KR102367407B1 - 수지 조성물 - Google Patents

수지 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR102367407B1
KR102367407B1 KR1020187032024A KR20187032024A KR102367407B1 KR 102367407 B1 KR102367407 B1 KR 102367407B1 KR 1020187032024 A KR1020187032024 A KR 1020187032024A KR 20187032024 A KR20187032024 A KR 20187032024A KR 102367407 B1 KR102367407 B1 KR 102367407B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
compound
general formulas
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020187032024A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190035603A (ko
Inventor
유스케 고모리
가즈토 미요시
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20190035603A publication Critical patent/KR20190035603A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102367407B1 publication Critical patent/KR102367407B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387—Polyamides or polyimides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/20—Carboxylic acid amides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C233/00—Carboxylic acid amides
    • C07C233/01—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
    • C07C233/34—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups
    • C07C233/42—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups with the substituted hydrocarbon radical bound to the nitrogen atom of the carboxamide group by a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C233/43—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups with the substituted hydrocarbon radical bound to the nitrogen atom of the carboxamide group by a carbon atom of a six-membered aromatic ring having the carbon atom of the carboxamide group bound to a hydrogen atom or to a carbon atom of a saturated carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C233/00—Carboxylic acid amides
    • C07C233/01—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
    • C07C233/34—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups
    • C07C233/42—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups with the substituted hydrocarbon radical bound to the nitrogen atom of the carboxamide group by a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C233/44—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups with the substituted hydrocarbon radical bound to the nitrogen atom of the carboxamide group by a carbon atom of a six-membered aromatic ring having the carbon atom of the carboxamide group bound to a carbon atom of an unsaturated carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C233/00—Carboxylic acid amides
    • C07C233/64—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C07C233/77—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups
    • C07C233/80—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by amino groups with the substituted hydrocarbon radical bound to the nitrogen atom of the carboxamide group by a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C237/00—Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups
    • C07C237/28—Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups having the carbon atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a non-condensed six-membered aromatic ring of the carbon skeleton
    • C07C237/40—Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups having the carbon atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a non-condensed six-membered aromatic ring of the carbon skeleton having the nitrogen atom of the carboxamide group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1039—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
    • C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/22—Polybenzoxazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/32—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0233—Structure of the redistribution layers
    • H01L2224/02331—Multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/024—Material of the insulating layers therebetween
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/03444—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in gaseous form
    • H01L2224/0345—Physical vapour deposition [PVD], e.g. evaporation, or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0346—Plating
    • H01L2224/03462—Electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/036—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/03618—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material with selective exposure, development and removal of a photosensitive material, e.g. of a photosensitive conductive resin
    • H01L2224/0362—Photolithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/05171—Chromium [Cr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05569—Disposition the external layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13024—Disposition the bump connector being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

본 발명은 고감도이며, 흡수율이 낮은 경화막을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공한다. (a) 알칼리 가용성 수지와, (b1) 페놀성 수산기의 오르토 위치에 하기 일반식 (1)로 표시되는 1가의 기를 갖는 아미드페놀 화합물 및/또는 (b2) 카르복시기의 오르토 위치에 하기 일반식 (2)로 표시되는 1가의 기를 갖는 방향족 아미드산 화합물을 포함하는 수지 조성물.
Figure 112018109186716-pct00033

(일반식 (1) 중, X는 일반식 (1) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. 일반식 (2) 중, U는 일반식 (2) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.)

Description

수지 조성물
본 발명은, 알칼리 가용성 수지와 아미드페놀 화합물을 갖는 수지 조성물에 관한 것이다.
폴리이미드나 폴리벤조옥사졸 등의 내열성 수지는, 우수한 내열성, 전기 절연성을 갖는다는 점에서, 이들 내열성 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물이, LSI등의 반도체 소자의 표면 보호층, 층간 절연층, 유기 전계 발광 소자 및 유기 EL 표시 소자의 절연층, 표시 장치용 TFT 기판의 평탄화층 등에 사용되고 있다.
반도체의 신뢰성에 대한 요구가 높아지고 있으며, 고온 고습 환경하에서의 신뢰성이 요구된다는 점에서, 반도체의 표면 보호층이나 층간 절연층에 사용되는 수지 조성물에도 저흡수성이 요구되고 있다. 또한, 유기 EL 표시 장치에 관해서도, 유기 EL 발광 재료가 수분에 의한 열화를 받기 쉽다는 점에서, 유기 EL 표시 장치의 절연층에 사용되는 수지 조성물에도 저흡수성이 요구된다. 또한, 최근 몇년간, 기판의 대형화나 생산성 향상 등의 이유로부터, 노광 시간을 단축하기 위해, 감광성 수지 조성물에 보다 높은 감도가 요구되고 있다. 이러한 점으로부터, 고감도로 패터닝을 할 수 있으며, 저흡수성의 경화막을 얻을 수 있는 감광성 수지 조성물의 개발이 강하게 요망되고 있다.
그래서, 경화 후의 막이 저흡수인 포지티브형의 감광성 수지 조성물로서, 알칼리 가용성 수지, 디아조나프토퀴논 화합물, 페놀성 수산기를 포함하지 않고 메틸올기를 포함하는 화합물을 포함하여 이루어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물(예를 들어, 특허문헌 1 참조)이 제안되어 있다. 그러나, 이 감광성 수지 조성물은 감도가 불충분하다는 과제가 있었다. 그래서, 고감도이며 고해상도의 감광성 수지 조성물로서, 예를 들어 폴리아미드 수지, 감광성 퀴논디아지드 화합물 및 아미드페놀 화합물을 필수 성분으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물(예를 들어, 특허문헌 2 참조), 알칼리 가용성 수지, 감광성 디아조퀴논 화합물 및 페놀 화합물을 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물(예를 들어, 특허문헌 3 참조)이 제안되어 있다.
미국 특허 출원 공개 제2004-259020호 명세서 일본 특허 공개2001-183835호 공보 일본 특허 공개2004-125815호 공보
그러나, 특허문헌 2 내지 3에 기재된 감광성 수지 조성물은, 극성기인 페놀성 수산기가 경화 후에 존재하는 경우가 있으며, 흡수율이 높아진다는 과제가 있었다. 그래서, 본 발명은, 고감도이며, 흡수율이 낮은 경화막을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, (a) 알칼리 가용성 수지와, (b1) 페놀성 수산기의 오르토 위치에 하기 일반식 (1)로 표시되는 1가의 기를 갖는 아미드페놀 화합물 및/또는 (b2) 카르복시기의 오르토 위치에 하기 일반식 (2)로 표시되는 1가의 기를 갖는 방향족 아미드산 화합물을 포함하는 수지 조성물이다.
Figure 112018109186716-pct00001
(일반식 (1) 중, X는 일반식 (1) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. 일반식 (2) 중, U는 일반식 (2) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.)
본 발명의 수지 조성물은 고감도이며, 본 발명의 수지 조성물에 의하면, 흡수율이 낮은 경화막을 얻을 수 있다.
도 1은, TFT 기판의 일례의 단면도이다.
도 2는, 범프를 갖는 반도체 장치의 패드 부분의 일례의 확대 단면도이다.
도 3a 내지 3f는, 범프를 갖는 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 도시하는 개략도이다.
본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
<(a) 알칼리 가용성 수지>
본 발명의 수지 조성물은 (a) 알칼리 가용성 수지를 함유한다. (a) 알칼리 가용성 수지를 함유함으로써, 패턴 가공성을 갖는 수지 조성물을 얻을 수 있다. 본 발명에 있어서의 알칼리 가용성이란, 수지를 γ-부티로락톤에 용해한 용액을 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 120℃에서 4분간 프리베이크를 행하여 막 두께 10㎛±0.5㎛의 프리베이크막을 형성하고, 해당 프리베이크막을 23±1℃의 2.38중량％ 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 1분간 침지한 후, 순수로 린스 처리했을 때의 막 두께 감소로부터 구해지는 용해 속도가 50nm/분 이상인 것을 말한다.
본 발명에 있어서의 (a) 알칼리 가용성 수지는, 알칼리 가용성을 부여하기 위해, 수지의 구조 단위 중 및/또는 그의 주쇄 말단에 산성기를 갖는 것이 바람직하다. 산성기로서는, 예를 들어 카르복시기, 페놀성 수산기, 술폰산기 등을 들 수 있다. 또한, (a) 알칼리 가용성 수지는, 발수성을 부여하기 위해 불소 원자를 갖는 것이 바람직하다.
(a) 알칼리 가용성 수지로서는, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리아미드이미드, 폴리아미드이미드 전구체, 폴리아미드, 알칼리 가용성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 중합체, 페놀 수지 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다. 이들 수지를 2종 이상 함유해도 된다. 이들 알칼리 가용성 수지 중에서도 내열성이 우수하고, 고온하에서의 아웃 가스량이 적다는 점에서, 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 이들 어느 것의 전구체 및/또는 이들의 공중합체가 바람직하고, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸 전구체 또는 이들의 공중합체가 보다 바람직하고, 감도를 보다 향상시키는 관점에서, 폴리이미드 전구체 또는 폴리벤조옥사졸 전구체가 더욱 바람직하다. 여기서, 폴리이미드 전구체란, 가열 처리나 화학 처리에 의해 폴리이미드로 변환되는 수지를 말하며, 예를 들어 폴리아미드산, 폴리아미드산에스테르 등을 들 수 있다. 폴리벤조옥사졸 전구체란, 가열 처리나 화학 처리에 의해 폴리벤조옥사졸로 변환되는 수지를 말하며, 예를 들어 폴리히드록시아미드 등을 들 수 있다.
상술한 폴리이미드는 하기 일반식 (17)로 표시되는 구조 단위를 갖고, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 일반식 (18)로 표시되는 구조 단위를 갖는다. 이들을 2종 이상 함유해도 되고, 일반식 (17)로 표시되는 구조 단위 및 일반식 (18)로 표시되는 구조 단위를 공중합한 수지를 사용해도 된다.
Figure 112018109186716-pct00002
일반식 (17) 중, R11은 4 내지 10가의 유기기, R12는 2 내지 8가의 유기기를 나타낸다. R13 및 R14는 카르복시기, 술폰산기 또는 페놀성 수산기를 나타낸다. p개의 R13 및 q개의 R14는 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. p 및 q는 0 내지 6의 정수를 나타낸다.
Figure 112018109186716-pct00003
일반식 (18) 중, R15 및 R16은 2 내지 8가의 유기기를 나타낸다. R17 및 R18은 페놀성 수산기, 술폰산기 또는 COOR19를 나타내고, 각각 단일의 것이어도 상이한 것이 혼재하고 있어도 된다. R19는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기를 나타낸다. r 및 s는 0 내지 6의 정수를 나타낸다. 단 r+s>0이다.
폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸 전구체 또는 이들의 공중합체는, 일반식 (17) 또는 (18)로 표시되는 구조 단위를 5 내지 100000 갖는 것이 바람직하다. 또한, 일반식 (17) 또는 (18)로 표시되는 구조 단위에 더하여, 다른 구조 단위를 가져도 된다. 이 경우, 일반식 (17) 또는 (18)로 표시되는 구조 단위를 전체 구조 단위 중 50몰％ 이상 갖는 것이 바람직하다.
