WO2005022268A1

WO2005022268A1 - 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置

Info

Publication number: WO2005022268A1
Application number: PCT/JP2004/012346
Authority: WO
Inventors: Takuo Ohwada; Norio Ishikawa; Seiichi Yokoyama
Original assignee: Sony Corporation; Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha
Priority date: 2003-08-28
Filing date: 2004-08-27
Publication date: 2005-03-10
Also published as: KR101318694B1; KR20060123714A; KR20120068921A; JP4405767B2; CN1846173A; JP2005077526A; TWI364632B; CN1846173B; TW200508820A

Description

明細書

銀及び Z又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置

技術分野

[oooi] 本発明は、銀及び Z又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置に関する。

背景技術

[0002] 有機 ELディスプレイは、自己発光性を有し、液晶ディスプレイと比較して低消費電力化、高輝度化、高コントラストイ匕が可能となる次世代のフラットパネルディスプレイとして期待されている。

有機発光素子としては、例えば、基板の上に、 TFT(Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ)および平坦ィ匕層などを介して、第 1電極、発光層を含む有機層および第 2 電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第 2電極の側から取り出される場合もある。

[0003] 半導体基板では従来より配線材としてアルミニウムやアルミニウム合金が使用されており、フラットパネルにおいては TFTの配線や、近年では反射型液晶ディスプレイの反射膜としても用いられている (例えば、特許文献 1参照)。また、有機 ELの反射電極としてはアルミニウムやアルミニウム合金やクロムなどの材料を使用して、た（例えば、特許文献 2参照)。

通常、金属反射膜または反射電極は、基板上に金属膜を CVD、スパッタリング、電解めつき等により堆積して形成した後、該金属膜上にフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクを形成し、該金属膜の非マスク領域を、ウエットエッチング液によるゥエツトエッチングまたはドライエッチングすることによってパターンを形成した後、マスクとして用いたフォトレジストを、フォトレジスト剥離液によって該金属膜より剥離して形成する。

[0004] 従来フォトレジスト剥離液は、ポストベータ等の加熱により基板に固着したフォトレジストを剥離するためにフエノール及び塩素化された炭化水素を含有する液が使用されているが環境上の問題から、イミダゾリジノンを主成分とする組成物（例えば、特許文献 3参照）や、各種アルカノールァミンと 1、 3—ジメチルー 2—イミダゾリジノンの混合溶液 (例えば、特許文献 4参照）が開発されている。

その後、ドライエッチングの採用により従来とは異なる変質したフォトレジスト層を剥離する必要から、各種アルカノールァミンと 1、 3—ジメチルー 2—イミダゾリジノンとジメチルスルホキシドの組成物（例えば、特許文献 5参照）や、各種アルカノールァミンと、極性有機溶剤と、各種防食剤を含む組成物が開発された。

これらの組成物は、ドライエッチング後のレジスト変質層と、基板に固着したフオトレジストとを剥離することができ、ドライエッチング後とウエットエッチング後の両方の基板に対してフォトレジスト剥離液として使用することができる。

[0005] 防食剤としては、カテコール (例えば、特許文献 6参照）、フエノールや酢酸等の弱酸 (例えば、特許文献 7参照）、糖類 (例えば、特許文献 8参照）、カテコール、没食子酸エステルまたは没食子酸のいずれか (例えば、特許文献 9参照）、アミノ酸 (例えば、特許文献 10参照)等が報告されている。

この他、剥離能力を強めるためにヒドロキシルァミンをさらに添加する例や、非水剥離液では（1)イソプロピルアルコールによるリンスが必要である、（2)水洗の際に金属表面にァミノ化合物が残存して、ると金属が腐食される等の欠点があるため、有機ァミノ化合物と極性溶媒と水と防食剤からなる水溶性剥離液の例が知られてヽる（例えば、特許文献 11、特許文献 12参照)。

