JP2002040675A - レジスト剥離剤 - Google Patents
レジスト剥離剤Info
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- JP2002040675A JP2002040675A JP2000227567A JP2000227567A JP2002040675A JP 2002040675 A JP2002040675 A JP 2002040675A JP 2000227567 A JP2000227567 A JP 2000227567A JP 2000227567 A JP2000227567 A JP 2000227567A JP 2002040675 A JP2002040675 A JP 2002040675A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、ヒドロキシルアミンを含
有せず、優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ
合金やチタンに対して腐食を起こさないレジスト剥離剤
を提供することである。 【解決手段】Ｎ−アルキルモルホリンオキシドを必須成
分とするレジスト剥離剤を製造し、用いる。
有せず、優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ
合金やチタンに対して腐食を起こさないレジスト剥離剤
を提供することである。 【解決手段】Ｎ−アルキルモルホリンオキシドを必須成
分とするレジスト剥離剤を製造し、用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
プリント配線基板の製造工程におけるフォトレジスト層
を剥離するための剥離剤に関するものである。
プリント配線基板の製造工程におけるフォトレジスト層
を剥離するための剥離剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、基体上にフォトレシ
ストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回
路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離する
か、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去
した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造され
る。フォトレジストを基体上から剥離するため、あるい
はレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々
なレジスト剥離剤が提案されてきた。特開昭６２−４９
３５５号公報にはアルカノールアミン類を用いたレジス
ト剥離液組成物が開示されている。ところが、アルカノ
ールアミンを用いた剥離液組成物では、ドライエッチン
グ、アッシング、イオン注入などの処理をされ無機的性
質に変質したレジスト残渣の剥離には不十分となってい
る。そこで、最近になってより剥離性の優れたレジスト
用剥離液組成物としてヒドロキシルアミンを含むものが
提案された。例えば特開平４−２８９８６６号公報に
は、ヒドロキシルアミンとアルカノールアミンを含むレ
ジスト用剥離液組成物が、特開平６−２６６１１９号公
報にはヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、カテ
コールを含むレジスト用剥離液組成物が提案されてい
る。このヒドロキシルアミンを含むレジスト用剥離組成
物は優れた剥離性を示すものの、アルミ合金、チタンに
対して腐食を起こすという問題があるため、防食剤を添
加して使用することが提案されている（特開平９−９６
９１１号公報）。しかし、根本的にヒドロキシルアミン
という化合物は不安定であり、分解、爆発などの危険性
がある。そのため、ヒドロキシルアミンを含まないレジ
スト剥離剤の開発が求められていた。
ストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回
路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離する
か、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去
した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造され
る。フォトレジストを基体上から剥離するため、あるい
はレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々
なレジスト剥離剤が提案されてきた。特開昭６２−４９
３５５号公報にはアルカノールアミン類を用いたレジス
ト剥離液組成物が開示されている。ところが、アルカノ
ールアミンを用いた剥離液組成物では、ドライエッチン
グ、アッシング、イオン注入などの処理をされ無機的性
質に変質したレジスト残渣の剥離には不十分となってい
る。そこで、最近になってより剥離性の優れたレジスト
用剥離液組成物としてヒドロキシルアミンを含むものが
提案された。例えば特開平４−２８９８６６号公報に
は、ヒドロキシルアミンとアルカノールアミンを含むレ
ジスト用剥離液組成物が、特開平６−２６６１１９号公
報にはヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、カテ
コールを含むレジスト用剥離液組成物が提案されてい
る。このヒドロキシルアミンを含むレジスト用剥離組成
物は優れた剥離性を示すものの、アルミ合金、チタンに
対して腐食を起こすという問題があるため、防食剤を添
加して使用することが提案されている（特開平９−９６
９１１号公報）。しかし、根本的にヒドロキシルアミン
という化合物は不安定であり、分解、爆発などの危険性
がある。そのため、ヒドロキシルアミンを含まないレジ
スト剥離剤の開発が求められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
提案されてきたレジスト剥離剤は、剥離性が不十分であ
ったり、またアルミ合金やチタンに対して腐食を起こす
という問題がある。またヒドロキシルアミンは不安定
で、分解、爆発の危険性がある。そのため、本発明の目
的は、ヒドロキシルアミンを含有せず、優れたレジスト
剥離性を示すとともに、アルミ合金やチタンに対して腐
食を起こさないレジスト剥離剤を提供することにある。
提案されてきたレジスト剥離剤は、剥離性が不十分であ
ったり、またアルミ合金やチタンに対して腐食を起こす
という問題がある。またヒドロキシルアミンは不安定
で、分解、爆発の危険性がある。そのため、本発明の目
的は、ヒドロキシルアミンを含有せず、優れたレジスト
剥離性を示すとともに、アルミ合金やチタンに対して腐
食を起こさないレジスト剥離剤を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、レジスト
剥離剤について鋭意検討した結果、Ｎ−アルキルモルホ
リンオキシドから成るレジスト剥離剤が金属材料を腐食
させることがなく、かつレジスト剥離性に優れたレジス
ト剥離剤として用いることができることを見出し、本発
明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、Ｎ−ア
ルキルモルホリンオキシドを必須成分とすることを特徴