상기 일반식 (17) 중, R11-(R13)p는 산 이무수물의 잔기를 나타낸다. R11은 4가 내지 10가의 유기기이고, 그 중에서도 방향족환 또는 환상 지방족기를 함유하는 탄소 원자수 5 내지 40의 유기기가 바람직하다.
산 이무수물로서는, 구체적으로는 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)프로판 이무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌산 이무수물, 9,9-비스{4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐}플루오렌산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물 및 하기에 나타낸 구조의 산 이무수물 등의 방향족 테트라카르복실산 이무수물이나, 부탄테트라카르복실산 이무수물 등의 지방족 테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물 등의 환상 지방족기를 함유하는 지방족 테트라카르복실산 이무수물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
Figure 112018109186716-pct00004
R20은 산소 원자, C(CF3)2 또는 C(CH3)2를 나타낸다. R21 및 R22는 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다.
상기 일반식 (18) 중, R16-(R18)s는 산의 잔기를 나타낸다. R16은 2가 내지 8가의 유기기이며, 그 중에서도 방향족환 또는 환상 지방족기를 함유하는 탄소 원자수 5 내지 40의 유기기가 바람직하다.
산으로서는, 테레프탈산, 이소프탈산, 디페닐에테르디카르복실산, 비스(카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 비페닐디카르복실산, 벤조페논디카르복실산, 트리페닐디카르복실산 등의 디카르복실산, 트리멜리트산, 트리메스산, 디페닐에테르트리카르복실산, 비페닐트리카르복실산 등의 트리카르복실산, 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산, 2,3,3',4'-비페닐테트라카르복실산, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산, 2,3,5,6-피리딘테트라카르복실산, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 및 하기에 나타낸 구조의 방향족 테트라카르복실산이나, 부탄테트라카르복실산 등의 지방족 테트라카르복실산, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 등의 환상 지방족기를 함유하는 지방족 테트라카르복실산 등의 테트라카르복실산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
Figure 112018109186716-pct00005
R20은 산소 원자, C(CF3)2 또는 C(CH3)2를 나타낸다. R21 및 R22는 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다.
이들 중, 트리카르복실산, 테트라카르복실산의 경우에는, 1개 또는 2개의 카르복시기가 일반식 (18)에 있어서의 R18에 상당한다. 또한, 상기에 예시한 디카르복실산, 트리카르복실산, 테트라카르복실산의 수소 원자를 일반식 (18)에 있어서의 R18로 치환할 수 있다. R18은, 바람직하게는 수산기로 1 내지 4개 치환한 것이 보다 바람직하다. 이들 산은 그대로 사용해도 되고, 산 무수물 또는 활성 에스테르로서 사용해도 된다.
상기 일반식 (17)의 R12-(R14)q 및 상기 일반식 (18)의 R15-(R17)r은 디아민의 잔기를 나타낸다. R12 및 R15는 2 내지 8가의 유기기이고, 그 중에서도 방향족환 또는 환상 지방족기를 함유하는 탄소 원자수 5 내지 40의 유기기가 바람직하다.
디아민의 구체적인 예로서는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2',3,3'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3',4,4'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-5,5'-디히드록시벤지딘, 이들 방향족환의 수소 원자의 적어도 일부를 알킬기나 할로겐 원자로 치환한 화합물 등의 방향족 디아민, 시클로헥실디아민, 메틸렌비스시클로헥실아민 등의 환상 지방족기를 함유하는 지방족 디아민 및 하기에 나타낸 구조의 디아민 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
Figure 112018109186716-pct00006
R20은 산소 원자, C(CF3)2 또는 C(CH3)2를 나타낸다. R21 내지 R24는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다.
이들 디아민은 그대로 사용해도 되고, 대응하는 디이소시아네이트 화합물이나 트리메틸실릴화디아민으로서 사용해도 된다.
또한, 이들 수지의 말단을 산성기를 갖는 모노아민, 산 무수물, 산 클로라이드, 모노카르복실산, 활성 에스테르 화합물 등의 말단 밀봉제에 의해 밀봉함으로써, 주쇄 말단에 산성기를 갖는 수지를 얻을 수 있다.
산성기를 갖는 모노아민의 바람직한 예로서는, 5-아미노-8-히드록시퀴놀린, 1-히드록시-7-아미노나프탈렌, 1-히드록시-6-아미노나프탈렌, 1-히드록시-5-아미노나프탈렌, 1-히드록시-4-아미노나프탈렌, 2-히드록시-7-아미노나프탈렌, 2-히드록시-6-아미노나프탈렌, 2-히드록시-5-아미노나프탈렌, 1-카르복시-7-아미노나프탈렌, 1-카르복시-6-아미노나프탈렌, 1-카르복시-5-아미노나프탈렌, 2-카르복시-7-아미노나프탈렌, 2-카르복시-6-아미노나프탈렌, 2-카르복시-5-아미노나프탈렌, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 6-아미노살리실산, 3-아미노-4,6-디히드록시피리미딘, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2-아미노티오페놀, 3-아미노티오페놀, 4-아미노티오페놀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
산 무수물의 바람직한 예로서는, 무수 프탈산, 무수 말레산, 나드산 무수물, 시클로헥산디카르복실산 무수물, 3-히드록시프탈산 무수물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
모노카르복실산의 바람직한 예로서는, 3-카르복시페놀, 4-카르복시페놀, 3-카르복시티오페놀, 4-카르복시티오페놀, 1-히드록시-7-카르복시나프탈렌, 1-히드록시-6-카르복시나프탈렌, 1-히드록시-5-카르복시나프탈렌, 1-머캅토-7-카르복시나프탈렌, 1-머캅토-6-카르복시나프탈렌, 1-머캅토-5-카르복시나프탈렌 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
산 클로라이드의 바람직한 예로서는, 상기 모노카르복실산의 카르복시기가 산 클로라이드화된 모노 산 클로라이드 화합물, 테레프탈산, 프탈산, 말레산, 시클로헥산디카르복실산, 1,5-디카르복시나프탈렌, 1,6-디카르복시나프탈렌, 1,7-디카르복시나프탈렌, 2,6-디카르복시나프탈렌 등의 디카르복실산류의 1개의 카르복시기만이 산 클로라이드화된 모노 산 클로라이드 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
활성 에스테르 화합물의 바람직한 예로서는, 상기 모노 산 클로라이드 화합물과 N-히드록시벤조트리아졸이나 N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드의 반응물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
수지 중에 도입된 말단 밀봉제는, 이하의 방법으로 용이하게 검출할 수 있다. 예를 들어, 말단 밀봉제가 도입된 수지를 산성 용액에 용해하고, 수지의 구성 단위인 아민 성분과 산 성분으로 분해하고, 이것을 가스 크로마토그래프(GC)나, NMR 측정함으로써, 말단 밀봉제를 용이하게 검출할 수 있다. 또한, 말단 밀봉제가 도입된 수지를 열분해 가스 크로마토그래프(PGC)나, 적외 스펙트럼 및 13C-NMR 스펙트럼 측정함으로써도 검출하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서의 (a) 알칼리 가용성 수지는, 공지된 방법에 의해 합성된다.
폴리이미드 전구체인 폴리아미드산 또는 폴리아미드산에스테르의 제조 방법으로서는, 예를 들어 저온 중에서 테트라카르복실산 이무수물과 디아민 화합물을 반응시키는 방법, 테트라카르복실산 이무수물과 알코올에 의해 디에스테르를 얻고, 그 후, 축합제의 존재하에서 아민과 반응시키는 방법, 테트라카르복실산 이무수물과 알코올에 의해 디에스테르를 얻고, 그 후 나머지 디카르복실산을 산 클로라이드화하고, 아민과 반응시키는 방법 등을 들 수 있다.
폴리벤조옥사졸 전구체인 폴리히드록시아미드의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 비스아미노페놀 화합물과 디카르복실산을 축합 반응시키는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 디시클로헥실카르보디이미드(DCC) 등의 탈수 축합제와 산을 반응시키고, 여기에 비스아미노페놀 화합물을 가하는 방법, 피리딘 등의 3급 아민을 가한 비스아미노페놀 화합물의 용액에 디카르복실산디클로라이드의 용액을 적하하는 방법 등을 들 수 있다.
폴리이미드의 제조 방법으로서는, 예를 들어 상술한 방법으로 얻어진 폴리아미드산 또는 폴리아미드산에스테르를 탈수 폐환하는 방법 등을 들 수 있다. 탈수 폐환의 방법으로서는, 산이나 염기 등에 의한 화학 처리, 가열 처리 등을 들 수 있다.
폴리벤조옥사졸의 제조 방법으로서는, 예를 들어 상술한 방법으로 얻어진 폴리히드록시아미드를 탈수 폐환하는 방법 등을 들 수 있다. 탈수 폐환의 방법으로서는, 산이나 염기 등에 의한 화학 처리, 가열 처리 등을 들 수 있다.
폴리아미드이미드 전구체로서는, 트리카르복실산, 대응하는 트리카르복실산 무수물, 트리카르복실산 무수물 할라이드와 디아민 화합물의 중합체를 들 수 있으며, 무수 트리멜리트산 클로라이드와 방향족 디아민 화합물의 중합체가 바람직하다. 폴리아미드이미드 전구체의 제조 방법으로서는, 예를 들어 저온 중에서 트리카르복실산, 대응하는 트리카르복실산 무수물, 트리카르복실산 무수물 할라이드 등과 디아민 화합물을 반응시키는 방법 등을 들 수 있다.
폴리아미드이미드의 제조 방법으로서는, 예를 들어 무수 트리멜리트산과 방향족 디이소시아네이트를 반응시키는 방법, 상술한 방법으로 얻어진 폴리아미드이미드 전구체를 탈수 폐환하는 방법 등을 들 수 있다. 탈수 폐환의 방법으로서는, 산이나 염기 등에 의한 화학 처리, 가열 처리 등을 들 수 있다.
알칼리 가용성기를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 중합체는, 알칼리 가용성을 부여하기 위해, 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 갖는 라디칼 중합성 모노머의 중합체인 것이 바람직하다. 이들 라디칼 중합성 모노머와, 다른 라디칼 중합성 모노머의 공중합체여도 된다. 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 갖는 라디칼 중합성 모노머로서는, o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, 이들의 알킬 또는 알콕시 치환체 등이 바람직하다. 다른 라디칼 중합성 모노머로서는, 스티렌이나 그의 치환체, 부타디엔, 이소프렌, 메타크릴산 또는 아크릴산의 에스테르화물 등이 바람직하다.
페놀 수지로서는, 노볼락 페놀 수지나 레졸 페놀 수지 등이 바람직하다.