[0006] 最近アルミニウム及びアルミニウム合金より高反射率である銀及び銀合金が注目され、反射膜や反射電極等に銀の単層膜や銀層を含む多層膜が使用されるようになつた。反射膜が空気中に暴露される場合に湿気等の影響を避けるため、また短波長の光に対する銀の反射率の低さを補うために銀表面に安定な酸化膜を形成した多層膜が使用され (例えば、特許文献 13、特許文献 14参照)、銀表面が空気中に暴露されない場合には銀の単層膜が使用されている (例えば、特許文献 13、特許文献 1 5参照）。しかし、これらの文献は、ウエットエッチングの場合についても、また、レジストが変質して剥離し難くなるドライエッチングについても、銀膜のパターン形成に用いるレジスト剥離液について全く開示しておらず、現存するフォトレジスト剥離液としては、従来のアルミニウム及びアルミニウム合金に対して腐食性のな、フォトレジスト剥離液があるのみで、銀及び/又は銀合金のパターン形成に、銀及び/又は銀合金を腐食することなく好適に用いることのできるフォトレジスト剥離液はこれまで開発されていない。

[0007] 以上のように銀及び Z又は銀合金に対して腐食性がなぐ且つフォトレジスト及びフオトレジスト変質層に対して高、剥離性を有するフォトレジスト剥離液組成物が求められている。

[0008] 特許文献 1 特開 2003— 57674号公報

特許文献 2 特開 2002— 216976号公報

特許文献 3 特開昭 63- 50838号公報

特許文献 4特開昭 63— 208043号公報

特許文献 5 特開平 4-350660号公報

特許文献 6 特開平 5- 281753号公報

特許文献 7 特開平 6— 202345号公報

特許文献 8 特開平 8— 202051号公報

特許文献 9 特開平 9— 296200号公報

特許文献 10：特開平 7-295240公報

特許文献 11：特開平 4-289866号公報

特許文献 12 :特開平 6—266119公報

特許文献 13：特開 2000— 8184号公報

特許文献 14:特開 2002— 139609号公報

特許文献 15：特開 2003— 228071号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0009] 従って、本発明は、前記の問題点を解消し、銀及び Z又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0010] 従来のフォトレジスト剥離液に使用されているァミノ化合物は水酸基を有するァミノ化合物 (アルカノールァミノ)類と、水酸基を持たな、ァミノ化合物類に分類される。水酸基を有するァミノ化合物類としては、モノエタノールァミン、モノイソプロパノールァミン、 N メチルエタノールァミン、 N ェチルエタノールァミン、 N—ブチルェタノールァミン、 2—（2—アミノエチルァミノ）エタノール、 2—（2—ァミノェチルァミノ）ー2—プロパノール、 2— (2—アミノエトキシ）エタノール、ジエタノールァミン、ジイソプロパノールァミン、 N, N—ジメチルエタノールァミン、 N, N—ジェチルエタノールァミン、 N, N ジブチルエタノールァミン、 N—メチルジェタノールァミン、 N—( 3—ァミノプロピル) N— (2—ヒドロキシェチル) 2—アミノエタノール、トリェタールァミン、トリイソプロパノールァミンが挙げられる。

[0011] 水酸基を持たないァミノ化合物類としては、ジエチレントリァミン、トリエチレンテトラミン、ジプロピレントリァミン、モルホリン誘導体等が挙げられる。

しカゝしながら、銀及び/又は銀合金を含む基板に好適に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を再考する中で、アルミニウム及びアルミニウム合金の際に使用してヽる従来のァミノ化合物、例えば、モノエタノールアミンを主成分とするフォトレジスト剥離液を使用すると、高い剥離性を有するが、そのまま用いたのでは、銀及び銀合金を腐食してしまうとの知見を得た。

[0012] さらにまた、モノエタノールァミンのァミノ基にさらに置換基を有するジエタノールアミン、トリェタールァミン、 _N, N-ジメチルエタノールアミン等は、後述するように、銀及び銀合金に対する腐食は少ないが、フォトレジストの剥離性、とくにフォトレジスト変質層の剥離が困難であることも明かになった。

そこで、本発明者らは、上記課題を総合的に解決すべく鋭意、検討を重ねたところ、有機アミノ化合物のアルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加すること、またアルキレン鎖の間に異原子を導入することにより、アルキレン基の炭素鎖長がある程度の長さを有していても、剥離性の低下を防止できるとの知見を得たことから、ある特定の有機アミノ化合物、ならびにモノエタノールァミンについてはある特定の防食剤を添加することによって、フオトレジスト剥離液として使用できることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、銀および Zまたは銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、

—式 (I)

NH -A-Y-B-Z

2

式中、 A、 Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数 1一 5のアルキレン基であり、 Yは、 NHまたは Oのいずれかであり、 Zは、 NH、 OH、 NH— D

2

NH (ここで Dは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数 1一 5のアルキレン基である、 )

