JP2002236376A - レジスト剥離剤 - Google Patents
レジスト剥離剤Info
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- JP2002236376A JP2002236376A JP2001033417A JP2001033417A JP2002236376A JP 2002236376 A JP2002236376 A JP 2002236376A JP 2001033417 A JP2001033417 A JP 2001033417A JP 2001033417 A JP2001033417 A JP 2001033417A JP 2002236376 A JP2002236376 A JP 2002236376A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、銅を侵
さないレジスト剥離剤を提供する。 【解決の手段】銅配線プロセスに使用されるレジストを
剥離する剥離剤であって、Ｎ−アルキルモルホリンを必
須成分とするレジスト剥離剤を用いる。
さないレジスト剥離剤を提供する。 【解決の手段】銅配線プロセスに使用されるレジストを
剥離する剥離剤であって、Ｎ−アルキルモルホリンを必
須成分とするレジスト剥離剤を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路、プ
リント配線基板、液晶の製造工程におけるフォトレジス
ト層を剥離するための剥離剤に関し、さらに詳しくは、
銅配線プロセスに用いられるレジストを剥離するに際
し、銅を腐食させることなくレジストを剥離するに好適
なレジスト剥離剤に関する。
リント配線基板、液晶の製造工程におけるフォトレジス
ト層を剥離するための剥離剤に関し、さらに詳しくは、
銅配線プロセスに用いられるレジストを剥離するに際
し、銅を腐食させることなくレジストを剥離するに好適
なレジスト剥離剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路は、基体上にフォトレジ
ストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回
路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離する
か、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去
した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造され
る。フォトレジストを基体上から剥離するため、あるい
はレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々
なレジスト剥離剤が提案されてきた。
ストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回
路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離する
か、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去
した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造され
る。フォトレジストを基体上から剥離するため、あるい
はレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々
なレジスト剥離剤が提案されてきた。
【０００３】アルミ配線用レジストを剥離する方法とし
ては、特開昭５８−８０６３８号公報にモルホリンを使
用する方法、特開昭６２−４９３５５号公報にはモノエ
タノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が開示
されている。しかしながら、モルホリン、モノエタノー
ルアミンを用いた剥離液組成物では、銅配線プロセスに
おいては、銅を腐食してしまい、レジスト剥離剤として
は満足できるものではなく、銅を腐食させないレジスト
剥離剤が望まれていた。
ては、特開昭５８−８０６３８号公報にモルホリンを使
用する方法、特開昭６２−４９３５５号公報にはモノエ
タノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が開示
されている。しかしながら、モルホリン、モノエタノー
ルアミンを用いた剥離液組成物では、銅配線プロセスに
おいては、銅を腐食してしまい、レジスト剥離剤として
は満足できるものではなく、銅を腐食させないレジスト
剥離剤が望まれていた。
【０００４】このように、従来提案されてきたレジスト
剥離剤は、レジスト剥離性や銅への腐食性の点で十分な
ものとはいえなかった。
剥離剤は、レジスト剥離性や銅への腐食性の点で十分な
ものとはいえなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の課題に鑑みて、優れたレジスト剥離性を示すととも
に、銅を侵さないレジスト剥離剤を提供することにあ
る。
の課題に鑑みて、優れたレジスト剥離性を示すととも
に、銅を侵さないレジスト剥離剤を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、銅配線プ
ロセスに使用されるレジストを剥離するためのレジスト
剥離剤について鋭意検討した結果、Ｎ−アルキルモルホ
リンを必須成分とするレジスト剥離剤が優れたレジスト
剥離性を示すとともに、銅配線を侵さないことも見出
し、本発明を完成させるに至った。
ロセスに使用されるレジストを剥離するためのレジスト
剥離剤について鋭意検討した結果、Ｎ−アルキルモルホ
リンを必須成分とするレジスト剥離剤が優れたレジスト
剥離性を示すとともに、銅配線を侵さないことも見出
