JPWO2018021331A1 - 樹脂組成物 - Google Patents

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    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
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    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
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    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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Abstract

高感度で、吸水率の低い硬化膜を得ることのできる樹脂組成物を提供する。（ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（ｂ１）フェノール性水酸基のオルト位に下記一般式（１）で表される１価の基を有するアミドフェノール化合物および／または（ｂ２）カルボキシ基のオルト位に下記一般式（２）で表される１価の基を有する芳香族アミド酸化合物を含む樹脂組成物。【化１】（一般式（１）中、Ｘは一般式（１）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。一般式（２）中、Ｕは一般式（２）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。）

Description

本発明は、アルカリ可溶性樹脂とアミドフェノール化合物を有する樹脂組成物に関する。
ポリイミドやポリベンゾオキサゾールなどの耐熱性樹脂は、優れた耐熱性、電気絶縁性を有することから、これらの耐熱性樹脂を含有する感光性樹脂組成物が、ＬＳＩなどの半導体素子の表面保護層、層間絶縁層、有機電界発光素子および有機ＥＬ表示素子の絶縁層、表示装置用ＴＦＴ基板の平坦化層などに用いられている。
半導体の信頼性に対する要求が高まっており、高温高湿環境下における信頼性が求められることから、半導体の表面保護層や層間絶縁層に用いられる樹脂組成物にも、低吸水性が要求されている。また、有機ＥＬ表示装置に関しても、有機ＥＬ発光材料が水分による劣化を受けやすいことから、有機ＥＬ表示装置の絶縁層に用いられる樹脂組成物にも低吸水性が求められる。さらに、近年は、基板の大型化や生産性向上などの理由から、露光時間を短縮するため、感光性樹脂組成物により高い感度が要求されている。この様なことから、高感度でパターニングができ、低吸水性の硬化膜を得ることができる感光性樹脂組成物の開発が強く望まれている。
そこで、硬化後の膜が低吸水であるポジ型の感光性樹脂組成物として、アルカリ可溶性樹脂、ジアゾナフトキノン化合物、フェノール性水酸基を含まずメチロール基を含む化合物を含んでなるポジ型感光性樹脂組成物（例えば、特許文献１参照）が提案されている。しかしながら、この感光性樹脂組成物は感度が不十分である課題があった。そこで、高感度で高解像度の感光性樹脂組成物として、例えば、ポリアミド樹脂、感光性キノンジアジド化合物およびアミドフェノール化合物を必須成分とするポジ型感光性樹脂組成物（例えば、特許文献２参照）、アルカリ可溶性樹脂、感光性ジアゾキノン化合物およびフェノール化合物を含むポジ型感光性樹脂組成物（例えば、特許文献３参照）が提案されている。
米国特許出願公開第２００４−２５９０２０号明細書 日本国特開２００１−１８３８３５号公報 日本国特開２００４−１２５８１５号公報
しかしながら、特許文献２〜３記載の感光性樹脂組成物は、極性基であるフェノール性水酸基が硬化後に残存する場合があり、吸水率が高くなる課題があった。そこで、本発明は、高感度で、吸水率の低い硬化膜を得ることのできる樹脂組成物を提供することを課題とする。
本発明は、（ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（ｂ１）フェノール性水酸基のオルト位に下記一般式（１）で表される１価の基を有するアミドフェノール化合物および／または（ｂ２）カルボキシ基のオルト位に下記一般式（２）で表される１価の基を有する芳香族アミド酸化合物を含む樹脂組成物である。
Figure 2018021331
 （一般式（１）中、Ｘは一般式（１）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。一般式（２）中、Ｕは一般式（２）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。）
本発明の樹脂組成物は、高感度であり、本発明の樹脂組成物によれば、吸水率の低い硬化膜を得ることができる。
図１は、ＴＦＴ基板の一例の断面図である。 図２は、バンプを有する半導体装置のパット部分の一例の拡大断面図である。 図３ａ〜３ｆは、バンプを有する半導体装置の製造方法の一例を示す概略図である。
本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜（ａ）アルカリ可溶性樹脂＞
本発明の樹脂組成物は（ａ）アルカリ可溶性樹脂を含有する。（ａ）アルカリ可溶性樹脂を含有することにより、パターン加工性を有する樹脂組成物を得ることができる。本発明におけるアルカリ可溶性とは、樹脂をγ−ブチロラクトンに溶解した溶液をシリコンウエハ上に塗布し、１２０℃で４分間プリベークを行って膜厚１０μｍ±０．５μｍのプリベーク膜を形成し、該プリベーク膜を２３±１℃の２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に１分間浸漬した後、純水でリンス処理したときの膜厚減少から求められる溶解速度が５０ｎｍ／分以上であることをいう。
本発明における（ａ）アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ可溶性を付与するため、樹脂の構造単位中および／またはその主鎖末端に酸性基を有することが好ましい。酸性基としては、例えば、カルボキシ基、フェノール性水酸基、スルホン酸基などが挙げられる。また、（ａ）アルカリ可溶性樹脂は、撥水性を付与するため、フッ素原子を有することが好ましい。
（ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、ポリアミドイミド前駆体、ポリアミド、アルカリ可溶性基を有するラジカル重合性モノマーの重合体、フェノール樹脂などが挙げられるが、これに限定されない。これらの樹脂を２種以上含有してもよい。これらのアルカリ可溶性樹脂の中でも、耐熱性に優れ、高温下におけるアウトガス量が少ないことから、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体および／またはそれらの共重合体が好ましく、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体またはそれらの共重合体がより好ましく、感度をより向上させる観点から、ポリイミド前駆体またはポリベンゾオキサゾール前駆体がさらに好ましい。ここで、ポリイミド前駆体とは、加熱処理や化学処理によりポリイミドに変換される樹脂を指し、例えば、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステルなどが挙げられる。ポリベンゾオキサゾール前駆体とは、加熱処理や化学処理によりポリベンゾオキサゾールに変換される樹脂を指し、例えば、ポリヒドロキシアミドなどが挙げられる。
上述のポリイミドは下記一般式（１７）で表される構造単位を有し、ポリイミド前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体は下記一般式（１８）で表される構造単位を有する。これらを２種以上含有してもよいし、一般式（１７）で表される構造単位および一般式（１８）で表される構造単位を共重合した樹脂を用いてもよい。
Figure 2018021331
 一般式（１７）中、Ｒ１１は４〜１０価の有機基、Ｒ１２は２〜８価の有機基を表す。Ｒ１３およびＲ１４はカルボキシ基、スルホン酸基またはフェノール性水酸基を表す。ｐ個のＲ１３およびｑ個のＲ１４はそれぞれ同じでも異なってもよい。ｐおよびｑは０〜６の整数を表す。
Figure 2018021331
 一般式（１８）中、Ｒ１５およびＲ１６は２〜８価の有機基を表す。Ｒ１７およびＲ１８はフェノール性水酸基、スルホン酸基、またはＣＯＯＲ１９を表し、それぞれ単一のものであっても異なるものが混在していてもよい。Ｒ１９は水素原子または炭素数１〜２０の１価の炭化水素基を示す。ｒおよびｓは０〜６の整数を表す。ただしｒ＋ｓ＞０である。
ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体またはそれらの共重合体は、一般式（１７）または（１８）で表される構造単位を５〜１０００００有することが好ましい。また、一般式（１７）または（１８）で表される構造単位に加えて、他の構造単位を有してもよい。この場合、一般式（１７）または（１８）で表される構造単位を、全構造単位のうち５０モル％以上有することが好ましい。
上記一般式（１７）中、Ｒ１１−（Ｒ１３）ｐは酸二無水物の残基を表す。Ｒ１１は４価〜１０価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数５〜４０の有機基が好ましい。
酸二無水物としては、具体的には、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フルオレン酸二無水物、９，９−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝フルオレン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、および下記に示した構造の酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物や、ブタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの環状脂肪族基を含有する脂肪族テトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。これらを２種以上用いてもよい。
Figure 2018021331
 Ｒ２０は酸素原子、Ｃ（ＣＦ３）２またはＣ（ＣＨ３）２を表す。Ｒ２１およびＲ２２は水素原子または水酸基を表す。
上記一般式（１８）中、Ｒ１６−（Ｒ１８）ｓは酸の残基を表す。Ｒ１６は２価〜８価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数５〜４０の有機基が好ましい。
酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス（カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸などのジカルボン酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸などのトリカルボン酸、ピロメリット酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸および下記に示した構造の芳香族テトラカルボン酸や、ブタンテトラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸などの環状脂肪族基を含有する脂肪族テトラカルボン酸などのテトラカルボン酸などを挙げることができる。これらを２種以上用いてもよい。
Figure 2018021331
 Ｒ２０は酸素原子、Ｃ（ＣＦ３）２またはＣ（ＣＨ３）２を表す。Ｒ２１およびＲ２２は水素原子または水酸基を表す。
これらのうち、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の場合は、１つまたは２つのカルボキシ基が一般式（１８）におけるＲ１８に相当する。また、上に例示したジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の水素原子を、一般式（１８）におけるＲ１８と置換することができる。Ｒ１８は、好ましくは水酸基で１〜４個置換したものがより好ましい。これらの酸は、そのまま使用してもよいし、酸無水物または活性エステルとして使用してもよい。
上記一般式（１７）のＲ１２−（Ｒ１４）ｑおよび上記一般式（１８）のＲ１５−（Ｒ１７）ｒはジアミンの残基を表す。Ｒ１２およびＲ１５は２〜８価の有機基であり、なかでも芳香族環または環状脂肪族基を含有する炭素原子数５〜４０の有機基が好ましい。
ジアミンの具体的な例としては、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジジン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’，４，４’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジ（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジヒドロキシベンジジン、これらの芳香族環の水素原子の少なくとも一部をアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物などの芳香族ジアミン、シクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミンなどの環状脂肪族基を含有する脂肪族ジアミンおよび下記に示した構造のジアミンなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
Figure 2018021331
 Ｒ２０は酸素原子、Ｃ（ＣＦ３）２またはＣ（ＣＨ３）２を表す。Ｒ２１〜Ｒ２４はそれぞれ独立に水素原子または水酸基を表す。
これらのジアミンは、そのまま使用してもよいし、対応するジイソシアネート化合物やトリメチルシリル化ジアミンとして使用してもよい。
また、これらの樹脂の末端を、酸性基を有するモノアミン、酸無水物、酸クロリド、モノカルボン酸、活性エステル化合物などの末端封止剤により封止することにより、主鎖末端に酸性基を有する樹脂を得ることができる。
