JP2001022096A - ポジ型レジスト用剥離液 - Google Patents
ポジ型レジスト用剥離液Info
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- JP2001022096A JP2001022096A JP18922199A JP18922199A JP2001022096A JP 2001022096 A JP2001022096 A JP 2001022096A JP 18922199 A JP18922199 A JP 18922199A JP 18922199 A JP18922199 A JP 18922199A JP 2001022096 A JP2001022096 A JP 2001022096A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅配線材料に対して、銅を劣化及び腐食する
ことがなく、且つ低温で優れた剥離性を示すポジ型レジ
スト剥離液をを提供する。 【解決手段】 テトラアンモニウム水酸化物と、トリア
ゾール化合物と、没食子酸誘導体とを含有する剥離液
に、アミド化合物、イミダゾリジノン化合物およびスル
ホキシド化合物からなる群より選択される１種以上の化
合物とをさらに含有させる。
ことがなく、且つ低温で優れた剥離性を示すポジ型レジ
スト剥離液をを提供する。 【解決手段】 テトラアンモニウム水酸化物と、トリア
ゾール化合物と、没食子酸誘導体とを含有する剥離液
に、アミド化合物、イミダゾリジノン化合物およびスル
ホキシド化合物からなる群より選択される１種以上の化
合物とをさらに含有させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の
半導体素子や液晶パネル素子製造において使用されるポ
ジ型レジスト剥離液に関するものである。
半導体素子や液晶パネル素子製造において使用されるポ
ジ型レジスト剥離液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或いは、液
晶パネル素子を製造する際、下地に配線層や絶縁膜を形
成した後、その上にフォトレジストを塗布し、その後露
光、現像してレジストパターンを形成する。次いでその
パターンをマスクにしてエッチング処理をし、下地の配
線層や絶縁膜にパターンを転写する。その後、剥離液を
使用して不要になったレジスト膜を除去する方法と、酸
素プラズマによる灰化除去（アッシング）をした後、そ
の残さ物を同様に剥離液を使用して除去する方法とがあ
る。
晶パネル素子を製造する際、下地に配線層や絶縁膜を形
成した後、その上にフォトレジストを塗布し、その後露
光、現像してレジストパターンを形成する。次いでその
パターンをマスクにしてエッチング処理をし、下地の配
線層や絶縁膜にパターンを転写する。その後、剥離液を
使用して不要になったレジスト膜を除去する方法と、酸
素プラズマによる灰化除去（アッシング）をした後、そ
の残さ物を同様に剥離液を使用して除去する方法とがあ
る。
【０００３】従来これらの剥離液として、アルキルベン
ゼンスルホン酸にフェノール系化合物や塩素系溶剤を配
合した酸系剥離液や水溶性有機アミンと極性溶剤とから
なるアルカリ性剥離液が使用されている。アルカリ性剥
離液の中でも比較的アルカリ性の強いものは、前述のい
ずれの方法にも使用できるものが多く、アルカリ性剥離
液、特にアルミニウムに代表されるような配線材料に効
果的な剥離液が提案された。このような剥離液として、
例えば有機極性溶剤とアミンに腐食抑制剤として芳香族
又は複素環構造を有する化合物を添加した剥離液（特開
平５-４５８９４号公報）、酸化還元電位を有する求核
アミン化合物と有機溶剤と水からなる剥離液（特開平６
-２６６１１９号公報）、含窒素有機ヒドロキシ化合物
と芳香族ヒドロキシ化合物を含有し、任意にトリアゾー
ル化合物を含有する剥離液（特開平７-１２０９３７号
公報）、有機溶剤と求核性アミンに特定の還元性化合物
を添加した剥離液（特開平７-２１９２４１号公報）、
ヒドロキシアミンとアルコールアミン化合物に没食子酸
誘導体を添加した剥離液（特開平９-２９６２００号公
報）などが提案されている。
ゼンスルホン酸にフェノール系化合物や塩素系溶剤を配
合した酸系剥離液や水溶性有機アミンと極性溶剤とから
なるアルカリ性剥離液が使用されている。アルカリ性剥
離液の中でも比較的アルカリ性の強いものは、前述のい
ずれの方法にも使用できるものが多く、アルカリ性剥離
液、特にアルミニウムに代表されるような配線材料に効
果的な剥離液が提案された。このような剥離液として、
例えば有機極性溶剤とアミンに腐食抑制剤として芳香族
又は複素環構造を有する化合物を添加した剥離液（特開
平５-４５８９４号公報）、酸化還元電位を有する求核
アミン化合物と有機溶剤と水からなる剥離液（特開平６
-２６６１１９号公報）、含窒素有機ヒドロキシ化合物
と芳香族ヒドロキシ化合物を含有し、任意にトリアゾー
ル化合物を含有する剥離液（特開平７-１２０９３７号
公報）、有機溶剤と求核性アミンに特定の還元性化合物
を添加した剥離液（特開平７-２１９２４１号公報）、
ヒドロキシアミンとアルコールアミン化合物に没食子酸
誘導体を添加した剥離液（特開平９-２９６２００号公
報）などが提案されている。
【０００４】従来研究されてきた剥離液は、それぞれそ
の高い腐食抑制効果と剥離性能を有しているものの、ア
ルミニウムと銅との合金やアルミニウムと珪素と銅の合
金等の配線基板においてその効果を発揮するにすぎな
い。
の高い腐食抑制効果と剥離性能を有しているものの、ア
ルミニウムと銅との合金やアルミニウムと珪素と銅の合
金等の配線基板においてその効果を発揮するにすぎな
い。
【０００５】近年、配線材料はより配線抵抗の少ない銅
単独での使用へと移行しており、この種の基板に対する
腐食抑制効果と剥離性能のバランスが求められるように
なっている。しかしながら、上記剥離液組成物では、銅
に対する腐食抑制が十分でなく、この問題を完全に満足
することができなかった。
単独での使用へと移行しており、この種の基板に対する
腐食抑制効果と剥離性能のバランスが求められるように
なっている。しかしながら、上記剥離液組成物では、銅
に対する腐食抑制が十分でなく、この問題を完全に満足
することができなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
新しい配線材料に対して、特に銅を劣化及び腐食するこ
とがなく、且つ低温で剥離可能な新規なポジ型レジスト
剥離液を提供することを目的とする。
新しい配線材料に対して、特に銅を劣化及び腐食するこ
とがなく、且つ低温で剥離可能な新規なポジ型レジスト
剥離液を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
テトラアルキルアンモニウム水酸化物と、水と、トリア
ゾール化合物と、没食子酸誘導体と、アミド化合物、イ
ミダゾリジノン化合物およびスルホキシド化合物からな
る群（以下、この群を極性溶剤と総称することがある）
より選択される１以上の化合物とを含有するポジ型レジ
スト用剥離液によって達成される。
テトラアルキルアンモニウム水酸化物と、水と、トリア
ゾール化合物と、没食子酸誘導体と、アミド化合物、イ
ミダゾリジノン化合物およびスルホキシド化合物からな
る群（以下、この群を極性溶剤と総称することがある）
より選択される１以上の化合物とを含有するポジ型レジ
スト用剥離液によって達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に使用するテトラアルキル
アンモニウム水酸化物としては、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（以下、ＴＭＡＨという）、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、
ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチ
ル（２−ヒドロキシルエチル）アンモニウムヒドロキシ
ド（以下コリン）、トリエチル（２−ヒドロキシルエチ
ル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。上記化
合物の中でＴＭＡＨ、コリン等が好適に用いられれる。
テトラアルキルアンモニウム水酸化物を用いることで、
低温での剥離性が維持できる。
アンモニウム水酸化物としては、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（以下、ＴＭＡＨという）、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、
ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチ
ル（２−ヒドロキシルエチル）アンモニウムヒドロキシ
ド（以下コリン）、トリエチル（２−ヒドロキシルエチ
ル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。上記化
合物の中でＴＭＡＨ、コリン等が好適に用いられれる。
テトラアルキルアンモニウム水酸化物を用いることで、
低温での剥離性が維持できる。
【０００９】本発明に使用するトリアゾール化合物とし
ては、特に一般式（Ｉ）
ては、特に一般式（Ｉ）
【化１】 （式中のＲ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子、
水酸基、アルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒド
ロキシアルキル基である）で表されるトリアゾール化合
物が好ましい。
水酸基、アルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒド
ロキシアルキル基である）で表されるトリアゾール化合
物が好ましい。
【００１０】このようなものとしては、例えばベンゾト
リアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリ
アゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾ
トリアゾール、１―ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニ
トロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾ
トリアゾール等を挙げることができる。これらの化合物
は1種でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。
リアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリ
アゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾ
トリアゾール、１―ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニ
トロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾ
トリアゾール等を挙げることができる。これらの化合物
は1種でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００１１】本発明に使用される没食子酸誘導体として
は、特に一般式（ＩＩ）
は、特に一般式（ＩＩ）
【化２】 （式中のＲ３は水素原子、又は炭素数が１〜１０のアル
キル基又はアリール基である）で表される没食子酸誘導
体が好ましい。このような誘導体としては、例えば没食
子酸、没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸プロ
ピル等を挙げることができる。これらの化合物は1種で
も、２種以上組み合わせて用いてもよい。
キル基又はアリール基である）で表される没食子酸誘導
体が好ましい。このような誘導体としては、例えば没食
子酸、没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸プロ
ピル等を挙げることができる。これらの化合物は1種で
も、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００１２】本発明においては、上述した成分の他に、
極性溶剤成分としてアミド化合物、イミダゾリジノン化
合物またはスルホキシド化合物からなる群より選ばれる
