JPH11258825A - ポジ型レジスト用剥離液 - Google Patents
ポジ型レジスト用剥離液Info
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- JPH11258825A JPH11258825A JP1155499A JP1155499A JPH11258825A JP H11258825 A JPH11258825 A JP H11258825A JP 1155499 A JP1155499 A JP 1155499A JP 1155499 A JP1155499 A JP 1155499A JP H11258825 A JPH11258825 A JP H11258825A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 剥離性に優れ、しかもアルミニウムや銅など
の金属材料を腐食することのない新規なポジ型レジスト
用剥離液を提供する。 【解決手段】 （Ａ）Ｎ‐ヒドロキシアルキル置換のア
ミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物の中から選ば
れた少なくとも１種の含窒素有機ヒドロキシ化合物及び
（Ｂ）ピロカテコールを含有するか、あるいはさらにこ
れに加えて（Ｃ）水溶性有機溶剤を含有したポジ型レジ
スト用剥離液とする。
の金属材料を腐食することのない新規なポジ型レジスト
用剥離液を提供する。 【解決手段】 （Ａ）Ｎ‐ヒドロキシアルキル置換のア
ミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物の中から選ば
れた少なくとも１種の含窒素有機ヒドロキシ化合物及び
（Ｂ）ピロカテコールを含有するか、あるいはさらにこ
れに加えて（Ｃ）水溶性有機溶剤を含有したポジ型レジ
スト用剥離液とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なポジ型レジス
ト用剥離液、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩなどの半導
体素子の製造に好適な、剥離性に優れる上、アルミニウ
ムや銅などの金属材料に対する腐食性の少ないポジ型レ
ジスト用剥離液に関するものである。
ト用剥離液、さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩなどの半導
体素子の製造に好適な、剥離性に優れる上、アルミニウ
ムや銅などの金属材料に対する腐食性の少ないポジ型レ
ジスト用剥離液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の製造に
おいては、通常、まずシリコンウエーハなどの基板上に
酸化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にレジスト
を均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像処
理してレジストパターンを形成し、続いてこのレジスト
パターンをマスクとして下層部の酸化膜などの薄膜を選
択的にエッチングしたのち、レジストを完全に除去する
工程がとられている。
おいては、通常、まずシリコンウエーハなどの基板上に
酸化膜などの薄膜を形成し、次いでその表面にレジスト
を均一に塗布して感光層を設けたのち、露光及び現像処
理してレジストパターンを形成し、続いてこのレジスト
パターンをマスクとして下層部の酸化膜などの薄膜を選
択的にエッチングしたのち、レジストを完全に除去する
工程がとられている。
【０００３】従来、このレジストの除去に使用される剥
離液としては、全炭素数１０〜２０のアルキルベンゼン
スルホン酸と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭
化水素系溶剤との混合液（特開昭５１−７２５０３号公
報）、ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホ
ンとから成る混合液（特開昭５７−８４４５６号公
報）、全炭素数１０〜２０の表面活性アルキルアリール
スルホン酸と全炭素数６〜９の向水性芳香族スルホンと
沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤
との混合液（米国特許第４１６５２９４号明細書）、有
機スルホン酸及び１，２‐ジヒドロキシベンゼンに極性
又は非極性有機溶剤を添加したもの（ヨーロッパ公開特
許第０１１９３３７号明細書）などが提案されている。
離液としては、全炭素数１０〜２０のアルキルベンゼン
スルホン酸と沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭
化水素系溶剤との混合液（特開昭５１−７２５０３号公
報）、ジメチル又はジエチルスルホキシドと有機スルホ
ンとから成る混合液（特開昭５７−８４４５６号公
報）、全炭素数１０〜２０の表面活性アルキルアリール
スルホン酸と全炭素数６〜９の向水性芳香族スルホンと
沸点１５０℃以上の非ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤
との混合液（米国特許第４１６５２９４号明細書）、有
機スルホン酸及び１，２‐ジヒドロキシベンゼンに極性