酸性基を有するモノアミンの好ましい例としては、５−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−７−アミノナフタレン、１−カルボキシ−６−アミノナフタレン、１−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カルボキシ−７−アミノナフタレン、２−カルボキシ−６−アミノナフタレン、２−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、４−アミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、６−アミノサリチル酸、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノールなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
酸無水物の好ましい例としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、３−ヒドロキシフタル酸無水物などが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
モノカルボン酸の好ましい例としては、３−カルボキシフェノール、４−カルボキシフェノール、３−カルボキシチオフェノール、４−カルボキシチオフェノール、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−７−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−６−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−５−カルボキシナフタレンなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
酸クロリドの好ましい例としては、前記モノカルボン酸のカルボキシ基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、１，５−ジカルボキシナフタレン、１，６−ジカルボキシナフタレン、１，７−ジカルボキシナフタレン、２，６−ジカルボキシナフタレンなどのジカルボン酸類の１つのカルボキシ基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物などが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
活性エステル化合物の好ましい例としては、前記モノ酸クロリド化合物とＮ−ヒドロキシベンゾトリアゾールやＮ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドとの反応物などが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
樹脂中に導入された末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、末端封止剤が導入された樹脂を、酸性溶液に溶解し、樹脂の構成単位であるアミン成分と酸成分に分解し、これをガスクロマトグラフ（ＧＣ）や、ＮＭＲ測定することにより、末端封止剤を容易に検出できる。また、末端封止剤が導入された樹脂を、熱分解ガスクロマトグラフ（ＰＧＣ）や、赤外スペクトル及び１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル測定することよっても検出することが可能である。
本発明における（ａ）アルカリ可溶性樹脂は、公知の方法により合成される。
ポリイミド前駆体であるポリアミド酸またはポリアミド酸エステルの製造方法としては、例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後、縮合剤の存在下でアミンと反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後、残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、アミンと反応させる方法などが挙げられる。
ポリベンゾオキサゾール前駆体であるポリヒドロキシアミドの製造方法としては、例えば、ビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸を縮合反応させる方法が挙げられる。具体的には、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）などの脱水縮合剤と酸を反応させ、ここにビスアミノフェノール化合物を加える方法、ピリジンなどの３級アミンを加えたビスアミノフェノール化合物の溶液にジカルボン酸ジクロリドの溶液を滴下する方法などが挙げられる。
ポリイミドの製造方法としては、例えば、前述の方法で得られたポリアミド酸またはポリアミド酸エステルを脱水閉環する方法などが挙げられる。脱水閉環の方法としては、酸や塩基などによる化学処理、加熱処理などが挙げられる。
ポリベンゾオキサゾールの製造方法としては、例えば、前述の方法で得られたポリヒドロキシアミドを脱水閉環する方法などが挙げられる。脱水閉環の方法としては、酸や塩基などによる化学処理、加熱処理などが挙げられる。
ポリアミドイミド前駆体としては、トリカルボン酸、対応するトリカルボン酸無水物、トリカルボン酸無水物ハライドとジアミン化合物との重合体が挙げられ、無水トリメリット酸クロライドと芳香族ジアミン化合物との重合体が好ましい。ポリアミドイミド前駆体の製造方法としては、例えば、低温中でトリカルボン酸、対応するトリカルボン酸無水物、トリカルボン酸無水物ハライドなどとジアミン化合物を反応させる方法などが挙げられる。
ポリアミドイミドの製造方法としては、例えば、無水トリメリット酸と芳香族ジイソシアネートを反応させる方法、前述の方法で得られたポリアミドイミド前駆体を脱水閉環する方法などが挙げられる。脱水閉環の方法としては、酸や塩基などによる化学処理、加熱処理などが挙げられる。
アルカリ可溶性基を有するラジカル重合性モノマーの重合体は、アルカリ可溶性を付与するため、フェノール性水酸基またはカルボキシ基を有するラジカル重合性モノマーの重合体であることが好ましい。これらのラジカル重合性モノマーと、他のラジカル重合性モノマーとの共重合体であってもよい。フェノール性水酸基またはカルボキシ基を有するラジカル重合性モノマーとしては、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、これらのアルキルまたはアルコキシ置換体などが好ましい。他のラジカル重合性モノマーとしては、スチレンやその置換体、ブタジエン、イソプレン、メタクリル酸またはアクリル酸のエステル化物などが好ましい。
フェノール樹脂としては、ノボラックフェノール樹脂やレゾールフェノール樹脂などが好ましい。
＜（ｂ１）アミドフェノール化合物、（ｂ２）芳香族アミド酸化合物＞
本発明の樹脂組成物は、フェノール性水酸基のオルト位に下記一般式（１）で表される１価の基を有するアミドフェノール化合物（以下、単に「（ｂ１）アミドフェノール化合物」と記載する場合がある。）および／または（ｂ２）カルボキシ基のオルト位に下記一般式（２）で表される１価の基を有する芳香族アミド酸化合物（以下、単に「（ｂ２）芳香族アミド酸化合物」と記載する場合がある。）を有する。（ｂ１）アミドフェノール化合物はフェノール性水酸基を有することから、（ｂ２）芳香族アミド酸化合物はカルボキシ基を有することから、例えばポジ型感光性樹脂組成物の場合、現像時にフェノール性水酸基またはカルボキシ基が露光部の溶解を促進するため、高感度化することができる。一方、（ｂ１）アミドフェノール化合物はフェノール性水酸基のオルト位にアミド基を有することから、（ｂ２）芳香族アミド酸化合物はカルボキシ基のオルト位にアミド基を有することから、硬化後は環化脱水反応により極性基であるフェノール性水酸基またはカルボキシ基が残らず、低吸水性の硬化膜を得ることができる。アルカリ現像液に対する溶解性をより向上させ、感度をより向上させる観点から、（ｂ１）アミドフェノール化合物および（ｂ２）芳香族アミド酸化合物は、下記一般式（１）または（２）で表される１価の基を２つ以上有することが好ましい。
Figure 2018021331
 一般式（１）中、Ｘは一般式（１）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。
Ｘが一般式（１）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基または−（ＹＯ）ｎ−を有すると、２５０℃以下における脱水閉環率が高くなるため、硬化後の吸水率を低減することができる。Ｘがアルキル基であるとき、耐熱性を向上させる観点から、炭素数は１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。Ｘが−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基であるとき、耐熱性を向上させる観点から、Ｙはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が好ましい。Ｙがメチレン基の場合、脱水閉環率を高くする観点から、ｎは２以上が好ましい。より好ましくは３以上である。また、耐熱性を向上させる観点から、ｎは１０以下が好ましい。Ｙがメチレン基以外の場合、耐熱性を向上させる観点から、ｎは２〜１０が好ましい。また、耐熱性を向上させる観点から、Ｘは、任意に置換基を有してもよく、例えばアリール基を末端に有することが好ましい。
Figure 2018021331
 一般式（２）中、Ｕは一般式（２）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。
Ｕが一般式（２）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基または−（ＹＯ）ｎ−を有すると、２５０℃以下における脱水閉環率が高くなるため、硬化後の吸水率を低減することができる。Ｕがアルキル基のとき、耐熱性を向上させる観点から、炭素数は１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。Ｕが−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基のとき、耐熱性を向上させる観点から、Ｙはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が好ましい。Ｙがメチレン基の場合、脱水閉環率を高くする観点から、ｎは２以上が好ましい。より好ましくは３以上である。また、耐熱性を向上させる観点から、ｎは１０以下が好ましい。Ｙがメチレン基以外の場合、耐熱性を向上させる観点から、ｎは２〜１０が好ましい。また、耐熱性を向上させる観点から、Ｕは、任意に置換基を有してもよく、例えばアリール基を末端に有することが好ましい。
一般式（１）中のＸおよび一般式（２）中のＵは、炭素数２〜２０のアルキル基であり、例えばエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル等をあげることができる。また、一般式（１）および一般式（２）中のＹは、炭素数１〜１０のアルキレン基であり、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、デシレン等をあげることができる。
本発明における（ｂ１）アミドフェノール化合物としては、下記一般式（３）〜（５）のいずれかで表される化合物が挙げられる。かかる化合物は、溶解促進剤として用いることもできる。
Figure 2018021331
 一般式（３）〜（５）中、ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは一般式（３）〜（５）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。
Ｘがアルキル基のとき、炭素数は１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。Ｘが−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基のとき、Ｙはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が好ましい。Ｙがメチレン基の場合、ｎは２以上が好ましく、３以上がより好ましい。また、ｎは１０以下が好ましい。Ｙがメチレン基以外の場合、ｎは２〜１０が好ましい。また、Ｘは、任意に置換基を有してもよく、例えばアリール基を末端に有することが好ましい。
一般式（３）〜（５）中、Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表す。溶解性を向上させる観点から、炭化水素基の炭素数は１〜１０がより好ましい。炭化水素基は飽和でも不飽和でもよい。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。
本発明で用いられる（ｂ１）アミドフェノール化合物は、フェノール性水酸基のオルト位にアミノ基を有する化合物またはその塩酸塩と、対応する酸クロライドを反応させることにより得ることができる。フェノール性水酸基のオルト位にアミノ基を有する化合物としては、例えば、２−アミノフェノール、２，４−ジヒドロキシ−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレンジアミン、４，６−ジアミノレゾルシノール、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシジフェニル、３，４’−ジアミノ−３’，４−ジヒドロキシジフェニル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノ−３’，４−ジヒドロキシジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、３，４’−ジアミノ−３’，４−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−３’，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノ−３’，４−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）メチレン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジヒドロキシベンジジンなどのヒドロキシル基含有ジアミンや、これらの芳香族環の水素原子の一部を、炭素数１〜１０のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物などを挙げることができる。
