JPH07295240A - 非腐食性フォトレジスト剥離用組成物 - Google Patents
非腐食性フォトレジスト剥離用組成物Info
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- JPH07295240A JPH07295240A JP7090427A JP9042795A JPH07295240A JP H07295240 A JPH07295240 A JP H07295240A JP 7090427 A JP7090427 A JP 7090427A JP 9042795 A JP9042795 A JP 9042795A JP H07295240 A JPH07295240 A JP H07295240A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Abstract
(57)【要約】
【構成】 （ａ） ３.５よりも大きい双極子モーメン
トを有する有機極性溶媒８５〜１０重量％、（ｂ） 選
ばれたアミン化合物１０〜４０重量％、（ｃ） ヒドロ
キシル基を有する選ばれたアミノ酸５〜３０重量％、お
よび場合により（ｄ） 水０〜２０重量％を含む非腐食
性フォトレジスト組成物。 【効果】 本発明の剥離剤組成物は、剥離能力を損失す
ることなく基体の腐食を抑制することができる。
トを有する有機極性溶媒８５〜１０重量％、（ｂ） 選
ばれたアミン化合物１０〜４０重量％、（ｃ） ヒドロ
キシル基を有する選ばれたアミノ酸５〜３０重量％、お
よび場合により（ｄ） 水０〜２０重量％を含む非腐食
性フォトレジスト組成物。 【効果】 本発明の剥離剤組成物は、剥離能力を損失す
ることなく基体の腐食を抑制することができる。
Description
【０００１】本発明は、（１）選ばれた溶媒、（２）選
ばれたアミン、および（３）選ばれた腐食防止剤の組み
合わせを含む非腐食性フォトレジスト剥離用組成物（st
ripping composition）に関する。フォトレジスト剥離
剤分野は、極性溶媒とアミン化合物の両方を含む、剥離
剤の組み合わせに関する多くの文献が充実している。フ
ォトレジスト剥離剤組成物中のアミンの存在は、レジス
トフィルムを有効に除去するのに必要不可欠であると考
えられている。しかしながら、アミンタイプのフォトレ
ジスト剥離剤は時々、特にアルミニウム基体で腐食とい
う深刻な問題を有する。この腐食は、残留剥離剤溶液が
剥離工程後に基体表面および／または基体担体上に残っ
ている時に、剥離後の水のすすぎ液中のアミンによる、
水のイオン化によって進行すると考えられている。換言
すれば、剥離剤組成物のアミン成分は基体を腐食するわ
けではないが、水が腐食を惹き起こす誘因となり得る。
ばれたアミン、および（３）選ばれた腐食防止剤の組み
合わせを含む非腐食性フォトレジスト剥離用組成物（st
ripping composition）に関する。フォトレジスト剥離
剤分野は、極性溶媒とアミン化合物の両方を含む、剥離
剤の組み合わせに関する多くの文献が充実している。フ
ォトレジスト剥離剤組成物中のアミンの存在は、レジス
トフィルムを有効に除去するのに必要不可欠であると考
えられている。しかしながら、アミンタイプのフォトレ
ジスト剥離剤は時々、特にアルミニウム基体で腐食とい
う深刻な問題を有する。この腐食は、残留剥離剤溶液が
剥離工程後に基体表面および／または基体担体上に残っ
ている時に、剥離後の水のすすぎ液中のアミンによる、
水のイオン化によって進行すると考えられている。換言
すれば、剥離剤組成物のアミン成分は基体を腐食するわ
けではないが、水が腐食を惹き起こす誘因となり得る。
【０００２】この問題を解決するために、剥離工程と剥
離後水でのすすぎとの間に有機溶媒を用いた中間のすす
ぎ工程が使用されてきた。例えば、この目的にはイソプ
ロピルアルコールが有用であることが知られている。し
かしながら、このような中間すすぎは、剥離工程全体を
より複雑にし、さらに追加の溶媒廃棄物を生じるので必
ずしも望ましいものではない。したがって、アミンタイ
プの剥離剤をさらに使用する場合は、中間の有機溶媒洗
浄することなく、この腐食の問題を解決する必要があ
る。本発明はこのような溶液を提供する。
離後水でのすすぎとの間に有機溶媒を用いた中間のすす
ぎ工程が使用されてきた。例えば、この目的にはイソプ
ロピルアルコールが有用であることが知られている。し
かしながら、このような中間すすぎは、剥離工程全体を
より複雑にし、さらに追加の溶媒廃棄物を生じるので必
ずしも望ましいものではない。したがって、アミンタイ
プの剥離剤をさらに使用する場合は、中間の有機溶媒洗
浄することなく、この腐食の問題を解決する必要があ
る。本発明はこのような溶液を提供する。
【０００３】極性溶媒およびアミン化合物の組み合わせ
を含むフォトレジスト剥離剤組成物を提案している参考
文献の例は以下のとおりである。 １． 米国特許第４,６１７,２５１号（１９８６年１０
月１４日、Sizenskyらに発行）には、（Ａ）選ばれたア
ミン化合物（例えば、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−エタノー
ル、およびそれらの混合物および（Ｂ）選ばれた極性溶
媒（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、テトラヒ
ドロフルフリルアルコール、イソホロン、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルグルタレー
ト、スルホラン、γ−ブチロラクトン、Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドおよびそれらの混合物）を含むポジフォ
トレジスト剥離用組成物を教示している。この文献はさ
らに水ならびに色素または着色剤、湿潤剤、界面活性剤
および消泡剤をこの組成物中に添加しうることを教示し
ている。
を含むフォトレジスト剥離剤組成物を提案している参考
文献の例は以下のとおりである。 １． 米国特許第４,６１７,２５１号（１９８６年１０
月１４日、Sizenskyらに発行）には、（Ａ）選ばれたア
ミン化合物（例えば、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノール、２−（２−アミノエチルアミノ）−エタノー
ル、およびそれらの混合物および（Ｂ）選ばれた極性溶
