KR20120068921A

KR20120068921A - 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물, 그것을 이용한 패턴 형성방법 및 그것을 포함하는 표시장치의 제조방법

Info

Publication number: KR20120068921A
Application number: KR1020127009860A
Authority: KR
Inventors: 타쿠오 오와다; 노리오 이시카와; 세이이치 요코야마
Original assignee: 간또 가가꾸 가부시끼가이샤; 소니 주식회사
Priority date: 2003-08-28
Filing date: 2004-08-27
Publication date: 2012-06-27
Also published as: KR101318694B1; KR20060123714A; JP4405767B2; WO2005022268A1; CN1846173A; JP2005077526A; TWI364632B; CN1846173B; TW200508820A

Abstract

본 발명은, 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판에 적용할 수 있는 포토레지스트 박리액 조성물의 제공을 목적으로 한다. 상기 목적은,
-식(Ⅰ)
NH₂-A-Y-B-Z
[식중, A, B는 각각 서로 독립하고, 직쇄(直鎖)형 또는 분기쇄(分技鎖)형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이고, Y는 NH 또는 O 중 하나이고, Z는 NH₂, OH, NH-D-NH₂(여기서, D는 직쇄형 또는 분기쇄형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이다)이다]
로 표시되는 화합물,
- 식(Ⅱ)
NH₂-A-N(-B-OH)₂
(식 중, A, B는 식(I)과 동일하다)
로 표시되는 화합물,
- 식(Ⅲ)
[화학식 1]

(식 중, R은 H, 탄소수 1-5인 알킬기, 탄소수 1-5인 히드록시알킬기 또는 탄소수 1-5인 아미노알킬기이다)
로 표시되는 화합물,
- 피로카테콜,
- 히드로퀴논,
- 피로가롤,
- 몰식자산, 및
- 몰식자산에스테르
로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과, 1종 또는 2종 이상인 극성 유기용제를 함유하는 포토레지스트 박리액 조성물에 의해 달성된다.

Description

은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물, 그것을 이용한 패턴 형성방법 및 그것을 포함하는 표시장치의 제조방법{Liquid Photoresist Remover Composition for Substrate Comprising Silver and/or Silver Alloy, Process for Producing Pattern with the Same, and Process for Producing Display Employing the Same}

본 발명은 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물, 그것을 이용한 패턴 형성방법 및 그것을 포함하는 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.

유기EL 디스플레이는 자기(自己) 발광성을 갖고, 액정 디스플레이와 비교하여 저 소비전력화, 고 휘도화, 고 콘트라스트화가 가능하게 되는 차세대 플랫 패널 디스플레이로서 기대되고 있다.

유기발광소자로서는 예를 들어, 기판상에 TFT(Thin Film Transistor:박막 트랜지스터) 및 평탄화층 등을 통해 제1전극, 발광층을 포함하는 유기층 및 제2전극이 순서대로 적층된 것이 알려져 있다. 발광층에서 발생한 빛은 기판 쪽에서 취출되는 경우도 있으나, 제2전극 쪽에서 취출되는 경우도 있다.

반도체 기판에서는 종래로부터 배선재로서 알루미늄이나 알루미늄 합금이 사용되고 있고, 플랫 패널에서는 TFT 배선이나, 최근에는 반사형 액정 디스플레이의 반사막으로서도 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 또한, 유기EL의 반사전극으로서는 알루미늄이나 알루미늄 합금이나 크롬 등의 재료를 사용하고 있다(예를 들면, 특허문헌2 참조).

통상, 금속 반사막 또는 반사전극은 기판상에 금속막을 CVD, 스퍼터링, 전해도금 등에 의해 퇴적하여 형성한 후, 그 금속막 상에 포토레지스트를 도포, 노광(露光), 현상(現像)하여 마스크를 형성하고, 그 금속막의 비마스크 영역을 웨트 에칭액에 의한 웨트 에칭 또는 드라이 에칭으로 패턴을 형성한 후, 마스크로서 사용한 포토레지스트를 포토 레지스트 박리액으로 그 금속막으로부터 박리하여 형성한다.

종래 포토레지스트 박리액은 포스트베이크와 같은 가열에 의해 기판에 고착한 포토레지스트를 박리하기 위해서 페놀 및 염소화된 탄화수소를 함유하는 액이 사용되고 있으나, 환경상의 문제로부터 이미다조리디논(imidazolidinone)을 주성분으로 하는 조성물(예를 들면, 특허문헌3 참조)이나, 각종 알카놀아민(alkanolamine)과 1, 3-디메틸-2-이미다조리디논의 혼합용액(예를 들면, 특허문헌4 참조)이 개발되어 있다.

그 후, 드라이 에칭의 채용에 따라 종래와는 다른 변질된 포토레지스트층의 박리 필요성에서, 각종 알카놀 아민과 1, 3-디메틸-2-이미다조리디논과 디메틸술폭시드 조성물(예를 들면, 특허문헌5 참조)이나, 각종 알카놀아민과, 극성 유기용제와, 각종 방식제(防蝕劑)를 함유하는 조성물이 개발되었다.

이들 조성물은 드라이 에칭 후의 레지스트 변질층과, 기판에 고착한 포토레지스트를 박리할 수 있고, 드라이 에칭 후와 웨트 에칭 후의 두 기판에 대해서 포토레지스트 박리액으로 사용할 수 있다.