酸クロライドとしては、例えば、プロパノイルクロリド、ブタノイルクロリド、ペンタノイルクロリド、ヘキサノイルクロリド、ヘプタノリルクロリド、オクタノイルクロリド、ノナノイルクロリド、デカノイルクロリド、ラウロイルクロリドなどの酸クロライドや、これらの水素原子の一部を、炭素数１〜１０のアルキル基などで置換した化合物、末端のメチル基をアリール基で置換した化合物などを挙げることができる。
本発明における（ｂ２）芳香族アミド酸化合物としては、下記一般式（６）〜（８）のいずれかで表される化合物が挙げられる。かかる化合物は、溶解促進剤として用いることもできる。
Figure 2018021331
 一般式（６）〜（１０）中、ｍは１〜４の整数を表す。Ｕは一般式（６）〜（１０）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。
Ｕがアルキル基のとき、炭素数は１０以下が好ましく、６以下がより好ましい。Ｕが−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基のとき、Ｙはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が好ましい。Ｙがメチレン基の場合、ｎは２以上が好ましく、３以上がより好ましい。また、ｎは１０以下が好ましい。Ｙがメチレン基以外の場合、ｎは２〜１０が好ましい。また、Ｕは、任意に置換基を有してもよく、例えばアリール基を末端に有することが好ましい。
一般式（６）〜（１０）中、Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基、Ｒ４およびＲ５は、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。溶解性を向上させる観点から、炭化水素基の炭素数は１〜１０がより好ましい。炭化水素基は飽和でも不飽和でもよい。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。
本発明で用いられる（ｂ２）芳香族アミド酸化合物は、酸無水物、酸二無水物、ジカルボン酸化合物またはテトラカルボン酸化合物と対応する第１級アミンを反応させることにより得ることができる。
酸無水物としては、例えば、無水フタル酸が挙げられる。酸二無水物としては、例えば、ポリイミドを構成する酸二無水物として例示した芳香族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。ジカルボン酸としては、例えば、フタル酸が挙げられる。テトラカルボン酸としては、例えば、ポリイミド前駆体またはポリベンゾオキサゾール前駆体を構成するテトラカルボン酸として例示した芳香族テトラカルボン酸が挙げられる。
第１級アミンとしては、例えば、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミンなどの脂肪族アミンやこれらの水素原子の一部を、炭素数１〜１０のアルキル基などで置換した化合物、末端のメチル基をアリール基で置換した化合物などを挙げることができる。
本発明の樹脂組成物における（ｂ１）アミドフェノール化合物および／または（ｂ２）芳香族アミド酸化合物の含有量は、感度をより向上させる観点から、（ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対して好ましくは１質量部以上、より好ましくは３質量部以上であり、また、耐熱性を向上させる観点から、好ましくは５０質量部以下、より好ましくは４０質量部以下である。
＜（ｃ）感光性化合物＞
本発明の樹脂組成物は、（ｃ）感光性化合物を含有することが好ましく、感光性樹脂組成物とすることができる。（ｃ）感光性化合物としては、（ｃ１）光酸発生剤や、（ｃ２）光重合開始剤などが挙げられる。（ｃ１）光酸発生剤は、光照射により酸を発生する化合物であり、（ｃ２）光重合開始剤は、露光により結合開裂および／または反応し、ラジカルを発生する化合物である。
（ｃ１）光酸発生剤を含有することにより、光照射部に酸が発生して光照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性が増大し、光照射部が溶解するポジ型のレリーフパターンを得ることができる。また、（ｃ１）光酸発生剤とエポキシ化合物または後述する熱架橋剤を含有することにより、光照射部に発生した酸がエポキシ化合物や熱架橋剤の架橋反応を促進し、光照射部が不溶化するネガ型のレリーフパターンを得ることができる。一方、（ｃ２）光重合開始剤および後述するラジカル重合性化合物を含有することにより、光照射部においてラジカル重合が進行し、光照射部が不溶化するネガ型のレリーフパターンを得ることができる。
（ｃ１）光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。（ｃ１）光酸発生剤を２種以上含有することが好ましく、高感度な感光性樹脂組成物を得ることができる。
キノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および／またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。これらポリヒドロキシ化合物やポリアミノ化合物の官能基全体の５０モル％以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。
本発明において、キノンジアジドとしては、５−ナフトキノンジアジドスルホニル基、４−ナフトキノンジアジドスルホニル基のいずれも好ましく用いられる。４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物は水銀灯のｉ線領域に吸収を持っており、ｉ線露光に適している。５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物は水銀灯のｇ線領域まで吸収が伸びており、ｇ線露光に適している。本発明においては、露光する波長によって４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物、５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を選択することが好ましい。また、同一分子中に４−ナフトキノンジアジドスルホニル基、５−ナフトキノンジアジドスルホニル基を有するナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を含有してもよいし、４−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を含有してもよい。
上記キノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、キノンジアジドスルホン酸化合物とから、任意のエステル化反応によって合成することができる。これらのキノンジアジド化合物を使用することにより、解像度、感度、残膜率がより向上する。
（ｃ１）光酸発生剤のうち、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩は、露光によって発生した酸成分を適度に安定化させるため好ましい。中でもスルホニウム塩が好ましい。さらに増感剤などを必要に応じて含有することもできる。
本発明において、（ｃ１）光酸発生剤の含有量は、高感度化の観点から、（ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対して０．０１〜５０質量部が好ましい。このうち、キノンジアジド化合物は３〜４０質量部が好ましい。また、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩の総量は０．５〜２０質量部が好ましい。
（ｃ２）光重合開始剤としては、例えば、ベンジルケタール系光重合開始剤、α−ヒドロキシケトン系光重合開始剤、α−アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、アクリジン系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、アセトフェノン系光重合開始剤、芳香族ケトエステル系光重合開始剤、安息香酸エステル系光重合開始剤などが挙げられる。（ｃ２）光重合開始剤を２種以上含有してもよい。感度をより向上させる観点から、α−アミノケトン系光重合開始剤、アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤がさらに好ましい。
α−アミノケトン系光重合開始剤としては、例えば、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、３，６−ビス（２−メチル−２−モルホリノプロピオニル）−９−オクチル−９Ｈ−カルバゾールなどが挙げられる。
アシルホスフィンオキシド系光重合開始剤としては、例えば、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニルホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−（２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィンオキシドなどが挙げられる。
オキシムエステル系光重合開始剤としては、例えば、１−フェニルプロパン−１，２−ジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニルブタン−１，２−ジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパン−１，２，３−トリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−［４−（フェニルチオ）フェニル］オクタン−１，２−ジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１−［４−［４−（カルボキシフェニル）チオ］フェニル］プロパン−１，２−ジオン−２−（Ｏ−アセチル）オキシム、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］エタノン−１−（Ｏ−アセチル）オキシム、１−［９−エチル−６−［２−メチル−４−［１−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルオキシ］ベンゾイル］−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］エタノン−１−（Ｏ−アセチル）オキシム又は１−（９−エチル−６−ニトロ−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−１−［２−メチル−４−（１−メトキシプロパン−２−イルオキシ）フェニル］メタノン−１−（Ｏ−アセチル）オキシムなどが挙げられる。
本発明において、（ｃ２）光重合開始剤の含有量は、感度をより向上させる観点から、（ａ）アルカリ可溶性樹脂および後述のラジカル重合性化合物の合計１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、１質量部以上がより好ましい。一方、解像度をより向上させ、テーパー角度を低減する観点から、２５質量部以下が好ましく、１５質量部以下がより好ましい。
＜ラジカル重合性化合物＞
本発明の樹脂組成物は、さらに、ラジカル重合性化合物を含有してもよい。
ラジカル重合性化合物とは、分子中に複数のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物をいう。露光時、前述の（ｃ２）光重合開始剤から発生するラジカルによって、ラジカル重合性化合物のラジカル重合が進行し、光照射部が不溶化することにより、ネガ型のパターンを得ることができる。さらにラジカル重合性化合物を含有することにより、光照射部の光硬化が促進されて、感度をより向上させることができる。加えて、熱硬化後の架橋密度が向上することから、硬化膜の硬度を向上させることができる。
ラジカル重合性化合物としては、ラジカル重合の進行しやすい、（メタ）アクリル基を有する化合物が好ましい。露光時の感度向上及び硬化膜の硬度向上の観点から、（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物がより好ましい。ラジカル重合性化合物の二重結合当量としては、露光時の感度向上及び硬化膜の硬度向上の観点から、８０〜４００ｇ／ｍｏｌが好ましい。
ラジカル重合性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールオクタ（メタ）アクリレート、２，２−ビス［４−（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル］プロパン、１，３，５−トリス（（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌル酸、１，３−ビス（（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌル酸、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス［４−（３−（メタ）アクリロキシプロポキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス（４−（メタ）アクリロキシフェニル）フルオレンまたはそれらの酸変性体、エチレンオキシド変性体、プロピレンオキシド変性体などが挙げられる。
本発明において、ラジカル重合性化合物の含有量は、感度をより向上させ、テーパー角度を低減する観点から、（ａ）アルカリ可溶性樹脂およびラジカル重合性化合物の合計を１００質量部に対して、１５質量部以上が好ましく、３０質量部以上がより好ましい。一方、硬化膜の耐熱性をより向上させ、テーパー角度を低減する観点から、６５質量部以下が好ましく、５０質量部以下がより好ましい。