媒（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、テトラヒ
ドロフルフリルアルコール、イソホロン、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルアジペート、ジメチルグルタレー
ト、スルホラン、γ−ブチロラクトン、Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドおよびそれらの混合物）を含むポジフォ
トレジスト剥離用組成物を教示している。この文献はさ
らに水ならびに色素または着色剤、湿潤剤、界面活性剤
および消泡剤をこの組成物中に添加しうることを教示し
ている。
【０００４】２． 米国特許第４,７７０,７１３号(１
９８８年９月１３日、Wardに発行)は、（Ａ）選ばれた
アミド（例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジエチルアセトアミド、
Ｎ,Ｎ−ジプロピルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルプロ
ピオンアミド、Ｎ,Ｎ−ジエチルブチルアミド、および
Ｎ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミド）および
（Ｂ）選ばれたアミン化合物（例えば、モノエタノール
アミン、モノプロパノールアミン、メチルアミノエタノ
ール）を含むポジフォトレジスト剥離用組成物を教示し
ている。この特許もこの剥離剤は場合により水混和性の
非イオン性洗浄剤（例えば、アルキレンオキシド縮合
物、アミドおよび半極性非イオン界面活性剤）を含有し
うることを教示している。
９８８年９月１３日、Wardに発行)は、（Ａ）選ばれた
アミド（例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジエチルアセトアミド、
Ｎ,Ｎ−ジプロピルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルプロ
ピオンアミド、Ｎ,Ｎ−ジエチルブチルアミド、および
Ｎ−メチル−Ｎ−エチルプロピオンアミド）および
（Ｂ）選ばれたアミン化合物（例えば、モノエタノール
アミン、モノプロパノールアミン、メチルアミノエタノ
ール）を含むポジフォトレジスト剥離用組成物を教示し
ている。この特許もこの剥離剤は場合により水混和性の
非イオン性洗浄剤（例えば、アルキレンオキシド縮合
物、アミドおよび半極性非イオン界面活性剤）を含有し
うることを教示している。
【０００５】３． 米国特許第４,７８６,５７８号（１
９８８年１１月２２日、Neisiusらに発行）は、フォト
レジスト剥離剤の後に使用するすすぎ溶液を教示してお
り、このすすぎ溶液には（Ａ）非イオン性界面活性剤
（例えば、エトキシル化アルキルフェノール、脂肪およ
びエトキシレート、脂肪アルコールエトキシレートまた
はエチレンオキシド／プロピレンオキシド縮合物）およ
び（Ｂ）有機塩基（例えば、モノ−、ジ−またはトリ−
エタノールアミン）が含まれる。
９８８年１１月２２日、Neisiusらに発行）は、フォト
レジスト剥離剤の後に使用するすすぎ溶液を教示してお
り、このすすぎ溶液には（Ａ）非イオン性界面活性剤
（例えば、エトキシル化アルキルフェノール、脂肪およ
びエトキシレート、脂肪アルコールエトキシレートまた
はエチレンオキシド／プロピレンオキシド縮合物）およ
び（Ｂ）有機塩基（例えば、モノ−、ジ−またはトリ−
エタノールアミン）が含まれる。
【０００６】４． 米国特許第４,８２４,７６２号（１
９８９年４月２５日、Kobayashiらに発行）は（Ａ）グ
リコールエーテル（例えば、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル）および（Ｂ）脂肪族アミン（例えば、モノエタノー
ルアミンまたはトリイソプロピルアミン）を含むフォト
レジスト剥離後のすすぎ溶液を教示している。
９８９年４月２５日、Kobayashiらに発行）は（Ａ）グ
リコールエーテル（例えば、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル）および（Ｂ）脂肪族アミン（例えば、モノエタノー
ルアミンまたはトリイソプロピルアミン）を含むフォト
レジスト剥離後のすすぎ溶液を教示している。
【０００７】５． 米国特許第４,８２４,７６３号（１
９８９年４月２５日、Leeに発行）は、（Ａ）トリアミ
ン（例えばジエチレン−トリアミン）および（Ｂ）非極
性溶媒（例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
ホルムアミド、ブチロラクトン、脂肪族炭化水素、芳香
族炭化水素、塩素化炭化水素）を含むポジ型フォトレジ
スト剥離組成物を教示している。
９８９年４月２５日、Leeに発行）は、（Ａ）トリアミ
ン（例えばジエチレン−トリアミン）および（Ｂ）非極
性溶媒（例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
ホルムアミド、ブチロラクトン、脂肪族炭化水素、芳香
族炭化水素、塩素化炭化水素）を含むポジ型フォトレジ
スト剥離組成物を教示している。
【０００８】６． 米国特許第４,９０４,５７１号（１
９９０年２月２７日、Miyashitaらに発行）は（Ａ）溶
媒（例えば水、アルコール、エーテル、ケトン、塩素化
炭化水素および芳香族炭化水素)、(Ｂ）前記溶媒中に溶
解されたアルカリ化合物（例えば、第一アミン、第二ア
ミン、第三アミン、環式アミン、ポリアミン、第四アン
モニウムアミン、スルホニウムヒドロキシド、アルカリ
ヒドロキシド、アルカリカーボネート、アルカリフォス
フェートおよびアルカリピロホスフェート）および
（Ｃ）前記溶媒に溶解された水素化ホウ素化合物、水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、ジメチル
アミンホウ素、トリメチルアミンホウ素、ピリダンホウ
素、tert−ブチルアミンホウ素、トリエチルアミンホウ
素およびモルホリンホウ素）を含む印刷回路板フォトレ
ジスト剥離剤組成物を教示している。
９９０年２月２７日、Miyashitaらに発行）は（Ａ）溶
媒（例えば水、アルコール、エーテル、ケトン、塩素化
炭化水素および芳香族炭化水素)、(Ｂ）前記溶媒中に溶
解されたアルカリ化合物（例えば、第一アミン、第二ア
ミン、第三アミン、環式アミン、ポリアミン、第四アン