방식제로서는 카테콜(예를 들면, 특허문헌6 참조), 페놀이나 초산과 같은 약산(예를 들면, 특허문헌7 참조), 당류(예를 들면, 특허문헌8 참조), 카테콜, 몰식자산(沒食子酸) 에스테르 또는 몰식자산 중 어느 하나(예를 들면, 특허문헌9 참조), 아미노산(예를 들면, 특허문헌10 참조) 등이 보고되어 있다.

이 외에, 박리능력을 강화하기 위해서 히드록실 아민(hydroxyl amine)를 더 첨가하는 예나, 비수박리액(非水剝離液)은, (1)이소프로필 알콜(isopropyl alcohol)에 의한 린스가 필요하고, (2) 물 세정시에 금속표면에 아미노 화합물이 존재하고 있으면 금속이 부식되는 등의 결점이 있어, 유기 아미노 화합물과 극성 용매와 물과 방식제로 이루어진 수용성 박리액의 예가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌11, 특허문헌12 참조).

최근, 알루미늄 및 알루미늄 합금보다 고 반사율을 갖는 은 및 은 합금이 주목받게 되고, 반사막이나 반사전극 등에 은 단층막이나 은 층을 포함하는 다층막이 사용되게 되었다. 반사막이 공기 중에 폭로(暴露)되는 경우에 습기 등의 영향을 피하기 위해, 또한 단파장 광에 대한 은 반사율 저하를 보충하기 위해서 은 표면에 안정한 산화막을 형성한 다층막이 사용되고(예를 들어, 특허문헌13, 특허문헌14 참조), 은 표면이 공기 중에 폭로되지 않는 경우에는 은의 단층막이 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌13, 특허문헌15 참조). 그러나, 이들 문헌은 웨트 에칭의 경우에 대해서도, 또한 레지스트가 변질해서 박리하기 어려워지는 드라이 에칭에 대해서도 은 막의 패턴 형성에 사용되는 레지스트 박리액에 대해 전혀 개시되어 있지 않고, 현존하는 포토레지트 박리액으로서는, 종래의 알루미늄 및 알루미늄 합금에 대해 부식성이 없는 포토레지스트 박리액이 있을 뿐, 은 및/또는 은 합금의 패턴형성에 은 및/또는 은 합금을 부식시키지 않고 적절하게 이용할 수 있는 포토레지스트 박리액은 지금까지 개발되지 않고 있다.

이상과 같이 은 및/또는 은 합금에 대해 부식성이 없고, 포토레지스트 및 포토레지스트 변질층에 대해 높은 박리성을 갖는 포토레지스트 박리액 조성물이 요구되고 있다.

특허문헌1:특개2003-57674호 공보

특허문헌2:특개2002-216976호 공보

특허문헌3:특개소63-50838호 공보

특허문헌4:특개소63-208043호 공보

특허문헌5:특개평4-350660호 공보

특허문헌6:특개평5-281753호 공보

특허문헌7:특개평6-202345호 공보

특허문헌8:특개평8-202051호 공보

특허문헌9:특개평9-296200호 공보

특허문헌10:특개평7-295240호 공보

특허문헌11:특개평4-289866호 공보

특허문헌12:특개평6-266119호 공보

특허문헌13:특개2000-8184호 공보

특허문헌14:특개2002-139609호 공보

특허문헌15:특개2003-228071호 공보

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하고, 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판에 적절하게 적용할 수 있는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물로서,

- 식(Ⅰ)

NH₂-A-Y-B-Z

[식 중, A, B는 각각 서로 독립하고, 직쇄(直鎖)형 또는 분기쇄(分技鎖)형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이고, Y는 NH 또는 O 중 하나이고, Z는 NH₂, OH, NH-D-NH₂(여기서, D는 직쇄형 또는 분기쇄형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이다)이다]

로 표시되는 화합물,

- 식(Ⅱ)

NH₂-A-N(-B-OH)₂

(식 중, A, B는 식(I)과 동일하다)

로 표시되는 화합물,

- 식(Ⅲ)

[화학식2]

(식 중, R은 H, 탄소수 1-5인 알킬기, 탄소수 1-5인 히드록시알킬기 또는 탄소수 1-5인 아미노알킬기이다)

로 표시되는 화합물,

- 피로카테콜,

- 히드로퀴논,

- 피로가롤,

- 몰식자산, 및

- 몰식자산에스테르

로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과, 1종 또는 2종 이상의 극성 유기용제를 함유하는 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 비수계(非水系)인 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 또는 식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물이 디에틸렌트리아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-2-프로판올, N-(3-아미노프로필)-N-(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디프로필렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 몰포린인 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

그리고, 본 발명은 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 또는 식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물의 총함유량이 20질량% 이상 50질량% 이하인 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 또는 식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물을 포함하고, 극성 유기용제가 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜, 디메틸술폭시드 및 N-메틸-2-피로리디논으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 방식제를 더 함유하는 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 모노에탄올아민과, 피로카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 몰식자산 및 몰식자산 에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

그리고, 본 발명은 모노에탄올아민과, 피로카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 몰식자산 및 몰식자산에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는 포토레지스트 박리액 조성물로서, 극성 유기용제가 N-메틸-2-피로리디논 및/또는 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논인 상기 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 기판상의 소정 영역에 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 금속 반사막 또는 반사 전극을 형성하는 공정과, 그 금속 반사막 또는 반사전극 상에 포토레지스트를 이용하여 마스크 형성을 수행하고, 비 마스크 영역의 그 금속 반사막 또는 반사 전극을 에칭하는 공정과, 상기 포토레지스트를 상기 포토레지스트 박리액 조성물을 이용하여 그 금속 반사막 또는 반사전극 상으로부터 박리하는 공정을 포함하는 은 및/또는 은 합금의 패턴 형성방법에 관한 것이다.

