无机碱、有机酸、无机酸、极性溶剂等单一溶剂、或者它们的混合溶液。另外，为了提高光致抗蚀剂剥离性，使用胺和水的混合液也是众所周知的。要求光致抗蚀剂剥离剂组合物不腐蚀微细布线。作为布线材料，以往经常使用铝，因此进行了很多关于对铝的腐蚀抑制的研究。
但是近年来，伴随着基板的大型化和布线图案的微细化，尝试使用电阻率比铝低的铜或铜合金作为布线材料。铜是在含碱溶液中容易腐蚀的金属，而且其腐蚀溶解机理与铝不同，对铝有效的腐蚀抑制对策对酮几乎没有效果。因此，研究了对铜或铜合金有效的防蚀剂。例如，专利文献1中记载了含有杂环式化合物和链烷醇胺的防蚀剂防止了半导体晶片上所形成的铜等金属层发生腐蚀，所述杂环式化合物具有包含由-C(OH)＝N-或-CONH-形成的原子团的五元或六元杂环。
专利文献2中记载了分子内具有硫羟基的氨基酸或其衍生物可以防止铜布线等的金属腐蚀。即，公开了分子内具有硫羟基的氨基酸或其衍生物具有良好的防止金属腐蚀的作用，使铜布线不发生腐蚀和氧化。该公开内容明确地在铜等的防蚀剂中排除了分子内不含有硫羟基的氨基酸。进而，在专利文献3中，公开了一种铜布线用残渣清洗液，该清洗液含有与铜的螯合物稳定化常数为15以上、且不具有硫羟基的氨基酸。即，公开了不含有硫羟基的甘氨酸、脯氨酸、组氨酸等具有良好的CuO溶解性。但是，也公开了这些氨基酸的铜腐蚀量与赖氨酸、丙氨酸等为同等程度。
另外，作为针对铜的强力腐蚀抑制剂，苯并三唑类是众所周知的。
但是，现有的铜或铜合金用防蚀剂的防蚀性未必充分。而且，分子内具有硫羟基的化合物和苯丙三唑类虽然对铜或铜合金具有良好的防蚀性，但是如果使用含有这些物质的光致抗蚀剂剥离剂组合物处理含有铜或铜合金的基板，则在铜或铜合金的表面上产生析出物。但是，这种析出物不能通过通常的清洗来除去，因此存在另外需要进行除去析出物的处理这样的问题。
另一方面，铜或铜合金与玻璃等基底基板的密合性不充分。因此，为了提高密合性，需要在铜或铜合金的布线的基底上层积其他金属层。这样的基底金属层也被称作辅助膜。作为这种基底金属层，一般被探讨研究的是钼或钼合金。
钼或钼合金本身是防蚀性优异的金属，它们在单独的情况下即使使用光致抗蚀剂剥离剂组合物处理也基本上不会被腐蚀。但是，在铜或铜合金与钼或钼合金发生接触的状态下，因为电池效应，确认到钼或钼合金的腐蚀被剧烈加速的现象。与此相对，以往的铜或铜合金用防蚀剂即使防止了铜或铜合金的腐蚀，但是不能抑制与铜或铜合金接触的钼或钼合金的腐蚀。即，在基板上形成钼或钼合金的基底金属层，接着，在其上进一步形成铜或铜合金层，藉由图案化的光致抗蚀剂一次或逐次对基底金属层和铜或铜合金层进行蚀刻后，使用光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去，则在布线图案化的钼或钼合金的基底金属层上的铜或铜合金布线中，基底金属层比铜或铜合金布线更多地被腐蚀，或者，根据情况，铜或铜合金布线更多地被腐蚀，产生无法形成层积金属布线这样的问题。
现有专利文献
专利文献1：日本特开2002-97584号公报
专利文献2：日本特开2003-13266号公报
专利文献3：日本特开2005-217114号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于提供一种光致抗蚀剂剥离剂组合物、使用了该光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法以及层积金属布线基板的制造方法，所述光致抗蚀剂剥离剂组合物在半导体基板和FPD基板的铜或铜合金布线制造工序中，能够在不含有具有苯并三唑类和硫羟基的化合物的情况下，不腐蚀形成在基板上的铜或铜合金布线以及铜或铜合金与钼或钼合金的层积金属布线，而剥离光致抗蚀剂。
解决问题所采用的手段
本发明人进行了深入研究，结果发现，下述光致抗蚀剂剥离剂组合物对铜或铜合金布线、对铜或铜合金与钼或钼合金的层积金属布线均显示出优异的防蚀性，并且光致抗蚀剂剥离性能也良好，所述光致抗蚀剂剥离剂组合物含有仲和/或叔链烷醇胺和水溶性有机溶剂，并且含有分子内不具有硫羟基且具有两个以上氮原子的氨基酸，从而完成了本发明。
即，本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，该组合物含有(A)仲和/或叔链烷醇胺以及(B)水溶性有机溶剂，并且还含有0.002重量％～0.1重量％的(C)分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有2个以上氮素原子的氨基酸，以重量比计用水稀释20倍后的溶液的pH值超过8。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的一个方式中，该组合物含有1重量％～50重量％的(A)仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺、49.9重量％～98.998重量％的(B)水溶性有机溶剂、0.002重量％～0.1重量％的(C)分子内不具有硫羟基和酰胺结构且具有2个以上氮原子的氨基酸。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的其他方式中，该组合物进一步含有(D)水。在该情况下，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的另一方式中，可以含有水(D)代替一部分水溶性有机溶剂(B)。即，含有1重量％～50重量％的(A)仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺、5重量％～85重量％的(B)水溶性有机溶剂、0.002重量％～0.1重量％的(C)分子内不具有硫羟基和酰胺结构且具有2个以上氮原子的氨基酸、10重量％～93.998重量％的(D)水，且(B)和(D)总量为49.9重量％～98.998重量％。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的一个方式中，氨基酸(C)为选自由精氨酸、胍基乙酸、组氨酸和赖氨酸组成的组中的至少一种。