し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】すなわち、本発明は銅配線プロセスに使用
されるレジストを剥離する剥離剤であって、Ｎ−アルキ
ルモルホリンを必須成分とするレジスト剥離剤である。
されるレジストを剥離する剥離剤であって、Ｎ−アルキ
ルモルホリンを必須成分とするレジスト剥離剤である。
【０００８】以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【０００９】本発明のレジスト剥離剤は、Ｎ−アルキル
モルホリンを必須成分とする。このＮ−アルキルモルホ
リンとしては、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモル
ホリン、Ｎ−プロピルモルホリン、Ｎ−ブチルモルホリ
ン、Ｎ−ペンチルモルホリン、Ｎ−ヘキシルモルホリ
ン、Ｎ−ヘプチルモルホリン、Ｎ−オクチルモルホリ
ン、Ｎ−ノニルモルホリン、Ｎ−デシルモルホリンＮ−
ドデシルモルホリン、Ｎ−オレイルモルホリン、Ｎ−ス
テアリルモルホリンなどの脂肪族アルキルモルホリン、
Ｎ−シクロヘキシルモルホリンなどの脂環式モルホリン
などが挙げられる。しかし、アルキル基は大きい方が銅
に対する腐食性が小さく、蒸気圧が低いため取扱い易い
が、水に対する溶解度が低下する。したがって、Ｎ−ア
ルキルモルホリンの使用濃度、併用する有機溶媒の種
類、濃度により最適なＮ−アルキルモルホリンは変化す
る。例えば、水への溶解性を考慮すれば、炭素数１２以
下のＮ−アルキルモルホリンを用いることが好ましい。
また工業的にはＮ−アルキルモルホリンの価格も重要な
要素である。Ｎ−アルキルモルホリンの中ではＮ−メチ
ルモルホリンが最も安価で、工業的には有利である。
モルホリンを必須成分とする。このＮ−アルキルモルホ
リンとしては、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモル
ホリン、Ｎ−プロピルモルホリン、Ｎ−ブチルモルホリ
ン、Ｎ−ペンチルモルホリン、Ｎ−ヘキシルモルホリ
ン、Ｎ−ヘプチルモルホリン、Ｎ−オクチルモルホリ
ン、Ｎ−ノニルモルホリン、Ｎ−デシルモルホリンＮ−
ドデシルモルホリン、Ｎ−オレイルモルホリン、Ｎ−ス
テアリルモルホリンなどの脂肪族アルキルモルホリン、
Ｎ−シクロヘキシルモルホリンなどの脂環式モルホリン
などが挙げられる。しかし、アルキル基は大きい方が銅
に対する腐食性が小さく、蒸気圧が低いため取扱い易い
が、水に対する溶解度が低下する。したがって、Ｎ−ア
ルキルモルホリンの使用濃度、併用する有機溶媒の種
類、濃度により最適なＮ−アルキルモルホリンは変化す
る。例えば、水への溶解性を考慮すれば、炭素数１２以
下のＮ−アルキルモルホリンを用いることが好ましい。
また工業的にはＮ−アルキルモルホリンの価格も重要な
要素である。Ｎ−アルキルモルホリンの中ではＮ−メチ
ルモルホリンが最も安価で、工業的には有利である。
【００１０】本発明のレジスト剥離剤は必須成分として
Ｎ−アルキルモルホリンを含むが、さらにこれ以外の成
分を含んでいてもよい。例えば、水溶性有機溶媒も添加
することができ、さらに水溶性有機溶媒と水の混合溶媒
として用いることもできる。
Ｎ−アルキルモルホリンを含むが、さらにこれ以外の成
分を含んでいてもよい。例えば、水溶性有機溶媒も添加
することができ、さらに水溶性有機溶媒と水の混合溶媒
として用いることもできる。
【００１１】水溶性有機溶媒を用いる場合、レジスト剥
離剤として一般に使用しているものを使用することがで
き、さらに具体的にいえば、ジメチルスルホキシドなど
のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホ
ンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアミド
類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、１，３
−ジメジル−２−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジ
ノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、
トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプ
ロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどの
グリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルなどの
グリコールエーテル類が挙げられる。これら水溶性有機
溶媒は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して
使用しても良い。
離剤として一般に使用しているものを使用することがで
き、さらに具体的にいえば、ジメチルスルホキシドなど
のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホ
ンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアミド
類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、１，３
−ジメジル−２−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジ
ノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、
トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプ
ロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどの
グリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルなどの
グリコールエーテル類が挙げられる。これら水溶性有機
溶媒は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して
使用しても良い。
【００１２】本発明のレジスト剥離剤には、一般に使用
されている防食剤も添加することができる。
されている防食剤も添加することができる。
【００１３】Ｎ−アルキルモルホリン、水、有機溶媒の
比率は、それぞれ使用する化合物が異なると変化するた
め限定することは困難であるが、Ｎ−アルキルモルホリ
ンが０．１〜８０重量％、水が０〜９０重量％、有機溶
媒が１〜９０重量％の範囲とすることが好ましい。この
範囲をはずれても使用できないことはないが、レジスト
の剥離性、安定性が低下することがある。
比率は、それぞれ使用する化合物が異なると変化するた
め限定することは困難であるが、Ｎ−アルキルモルホリ
ンが０．１〜８０重量％、水が０〜９０重量％、有機溶
媒が１〜９０重量％の範囲とすることが好ましい。この
範囲をはずれても使用できないことはないが、レジスト
の剥離性、安定性が低下することがある。
【００１４】本発明のレジスト剥離剤は、レジストを剥
離する際に各成分を添加して使用してもよいし、あらか
じめ各成分を混合しておいてから使用しても良い。
離する際に各成分を添加して使用してもよいし、あらか
じめ各成分を混合しておいてから使用しても良い。
【００１５】本発明のレジスト剥離剤は、ポジ型、ネガ
型を含めて、アルカリ性水溶液で現像できるｉ線用レジ
ストや、ＫｒＦエキシマレーザー用レジスト、ＡｒＦエ
キシマレーザー用レジストに利用できる。
型を含めて、アルカリ性水溶液で現像できるｉ線用レジ
ストや、ＫｒＦエキシマレーザー用レジスト、ＡｒＦエ
キシマレーザー用レジストに利用できる。
【００１６】本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上
に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗
布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後に
アッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを
剥離するのに用いられ、特に銅配線用のレジストを剥離
するのに用いられる。
に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗
布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存
するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後に
アッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを
剥離するのに用いられ、特に銅配線用のレジストを剥離
するのに用いられる。
【００１７】本発明のレジスト剥離剤を使用すると、銅
配線に対する腐食性は小さくなり、使用の際には、加
熱、超音波などで剥離を促進してもよい。
配線に対する腐食性は小さくなり、使用の際には、加
熱、超音波などで剥離を促進してもよい。
【００１８】本発明のレジスト剥離剤の使用方法は浸漬
法が一般的であるが、その他の方法を使用しても一向に
差し支えない。
法が一般的であるが、その他の方法を使用しても一向に
差し支えない。
【００１９】
【実施例】本発明を以下の実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２０】実施例１〜６、比較例１〜２ シリコンウェハ上に、市販のポジ型フォトレジストを２
μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスク
パターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドで現像した。エッチングを行った後、イオン
注入処理を行った。このシリコンウェハを表１に示す剥
離液に５０℃、３０分浸漬し、その後水洗いし、乾燥し
た。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト変質膜
の剥離性、及び銅配線への腐食性を調べ表１に示した。
なお表１の剥離液組成において、残部は水である。
μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスク
パターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシドで現像した。エッチングを行った後、イオン
注入処理を行った。このシリコンウェハを表１に示す剥
離液に５０℃、３０分浸漬し、その後水洗いし、乾燥し
た。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト変質膜
の剥離性、及び銅配線への腐食性を調べ表１に示した。
なお表１の剥離液組成において、残部は水である。
【００２１】
【表１】 表１における変質膜の剥離性は以下の様に評価した。 ○：剥離性良好 △：一部残存物有り ×：大部分残存していた また、表１における銅配線への腐食性は以下の様に評価
した。 ○：腐食なし △：一部腐食有り ×：腐食が激しい なお、表１における表記を簡潔にするため、以下の略記
号を使用した。 ＮＭＭ：Ｎ−メチルモルホリン ＮＥＭ：Ｎ−エチルモルホリン ＮＤＭ：Ｎ−デシルモルホリン ＮＣＭ：Ｎ−シクロヘキシルモルホリン ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＭＰ：モルホリン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド 表１より分かるように、比較例１及び２において用いた