＜（ｄ）熱架橋剤＞
本発明の樹脂組成物は、（ｄ）熱架橋剤を含有することが好ましい。熱架橋剤とは、アルコキシメチル基、メチロール基、エポキシ基、オキセタニル基などの熱反応性の官能基を分子内に少なくとも２つ有する化合物を指す。（ｄ）熱架橋剤を含有することにより（ａ）アルカリ可溶性樹脂またはその他添加成分を架橋し、熱硬化後の膜の耐熱性、耐薬品性および硬度を向上させることができる。また、硬化膜からのアウトガス量を低減し、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができる。
アルコキシメチル基またはメチロール基を少なくとも２つ有する化合物の好ましい例としては、ＤＭＬ−ＰＣ、ＤＭＬ−ＰＥＰ、ＤＭＬ−ＯＣ、ＤＭＬ−ＯＥＰ、ＤＭＬ−３４Ｘ、ＤＭＬ−ＰＴＢＰ、ＤＭＬ−ＰＣＨＰ、ＤＭＬ−ＯＣＨＰ、ＤＭＬ−ＰＦＰ、ＤＭＬ−ＰＳＢＰ、ＤＭＬ−ＰＯＰ、ＤＭＬ−ＭＢＯＣ、ＤＭＬ−ＭＢＰＣ、ＤＭＬ−ＭＴｒｉｓＰＣ、ＤＭＬ−ＢｉｓＯＣ−Ｚ、ＤＭＬ−ＢｉｓＯＣＨＰ−Ｚ、ＤＭＬ−ＢＰＣ、ＤＭＬ−ＢｉｓＯＣ−Ｐ、ＤＭＯＭ−ＰＣ、ＤＭＯＭ−ＰＴＢＰ、ＤＭＯＭ−ＭＢＰＣ、ＴｒｉＭＬ−Ｐ、ＴｒｉＭＬ−３５ＸＬ、ＴＭＬ−ＨＱ、ＴＭＬ−ＢＰ、ＴＭＬ−ｐｐ−ＢＰＦ、ＴＭＬ−ＢＰＥ、ＴＭＬ−ＢＰＡ、ＴＭＬ−ＢＰＡＦ、ＴＭＬ−ＢＰＡＰ、ＴＭＯＭ−ＢＰ、ＴＭＯＭ−ＢＰＥ、ＴＭＯＭ−ＢＰＡ、ＴＭＯＭ−ＢＰＡＦ、ＴＭＯＭ−ＢＰＡＰ、ＨＭＬ−ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ−ＴＰＨＡＰ、ＨＭＯＭ−ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＯＭ−ＴＰＨＡＰ（以上、商品名、本州化学工業（株）製）、“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ−２９０、“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ−２８０、“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ−２７０、“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ−２７９、“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＷ−１００ＬＭ、“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ−７５０ＬＭ（以上、商品名、（株）三和ケミカル製）が挙げられる。
エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物の好ましい例としては、“エポライト”（登録商標）４０Ｅ、“エポライト”（登録商標）１００Ｅ、“エポライト”（登録商標）２００Ｅ、“エポライト”（登録商標）４００Ｅ、“エポライト”（登録商標）７０Ｐ、“エポライト”（登録商標）２００Ｐ、“エポライト”（登録商標）４００Ｐ、“エポライト”（登録商標）１５００ＮＰ、“エポライト”（登録商標）８０ＭＦ、“エポライト”（登録商標）４０００、“エポライト”（登録商標）３００２（以上、共栄社化学（株）製）、“デナコール”（登録商標）ＥＸ−２１２Ｌ、“デナコール”（登録商標）ＥＸ−２１４Ｌ、“デナコール”（登録商標）ＥＸ−２１６Ｌ、“デナコール”（登録商標）ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス（株）製）、ＧＡＮ、ＧＯＴ（以上、日本化薬（株）製）、“エピコート”（登録商標）８２８、“エピコート”（登録商標）１００２、“エピコート”（登録商標）１７５０、“エピコート”（登録商標）１００７、ＹＸ８１００−ＢＨ３０、Ｅ１２５６、Ｅ４２５０、Ｅ４２７５（以上、ジャパンエポキシレジン（株）製）、“エピクロン”（登録商標）ＥＸＡ−９５８３、ＨＰ４０３２（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、ＶＧ３１０１（三井化学（株）製）、“テピック”（登録商標）Ｓ、“テピック”（登録商標）Ｇ、“テピック”（登録商標）Ｐ（以上、日産化学工業（株）製）、“デナコール”ＥＸ−３２１Ｌ（ナガセケムテックス（株）製）、ＮＣ６０００（日本化薬（株）製）、“エポトート”（登録商標）ＹＨ−４３４Ｌ（東都化成（株）製）、ＥＰＰＮ５０２Ｈ、ＮＣ３０００（日本化薬（株）製）、“エピクロン”（登録商標）Ｎ６９５、ＨＰ７２００（以上、大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。
オキセタニル基を少なくとも２つ有する化合物の好ましい例としては、例えば、エタナコールＥＨＯ、エタナコールＯＸＢＰ、エタナコールＯＸＴＰ、エタナコールＯＸＭＡ（以上、宇部興産（株）製）、オキセタン化フェノールノボラックなどが挙げられる。
熱架橋剤は２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
熱架橋剤の含有量は、溶剤を除く樹脂組成物全量１００質量部に対して、１質量部以上３０質量部以下が好ましい。熱架橋剤の含有量が１質量部以上であれば、焼成後または硬化後の膜の耐薬品性および硬度を高めることができる。また、熱架橋剤の含有量が３０質量部以下であれば、硬化膜からのアウトガス量を低減し、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を高めることができ、樹脂組成物の保存安定性にも優れる。
＜環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体＞
本発明の硬化膜に用いられる樹脂組成物は、環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物を含有することが好ましい。環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物は、本発明の樹脂組成物を硬化してなる硬化膜中に残存し、酸性ガスのクエンチャーとして働くため、発光輝度の低下や画素シュリンクを抑制し、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を向上させることができるものと推定される。
環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物は、下記一般式（１７）で表される構造を有することが好ましい。
Figure 2018021331
 一般式（１７）中、ｕは１〜４の整数を示し、ＹはＣＨまたは窒素原子を示す。Ｒ２５およびＲ２６はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の有機基を示す。
（ｅ）環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物は、硬化膜中に残存させやすくする観点から、沸点が２１０℃以上であることが好ましい。また、塗布時のムラを抑制する観点から、沸点が４００℃以下であることが好ましい。常圧で沸点が測定できない場合は、沸点換算表を用いて常圧での沸点に換算することができる。
環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体の具体例としては、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−イソプロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ブチル−２−ピロリドン、Ｎ−（ｔ−ブチル）−２−ピロリドン、Ｎ−ペンチル−２−ピロリドン、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−メトキシプロピル−２−ピロリドン、Ｎ−エトキシエチル−２−ピロリドン、Ｎ−メトキシブチル−２−ピロリドン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン、Ｎ−フェニル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ´−ジメチルプロピレン尿素、２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−ピペリドン、ε−カプロラクタム等が挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。これらの中でも、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン（沸点：１５４℃／０．９３３ｋＰａ、常圧沸点換算時：３０５℃）、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン（沸点：１７５℃／１．３３３ｋＰａ、常圧沸点換算時：３１３℃）は沸点が高く、加熱処理後も残存しやすいため好ましい。
環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物の総含有量は、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性をより向上させる観点から、（ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、１質量部以上がより好ましい。一方、樹脂組成物が感光性を有する場合、環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物の総含有量は、感度をより向上させる観点から、（ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対して、１５質量部以下が好ましく、１０質量部以下がより好ましい。
＜有機溶剤＞
本発明の樹脂組成物は、有機溶剤を含有してもよい。有機溶剤を含有することにより、ワニスの状態にすることができ、塗布性を向上させることができる。
有機溶剤としては、γ−ブチロラクトンなどの極性の非プロトン性溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、ジアセトンアルコールなどのケトン類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどのエステル類、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、ぎ酸ｎ−ペンチル、酢酸ｉ−ペンチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸ｉ−プロピル、酪酸ｎ−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸ｎ−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸エチル等の他のエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類などが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。
有機溶剤の含有量は、特に限定されないが、溶剤を除く樹脂組成物全量１００質量部に対して、１００〜３０００質量部が好ましく、１５０〜２０００質量部がさらに好ましい。また、一部の有機溶剤が沸点１８０℃以上であってもよいが、有機溶剤全量に対する沸点１８０℃以上の溶剤が占める割合は、２０質量部以下が好ましく、１０質量部以下がさらに好ましい。沸点１８０℃以上の溶剤の割合を２０質量部以下にすることにより、熱硬化後のアウトガス量を低減することができ、結果として有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を高めることができる。
＜着色剤＞
本発明の樹脂組成物は、さらに着色剤を含有してもよい。
着色剤とは、特定波長の光を吸収する化合物であり、特に、可視光線の波長（３８０〜７８０ｎｍ）の光を吸収することにより着色する化合物をいう。着色剤を含有することにより、樹脂組成物から得られる膜を着色させることができ、樹脂組成物の膜を透過する光、又は、樹脂組成物の膜から反射する光を、所望の色に着色させる、着色性を付与することができる。また、樹脂組成物の膜を透過する光、又は、樹脂組成物の膜から反射する光から、着色剤が吸収する波長の光を遮光する、遮光性を付与することができる。
着色剤としては、可視光線の波長の光を吸収し、白、赤、橙、黄、緑、青又は紫色に着色する化合物が挙げられる。二色以上を組み合わせることにより、樹脂組成物の所望の樹脂組成物の膜を透過する光、又は、樹脂組成物の膜から反射する光を、所望の色座標に調色する、調色性を向上させることができる。
着色剤としては、顔料および／または染料が好ましい。また、着色剤は、黒色剤であっても黒色以外の着色剤であってもよい。
黒色剤とは、可視光線の波長の光を吸収することにより、黒色に着色する化合物をいい、顔料であっても染料であってもよい。黒色剤を含有することにより、樹脂組成物の膜が黒色化するため、樹脂組成物の膜を透過する光、又は、樹脂組成物の膜から反射する光を遮光し、遮光性を向上させることができる。このため、カラーフィルタのブラックマトリックス又は液晶ディスプレイのブラックカラムスペーサーなどの遮光膜や、外光反射の抑制によって高コントラスト化が要求される用途に好適である。
黒色剤としては、遮光性の観点から、可視光線の全波長の光を吸収し、黒色に着色する化合物が好ましい。また、白、赤、橙、黄、緑、青および紫色からなる群より選ばれる二色以上の化合物の混合物も好ましい。これらを二色以上組み合わせることにより、擬似的に黒色に着色することができ、遮光性を向上させることができる。
黒色剤は、黒色顔料、黒色染料および／または二色以上の染料混合物を含有することが好ましく、遮光性の観点から、黒色顔料を含有することがより好ましい。
黒色以外の着色剤とは、可視光線の波長の光を吸収することで、着色する化合物をいう。すなわち、前述した、黒色を除く、白、赤、橙、黄、緑、青又は紫色に着色する着色剤である。黒色以外の着色剤を含有することにより、樹脂組成物の膜に遮光性、着色性および調色性を付与することができる。