另外，在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的另一方式中，氨基酸(C)为选自由精氨酸、胍基乙酸、和赖氨酸组成的组中的至少一种。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的另一方式中，氨基酸(C)还可以是精氨酸。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺(A)为选自由二乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺组成的组中的至少一种。
本发明还涉及一种钼或钼合金与铜或铜合金的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法，其特征在于，在使用光致抗蚀剂在基板上形成1层或多层的钼或钼合金层与1层或多层的铜或铜合金层的层积金属布线时，使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去。
本发明还涉及一种层积金属布线基板的制造方法，其特征在于，在基板上层积1层或多层的钼或钼合金层和1层或多层的铜或铜合金层，接着，藉由图案化的抗蚀剂对上述层积后的金属层进行蚀刻后，使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去。
以下，不特别区别本发明的这些技术方案，也简称为“本发明”。
发明效果
对于本发明，根据上述构成，
(1)在半导体基板和FPD基板的金属布线制造工序中，对于光致抗蚀剂具有良好的剥离性。
(2)无论是对铜或铜合金布线，还是对铜或铜合金与钼或钼合金的层积金属布线，都具有良好的防蚀性。
(3)若使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物，则在布线图案化的钼或钼合金的基底金属层上的铜或铜合金布线中，防止基底金属层和铜或铜合金布线的腐蚀，由此能够形成良好的层积金属布线而不会出现因基底层过度腐蚀而导致的咬边形状和因铜或铜合金层腐蚀而导致的布线宽度变窄等情况。
具体实施方式
在本发明中，作为(A)仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺(本说明书中，也简称为“链烷醇胺(A)”)，可以仅是仲链烷醇胺，仅是叔链烷醇胺，也可以是仲链烷醇胺和叔链烷醇胺。对链烷醇胺(A)没有特别限制，作为仲链烷醇胺，可以举出例如二乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺等；作为叔链烷醇胺，可以举出例如N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、三乙醇胺等。这些链烷醇胺可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上。其中，从获得的容易性以及兼具剥离性和对铜或铜合金的防蚀性的方面考虑，优选二乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、三乙醇胺、它们的任意组合。
在剥离剂组合物中链烷醇胺(A)的添加量优选为1重量％～50重量％。若在该范围内，则剥离性非常良好，粘度低、操作性良好。添加量更优选为3重量％～45重量％。
在本发明中，对水溶性有机溶剂(B)没有特别限制，可以举出例如丙酮、甲醇、乙醇、二乙二醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇甲醚、二丙二醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、乙腈、二甲基亚砜、环丁砜、碳酸亚乙酯等。这些溶剂可以单独使用一种，也可以同时使用两种以上。其中，以二乙二醇单丁醚、N，N-二甲基乙酰胺、二乙二醇为佳。
在剥离剂组合物中水溶性有机溶剂(B)的添加量优选为49.9重量％～98.998重量％。若在该范围内，则可以充分良好地发挥光致抗蚀剂的剥离性和铜或铜合金防蚀性。添加量更优选为54.998重量％～96.998重量％。
在本发明中，氨基酸(C)在分子内均不含有硫羟基和酰胺结构，且具有两个以上的氮原子。据认为，与仅含有一个氮原子的普通的氨基酸相比，这样的氨基酸对金属的配位点多，防蚀效果好。另外，与具有羟基的氨基酸相比，氮原子对铜的配位力比羟基强，因此会显示出高防腐蚀效果。另一方面，据认为，与具有硫羟基的氨基酸相比，氮原子对铜的配位力比硫羟基弱，因此不会在铜的表面析出，显示出适当的防蚀性。另外，即使具有2个以上氮原子、但分子内具有酰胺结构的氨基酸的防蚀性差。