<(b1) 아미드페놀 화합물, (b2) 방향족 아미드산 화합물>
본 발명의 수지 조성물은, 페놀성 수산기의 오르토 위치에 하기 일반식 (1)로 표시되는 1가의 기를 갖는 아미드페놀 화합물(이하, 간단히 「(b1) 아미드페놀 화합물」이라 기재하는 경우가 있다.) 및/또는 (b2) 카르복시기의 오르토 위치에 하기 일반식 (2)로 표시되는 1가의 기를 갖는 방향족 아미드산 화합물(이하, 간단히 「(b2) 방향족 아미드산 화합물」이라 기재하는 경우가 있다.)을 갖는다. (b1) 아미드페놀 화합물은 페놀성 수산기를 갖는다는 점에서, (b2) 방향족 아미드산 화합물은 카르복시기를 갖는다는 점에서, 예를 들어 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경우, 현상시에 페놀성 수산기 또는 카르복시기가 노광부의 용해를 촉진하기 때문에, 고감도화할 수 있다. 한편, (b1) 아미드페놀 화합물은 페놀성 수산기의 오르토 위치에 아미드기를 갖는다는 점에서, (b2) 방향족 아미드산 화합물은 카르복시기의 오르토 위치에 아미드기를 갖는다는 점에서, 경화 후에는 환화 탈수 반응에 의해 극성기인 페놀성 수산기 또는 카르복시기가 남지 않아, 저흡수성의 경화막을 얻을 수 있다. 알칼리 현상액에 대한 용해성을 보다 향상시키고, 감도를 보다 향상시키는 관점에서, (b1) 아미드페놀 화합물 및 (b2) 방향족 아미드산 화합물은, 하기 일반식 (1) 또는 (2)로 표시되는 1가의 기를 2개 이상 갖는 것이 바람직하다.
Figure 112018109186716-pct00007
일반식 (1) 중, X는 일반식 (1) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.
X가 일반식 (1) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기 또는 -(YO)n-을 가지면, 250℃ 이하에서의 탈수 폐환율이 높아지기 때문에, 경화 후의 흡수율을 저감할 수 있다. X가 알킬기일 때, 내열성을 향상시키는 관점에서 탄소수는 10 이하가 바람직하고, 6 이하가 보다 바람직하다. X가 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기일 때, 내열성을 향상시키는 관점에서, Y는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기가 바람직하다. Y가 메틸렌기인 경우, 탈수 폐환율을 높게 하는 관점에서 n은 2 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 3 이상이다. 또한, 내열성을 향상시키는 관점에서 n은 10 이하가 바람직하다. Y가 메틸렌기 이외인 경우, 내열성을 향상시키는 관점에서 n은 2 내지 10이 바람직하다. 또한, 내열성을 향상시키는 관점에서 X는 임의로 치환기를 가져도 되고, 예를 들어 아릴기를 말단에 갖는 것이 바람직하다.
Figure 112018109186716-pct00008
일반식 (2) 중, U는 일반식 (2) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.
U가 일반식 (2) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기 또는 -(YO)n-을 가지면, 250℃ 이하에서의 탈수 폐환율이 높아지기 때문에, 경화 후의 흡수율을 저감할 수 있다. U가 알킬기일 때, 내열성을 향상시키는 관점에서 탄소수는 10 이하가 바람직하고, 6 이하가 보다 바람직하다. U가 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기일 때, 내열성을 향상시키는 관점에서 Y는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기가 바람직하다. Y가 메틸렌기인 경우, 탈수 폐환율을 높게 하는 관점에서 n은 2 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 3 이상이다. 또한, 내열성을 향상시키는 관점에서 n은 10 이하가 바람직하다. Y가 메틸렌기 이외인 경우, 내열성을 향상시키는 관점에서 n은 2 내지 10이 바람직하다. 또한, 내열성을 향상시키는 관점에서 U는 임의로 치환기를 가져도 되고, 예를 들어 아릴기를 말단에 갖는 것이 바람직하다.
일반식 (1) 중의 X 및 일반식 (2) 중의 U는 탄소수 2 내지 20의 알킬기이고, 예를 들어 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실, 노나데실, 이코실 등을 들 수 있다. 또한, 일반식 (1) 및 일반식 (2) 중의 Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, 예를 들어 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 데실렌 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 (b1) 아미드페놀 화합물로서는, 하기 일반식 (3) 내지 (5) 중 어느 것으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은, 용해 촉진제로서 사용할 수도 있다.
Figure 112018109186716-pct00009
일반식 (3) 내지 (5) 중, m은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. X는 일반식 (3) 내지 (5) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.
X가 알킬기일 때, 탄소수는 10 이하가 바람직하고, 6 이하가 보다 바람직하다. X가 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기일 때, Y는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기가 바람직하다. Y가 메틸렌기인 경우, n은 2 이상이 바람직하고, 3 이상이 보다 바람직하다. 또한, n은 10 이하가 바람직하다. Y가 메틸렌기 이외인 경우, n은 2 내지 10이 바람직하다. 또한, X는 임의로 치환기를 가져도 되고, 예를 들어 아릴기를 말단에 갖는 것이 바람직하다.
일반식 (3) 내지 (5) 중, Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 용해성을 향상시키는 관점에서, 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 10이 보다 바람직하다. 탄화수소기는 포화여도 불포화여도 된다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.
본 발명에서 사용되는 (b1) 아미드페놀 화합물은, 페놀성 수산기의 오르토 위치에 아미노기를 갖는 화합물 또는 그의 염산염과, 대응하는 산 클로라이드를 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 페놀성 수산기의 오르토 위치에 아미노기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 2-아미노페놀, 2,4-디히드록시-m-페닐렌디아민, 2,5-디히드록시-p-페닐렌디아민, 4,6-디아미노레조르시놀, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐, 3,4'-디아미노-3',4-디히드록시디페닐, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐에테르, 3,4'-디아미노-3',4-디히드록시디페닐에테르, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐헥사플루오로프로판, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐헥사플루오로프로판, 3,4'-디아미노-3',4-디히드록시디페닐헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시벤조페논, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시벤조페논, 3,4'-디아미노-3',4-디히드록시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시디페닐술폰, 3,4'-디아미노-3',4-디히드록시디페닐술폰, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)메틸렌, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)플루오렌, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-5,5'-디히드록시벤지딘 등의 히드록실기 함유 디아민이나, 이들의 방향족환의 수소 원자의 일부를, 탄소수 1 내지 10의 알킬기나 플루오로알킬기, 할로겐 원자 등으로 치환한 화합물 등을 들 수 있다.
산 클로라이드로서는, 예를 들어 프로파노일클로라이드, 부타노일클로라이드, 펜타노일클로라이드, 헥사노일클로라이드, 헵타노일클로라이드, 옥타노일클로라이드, 노나노일클로라이드, 데카노일클로라이드, 라우로일클로라이드 등의 산 클로라이드나, 이들의 수소 원자의 일부를 탄소수 1 내지 10의 알킬기 등으로 치환한 화합물, 말단의 메틸기를 아릴기로 치환한 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 (b2) 방향족 아미드산 화합물로서는, 하기 일반식 (6) 내지 (8) 중 어느 것으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은, 용해 촉진제로서 사용할 수도 있다.
Figure 112018109186716-pct00010
일반식 (6) 내지 (10) 중, m은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. U는 일반식 (6) 내지 (10) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.
U가 알킬기일 때, 탄소수는 10 이하가 바람직하고, 6 이하가 보다 바람직하다. U가 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기일 때, Y는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기가 바람직하다. Y가 메틸렌기인 경우, n은 2 이상이 바람직하고, 3 이상이 보다 바람직하다. 또한, n은 10 이하가 바람직하다. Y가 메틸렌기 이외인 경우, n은 2 내지 10이 바람직하다. 또한, U는 임의로 치환기를 가져도 되고, 예를 들어 아릴기를 말단에 갖는 것이 바람직하다.
일반식 (6) 내지 (10) 중, Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기, R4 및 R5는 -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다. 용해성을 향상시키는 관점에서, 탄화수소기의 탄소수는 1 내지 10이 보다 바람직하다. 탄화수소기는 포화여도 불포화여도 된다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.
본 발명에서 사용되는 (b2) 방향족 아미드산 화합물은, 산 무수물, 산 이무수물, 디카르복실산 화합물 또는 테트라카르복실산 화합물과 대응하는 제1급 아민을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
산 무수물로서는, 예를 들어 무수 프탈산을 들 수 있다. 산 이무수물로서는, 예를 들어 폴리이미드를 구성하는 산 이무수물로서 예시한 방향족 테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다. 디카르복실산으로서는, 예를 들어 프탈산을 들 수 있다. 테트라카르복실산으로서는, 예를 들어 폴리이미드 전구체 또는 폴리벤조옥사졸 전구체를 구성하는 테트라카르복실산으로서 예시한 방향족 테트라카르복실산을 들 수 있다.
제1급 아민으로서는, 예를 들어 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민 등의 지방족 아민이나 이들의 수소 원자의 일부를 탄소수 1 내지 10의 알킬기 등으로 치환한 화합물, 말단의 메틸기를 아릴기로 치환한 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 수지 조성물에 있어서의 (b1) 아미드페놀 화합물 및/또는 (b2) 방향족 아미드산 화합물의 함유량은, 감도를 보다 향상시키는 관점에서 (a) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 바람직하게는 1질량부 이상, 보다 바람직하게는 3질량부 이상이며, 또한 내열성을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 50질량부 이하, 보다 바람직하게는 40질량부 이하이다.
<(c) 감광성 화합물>
본 발명의 수지 조성물은 (c) 감광성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 감광성 수지 조성물로 할 수 있다. (c) 감광성 화합물로서는, (c1) 광산 발생제나, (c2) 광중합 개시제 등을 들 수 있다. (c1) 광산 발생제는, 광조사에 의해 산을 발생하는 화합물이며, (c2) 광중합 개시제는 노광에 의해 결합 개열 및/또는 반응하여, 라디칼을 발생하는 화합물이다.
(c1) 광산 발생제를 함유함으로써, 광조사부에 산이 발생하여 광조사부의 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대되어, 광조사부가 용해되는 포지티브형의 릴리프 패턴을 얻을 수 있다. 또한, (c1) 광산 발생제와 에폭시 화합물 또는 후술하는 열 가교제를 함유함으로써, 광조사부에 발생한 산이 에폭시 화합물이나 열 가교제의 가교 반응을 촉진하여, 광조사부가 불용화되는 네가티브형의 릴리프 패턴을 얻을 수 있다. 한편, (c2) 광중합 개시제 및 후술하는 라디칼 중합성 화합물을 함유함으로써, 광조사부에 있어서 라디칼 중합이 진행되어, 광조사부가 불용화되는 네가티브형의 릴리프 패턴을 얻을 수 있다.
(c1) 광산 발생제로서는, 예를 들어 퀴논디아지드 화합물, 술포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 요오도늄염 등을 들 수 있다. (c1) 광산 발생제를 2종 이상 함유하는 것이 바람직하고, 고감도인 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.