黒色以外の着色剤としては、黒色以外の顔料および／または黒色以外の染料が好ましく、遮光性、および、耐熱性又は耐候性の観点から、黒色以外の顔料がより好ましい。
着色剤の含有量は、溶剤を除く樹脂組成物１００質量部に対して、５質量部以上が好ましく、１５質量部以上がさらに好ましい。着色剤を５質量部以上含有することにより、遮光性、着色性および調色性を向上させることができる。一方、着色剤の含有量は、７０質量部以下が好ましく、６０質量部以下がより好ましい。着色剤を７０質量部以下含有することにより、感度をより向上させることができる。
＜密着改良剤＞
本発明の樹脂組成物は、密着改良剤を含有してもよい。密着改良剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、チタンキレート剤、アルミキレート剤、芳香族アミン化合物とアルコキシ基含有ケイ素化合物を反応させて得られる化合物などが挙げられる。これらを２種以上含有してもよい。これらの密着改良剤を含有することにより、樹脂膜を現像する場合などに、シリコンウエハ、ＩＴＯ、ＳｉＯ２、窒化ケイ素などの下地基材との密着性を高めることができる。また、洗浄などに用いられる酸素プラズマ、ＵＶオゾン処理に対する耐性を高めることができる。
密着改良剤の含有量は、溶剤を除く樹脂組成物全量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。
＜界面活性剤＞
本発明の樹脂組成物は、必要に応じて界面活性剤を含有してもよく、基板との濡れ性を向上させることができる。界面活性剤は、例えば、東レダウコーニングシリコーン社のＳＨシリーズ、ＳＤシリーズ、ＳＴシリーズ、ビックケミー・ジャパン社のＢＹＫシリーズ、信越シリコーン社のＫＰシリーズ、日本油脂社のディスフォームシリーズ、東芝シリコーン社のＴＳＦシリーズなどのシリコーン系界面活性剤、大日本インキ工業社の“メガファック（登録商標）”シリーズ、住友スリーエム社のフロラードシリーズ、旭硝子社の“サーフロン（登録商標）”シリーズ、“アサヒガード（登録商標）”シリーズ、新秋田化成社のＥＦシリーズ、オムノヴァ・ソルーション社のポリフォックスシリーズなどのフッ素系界面活性剤、共栄社化学社のポリフローシリーズ、楠本化成社の“ディスパロン（登録商標）”シリーズなどのアクリル系および／またはメタクリル系の界面活性剤などが挙げられる。
界面活性剤の含有量は、溶剤を除く樹脂組成物全量１００質量部に対して、好ましくは０．００１〜１質量部である。
＜無機粒子＞
本発明の樹脂組成物は、無機粒子を含有してもよい。無機粒子の好ましい具体例としては、例えば、酸化珪素、酸化チタン、チタン酸バリウム、アルミナ、タルクなどが挙げられる。無機粒子の一次粒子径は１００ｎｍ以下が好ましく、６０ｎｍ以下がより好ましい。
無機粒子の含有量は、溶剤を除く樹脂組成物全量１００質量部に対して、好ましくは５〜９０質量部である。
＜熱酸発生剤、熱塩基発生剤＞
本発明の樹脂組成物は、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性を損なわない範囲で熱酸発生剤または熱塩基発生剤を含有してもよい。熱酸発生剤、熱塩基発生剤は、それぞれ加熱により酸または塩基を発生し、（ｄ）熱架橋剤の架橋反応を促進する他、（ａ）成分の樹脂に未閉環のイミド環構造、オキサゾール環構造を有している場合はこれらの環化を促進し、硬化膜の機械特性をより向上させることができる。さらに、硬化時の（ｂ１）アミドフェノール化合物、（ｂ２）芳香族アミド酸化合物の環化脱水反応を促進させ、２５０℃以下の低温加熱硬化温度でも低吸水性の硬化膜を得ることができる。
本発明に用いられる熱酸発生剤または熱塩基発生剤の熱分解開始温度は、５０℃〜２７０℃が好ましく、２５０℃以下がより好ましい。また、本発明の樹脂組成物を基板に塗布した後の乾燥（プリベーク：約７０〜１４０℃）時には酸または塩基を発生せず、その後の露光、現像でパターニングした後の最終加熱（キュア：約１００〜４００℃）時に酸または塩基を発生するものを選択すると、現像時の感度低下を抑制できるため好ましい。
本発明に用いられる熱酸発生剤から発生する酸は強酸が好ましく、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのアリールスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸やトリフルオロメチルスルホン酸などのハロアルキルスルホン酸などが好ましい。これらはオニウム塩のような塩として、またはイミドスルホナートのような共有結合化合物として用いられる。これらを２種以上含有してもよい。
本発明に用いられる熱塩基発生剤としては、例えば、トリクロロ酢酸グアニジン、トリクロロ酢酸メチルグアニジン、トリクロロ酢酸カリウム、フェニルスルホニル酢酸グアニジン、ｐ−クロロフェニルスルホニル酢酸グアニジン、ｐ−メタンスルホニルフェニルスルホニル酢酸グアニジン、フェニルプロピオール酸カリウム、フェニルプロピオール酸グアニジン、フェニルプロピオール酸セシウム、ｐ−クロロフェニルプロピオール酸グアニジン、ｐ−フェニレン−ビス−フェニルプロピオール酸グアニジン、フェニルスルホニル酢酸テトラメチルアンモニウム、フェニルプロピオール酸テトラメチルアンモニウムなどが好ましい。これらを２種以上含有してもよい。
熱酸発生剤または熱塩基発生剤の含有量は、溶剤を除く樹脂組成物全量１００質量部に対して、０．０１質量部以上が好ましく、０．１質量部以上がより好ましい。熱酸発生剤または熱塩基発生剤を０．０１質量部以上含有することにより、架橋反応および樹脂の未閉環構造の環化が促進されるため、硬化膜の機械特性および耐薬品性をより向上させることができる。また、有機ＥＬ表示装置の長期信頼性の観点から、５質量部以下が好ましく、２質量部以下がより好ましい。
＜樹脂組成物の製造方法＞
次に、本発明の樹脂組成物の製造方法について説明する。例えば、前記（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ１）アミドフェノール化合物および／または（ｂ２）芳香族アミド酸化合物と、任意に（ｃ）感光性化合物、（ｄ）熱架橋剤、ラジカル重合性化合物、環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体、有機溶剤、着色剤、密着改良剤、界面活性剤、無機粒子、熱酸発生剤、熱塩基発生剤などを溶解させることにより、樹脂組成物を得ることができる。溶解方法としては、撹拌や加熱が挙げられる。加熱する場合、加熱温度は樹脂組成物の性能を損なわない範囲で設定することが好ましく、通常、室温〜８０℃である。また、各成分の溶解順序は特に限定されず、例えば、溶解性の低い化合物から順次溶解させる方法が挙げられる。また、界面活性剤や一部の密着改良剤など、撹拌溶解時に気泡を発生しやすい成分については、他の成分を溶解してから最後に添加することにより、気泡の発生による他成分の溶解不良を防ぐことができる。
得られた樹脂組成物は、濾過フィルターを用いて濾過し、ゴミや粒子を除去することが好ましい。フィルター孔径は、例えば０．５μｍ、０．２μｍ、０．１μｍ、０．０７μｍ、０．０５μｍ、０．０２μｍなどがあるが、これらに限定されない。濾過フィルターの材質には、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ナイロン（ＮＹ）、ポリテトラフルオロエチエレン（ＰＴＦＥ）などがあり、ポリエチレンやナイロンが好ましい。
＜樹脂シート＞
本発明の樹脂シートは、前記樹脂組成物から形成される。
樹脂シートは、例えば、ポリエチレンテレフタラートなどの剥離性基材上に前述の樹脂組成物を塗布して樹脂組成物の塗布膜を得て、乾燥することにより得ることができる。さらに保護フィルムを積層してもよい。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、印刷法などが挙げられる。これらの中でも、少量の塗布液で塗布を行うことができる、コスト低減に有利であることから、スリットコート法が好ましい。スリットコート法に必要とされる塗布液の量は、例えば、スピンコート法と比較すると、１／５〜１／１０程度である。塗布に用いるスリットノズルとしては、例えば、大日本スクリーン製造（株）製「リニアコーター」、東京応化工業（株）製「スピンレス」、東レエンジニアリング（株）製「ＴＳコーター」、中外炉工業（株）製「テーブルコータ」、東京エレクトロン（株）製「ＣＳシリーズ」「ＣＬシリーズ」、サーマトロニクス貿易（株）製「インライン型スリットコーター」、平田機工（株）製「ヘッドコーターＨＣシリーズ」など、複数のメーカーから上市されているものの中から選択することができる。塗布速度は、１０ｍｍ／秒〜４００ｍｍ／秒の範囲が一般的である。塗布膜の膜厚は、樹脂組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜５μｍになるように塗布される。
塗布に先立ち、樹脂組成物を塗布する基材を、予め前述した密着改良剤で前処理してもよい。前処理方法としては、例えば、密着改良剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶媒に０．５〜２０質量％溶解させた溶液を用いて、基材表面を処理する方法が挙げられる。基材表面の処理方法としては、スピンコート法、スリットダイコート法、バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、蒸気処理法などの方法が挙げられる。
塗布後、必要に応じて減圧乾燥処理を施す。塗布膜を形成した基板ごと減圧乾燥することが一般的である。例えば、真空チャンバー内に配置されたプロキシピン上に塗布膜を形成した基板を置き、真空チャンバー内を減圧することにより減圧乾燥する方法が挙げられる。この時、基板と真空チャンバー天板との間に位置する空気が、減圧乾燥に伴い多量に流動して発生するモヤムラを抑制するため、基板と真空チャンバー天板との間隔を狭めるようにプロキシピン高さを調整することが好ましい。基板と真空チャンバー天板との距離は２〜２０ｍｍ程度が好ましく、２〜１０ｍｍがより好ましい。
減圧乾燥速度は、真空チャンバー容積、真空ポンプ能力やチャンバーとポンプ間の配管径等にもよるが、例えば、塗布基板のない状態で、真空チャンバー内が６０秒経過後４０Ｐａまで減圧される条件等に設定することが好ましい。一般的な減圧乾燥時間は、３０秒から１００秒程度であることが多く、減圧乾燥終了時の真空チャンバー内到達圧力は、塗布基板のある状態で通常１００Ｐａ以下である。到達圧を１００Ｐａ以下にすることにより塗布膜表面のべた付きを低減した乾燥状態にすることができ、これにより、続く基板搬送における表面汚染やパーティクルの発生を抑制することができる。
塗布後または減圧乾燥後、塗布膜を加熱乾燥することが一般的である。この工程をプリベークとも言う。乾燥はホットプレート、オーブン、赤外線などを使用する。ホットプレートを用いる場合、プレート上に直接、もしくは、プレート上に設置したプロキシピン等の治具上に塗布膜を保持して加熱する。プロキシピンの材質としては、アルミニウムやステンレス等の金属材料、ポリイミド樹脂や“テフロン”（登録商標）等の合成樹脂が挙げられる。耐熱性があればいずれの材質のプロキシピンを用いてもかまわない。プロキシピンの高さは、基板のサイズ、塗布膜の種類、加熱の目的等により様々であるが、０．１〜１０ｍｍ程度が好ましい。加熱温度および加熱時間は塗布膜の種類や目的により様々であるが、加熱温度は５０℃〜１８０℃、加熱時間は１分間〜数時間が好ましい。
樹脂シートが感光性を有する場合には、パターンを形成することができる。例えば、感光性を有する樹脂シートに、所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射することにより露光し、現像することにより、所望のパターンを形成することができる。
露光に用いられる化学線としては、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などが挙げられる。本発明においては、水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）を用いることが好ましい。ポジ型の感光性を有する場合、露光部が現像液に溶解する。ネガ型の感光性を有する場合、露光部が硬化し、現像液に不溶化する。
露光後、ポジ型の場合は露光部を、ネガ型の場合は非露光部を、現像液により除去することによって所望のパターンを形成する。現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。これらのアルカリ水溶液に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを１種以上添加してもよい。現像方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が挙げられる。
次に、現像によって形成したパターンを、蒸留水によりリンス処理することが好ましい。エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを蒸留水に加えてリンス処理してもよい。
＜硬化膜＞
本発明の硬化膜は、前記樹脂シートまたは樹脂組成物を硬化することにより得ることができる。
本発明の硬化膜は、（ａ）アルカリ可溶性樹脂と、一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表されるベンゾオキサゾール化合物および／または下記一般式（１４）〜（１６）のいずれかで表されるイミド化合物を有する。一般式（１１）〜（１３）で表されるベンゾオキサゾール化合物は、それぞれ一般式（３）〜（５）で表されるアミドフェノール化合物が脱水閉環した化合物であり、一般式（１４）〜（１６）で表されるイミド化合物は、それぞれ一般式（６）〜（１０）で表される芳香族アミド酸化合物が脱水閉環した化合物である。
Figure 2018021331
 一般式（１１）〜（１３）中、Ｗは一般式（１１）〜（１３）中のオキサゾール環の炭素と直接結合している炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。一般式（１４）〜（１６）中、Ｖは一般式（１４）〜（１６）中のイミド環の窒素と直接結合している炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。ｍは１〜４の整数、Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基、Ｒ４およびＲ５は、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。