モニウムアミン、スルホニウムヒドロキシド、アルカリ
ヒドロキシド、アルカリカーボネート、アルカリフォス
フェートおよびアルカリピロホスフェート）および
（Ｃ）前記溶媒に溶解された水素化ホウ素化合物、水素
化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、ジメチル
アミンホウ素、トリメチルアミンホウ素、ピリダンホウ
素、tert−ブチルアミンホウ素、トリエチルアミンホウ
素およびモルホリンホウ素）を含む印刷回路板フォトレ
ジスト剥離剤組成物を教示している。
【０００９】７． ドイツ国公開特許出願第３８２８５
１３号（１９９０年３月１日に公開され、Merck GMBHに
譲渡された）は（Ａ）非プロトン性極性溶媒（例えば、
１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノンまたは１,３−
ジメチルテトラヒドロ−ピリミジノン）および（Ｂ）有
機塩基（例えば、アルカノールアミン）を含むポジおよ
びネガフォトレジスト剥離剤組成物を教示している。
１３号（１９９０年３月１日に公開され、Merck GMBHに
譲渡された）は（Ａ）非プロトン性極性溶媒（例えば、
１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノンまたは１,３−
ジメチルテトラヒドロ−ピリミジノン）および（Ｂ）有
機塩基（例えば、アルカノールアミン）を含むポジおよ
びネガフォトレジスト剥離剤組成物を教示している。
【００１０】８． 特開昭５６−１１５３６８（１９８
１年９月１０日に公開され、San EiChemical Industrie
s，KKに譲渡された）は、（Ａ）非イオン性界面活性剤
（例えば、ポリエチレングリコールエーテル）、（Ｂ）
有機溶媒（例えば、シクロヘキサノン）および（Ｃ）膨
潤剤（例えば、ポリエチレングリコール）または浸透剤
（例えば、２−アミノエタノール）のいずれか、を含む
フォトレジスト剥離用組成物を教示している。
１年９月１０日に公開され、San EiChemical Industrie
s，KKに譲渡された）は、（Ａ）非イオン性界面活性剤
（例えば、ポリエチレングリコールエーテル）、（Ｂ）
有機溶媒（例えば、シクロヘキサノン）および（Ｃ）膨
潤剤（例えば、ポリエチレングリコール）または浸透剤
（例えば、２−アミノエタノール）のいずれか、を含む
フォトレジスト剥離用組成物を教示している。
【００１１】９． 特開昭６３−２０８０４３（１９８
８年、８月２９日に公開された）は、（Ａ）１,３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノン、（Ｂ）水溶性有機アミ
ン（例えば、モノエタノールアミン、２−（２−アミノ
エトキシ）−エタノール、トリエチレン（テトラミン）
を含むポジ型フォトレジスト剥離剤組成物を教示してい
る。また、この明細書は界面活性剤を剥離剤に添加する
ことができることも教示している。
８年、８月２９日に公開された）は、（Ａ）１,３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノン、（Ｂ）水溶性有機アミ
ン（例えば、モノエタノールアミン、２−（２−アミノ
エトキシ）−エタノール、トリエチレン（テトラミン）
を含むポジ型フォトレジスト剥離剤組成物を教示してい
る。また、この明細書は界面活性剤を剥離剤に添加する
ことができることも教示している。
【００１２】１０． 特開平１−０８１９４９（１９８
９年３月２８日に公開され、AsahiChemicalに譲渡され
た）は、（Ａ）γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−ホル
ムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミドまたはＮ−メ
チルピロリドン、（Ｂ）アミノアルコール（例えば、Ｎ
−ブチルエタノールアミンおよびＮ−エチルジエタノー
ルアミン）および（Ｃ）水を含む、ポジ型フォトレジス
ト剥離剤組成物を教示している。
９年３月２８日に公開され、AsahiChemicalに譲渡され
た）は、（Ａ）γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−ホル
ムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミドまたはＮ−メ
チルピロリドン、（Ｂ）アミノアルコール（例えば、Ｎ
−ブチルエタノールアミンおよびＮ−エチルジエタノー
ルアミン）および（Ｃ）水を含む、ポジ型フォトレジス
ト剥離剤組成物を教示している。
【００１３】１１． 特開平４−３５０６６０（Texas
Instruments, Japan および KantoChemical, Inc.に譲
渡された）は（Ａ）１,３−ジメチル−２−イミダゾリ
ジノン（ＤＭＩ)、(Ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）および（Ｃ）水溶性アミン（例えば、モノエタノー
ルアミンまたは２−（２−アミノエトキシ）エタノール
（ここで、水溶性アミンの量は７〜３０重量％である）
を含むポジフォトレジスト用剥離剤を教示している。
Instruments, Japan および KantoChemical, Inc.に譲
渡された）は（Ａ）１,３−ジメチル−２−イミダゾリ
ジノン（ＤＭＩ)、(Ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）および（Ｃ）水溶性アミン（例えば、モノエタノー
ルアミンまたは２−（２−アミノエトキシ）エタノール
（ここで、水溶性アミンの量は７〜３０重量％である）
を含むポジフォトレジスト用剥離剤を教示している。
【００１４】１２． 米国特許第５,２７９,７９１号
（１９９４年１月１８日、Leeに発行された）は（Ａ）
ヒドロキシルアミン（例えば、ＮＨ2ＯＨ)、(Ｂ）少な
くとも一つのアルカノールアミン、および場合により
（Ｃ）少なくとも一つの極性溶媒を含む、基体からレジ
ストを除去するための剥離用組成物を教示している。
（１９９４年１月１８日、Leeに発行された）は（Ａ）
ヒドロキシルアミン（例えば、ＮＨ2ＯＨ)、(Ｂ）少な
くとも一つのアルカノールアミン、および場合により
（Ｃ）少なくとも一つの極性溶媒を含む、基体からレジ
ストを除去するための剥離用組成物を教示している。
【００１５】これらの文献でアミノ酸タイプの腐食防止