퀴논디아지드 화합물로서는, 폴리히드록시 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르 결합한 것, 폴리아미노 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 술폰아미드 결합한 것, 폴리히드록시폴리아미노 화합물에 퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르 결합 및/또는 술폰아미드 결합한 것 등을 들 수 있다. 이들 폴리히드록시 화합물이나 폴리아미노 화합물의 관능기 전체의 50몰％ 이상이 퀴논디아지드로 치환되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 퀴논디아지드로서는 5-나프토퀴논디아지드술포닐기, 4-나프토퀴논디아지드술포닐기가 모두 바람직하게 사용된다. 4-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물은 수은등의 i선 영역에 흡수를 갖고 있어, i선 노광에 적합하다. 5-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물은 수은등의 g선 영역까지 흡수가 신장되어 있어, g선 노광에 적합하다. 본 발명에 있어서는, 노광하는 파장에 따라4-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물, 5-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물을 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 동일 분자 중에 4-나프토퀴논디아지드술포닐기, 5-나프토퀴논디아지드술포닐기를 갖는 나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물을 함유해도 되고, 4-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물과 5-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물을 함유해도 된다.
상기 퀴논디아지드 화합물은, 페놀성 수산기를 갖는 화합물과, 퀴논디아지드 술폰산 화합물로부터 임의의 에스테르화 반응에 의해 합성할 수 있다. 이들 퀴논디아지드 화합물을 사용함으로써, 해상도, 감도, 잔막률이 보다 향상된다.
(c1) 광산 발생제 중, 술포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 요오도늄염은, 노광에 의해 발생한 산 성분을 적절하게 안정화시키기 때문에 바람직하다. 그 중에서도 술포늄염이 바람직하다. 증감제 등을 필요에 따라 더 함유할 수도 있다.
본 발명에 있어서 (c1) 광산 발생제의 함유량은, 고감도화의 관점에서 (a) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 0.01 내지 50질량부가 바람직하다. 이 중, 퀴논디아지드 화합물은 3 내지 40질량부가 바람직하다. 또한, 술포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 요오도늄염의 총량은 0.5 내지 20질량부가 바람직하다.
(c2) 광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤질케탈계 광중합 개시제, α-히드록시케톤계 광중합 개시제, α-아미노케톤계 광중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제, 아크리딘계 광중합 개시제, 티타노센계 광중합 개시제, 벤조페논계 광중합 개시제, 아세토페논계 광중합 개시제, 방향족 케토에스테르계 광중합 개시제, 벤조산에스테르계 광중합 개시제 등을 들 수 있다. (c2) 광중합 개시제를 2종 이상 함유해도 된다. 감도를 보다 향상시키는 관점에서, α-아미노케톤계 광중합 개시제, 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제가 더욱 바람직하다.
α-아미노케톤계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 3,6-비스(2-메틸-2-모르폴리노프로피오닐)-9-옥틸-9H-카르바졸 등을 들 수 있다.
아실포스핀옥시드계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)포스핀옥시드 등을 들 수 있다.
옥심에스테르계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 1-페닐프로판-1,2-디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐부탄-1,2-디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐프로판-1,2,3-트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-[4-(페닐티오)페닐]옥탄-1,2-디온-2-(O-벤조일)옥심, 1-[4-[4-(카르복시페닐)티오]페닐]프로판-1,2-디온-2-(O-아세틸)옥심, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에타논-1-(O-아세틸)옥심, 1-[9-에틸-6-[2-메틸-4-[1-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔란-4-일)메틸옥시]벤조일]-9H-카르바졸-3-일]에타논-1-(O-아세틸)옥심 또는 1-(9-에틸-6-니트로-9H-카르바졸-3-일)-1-[2-메틸-4-(1-메톡시프로판-2-일옥시)페닐]메타논-1-(O-아세틸)옥심 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, (c2) 광중합 개시제의 함유량은 감도를 보다 향상시키는 관점에서, (a) 알칼리 가용성 수지 및 후술하는 라디칼 중합성 화합물의 합계 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상이 바람직하고, 1질량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 해상도를 보다 향상시키고, 테이퍼 각도를 저감하는 관점에서 25질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하다.
<라디칼 중합성 화합물>
본 발명의 수지 조성물은, 라디칼 중합성 화합물을 더 함유해도 된다.
라디칼 중합성 화합물이란, 분자 중에 복수의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 말한다. 노광시, 상술한 (c2) 광중합 개시제로부터 발생하는 라디칼에 의해 라디칼 중합성 화합물의 라디칼 중합이 진행되어, 광조사부가 불용화됨으로써 네가티브형의 패턴을 얻을 수 있다. 라디칼 중합성 화합물을 더 함유함으로써, 광조사부의 광경화가 촉진되어, 감도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 열경화 후의 가교 밀도가 향상된다는 점에서, 경화막의 경도를 향상시킬 수 있다.
라디칼 중합성 화합물로서는, 라디칼 중합이 진행되기 쉬운 (메트)아크릴기를 갖는 화합물이 바람직하다. 노광시의 감도 향상 및 경화막의 경도 향상의 관점에서, (메트)아크릴기를 분자 내에 2개 이상 갖는 화합물이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성 화합물의 이중 결합 당량으로서는, 노광시의 감도 향상 및 경화막의 경도 향상의 관점에서 80 내지 400g/mol이 바람직하다.
라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타(메트)아크릴레이트, 2,2-비스[4-(3-(메트)아크릴옥시-2-히드록시프로폭시)페닐]프로판, 1,3,5-트리스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누르산, 1,3-비스((메트)아크릴옥시에틸)이소시아누르산, 9,9-비스[4-(2-(메트)아크릴옥시에톡시)페닐]플루오렌, 9,9-비스[4-(3-(메트)아크릴옥시프로폭시)페닐]플루오렌, 9,9-비스(4-(메트)아크릴옥시페닐)플루오렌 또는 이들의 산 변성체, 에틸렌옥시드 변성체, 프로필렌옥시드 변성체 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서 라디칼 중합성 화합물의 함유량은, 감도를 보다 향상시키고, 테이퍼 각도를 저감하는 관점에서, (a) 알칼리 가용성 수지 및 라디칼 중합성 화합물의 합계 100질량부에 대하여 15질량부 이상이 바람직하고, 30질량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 경화막의 내열성을 보다 향상시키고, 테이퍼 각도를 저감하는 관점에서 65질량부 이하가 바람직하고, 50질량부 이하가 보다 바람직하다.
<(d) 열 가교제>
본 발명의 수지 조성물은, (d) 열 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 열 가교제란, 알콕시메틸기, 메틸올기, 에폭시기, 옥세타닐기 등의 열 반응성의 관능기를 분자 내에 적어도 2개 갖는 화합물을 말한다. (d) 열 가교제를 함유함으로써 (a) 알칼리 가용성 수지 또는 기타 첨가 성분을 가교하여, 열경화 후의 막 내열성, 내약품성 및 경도를 향상시킬 수 있다. 또한, 경화막으로부터의 아웃 가스량을 저감하여, 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
알콕시메틸기 또는 메틸올기를 적어도 2개 갖는 화합물의 바람직한 예로서는, DML-PC, DML-PEP, DML-OC, DML-OEP, DML-34X, DML-PTBP, DML-PCHP, DML-OCHP, DML-PFP, DML-PSBP, DML-POP, DML-MBOC, DML-MBPC, DML-MTrisPC, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-BPC, DML-BisOC-P, DMOM-PC, DMOM-PTBP, DMOM-MBPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPE, TML-BPA, TML-BPAF, TML-BPAP, TMOM-BP, TMOM-BPE, TMOM-BPA, TMOM-BPAF, TMOM-BPAP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP(이상, 상품명, 혼슈 가가꾸 고교(주)제), "NIKALAC"(등록 상표) MX-290, "NIKALAC"(등록 상표) MX-280, "NIKALAC"(등록 상표) MX-270, "NIKALAC"(등록 상표) MX-279, "NIKALAC"(등록 상표) MW-100LM, "NIKALAC"(등록 상표) MX-750LM(이상, 상품명, (주)산와 케미컬제)을 들 수 있다.
에폭시기를 적어도 2개 갖는 화합물의 바람직한 예로서는, "에폴라이트"(등록 상표) 40E, "에폴라이트"(등록 상표) 100E, "에폴라이트"(등록 상표) 200E, "에폴라이트"(등록 상표) 400E, "에폴라이트"(등록 상표) 70P, "에폴라이트"(등록 상표) 200P, "에폴라이트"(등록 상표) 400P, "에폴라이트"(등록 상표) 1500NP, "에폴라이트"(등록 상표) 80MF, "에폴라이트"(등록 상표) 4000, "에폴라이트"(등록 상표) 3002(이상, 교에샤 가가꾸(주)제), "데나콜"(등록 상표) EX-212L, "데나콜"(등록 상표) EX-214L, "데나콜"(등록 상표) EX-216L, "데나콜"(등록 상표) EX-850L(이상, 나가세 켐텍스(주)제), GAN, GOT(이상, 닛본 가야꾸(주)제), "에피코트"(등록 상표) 828, "에피코트"(등록 상표) 1002, "에피코트"(등록 상표) 1750, "에피코트"(등록 상표) 1007, YX8100-BH30, E1256, E4250, E4275(이상, 재팬 에폭시 레진(주)제), "에피클론"(등록 상표) EXA-9583, HP4032(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제), VG3101(미쓰이 가가꾸(주)제), "테픽"(등록 상표) S, "테픽"(등록 상표) G, "테픽"(등록 상표) P(이상, 닛산 가가꾸 고교(주)제), "데나콜" EX-321L(나가세 켐텍스(주)제), NC6000(닛본 가야꾸(주)제), "에포토토"(등록 상표) YH-434L(도또 가세이(주)제), EPPN502H, NC3000(닛본 가야꾸(주)제), "에피클론"(등록 상표) N695, HP7200(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주)제) 등을 들 수 있다.
옥세타닐기를 적어도 2개 갖는 화합물의 바람직한 예로서는, 예를 들어 에터나콜 EHO, 에터나콜 OXBP, 에터나콜 OXTP, 에터나콜 OXMA(이상, 우베 고산(주)제), 옥세탄화 페놀노볼락 등을 들 수 있다.
열 가교제는 2종류 이상을 조합하여 사용해도 된다.
열 가교제의 함유량은, 용제를 제외한 수지 조성물 전량 100질량부에 대하여 1질량부 이상 30질량부 이하가 바람직하다. 열 가교제의 함유량이 1질량부 이상이면, 소성 후 또는 경화 후의 막의 내약품성 및 경도를 높일 수 있다. 또한, 열 가교제의 함유량이 30질량부 이하이면 경화막으로부터의 아웃 가스량을 저감하여, 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성을 높일 수 있으며, 수지 조성물의 보존 안정성도 우수하다.
<환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체>
본 발명의 경화막에 사용되는 수지 조성물은, 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물은, 본 발명의 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화막 중에 잔존하고, 산성 가스의 ??처로서 작용하기 때문에, 발광 휘도의 저하나 화소 슈링크를 억제하여, 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성을 향상시킬 수 있는 것으로 추정된다.
환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물은, 하기 일반식 (17)로 표시되는 구조를 갖는 것이 바람직하다.