그리고, 본 발명은 에칭공정이 드라이 에칭인 상기 은 및/또는 은 합금의 패턴 형성방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 기판에 복수의 표시소자를 구비한 표시장치로, 상기 표시소자는 기판상에 은 및/또는 은 합금을 포함하는 층을 형성한 후, 그 적층한 막 상에 포토레지스트를 이용하여 마스크를 형성하고, 이 마스크를 이용하여 상기 적층한 막을 에칭하고, 상기 마스크를 형성한 포토레지스트를 상기 포토레지스트 박리액으로 박리함에 따라 형성된 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 반사막 또는 반사막 전극을 구비한 표시장치에 관한 것이다.

그리고, 본 발명은 표시소자가 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 반사막 또는 반사 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층 및 전극이 순서대로 적층되고, 그 발광층에서 발생한 빛을 전극 쪽에서 취출하는 유기발광소자인 상기 표시장치에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 표시소자가 기판에 화소전극과, 이 화소전극에 전기적으로 접속된 구동소자 및 배선이 설치되고, 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 반사막 또는 반사전극이 그 기판과 그 구동소자 및 배선 사이에 설치되어 이루어지는 액정표시소자인 상기 표시장치에 관한 것이다.

본 발명의 포토레지스트 박리액을 사용함으로써, 은 및 은 합금에 대해 부식하지 않고, 은 및 은 합금을 에칭한 후의 포토레지스트, 더욱이 드라이 에칭한 후의 포토레지스트 변질층을 박리할 수 있게 되고, 따라서 은 및 은 합금을 금속 반사막으로서 사용한 유기 EL디스플레이를 제조할 수 있게 된다.

도 1은 본 발명의 표시장치의 제1 실시형태의 일단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 표시장치의 제2 실시형태의 일단면 개략도이다.

종래의 포토레지스트 박리액에 사용되고 있는 아미노 화합물은 수산기를 갖는 아미노화합물(알카놀아미노)류와, 수산기를 갖지 않는 아미노화합물류로 분류된다.

수산기를 갖는 아미노화합물류로서는 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에탄올아민, 디이소프로판올아민, N, N-디메틸에탄올아민, N, N-디에틸에탄올아민, N, N-디부틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-(3-아미노프로필)-N-(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄올, 트리에탄올아민, 트리이소프로판올아민을 들 수 있다.

수산기를 갖지 않는 아미노화합물류로서는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 디프로필렌트리아민, 몰포린(morpholine)유도체 등을 들 수 있다.

그런데, 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판에 적절하게 적용될 수 있는 포토레지스트 박리액 조성물을 재고(再考)하는 중에, 알루미늄 및 알루미늄 합금 시에 사용하고 있는 종래의 아미노화합물, 예를 들어, 모노에탄올아민을 주성분으로 하는 포토레지스트 박리액을 사용하면 높은 박리성을 갖지만, 그 자체로 사용하였을 경우에는 은 및 은 합금을 부식할 수 있다는 지견을 얻었다.

더욱이 또한, 모노에탄올아민의 아미노기에 치환기를 더 갖는 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N, N-디메틸에탄올아민 등은 후술하는 바와 같이, 은 및 은 합금에 대한 부식은 적지만, 포토레지스트의 박리성, 특히 포토레지스트 변질층의 박리가 곤란하다는 것도 밝혀졌다.

그래서, 본 발명자들은 상기 과제를 종합적으로 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 바, 유기 아미노 화합물의 알킬렌 사슬의 탄소 사슬 길이가 너무 긴 경우, 박리성이 저하하고, 짧으면 은 및 은 합금에 대하여 부식성이 증가하는 것, 또한 알킬렌 사슬간에 다른 원자(異原子)를 도입함으로써, 알킬렌기의 탄소 사슬 길이가 어느 정도의 길이를 갖고 있더라도, 박리성의 저하를 방지할 수 있다는 지견을 얻었으므로, 어떤 특정 유기아미노화합물 및 모노에탄올아민에 대해서는 어떤 특정 방식제를 첨가함에 따라 포토레지스트 박리액으로서 사용할 수 있다는 것을 발견하고, 더욱 연구를 진행한 결과, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물로서,

- 식(Ⅰ)

NH₂-A-Y-B-Z

로 표시되는 화합물,

- 식(Ⅱ)

NH₂-A-N(-B-OH)₂

(식 중, A, B는 식(I)과 동일하다)

로 표시되는 화합물,

- 식(Ⅲ)

[화학식2]

로 표시되는 화합물,

- 피로카테콜,

- 히드로퀴논,

- 피로가롤,

- 몰식자산, 및

- 몰식자산에스테르

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 식(Ⅲ)으로 표시되는 어떤 특정 유기아미노화합물, 또는 어떤 특정 방식제를 이용하는 구성을 채용함으로써, 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 에칭 후의 포토레지스트를 은 및 은 합금을 부식하지 않고, 박리할 수 있다.

본 발명에 이용되는 유기아미노화합물은 그 메카니즘은 명확하지 않으나, 화합물 구조 중에 어떤 특정 탄소수의 알킬렌기를 복수 갖는 것으로, 알킬렌기의 탄소 사슬 길이가 너무 긴 경우, 박리성이 저하하고, 짧으면 은 및 은 합금에 대해 부식성이 증가하기 때문에, 본 발명 구성의 어느 특정한 길이를 채용함으로써 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판에 적용할 수 있다.