硬化膜が、（ａ）アルカリ可溶性樹脂と、一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表されるベンゾオキサゾール化合物および／または一般式（１４）または（１６）で表されるイミド化合物を有することにより、吸水率が低い硬化膜を得ることができる。
硬化膜が環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の化合物を含有することができる。環状アミド、環状ウレアおよびそれらの誘導体の総含有量は、硬化膜１００質量％中、０．００５質量％以上５質量％以下が好ましい。
前述の樹脂組成物や樹脂シートを加熱硬化することにより、耐熱性の低い成分を除去できるため、耐熱性および耐薬品性を向上させることができる。特に、本発明の樹脂組成物または樹脂シートが、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、それらの共重合体またはそれらとポリイミドとの共重合体を含む場合は、加熱硬化によりイミド環、オキサゾール環を形成するため、耐熱性および耐薬品性を向上させることができる。また、（ｄ）熱架橋剤を含む場合は、加熱硬化により熱架橋反応を進行させることができ、耐熱性および耐薬品性を向上させることができる。
加熱硬化温度は、硬化膜から発生するアウトガス量を低減させる観点から、３００℃以上が好ましく、３５０℃以上がより好ましい。一方、硬化膜の膜靭性を向上させる観点から、５００℃以下が好ましく、４５０℃以下がより好ましい。この温度範囲において、段階的に昇温してもよいし、連続的に昇温してもよい。加熱硬化時間は、アウトガス量を低減させる観点から、３０分間以上が好ましい。また、硬化膜の膜靭性を向上させる観点から３時間以下が好ましい。例えば、１５０℃、２５０℃で各３０分間ずつ熱処理する方法や、室温から３００℃まで２時間かけて直線的に昇温しながら熱処理する方法などが挙げられる。
本発明の樹脂組成物、樹脂シートおよび硬化膜は、半導体素子の表面保護層や層間絶縁層、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」と記す）素子の絶縁層、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の駆動用薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ」と記す）基板の平坦化層、回路基板の配線保護絶縁層、固体撮像素子のオンチップマイクロレンズや各種ディスプレイ・固体撮像素子用平坦化層に好適に用いられる。例えば、耐熱性の低いＭＲＡＭ、次世代メモリとして有望なポリマーメモリ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ：ＰＦＲＡＭ）や相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ：ＰＣＲＡＭ、Ｏｖｏｎｉｃｓ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｍｅｍｏｒｙ：ＯＵＭ）などの表面保護層や層間絶縁層として好適である。また、基板上に形成された第一電極と、前記第一電極に対向して設けられた第二電極とを含む表示装置、例えば、ＬＣＤ、ＥＣＤ、ＥＬＤ、有機電界発光素子を用いた表示装置（有機電界発光装置）などの絶縁層にも用いることができる。以下、有機ＥＬ表示装置および半導体装置、半導体電子部品を例に説明する。
＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に、駆動回路、平坦化層、第１電極、絶縁層、発光層および第２電極を有し、平坦化層および／または絶縁層が本発明の硬化膜からなる。有機ＥＬ発光材料は水分による劣化を受けやすく、発光画素の面積に対する発光部の面積率低下など、悪影響を与える場合があるが、本発明の硬化膜は吸水率が低いため、安定した駆動および発光特性が得られる。アクティブマトリックス型の表示装置を例に挙げると、ガラスや各種プラスチックなどの基板上に、ＴＦＴと、ＴＦＴの側方部に位置しＴＦＴと接続された配線とを有し、その上に凹凸を覆うようにして平坦化層を有し、さらに平坦化層上に表示素子が設けられている。表示素子と配線とは、平坦化層に形成されたコンタクトホールを介して接続される。
図１にＴＦＴ基板の一例の断面図を示す。基板６上に、ボトムゲート型またはトップゲート型のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１が行列状に設けられており、このＴＦＴ１を覆う状態で絶縁層３が形成されている。また、この絶縁層３上にＴＦＴ１に接続された配線２が設けられている。さらに絶縁層３上には、配線２を埋め込む状態で平坦化層４が設けられている。平坦化層４には、配線２に達するコンタクトホール７が設けられている。そして、このコンタクトホール７を介して、配線２に接続された状態で、平坦化層４上にＩＴＯ（透明電極）５が形成されている。ここで、ＩＴＯ５は、表示素子（例えば有機ＥＬ素子）の電極となる。そしてＩＴＯ５の周縁を覆うように絶縁層８が形成される。有機ＥＬ素子は、基板６と反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板６側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。このようにして、各有機ＥＬ素子にこれを駆動するためのＴＦＴ１を接続したアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が得られる。
かかる絶縁層３、平坦化層４および／または絶縁層８は、前述の通り本発明の樹脂組成物または樹脂シートからなる感光性樹脂膜を形成する工程、前記感光性樹脂膜を露光する工程、露光した感光性樹脂膜を現像する工程および現像した感光性樹脂膜を加熱処理する工程により形成することができる。これらの工程を有する製造方法より、有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
＜半導体電子部品、半導体装置＞
本発明の半導体電子部品および半導体装置は、基板上に、電極、金属配線、層間絶縁層および／または表面保護層を有し、層間絶縁層および／または表面保護層が本発明の硬化膜からなる。本発明の硬化膜は機械特性に優れるため、実装時も封止樹脂からの応力を緩和することでき、ｌｏｗ−ｋ層（低誘電率層）のダメージを抑制し、高信頼性の半導体装置を提供できる。
図２に、バンプを有する半導体装置のパッド部分の一例の拡大断面図を示す。シリコンウエハ９に、入出力用のＡｌパッド１０およびビアホールを有するパッシベーション層１１が形成されている。さらに、パッシベーション層１１上に絶縁層１２が形成され、さらに、Ｃｒ、Ｔｉ等からなる金属層１３がＡｌパッド１０と接続されるように形成され、電解めっき等でＡｌ、Ｃｕ等からなる金属配線１４が形成されている。ハンダバンプ１８の周辺に位置する金属層１３をエッチングすることにより、各パッド間を絶縁する。絶縁されたパッドにはバリアメタル１６とハンダバンプ１８が形成されている。
次に、半導体装置の製造方法について図面を用いて説明する。図３ａ〜３ｆに、バンプを有する半導体装置の製造方法の一例を示す。３ａの工程において、Ａｌパッド１０およびパッシベーション層１１が形成されたシリコンウエハ９上に本発明の樹脂組成物を塗布し、フォトリソ工程を経て、パターン形成された絶縁層１２を形成する。ついで、３ｂの工程において、スパッタリング法により金属層１３を形成する。３ｃの工程において、金属層１３の上にメッキ法により金属配線１４を成膜する。次に、３ｄ’の工程において、本発明の樹脂組成物を塗布し、３ｄの工程において、フォトリソ工程を経て絶縁層１５のパターンを形成する。この際に、絶縁層１５を構成する樹脂組成物は、スクライブライン１７において、厚膜加工される。絶縁層１５の上にさらに配線（いわゆる再配線）を形成することができる。２層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行うことにより、２層以上の再配線が、本発明の硬化膜からなる層間絶縁層により分離された多層配線構造を形成することができる。多層配線構造の層数には上限はないが、１０層以下のものが多く用いられる。次いで、３ｅの工程において、バリアメタル１６を形成し、３ｆの工程において、ハンダバンプ１８を形成する。そして、最後のスクライブライン１７に沿ってダイシングしてチップ毎に切り分け、バンプを有する半導体装置を得ることができる。
以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例中の樹脂組成物の評価は以下の方法により行った。
（１）感度
各実施例および比較例により得られたワニスを、塗布現像装置Ｍａｒｋ−７（東京エレクトロン（株）製）を用いて、８インチシリコンウェハー上にスピンコート法により塗布し、ホットプレート（ＳＣＷ−６３６；大日本スクリーン製造（株）製）を用いて１２０℃で３分間ベークをして膜厚３．０μｍのプリベーク膜を作製した。なお、膜厚は、大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ−６０２を用いて、屈折率１．６３の条件で測定した。その後、露光機ｉ線ステッパーＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ（ニコン社製）を用いて、１０μｍのコンタクトホールのパターンを有するマスクを介して、露光量１００〜１２００ｍＪ／ｃｍ２の範囲で５０ｍＪ／ｃｍ２毎に露光した。露光後、前記Ｍａｒｋ−７の現像装置を用いて、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウム水溶液（以下「ＴＭＡＨ」、多摩化学工業（株）製）を現像液として、膜減り量が０．５μｍになるまで現像した後、蒸留水でリンスを行い、振り切り乾燥し、パターンを得た。
得られたパターンをＦＤＰ顕微鏡ＭＸ６１（オリンパス（株）製）を用いて倍率２０倍で観察し、コンタクトホールの開口径を測定した。コンタクトホールの開口径が１０μｍに達した最低露光量を求め、これを感度とした。
（２）吸水率
各実施例および比較例により得られたワニスを、スピンコーター（ＭＳ−Ａ１００；ミカサ（株）製）を用いて、シリコンウエハ上に任意の回転数でスピンコーティング法により塗布した後、ホットプレート（ＳＣＷ−６３６；大日本スクリーン製造（株）製）を用いて１２０℃で１２０秒間プリベークし、膜厚約１０．０μｍのプリベーク膜を作製した。なお、膜厚は、大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ−６０２を用いて、屈折率１．６３の条件で測定した。得られたプリベーク膜を高温イナートガスオーブン（ＩＮＨ−９ＣＤ−Ｓ；光洋サーモシステム（株）製）を用いて、酸素濃度２０ｐｐｍ以下で５℃／分の昇温条件で２５０℃まで昇温しながら加熱し、さらに２５０℃で１時間加熱処理を行い、樹脂組成物の硬化膜を作製した。次に、得られた硬化膜を４５質量％のフッ化水素水に漬浸し、膜をシリコンウエハから剥離した。得られた膜を純水で充分に洗浄した後、６０℃のオーブンで５時間乾燥してフィルムを得た。得られたフィルムを５０℃で２４時間乾燥した後、２３℃に保った純水に浸漬した。その後、熱重量分析装置（ＴＧＡ−５０；島津製作所（株）製）を用いて、窒素雰囲気下、室温における重量と、室温から１００℃まで昇温した後、さらに１００℃にて３０分間保持した後の重量をそれぞれ測定し、室温における重量に対する１００℃における重量の減少量から吸水率を算出した。
（３）５％重量減少温度
（２）と同様の方法により作製したフィルム１０ｍｇを熱重量分析装置ＴＧＡ−５０（島津製作所（株）製）に入れ、窒素雰囲気下、室温から１００℃まで昇温した後、さらに１００℃にて３０分間保持し、重量を測定た。その後、昇温速度１０℃／分の条件で４００℃まで昇温しながら重量を測定し、１００℃３０分間保持後の重量に対して５％減少した時の温度を測定した。
各実施例、比較例に使用した熱架橋剤（ｄ−１）〜（ｄ−２）、フェノール化合物（ｅ−１）〜（ｅ−３）および熱酸発生剤（ｆ−１）を下記に示した。
Figure 2018021331
合成例１ ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（α）の合成
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以降「ＢＡＨＦ」と呼ぶ）１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍＬ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに３−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。
得られた白色固体３０ｇを３００ｍＬのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセロソルブ２５０ｍＬに分散させ、５％パラジウム−炭素を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行なった。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物（α）を得た。
Figure 2018021331
合成例２ アルカリ可溶性樹脂（ａ−１）の合成
乾燥窒素気流下、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（以降「ＯＤＰＡ」と呼ぶ）３１．０ｇ（０．１０モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）５００ｇに溶解させた。ここに合成例１で得られたヒドロキシル基含有ジアミン化合物４５．３５ｇ（０．０７５モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に末端封止剤として４−アミノフェノール４．３６ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ５ｇとともに加え、５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール２８．６ｇ（０．２４モル）をＮＭＰ５０ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、５０℃で３時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を室温まで冷却した後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２４時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂であるポリイミド前駆体（ａ−１）を得た。