2

である、

で表される化合物、

—式 (Π)

NH -A-N(-B-OH)

2 2

式中、 A, Bは式 (I)と同じである、

で表される化合物、

—式 (ΠΙ)

[化 2]

式中、 Rは H、炭素数 1一 5のアルキル基、炭素数 1一 5のヒドロキシアルキル基または炭素数 1一 5のァミノアルキル基である、

で表される化合物、

ピロカテコール、

ーノヽイドロキノン、

ピロガローノレ、

-没食子酸、及び

-没食子酸エステル

力なる群力選択される 1種または 2種以上と、 1種または 2種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。さらに、本発明は、非水系である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。

[0014] また本発明は、式 (1)、式 (Π)又は式 (ΠΙ)で表される化合物力ジェチレントリアミン、 2— (2—アミノエチルァミノ）エタノール、 2— (2—アミノエチルァミノ）— 2—プロパノール、 N—（3—ァミノプロピル) N—( 2—ヒドロキシェチル)—2 アミノエタノール、 2—（2— アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリァミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。

[0015] さらに、本発明は、式 (1)、式 (Π)又は式 (III)で表される化合物の総含有量力 20 質量％以上 50質量％以下である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。

また、本発明は、式 (1)、式 (II)又は式 (III)で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシド及び N—メチルー 2—ピロリジノンからなる群力も選択される 1種または 2種以上である、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。

また、本発明は、さらに防食剤を含有する、前記フォトレジスト剥離液に関する。

[0016] また、本発明は、モノエタノールァミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される 1種または 2種以上とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。

さらに、本発明は、モノエタノールァミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される 1種または 2種以上とを含有するフォトレジスト剥離液組成物であって、極性有機溶剤が、 N—メチルー 2— ピロリジノン及び Z又は 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノンである、前記フォトレジスト剥離液組成物に関する。

[0017] また、本発明は、基板上の所定領域に銀及び Z又は銀合金からなる金属反射膜または反射電極を形成する工程と、該金属反射膜または反射電極上にフォトレジストを

ヽ、非マスク領域の該金属反射膜または反射電極をエツチングする工程と、前記フォトレジストを前記フォトレジスト剥離液組成物を用いて該金属反射膜または反射電極上から剥離する工程を含む、銀及び Z又は銀合金のパターン形成方法に関する。さらに、本発明は、エッチング工程がドライエッチングである、前記銀及び z又は銀合金のパターン形成方法に関する。

[0018] また、本発明は、基板に複数の表示素子を備えた表示装置であって、前記表示素子は基板上に銀及び,又は銀合金を含む層を形成した後、該積層した膜上にフォトレジストを用いてマスクを形成し、このマスクを用いて前記積層した膜をエッチングし、前記マスクを形成したフォトレジストを、前記フォトレジスト剥離液で剥離することにより形成された、銀及び,又は銀合金からなる反射膜または反射電極を備えた表示装置に関する。

さらに、本発明は、表示素子が、銀及び Z又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、前記表示装置に関する。

また、本発明は、表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び Z又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、前記表示装置に関する。

発明の効果

[0019] 本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式 (I)、式 (Π)、式 (ΠΙ)で表されるある特定の有機アミノ化合物またはある特定の防食剤を用いる構成を採用することで、銀及び/又は銀合金を含む基板のエッチング後のフォトレジストを銀および銀合金を腐食することなぐ剥離することができる。

本発明に用いられる有機アミノ化合物は、そのメカニズムは明確ではないが、化合物の構造中にある特定の炭素数のアルキレン基を複数有するものであり、アルキレン基の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食性が増加するため、本発明の構成のある特定の長さを採用することで、銀及び Z又は銀合金を含む基板に適用することができる。

また、ドライエッチング後のフォトレジスト変質層であっても、銀及び Z又は銀合金を腐食することなぐ良好に剥離することができ、従来困難であるとされてきたドライエツチングを可能とする。発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下に本発明の実施の形態について詳述する。

本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、式 (工）

NH -A-Y-B-Z

2

式中、 A、 Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数 1一 5 のァノレキレン基であり、 Yは NHまたは Oのいずれかであり、 Zは NH

2、 OH, NH— D

-NH (ここで Dは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数 1一 5のアルキレン基である、 )

2

である、

で表される化合物、式 (II)

NH -A-N(-B-OH)

2 2

式中、 A、 Bは式 (I)と同じである、

で表される化合物、式 (III)