또한, 드라이 에칭 후의 포토레지스트 변질층이라 하더라도, 은 및/또는 은 합금을 부식하지 않고, 양호하게 박리할 수 있고, 종래 곤란할 것으로 생각했던 드라이 에칭을 가능하게 한다.

이하에 본 발명의 실시형태에 대하여 상술한다.

본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 식(Ⅰ)

NH₂-A-Y-B-Z

[식중, A, B는 각각 서로 독립하고, 직쇄(直鎖)형 또는 분기쇄(分技鎖)형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이고, Y는 NH 또는 O 중 하나이고, Z는 NH₂, OH, NH-D-NH₂(여기서, D는 직쇄형 또는 분기쇄형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이다)이다]

로 표시되는 화합물, 식(Ⅱ)

NH₂-A-N(-B-OH)₂

(식 중, A, B는 식(I)과 동일하다)

*로 표시되는 화합물, 식(Ⅲ)

[화학식3]

로 표시되는 화합물, 피로카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 몰식자산, 및 몰식자산에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과, 1종 또는 2종 이상인 극성 유기용제를 함유하는 포토레지스트 박리액 조성물이다.

본 발명에 이용되는 포토레지스트 박리액 조성물은 물을 함유하지 않는 비수계인 것이 바람직하다. 물을 함유할 경우, 박리액에 함유되는 성분이 물과 반응하여 알칼리성을 나타내고, 은 측면을 부식하거나 입계(粒界)로 들어가 화소(畵素) 내 부식을 진행시키고, 결함이 증가하는 경우가 있기 때문이다.

즉, 식(Ⅰ)

NH₂-A-Y-B-Z

[식중, A, B는 직쇄(直鎖)형 또는 분기쇄(分技鎖)형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이고, Y는 NH 또는 O 중 하나이고, Z는 NH₂, OH, NH-D-NH₂(여기서, D는 직쇄형 또는 분기쇄형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이다)이다]

로 표시되는 화합물, 식(Ⅱ)

NH₂-A-N(-B-OH)₂

(식 중, A, B는 식(I)과 동일하다)

로 표시되는 화합물, 및 식(Ⅲ)

[화학식4]

로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기아미노화합물은 은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물 성분으로 사용할 수 있다는 것이 판명되었다.

여기서, 상기 식(Ⅰ) 및 식(Ⅱ)의 A 및 B는 알킬렌 사슬의 탄소 사슬 길이가 너무 긴 경우, 박리성이 저하하고, 짧으면 은 및 은 합금에 대해 부식하기 때문에, 직쇄형 또는 분기쇄형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이고, 포토레지스트 박리성 및 은에 대한 부식성을 고려한다면, A 및 B의 탄소수가 합산하여 2-10이 바람직하고, 더 바람직하게는 2-6개이다.

이들 화합물 중, 디에틸렌트리아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-2-프로판올, N-(3-아미노프로필)-N-(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디프로필렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 몰포린이 바람직하다.

또한, 유기아미노화합물의 함유량은 포토레지스트 및 포토레지스트 변질층의 박리성 및 은 및 은 합금에 대한 부식성을 고려하면 20질량% 이상 50질량% 이하가 바람직하다.

또한, 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 식(Ⅲ)으로 표시되는 유기아미노화합물과 혼합하는 극성유기용제는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르계 용제, 포름아미드, 모노메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 모노에틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 아세트아미드, 모노메틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디에틸아세트아미드 등의 아미드계 용제, N-메틸-2-피로리디논, N-에틸-2-피로리디논 등의 피로리디논계 용제, 메틸알콜, 에틸알콜, 프로필알콜, 이소프로필알콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알콜계 용제, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드 용제, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논계 용제,γ-부티로락톤(butyrolactone), γ-바레로락톤 (valerolactone)등의 락톤계 용제를 들 수 있다.

이들 중에서 바람직하게는, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디이소프로필-2-이미다졸리디논, N-메틸-2-피로리디논, N-에틸-2-피로리디논, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜, 디메틸술폭시드가 바람직하고, 포토레지스트 변질층의 제거성 관점에서, 보다 바람직하게는 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜, 디메틸술폭시드이다.

또한, 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 식(Ⅲ)으로 표시되는 유기화합물과 극성 유기용매를 함유하는 본원 조성물은 아미노 초산, 초산 등의 유기산, 플로로글루시놀(phloroglucinol), 레조르시놀(resorcinol), 페놀, 벤조트리아졸, 피로카테콜, 히드로퀴논(hydroquinone), 몰식자산, 몰식자산에스테르, 피로가롤 등을 방식제로 더 첨가할 수 있다.

또한, 본 발명은 모노에탄올아민과, 1종 또는 2종 이상의 극성유기용제와, 피로카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 몰식자산, 몰식자산에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 방식제를 함유하는 포토레지스트 박리액 조성물이다.

그러나, 피로카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 몰식자산, 몰식자산에스테르에 유사하고, 종래의 포토레지스트 박리액 조성물의 방식제로 사용되고 있는 플로로글루시놀(1, 3, 5-트리히드록시벤젠), 레조르시놀(1, 3-디히드록시벤젠), 페놀이나, 초산이나 아미노초산은 모노에탄올아민과 함께 첨가해도 은 및 은 합금에 대한 부식성은 개선되지 않는다.