合成例３ アルカリ可溶性樹脂（ａ−２）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３ｇ（０．０８モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）、末端封止剤として、３−アミノフェノール３．２７ｇ（０．０３モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１５０ｇに溶解した。ここにＯＤＰＡ３１．０ｇ（０．１モル）をＮＭＰ５０ｇとともに加えて、２０℃で１時間撹拌し、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、１５０℃で５時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２４時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂であるポリイミド（ａ−２）を得た。
合成例４ アルカリ可溶性樹脂（ａ−３）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をＮＭＰ５０ｇ、グリシジルメチルエーテル２６．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、溶液の温度を−１５℃まで冷却した。ここにジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド（日本農薬（株）製）７．４ｇ（０．０２５モル）、イソフタル酸クロリド（東京化成（株）製）５．１ｇ（０．０２５モル）をγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）２５ｇに溶解させた溶液を内部の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、−１５℃で６時間撹拌を続けた。反応終了後、メタノールを１０重量％含んだ水３Ｌに溶液を投入して白色の沈殿を集めた。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２４時間乾燥し、アルカリ可溶性樹脂であるポリベンゾオキサゾール前駆体（ａ−３）を得た。
合成例５ アルカリ可溶性樹脂（ａ−４）の合成
５００ｍｌのフラスコに２,２’−アゾビス（イソブチロニトリル）を５ｇ、ｔ−ドデカンチオールを５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、「ＰＧＭＥＡ」と略する）を１５０ｇ入れた。その後、メタクリル酸を３０ｇ、ベンジルメタクリレートを３５ｇ、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン−８−イルメタクリレートを３５ｇ加え、室温でしばらく撹拌し、フラスコ内を窒素置換した後、７０℃で５時間加熱撹拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジルを１５ｇ、ジメチルベンジルアミンを１ｇ、ｐ−メトキシフェノールを０．２ｇ添加し、９０℃で４時間加熱撹拌し、アルカリ可溶性樹脂であるアクリル樹脂（ａ−４）の溶液を得た。得られたアクリル樹脂溶液の固形分濃度は４３重量％であった。
合成例６ アルカリ可溶性樹脂（ａ−５）の合成
乾燥窒素気流下、ｍ−クレゾール７０．２ｇ（０．６５モル）、ｐ−クレゾール３７．８ｇ（０．３５モル）、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液７５．５ｇ（ホルムアルデヒド０．９３モル）、シュウ酸二水和物０．６３ｇ（０．００５モル）、メチルイソブチルケトン２６４ｇを仕込んだ後、油浴中に浸し、反応液を還流させながら、７時間重縮合反応を行った。その後、油浴の温度を３時間かけて昇温し、その後に、フラスコ内の圧力を４０〜６７ｈＰａまで減圧し、揮発分を除去し、溶解している樹脂を室温まで冷却して、ＧＢＬを加え、不揮発分を５０％に調整したアルカリ可溶性樹脂であるノボラック樹脂（ａ−５）の溶液を得た。得られたノボラック樹脂（ａ−５）の重量平均分子量は７０００であった。
合成例７ アミドフェノール化合物（ｂ１−１）の合成
２−アミノフェノール１０．９ｇ（０．１モル）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍＬ、トリエチルアミン３０．４ｇ（０．３モル）に溶解させた。ここにデカノイルクロリド１９．１ｇ（０．１モル）をＴＨＦ１００ｍＬに溶解させた溶液を、−１０℃以下で滴下した。滴下終了後、室温で４時間反応させた。その後、１％塩酸溶液を加え、反応溶液を酢酸エチルで抽出を行い、溶剤を除去して得られた固体を５０℃で真空乾燥し、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ１−１）を得た。
Figure 2018021331
合成例８ アミドフェノール化合物（ｂ１−２）の合成
２−アミノフェノール１０．９ｇ（０．１モル）の代わりに、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）３６．３ｇ（０．１モル）を用い、デカノイルクロリド１９．１ｇ（０．１モル）を３８．１ｇ（０．２モル）とした他は合成例７と同様にして、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ１−２）を得た。
Figure 2018021331
合成例９ アミドフェノール化合物（ｂ１−３）の合成
デカノイルクロリド３８．１ｇ（０．２モル）の代わりに、ブチリルクロリド２１．３ｇ（０．２モル）を用いた他は合成例８と同様にして、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ１−３）を得た。
Figure 2018021331
合成例１０ アミドフェノール化合物（ｂ１−４）の合成
デカノイルクロリド３８．１ｇ（０．２モル）の代わりに、３−フェニルプロピオニルクロリド３３．７ｇ（０．２モル）を用いた他は合成例８と同様にして、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ１−４）を得た。
Figure 2018021331
合成例１１ アミドフェノール化合物（ｂ１−５）の合成
２−アミノフェノール１０．９ｇ（０．１モル）の代わりに、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレンジアミン１４．０ｇ（０．１モル）を用い、デカノイルクロリド１９．１ｇ（０．１モル）を３８．１ｇ（０．２モル）とした他は合成例７と同様にして、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ１−５）を得た。
Figure 2018021331
合成例１２ アミドフェノール化合物（ｂ’−６）の合成
デカノイルクロリド３８．１ｇ（０．２モル）の代わりに、ベンゾイルクロリド２８．１ｇ（０．２モル）を用いた他は合成例８と同様にして、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ’−６）を得た。
Figure 2018021331
合成例１３ アミドフェノール化合物（ｂ’−７）の合成
２−アミノフェノール１０．９ｇ（０．１モル）の代わりに、３−アミノフェノール１０．９ｇ（０．１モル）を用いた他は合成例７と同様にして、下記式で表されるアミドフェノール化合物（ｂ’−７）を得た。
Figure 2018021331
合成例１４ キノンジアジド化合物（ｃ１−１）の合成
乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）２１．２２ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド３６．２７ｇ（０．１３５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合したトリエチルアミン１５．１８ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、下記式で表されるキノンジアジド化合物（ｃ１−１）を得た。
Figure 2018021331
合成例１５ キノンジアジド化合物（ｃ１−２）の合成
乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）２１．２２ｇ（０．０５モル）と４−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド３６．２７ｇ（０．１３５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合したトリエチルアミン１５．１８ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、下記式で表されるキノンジアジド化合物（ｃ１−２）を得た。
Figure 2018021331
合成例１６ キノンジアジド化合物（ｃ１−３）の合成
乾燥窒素気流下、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）２８．８３ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド１３．４３ｇ（０．１２５モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合したトリエチルアミン１５．１８ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、ろ液を水に投入した。その後、析出した沈殿をろ過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、下記式で表されるキノンジアジド化合物（ｃ１−３）を得た。
Figure 2018021331
実施例１
樹脂（ａ−１）１０ｇ、アミドフェノール化合物（ｂ１−１）２．０ｇ、キノンジアジド化合物（ｃ１−１）２．０ｇ、架橋剤（ｄ−１）１．０ｇをＧＢＬ３０ｇに加えてポジ型感光性樹脂組成物のワニスＡを得た。得られたワニスＡを用いて前記のように、感度、吸水率、５％重量減少温度の測定を行った。評価結果を表１に示す。
実施例２〜１６および比較例１〜８
表１に記載の組成に変更した他は実施例１と同様にワニスＢ〜Ｗを調製した。得られたワニスを用いて、実施例１と同様に、感度、吸水率、５％重量減少温度を行った。評価結果を表１〜２に示す。
Figure 2018021331
Figure 2018021331
１：ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
２：配線
３：絶縁層
４：平坦化層
５：ＩＴＯ（透明電極）
６：基板
７：コンタクトホール
８：絶縁層
９：シリコンウエハ
１０：Ａｌパッド
１１：パッシベーション層
１２：絶縁層
１３：金属層
１４：金属配線
１５：絶縁層
１６：バリアメタル
１７：スクライブライン
１８：ハンダバンプ

Claims (16)

  1. （ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（ｂ１）フェノール性水酸基のオルト位に下記一般式（１）で表される１価の基を有するアミドフェノール化合物および／または（ｂ２）カルボキシ基のオルト位に下記一般式（２）で表される１価の基を有する芳香族アミド酸化合物を含む樹脂組成物。
    Figure 2018021331
     （一般式（１）中、Ｘは一般式（１）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。一般式（２）中、Ｕは一般式（２）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。）
  2. 前記（ｂ１）アミドフェノール化合物が、下記一般式（３）〜（５）のいずれかで表される請求項１に記載の樹脂組成物。
    Figure 2018021331
     （一般式（３）〜（５）中、ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは一般式（３）〜（５）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表す。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。）
  3. 前記（ｂ２）芳香族アミド酸化合物が、下記一般式（６）〜（１０）のいずれかで表される請求項１に記載の樹脂組成物。
    Figure 2018021331
     （一般式（６）〜（１０）中、ｍは１〜４の整数を表す。Ｕは一般式（６）〜（１０）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基、Ｒ４およびＲ５は、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。）
  4. 前記（ａ）アルカリ可溶性樹脂が、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体および／またはそれらの共重合体を含む請求項１〜３のいずれか記載の樹脂組成物。
  5. さらに（ｃ）感光性化合物を含む請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂組成物。
  6. さらに（ｄ）熱架橋剤を含む請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂組成物。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂組成物から形成された樹脂シート。