を１種以上の化合物を剥離液に含有させる。これによ
り、銅配線への腐食を防止することができる。本発明に
使用されうるアミド化合物としては、ホルムアミド、ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミドなどのホ
ルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなど
のアセトアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ
−エチル−２−ピロリジノンなどのピロリジン類が好ま
しい例として挙げられる。本発明に使用されうるイミダ
ゾリジノン化合物としては、ジメチルイミダゾリジンが
好ましい例として挙げられ、スルホキシド化合物として
は、ジメチルスルホキシドが好ましい例として挙げられ
る。これらの化合物は1種でも、２種以上組み合わせて
用いてもよい。
極性溶剤成分としてアミド化合物、イミダゾリジノン化
合物またはスルホキシド化合物からなる群より選ばれる
を１種以上の化合物を剥離液に含有させる。これによ
り、銅配線への腐食を防止することができる。本発明に
使用されうるアミド化合物としては、ホルムアミド、ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミドなどのホ
ルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなど
のアセトアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ
−エチル−２−ピロリジノンなどのピロリジン類が好ま
しい例として挙げられる。本発明に使用されうるイミダ
ゾリジノン化合物としては、ジメチルイミダゾリジンが
好ましい例として挙げられ、スルホキシド化合物として
は、ジメチルスルホキシドが好ましい例として挙げられ
る。これらの化合物は1種でも、２種以上組み合わせて
用いてもよい。
【００１３】本発明の剥離液は、上述した各成分を混合
して調製されるが、必要に応じてアルカノールアミン化
合物等を添加することができる。このようなアルカノー
ルアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミンなどのエタノ
ールアミン類；モノプロパノールアミン、ジプロパノー
ルアミン、トリプロパノールアミン、イソプロパノール
アミン、ジイソプロパノールアミンなどのプロパノール
アミン類；Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミンなどのＮ−置換エタ
ノールアミン類；Ｎ−メチルプロパノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルプ
ロパノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノ
ール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノール、２−
アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２−プロパノ
ールなどのＮ−置換プロパノールアミン類；等が挙げら
れる。上記化合物の中でもエタノールアミン類やＮ−置
換エタノールアミン類が好ましく、とりわけモノエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノ
ールアミンが好適である。これらは、剥離液の２５重量
％以下、好ましくは２０重量％以下の割合で添加するこ
ともできる。
して調製されるが、必要に応じてアルカノールアミン化
合物等を添加することができる。このようなアルカノー
ルアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジ
エタノールアミン、トリエタノールアミンなどのエタノ
ールアミン類；モノプロパノールアミン、ジプロパノー
ルアミン、トリプロパノールアミン、イソプロパノール
アミン、ジイソプロパノールアミンなどのプロパノール
アミン類；Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミンなどのＮ−置換エタ
ノールアミン類；Ｎ−メチルプロパノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルプ
ロパノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノ
ール、２−（２−アミノエトキシ）プロパノール、２−
アミノ−１−プロパノール、１−アミノ−２−プロパノ
ールなどのＮ−置換プロパノールアミン類；等が挙げら
れる。上記化合物の中でもエタノールアミン類やＮ−置
換エタノールアミン類が好ましく、とりわけモノエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノ
ールアミンが好適である。これらは、剥離液の２５重量
％以下、好ましくは２０重量％以下の割合で添加するこ
ともできる。
【００１４】本発明に用いる各成分の配合比について
は、テトラアンモニウム水酸化物が０．１〜１５重量
％、好ましくは０．５〜５重量％、水が１〜３０重量
％、好ましくは３〜２０重量％、トリアゾール化合物が
０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％、没
食子酸誘導体が０．１〜１０重量％、好ましくは０．５
〜１０重量％、極性溶剤が３０〜９５重量％、好ましく
は４０〜９０重量％である。
は、テトラアンモニウム水酸化物が０．１〜１５重量
％、好ましくは０．５〜５重量％、水が１〜３０重量
％、好ましくは３〜２０重量％、トリアゾール化合物が
０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％、没
食子酸誘導体が０．１〜１０重量％、好ましくは０．５
〜１０重量％、極性溶剤が３０〜９５重量％、好ましく
は４０〜９０重量％である。
【００１５】本発明の剥離液を、銅基板やシリコーンウ
エハ基板上に形成されたレジスト膜に、４０〜１００℃
の温度で接触させることで、レジスト膜を剥離すること
ができる。その後、必要に応じて超純水で洗浄する前