또한, 모노에탄올아민과 혼합하는 극성 유기용제는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌클리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르계 용제, 포름아미드, 모노메틸포름아미드, 디메틸포름아미드, 모노에틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 아세트아미드, 모노메틸아세트아미드, 디메틸아세트아미드, 모노에틸아세트아미드, 디에틸아세트아미드 등의 아미드계 용제, N-메틸-2-피로리디논, N-에틸-2-피로리디논 등의 피로리디논계 용제, 메틸알콜, 에틸알콜, 프로필알콜, 이소프로필알콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알콜계 용제, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드 용제, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논계 용제, γ-부티로락톤, γ-바레로락톤 등의 락톤계 용제를 들 수 있다. 바람직하게는 N-메틸-2-피로리디논 및/또는 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논이다.

이 포토레지스트 박리액을 이용하여 제조하는 표시장치에 대해 이하에 나타낸다.

[제1 실시형태]

도 1에 이 표시장치의 일단면 개략도를 나타낸다.

유리기판(11)상에 TFT(12), 층 간 절연막(12A) 및 배선(12B)을 형성한다.

다음으로, 기판(11)의 전면(全面)에, 예를 들어 스핀코트법으로 평탄화층(13)을 형성하고, 노광 및 현상에 의해 평탄화층(13)을 소정의 형상으로 패턴화함과 동시에 접속공(13A)을 형성한다. 그 다음, 폴리이미드를 이미드화시키기 위해 클린베이크로로, 예를 들어 320℃ 온도에서 소성한다.

이어서, 평탄화층(13)상에 예를 들어, 스퍼터법에 따라 Ag를 포함하는 전극층(14)으로서 은 또는 은 합금을 예를 들어 100nm의 막 두께로 적층한다.

Ag를 포함하는 전극층(14)을 형성한 다음, 예를 들어 리소그라피기술을 이용하여 레지스트 마스크를 제작하고, 이것을 이용하여 Ag를 포함하는 전극층(14)을 에칭한다. 이 에칭은 웨트 에칭 또는 드라이 에칭으로 실행할 수 있다.

다음에 포토레지스트 박리액으로 레지스트를 제거한다.

다음으로, 기판(11)의 전면에 걸쳐, 예를 들어 CVD(Chemical Vapor Deposition;화학적 기상성장)법으로 절연막(15)을 성막하고, 예를 들어 리소그라피 기술을 이용하여 절연막(15) 중 발광영역에 대응하는 부분을 선택적으로 제거하여 개구부(15A)를 형성한다.

다음에, 절연막(15)상에 기판(11)의 전면에 걸쳐 보조전극(17A)을 형성하고, 예를 들어 리소그라피 기술을 이용하여 선택적으로 에칭하고, 소정의 형상으로 패턴화한다.

이어서, 예를 들어 증착법으로 유기층(16)을 형성한다. 이때, 절연막(15)의 개구부에 대하여 성막하도록 개구를 갖는 금속제의 증착마스크를 사용한다.

유기층(16)을 형성한 후, 기판 전면에 걸쳐, 예를 들어 증착법으로 이루어지는 공통전극(17)을 형성한다. 이로 인해, 공통전극(17)은 이미 형성되어 있는 보조전극(17A) 및 도시하지 않는 모선(母線)이 되는 간상(幹狀) 보조전극에 전기적으로 접속된다.

그 다음, 봉지용 기판(21)을 기판(11)의 유기층(16)을 형성한 쪽으로 열경화성 수지로 이루어지는 접착층(30)을 도포 형성하고, 접착하여 표시장치가 완성한다.

이 표시장치에서는, 예를 들어 Ag를 포함하는 전극층(14)과 공통전극(17) 사이에 소정의 전압이 인가되면 유기층(16)에서 발광이 일어난다.

본 발명에 따른 포토레지스트 박리액을 이용함으로써, Ag가 부식되지 않고 레지스트를 박리할 수 있다. 따라서, Ag의 부식으로 기인하는 화소결함이 종래의 박리액과 비교하여 1/10으로 저감할 수 있고, 표시소자의 신뢰성이 향상하였다.

[제2 실시형태]

도 2는 본 발명의 제2 실시형태에 관한 표시장치의 단면구조를 나타낸 것이다.

이 표시장치는 투과형?반사형 병용(반투과형)의 액정 디스플레이로서 사용되는 것으로, 구동패널(60)과 대향패널(70)이 대향하여 배치되고, 그 사이에 액정(80)이 설치되어 있다. 구동패널(60)은 예를 들어 유리로 이루어진 기판(61)에 화소전극(62)이 매트릭스형상으로 설치되어 있다. 기판(61)에는 화소전극(62)에 전기적으로 접속된 구동소자로서의 TFT(63) 및 배선(63A) 등을 포함하는 액티브형의 구동회로가 형성되어 있다.

기판(61)의 액정(80)에 대향하는 쪽에는 배향막(64)이 전면에 설치되고, 반대쪽으로는 편광판(65)이 설치되어 있다.

화소는 화소전극(62)과 Ag를 포함하는 전극층(14)를 갖고 있다. 화소전극(62)은 예를 들어 ITO로 구성되고, Ag를 포함하는 전극층(14)은 은 또는 은 합금을 포함하는 층으로 구성되어 있다. Ag를 포함하는 전극층(14)은 화소전극(62)의 일부영역에 겹쳐지도록 형성되어 있다. Ag를 포함하는 전극층(14)이 형성된 영역은 반사형 표시영역이 되고, 화소전극(62)의 Ag를 포함하는 전극층(14)이 겹쳐지지 않는 영역이 투과형 표시영역이 된다.