又は非極性有機溶剤を添加したもの（ヨーロッパ公開特
許第０１１９３３７号明細書）などが提案されている。
【０００４】しかしながら、これらの剥離液はレジスト
に対する剥離能力について十分ではなく、特に半導体素
子の製造過程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液や、プラズマのような過酷な化学的
環境に曝されて、変質したレジストに対しては剥離性が
低いため、実用性を欠き、また半導体素子の製造工程で
使用されるアルミニウムや銅などの金属層に対して腐食
をもたらすおそれがあるなどの欠点を有している。さら
に、従来の剥離液においては、通常レジストを剥離処理
する際に温度が１００℃以上でないと実用的な剥離性を
示さないため、剥離液の揮発量が多くて、経時的に組成
変化を生じるのを免れず、剥離液を安定に使用できない
という欠点がある。
に対する剥離能力について十分ではなく、特に半導体素
子の製造過程で例えば高温に曝されたり、エッチング処
理の際に強い酸溶液や、プラズマのような過酷な化学的
環境に曝されて、変質したレジストに対しては剥離性が
低いため、実用性を欠き、また半導体素子の製造工程で
使用されるアルミニウムや銅などの金属層に対して腐食
をもたらすおそれがあるなどの欠点を有している。さら
に、従来の剥離液においては、通常レジストを剥離処理
する際に温度が１００℃以上でないと実用的な剥離性を
示さないため、剥離液の揮発量が多くて、経時的に組成
変化を生じるのを免れず、剥離液を安定に使用できない
という欠点がある。
【０００５】最近、この腐食の問題をクリアーし、高い
剥離性を有する剥離液として、１，３‐ジメチル‐２‐
イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドと所定量の水
溶性有機アミンから成るものが提案された（特開平４−
３５０６６０号公報）。しかしながら、この剥離液は従
来の剥離液と比べて、防食性や剥離性は向上したが、実
用的なレベルに達しておらず、例えば近年、高密度集積
回路の配線材料として多用されているアルミニウムを９
５重量％以上含有するアルミニウムとケイ素と銅との合
金からなる基板（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ基板）に対しては、
銅の腐食から生じるエッチピットの発生を完全に防止す
ることができないという欠点がある。
剥離性を有する剥離液として、１，３‐ジメチル‐２‐
イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドと所定量の水
溶性有機アミンから成るものが提案された（特開平４−
３５０６６０号公報）。しかしながら、この剥離液は従
来の剥離液と比べて、防食性や剥離性は向上したが、実
用的なレベルに達しておらず、例えば近年、高密度集積
回路の配線材料として多用されているアルミニウムを９
５重量％以上含有するアルミニウムとケイ素と銅との合
金からなる基板（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ基板）に対しては、
銅の腐食から生じるエッチピットの発生を完全に防止す
ることができないという欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の多くの剥離液が有する欠点を克服し、剥離性に優
れ、しかもアルミニウムや銅などの金属材料を腐食する
ことのない新規なポジ型レジスト用剥離液を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
従来の多くの剥離液が有する欠点を克服し、剥離性に優
れ、しかもアルミニウムや銅などの金属材料を腐食する
ことのない新規なポジ型レジスト用剥離液を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する新規なポジ型レジスト用剥離液を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の含窒素有機ヒド
ロキシ化合物とピロカテコールを含有するか、あるいは
これに加えて水溶性有機溶剤を含有したものが、その目
的を達成できることを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
ましい性質を有する新規なポジ型レジスト用剥離液を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の含窒素有機ヒド
ロキシ化合物とピロカテコールを含有するか、あるいは
これに加えて水溶性有機溶剤を含有したものが、その目
的を達成できることを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、（Ａ）Ｎ‐ヒドロキ
シアルキル置換のアミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ
化合物の中から選ばれた少なくとも１種の含窒素有機ヒ
ドロキシ化合物及び（Ｂ）ピロカテコールを含有する
か、あるいはさらにこれに加えて（Ｃ）水溶性有機溶剤
を含有してなるポジ型レジスト用剥離液を提供するもの
である。
シアルキル置換のアミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ
化合物の中から選ばれた少なくとも１種の含窒素有機ヒ
ドロキシ化合物及び（Ｂ）ピロカテコールを含有する
か、あるいはさらにこれに加えて（Ｃ）水溶性有機溶剤
を含有してなるポジ型レジスト用剥離液を提供するもの
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明剥離液としては、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分からなる二成分系、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分と（Ｃ）成分からなる三成分系などが挙げられる。
本発明剥離液において（Ａ）成分として用いる含窒素有
機ヒドロキシ化合物は、Ｎ‐ヒドロキシアルキル置換の
アミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物であって、
このような化合物としては、例えばモノエタノールアミ
ン、Ｎ‐ヒドロキシエチルピペラジン、１‐（２‐ヒド
ロキシエチル）‐２‐ピロリドン、１‐（３‐ヒドロキ
シプロピル）‐２‐ピロリドン、４‐（２‐ヒドロキシ
エチル）モルホリン、Ｎ‐（２‐ヒドロキシエチル）フ
タルイミド、２‐（２‐ヒドロキシエチル）ピリジン、
３‐（１‐ピロリジル）‐１，２‐プロパンジオール、
２‐ピペリジンメタノール、Ｎ‐メチル‐３‐ピペリジ
ンメタノール、２‐ピペリジンエタノール、Ｎ‐メチル
‐３‐ヒドロキシピペリジン、Ｎ‐メチル‐４‐ピペリ
ジノール、１‐ピペリジンエタノール、エチルアミノエ
タノール、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノ
エタノール、２‐（２‐アミノエトキシ）エタノールな
どを挙げることができる。これらは１種用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよく、その中でも
特にモノエタノールアミンが好ましく用いられる。
分と（Ｂ）成分からなる二成分系、（Ａ）成分と（Ｂ）
成分と（Ｃ）成分からなる三成分系などが挙げられる。
本発明剥離液において（Ａ）成分として用いる含窒素有
機ヒドロキシ化合物は、Ｎ‐ヒドロキシアルキル置換の
アミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物であって、
このような化合物としては、例えばモノエタノールアミ
ン、Ｎ‐ヒドロキシエチルピペラジン、１‐（２‐ヒド
ロキシエチル）‐２‐ピロリドン、１‐（３‐ヒドロキ
シプロピル）‐２‐ピロリドン、４‐（２‐ヒドロキシ
エチル）モルホリン、Ｎ‐（２‐ヒドロキシエチル）フ
タルイミド、２‐（２‐ヒドロキシエチル）ピリジン、
３‐（１‐ピロリジル）‐１，２‐プロパンジオール、
２‐ピペリジンメタノール、Ｎ‐メチル‐３‐ピペリジ
ンメタノール、２‐ピペリジンエタノール、Ｎ‐メチル
‐３‐ヒドロキシピペリジン、Ｎ‐メチル‐４‐ピペリ
ジノール、１‐ピペリジンエタノール、エチルアミノエ
タノール、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノ
エタノール、２‐（２‐アミノエトキシ）エタノールな
どを挙げることができる。これらは１種用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよく、その中でも
特にモノエタノールアミンが好ましく用いられる。
【００１０】また、ピロカテコールは特に剥離性の向上
作用に優れる。
作用に優れる。
【００１１】また、（Ｃ）成分の水溶性有機溶剤として
は、水溶性を有する有機溶剤であれば特に限定されない
が、特にＮ‐メチル‐２‐ピロリドン、ジメチルイミダ
ゾリジノン及び一般式 ＨＯ−（Ｃ2Ｈ4Ｏ）n−Ｒ1 （Ｉ） （式中のＲ1は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは１〜３
の整数である）で表わされるグリコールエーテル系化合
物から選択される少なくとも１種が好ましい。一般式
（Ｉ）で表わされるグリコールエーテル系化合物として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエ
ーテルなどを挙げることができる。これらのグリコール
化合物は１種用いてもよいし、２種以上混合して用いて
もよい。
は、水溶性を有する有機溶剤であれば特に限定されない
が、特にＮ‐メチル‐２‐ピロリドン、ジメチルイミダ
ゾリジノン及び一般式 ＨＯ−（Ｃ2Ｈ4Ｏ）n−Ｒ1 （Ｉ） （式中のＲ1は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは１〜３
の整数である）で表わされるグリコールエーテル系化合
物から選択される少なくとも１種が好ましい。一般式
（Ｉ）で表わされるグリコールエーテル系化合物として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエ
ーテルなどを挙げることができる。これらのグリコール
化合物は１種用いてもよいし、２種以上混合して用いて
もよい。
【００１２】本発明剥離液に用いる各成分の配合比につ
いては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分からなる二成分系の場