Figure 112018109186716-pct00011
일반식 (17) 중, u는 1 내지 4의 정수를 나타내고, Y는 CH 또는 질소 원자를 나타낸다. R25 및 R26은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기를 나타낸다.
(e) 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물은, 경화막 중에 잔존시키기 쉽게 하는 관점에서, 비점이 210℃ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 도포시의 불균일을 억제하는 관점에서, 비점이 400℃ 이하인 것이 바람직하다. 상압에서 비점을 측정할 수 없는 경우에는, 비점 환산표를 사용하여 상압에서의 비점으로 환산할 수 있다.
환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체의 구체예로서는, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-이소프로필-2-피롤리돈, N-부틸-2-피롤리돈, N-(t-부틸)-2-피롤리돈, N-펜틸-2-피롤리돈, N-시클로헥실-2-피롤리돈, N-메톡시프로필-2-피롤리돈, N-에톡시에틸-2-피롤리돈, N-메톡시부틸-2-피롤리돈, N-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈, N-페닐-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N,N'-디메틸프로필렌 요소, 2-이미다졸리디논, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 2-피페리돈, ε-카프로락탐 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도, N-시클로헥실-2-피롤리돈(비점: 154℃/0.933kPa, 상압 비점 환산시: 305℃), N-(2-히드록시에틸)-2-피롤리돈(비점: 175℃/1.333kPa, 상압 비점 환산시: 313℃)은 비점이 높고, 가열 처리 후에도 잔존하기 쉽기 때문에 바람직하다.
환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물의 총 함유량은, 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성을 보다 향상시키는 관점에서, (a) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상이 바람직하고, 1질량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지 조성물이 감광성을 갖는 경우, 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물의 총 함유량은, 감도를 보다 향상시키는 관점에서 (a) 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 15질량부 이하가 바람직하고, 10질량부 이하가 보다 바람직하다.
<유기 용제>
본 발명의 수지 조성물은, 유기 용제를 함유해도 된다. 유기 용제를 함유함으로써 바니시의 상태로 할 수 있으며, 도포성을 향상시킬 수 있다.
유기 용제로서는, γ-부티로락톤 등의 극성의 비프로톤성 용제, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논, 디아세톤알코올 등의 케톤류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산에틸 등의 에스테르류, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산i-프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산i-부틸, 포름산n-펜틸, 아세트산i-펜틸, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산i-프로필, 부티르산n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
유기 용제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 용제를 제외한 수지 조성물 전량 100질량부에 대하여 100 내지 3000질량부가 바람직하고, 150 내지 2000질량부가 더욱 바람직하다. 또한, 일부의 유기 용제가 비점 180℃ 이상이어도 되지만, 유기 용제 전량에 대한 비점 180℃ 이상의 용제가 차지하는 비율은 20질량부 이하가 바람직하고, 10질량부 이하가 더욱 바람직하다. 비점 180℃ 이상의 용제의 비율을 20질량부 이하로 함으로써, 열경화 후의 아웃 가스량을 저감할 수 있으며, 결과로서 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성을 높일 수 있다.
<착색제>
본 발명의 수지 조성물은, 착색제를 더 함유해도 된다.
착색제란, 특정 파장의 광을 흡수하는 화합물이며, 특히 가시광선의 파장(380 내지 780nm)의 광을 흡수함으로써 착색되는 화합물을 말한다. 착색제를 함유함으로써 수지 조성물로부터 얻어지는 막을 착색시킬 수 있으며, 수지 조성물의 막을 투과하는 광, 또는 수지 조성물의 막으로부터 반사하는 광을 원하는 색으로 착색시키는 착색성을 부여할 수 있다. 또한, 수지 조성물의 막을 투과하는 광, 또는 수지 조성물의 막으로부터 반사하는 광으로부터, 착색제가 흡수하는 파장의 광을 차광하는 차광성을 부여할 수 있다.
착색제로서는 가시광선의 파장의 광을 흡수하여, 백색, 적색, 주황색, 황색, 녹색, 청색 또는 보라색으로 착색되는 화합물을 들 수 있다. 2색 이상을 조합함으로써, 수지 조성물의 원하는 수지 조성물의 막을 투과하는 광, 또는 수지 조성물의 막으로부터 반사하는 광을 원하는 색 좌표로 조색하는 조색성을 향상시킬 수 있다.
착색제로서는, 안료 및/또는 염료가 바람직하다. 또한, 착색제는, 흑색제여도 흑색 이외의 착색제여도 된다.
흑색제란, 가시광선의 파장의 광을 흡수함으로써 흑색으로 착색되는 화합물을 말하며, 안료여도 염료여도 된다. 흑색제를 함유함으로써 수지 조성물의 막이 흑색화되기 때문에, 수지 조성물의 막을 투과하는 광, 또는 수지 조성물의 막으로부터 반사하는 광을 차광하여, 차광성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에, 컬러 필터의 블랙 매트릭스 또는 액정 디스플레이의 블랙 컬럼 스페이서 등의 차광막이나, 외광 반사의 억제에 의해 고콘트라스트화가 요구되는 용도에 적합하다.
흑색제로서는, 차광성의 관점에서 가시광선의 전체 파장의 광을 흡수하고, 흑색으로 착색되는 화합물이 바람직하다. 또한, 백색, 적색, 주황색, 황색, 녹색, 청색 및 보라색으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2색 이상의 화합물의 혼합물도 바람직하다. 이들을 2색 이상 조합함으로써 의사적으로 흑색으로 착색할 수 있으며, 차광성을 향상시킬 수 있다.
흑색제는, 흑색 안료, 흑색 염료 및/또는 2색 이상의 염료 혼합물을 함유하는 것이 바람직하고, 차광성의 관점에서 흑색 안료를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
흑색 이외의 착색제란, 가시광선의 파장의 광을 흡수함으로써 착색되는 화합물을 말한다. 즉, 상술한 흑색을 제외한 백색, 적색, 주황색, 황색, 녹색, 청색 또는 보라색으로 착색되는 착색제이다. 흑색 이외의 착색제를 함유함으로써, 수지 조성물의 막에 차광성, 착색성 및 조색성을 부여할 수 있다.
흑색 이외의 착색제로서는, 흑색 이외의 안료 및/또는 흑색 이외의 염료가 바람직하고, 차광성 및 내열성 또는 내후성의 관점에서 흑색 이외의 안료가 보다 바람직하다.
착색제의 함유량은, 용제를 제외한 수지 조성물 100질량부에 대하여 5질량부 이상이 바람직하고, 15질량부 이상이 더욱 바람직하다. 착색제를 5질량부 이상 함유함으로써, 차광성, 착색성 및 조색성을 향상시킬 수 있다. 한편, 착색제의 함유량은 70질량부 이하가 바람직하고, 60질량부 이하가 보다 바람직하다. 착색제를 70질량부 이하 함유함으로써, 감도를 보다 향상시킬 수 있다.
<밀착 개량제>
본 발명의 수지 조성물은, 밀착 개량제를 함유해도 된다. 밀착 개량제로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 에폭시시클로헥실에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 실란 커플링제, 티타늄킬레이트제, 알루미늄킬레이트제, 방향족 아민 화합물과 알콕시기 함유 규소 화합물을 반응시켜 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 밀착 개량제를 함유함으로써, 수지막을 현상하는 경우 등에 실리콘 웨이퍼, ITO, SiO2, 질화규소 등의 하지 기재와의 밀착성을 높일 수 있다. 또한, 세정 등에 사용되는 산소 플라스마, UV 오존 처리에 대한 내성을 높일 수 있다.
밀착 개량제의 함유량은, 용제를 제외한 수지 조성물 전량 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부가 바람직하다.
<계면 활성제>
본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라 계면 활성제를 함유해도 되고, 기판과의 습윤성을 향상시킬 수 있다. 계면 활성제는, 예를 들어 도레 다우코닝 실리콘사의 SH 시리즈, SD 시리즈, ST 시리즈, 빅 케미·재팬사의 BYK 시리즈, 신에쓰 실리콘사의 KP 시리즈, 닛본 유시사의 디스폼 시리즈, 도시바 실리콘사의 TSF 시리즈 등의 실리콘계 계면 활성제, 다이닛본 잉크 고교사의 "메가팍(등록 상표)" 시리즈, 스미또모 쓰리엠사의 플루오라드 시리즈, 아사히 가라스사의 "서플론(등록 상표)" 시리즈, " 아사히가드(등록 상표)" 시리즈, 신아키타 가세이사의 EF 시리즈, 옴노버·솔루션사의 폴리폭스 시리즈 등의 불소계 계면 활성제, 교에샤 가가꾸사의 폴리플로우 시리즈, 구스모또 가세이사의 "디스팔론(등록 상표)" 시리즈 등의 아크릴계 및/또는 메타크릴계의 계면 활성제 등을 들 수 있다.
계면 활성제의 함유량은, 용제를 제외한 수지 조성물 전량 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.001 내지 1질량부이다.
<무기 입자>
본 발명의 수지 조성물은, 무기 입자를 함유해도 된다. 무기 입자의 바람직한 구체예로서는, 예를 들어 산화규소, 산화티타늄, 티타늄산바륨, 알루미나, 탈크 등을 들 수 있다. 무기 입자의 1차 입자 직경은 100nm 이하가 바람직하고, 60nm 이하가 보다 바람직하다.
무기 입자의 함유량은, 용제를 제외한 수지 조성물 전량 100질량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 90질량부이다.
<열산 발생제, 열 염기 발생제>
본 발명의 수지 조성물은, 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성을 손상시키지 않는 범위에서 열산 발생제 또는 열 염기 발생제를 함유해도 된다. 열산 발생제, 열 염기 발생제는, 각각 가열에 의해 산 또는 염기를 발생하고, (d) 열 가교제의 가교 반응을 촉진할 뿐만 아니라, (a) 성분의 수지에 미폐환된 이미드환 구조, 옥사졸환 구조를 갖고 있는 경우에는 이들의 환화를 촉진하여, 경화막의 기계 특성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 경화시의 (b1) 아미드페놀 화합물, (b2) 방향족 아미드산 화합물의 환화 탈수 반응을 촉진시켜, 250℃ 이하의 저온 가열 경화 온도에서도 저흡수성의 경화막을 얻을 수 있다.