TFT(63)의 게이트 전극(도시되어 있지 않음)은 도시하지 않는 주사회로(走査回路)에 접속되고, 소스(도시되어 있지 않음)는 신호선으로서의 배선(63A)에 접속되고, 드레인(도시되어 있지 않음)은 화소전극(62)에 접속되어 있다. 배선(63A)의 재료는 제1실시 형태의 배선(13B)과 동일하다. 또한, TFT(63)의 구성은 제1실시 형태의 TFT(12)와 동일하고, 특별히 한정되지 않는다. TFT(63) 및 배선(63A)은 예를 들어 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화 실리콘(SiN)으로 이루어지는 보호막(63B)로 피복되어 있다.

배향막(64)은 예를 들어, 폴리이미드 등의 유기화합물을 러빙(Rubbing)(배향) 처리한 막을 이용한다. 이 경우, 러빙 조건을 변경함에 따라 프리틸트 각이 제어된다.

편광판(65)은 도시하지 않는 백라이트로부터의 빛을 일정방향의 직선편광으로 바꾸는 광학 소자로, 예를 들어 폴리비닐알콜(PVA) 필름 등을 포함하여 구성되어 있다.

대향 패널(70)은 구동패널(60)의 화소 전극(62) 쪽에 위치하고 있고, 유리 등으로 이루어진 대향 기판(71)을 갖고 있다.

대향 기판(71)에는 예를 들어 화소 전극(62)에 대향하여, 투명전극(72) 및 칼라 필터(73)가 대향 기판(71) 쪽에서부터 순서대로 적층되어 설치되어 있다.

또한, 대향 기판(71)에는 칼라 필터(73)의 경계를 따라, 블랙매트릭스로서의 광 흡수막(74)이 설치되어 있다. 대향 기판(71)의 액정(80)에 대향하는 쪽에는 배향막(75)이 전면에 설치되어 있고, 반대쪽에는 편광판(76)이 설치되어 있다.

투명전극(72)은 예를 들어 ITO로 구성되어 있다.

광 흡수막(74)은 대향 기판(71)에 입사한 외광(外光) 또는 배선(64)에 의해 반사된 외광의 반사광 등을 흡수하여 콘트라스트를 향상시키는 것으로, 예를 들어 흑색의 착색제를 혼입한 광학 농도가 1 이상의 흑색 수지막, 또는 박막의 간섭을 이용한 박막 필터로 구성되어 있다. 박막필터는 예를 들어, 금속, 금속질화물 또는 금속산화물로 이루어진 박막을 한 층 이상 적층하고, 박막의 간섭을 이용하여 빛을 감쇄시키는 것이다.

박막 필터로서는 구체적으로는 크롬과 산화크롬(Ⅲ)(Cr₂O₃)을 서로 교대로 적층한 것을 들 수 있다. 배향막(75) 및 편광판(76)은 구동패널(60)의 배향막(64) 및 편광판(65)과 동일하게 구성되어 있다.

액정(80)은 전압을 인가함으로써 배향상태가 변화하여 투과율을 변화시키는 것이다. 구동시에 액정분자의 경사하는 방향이 일정하지 않으면 명암의 얼룩이 생기기 때문에, 이것을 피하기 위해서 사전에 액정(80)에는 약간의 프리틸트 각이 일정 방향으로 주어져 있다.

이 표시장치는 예를 들어 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.

먼저, 기판(61)에 화소전극(62) 및 Ag를 포함하는 전극층(14)을, 예를 들면 스퍼터법으로 성막한다. 그 다음, 포토리소 공정을 이용하여 레지스트 패턴을 형성한다.

그 다음, 포토레지스트에 의해 형성된 패턴을 마스크로 하여 Ag를 포함하는 전극층(14)의 에칭을 수행하였다. 에칭은 약액을 이용한 웨트 에칭이나 드라이 에칭을 이용할 수 있다. 그 다음, 제1실시예에 기재된 포토레지스트 박리액으로 레지스트를 제거한다.

또한 화소 전극(62)의 패턴을 형성하기 위해서 레지스트 패턴을 같은 방법으로 형성하고, 에칭 후 상기 포토레지스트 박리액으로 레지스트를 제거한다.

이어서, TFT(63) 및 배선(63A)을 형성하고, 보호막(63B)으로 피복한다. 그 다음, 기판(61)의 전면에 배향막(64)을 형성하고, 러빙 처리를 한다. 이로 인해, 구동패널(60)이 형성된다.

또한, 대향 기판(71)의 표면에 투명전극(72), 광 흡수막(74) 및 칼라필터(73)를 형성한다. 다음에, 대향 기판(71)의 전면에 배향막(75)을 형성하고, 러빙 처리를 한다. 이로 인해, 대향 패널(70)이 형성된다.

다음으로, 구동패널(60) 또는 대향패널(70)의 주변부분에 예를 들어 에폭시 수지 등으로 이루어진 실(seal) 재(도시되어 있지 않음)를 설치하고, 구형 또는 주상(柱狀)의 스페이서(도시되어 있지 않음)를 설치한다. 이어서, 구동패널(60) 및 대향 패널(70)을 화소전극(62)과 투명전극(72)이 대향하도록 위치를 맞추고, 실 재를 경화시켜 부착시키고, 액정(80)을 내부에 주입하여 밀봉한다. 그 다음, 구동패널(60)에 편광판(65)을, 대향패널(70)에 편광판(76)을 각각 부착한다. 이상에 따라, 도 2에 도시한 표시장치가 완성한다.

본 발명의 포토레지스트 박리액을 이용함으로써, 반사막인 Ag를 포함하는 전극층(14)의 표면에 대한 부식이 없어지고, 부식 등에 의한 반사율 저하에 기인하는 표시장치의 신뢰성이 향상한다.