[化 3]

で表される化合物、ピロカテコール、ノ、イドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステル力なる群力選択される 1種または 2種以上と、 1種または 2種以上の極性有機溶剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。

本発明に用いられるフォトレジスト剥離液組成物は、水を含有しない、非水系であることが好ましい。水を含有する場合、剥離液に含有される成分が水と反応してアル力リ性を示し、銀側面を腐食したり粒界に入り込み画素内の腐食を進行させ、欠陥が増カロすることがあるカゝらである。

[0021] すなわち、式 (I)

NH -A-Y-B-Z

2

式中、 A、 Bは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数 1一 5のアルキレン基であり、 Yは NHまたは Oのいずれかであり、 Zは NH

2、 OH、 NH-D-NH (ここで Dは直鎖状ま

2

たは分枝鎖状の、炭素数 1一 5のアルキレン基である、）である、

で表される化合物、式 (II)

NH -A-N(-B-OH)

2 ：

式中、 A、 Bは式 (I)と同じである、

で表される化合物、および式 (III)

[化 4]

で表される化合物とからなる群力も選択される有機アミノ化合物は、銀及び Z又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物の成分として使用できることが判明した。

[0022] ここで、上記式 (I)および式 (Π)中の Aおよび Bは、アルキレン鎖の炭素鎖長が長すぎた場合、剥離性が低下し、短いと銀および銀合金に対し腐食するため、直鎖状または分枝鎖状の、炭素数 1一 5のアルキレン基であり、フォトレジスト剥離性および銀に対する腐食性を考慮すると、 Aおよび Bの炭素数が合計して 2— 10が好ましぐさらに好ましくは、 2— 6個である。

[0023] これらの化合物のうち、ジエチレントリァミン、 2— (2 アミノエチルァミノ）エタノール、 2— (2 アミノエチルァミノ）— 2 プロパノール、 N— (3—ァミノプロピル) N—( 2—ヒドロキシェチル)—2—アミノエタノール、 2— (2—アミノエトキシ）エタノール、ジプロピレントリァミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンが好ましい。

また、有機アミノ化合物の含有量は、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層の剥離性能および銀及び銀合金に対する腐食性を考慮すると、 20質量％以上 50質量％以下が好ましい。

[0024] また、式 (I)、式 (Π)、式 (III)で表される有機アミノ化合物と混合する極性有機溶剤は、エチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノプロピノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテノレ、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノプロピノレエ一テル、プロピレングリコーノレモノブチノレエーテル、ジプロピレングリコーノレモノメチノレエ一テル、ジプロピレングリコーノレモノェチノレエーテル、ジプロピレングリコーノレモノプロピノレエ一テル、ジプロピレングリコーノレモノブチノレエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノェチルホルムアミド、ジェチルホルムアミド、ァセトアミド、モノメチルァセトアミド、ジメチルァセトアミド、モノエチルァセトアミド、ジェチルァセトアミド等のアミド系溶剤、 N—メチルー 2—ピロリジノン、 N—ェチルー 2—ピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、ェチルアルコ一ノレ、プロピノレアノレコーノレ、イソプロピノレアノレコーノレ、エチレングリコーノレ、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン、 1, 3 ジェチルー 2 イミダゾリジノン、 1, 3—ジイソプ口ピル 2—イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、 γ ブチロラタトン、 γ バレロラタトン等のラタトン系溶剤が挙げられる。

[0025] これらの中で好ましくは、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン、 1, 3 ジェチルー 2— イミダゾリジノン、 1, 3—ジイソプロピル 2 イミダゾリジノン、 Ν—メチルー 2 ピロリジノン、 Ν—ェチルー 2—ピロリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドが好ましぐフォトレジスト変質層の除去性の観点より、更に好ましくは、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドである。

[0026] また、式 (I)、式 (II)、式 (III)で表される有機アミノ化合物と極性有機溶媒を含有する本願組成物は、ァミノ酢酸、酢酸等の有機酸、フロログルシノール、レゾルシノール、フエノール、ベンゾトリァゾール、ピロカテコール、ハイドロキノン、没食子酸、没食子酸エステル、ピロガロール等を防食剤としてさらに添加することができる。

[0027] また本発明は、モノエタノールァミンと、 1種または 2種以上の極性有機溶剤と、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルからなる群カゝら選択される 1種または 2種以上カゝらなる防食剤とを含有するフォトレジスト剥離液組成物である。