  8. 請求項７に記載の樹脂シートを硬化した硬化膜。
  9. 請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂組成物を硬化した硬化膜。
  10. 基板上に、駆動回路、平坦化層、第１電極、絶縁層、発光層および第２電極を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記平坦化層および／または絶縁層が請求項８または９に記載の硬化膜からなる有機ＥＬ表示装置。
  11. 基板上に、電極、金属配線、層間絶縁層および／または表面保護層を有する半導体電子部品であって、前記層間絶縁層および／または表面保護層が請求項８または９に記載の硬化膜からなる半導体電子部品。
  12. 基板上に、電極、金属配線、層間絶縁層および／または表面保護層を有する半導体装置であって、前記層間絶縁層および／または表面保護層が請求項８または９に記載の硬化膜からなる半導体装置。
  13. 基板上に、請求項５または６に記載の樹脂組成物または請求項７に記載の樹脂シートからなる感光性樹脂膜を形成する工程、前記感光性樹脂膜を露光する工程、露光した感光性樹脂膜を現像する工程および現像した感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  14. 下記一般式（３）〜（５）のいずれかで表されるアミドフェノール系溶解促進剤。
    Figure 2018021331
     （一般式（３）〜（５）中、ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは一般式（３）〜（５）中のカルボニル炭素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表す。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。）
  15. 下記一般式（６）〜（１０）のいずれかで表される芳香族アミド酸系溶解促進剤。
    Figure 2018021331
     （一般式（６）〜（１０）中、ｍは１〜４の整数を表す。Ｕは一般式（６）〜（１０）中のアミド窒素と直接結合する炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基、Ｒ４およびＲ５は、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。）
  16. （ａ）アルカリ可溶性樹脂と、下記一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表されるベンゾオキサゾール化合物および／または下記一般式（１４）〜（１６）のいずれかで表されるイミド化合物を有する硬化膜。
    Figure 2018021331
     （一般式（１１）〜（１３）中、Ｗは一般式（１１）〜（１３）中のオキサゾール環の炭素と直接結合している炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。一般式（１４）〜（１６）中、Ｖは一般式（１４）〜（１６）中のイミド環の窒素と直接結合している炭素数２〜２０のアルキル基を有する１価の有機基または−（ＹＯ）ｎ−を有する１価の有機基を表す。ｍは１〜４の整数、Ｙは炭素数１〜１０のアルキレン基、ｎは１〜２０の整数を表す。Ｚは、単結合、水素原子、アルコキシ基、−Ｏ−、−ＳＯ２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−Ｒ１−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ２−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−Ｒ３−ＮＨＣ（＝Ｏ）−または炭素数１〜２０の１〜４価の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は炭素数１〜２０の２価の炭化水素基、Ｒ４およびＲ５は、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。ただし、Ｚが単結合の場合、ｍ＝２である。）
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510993B1 (en) * 2017-02-27 2019-12-17 Sharp Kabushiki Kaisha Production method for EL device
KR20210073517A (ko) * 2018-10-12 2021-06-18 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막, 및 해당 경화막을 사용한 표시 장치
TWI684769B (zh) * 2019-01-29 2020-02-11 力成科技股份有限公司 電子元件檢測模組及其製造方法及檢測方法
US11456266B2 (en) * 2019-10-31 2022-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bump structure and method of manufacturing bump structure
CN111285955A (zh) * 2019-12-26 2020-06-16 深圳市安立微电子材料有限公司 碱溶性树脂及其制备方法及负型光阻剂组合物
JP7081696B2 (ja) * 2020-01-21 2022-06-07 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、導電パターン付き基板、積層体の製造方法、タッチパネル及び有機ｅｌ表示装置
KR20220146440A (ko) * 2020-02-25 2022-11-01 도레이 카부시키가이샤 유기 el 표시 장치, 경화물의 제조 방법 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법
CN112859517A (zh) * 2020-12-25 2021-05-28 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种光敏树脂组合物及其应用
JPWO2022181351A1 (ja) * 2021-02-24 2022-09-01
US20220315676A1 (en) * 2021-03-23 2022-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, positive photosensitive dry film, method for producing positive photosensitive dry film, patterning process, method for forming cured film, interlayer insulation film, surface protective film, and electronic component

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131845A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置
JP2001183835A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Asahi Kasei Corp ポジ感光性組成物

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5936255B2 (ja) * 1977-10-24 1984-09-03 旭化成株式会社 耐熱性フオトレジスト組成物
JPS57207250A (en) 1981-06-17 1982-12-18 Fuji Photo Film Co Ltd Heat developing color photosensitive material
JPS5936255A (ja) 1982-08-23 1984-02-28 Mitsubishi Paper Mills Ltd 電子写真用感光体
JPS625238A (ja) 1985-06-29 1987-01-12 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 熱現像感光材料
JPH0769592B2 (ja) 1987-12-02 1995-07-31 富士写真フイルム株式会社 ハロゲン化銀カラー写真感光材料
JPH06110150A (ja) 1992-09-30 1994-04-22 Konica Corp 画像形成方法
JPH08171184A (ja) 1994-12-20 1996-07-02 Konica Corp ハロゲン化銀カラー写真感光材料
TW502135B (en) 1996-05-13 2002-09-11 Sumitomo Bakelite Co Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same
WO2000026319A1 (en) 1998-11-03 2000-05-11 The Dow Chemical Company Hot-melt adhesive compositions
US6958212B1 (en) 1999-02-01 2005-10-25 Eidgenossische Technische Hochschule Zurich Conjugate addition reactions for the controlled delivery of pharmaceutically active compounds
DK1181323T3 (da) 1999-02-01 2011-10-17 Eidgenoess Tech Hochschule Biomaterialer dannet med nukleofil additionsreaktion med konjugerede uimættede grupper
JP3942063B2 (ja) 1999-06-28 2007-07-11 株式会社カネカ 新規ポリイミド組成物およびこれに使用される新規酸二無水物
JP2004125815A (ja) 2002-06-27 2004-04-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
EP1491952B1 (en) 2003-06-23 2015-10-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
CN101263180A (zh) 2005-09-20 2008-09-10 日本化药株式会社 可溶性透明聚苯并噁唑前体，聚苯并噁唑，及其制备方法
KR101398293B1 (ko) 2006-10-24 2014-05-22 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 비스(아미노페놀) 유도체 및 그 제조 방법, 및 폴리아미드 수지류, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 보호막, 층간 절연막, 반도체 장치 및 표시 소자
JP5495487B2 (ja) 2007-09-03 2014-05-21 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれに用いられるナフトキノンジアジド化合物
JP2009175651A (ja) * 2007-12-27 2009-08-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
US7678514B2 (en) * 2007-12-27 2010-03-16 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film and semiconductor device and display device using these films
JP2010215594A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Asahi Kasei E-Materials Corp ナフトキノンジアジド化合物及びアミドフェノール化合物
JP5372593B2 (ja) 2009-05-12 2013-12-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
FR2966348B1 (fr) 2010-10-22 2012-11-09 Galderma Res & Dev Compositions comprenant un produit de comblement des rides et une tetracycline modifiee chimiquement
JP5736993B2 (ja) * 2011-06-15 2015-06-17 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP6228460B2 (ja) 2011-12-09 2017-11-08 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物
JP2016035042A (ja) 2014-07-31 2016-03-17 太陽インキ製造株式会社 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物およびプリント配線板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131845A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置
JP2001183835A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Asahi Kasei Corp ポジ感光性組成物

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