이하, 실시예와 비교예를 들어 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(실시예)

1. 식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물과 극성 유기용제를 함유하고, 비수계의 포토레지스트 박리액

(1) 포토레지스트 및 포토레지스트 변질층 박리성 평가

유리 기판상에 은 합금을 성막하고, 은 합금 상에 도포, 노광, 현상한 포토레지스트를 마스크로 하여 드라이 에칭을 하고, 패턴을 형성하고, 포토레지스트 및 포토레지스트 변질층 박리성 평가기판을 얻었다. 이어서 그 기판을 포토레지스트 박리액 중에 70℃, 10분간 침적 후, 초순수(超純水)로 유수(流水)린스 처리 후, 질소 블로우에 의한 건조를 수행한 후, 광학 현미경 및 전자 현미경으로 포토레지스트 및 포토레지스트 박리성 평가를 실시하였다. 그 결과를 표1에 나타내었다.

(2) 은 및 은 합금에 대한 부식성 평가

유리 기판상에 은 합금을 성막하고, 은 합금에 대한 부식성 평가 기판을 얻었다. 이어서, 그 기판을 포토레지스트 박리액 중에 70℃, 10분간 침적한 후, 초순수에 의한 유수린스 처리 후, 질소 블로우에 의한 건조를 수행한 후, 광학 현미경 및 전자 현미경으로 은 합금에 대한 부식성 평가를 실시하였다. 그 결과를 표1에 나타내었다.

포토레지스트 및 포토레지스트 변질층 박리성 평가 결과

	포토레지스트 박리액 조성(질량%)※1			평가결과
	성분①	성분②	성분③	포토레지스트 박리성※2	포토레지스트 변질층박리성※2	은합금에 대한 부식성※3
실시예1	DGA 50	DMI 50		◎	◎	◎
실시예2	DGA 40	DMI 60		◎	◎	◎
실시예3	DGA 30	DMI 70		◎	◎	◎
실시예4	DGA 20	DMI 80		◎	◎	◎
실시예5	DGA 10	DMI 90		◎	○	◎
실시예6	DGA 50	NMP 50		◎	◎	◎
실시예7	DGA 40	NMP 60		◎	○	◎
실시예8	DGA 30	BCA 70		◎	◎	◎
실시예9	DGA 30	PG 70		◎	◎	◎
실시예10	DGA 30	NMP 70		◎	○	◎
실시예11	DGA 30	DMSO 70		◎	○	◎
실시예12	DGA 30	PGM 70		◎	○	◎
실시예13	DGA 30	DMI 60	NMP 10	◎	◎	◎
실시예14	DGA 30	DMI 40	NMP 30	◎	◎	◎
실시예15	DGA 30	DMI 30	NMP 40	◎	◎	◎
실시예16	DGA 30	DMI 25	NMP 45	◎	◎	◎
실시예17	DETA 30	DMI 25	NMP 45	◎	◎	◎
실시예18	AEAE 30	DMI 25	NMP 45	◎	◎	◎
실시예19	AEIPA 30	DMI 25	NMP 45	◎	◎	◎
실시예20	APDEA 30	DMI 25	NMP 45	◎	◎	◎
실시예21	DPTA 30	DMI 25	NMP 45	◎	○	◎
실시예22	TETA 30	DMI 25	NMP 45	◎	○	◎
실시예23	MO 30	DMI 25	NMP 45	◎	○	◎
비교예1	MEA 50	DMI 50		◎	◎	×
비교예2	MEA 30	DMI 70		◎	◎	×
비교예3	MEA 10	DMI 90		◎	×	×
비교예4	MEA 10	DMI 20	DMSO 70	◎	×	○
비교예5	DEA 30	DMI 70		○	×	◎
비교예6	TEA 30	DMI 70		×	×	◎
비교예7	NDMA 30	DMI 70		◎	×	◎
비교예8	NDEA 30	DMI 70		○	×	◎
비교예9	DGA 30	DMI 60	물 10	◎	×	×
※1 DGA:디글리콜아민=2-(2-아미노에톡시)에탄올, AEAE:2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, AEIPA:N-(2-아미노에틸)이소프로판올아민=1-(2-아미노에틸아미노)-2-프로판올, APDEA:N-(3-아미노프로필)디에탄올아민=N-(3-아미노프로필)-N-(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄올, DEA:디에탄올아민, DETA;디에틸렌트리아민, DPTA:디프로필렌트리아민, MEA:모노에탄올아민, MO:몰포린, NDMA:N,N-디메틸에탄올아민, NDEA:N,N-디에틸에탄올아민, TEA:트리에탄올아민, TETA:트리에틸렌테트라민 DMI:1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, NMP:N-메틸-2-피로리디논, BCA:부틸카르비톨=디에틸렌글리콜모노부틸에테르, PG:프로필렌글리콜, DMSO:디메틸술폭시드, DMI:1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, NMP:N-메틸-2-피로리디논, BCA:부틸카르비톨, PG:프로필렌글리콜, DMSO:디메틸술폭시드 ※2 ◎:제거가능, ○:약간의 잔류 있음, ×:제거 불가능 ※※3 ◎:변화 없음, ○:일부변색발생, ×:변색발생, 광택도변화, 일부 막 벗겨짐 발생

2. 모노에탄올아민과, 극성 유기용제와, 피로카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 몰식자산, 몰식자산에스테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어진 방식제를 함유하고, 비수계인 포토레지스트 박리액 조성물

본 조성물에 대해서, 포토레지스트 제거성과, 은 합금에 대한 부식성에 대해서, 1과 같은 방법으로 실험 평가하고, 그 결과를 표2에 나타냈다.