し力し、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルに類似しており、従来のフォトレジスト剥離液組成物の防食剤と使用されているフロログルシノール（1、 3、 5—トリヒドロキシベンゼン）、レゾルシノール（1、 3—ジヒドロキシベンゼン）、フエノールや、酢酸ゃァミノ酢酸は、モノエタノールァミンとともに添カ卩しても銀及び銀合金に対する腐食性は改善されなヽ。

[0028] また、モノエタノールァミンと混合する極性有機溶剤は、エチレングリコールモノメチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノプロピノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノブチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノブチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチノレエ一テル、ジプロピレングリコーノレモノメチノレエーテル、ジプロピレングリコーノレモノェチノレエーテル、ジプロピレングリコーノレモノプロピノレエ一テル、ジプロピレングリコーノレモノブチノレエーテノレ、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、モノェチルホルムアミド、ジェチルホルムアミド、ァセトアミド、モノメチルァセトアミド、ジメチルァセトアミド、モノェチルァセトアミド、ジェチルァセトアミド等のアミド系溶剤、 N—メチルー 2—ピロリジノン、 N—ェチルー 2—ピロリジノン等のピロリジノン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、エチレングリコーノレ、プロピレングリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶剤、 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノン、 1, 3 ジェチルー 2 イミダゾリジノン、 1, 3—ジイソプロピル 2 イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン系溶剤、 γ プチ口ラタトン、 γ バレロラタトン等のラタトン系溶剤が挙げられる。好ましくは、 Ν—メチルー 2 ピロリジノン及び/又は 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノンである。

[0029] このフォトレジスト剥離液を用いて製造する表示装置にっ、て以下に示す。〔第 1の実施の形態〕

図 1にこの表示装置の一断面概略図を示す。

ガラス基板 11の上に、 TFT12、層間絶縁膜 12Aおよび配線 12Bを形成する。次に、基板 11の全面に、例えばスピンコート法により平坦ィ匕層 13を形成し、露光および現像により平坦ィ匕層 13を所定の形状にパターユングすると共に接続孔 13Aを形成する。そののち、ポリイミドをイミドィ匕させるため、クリーンベーク炉で例えば 320°C の温度で焼成する。

続、て平坦ィ匕層 13上に例えばスパッタ法により、 Agを含む電極層 14として銀もしくは銀合金を例えば lOOnmの膜厚で積層する。

Agを含む電極層 14を形成したのち、例えばリソグラフィ技術を用いて、レジストマスクを作製し、これを用いて Agを含む電極層 14をエッチングする。このエッチングはゥエツトエッチングまたはドライエッチングで行なうことが可能である。

次にフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。

[0030] 次に基板 11の全面にわたり、例えば CVD (Chemical Vapor Deposition；化学的気相成長)法により絶縁膜 15を成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜 15のうち発光領域に対応する部分を選択的に除去し開口部 15Aを形成する。

次に、絶縁膜 15の上に、基板 11の全面にわたり補助電極 17Aを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターユングする。続いて、例えば蒸着法により、有機層 16を形成する。その際、絶縁膜 15の開口部に対して成膜するように、開口を有する金属製の蒸着マスクを用いる。

有機層 16を形成した後、基板全面にわたり、例えば蒸着法によりなる共通電極 17 を形成する。これにより、共通電極 17は既に形成されている補助電極 17Aおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。

[0031] その後、封止用基板 21を基板 11の有機層 16を形成した側に熱硬化性榭脂よりなる接着層 30を塗布形成し、張り合わせて表示装置が完成する。

この表示装置では、例えば、 Agを含む電極層 14と共通電極 17との間に所定の電圧が印加されると、有機層 16で発光が起こる。

本発明によるフォトレジスト剥離液を用いることで、 Agが腐食されることなくレジストが剥離できる。その為、 Agの腐食に起因する画素欠陥が従来の剥離液と比較して 1 /10に低減でき、表示素子の信頼性が向上した。

[0032] 〔第 2の実施の形態〕

図 2は、本発明の第 2の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、透過型'反射型併用（半透過型）の液晶ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル 60と対向パネル 70とが対向配置され、その間に液晶 80 が設けられている。駆動パネル 60は、例えばガラスよりなる基板 61に、画素電極 62 がマトリクス状に設けられている。基板 61には、画素電極 62に電気的に接続された駆動素子としての TFT63および配線 63Aなどを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。