剤をフォトレジスト剥離剤に添加することを提案してい
るものはない。したがって、本発明は、 （ａ） 双極子モーメントが３.５より大きい有機極性
溶媒約８５〜約１０重量％、 （ｂ） 式（Ｉ）：
剤をフォトレジスト剥離剤に添加することを提案してい
るものはない。したがって、本発明は、 （ａ） 双極子モーメントが３.５より大きい有機極性
溶媒約８５〜約１０重量％、 （ｂ） 式（Ｉ）：
【化５】 （式中、ｎおよびｍはそれぞれ独立して１〜５の範囲の
整数であり、Ｘは水素、アルキルまたはアルコキシ基で
あり、Ｙは−Ｏ−または−ＮＨ−のいずれかであり、Ｚ
は水素、−ＯＨまたは−ＮＨ2である）を有する化合物
からなる群より選ばれるアミン化合物約１０〜４０重量
％、
整数であり、Ｘは水素、アルキルまたはアルコキシ基で
あり、Ｙは−Ｏ−または−ＮＨ−のいずれかであり、Ｚ
は水素、−ＯＨまたは−ＮＨ2である）を有する化合物
からなる群より選ばれるアミン化合物約１０〜４０重量
％、
【００１６】（ｃ）式（II）：
【化６】 〔式中、ｐは１〜３の範囲の整数、Ｒ1およびＲ2はそれ
ぞれ独立して水素および式（III）：
ぞれ独立して水素および式（III）：
【化７】 （式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立して水素、
−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、アルキル、アルコキシフェニ
ル、モノ−、ジ−またはトリ−ヒドロキシ置換フェニル
基から選ばれる）を有する化合物からなる群から選ば
れ、そしてＲ3およびＲ4はそれぞれ独立して水素および
式（IV）：
−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、アルキル、アルコキシフェニ
ル、モノ−、ジ−またはトリ−ヒドロキシ置換フェニル
基から選ばれる）を有する化合物からなる群から選ば
れ、そしてＲ3およびＲ4はそれぞれ独立して水素および
式（IV）：
【化８】 （式中、Ｘ′、Ｙ′およびＺ′はそれぞれ独立して水
素、ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2Ｃ
ＯＯＨ、アルキル、またはアルコキシ基から選ばれ、そ
してこれらのうちの少なくとも一つは−ＯＨ、または−
ＣＨ2ＯＨもしくは−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨである）を有する
化合物からなる群より選ばれる〕を有する化合物からな
る群より選ばれるアミノ酸約５〜約３０重量％、および （ｄ） 水約０〜約２０重量％、（すべてのパーセント
は剥離剤組成物重量をベースとする）： からなるレジスト剥離剤組成物に関する。
素、ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2Ｃ
ＯＯＨ、アルキル、またはアルコキシ基から選ばれ、そ
してこれらのうちの少なくとも一つは−ＯＨ、または−
ＣＨ2ＯＨもしくは−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨである）を有する
化合物からなる群より選ばれる〕を有する化合物からな
る群より選ばれるアミノ酸約５〜約３０重量％、および （ｄ） 水約０〜約２０重量％、（すべてのパーセント
は剥離剤組成物重量をベースとする）： からなるレジスト剥離剤組成物に関する。
【００１７】上述したように、本発明の耐食性剥離剤は
三つの重要な成分、すなわち（ａ） 少なくとも３.５
の双極子モーメントを有する極性溶媒、（ｂ） ヒドロ
キシル基を有するアミン、（ｃ） ヒドロキシル基を有
するアミノ酸、および場合により（ｄ） 溶液の安定剤
としての水、を有する。
三つの重要な成分、すなわち（ａ） 少なくとも３.５
の双極子モーメントを有する極性溶媒、（ｂ） ヒドロ
キシル基を有するアミン、（ｃ） ヒドロキシル基を有
するアミノ酸、および場合により（ｄ） 溶液の安定剤
としての水、を有する。
【００１８】この剥離剤組成物中に使用される溶媒はレ
ジストフィルムにとって良好な溶解性を有さなければな
らない。したがって、溶媒は基体に強力に接着している
レジストフィルムを有効に除去する必要がある。溶媒
は、以下の基準に適合すべきである： （１） その双極子モーメントは３.５よりも大きくな
ければならない。 （２） その沸点は１５０〜１８０℃より高くなければ
ならない。 （３） その引火点は８０〜９０℃より高くなければな
らない。
ジストフィルムにとって良好な溶解性を有さなければな
らない。したがって、溶媒は基体に強力に接着している
レジストフィルムを有効に除去する必要がある。溶媒
は、以下の基準に適合すべきである： （１） その双極子モーメントは３.５よりも大きくな
ければならない。 （２） その沸点は１５０〜１８０℃より高くなければ
ならない。 （３） その引火点は８０〜９０℃より高くなければな
らない。
【００１９】種々の候補の中で、アミドが特に好まし
い。特に環式アミド、例えばＮ−アルキル−２−ピロリ
ドン（例えば、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリド
ン）および１,３−ジアルキル−２−イミダゾリジノン
は、剥離能力および毒性の点で特に好ましい。適切な溶
媒混合物はＮ−ヒドロキシエチル−ピロリドン（ＨＥ
Ｐ）と１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭ
Ｉ)（ここでＨＥＰ：ＤＭＩの混合比は約９５：５重量
％〜約５：９５重量％であり、ＨＥＰは安全な溶媒とし
て知られており、ＤＭＩは強力な剥離用溶媒である）の
混合物でありうる。
い。特に環式アミド、例えばＮ−アルキル−２−ピロリ
ドン（例えば、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリド
ン）および１,３−ジアルキル−２−イミダゾリジノン
は、剥離能力および毒性の点で特に好ましい。適切な溶
媒混合物はＮ−ヒドロキシエチル−ピロリドン（ＨＥ
Ｐ）と１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭ
Ｉ)（ここでＨＥＰ：ＤＭＩの混合比は約９５：５重量
％〜約５：９５重量％であり、ＨＥＰは安全な溶媒とし
て知られており、ＤＭＩは強力な剥離用溶媒である）の
混合物でありうる。
【００２０】上述のように剥離剤のもう一つの主成分は
