CN116179286A - 一种不含羟胺的水系清洗剂 - Google Patents
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- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title claims abstract description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- CWLUFVAFWWNXJZ-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrolidine Chemical compound ON1CCCC1 CWLUFVAFWWNXJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- -1 alcohol amine Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NQTADLQHYWFPDB-UHFFFAOYSA-N N-Hydroxysuccinimide Chemical compound ON1C(=O)CCC1=O NQTADLQHYWFPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- JQBCKRZQAMELAD-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrolidin-2-one Chemical compound ON1CCCC1=O JQBCKRZQAMELAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YVBPNYXAQNAMLH-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-methylpyrrolidine Chemical compound CC1CCCN1O YVBPNYXAQNAMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UPZBLXREZJIOHJ-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-piperidinone Chemical compound ON1CCCCC1=O UPZBLXREZJIOHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LWCYKKRWFZZFMA-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-3-methylpyrrolidine Chemical compound CC1CCN(O)C1 LWCYKKRWFZZFMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BZAGVQIGRQBXSD-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-4-methylpiperidine Chemical compound CC1CCN(O)CC1 BZAGVQIGRQBXSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUXKULRFRATXSI-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrole-2,5-dione Chemical compound ON1C(=O)C=CC1=O BUXKULRFRATXSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FMOBSOJJHRLFMX-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypyrrolidin-2-one Chemical compound CON1CCCC1=O FMOBSOJJHRLFMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims description 2
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- LKPFBGKZCCBZDK-UHFFFAOYSA-N n-hydroxypiperidine Chemical compound ON1CCCCC1 LKPFBGKZCCBZDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010909 process residue Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
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Abstract
本发明提供一种不含羟胺的水系清洗剂制备方法及应用,其包含以下组分:醇胺、1‑羟基吡咯烷及其衍生物、邻苯二酚、二甲基亚砜和余量的水。本发明的水系清洗剂不含羟胺,解决了羟胺类清洗剂原料来源单一,供应风险和产品使用安全性风险问题。同时对金属铝、钛和氮化钛基本无腐蚀。且清洗工艺使用温度窗口大,有利于产品生产的稳定性。该清洗剂能有效的去除晶圆蚀刻后的光阻残留物、无机物残留物、有机聚合物以及金属‑有机聚合物,实现对金属垫、金属线和通孔结构晶圆的高效清洗。本发明的清洗剂在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种不含羟胺的水系清洗剂制备方法及应用。
背景技术
国际上集成电路工艺的最小芯片尺寸以达到5nm,国内主流的技术节点在350nm-90nm之间,处于深亚微米级。随着关键尺寸的缩小,对工艺的要求越来越高和精确,也使得对工艺要有更深入的理解和掌握。
对于芯片而言.经干法蚀刻工艺处理后能得到理想的刻蚀速率、选择比、侧壁形貌等。但干法刻蚀后会产生无机、有机、有机-金属聚合物和光阻等残留,会影响芯片后续工艺的稳定性和良率,这些残留物去除的有效性变的越来也重要。
铝制程芯片刻蚀后残留物是和介电质蚀刻共生的,随着技术的升级,不同的材料类型被应用于铝制程中。羟胺能在不破坏介电质层的同时有效去除蚀刻残留物,目前铝制程残留物的去除多以羟胺清洗液为主。但由于使用羟胺,导致清洗剂原料来源固定化,且羟胺在储存和使用过程中存在爆炸风险。因此使用羟胺替代物,开发低成本、高效、兼容性更强的水系清洗剂是本领域改进优化的方向。
发明内容
本发明的目的是为了提供一种不含羟胺的水系清洗剂,对多种膜层材料腐蚀速率小,低成本、安全、使用温度窗口大,且能有效去除铝制程刻蚀后残留物。
本发明通过以下技术方案来解决上述问题,该新型清洗液组合物含有:
a)醇胺;
b)1-羟基吡咯烷及其衍生物;
c)邻苯二酚;
d)二甲基亚砜;
e)水。
其中,所述的醇胺选自二乙醇胺、三乙醇胺、二异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二异丙醇胺、羟乙基乙二胺、二甘醇胺、单乙醇胺、异丙醇胺中的一种或几种;所述醇胺的含量较优为1-60%,优选5-45%。