基板 61の液晶 80に対向する側には、配向膜 64が全面に設けられ、反対側には偏光板 65が設けられている。

[0033] 画素は画素電極 62と Agを含む電極層 14とを有している。画素電極 62は例えば IT Oにより構成され、 Agを含む電極層 14は銀もしくは銀合金を含む層で構成されている。 Agを含む電極層 14は、画素電極 62の一部領域に重ねるように形成されている。 Agを含む電極層 14が形成された領域は、反射型表示領域となり、画素電極 62の A gを含む電極層 14が重ねられてヽなヽ領域が、透過型表示領域となる。

[0034] TFT63のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソース（図示せず）は信号線としての配線 63Aに接続され、ドレイン（図示せず）は、画素電極 6 2に接続されている。配線 63Aの材料は、第 1の実施の形態の配線 13Bと同様である。また、 TFT63の構成は、第 1の実施の形態の TFT12と同様、特に限定されない。 TFT63および配線 63Aは、例えば酸化シリコン（SiO )あるいは窒化シリコン（SiN

2

)よりなる保護膜 63Bにより被覆されている。

配向膜 64は、例えば、ポリイミドなどの有機化合物をラビング (配向）処理した膜を用いる。この場合、ラビング条件を変更することによりプレティルト角が制御される。偏光板 65は、図示しないバックライトからの光を一定方向の直線偏光に変える光学素子であり、例えばポリビュルアルコール（PVA)フィルムなどを含んで構成されて!ヽる。

[0035] 対向パネル 70は、駆動パネル 60の画素電極 62の側に位置しており、ガラスなどよりなる対向基板 71を有している。

対向基板 71には、例えば、画素電極 62に対向して、透明電極 72およびカラーフィルタ 73が対向基板 71側から順に積層されて設けられている。

また、対向基板 71には、カラーフィルタ 73の境界に沿って、ブラックマトリクスとしての光吸収膜 74が設けられている。対向基板 71の液晶 80に対向する側には、配向膜 75が全面に設けられ、反対側には偏光板 76が設けられている。

[0036] 透明電極 72は、例えば ITOにより構成されている。

光吸収膜 74は、対向基板 71に入射した外光あるいは配線 64により反射された外光の反射光などを吸収してコントラストを向上させるものであり、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が 1以上の黒色の榭脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸ィ匕物よりなる薄膜を 1層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。

[0037] 薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム (III) (Cr O )とを交互に積

2 3

層したものが挙げられる。配向膜 75および偏光板 76は、駆動パネル 60の配向膜 64 および偏光板 65と同様に構成されている。

液晶 80は、電圧を印加することにより配向状態が変化して透過率を変化させるものである。駆動時に液晶分子の傾斜する方向が一様でないと明暗のむらが生じるため、これを避けるために、あら力じめ液晶 80にはわずかなプレティルト角が一定方向に与えられている。

[0038] この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、基板 61に画素電極 62及び Agを含む電極層 14を例えばスパッタ法で成膜する。その後、フォトリソ工程を用いてレジストのパターンを形成する。

その後、フォトレジストにより形成されたパターンをマスクとして Agを含む電極層 14 のエッチングを行なう。エッチングは薬液を用いたウエットエッチングやドライエツチングを用いることが出来る。その後、第一の実施例記載のフォトレジスト剥離液でレジストを除去する。

更に画素電極 62のパターンを形成する為にレジストパターンを同様に形成し、エツチング後上記フォトレジスト剥離液でレジストを除去する。

[0039] 続ヽて、 TFT63および配線 63Aを形成し、保護膜 63Bで被覆する。そののち、基板 61の全面に配向膜 64を形成し、ラビング処理を行う。これにより、駆動パネル 60 が形成される。

また、対向基板 71の表面に透明電極 72、光吸収膜 74およびカラーフィルタ 73を形成する。次に、対向基板 71の全面に配向膜 75を形成し、ラビング処理を行う。これにより、対向パネル 70が形成される。

