JP5288144B2 - フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の1態様においては、(A)2級アルカノールアミン及び/又は3級アルカノールアミンを1〜50重量%、(B)水溶性有機溶剤を49.9〜98.998重量%、(C)分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を2個以上有するアミノ酸を0.002〜0.1重量%含有する。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の態様においては、さらに(D)水を含有する。この場合において、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の1態様においては、水(D)を水溶性有機溶剤(B)の一部分に代えて含有することができる。すなわち、(A)2級アルカノールアミン及び/又は3級アルカノールアミンを1〜50重量%、(B)水溶性有機溶剤を5〜85重量%、(C)分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を2個以上有するアミノ酸を0.002〜0.1重量%、(D)水を10〜93.998重量%含有し、(B)と(D)の合計量が49.9〜98.998重量%である。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の1態様においては、アミノ酸(C)が、アルギニン、グリコシアミン、ヒスチジン及びリジンからなる群から選択される少なくとも1種である。
また、本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の1態様においては、アミノ酸(C)が、アルギニン、グリコシアミン及びリジンからなる群から選択される少なくとも1種である。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物の他の1態様においては、また、アミノ酸(C)が、アルギニンであってよい。
本発明のフォトレジスト剥離剤組成物においては、2級アルカノールアミン及び/又は3級アルカノールアミン(A)が、ジエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン及びトリエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも1種である。
本発明はまた、フォトレジストを使用して1層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と1層又は複数層の銅若しくは銅合金層との積層金属配線を基板上に形成する際に、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とするモリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法でもある。
本発明はさらにまた、基板上に1層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と1層又は複数層の銅若しくは銅合金層とを積層し、つぎに、パターニングされたフォトレジストを介して前記積層された金属層をエッチングした後、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とする積層金属配線基板の製造方法でもある。
以下、これらの本発明をとくに区別することなく単に「本発明」ともいう。
(1)半導体基板およびFPD基板の金属配線製造工程において、フォトレジストに対する優れた剥離性を有する。
(2)銅又は銅合金配線、及び、銅又は銅合金とモリブデン又はモリブデン合金の積層金属配線のいずれに対しても、優れた防食性を有する。
(3)本発明のフォトレジスト剥離剤組成物を使用すると、配線パターン化されたモリブデン又はモリブデン合金の下地金属層上の銅又は銅合金配線において、下地金属層や銅又は銅合金配線の腐食を防止することにより、下地層の過度の腐食によるアンダーカット形状や銅又は銅合金層の腐食による配線幅のやせ細り等のない良好な積層金属配線を形成することができる。
表1及び表2の配合によりそれぞれ各成分を混合し、フォトレジスト剥離剤組成物を得た。なお、表中の略号は次のとおりである。
MDEA:N−メチルジエタノールアミン
DEA:N,N−ジエタノールアミン
MEA:モノエタノールアミン
TEA:トリエタノールアミン
MMEA:N−メチルエタノールアミン
DMAC:N,N−ジメチルアセトアミド
BDG:ジエチレングリコールモノブチルエーテル
4,6−DHP:4,6−ジヒドロキシピリミジン
ガラス上に50nm厚の銅膜をスパッタリングにより成膜した基板を評価対象物とした。50℃に調整したフォトレジスト剥離剤組成物に基板を浸漬し、通常の処理時間は10分以下程度であるところ、その3倍の30分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗および空気ブロー乾燥した。基板の銅膜の残り具合を目視にて観察した。
判定基準
(合格)
○:変化なし
(以下、不合格)
△:一部、銅膜の消失あり
×:銅膜がほぼ消失
ガラス上にモリブデン、銅の順にスパッタリングで成膜した上に、フォトレジスト(ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド系感光剤及び溶剤を主成分とするポジ型フォトレジスト)を成膜し、UV露光及び現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、過酸化水素含有の銅エッチャントにて40℃/50秒間の条件で銅およびモリブデンを一括エッチングした基板を評価対象とした。40℃に調整したフォトレジスト剥離剤組成物に基板を浸漬し、10分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗および空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、銅およびモリブデンの腐食具合を確認した。判定は銅(Cu)、モリブデン(Mo)別々に行った。
判定基準
(合格)
○:腐食なし
(以下、不合格)
△:僅かに腐食あり
×:大幅に腐食あり
ガラス基板上にSiN膜をCVDで成膜した上に、フォトレジストを成膜し、UV露光および現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、フッ素系のガスにてSiNをドライエッチングした基板を評価対象とした。40℃に調整したフォトレジスト剥離剤組成物に基板を浸漬し、30秒間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗および空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、フォトレジストの剥離具合を確認した。
判定基準
(合格)
○:剥離残りなし
(以下、不合格)
△:僅かに剥離残りあり
×:ほとんど剥離できず
Claims (10)
- (A)2級アルカノールアミン及び/又は3級アルカノールアミン並びに(B)水溶性有機溶剤を含有するとともに、さらに(C)分子内にチオール基及びアミド構造をともに持たず、窒素原子を2個以上有するアミノ酸を0.002〜0.1重量%含有し、水で重量比20倍に希釈した溶液のpHが8を超えることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。
- さらに(D)水を含有する請求項1記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
- アルカノールアミン(A)の含有量が1〜50重量%、水溶性有機溶剤(B)の含有量が49.9〜98.998重量%、アミノ酸(C)の含有量が0.002〜0.1重量%である、請求項1記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
- アルカノールアミン(A)の含有量が1〜50重量%、水溶性有機溶剤(B)の含有量が5〜85重量%、アミノ酸(C)の含有量が0.002〜0.1重量%、水(D)の含有量が10〜93.998重量%であり、(B)と(D)の合計量が49.9〜98.998重量%である、請求項2記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
- アミノ酸(C)が、アルギニン、グリコシアミン、ヒスチジン及びリジンからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1〜4のいずれか記載のレジスト剥離剤組成物。
- アミノ酸(C)が、アルギニン、グリコシアミン及びリジンからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1〜4のいずれか記載のレジスト剥離剤組成物。
- アミノ酸(C)が、アルギニンである請求項1〜4のいずれか記載のレジスト剥離剤組成物。
- アルカノールアミン(A)が、ジエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン及びトリエタノールアミンからなる群から選択される少なくとも1種である請求項1〜7のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
- フォトレジストを使用して1層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と1層又は複数層の銅若しくは銅合金層との積層金属配線を基板上に形成する際に、不要となったフォトレジストを請求項1〜8のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とするモリブデン又はモリブデン合金層と銅又は銅合金層との積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法。
- 基板上に1層又は複数層のモリブデン若しくはモリブデン合金層と1層又は複数層の銅若しくは銅合金層とを積層し、つぎに、パターニングされたフォトレジストを介して前記積層された金属層をエッチングした後、不要となったフォトレジストを請求項1〜8のいずれか記載のフォトレジスト剥離剤組成物を使用して剥離除去することを特徴とする積層金属配線基板の製造方法。
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