合、剥離液全量に対して（Ａ）成分５０〜９８重量％と
（Ｂ）成分２〜５０重量％の割合で配合され、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分からなる三成分系の場合、
（Ａ）成分５０〜９３重量％と（Ｂ）成分２〜４０重量
％と（Ｃ）成分５〜３０重量％の割合で配合されるのが
好ましい。これらの配合割合を逸脱すると剥離性及び金
属層に対する腐食性において実用的なものを得ることが
できず好ましくない。
いては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分からなる二成分系の場
合、剥離液全量に対して（Ａ）成分５０〜９８重量％と
（Ｂ）成分２〜５０重量％の割合で配合され、（Ａ）成
分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分からなる三成分系の場合、
（Ａ）成分５０〜９３重量％と（Ｂ）成分２〜４０重量
％と（Ｃ）成分５〜３０重量％の割合で配合されるのが
好ましい。これらの配合割合を逸脱すると剥離性及び金
属層に対する腐食性において実用的なものを得ることが
できず好ましくない。
【００１３】また、本発明剥離液は必要に応じ水を配合
すると、剥離性をより向上させることができるため好ま
しい。この場合の水の配合量は、剥離液全量に対して１
〜１５重量％の範囲で選ぶのが好ましい。この配合量が
１重量％未満では剥離性を向上させる効果が乏しく、１
５重量％を超えると剥離性が低下するため好ましくな
い。
すると、剥離性をより向上させることができるため好ま
しい。この場合の水の配合量は、剥離液全量に対して１
〜１５重量％の範囲で選ぶのが好ましい。この配合量が
１重量％未満では剥離性を向上させる効果が乏しく、１
５重量％を超えると剥離性が低下するため好ましくな
い。
【００１４】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、シリ
コンウエーハやＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板上に形成さ
れたレジスト膜に６０〜１００℃の温度で接触させるこ
とで、レジスト膜を容易に剥離することができ、従来の
剥離液の処理温度である９０〜１３０℃に比べ低い温度
で処理することができる。
コンウエーハやＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどの基板上に形成さ
れたレジスト膜に６０〜１００℃の温度で接触させるこ
とで、レジスト膜を容易に剥離することができ、従来の
剥離液の処理温度である９０〜１３０℃に比べ低い温度
で処理することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト用剥離液は、比
較的低温でも剥離性に優れ、特に過酷な化学的環境に曝
され、変質したレジストも容易に剥離することができ、
かつアルミニウムや銅などの金属材料を腐食しないとい
う、顕著な効果を奏し、半導体素子の製造などに好適に
用いられる。
較的低温でも剥離性に優れ、特に過酷な化学的環境に曝
され、変質したレジストも容易に剥離することができ、
かつアルミニウムや銅などの金属材料を腐食しないとい
う、顕著な効果を奏し、半導体素子の製造などに好適に
用いられる。
【００１６】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、各例中の剥離性及び耐食性は次
のようにして試験し、評価した。 （１）剥離性 シリコンウエーハ上にポジ型レジストＯＦＰＲ‐８００
（東京応化工業社製）を乾燥膜厚１．３５μｍになるよ
うに塗布し、次いでこれを露光し、現像したのち、１５
０℃で５分間ポストベークしてレジスト膜を得た。次に
液温８０℃に保持した剥離液中にレジスト膜を形成した
シリコンウエーハを浸漬し、２分後、５分後、１０分後
及び１５分後にこれらを取り出して、その剥離性を以下
の基準に従って評価した。 ◎…２分未満で剥離する ○…２〜５分未満で剥離する △…５〜１０分で剥離する ×…１０分経過後も剥離しない
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、各例中の剥離性及び耐食性は次
のようにして試験し、評価した。 （１）剥離性 シリコンウエーハ上にポジ型レジストＯＦＰＲ‐８００
（東京応化工業社製）を乾燥膜厚１．３５μｍになるよ
うに塗布し、次いでこれを露光し、現像したのち、１５
０℃で５分間ポストベークしてレジスト膜を得た。次に
液温８０℃に保持した剥離液中にレジスト膜を形成した
シリコンウエーハを浸漬し、２分後、５分後、１０分後
及び１５分後にこれらを取り出して、その剥離性を以下
の基準に従って評価した。 ◎…２分未満で剥離する ○…２〜５分未満で剥離する △…５〜１０分で剥離する ×…１０分経過後も剥離しない
【００１７】（２）耐食性 各剥離液にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ基板を２０分間浸漬したの
ち、水洗し、腐食作用によるエッチピットの有無を光学
顕微鏡により観察した。 ○…エッチピットが全くないもの。 △…エッチピットが多少観察されたが実用上問題がない