[0040] 次に、駆動パネル 60または対向パネル 70の周辺部分に例えばエポキシ榭脂などよりなるシール材（図示せず)を設け、球状あるいは柱状のスぺーサ（図示せず)を設ける。続いて、駆動パネル 60および対向パネル 70を、画素電極 62と透明電極 72とが対向するように位置合わせし、シール材を硬化させることにより貼り合わせ、液晶 8 0を内部に注入して密封する。そののち、駆動パネル 60に偏光板 65を、対向パネル 70に偏光板 76をそれぞれ貼付する。以上により、図 2に示した表示装置が完成する本発明のフォトレジスト剥離液を用いることで、反射膜である Agを含む電極層 14の表面に対する腐食が無くなり、腐食などによる反射率低下に起因する表示装置の信頼性が向上する。

実施例

[0041] 以下に、実施例と比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでな、。

1.式 (1)、式 (Π)、式 (III)で表される化合物と極性有機溶剤とを含有し、非水系のフオトレジスト剥離液

(1)フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価

ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金上に塗布、露光、現像したフォトレジストをマスクとして、ドライエッチングを行い、パターンを形成し、フォトレジスト及びフォトレジスト変質層剥離性評価基板を得た。、てその基板をフォトレジスト剥離液中に 70 °C、 10分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によってフォトレジスト及びフォトレジスト剥離性評価を行った。その結果を表 1に示す。

[0042] (2)銀及び銀合金に対する腐食性評価

ガラス基板上に銀合金を成膜し、銀合金に対する腐食性評価基板を得た。続いてその基板をフォトレジスト剥離液中に 70°C、 10分間浸漬後、超純水による流水リンス処理後、窒素ブローによる乾燥を行った後、光学顕微鏡及び電子顕微鏡によって銀合金に対する腐食性評価を行った。その結果を表 1に示す。

[0043] [表 1]

表 1.フォトレジスト &びフォトレジスト ΪΚ隱 M«性 fFeS果

トレジスト W離液 fflfi¾ (莨量 W)S«t

«1 DGA:ジゲリコ一ルァミン- 2— (2-アミノエトキシ）エタノール， ΑΕΑΕ: 2— (2—アミノエチルアミ/)エタノール，ΑΕΙΡ A: Ν- (2—アミノエチル）イソブ ctバノールァミン =1一（2—アミノエチルアミ/)一 2—プロバノ一ル、 APDEA:N— (3—アミノブ口ビル）ジエタノールアミン=1^1一（3—アミノブ口ピル） _N—（2— ti "'口キシェチル）一 2—アミノエタノール、 DEA:ジエタゾ —ルァミン、 DETA:ジ Iチレントリアミン， DPTA:ジブロビレントリアミン、 MEA：モノエタノールァミン， MO：モルホリン- A;N. N—ジメチルエタノールァミン、 NDEA: N, N—ジェチルエタノールァミン、 TEA:トリエタノールァミン， TETA:トリ Iチレンチトラミン

DM1:1.3—ジメチル一 2-イミダゾリジ/ン. NMP:N—メチルー 2-ピ□リジノン、 BCA:ブチルカルビト一ル =ジエチレングリコールモノブチルエーテル、 PG:プロピレングリコール， DMSO:ジメチルスルホキシド、 DMI:1.3—ジメチル一 2—イミダゾリジノン、 NMP:N-メチル一2—ピロリジノン， BCA:プチルカルビトール、 PG:プロピレングリコール、 DMSO：ジメチルスルホキシド

Z @:»去可.0:«かに残リ fcリ、 :»去不可

2.モノエタノールァミンと、極性有機溶剤と、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステルからなる群から選択される 1種または 2種以上からなる防食剤とを含有し、非水系のフォトレジスト剥離液組成物

本組成物について、フォトレジスト除去性と、銀合金に対する腐食性について、 1と同様に実験評価し、その結果を表 2に示した。

[表 2]

産業上の利用可能性

[0046] 本発明のフォトレジスト剥離液を使用することにより、銀及び銀合金に対して腐食することなく、銀及び銀合金をエッチングした後のフォトレジスト、更にドライエッチングした後のフォトレジスト変質層を剥離することが可能となり、よって銀及び銀合金を金属反射膜として使用した有機 ELディスプレイの製造が可能となる。