作为氨基酸(C)，为如下氨基酸：分子内均不含有硫羟基和酰胺结构，且具有2个以上、优选为2～4个的氮原子，可以举出例如组氨酸、精氨酸、赖氨酸、胍基乙酸、甲胍基乙酸、鸟氨酸等。这些氨基酸可以单独使用一种，也可以使用两种以上。另外，例如，可以为选自由精氨酸、胍基乙酸、组氨酸和赖氨酸组成的组中的至少一种，也可以为选自由精氨酸、胍基乙酸、和赖氨酸组成的组中的至少一种，或者，可以为精氨酸。其中，从获得的容易性和防蚀性的观点考虑，优选组氨酸、精氨酸、赖氨酸、胍基乙酸。
在剥离剂组成中氨基酸(C)的含量为0.002重量％～0.1重量％。若在该范围内，则对铜或铜合金与钼或钼合金的防蚀性充分，若超过该范围，则不仅光致抗蚀剂的剥离性降低，而且还会出现与完全不含氨基酸(C)的情况相比对于铜或铜合金的防蚀性反而降低的情况，因此不合适。优选为0.003重量％～0.1重量％，更优选为0.005重量％～0.1重量％。
在本发明中，上述链烷醇胺(A)、水溶性有机溶剂(B)、以及氨基酸(C)合计可以占组合物中的100重量％。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的其他方式中，进一步还含有水(D)。在这种情况下，对于本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的另一方式，可以含有水(D)代替一部分水溶性有机溶剂(B)。这种情况下，水溶性有机溶剂(B)优选含有5重量％～85重量％，更优选含有10重量％～75重量％，水(D)优选含有10重量％～93.998重量％，更优选含有10重量％～85重量％，进一步优选含有15重量％～80重量％，(B)和(D)总量的优选为49.9重量％～98.998重量％，更优选为54.998重量％～96.998重量％。通过混合水(D)，在进一步提高光致抗蚀剂的剥离性的同时，即使在链烷醇胺(A)和水溶性有机溶剂(B)具有闪点的情况下，也可以具有消除作为剥离剂组合物的闪点的效果。在混合水(D)的情况下，若在上述范围内，可以得到提高光致抗蚀剂的剥离性的效果，以及得到消除闪点的效果。若超过上述范围，则其它成分的浓度降低，由此有时光致抗蚀剂的剥离性降低。
本发明中的光致抗蚀剂剥离剂组合物含有链烷醇胺(A)，水溶液具有碱性。在光致抗蚀剂剥离剂组合物具有酸性和中性的情况下，有时光致抗蚀剂的剥离性不够充分。作为得到充分的光致抗蚀剂的剥离性所需的碱性指标，为如下：在将光致抗蚀剂剥离剂组合物以重量比计用水稀释20倍的情况下，稀释溶液的pH值超过8。优选pH为9以上。在pH值因温度而出现变动的情况下，为25℃下的值。
除了含有上述成分之外，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物在不妨害本发明的目的范围内可以含有表面活性剂(例如，烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚)、消泡剂(例如，硅油)等添加剂。上述添加剂的含量根据种类而异，不能一概而定，但是例如优选为0.001重量％～5重量％，更优选为0.01重量％～1重量％。
采用常规方法，将所需量的上述各成分混合，由此能够制备本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物。
在半导体基板和FPD基板的制造工序中，为了将金属布线等的蚀刻处理后不再需要的光致抗蚀剂剥离，可以使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物。对上述金属布线没有特别限定，可以适用于在该技术领域中所使用的金属布线，其中，可以优选用于钼或钼合金层与铜或铜合金层的层积金属布线。除了在常温下(25℃)可以使用之外，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物还可以在例如加热到30℃～80℃后进行使用。剥离所需的时间根据光致抗蚀剂的变质程度等而异，通常例如为30秒钟～10分钟左右。处理后，根据需要可以进行水洗、气流干燥等。对上述光致抗蚀剂没有特别限制，可以使用在该技术领域中所使用的感光性树脂(例如，正型光致抗蚀剂(以酚醛清漆树脂、二叠氮基萘醌系感光剂和溶剂为主要成分的正型光致抗蚀剂)等)。
具体地说，在使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法中，使用光致抗蚀剂，在基板上形成1层或多层的钼或钼合金层与1层或多层的铜或铜合金层的层积金属布线时，使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物来剥离去除不再需要的光致抗蚀剂。这样，在钼或钼合金层与铜或铜合金层的层积金属布线中，可以抑制因基底金属层过度腐蚀而导致的咬边形状，相反也可以抑制因铜或铜合金层过度腐蚀而导致的铜或铜合金布线宽度变细等现象，可以形成良好的钼或钼合金层与铜或铜合金层的层积金属布线，而不会损坏蚀刻后形成的布线截面形状。另外，作为层积金属布线的形态，例如从基板上方起依次可以有钼或钼合金/铜或铜合金/钼或钼合金的3层层积金属布线、钼或钼合金/铜或铜合金的2层层积金属布线等。