번호	포토레지스트 박리액 조성(질량%)					평가결과
	성분①	성분②	성분③		성분④	포토레지스트 박리성	포토레지스트 변질층 박리성	은 합금에 대한 부식성
실시예24	MEA 30	NMP 45	DMI	25	피로카테콜(1)	◎	◎	◎
실시예25	MEA 30	NMP 45	DMI	25	히드로퀴논(1)	◎	◎	◎
실시예26	MEA 30	NMP 45	DMI	25	몰식자산(1)	◎	◎	◎
실시예27	MEA 30	NMP 45	DMI	25	몰식자산n-도데실(1)	◎	◎	◎
실시예28	MEA 30	NMP 45	DMI	25	피로가롤(1)	◎	◎	◎
비교예10	MEA 30	NMP 45	DMI	25	-	◎	◎	×
비교예11	MEA 30	NMP 45	DMI	25	아미노초산(1)	◎	◎	×
비교예12	MEA 30	NMP 45	DMI	25	초산(1)	◎	◎	×
비교예13	MEA 30	NMP 45	DMI	25	플로로글루시놀(1)	◎	◎	×
비교예14	MEA 30	NMP 45	DMI	25	레조르시놀(1)	◎	◎	×
비교예15	MEA 30	NMP 45	DMI	25	페놀(1)	◎	◎	×
비교예16	MEA 30	NMP 45	DMI	25	1,2,3-벤조트리아졸(1)	◎	◎	×

11 유리기판 12 TFT
12A 층 간 절연막 12B 배선
13 평탄화층 13A 접속공
14 전극층 15 절연막
15A 개구부 16 유기층
17 공통전극 17A 보조전극
21 봉지용 기판 30 접착층
60 구동패널 61 기판
62 화소전극 63 TFT
63A 배선 63B 보호막
64 배향막 65 편광판
70 대향패널 71 대향기판
72 투명전극 73 칼라필터
74 광 흡수막 75 배향막
76 편광판 80 액정

Claims

은 및/또는 은 합금을 포함하는 기판의 포토레지스트 박리액 조성물로서,
- 식(Ⅰ)로 표시되는 화합물,
NH₂-A-Y-B-Z
[식중, A, B는 각각 서로 독립하고, 직쇄(直鎖)형 또는 분기쇄(分技鎖)형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이고, Y는 NH 또는 O이고, Z는 NH₂, OH, NH-D-NH₂(여기서, D는 직쇄형 또는 분기쇄형의 탄소수 1-5인 알킬렌기이다)이다]
- 식(Ⅱ)로 표시되는 화합물, 및
NH₂-A-N(-B-OH)₂
(식 중, A, B는 식(I)과 동일하다)
- 식(Ⅲ)로 표시되는 화합물,
[화학식1]

(식 중, R은 H, 탄소수 1-5인 알킬기, 탄소수 1-5인 히드록시알킬기 또는 탄소수 1-5인 아미노알킬기이다)
로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과, 1종 또는 2종 이상의 극성 유기용제를 포함하며, 극성 유기용제가 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜, 및 N-메틸-2-피로리디논으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인, 포토레지스트 박리액 조성물.
제1항에 있어서,
비수계인 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 박리액 조성물.
제1항에 있어서,
식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 또는 식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물이 디에틸렌트리아민, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-2-프로판올, N-(3-아미노프로필)-N-(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디프로필렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 몰포린인, 포토레지스트 박리액 조성물.
제1항에 있어서,
식(Ⅰ), 식(Ⅱ), 또는 식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물의 총함유량이 20 질량% 이상 내지 50 질량% 이하인, 포토레지스트 박리액 조성물.
제1항에 있어서,
방식제를 추가로 함유하는, 포토레지스트 박리액 조성물.
기판상의 소정 영역에 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 금속 반사막 또는 반사 전극을 형성하는 공정과, 상기 금속 반사막 또는 반사전극상에 포토레지스트를 이용하여 마스크 형성을 수행하고, 비 마스크 영역의 상기 금속 반사막 또는 반사 전극을 에칭하는 공정 및 상기 포토레지스트를 제1항에 기재된 포토레지스트 박리액 조성물을 이용하여 상기 금속 반사막 또는 반사전극 상으로부터 박리하는 공정을 포함하는, 은 및/또는 은 합금의 패턴 형성방법.
제6항에 있어서,
상기 에칭하는 공정이 드라이 에칭인, 은 및/또는 은 합금의 패턴 형성방법.
기판에 복수의 표시소자를 구비한 표시장치의 제조방법으로서, 상기 표시소자는 기판상에 은 및/또는 은 합금을 포함하는 층을 형성한 후, 상기 적층한 막 상에 포토레지스트를 이용하여 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 이용하여 상기 적층한 막을 에칭하고, 상기 마스크를 형성한 포토레지스트를 제1항에 기재된 포토레지스트 박리액 조성물로 박리함에 따라 형성되는, 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 반사막 또는 반사 전극을 구비한, 표시장치의 제조방법.
제8항에 있어서,
표시소자가 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 반사막 또는 반사 전극 상에, 발광층을 포함하는 유기층 및 전극이 순서대로 적층되고, 상기 발광층에서 발생한 빛을 전극쪽에서 취출하는 유기발광소자인, 표시장치의 제조방법.
제8항에 있어서,
표시소자가 기판에 화소 전극과, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 구동소자 및 배선이 설치되고, 은 및/또는 은 합금으로 이루어진 반사막 또는 반사 전극이 상기 기판과 상기 구동소자 및 배선 사이에 설치되어 이루어지는 액정표시소자인, 표시장치의 제조방법.