図面の簡単な説明

[0047] [図 1]本発明の表示装置の第 1の実施態様の一断面概略図である。

[図 2]本発明の表示装置の第 2の実施態様の一断面概略図である。

符号の説明

[0048] 11 ガラス基板

12 TFT

12Α·…層間絶縁膜

12Β·…配線平坦化層Α·…接続孔

電極層絶縁膜Α····開口部

有機層共通電極Α·…補助電極封止用基板接着層駆動パネル基板画素電極 TFT

Α····配線

Β····保護膜

配向膜偏光板対向パネル対向基板透明電極カラーフィノレタ光吸収膜配向膜偏光板液晶

Claims

請求の範囲銀および Zまたは銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、 —式 (I) NH -A-Y-B-Z 2 式中、 A、 Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数 1一 5のアルキレン基であり、 Yは、 NHまたは Oのいずれかであり、 Zは、 NH、 OH、 NH— D 2 NH (ここで Dは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数 1一 5のアルキレン基である、 )2 である、で表される化合物、 —式 (Π) NH -A-N(-B-OH) 2 2 式中、 A, Bは式 (I)と同じである、で表される化合物、 —式 (ΠΙ)

[化 1]

で表される化合物、

ピロカテコール、

ーノヽイドロキノン、

ピロガローノレ、

-没食子酸、及び

-没食子酸エステル

力なる群力選択される 1種または 2種以上と、 1種または 2種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。

[2] 非水系である、請求項 1に記載のフォトレジスト剥離液組成物。

[3] 式 (1)、式 (Π)又は式 (III)で表される化合物力ジェチレントリァミン、 2— (2—アミノエチルァミノ）エタノール、 2— (2 アミノエチルァミノ）— 2 プロパノール、 N—（3—ァミノプロピル) N—（2—ヒドロキシェチル)—2—アミノエタノール、 2— (2—アミノエトキシ）ェタノール、ジプロピレントリァミン、トリエチレンテトラミン、モルホリンである、請求項 1または 2に記載のフォトレジスト剥離液組成物。

[4] 式 (I)、式 (Π)又は式 (III)で表される化合物の総含有量が、 20質量％以上 50質量 %以下である、請求項 1一 3の、ずれか〖こ記載のフォトレジスト剥離液組成物。

[5] 式 (I)、式 (Π)又は式 (III)で表される化合物を含み、極性有機溶剤が、 1, 3—ジメチルー 2—イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシド及び N—メチルー 2—ピロリジノンからなる群から選択される 1種または 2種以上である、請求項 1一 4のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液組成物。

[6] さらに防食剤を含有する、請求項 1一 5のいずれか〖こ記載のフォトレジスト剥離液。

[7] モノエタノールァミンと、ピロカテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、没食子酸及び没食子酸エステルからなる群から選択される 1種または 2種以上とを含有する、請求項 1または 2に記載のフォトレジスト剥離液組成物。

[8] 極性有機溶剤が、 Ν—メチルー 2 ピロリジノン及び Ζ又は 1, 3 ジメチルー 2 イミダゾリジノンである、請求項 7に記載のフォトレジスト剥離液組成物。

[9] 基板上の所定領域に銀及び Ζ又は銀合金からなる金属反射膜または反射電極を形成する工程と、該金属反射膜または反射電極上にフォトレジストを用いてマスク形成を行い、非マスク領域の該金属反射膜または反射電極をエッチングする工程と、前記フォトレジストを請求項 1一 8のいずれか〖こ記載のフォトレジスト剥離液組成物を用 Vヽて該金属反射膜または反射電極上から剥離する工程を含む、銀及び Ζ又は銀合金のパターン形成方法。

[10] エッチング工程がドライエッチングである、請求項 9に記載の銀及び Ζ又は銀合金のパターン形成方法。

[11] 基板に複数の表示素子を備えた表示装置であって、前記表示素子は基板上に銀及び z又は銀合金を含む層を形成した後、該積層した膜上にフォトレジストを用いてマスクを形成し、このマスクを用いて前記積層した膜をエッチングし、前記マスクを形成したフォトレジストを、請求項 1一 8の、ずれか〖こ記載のフォトレジスト剥離液組成物で剥離することにより形成された、銀及び Z又は銀合金からなる反射膜または反射電極を備えた表示装置。

[12] 表示素子が、銀及び Z又は銀合金からなる反射膜または反射電極の上に、発光層を含む有機層及び電極が順に積層され、該発光層で発生した光を電極側から取り出す有機発光素子である、請求項 11に記載の表示装置。

[13] 表示素子が、基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子及び配線とが設けられ、銀及び Z又は銀合金からなる反射膜または反射電極が、該基板と該駆動素子および配線との間に設けられてなる液晶表示素子である、請求項 11 に記載の表示装置。