アミン化合物である。アルカノールアミンは特に好まし
い。しかし、アミンは多分その高い粘度のためにそれ自
体はレジストフィルムを有効に溶解することができな
い。種々のアミンを本発明の剥離剤組成物に使用するこ
とができる。特に少なくとも一つのヒドロキシル基を有
するアミン、いわゆるアルカノールアミンが最も好まし
く、例えばモノエタノールアミン、２−（２−アミノエ
トキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）
エタノール、等である。
アミン化合物である。アルカノールアミンは特に好まし
い。しかし、アミンは多分その高い粘度のためにそれ自
体はレジストフィルムを有効に溶解することができな
い。種々のアミンを本発明の剥離剤組成物に使用するこ
とができる。特に少なくとも一つのヒドロキシル基を有
するアミン、いわゆるアルカノールアミンが最も好まし
く、例えばモノエタノールアミン、２−（２−アミノエ
トキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）
エタノール、等である。
【００２１】本発明の剥離剤組成物の第三の必須成分は
腐食防止剤として作用するアミノ酸化合物から選ばれ
る。この種の化合物の例には、トリシン、ビシン、ＤＬ
−ホモセリン、Ｄ−ホモセリン、Ｌ−ホモセリン、ＤＬ
−トレオニン、Ｄ−アロ−トレオニン、Ｌ−アロ−トレ
オニン、Ｄ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、ＤＬ−３−
ヒドロキシノルバリン、ＤＬ−メタトロキシン、Ｄ−４
−ヒドロキシフェニルグリシン、ＤＬ−チロシン、Ｄ−
チロシン、Ｌ−チロシン、３−（３,４−ジヒドロキシ
フェニル）−ＤＬ−アラニン、３−（３,４−ジヒドロ
キシフェニル）−Ｌ−アラニン、３−（２,４,５−トリ
ヒドロキシフェニル）−ＤＬ−アラニン、ＤＬ−アルフ
ァ−メチルチロシン、Ｌ−アルファメチルチロシン、
（−）−３−（３,４−ジヒドロキシフェニル）−２−
メチル−Ｌ−アラニン、ＤＬ−トレオ−３−フェニルセ
リン、ＤＬ−トレオ−３,４−ジヒドロキシフェニルセ
リン等が含まれる。これらの中で好ましいものは、価格
／性能のバランスの点でトリシン、ビシン、３−（２,
４,５−トリヒドロキシフェニル）−ＤＬ−アラニンお
よびＤＬ−トレオ−３,４−ジヒドロキシフェニルセリ
ンである。この作用に関して有用でありうる式（II）以
外の化合物の例には、ＤＬ−４−アミノ−３−ヒドロキ
シ酪酸、（３′ｓ,４′ｓ）−（−）−スタチン、
（＋）−ムラミン酸、５−ヒドロキシ−ＤＬ−リジン、
シス−４−ヒドロキシ−Ｄ−プロリン、シス−４−ヒド
ロキシ−Ｌ−プロリン、トランス−４−ヒドロキシ−Ｌ
−プロリン、ミモシン、Ｎ−（４−ヒドロキシ−フェニ
ル）グリシン、３,３′５−トリヨード−Ｌ−チロニ
ン、Ｄ−チロキシン、Ｌ−チロキシン、Ｄ−４−ヒドロ
キシフェニルグリシン、３−ニトロ−Ｌ−チロシン、３
−アミノ−Ｌ−チロシン、３,５−ジニトロ−Ｌ−チロ
シン、クロロアセチル−Ｌ−チロシン、Ｎ−アセチル−
１−チロシンアミド等が含まれる。
腐食防止剤として作用するアミノ酸化合物から選ばれ
る。この種の化合物の例には、トリシン、ビシン、ＤＬ
−ホモセリン、Ｄ−ホモセリン、Ｌ−ホモセリン、ＤＬ
−トレオニン、Ｄ−アロ−トレオニン、Ｌ−アロ−トレ
オニン、Ｄ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、ＤＬ−３−
ヒドロキシノルバリン、ＤＬ−メタトロキシン、Ｄ−４
−ヒドロキシフェニルグリシン、ＤＬ−チロシン、Ｄ−
チロシン、Ｌ−チロシン、３−（３,４−ジヒドロキシ
フェニル）−ＤＬ−アラニン、３−（３,４−ジヒドロ
キシフェニル）−Ｌ−アラニン、３−（２,４,５−トリ
ヒドロキシフェニル）−ＤＬ−アラニン、ＤＬ−アルフ
ァ−メチルチロシン、Ｌ−アルファメチルチロシン、
（−）−３−（３,４−ジヒドロキシフェニル）−２−
メチル−Ｌ−アラニン、ＤＬ−トレオ−３−フェニルセ
リン、ＤＬ−トレオ−３,４−ジヒドロキシフェニルセ
リン等が含まれる。これらの中で好ましいものは、価格
／性能のバランスの点でトリシン、ビシン、３−（２,
４,５−トリヒドロキシフェニル）−ＤＬ−アラニンお
よびＤＬ−トレオ−３,４−ジヒドロキシフェニルセリ
ンである。この作用に関して有用でありうる式（II）以
外の化合物の例には、ＤＬ−４−アミノ−３−ヒドロキ
シ酪酸、（３′ｓ,４′ｓ）−（−）−スタチン、
（＋）−ムラミン酸、５−ヒドロキシ−ＤＬ−リジン、
シス−４−ヒドロキシ−Ｄ−プロリン、シス−４−ヒド
ロキシ−Ｌ−プロリン、トランス−４−ヒドロキシ−Ｌ
−プロリン、ミモシン、Ｎ−（４−ヒドロキシ−フェニ
ル）グリシン、３,３′５−トリヨード−Ｌ−チロニ
ン、Ｄ−チロキシン、Ｌ−チロキシン、Ｄ−４−ヒドロ
キシフェニルグリシン、３−ニトロ−Ｌ−チロシン、３
−アミノ−Ｌ−チロシン、３,５−ジニトロ−Ｌ−チロ
シン、クロロアセチル−Ｌ−チロシン、Ｎ−アセチル−
１−チロシンアミド等が含まれる。
【００２２】式（II）の本願で請求されたアミノ酸化合
物は請求されたアミンの剥離能力をなんら損なうことな
く有効に腐食を抑制できることがわかった。例えば、ヒ
ドロキシル基を有するアミノ酸は剥離剤溶液中でアミン
と錯体を形成し、剥離剤溶液の塩基性度を低減すること
ができる。この結果、腐食が遅延される。これに対し
て、式（II）の化合物の代わりに有機酸または無機酸が
使用される場合は、アミン含有剥離剤溶液の塩基性度が
大幅に減少するので、剥離能力も同様に低下し得る。換
言すれば、腐食防止剤として添加剤の適度な酸性度を選
ぶことは重要である。特に、ヒドロキシル基を有するア
ミノ酸は、結合したヒドロキシル基がアミンと生成した
錯体の溶解性を強化するのに寄与することができるので
望ましい。
物は請求されたアミンの剥離能力をなんら損なうことな
く有効に腐食を抑制できることがわかった。例えば、ヒ
ドロキシル基を有するアミノ酸は剥離剤溶液中でアミン
と錯体を形成し、剥離剤溶液の塩基性度を低減すること
ができる。この結果、腐食が遅延される。これに対し
て、式（II）の化合物の代わりに有機酸または無機酸が
使用される場合は、アミン含有剥離剤溶液の塩基性度が
大幅に減少するので、剥離能力も同様に低下し得る。換
言すれば、腐食防止剤として添加剤の適度な酸性度を選
ぶことは重要である。特に、ヒドロキシル基を有するア
ミノ酸は、結合したヒドロキシル基がアミンと生成した