ＭＥＡ、ＭＰと比較して、実施例１〜６に用いたＮ−ア
ルキルモルホリンは、レジスト剥離性が優れていると共
に、銅を腐食することもなく、優れた性能を有してい
る。
した。 ○：腐食なし △：一部腐食有り ×：腐食が激しい なお、表１における表記を簡潔にするため、以下の略記
号を使用した。 ＮＭＭ：Ｎ−メチルモルホリン ＮＥＭ：Ｎ−エチルモルホリン ＮＤＭ：Ｎ−デシルモルホリン ＮＣＭ：Ｎ−シクロヘキシルモルホリン ＭＥＡ：モノエタノールアミン ＭＰ：モルホリン ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド 表１より分かるように、比較例１及び２において用いた
ＭＥＡ、ＭＰと比較して、実施例１〜６に用いたＮ−ア
ルキルモルホリンは、レジスト剥離性が優れていると共
に、銅を腐食することもなく、優れた性能を有してい
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明のレジスト剥離剤は、優れたレジ
スト剥離性を示すとともに、銅配線を腐食しないレジス
ト剥離剤として使用できる。
スト剥離性を示すとともに、銅配線を腐食しないレジス
ト剥離剤として使用できる。
Claims (5)
- 【請求項１】銅配線プロセスに使用されるレジストを剥
離する剥離剤であって、Ｎ−アルキルモルホリンを必須
成分とするレジスト剥離剤。 - 【請求項２】Ｎ−アルキルモルホリンが、Ｎ−メチルモ
ルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−プロピルモルホ
リン、Ｎ−ブチルモルホリン、Ｎ−ペンチルモルホリ
ン、Ｎ−ヘキシルモルホリン、Ｎ−ヘプチルモルホリ
ン、Ｎ−オクチルモルホリン、Ｎ−ノニルモルホリン、
Ｎ−デシルモルホリンＮ−ドデシルモルホリン、Ｎ−オ
レイルモルホリン、Ｎ−ステアリルモルホリン、Ｎ−シ
クロヘキシルモルホリンであることを特徴とする請求項
１に記載のレジスト剥離剤。 - 【請求項３】Ｎ−アルキルモルホリンに、水溶性有機溶
媒又は水溶性有機溶媒と水からなる溶媒が含まれること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレジスト剥
離剤。 - 【請求項４】水溶性有機溶媒が、スルホキシド類、スル
ホン類、アミド類、ラクタム類、イミダゾリジノン類、
グリコール類、グリコールエーテル類からなる群より選
ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３
に記載のレジスト剥離剤。 - 【請求項５】銅配線プロセスに使用するレジストが、ｉ
線用フォトレジスト又はエキシマレーザー用レジストで
あることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに
記載のレジスト剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001033417A JP4470328B2 (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001033417A JP4470328B2 (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | レジスト剥離剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002236376A true JP2002236376A (ja) | 2002-08-23 |
| JP4470328B2 JP4470328B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=18897170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001033417A Expired - Fee Related JP4470328B2 (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4470328B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| JP2006079093A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2014142635A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Fujifilm Corp | レジスト除去液およびレジスト剥離方法 |
-
2001
- 2001-02-09 JP JP2001033417A patent/JP4470328B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005022268A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Sony Corporation | 銀及び／又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
| JP2006079093A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2014142635A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Fujifilm Corp | レジスト除去液およびレジスト剥離方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4470328B2 (ja) | 2010-06-02 |
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