본 발명에 사용되는 열산 발생제 또는 열 염기 발생제의 열분해 개시 온도는 50℃ 내지 270℃가 바람직하고, 250℃ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명의 수지 조성물을 기판에 도포한 후의 건조(프리베이크: 약 70 내지 140℃)시에는 산 또는 염기를 발생하지 않고, 그 후의 노광, 현상에서 패터닝한 후의 최종 가열(큐어: 약 100 내지 400℃)시에 산 또는 염기를 발생하는 것을 선택하면, 현상시의 감도 저하를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명에 사용되는 열산 발생제로부터 발생하는 산은 강산이 바람직하고, 예를 들어 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등의 아릴술폰산, 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산, 부탄술폰산 등의 알킬술폰산이나 트리플루오로메틸술폰산 등의 할로알킬술폰산 등이 바람직하다. 이들은 오늄염과 같은 염으로서, 또는 이미드술포네이트와 같은 공유 결합 화합물로서 사용된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
본 발명에 사용되는 열 염기 발생제로서는, 예를 들어 트리클로로아세트산구아니딘, 트리클로로아세트산메틸구아니딘, 트리클로로아세트산칼륨, 페닐술포닐아세트산구아니딘, p-클로로페닐술포닐아세트산구아니딘, p-메탄술포닐페닐술포닐아세트산구아니딘, 페닐프로피올산칼륨, 페닐프로피올산구아니딘, 페닐프로피올산세슘, p-클로로페닐프로피올산구아니딘, p-페닐렌-비스-페닐프로피올산구아니딘, 페닐술포닐아세트산테트라메틸암모늄, 페닐프로피올산테트라메틸암모늄 등이 바람직하다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
열산 발생제 또는 열 염기 발생제의 함유량은, 용제를 제외한 수지 조성물 전량 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상이 바람직하고, 0.1질량부 이상이 보다 바람직하다. 열산 발생제 또는 열 염기 발생제를 0.01질량부 이상 함유함으로써, 가교 반응 및 수지의 미폐환 구조의 환화가 촉진되기 때문에, 경화막의 기계 특성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 유기 EL 표시 장치의 장기 신뢰성의 관점에서 5질량부 이하가 바람직하고, 2질량부 이하가 보다 바람직하다.
<수지 조성물의 제조 방법>
이어서, 본 발명의 수지 조성물의 제조 방법에 대하여 설명한다. 예를 들어, 상기 (a) 알칼리 가용성 수지, (b1) 아미드페놀 화합물 및/또는 (b2) 방향족 아미드산 화합물과, 임의로 (c) 감광성 화합물, (d) 열 가교제, 라디칼 중합성 화합물, 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체, 유기 용제, 착색제, 밀착 개량제, 계면 활성제, 무기 입자, 열산 발생제, 열 염기 발생제 등을 용해시킴으로써, 수지 조성물을 얻을 수 있다. 용해 방법으로서는, 교반이나 가열을 들 수 있다. 가열하는 경우, 가열 온도는 수지 조성물의 성능을 손상시키지 않는 범위에서 설정하는 것이 바람직하고, 통상 실온 내지 80℃이다. 또한, 각 성분의 용해 순서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 용해성이 낮은 화합물로부터 순차 용해시키는 방법을 들 수 있다. 또한, 계면 활성제나 일부의 밀착 개량제 등, 교반 용해시에 기포를 발생하기 쉬운 성분에 대해서는 다른 성분을 용해한 후 마지막으로 첨가함으로써, 기포의 발생에 의한 다른 성분의 용해 불량을 방지할 수 있다.
얻어진 수지 조성물은 여과 필터를 사용하여 여과하고, 티끌이나 입자를 제거하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 예를 들어 0.5㎛, 0.2㎛, 0.1㎛, 0.07㎛, 0.05㎛, 0.02㎛ 등이 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 여과 필터의 재질에는 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 나일론(NY), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등이 있으며, 폴리에틸렌이나 나일론이 바람직하다.
<수지 시트>
본 발명의 수지 시트는, 상기 수지 조성물로 형성된다.
수지 시트는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 박리성 기재 상에 상술한 수지 조성물을 도포하여 수지 조성물의 도포막을 얻고, 건조함으로써 얻을 수 있다. 또한 보호 필름을 적층해도 된다.
도포 방법으로서는, 예를 들어, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 인쇄법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 소량의 도포액으로 도포를 행할 수 있는, 비용 저감에 유리하다는 점에서 슬릿 코트법이 바람직하다. 슬릿 코트법에 필요로 되는 도포액의 양은, 예를 들어 스핀 코트법과 비교하면, 1/5 내지 1/10 정도이다. 도포에 사용하는 슬릿 노즐로서는, 예를 들어 다이닛본 스크린세이조(주)제 「리니어 코터」, 도쿄 오까 고교(주)제 「스핀레스」, 도레 엔지니어링(주)제 「TS 코터」, 주가이로 고교(주)제 「테이블 코터」, 도쿄 일렉트론(주)제 「CS 시리즈」 「CL 시리즈」, 서마트로닉스 보에끼(주)제 「인라인형 슬릿 코터」, 히라타 기꼬(주)제 「헤드 코터 HC 시리즈」등, 복수의 메이커로 출시되어 있는 것 중으로부터 선택할 수 있다. 도포 속도는, 10mm/초 내지 400mm/초의 범위가 일반적이다. 도포막의 막 두께는 수지 조성물의 고형분 농도, 점도 등에 따라 상이하지만, 통상 건조 후의 막 두께가 0.1 내지 10㎛, 바람직하게는 0.3 내지 5㎛가 되도록 도포된다.
도포에 앞서, 수지 조성물을 도포하는 기재를 미리 상술한 밀착 개량제로 전처리해도 된다. 전처리 방법으로서는, 예를 들어, 밀착 개량제를 이소프로판올, 에탄올, 메탄올, 물, 테트라히드로푸란, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 아디프산디에틸 등의 용매에 0.5 내지 20질량％ 용해시킨 용액을 사용하여, 기재 표면을 처리하는 방법을 들 수 있다. 기재 표면의 처리 방법으로서는, 스핀 코트법, 슬릿 다이 코트법, 바 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 증기 처리법 등의 방법을 들 수 있다.
도포 후, 필요에 따라 감압 건조 처리를 실시한다. 도포막을 형성한 기판마다 감압 건조하는 것이 일반적이다. 예를 들어, 진공 챔버 내에 배치된 프록시 핀 상에 도포막을 형성한 기판을 놓고, 진공 챔버 내를 감압함으로써 감압 건조하는 방법을 들 수 있다. 이때, 기판과 진공 챔버 천장판 사이에 위치하는 공기가, 감압 건조에 따라 다량으로 유동하여 발생하는 헤이즈 불균일을 억제하기 때문에, 기판과 진공 챔버 천장판의 간격을 좁히도록 프록시 핀 높이를 조정하는 것이 바람직하다. 기판과 진공 챔버 천장판의 거리는 2 내지 20mm 정도가 바람직하고, 2 내지 10mm가 보다 바람직하다.
감압 건조 속도는, 진공 챔버 용적, 진공 펌프 능력이나 챔버와 펌프간의 배관 직경 등에 따라 상이하지만, 예를 들어 도포 기판이 없는 상태에서, 진공 챔버 내가 60초 경과 후 40Pa까지 감압되는 조건 등으로 설정하는 것이 바람직하다. 일반적인 감압 건조 시간은 30초부터 100초 정도인 경우가 많고， 감압 건조 종료시의 진공 챔버 내 도달 압력은, 도포 기판이 있는 상태에서 통상 100Pa 이하이다. 도달압을 100Pa 이하로 함으로써 도포막 표면의 달라붙음을 저감한 건조 상태로 할 수 있으며, 이에 의해 계속되는 기판 반송에 있어서의 표면 오염이나 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
도포 후 또는 감압 건조 후, 도포막을 가열 건조하는 것이 일반적이다. 이 공정을 프리베이크라고도 한다. 건조는 핫 플레이트, 오븐, 적외선 등을 사용한다. 핫 플레이트를 사용하는 경우, 플레이트 상에 직접 혹은 플레이트 상에 설치한 프록시 핀 등의 지그 상에 도포막을 유지하여 가열한다. 프록시 핀의 재질로서는, 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속 재료, 폴리이미드 수지나 "테플론"(등록 상표) 등의 합성 수지를 들 수 있다. 내열성이 있으면 어느 재질의 프록시 핀을 사용해도 상관없다. 프록시 핀의 높이는, 기판의 사이즈, 도포막의 종류, 가열의 목적 등에 따라 다양하지만, 0.1 내지 10mm 정도가 바람직하다. 가열 온도 및 가열 시간은 도포막의 종류나 목적에 따라 다양하지만, 가열 온도는 50℃ 내지 180℃, 가열 시간은 1분간 내지 수 시간이 바람직하다.
수지 시트가 감광성을 갖는 경우에는, 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 감광성을 갖는 수지 시트에 원하는 패턴을 갖는 마스크를 통해 화학선을 조사함으로써 노광하고, 현상함으로써, 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
노광에 사용되는 화학선으로서는, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 수은등의 i선(365nm), h선(405nm), g선(436nm)을 사용하는 것이 바람직하다. 포지티브형의 감광성을 갖는 경우, 노광부가 현상액에 용해된다. 네가티브형의 감광성을 갖는 경우 노광부가 경화되고, 현상액에 불용화된다.
노광 후, 포지티브형의 경우에는 노광부를, 네가티브형의 경우에는 비노광부를, 현상액에 의해 제거함으로써 원하는 패턴을 형성한다. 현상액으로서는, 테트라메틸암모늄히드록시드, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 알칼리성을 나타내는 화합물의 수용액이 바람직하다. 이들 알칼리 수용액에, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 디메틸아크릴아미드 등의 극성 용매, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류 등을 1종 이상 첨가해도 된다. 현상 방식으로서는, 스프레이, 패들, 침지, 초음파 등의 방식을 들 수 있다.
이어서, 현상에 의해 형성한 패턴을 증류수에 의해 린스 처리하는 것이 바람직하다. 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류 등을 증류수에 가하여 린스 처리해도 된다.
<경화막>
본 발명의 경화막은, 상기 수지 시트 또는 수지 조성물을 경화함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 경화막은, (a) 알칼리 가용성 수지와, 일반식 (11) 내지 (13) 중 어느 것으로 표시되는 벤조옥사졸 화합물 및/또는 하기 일반식 (14) 내지 (16) 중 어느 것으로 표시되는 이미드 화합물을 갖는다. 일반식 (11) 내지 (13)으로 표시되는 벤조옥사졸 화합물은, 각각 일반식 (3) 내지 (5)로 표시되는 아미드페놀 화합물이 탈수 폐환된 화합물이며, 일반식 (14) 내지 (16)으로 표시되는 이미드 화합물은, 각각 일반식 (6) 내지 (10)으로 표시되는 방향족 아미드산 화합물이 탈수 폐환된 화합물이다.
Figure 112018109186716-pct00012
일반식 (11) 내지 (13) 중, W는 일반식 (11) 내지 (13) 중의 옥사졸환의 탄소와 직접 결합하고 있는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. 일반식 (14) 내지 (16) 중, V는 일반식 (14) 내지 (16) 중의 이미드환의 질소와 직접 결합하고 있는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 내지 4의 정수, Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기, R4 및 R5는 -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.
경화막이 (a) 알칼리 가용성 수지와, 일반식 (11) 내지 (13) 중 어느 것으로 표시되는 벤조옥사졸 화합물 및/또는 일반식 (14) 또는 (16)으로 표시되는 이미드 화합물을 가짐으로써, 흡수율이 낮은 경화막을 얻을 수 있다.
경화막이 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 함유할 수 있다. 환상 아미드, 환상 우레아 및 이들의 유도체의 총 함유량은, 경화막 100질량％ 중, 0.005질량％ 이상 5질량％ 이하가 바람직하다.