錯体の溶解性を強化するのに寄与することができるので
望ましい。
【００２３】場合により、水（好ましくは脱イオン水）
を本発明の剥離剤組成物に添加することができるが、こ
れはアミンとアミノ酸のいくつかの組み合わせによっ
て、これら二成分のモル比によっては有機溶媒中では殆
ど可溶性でない錯体を形成する傾向があるからである。
この場合、水は沈殿を生じることなく剥離剤溶液を安定
化するのに役立つ。しかしながら、水が添加された場
合、レジスト成分に対して沈殿促進剤として作用するか
もしれない。したがって、剥離剤組成物中の水の所望の
量は、剥離剤溶液の総重量を基準にして０と２０重量％
との間である。水が剥離剤組成物中に存在する場合で
も、アミノ酸の存在が腐食を回避するということは注目
すべきである。
を本発明の剥離剤組成物に添加することができるが、こ
れはアミンとアミノ酸のいくつかの組み合わせによっ
て、これら二成分のモル比によっては有機溶媒中では殆
ど可溶性でない錯体を形成する傾向があるからである。
この場合、水は沈殿を生じることなく剥離剤溶液を安定
化するのに役立つ。しかしながら、水が添加された場
合、レジスト成分に対して沈殿促進剤として作用するか
もしれない。したがって、剥離剤組成物中の水の所望の
量は、剥離剤溶液の総重量を基準にして０と２０重量％
との間である。水が剥離剤組成物中に存在する場合で
も、アミノ酸の存在が腐食を回避するということは注目
すべきである。
【００２４】これらの四つの成分の好ましい量は、極性
溶媒約５０〜７７％、アミン化合物約２０〜３０％、ア
ミノ酸腐食防止剤約３〜１０重量％および水約０〜１０
％であり、すべて剥離剤組成物の重量を基準とする。当
業者に知られている種々の他の成分、例えば色素または
着色剤、湿潤剤、界面活性剤、消泡剤等を剥離用組成物
に含ませることができる。一般に、これらの任意の成分
の各量は全剥離剤組成物を基準に約０.５重量％であ
る。
溶媒約５０〜７７％、アミン化合物約２０〜３０％、ア
ミノ酸腐食防止剤約３〜１０重量％および水約０〜１０
％であり、すべて剥離剤組成物の重量を基準とする。当
業者に知られている種々の他の成分、例えば色素または
着色剤、湿潤剤、界面活性剤、消泡剤等を剥離用組成物
に含ませることができる。一般に、これらの任意の成分
の各量は全剥離剤組成物を基準に約０.５重量％であ
る。
【００２５】本明細書に記載の剥離用組成物は有機ポリ
マー物質を基体から除去するのに使用される。本発明の
方法は有機ポリマー物質を本明細書に記載の剥離用組成
物と接触させて実施される。実施条件、即ち、温度、時
間等は広範囲にわたって変化することができ、一般に除
去される有機ポリマー物質の性質および厚さ、並びに当
業者によく知られている他の因子に依存している。しか
しながら、一般に、約１０秒〜約０.５時間、約１５℃
〜約１００℃の範囲の温度が典型的である。本発明の実
施にあたって、有機ポリマー物質を剥離用組成物と接触
させるには種々の方法を使用することができる。例え
ば、有機ポリマー物質を含む基体を剥離用浴に浸漬する
こともできるし、または剥離用組成物を有機ポリマー物
質上に噴霧することもでき、これらは当業者にとっては
明らかである。
マー物質を基体から除去するのに使用される。本発明の
方法は有機ポリマー物質を本明細書に記載の剥離用組成
物と接触させて実施される。実施条件、即ち、温度、時
間等は広範囲にわたって変化することができ、一般に除
去される有機ポリマー物質の性質および厚さ、並びに当
業者によく知られている他の因子に依存している。しか
しながら、一般に、約１０秒〜約０.５時間、約１５℃
〜約１００℃の範囲の温度が典型的である。本発明の実
施にあたって、有機ポリマー物質を剥離用組成物と接触
させるには種々の方法を使用することができる。例え
ば、有機ポリマー物質を含む基体を剥離用浴に浸漬する
こともできるし、または剥離用組成物を有機ポリマー物
質上に噴霧することもでき、これらは当業者にとっては
明らかである。
【００２６】本発明の剥離用組成物は種々の有機ポリマ
ー物質を基体から取り除くのに有効である。有機ポリマ
ー物質の例には、ポジおよびネガ型レジスト、電子ビー
ムレジスト、Ｘ線レジスト、イオンビームレジスト、並
びに有機の誘電体物質、例えばポリイミド樹脂等が含ま
れる。本発明の実施において除去することができる特定
の有機ポリマー物質の例には、フェノールホルムアミド
樹脂またはポリ（ｐ−ビニルフェノール）を含むポジ型
レジスト、環化ポリイソプレンまたはポリ（ｐ−ビニル
フェノール）を含むネガ型レジストおよびポリメチルメ
タクリレート含有レジストが含まれる。本発明の特に好
ましい実施態様では、剥離用組成物はノボラック樹脂お
よびジアゾケトン増感剤、例えばオルトナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルを含むポジ型レジストを除去
するのに非常に有効であることがわかった。このタイプ
のレジストには HPR 204 POSITIVE RESIST、 HPR 504 PO
SITIVE RESIST および HPR 6500 Series POSITIVE RESI
ST（すべて OCG Microelectronic Materials Inc. から
入手可能である）が含まれる。有機ポリマー物質は当業
者に知られている慣用の基体のいずれか、例えば珪素、
二酸化珪素、窒化珪素、ポリシリコン、アルミニウム、
アルミニウム合金、銅、銅合金、ポリイミド等から除去
することができる。本発明の剥離剤組成物はアミン化合
物の剥離能力を著しく減じることなく効果的に腐食を抑
制することができる。本組成物のアミノ酸はアミン成分
と錯体を形成して剥離剤溶液の塩基性度を低下させて腐
食を遅らせると考えられている。
ー物質を基体から取り除くのに有効である。有機ポリマ
ー物質の例には、ポジおよびネガ型レジスト、電子ビー
ムレジスト、Ｘ線レジスト、イオンビームレジスト、並
びに有機の誘電体物質、例えばポリイミド樹脂等が含ま
れる。本発明の実施において除去することができる特定
の有機ポリマー物質の例には、フェノールホルムアミド
樹脂またはポリ（ｐ−ビニルフェノール）を含むポジ型
レジスト、環化ポリイソプレンまたはポリ（ｐ−ビニル
フェノール）を含むネガ型レジストおよびポリメチルメ
タクリレート含有レジストが含まれる。本発明の特に好
ましい実施態様では、剥離用組成物はノボラック樹脂お