其中,所述的1-羟基吡咯烷及其衍生物含有的结构通式如下:
其中,取代基R1和R2独立地选自氢原子、甲基、乙基、甲氧基、羟基、羧基、乙烯基中的一种或多种;X独立地选自碳原子、氧原子的一种;n的数值为1和2的一种。
其中,取代基R1位置为杂环中2、3、4号取代位的其中一种。
其中,所述的1-羟基吡咯烷及其衍生物选自1-羟基吡咯烷、N-羟基丁二酰亚胺、N-羟基哌啶、1-羟基-2-甲基-吡咯烷、1-羟基-3-甲基-吡咯烷、1-羟基-2-哌啶酮、1-羟基-4-甲基哌啶、N-羟基-2-吡咯烷酮、N-甲氧基-2-吡咯烷酮、N-羟基丁二酰亚胺、N-羟基马来酰亚胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-甲基吗啉氮氧化物中的一种或几种;所述1-羟基吡咯烷及其衍生物的含量较优为10-40%,优选15-35%。
其中,所述的腐蚀抑制剂为邻苯二酚,含量较优为1-12%,优选3-10%。
其中,所述的溶剂为二甲基亚砜,含量较优为0.1-40%,优选0.1-20%。
余量是水。
本发明的清洗剂由上述成分简单均匀混合即可制得。
本发明所述%均为各组分质量占原料总质量的百分比,即质量分数。
本发明中的清洗剂,可以在55℃至75℃下清洗蚀刻后的残留物。具体方法如下:将干法蚀刻后的晶圆浸没入本发明的清洗剂中,在55℃至75℃下浸泡一定的时间后,取出后通过N-甲基吡咯烷酮中间清洗过程,用高纯氮气吹干。
本发明的技术效果在于:
本发明的清洗剂通过醇胺和1-羟基吡咯烷及其衍生物可以有效的去除铝制程金属衬垫(pad)、金属线(line)、通孔(via)晶圆上的干法蚀刻后残余物。
本发明的清洗剂通过金属腐蚀抑制剂可以抑制对金属铝的腐蚀作用和其他设备材料的腐蚀。
本发明的清洗剂解决了国际上含羟胺的有机清洗剂中羟胺原料供应商单一、价格高昂、供货风险、储存危险等问题。
具体实施方式
下面通过具体实施例具体阐述本发明清洗剂的优点,但本发明的保护范围不仅仅局限于下述实施例。
本发明的所用试剂及原料均市售可得,本发明的清洗剂由上述组分混合配置即可制备。
表1实施例清洗液的组分和含量
为了更好地理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
效果实施例
为了进一步考察本发明的清洗剂的清洗性能,采用了如下技术手段,将干法蚀刻1,2,3后晶圆浸没于按照表1组合得到的清洗剂中,在55-75℃下以约100rpm转速磁力搅拌10~30分钟,取出在室温下进行中间漂洗后高纯氮气吹干。对材料的腐蚀效果和晶圆的清洗效果如下表2所示。
表2部分对比例和实施例的晶圆清洗效果
从表2可以看出,本发明的实施例清洗剂组合物对半导体制程中使用到的金属铝和氮化钛的腐蚀较小,大部分实施例对铝的腐蚀速率均小于达到铝制程腐蚀速率的常规要求。对铝金属线和通孔结构晶圆干法蚀刻后残余物具有良好的清洗效果,基本无残余,同时使用温度窗口大,便于工艺操作。
本发明的水系清洗剂,解决了羟胺类清洗剂原料来源固定化,原料供应风险,产品储存和使用不安全的问题,在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。
综上,本发明的先进性在于:
1)提供了一种替代羟胺的水系清洗剂的组合物清洗剂,对蚀刻后晶圆有良好的清洗效果。
2)其对铝和氮化钛的腐蚀速率较小。
3)清洗窗口大,有利于工艺操作。
Claims (8)
1.一种不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,包含以下组分:
(a)醇胺;
(b)1-羟基吡咯烷或其衍生物;
(c)邻苯二酚;
(d)二甲基亚砜;
(e)余量的水。
2.根据权利要求1所述的不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,所述的醇胺质量分数为1-60%,1-羟基吡咯烷或其衍生物质量分数为10-40%,邻苯二酚质量分数为1-12%,二甲基亚砜的质量分数为0.1-40%,水的质量分数为1%-30%。
4.根据权利要求3所述的不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,结构通式中,所述取代基R1和R2独立地选自氢原子、甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、羟基、羧基、乙烯基中的一种或多种;X独立地选自碳原子、氧原子中的一种;n的数值包括1或2。
5.根据权利要求4所述的不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,结构通式中,其特征在于,所述取代基R1位置为杂环中任意位置。
6.根据权利要求1所述的不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,所述的1-羟基吡咯烷、1-羟基吡咯烷酮及其衍生物选自1-羟基吡咯烷、N-羟基丁二酰亚胺、N-羟基哌啶、1-羟基-2-甲基-吡咯烷、1-羟基-3-甲基-吡咯烷、1-羟基-2-哌啶酮、1-羟基-4-甲基哌啶、N-羟基-2-吡咯烷酮、N-甲氧基-2-吡咯烷酮、N-羟基丁二酰亚胺、N-羟基马来酰亚胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N-甲基吗啉氮氧化物中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,所述的醇胺选自二乙醇胺、三乙醇胺、二异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二异丙醇胺、羟乙基乙二胺、二甘醇胺、单乙醇胺、异丙醇胺中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的不含羟胺的水系清洗剂,其特征在于,所述的清洗剂中不含有羟胺。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211548892.XA CN116179286A (zh) | 2022-12-05 | 2022-12-05 | 一种不含羟胺的水系清洗剂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211548892.XA CN116179286A (zh) | 2022-12-05 | 2022-12-05 | 一种不含羟胺的水系清洗剂 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116179286A true CN116179286A (zh) | 2023-05-30 |
Family
ID=86437270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211548892.XA Pending CN116179286A (zh) | 2022-12-05 | 2022-12-05 | 一种不含羟胺的水系清洗剂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116179286A (zh) |
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