상술한 수지 조성물이나 수지 시트를 가열 경화함으로써, 내열성이 낮은 성분을 제거할 수 있기 때문에, 내열성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트가 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸 전구체, 이들의 공중합체 또는 이들과 폴리이미드의 공중합체를 포함하는 경우에는, 가열 경화에 의해 이미드환, 옥사졸환을 형성하기 때문에, 내열성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다. 또한, (d) 열 가교제를 포함하는 경우에는 가열 경화에 의해 열 가교 반응을 진행시킬 수 있으며, 내열성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다.
가열 경화 온도는, 경화막으로부터 발생하는 아웃 가스량을 저감시키는 관점에서 300℃ 이상이 바람직하고, 350℃ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 경화막의 막 인성을 향상시키는 관점에서 500℃ 이하가 바람직하고, 450℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 온도 범위에서 단계적으로 승온해도 되고, 연속적으로 승온해도 된다. 가열 경화 시간은, 아웃 가스량을 저감시키는 관점에서 30분간 이상이 바람직하다. 또한, 경화막의 막 인성을 향상시키는 관점에서 3시간 이하가 바람직하다. 예를 들어, 150℃, 250℃에서 각 30분간씩 열 처리하는 방법이나, 실온으로부터 300℃까지 2시간에 걸쳐서 직선적으로 승온하면서 열 처리하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 수지 조성물, 수지 시트 및 경화막은, 반도체 소자의 표면 보호층이나 층간 절연층, 유기 일렉트로루미네센스(Electroluminescence: 이하 「EL」이라 기재한다) 소자의 절연층, 유기 EL 소자를 사용한 표시 장치의 구동용 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하 「TFT」라 기재한다) 기판의 평탄화층, 회로 기판의 배선 보호 절연층, 고체 촬상 소자의 온 칩 마이크로 렌즈나 각종 디스플레이·고체 촬상 소자용 평탄화층에 적합하게 사용된다. 예를 들어, 내열성이 낮은 MRAM, 차세대 메모리로서 유망한 폴리머 메모리(Polymer Ferroelectric RAM: PFRAM)나 상 변화 메모리(Phase Change RAM: PCRAM, Ovonics Unified Memory: OUM) 등의 표면 보호층이나 층간 절연층으로서 적합하다. 또한, 기판 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극에 대향하여 설치된 제2 전극을 포함하는 표시 장치, 예를 들어 LCD, ECD, ELD, 유기 전계 발광 소자를 사용한 표시 장치(유기 전계 발광 장치) 등의 절연층에도 사용할 수 있다. 이하, 유기 EL 표시 장치 및 반도체 장치, 반도체 전자 부품을 예로 들어 설명한다.
<유기 EL 표시 장치>
본 발명의 유기 EL 표시 장치는, 기판 상에, 구동 회로, 평탄화층, 제1 전극, 절연층, 발광층 및 제2 전극을 갖고, 평탄화층 및/또는 절연층이 본 발명의 경화막을 포함한다. 유기 EL 발광 재료는 수분에 의한 열화를 받기 쉽고, 발광 화소의 면적에 대한 발광부의 면적률 저하 등, 악영향을 주는 경우가 있지만, 본 발명의 경화막은 흡수율이 낮기 때문에, 안정된 구동 및 발광 특성이 얻어진다. 액티브 매트릭스형의 표시 장치를 예로 들면, 유리나 각종 플라스틱 등의 기판 상에, TFT와, TFT의 측방부에 위치하며 TFT와 접속된 배선을 갖고, 그 위에 요철을 덮도록 하여 평탄화층을 갖고, 또한 평탄화층 상에 표시 소자가 설치되어 있다. 표시 소자와 배선은, 평탄화층에 형성된 콘택트 홀을 통해 접속된다.
도 1에 TFT 기판의 일례의 단면도를 도시한다. 기판(6) 상에 보텀 게이트형 또는 톱 게이트형의 TFT(박막 트랜지스터)(1)가 행렬상으로 설치되어 있으며, 이 TFT(1)을 덮는 상태로 절연층(3)이 형성되어 있다. 또한, 이 절연층(3) 상에 TFT(1)에 접속된 배선(2)이 설치되어 있다. 또한 절연층(3) 상에는, 배선(2)을 매립하는 상태로 평탄화층(4)이 설치되어 있다. 평탄화층(4)에는, 배선(2)에 달하는 콘택트 홀(7)이 설치되어 있다. 그리고, 이 콘택트 홀(7)을 통해, 배선(2)에 접속된 상태로 평탄화층(4) 상에 ITO(투명 전극)(5)가 형성되어 있다. 여기서, ITO(5)는, 표시 소자(예를 들어 유기 EL 소자)의 전극이 된다. 그리고 ITO(5)의 주연을 덮도록 절연층(8)이 형성된다. 유기 EL 소자는, 기판(6)과 반대측으로부터 발광광을 방출하는 톱 에미션형이어도 되고, 기판(6)측으로부터 광을 취출하는 보텀 에미션형이어도 된다. 이와 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)를 접속한 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.
이러한 절연층(3), 평탄화층(4) 및/또는 절연층(8)은, 상술한 바와 같이 본 발명의 수지 조성물 또는 수지 시트를 포함하는 감광성 수지막을 형성하는 공정, 상기 감광성 수지막을 노광하는 공정, 노광한 감광성 수지막을 현상하는 공정 및 현상한 감광성 수지막을 가열 처리하는 공정에 의해 형성할 수 있다. 이들 공정을 갖는 제조 방법으로부터, 유기 EL 표시 장치를 얻을 수 있다.
<반도체 전자 부품, 반도체 장치>
본 발명의 반도체 전자 부품 및 반도체 장치는, 기판 상에, 전극, 금속 배선, 층간 절연층 및/또는 표면 보호층을 갖고, 층간 절연층 및/또는 표면 보호층이 본 발명의 경화막을 포함한다. 본 발명의 경화막은 기계 특성이 우수하기 때문에, 실장시에도 밀봉 수지로부터의 응력을 완화할 수 있으며, low-k층(저유전율층)의 대미지를 억제하여, 고신뢰성의 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 2에, 범프를 갖는 반도체 장치의 패드 부분의 일례의 확대 단면도를 도시한다. 실리콘 웨이퍼(9)에, 입출력용의 Al 패드(10) 및 비아 홀을 갖는 패시베이션층(11)이 형성되어 있다. 또한, 패시베이션층(11) 상에 절연층(12)이 형성되고, 또한 Cr, Ti 등을 포함하는 금속층(13)이 Al 패드(10)와 접속되도록 형성되고, 전해 도금 등으로 Al, Cu 등을 포함하는 금속 배선(14)이 형성되어 있다. 땜납 범프(18)의 주변에 위치하는 금속층(13)을 에칭함으로써, 각 패드간을 절연한다. 절연된 패드에는 배리어 메탈(16)과 땜납 범프(18)가 형성되어 있다.
이어서, 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도면을 사용하여 설명한다. 도 3a 내지 3f에, 범프를 갖는 반도체 장치의 제조 방법의 일례를 도시한다. 3a의 공정에 있어서, Al 패드(10) 및 패시베이션층(11)이 형성된 실리콘 웨이퍼(9) 상에 본 발명의 수지 조성물을 도포하고, 포토리소 공정을 거쳐서, 패턴 형성된 절연층(12)을 형성한다. 이어서, 3b의 공정에 있어서, 스퍼터링법에 의해 금속층(13)을 형성한다. 3c의 공정에 있어서, 금속층(13) 상에 도금법에 의해 금속 배선(14)을 성막한다. 이어서, 3d'의 공정에 있어서 본 발명의 수지 조성물을 도포하고, 3d의 공정에 있어서 포토리소 공정을 거쳐서 절연층(15)의 패턴을 형성한다. 이때에, 절연층(15)을 구성하는 수지 조성물은, 스크라이브 라인(17)에 있어서 후막가공된다. 절연층(15) 상에 더 배선(소위 재배선)을 형성할 수 있다. 2층 이상의 다층 배선 구조를 형성하는 경우에는, 상기한 공정을 반복하여 행함으로써 2층 이상의 재배선이 본 발명의 경화막을 포함하는 층간 절연층에 의해 분리된 다층 배선 구조를 형성할 수 있다. 다층 배선 구조의 층수에는 상한은 없지만, 10층 이하인 것이 많이 사용된다. 이어서, 3e의 공정에 있어서 배리어 메탈(16)을 형성하고, 3f의 공정에 있어서 땜납 범프(18)를 형성한다. 그리고, 최후의 스크라이브 라인(17)을 따라 다이싱하여 칩마다 잘라서 나누어, 범프를 갖는 반도체 장치를 얻을 수 있다.
실시예
이하 실시예 등을 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 중의 수지 조성물의 평가는 이하의 방법에 의해 행하였다.
(1) 감도
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 바니시를 도포 현상 장치 Mark-7(도쿄 일렉트론(주)제)을 사용하여, 8인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의해 도포하고, 핫 플레이트(SCW-636; 다이닛본 스크린 세이조(주)제)를 사용하여 120℃에서 3분간 베이크를 하여 막 두께 3.0㎛의 프리베이크막을 제작하였다. 또한, 막 두께는, 다이닛본 스크린 세이조(주)제 람다에이스 STM-602를 사용하여, 굴절률 1.63의 조건으로 측정하였다. 그 후, 노광기 i선 스테퍼 NSR-2005i9C(니콘사제)를 사용하여, 10㎛의 콘택트 홀의 패턴을 갖는 마스크를 통해 노광량 100 내지 1200mJ/cm2의 범위에서 50mJ/cm2마다 노광하였다. 노광 후, 상기 Mark-7의 현상 장치를 사용하여, 2.38중량％의 테트라메틸암모늄 수용액(이하 「TMAH」, 다마 가가꾸 고교(주)제)을 현상액으로 하여 막 감소량이 0.5㎛가 될 때까지 현상한 후, 증류수로 린스를 행하고, 원심 분리 건조하여, 패턴을 얻었다.
얻어진 패턴을 FDP 현미경 MX61(올림푸스(주)제)을 사용하여 배율 20배로 관찰하고, 콘택트 홀의 개구 직경을 측정하였다. 콘택트 홀의 개구 직경이 10㎛에 달한 최저 노광량을 구하고, 이것을 감도로 하였다.