よびジアゾケトン増感剤、例えばオルトナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルを含むポジ型レジストを除去
するのに非常に有効であることがわかった。このタイプ
のレジストには HPR 204 POSITIVE RESIST、 HPR 504 PO
SITIVE RESIST および HPR 6500 Series POSITIVE RESI
ST（すべて OCG Microelectronic Materials Inc. から
入手可能である）が含まれる。有機ポリマー物質は当業
者に知られている慣用の基体のいずれか、例えば珪素、
二酸化珪素、窒化珪素、ポリシリコン、アルミニウム、
アルミニウム合金、銅、銅合金、ポリイミド等から除去
することができる。本発明の剥離剤組成物はアミン化合
物の剥離能力を著しく減じることなく効果的に腐食を抑
制することができる。本組成物のアミノ酸はアミン成分
と錯体を形成して剥離剤溶液の塩基性度を低下させて腐
食を遅らせると考えられている。
【００２７】本発明は、さらに以下の実施例および比較
例によって詳細に説明される。特記しない限りは、すべ
ての部およびパーセントは重量によるものであり、すべ
ての温度は摂氏である。 〔比較例１〜８および実施例１〜４〕石英ディスク（直
径１インチ）を、室温で３０秒間２,５００rpmでスピン
コートを使用してフォトレジスト溶液ＨｉＰＲ ６５１
２（OCG Microelectronic Materials Inc. の市販製
品）でコートした。このようにしてコートされたディス
クを１００℃で３０分間、熱対流炉中に置き、次いでさ
らに１８０℃で３０分間、焼付けした。乾燥させたディ
スクを次いで約２００mlの剥離剤溶液に浸漬し、この温
度をホットプレートを用いて穏やかに撹拌しながら９５
〜１００℃に制御した。一定の浸漬時間の後ディスクを
溶液から取り出し、室温で水ですすいだ。
例によって詳細に説明される。特記しない限りは、すべ
ての部およびパーセントは重量によるものであり、すべ
ての温度は摂氏である。 〔比較例１〜８および実施例１〜４〕石英ディスク（直
径１インチ）を、室温で３０秒間２,５００rpmでスピン
コートを使用してフォトレジスト溶液ＨｉＰＲ ６５１
２（OCG Microelectronic Materials Inc. の市販製
品）でコートした。このようにしてコートされたディス
クを１００℃で３０分間、熱対流炉中に置き、次いでさ
らに１８０℃で３０分間、焼付けした。乾燥させたディ
スクを次いで約２００mlの剥離剤溶液に浸漬し、この温
度をホットプレートを用いて穏やかに撹拌しながら９５
〜１００℃に制御した。一定の浸漬時間の後ディスクを
溶液から取り出し、室温で水ですすいだ。
【００２８】ディスクを空気乾燥した後、２８０nm（Ｔ
280）での透過率を、ＵＶ−可視分光計を使用して浸漬
時間の関数として測定した。Ｔ280が１００％に達する
浸漬時間を、透明になる時間（time to clear、Tc）と
して定めた。また、９０秒浸漬した後の２８０nmでの透
過率はＴ90として定めた。各剥離剤溶液のpHを、剥離剤
溶液（５.０ｇ）を水（５０ｇ）で希釈した後に測定し
た。また、pH測定に使用したのと同じ溶液中にアルミニ
ウムホイルを室温で３時間浸漬し、アルミニウムホイル
の表面を観察し、表面がどれくらい暗色化しているかを
見ることによって、腐食試験を行った。腐食の程度を四
つのカテゴリーに分類して観察した。
280）での透過率を、ＵＶ−可視分光計を使用して浸漬
時間の関数として測定した。Ｔ280が１００％に達する
浸漬時間を、透明になる時間（time to clear、Tc）と
して定めた。また、９０秒浸漬した後の２８０nmでの透
過率はＴ90として定めた。各剥離剤溶液のpHを、剥離剤
溶液（５.０ｇ）を水（５０ｇ）で希釈した後に測定し
た。また、pH測定に使用したのと同じ溶液中にアルミニ
ウムホイルを室温で３時間浸漬し、アルミニウムホイル
の表面を観察し、表面がどれくらい暗色化しているかを
見ることによって、腐食試験を行った。腐食の程度を四
つのカテゴリーに分類して観察した。
【００２９】表１に１０個の剥離剤処方物および各試験
結果をまとめた。以下の略語は、各処方物の成分を表し
ている。 ＡＥＥ ２−（２−アミノエトキシ）エタノール ＮＭＰ Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＤＭＩ １,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン Ｔｒｃ トリシン ＨＥＰ Ｎ−ヒドロエチル−２−ピロリドン
結果をまとめた。以下の略語は、各処方物の成分を表し
ている。 ＡＥＥ ２−（２−アミノエトキシ）エタノール ＮＭＰ Ｎ−メチル−２−ピロリドン ＤＭＩ １,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン Ｔｒｃ トリシン ＨＥＰ Ｎ−ヒドロエチル−２−ピロリドン
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から以下のように結論付けることがで
きる。 （１） 比較例Ｃ−１〜Ｃ−３から、アミン成分（ＡＥ
Ｅ）は剥離用フォトレジストフィルムに必須であり、ア
ミンを溶媒（ＮＭＰ）で希釈すると剥離能力をある程度
強化することができることがわかる。 （２） 比較例Ｃ−１およびＣ−４から、剥離能力はア
ミン濃度に強く依存していないことがわかる。 （３） 比較例Ｃ−３およびＣ−５から、溶媒ＤＭＩは
それ自体フォトレジストフィルムの剥離に関してＮＭＰ
よりもさらに強力であることがわかる。 （４） 比較例Ｃ−８および実施例４から、溶媒ＨＥＰ
はフォトレジストフィルムの剥離に関してＤＭＩまたは
ＮＭＰほど強力ではないことがわかる。 （５） 比較例Ｃ−５〜Ｃ−７から、ＡＥＥはＤＭＩと
の組み合わせに必須であり、そしてまたこの場合ＡＥＥ
の濃度依存性はそれほど強くはないことがわかる。
きる。 （１） 比較例Ｃ−１〜Ｃ−３から、アミン成分（ＡＥ
Ｅ）は剥離用フォトレジストフィルムに必須であり、ア
ミンを溶媒（ＮＭＰ）で希釈すると剥離能力をある程度
強化することができることがわかる。 （２） 比較例Ｃ−１およびＣ−４から、剥離能力はア
ミン濃度に強く依存していないことがわかる。 （３） 比較例Ｃ−３およびＣ−５から、溶媒ＤＭＩは
それ自体フォトレジストフィルムの剥離に関してＮＭＰ
よりもさらに強力であることがわかる。 （４） 比較例Ｃ−８および実施例４から、溶媒ＨＥＰ