另外，在使用本发明光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的制造方法中，在基板上层积1层或多层的钼或钼合金层与1层或多层的铜或铜合金层，接着，藉由图案化的光致抗蚀剂对层积后金属层进行蚀刻后，使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去。此时，作为蚀刻处理，可以将层积金属层一并蚀刻，或者也可以逐次蚀刻各个积层。对上述蚀刻处理方法没有特别限制，可以适用于在该技术领域中所使用的方法(例如，使用蚀刻液的方法、干蚀刻法等)。剥离去除后，根据需要进行水洗、气流干燥等处理，从而可以得到基板。
实施例
以下通过实施例，更加具体地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例1～17、比较例1～21
根据表1和表2的配比混合各个成分，从而得到光致抗蚀剂剥离剂组合物。需要说明的是，表中的简称如下。
MDEA：N-甲基二乙醇胺
DEA：N，N-二乙醇胺
MEA：单乙醇胺
TEA：三乙醇胺
MMEA：N-甲基乙醇胺
DMAC：N，N-二甲基乙酰胺
BDG：二乙二醇单丁醚
4，6-DHP：4，6-二羟基嘧啶
表1
Figure BDA0000064018060000081
表2
评价1：单层铜膜的防蚀性
将通过溅射法在玻璃上形成50nm厚的铜膜的基板作为评价对象物。把基板浸渍在调整为50℃的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，处理30分钟，该处理时间为通常处理时间(其为10分钟以下这样的程度)的3倍。浸渍处理后，将基板水洗并进行气流干燥。通过目视观察基板上铜膜的残留情况。
判定基准
(合格)
○：没有变化
(以下为不合格)
△：一部分铜膜消失
×：铜膜几乎消失
评价2：铜/钼层积布线防蚀性(Cu/Mo布线防蚀性)
在玻璃上通过溅射以钼、铜的顺序成膜，然后在其上将光致抗蚀剂(以酚醛清漆树脂、二叠氮基萘醌系感光剂和溶剂为主要成分的正型光致抗蚀剂)成膜，通过UV曝光、显影等进行光致抗蚀剂的图案化，之后，在40℃/50秒的条件下，使用含有过氧化氢的铜蚀刻剂对铜和钼一并进行蚀刻，将所得到的基板作为评价对象。将基板浸渍于调整为40℃的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，进行10分钟处理。浸渍处理后，对基板进行水洗和气流干燥。使用电子显微镜观察基板，确认铜和钼的腐蚀程度。分别对铜、钼作出判断。
判定基准
(合格)
○：没有腐蚀
(以下为不合格)
△：少量腐蚀
×：大量腐蚀
评价3：光致抗蚀剂剥离性
在玻璃基板上通过CVD形成SiN膜，在此基础上将光致抗蚀剂成膜，通过UV曝光和显影进行光致抗蚀剂的图案化之后，使用氟系气体对SiN进行干式蚀刻，将所得基板作为评价对象。将基板浸渍于调整为40℃的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，进行30秒处理。浸渍处理后，将基板水洗并进行气流干燥。使用电子显微镜观察基板，以确认光致抗蚀剂的剥离程度。
判定基准
(合格)
○：没有剥离残留
(以下为不合格)
△：仅有少量剥离残留
×：几乎不能剥离
关于各光致抗蚀剂剥离剂组合物，首先进行评价1，对判断为“○”或“△”的光致抗蚀剂剥离剂组合物进行评价2。对在评价2中判断结果全部为“○”的组合物进行评价3。但是，关于比较例14、15，无论评价1、2的结果，都将进行评价3。评价结果记载于表1、表2。另外，关于各光致抗蚀剂剥离剂组合物，制作以重量比计用水稀释20倍后的水溶液，在25℃条件下使用pH计测定溶液的pH值。
评价结果，对于含有伯链烷醇胺的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例1、3)；含有分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的氨基酸、且含有伯链烷醇胺的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例10)；以大幅超过0.1重量％的比例含有分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的氨基酸的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例4、6、18～20)；含有仲链烷醇胺和水溶性有机溶剂，但不含有分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的氨基酸的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例17)；含有叔链烷醇胺、分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的链烷醇胺，但不含有水溶性有机溶剂的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例11)；含有叔链烷醇胺、水溶性有机溶剂、和只含有1个氮原子的氨基酸的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例7、8)；由分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的氨基酸和水组成的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例14、15)；使用了分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子、但具有酰胺结构的氨基酸(天冬氨酸)的组合物(比较例21)而言，在评价1中，单层铜膜的防蚀性不良(评价“×”)。