とするレジスト剥離剤である。
剥離剤について鋭意検討した結果、Ｎ−アルキルモルホ
リンオキシドから成るレジスト剥離剤が金属材料を腐食
させることがなく、かつレジスト剥離性に優れたレジス
ト剥離剤として用いることができることを見出し、本発
明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、Ｎ−ア
ルキルモルホリンオキシドを必須成分とすることを特徴
とするレジスト剥離剤である。
【０００５】以下、本発明について詳細に説明する。
【０００６】本発明のレジスト剥離剤の必須成分は、Ｎ
−アルキルモルホリンオキシドである。Ｎ−アルキルモ
ルホリンオキシドとは、下記一般式（２）で表される化
合物である。
−アルキルモルホリンオキシドである。Ｎ−アルキルモ
ルホリンオキシドとは、下記一般式（２）で表される化
合物である。
【０００７】
【化２】
【０００８】（式中、Ｒは、炭素数１〜２０のアルキル
基を示す。） ここで、炭素数１〜２０のアルキル基としては、例え
ば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、ターシャリーブチル、ｎ−ペンチ
ル、イソペンチル、ネオペンチル、ターシャリーペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペ
ンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシ
ル、ノナデシル、エイコシル、シクロヘキシル、メチル
シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、エチルシク
ロヘキシルなどの基が挙げられる。
基を示す。） ここで、炭素数１〜２０のアルキル基としては、例え
ば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、ターシャリーブチル、ｎ−ペンチ
ル、イソペンチル、ネオペンチル、ターシャリーペンチ
ル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、
ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペ
ンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシ
ル、ノナデシル、エイコシル、シクロヘキシル、メチル
シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、エチルシク
ロヘキシルなどの基が挙げられる。
【０００９】本発明におけるＮ−アルキルモルホリンオ
キシドを例示すると、Ｎ−メチルモルホリンオキシド、
Ｎ−エチルモルホリンオキシド、Ｎ−プロピルモルホリ
ンオキシド、Ｎ−イソプロピルモルホリンオキシド、Ｎ
−ブチルモルホリンオキシド、Ｎ−イソブチルモルホリ
ンオキシド、Ｎ−ターシャリーブチルモルホリンオキシ
ドなどが挙げられるが、Ｎ−メチルモルホリンオキシド
が最も安価であり、工業的には有利である。
キシドを例示すると、Ｎ−メチルモルホリンオキシド、
Ｎ−エチルモルホリンオキシド、Ｎ−プロピルモルホリ
ンオキシド、Ｎ−イソプロピルモルホリンオキシド、Ｎ
−ブチルモルホリンオキシド、Ｎ−イソブチルモルホリ
ンオキシド、Ｎ−ターシャリーブチルモルホリンオキシ
ドなどが挙げられるが、Ｎ−メチルモルホリンオキシド
が最も安価であり、工業的には有利である。
【００１０】本発明のレジスト剥離剤は、Ｎ−アルキル
モルホリンオキシド以外の成分を含んでいても良い。一
般にＮ−アルキルモルホリンオキシドは水を含んだ状態
で流通しているため、レジスト剥離剤には水を含有して
いても良いし、レジスト剥離剤として一般に使用されて
いるアミン類を添加しても良い。レジスト剥離剤に添加
できるアミン類としては、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−ア
ミノエトキシ）エタノール、Ｎ−（２−アミノエチル）
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブ
チルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、
Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールア
ミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエ
タノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソ
プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ
−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−ヒ
ドロキシエチル）モルホリンなどのアルカノールアミン
類、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタ
エチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）ピペラジン、トリエチレンジアミンなどのエチレ
ンアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメ
チルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルピペラジン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジンなど
のＮ−アルキルエチレンアミン類、エチレンアミン以外
のプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘキサメチレン
ジアミンなどのジアミン類、モルホリン、シクロヘキシ
ルアミン、２−エチル−ヘキシルアミン、ベンジルアミ
ン、アニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミンなどのアルキル
アミン類が挙げられる。また、腐食、危険性を鑑みれば
好ましいことではないが、ヒドロキシルアミン類も添加
することができる。これらアミン類は単独で使用しても
良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
モルホリンオキシド以外の成分を含んでいても良い。一
般にＮ−アルキルモルホリンオキシドは水を含んだ状態
で流通しているため、レジスト剥離剤には水を含有して
いても良いし、レジスト剥離剤として一般に使用されて
いるアミン類を添加しても良い。レジスト剥離剤に添加
できるアミン類としては、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−ア
ミノエトキシ）エタノール、Ｎ−（２−アミノエチル）
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブ
チルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、
Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールア
ミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエ
タノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソ
プロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ
−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−ヒ
ドロキシエチル）モルホリンなどのアルカノールアミン
類、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエ
チレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタ
エチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）ピペラジン、トリエチレンジアミンなどのエチレ
ンアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメ
チルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルピペラジン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジンなど
のＮ−アルキルエチレンアミン類、エチレンアミン以外
のプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘキサメチレン
ジアミンなどのジアミン類、モルホリン、シクロヘキシ
ルアミン、２−エチル−ヘキシルアミン、ベンジルアミ
ン、アニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミンなどのアルキル
アミン類が挙げられる。また、腐食、危険性を鑑みれば
好ましいことではないが、ヒドロキシルアミン類も添加
することができる。これらアミン類は単独で使用しても
良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
【００１１】本発明のレジスト剥離剤には水溶性有機溶
媒を添加することができる。この水溶性有機溶媒もレジ
スト剥離剤として一般に使用しているものを使用するこ
とができる。水溶性有機溶媒を例示すると、ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類、ジメチルスルホン、
ジエチルスルホンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ドなどのアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−
エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリド
ン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドンなどのラク
タム類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなど
のイミダゾリジノン類、エチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、プロピレング
リコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレング
リコールなどのグリコール類、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテルなどのグリコールエーテル類が挙げられる。こ
れら水溶性有機溶媒は単独で使用しても良いし、二種類
以上を混合して使用しても良い。
媒を添加することができる。この水溶性有機溶媒もレジ
スト剥離剤として一般に使用しているものを使用するこ
とができる。水溶性有機溶媒を例示すると、ジメチルス
ルホキシドなどのスルホキシド類、ジメチルスルホン、
ジエチルスルホンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ドなどのアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−
エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリド
ン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドンなどのラク
タム類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなど
のイミダゾリジノン類、エチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、プロピレング
リコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレング
リコールなどのグリコール類、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリ
コールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテルなどのグリコールエーテル類が挙げられる。こ
れら水溶性有機溶媒は単独で使用しても良いし、二種類
以上を混合して使用しても良い。
【００１２】Ｎ−アルキルモルホリンオキシド、水、ア
ミン類、水溶性有機溶媒の比率は、それぞれ使用する化
合物が異なると、変化するため限定することは困難であ
るが、レジストの剥離性を考慮すると、好ましくは、Ｎ
−アルキルモルホリンオキシドが１〜５０重量％、水が
１〜５０重量％、アミン類が１〜５０重量％、水溶性有
機溶媒が２０〜８０重量％である。
ミン類、水溶性有機溶媒の比率は、それぞれ使用する化
合物が異なると、変化するため限定することは困難であ
るが、レジストの剥離性を考慮すると、好ましくは、Ｎ
−アルキルモルホリンオキシドが１〜５０重量％、水が
１〜５０重量％、アミン類が１〜５０重量％、水溶性有
機溶媒が２０〜８０重量％である。
【００１３】本発明のレジスト剥離剤は、ポジ型、ネガ
型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストに利
用できる。
型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストに利
用できる。
【００１４】本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上
に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗
布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後に
アッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを
剥離するのに用いられる。その際には、加熱、超音波な
どで剥離を促進しても良い。
に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗
布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後に
アッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを
剥離するのに用いられる。その際には、加熱、超音波な
どで剥離を促進しても良い。