はフォトレジストフィルムの剥離に関してＤＭＩまたは
ＮＭＰほど強力ではないことがわかる。 （５） 比較例Ｃ−５〜Ｃ−７から、ＡＥＥはＤＭＩと
の組み合わせに必須であり、そしてまたこの場合ＡＥＥ
の濃度依存性はそれほど強くはないことがわかる。
【００３２】（６） 比較例Ｃ−７および実施例Ｅ−１
〜Ｅ−３から、トリシンはトリシン濃度の増加とともに
Ｔ90が減少しているので、濃度の関数として剥離速度は
遅くなることがわかる。換言すれば、基体上の残留フィ
ルムの量はトリシンの濃度が増加するにつれて増加す
る。一方、トリシンの濃度が増加するにつれて、腐食は
より抑制される。したがって、剥離能力と腐食抑制のバ
ランスのとれたトリシンの最適な濃度があるはずであ
る。トリシンの最適濃度を決定するための指標の一つは
剥離剤溶液のpH値である。pHが１１より低い場合、腐食
は効果的に抑制される。したがって、これらの結果か
ら、ＤＭＩおよびＡＥＥの剥離剤組成物中のトリシンの
最適濃度は３〜１０重量％であり、ここでは剥離能力の
低下がそれほど深刻ではないことがわかる。
〜Ｅ−３から、トリシンはトリシン濃度の増加とともに
Ｔ90が減少しているので、濃度の関数として剥離速度は
遅くなることがわかる。換言すれば、基体上の残留フィ
ルムの量はトリシンの濃度が増加するにつれて増加す
る。一方、トリシンの濃度が増加するにつれて、腐食は
より抑制される。したがって、剥離能力と腐食抑制のバ
ランスのとれたトリシンの最適な濃度があるはずであ
る。トリシンの最適濃度を決定するための指標の一つは
剥離剤溶液のpH値である。pHが１１より低い場合、腐食
は効果的に抑制される。したがって、これらの結果か
ら、ＤＭＩおよびＡＥＥの剥離剤組成物中のトリシンの
最適濃度は３〜１０重量％であり、ここでは剥離能力の
低下がそれほど深刻ではないことがわかる。
【００３３】要するに、アミンおよび極性溶媒の剥離剤
組成物にトリシンを添加すると、剥離能力の損失が最小
で、アルミニウムの腐食を抑制することができるので、
この剥離剤溶液の三元組成物は新規な非腐食性剥離剤と
して使用することができる。本発明をその特定の実施態
様に関して記述してきたが、多くの変更、改良および変
法が、ここに開示された本発明の概念を離れることなし
になすことができるということは明らかである。したが
って、特許請求の範囲の精神および範囲内にあるすべて
のこのような変更、改良および変法を包含しようとする
ものである。
組成物にトリシンを添加すると、剥離能力の損失が最小
で、アルミニウムの腐食を抑制することができるので、
この剥離剤溶液の三元組成物は新規な非腐食性剥離剤と
して使用することができる。本発明をその特定の実施態
様に関して記述してきたが、多くの変更、改良および変
法が、ここに開示された本発明の概念を離れることなし
になすことができるということは明らかである。したが
って、特許請求の範囲の精神および範囲内にあるすべて
のこのような変更、改良および変法を包含しようとする
ものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 （ａ） ３.５より大きい双極子モーメ
ントを有する有機極性溶媒約８５〜約１０重量％、 （ｂ） 式（Ｉ）： 【化１】 （式中、ｎおよびｍはそれぞれ独立して１〜５の範囲の
整数であり、Ｘは水素、アルキルまたはアルコキシ基で
あり、Ｙは−Ｏ−または−ＮＨ−のいずれかであり、Ｚ
は水素、−ＯＨまたは−ＮＨ2である）を有する化合物
からなる群より選ばれるアミン化合物約１０〜４０重量
％、 （ｃ） 式（II）： 【化２】 〔式中、ｐは１〜３の範囲の整数、Ｒ1およびＲ2はそれ
ぞれ独立して水素および式（III）： 【化３】 （式中、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立して水素、
−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、アルキル、アルコキシ、フェニ
ル、およびモノ−、ジ−またはトリ−ヒドロキシ置換フ
ェニル基から選ばれる）を有する化合物からなる群から
選ばれ、そしてＲ3およびＲ4はそれぞれ独立して水素お
よび式（IV）： 【化４】 （式中、Ｘ′、Ｙ′およびＺ′はそれぞれ独立して水
素、ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、−ＣＨ2Ｃ
ＯＯＨ、アルキル、またはアルコキシ基から選ばれ、そ
してこれらのうちの少なくとも一つは−ＯＨ、または−
ＣＨ2ＯＨもしくは−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨである）を有する
化合物からなる群より選ばれる〕を有する化合物からな
る群より選ばれるアミノ酸約５〜約３０重量％、および （ｄ） 水約０〜約２０重量％、（すべてのパーセント
は剥離剤組成物重量を基準とする）： からなることを特徴とする、レジスト剥離剤組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US228775 | 1994-04-18 | ||
| US08/228,775 US5472830A (en) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | Non-corrosion photoresist stripping composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07295240A true JPH07295240A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2914646B2 JP2914646B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=22858538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7090427A Expired - Fee Related JP2914646B2 (ja) | 1994-04-18 | 1995-04-17 | 非腐食性フォトレジスト剥離用組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5472830A (ja) |
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