另外，对于含有仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺与水溶性有机溶剂，但不含有分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的氨基酸的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例5、9、16)；含有铝防蚀性的防蚀剂(日本特开2001-350276公报记载的防蚀剂)的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例12)；含有专利文献1中所述的防蚀剂的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例13)而言，在评价2的Cu/Mo布线防蚀性中，铜(Cu)或钼(Mo)的防蚀性不充分(评价“△”)。
对于仅由水溶性有机溶剂组成的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例2)而言，评价1的单层铜膜防蚀性、评价2的Cu/Mo布线防蚀性均良好，但是，该组合物的5％水溶液的pH值为8以下，评价3的光致抗蚀剂剥离性不充分(评价“△”)。同样，对于由分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有两个以上氮原子的氨基酸和水组成的光致抗蚀剂剥离剂组合物(比较例14、15)而言，其水溶液pH值在8以下，评价3的光致抗蚀剂剥离性不良(评价“×”)。
另一方面，对于本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物(实施例1～17)而言，在评价1的单层铜膜防蚀性、评价2的Cu/Mo布线防蚀性、评价3的光致抗蚀剂剥离性中都得到了良好(评价“○”)的结果。

Claims (10)

1.一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，该组合物含有(A)仲链烷醇胺和/或叔链烷醇胺以及(B)水溶性有机溶剂，并且还含有0.002重量％～0.1重量％的(C)分子内不具有硫羟基也不具有酰胺结构而具有2个以上氮原子的氨基酸，以重量比计用水稀释20倍后的溶液的pH值超过8。
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，该组合物进一步含有(D)水。
3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，链烷醇胺(A)的含量为1重量％～50重量％，水溶性有机溶剂(B)的含量为49.9重量％～98.998重量％，氨基酸(C)的含量为0.002重量％～0.1重量％。
4.如权利要求2所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，链烷醇胺(A)的含量为1重量％～50重量％，水溶性有机溶剂(B)的含量为5重量％～85重量％，氨基酸(C)的含量为0.002重量％～0.1重量％，水(D)的含量为10重量％～93.998重量％，(B)和(D)的总量为49.9重量％～98.998重量％。
5.如权利要求1～4中任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，氨基酸(C)为选自由精氨酸、胍基乙酸、组氨酸和赖氨酸组成的组中的至少一种。
6.如权利要求1～4中任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，氨基酸(C)为选自由精氨酸、胍基乙酸和赖氨酸组成的组中的至少一种。
7.如权利要求1～4中任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，氨基酸(C)为精氨酸。
8.如权利要求1～7中任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中，链烷醇胺(A)为选自由二乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺组成的组中的至少一种。
9.一种钼或钼合金层与铜或铜合金层的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法，其特征在于，当使用光致抗蚀剂在基板上形成1层或多层的钼或钼合金层与1层或多层的铜或铜合金层的层积金属布线时，使用权利要求1～8中任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去。
10.一种层积金属布线基板的制造方法，其特征在于，在基板上层积1层或多层的钼或钼合金层和1层或多层的铜或铜合金层，接着，隔着图案化的光致抗蚀剂对上述层积后的金属层进行蚀刻后，使用权利要求1～8中任一项所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去。
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