【００１５】本発明のレジスト剥離剤の使用方法は浸漬
法が一般的であるが、その他の方法を使用しても一向に
差し支えない。
法が一般的であるが、その他の方法を使用しても一向に
差し支えない。
【００１６】
【実施例】本発明を以下の実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１７】実施例１〜実施例４、比較例１〜比較例２ アルミ合金の導電性膜を有したシリコンウェハ上に、市
販のポジ型フォトレジストを２μｍの厚みで塗布し、プ
リベークした。次いで、マスクパターンを介して露光
し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像し
た。エッチングを行った後、プラズマアッシング処理を
行った。このシリコンウェハを、表１に示した組成のレ
ジスト剥離剤に６０℃×１０分浸漬し、その後水洗い
し、乾燥した。この表面を走査型電子顕微鏡で観察し、
以下に示した方法により、レジスト変質膜の剥離性、及
びアルミの腐食性を調べ、その結果を表１に示した。
販のポジ型フォトレジストを２μｍの厚みで塗布し、プ
リベークした。次いで、マスクパターンを介して露光
し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像し
た。エッチングを行った後、プラズマアッシング処理を
行った。このシリコンウェハを、表１に示した組成のレ
ジスト剥離剤に６０℃×１０分浸漬し、その後水洗い
し、乾燥した。この表面を走査型電子顕微鏡で観察し、
以下に示した方法により、レジスト変質膜の剥離性、及
びアルミの腐食性を調べ、その結果を表１に示した。
【００１８】＜レジスト変質膜の剥離性＞レジスト変質
膜の剥離性は、以下の通り評価した。
膜の剥離性は、以下の通り評価した。
【００１９】 ○：剥離性良好 △：一部残存物有り ×：大部分残存していた ＜アルミの腐食性＞アルミの腐食性は、以下の通り評価
した。
した。
【００２０】 ○：腐食なし △：一部腐食有り ×：腐食が激しい なお、表１で記載を簡潔にするため、以下の略記号を使
用した。
用した。
【００２１】ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離剤は、不安定で危
険性の高いヒドロキシルアミンを含まず、腐食性が小さ
く、剥離性に優れたレジスト剥離剤として使用できる。
険性の高いヒドロキシルアミンを含まず、腐食性が小さ
く、剥離性に優れたレジスト剥離剤として使用できる。
Claims (5)
- 【請求項１】Ｎ−アルキルモルホリンオキシドを必須成
分とすることを特徴とするレジスト剥離剤。 - 【請求項２】Ｎ−アルキルモルホリンオキシドが、一般
式（１）で示される化合物であることを特徴とする請求
項１に記載のレジスト剥離剤。 【化１】 （式中、Ｒは、炭素数１〜２０のアルキル基を示す。） - 【請求項３】Ｎ−アルキルモルホリンオキシドに、アミ
ン類、水溶性有機溶媒、及び水からなる群より選ばれる
少なくとも１種を添加することを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載のレジスト剥離剤。 - 【請求項４】アミン類が、アルカノールアミン類、エチ
レンアミン類、Ｎ−アルキルエチレンアミン類、プロパ
ンジアミン，ブタンジアミン，ヘキサメチレンジアミン
などのジアミン類、モルホリン，シクロヘキシルアミ
ン，２−エチル−ヘキシルアミン，ベンジルアミン，ア
ニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン，トリプ
ロピルアミン，トリブチルアミンなどのアルキルアミン
類、及びヒドロキシルアミン類からなる群より選ばれる
少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項
３に記載のレジスト剥離剤。 - 【請求項５】水溶性有機溶媒が、スルホキシド類、スル
ホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アミド類、ラ
クタム類、イミダゾリジノン類、グリコール類、及びグ
リコールエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも
１種であることを特徴とする請求項３又は請求項４に記
載のレジスト剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000227567A JP4501248B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000227567A JP4501248B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | レジスト剥離剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040675A true JP2002040675A (ja) | 2002-02-06 |
| JP4501248B2 JP4501248B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=18720991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000227567A Expired - Fee Related JP4501248B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4501248B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002062669A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
| KR100988679B1 (ko) | 2005-10-14 | 2010-10-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 아민 화합물, 화학 증폭형 레지스트 재료 및 패턴 형성방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63186243A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-08-01 | ジェイ．ティー．ベーカー インコーポレーテッド | レジストを基質から除去するための，除去用組成物及び方法 |
| JPH05504204A (ja) * | 1990-05-01 | 1993-07-01 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | フォトレジスト・ストリッパ |
| JPH11258825A (ja) * | 1999-01-20 | 1999-09-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト用剥離液 |
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2000
- 2000-07-24 JP JP2000227567A patent/JP4501248B2/ja not_active Expired - Fee Related
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