に、イソプロピルアルコール等の低級アルコール類やメ
チルエチルケトン等のケトン類で洗浄した後、超純水に
て洗浄し乾燥することで残さのない基板を得ることがで
きる。
エハ基板上に形成されたレジスト膜に、４０〜１００℃
の温度で接触させることで、レジスト膜を剥離すること
ができる。その後、必要に応じて超純水で洗浄する前
に、イソプロピルアルコール等の低級アルコール類やメ
チルエチルケトン等のケトン類で洗浄した後、超純水に
て洗浄し乾燥することで残さのない基板を得ることがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例を用いて、本発明を具体的に説
明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものでは
ない。 （実施例１〜１０、比較例１〜４）シリコーンウエハ上
に銅、酸化膜を順次成膜し、その酸化膜上に市販のポジ
型レジスト組成物を塗布、乾燥してレジスト膜を形成し
た後、パターンを転写し、これをマスクとして酸化膜を
エッチングし除去した。続いてアッシングすることによ
りレジスト膜の約８０％を除去し、無機−有機質が混在
する残さ物が残存しているウエハを得た。次に液温４５
℃に保持した表１に示す組成を有する剥離液中に、この
ウエハを浸漬した後、イソプロパノールで３分間洗浄
し、超純水で洗浄の後、スピン乾燥を行った。処理後の
ウエハのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察により、残存
するレジスト膜やエッチング残さ物の有無から剥離性を
確認し、またエッチングにより出てきた銅の腐食の度合
いを確認した。これらの判断基準は以下の通りである。
得られた結果を表１に示す。
明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものでは
ない。 （実施例１〜１０、比較例１〜４）シリコーンウエハ上
に銅、酸化膜を順次成膜し、その酸化膜上に市販のポジ
型レジスト組成物を塗布、乾燥してレジスト膜を形成し
た後、パターンを転写し、これをマスクとして酸化膜を
エッチングし除去した。続いてアッシングすることによ
りレジスト膜の約８０％を除去し、無機−有機質が混在
する残さ物が残存しているウエハを得た。次に液温４５
℃に保持した表１に示す組成を有する剥離液中に、この
ウエハを浸漬した後、イソプロパノールで３分間洗浄
し、超純水で洗浄の後、スピン乾燥を行った。処理後の
ウエハのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察により、残存
するレジスト膜やエッチング残さ物の有無から剥離性を
確認し、またエッチングにより出てきた銅の腐食の度合
いを確認した。これらの判断基準は以下の通りである。
得られた結果を表１に示す。
【００１７】（１）剥離性 ◎：１０分以下で剥離する ○：１０〜２０分で剥離する ×：２０分以上経過しても剥離できない （２）腐食抑制効果 ◎：全く腐食なし ○：銅表面が若干劣化しているが、腐食のレベルではな
い。 △：一部腐食あり ×：激しく腐食、もしくは完全に溶解
い。 △：一部腐食あり ×：激しく腐食、もしくは完全に溶解
【００１８】
【表１】
【００１９】以上の結果から、本発明の剥離液組成物を
用いることによって、エッチング工程やアッシング工程
に曝され変質したフォトレジストやその残さ物を十分に
剥離し、且つ下地配線材料である銅の基板に対して腐食
を起こさず、且つ低温で剥離することが可能となる。
用いることによって、エッチング工程やアッシング工程
に曝され変質したフォトレジストやその残さ物を十分に
剥離し、且つ下地配線材料である銅の基板に対して腐食
を起こさず、且つ低温で剥離することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の剥離液組成物を用いることによ
って、エッチング工程やアッシング工程に曝され変質し
たフォトレジストやその残さ物を低温で十分に剥離し、
且つ下地配線材料である銅の基板に対して腐食を起こさ
ず剥離することが可能となる。
って、エッチング工程やアッシング工程に曝され変質し
たフォトレジストやその残さ物を低温で十分に剥離し、
且つ下地配線材料である銅の基板に対して腐食を起こさ
ず剥離することが可能となる。
Claims (2)
- 【請求項１】 テトラアルキルアンモニウム水酸化物
と、水と、トリアゾール化合物と、没食子酸誘導体と、
アミド化合物、イミダゾリジノン化合物およびスルホキ
シド化合物からなる群より選択される１種以上の化合物
とを含有するポジ型レジスト用剥離液。 - 【請求項２】 前記トリアゾール化合物と没食子酸誘導
体の含有量が、それぞれ０．１〜１０重量％である請求
項１記載のポジ型レジスト用剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18922199A JP2001022096A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18922199A JP2001022096A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001022096A true JP2001022096A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16237608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18922199A Ceased JP2001022096A (ja) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | ポジ型レジスト用剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001022096A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-07-02 JP JP18922199A patent/JP2001022096A/ja not_active Ceased
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