もの。 ×…エッチピットが多数観察され実用上使用できないも
の。
ち、水洗し、腐食作用によるエッチピットの有無を光学
顕微鏡により観察した。 ○…エッチピットが全くないもの。 △…エッチピットが多少観察されたが実用上問題がない
もの。 ×…エッチピットが多数観察され実用上使用できないも
の。
【００１８】実施例１〜６、比較例１〜４ 含窒素有機ヒドロキシ化合物、ピロカテコール、水溶性
有機溶剤、水を表１に示す割合で配合して剥離液を調製
し、それぞれの剥離液について剥離性及び耐食性を評価
した。その結果を表１に示す。
有機溶剤、水を表１に示す割合で配合して剥離液を調製
し、それぞれの剥離液について剥離性及び耐食性を評価
した。その結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＡＥＥ：２‐（２‐アミノエトキシ）エタノール ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン ＤＧＭＢ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル ＤＭＩ：ジメチルイミダゾリジノン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）Ｎ‐ヒドロキシアルキル置換のア
ミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物の中から選ば
れた少なくとも１種の含窒素有機ヒドロキシ化合物及び
（Ｂ）ピロカテコールを含有してなるポジ型レジスト用
剥離液。 - 【請求項２】 （Ａ）Ｎ‐ヒドロキシアルキル置換のア
ミン及び含窒素複素環式ヒドロキシ化合物の中から選ば
れた少なくとも１種の含窒素有機ヒドロキシ化合物、
（Ｂ）ピロカテコール及び（Ｃ）水溶性有機溶剤を含有
してなるポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項３】 水溶性有機溶剤がＮ‐メチル‐２‐ピロ
リドン、ジメチルイミダゾリジノン及び一般式 ＨＯ−（Ｃ2Ｈ4Ｏ）n−Ｒ1 （式中のＲ1は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは１〜３
の整数である）で表わされるグリコールエーテル系化合
物から選択される少なくとも１種である請求項２記載の
ポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項４】 （Ａ）成分５０〜９３重量％、（Ｂ）成
分２〜４０重量％及び（Ｃ）成分５〜３０重量％の割合
で配合される請求項２又は３記載のポジ型レジスト用剥
離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155499A JP3161705B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155499A JP3161705B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26744893A Division JP3121185B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258825A true JPH11258825A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3161705B2 JP3161705B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=11781178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155499A Expired - Fee Related JP3161705B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3161705B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001209191A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Nec Corp | 剥離剤組成物および剥離方法 |
| JP2002040675A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| JP2002062669A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| JP2002244310A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| CN116179286A (zh) * | 2022-12-05 | 2023-05-30 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种不含羟胺的水系清洗剂 |
-
1999
- 1999-01-20 JP JP1155499A patent/JP3161705B2/ja not_active Expired - Fee Related
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