(2) 흡수율
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 바니시를 스핀 코터(MS-A100; 미카사(주)제)를 사용하여, 실리콘 웨이퍼 상에 임의의 회전수로 스핀 코팅법에 의해 도포한 후, 핫 플레이트(SCW-636; 다이닛본 스크린 세이조(주)제)를 사용하여 120℃에서 120초간 프리베이크하여, 막 두께 약 10.0㎛의 프리베이크막을 제작하였다. 또한, 막 두께는, 다이닛본 스크린 세이조(주)제 람다에이스 STM-602를 사용하여, 굴절률 1.63의 조건으로 측정하였다. 얻어진 프리베이크막을 고온 이너트 가스 오븐(INH-9CD-S; 고요 서모 시스템(주)제)을 사용하여, 산소 농도 20ppm 이하에서 5℃/분의 승온 조건으로 250℃까지 승온하면서 가열하고, 또한 250℃에서 1시간 가열 처리를 행하여, 수지 조성물의 경화막을 제작하였다. 이어서, 얻어진 경화막을 45질량％의 불화수소수에 침지하고, 막을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하였다. 얻어진 막을 순수로 충분히 세정한 후, 60℃의 오븐에서 5시간 건조하여 필름을 얻었다. 얻어진 필름을 50℃에서 24시간 건조한 후, 23℃로 유지한 순수에 침지하였다. 그 후, 열 중량 분석 장치(TGA-50; 시마즈 세이사꾸쇼(주)제)를 사용하여, 질소 분위기하에서 실온에서의 중량과, 실온으로부터 100℃까지 승온한 후, 또한 100℃에서 30분간 유지한 후의 중량을 각각 측정하여, 실온에서의 중량에 대한 100℃에서의 중량의 감소량으로부터 흡수율을 산출하였다.
(3) 5％ 중량 감소 온도
(2)와 마찬가지의 방법에 의해 제작한 필름 10mg을 열 중량 분석 장치 TGA-50(시마즈 세이사쿠쇼(주)제)에 넣고, 질소 분위기하에서 실온으로부터 100℃까지 승온한 후, 또한 100℃에서 30분간 유지하여, 중량을 측정하였다. 그 후, 승온 속도 10℃/분의 조건으로 400℃까지 승온하면서 중량을 측정하고, 100℃ 30분간 유지 후의 중량에 대하여 5％ 감소했을 때의 온도를 측정하였다.
각 실시예, 비교예에 사용한 열 가교제 (d-1) 내지 (d-2), 페놀 화합물 (e-1) 내지 (e-3) 및 열산 발생제 (f-1)을 하기에 나타내었다.
Figure 112018109186716-pct00013
합성예 1 히드록실기 함유 디아민 화합물 (α)의 합성
2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(이후 「BAHF」라 한다) 18.3g(0.05몰)을 아세톤 100mL, 프로필렌옥시드 17.4g(0.3몰)에 용해시키고, -15℃로 냉각하였다. 여기에 3-니트로벤조일클로라이드 20.4g(0.11몰)을 아세톤 100mL에 용해시킨 용액을 적하하였다. 적하 종료 후, -15℃에서 4시간 반응시키고, 그 후 실온으로 되돌렸다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 50℃에서 진공 건조하였다.
얻어진 백색 고체 30g을 300mL의 스테인리스 오토클레이브에 넣고, 메틸셀로솔브 250mL에 분산시키고, 5％ 팔라듐-탄소를 2g 가하였다. 여기에 수소를 풍선으로 도입하여, 환원 반응을 실온에서 행하였다. 약 2시간 후, 풍선이 더 이상 오므라지지 않는 것을 확인하여 반응을 종료시켰다. 반응 종료 후, 여과하여 촉매인 팔라듐 화합물을 제거하고, 로터리 증발기로 농축하여, 하기 식으로 표시되는 히드록실기 함유 디아민 화합물 (α)를 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00014
합성예 2 알칼리 가용성 수지 (a-1)의 합성
건조 질소 기류하에 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물(이후 「ODPA」라 한다) 31.0g(0.10몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 500g에 용해시켰다. 여기에 합성예 1에서 얻어진 히드록실기 함유 디아민 화합물 45.35g(0.075몰)과 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24g(0.005몰)을 NMP 50g과 함께 가하여, 20℃에서 1시간 반응시키고, 이어서 50℃에서 2시간 반응시켰다. 이어서 말단 밀봉제로서 4-아미노페놀 4.36g(0.04몰)을 NMP 5g와 함께 가하고, 50℃에서 2시간 반응시켰다. 그 후, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 28.6g(0.24몰)을 NMP 50g으로 희석한 용액을 10분에 걸쳐서 적하하였다. 적하 후, 50℃에서 3시간 교반하였다. 교반 종료 후, 용액을 실온까지 냉각한 후, 용액을 물 3L에 투입하여 백색 침전을 얻었다. 이 침전을 여과로 모아, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기로 24시간 건조하여, 알칼리 가용성 수지인 폴리이미드 전구체 (a-1)을 얻었다.
합성예 3 알칼리 가용성 수지 (a-2)의 합성
건조 질소 기류하에 BAHF 29.3g(0.08몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24g(0.005몰), 말단 밀봉제로서 3-아미노페놀 3.27g(0.03몰)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 150g에 용해하였다. 여기에 ODPA 31.0g(0.1몰)을 NMP 50g과 함께 가하여, 20℃에서 1시간 교반하고, 이어서 50℃에서 4시간 교반하였다. 그 후, 크실렌을 15g 첨가하고, 물을 크실렌과 함께 공비하면서, 150℃에서 5시간 교반하였다. 교반 종료 후, 용액을 물 3L에 투입하여 백색 침전을 모았다. 이 침전을 여과로 모아, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기로 24시간 건조하여, 알칼리 가용성 수지인 폴리이미드 (a-2)를 얻었다.
합성예 4 알칼리 가용성 수지 (a-3)의 합성
건조 질소 기류하에 BAHF 18.3g(0.05몰)을 NMP 50g, 글리시딜메틸에테르 26.4g(0.3몰)에 용해시키고, 용액의 온도를 -15℃까지 냉각하였다. 여기에 디페닐에테르디카르복실산디클로라이드(닛본 노야꾸(주)제) 7.4g(0.025몰), 이소프탈산클로라이드(도꾜 가세이(주)제) 5.1g(0.025몰)을 γ-부티로락톤(GBL) 25g에 용해시킨 용액을 내부의 온도가 0℃를 초과하지 않도록 적하하였다. 적하 종료 후, -15℃에서 6시간 교반을 계속하였다. 반응 종료 후, 메탄올을 10중량％ 포함한 물 3L에 용액을 투입하여 백색의 침전을 모았다. 이 침전을 여과로 모아, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공 건조기로 24시간 건조하여, 알칼리 가용성 수지인 폴리벤조옥사졸 전구체 (a-3)을 얻었다.
합성예 5 알칼리 가용성 수지 (a-4)의 합성
500ml의 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)을 5g, t-도데칸티올을 5g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이하, 「PGMEA」라 생략한다)를 150g 넣었다. 그 후, 메타크릴산을 30g, 벤질메타크릴레이트를 35g, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트를 35g 가하고, 실온에서 잠시동안 교반하고, 플라스크 내를 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반하였다. 이어서, 얻어진 용액에 메타크릴산글리시딜을 15g, 디메틸벤질아민을 1g, p-메톡시페놀을 0.2g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하여, 알칼리 가용성 수지인 아크릴 수지 (a-4)의 용액을 얻었다. 얻어진 아크릴 수지 용액의 고형분 농도는 43중량％였다.
합성예 6 알칼리 가용성 수지 (a-5)의 합성
건조 질소 기류하에 m-크레졸 70.2g(0.65몰), p-크레졸 37.8g(0.35몰), 37중량％ 포름알데히드 수용액 75.5g(포름알데히드 0.93몰), 옥살산 이수화물 0.63g(0.005몰), 메틸이소부틸케톤 264g을 넣은 후, 유욕 중에 침지하고, 반응액을 환류시키면서, 7시간 중축합 반응을 행하였다. 그 후, 유욕의 온도를 3시간에 걸쳐서 승온하고, 그 후에 플라스크 내의 압력을 40 내지 67hPa까지 감압하고, 휘발분을 제거하고, 용해되어 있는 수지를 실온까지 냉각하고, GBL을 가하여, 불휘발분을 50％로 조정한 알칼리 가용성 수지인 노볼락 수지 (a-5)의 용액을 얻었다. 얻어진 노볼락 수지 (a-5)의 중량 평균 분자량은 7000이었다.
합성예 7 아미드페놀 화합물 (b1-1)의 합성
2-아미노페놀 10.9g(0.1몰)을 테트라히드로푸란(THF) 200mL, 트리에틸아민 30.4g(0.3몰)에 용해시켰다. 여기에 데카노일클로라이드 19.1g(0.1몰)을 THF 100mL에 용해시킨 용액을 -10℃ 이하에서 적하하였다. 적하 종료 후, 실온에서 4시간 반응시켰다. 그 후, 1％ 염산 용액을 가하고, 반응 용액을 아세트산에틸로 추출을 행하고, 용제를 제거하여 얻어진 고체를 50℃에서 진공 건조하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b1-1)을 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00015
합성예 8 아미드페놀 화합물 (b1-2)의 합성
2-아미노페놀 10.9g(0.1몰) 대신에 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BAHF) 36.3g(0.1몰)을 사용하고, 데카노일클로라이드 19.1g(0.1몰)을 38.1g(0.2몰)으로 한 것 이외는 합성예 7과 마찬가지로 하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b1-2)를 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00016
합성예 9 아미드페놀 화합물 (b1-3)의 합성
데카노일클로라이드 38.1g(0.2몰) 대신에 부티릴클로라이드 21.3g(0.2몰)을 사용한 것 이외는 합성예 8과 마찬가지로 하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b1-3)을 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00017
합성예 10 아미드페놀 화합물 (b1-4)의 합성
데카노일클로라이드 38.1g(0.2몰) 대신에 3-페닐프로피오닐클로라이드 33.7g(0.2몰)을 사용한 것 이외는 합성예 8과 마찬가지로 하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b1-4)를 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00018
합성예 11 아미드페놀 화합물 (b1-5)의 합성
2-아미노페놀 10.9g(0.1몰) 대신에 2,5-디히드록시-p-페닐렌디아민 14.0g(0.1몰)을 사용하고, 데카노일클로라이드 19.1g(0.1몰)을 38.1g(0.2몰)으로 한 것 이외는 합성예 7과 마찬가지로 하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b1-5)를 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00019
합성예 12 아미드페놀 화합물 (b'-6)의 합성
데카노일클로라이드 38.1g(0.2몰) 대신에 벤조일클로라이드 28.1g(0.2몰)을 사용한 것 이외는 합성예 8과 마찬가지로 하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b'-6)을 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00020
합성예 13 아미드페놀 화합물 (b'-7)의 합성
2-아미노페놀 10.9g(0.1몰) 대신에 3-아미노페놀 10.9g(0.1몰)을 사용한 것 이외는 합성예 7과 마찬가지로 하여, 하기 식으로 표시되는 아미드페놀 화합물 (b'-7)을 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00021
합성예 14 퀴논디아지드 화합물 (c1-1)의 합성
건조 질소 기류하에 TrisP-PA(상품명, 혼슈 가가꾸 고교(주)제) 21.22g(0.05몰)과 5-나프토퀴논디아지드술포닐산클로라이드 36.27g(0.135몰)을 1,4-디옥산 450g에 용해시키고, 실온으로 하였다. 여기에 1,4-디옥산 50g과 혼합한 트리에틸아민 15.18g을 계 내가 35℃ 이상이 되지 않도록 적하하였다. 적하 후 30℃에서 2시간 교반하였다. 트리에틸아민염을 여과하고, 여과액을 물에 투입하였다. 그 후, 석출된 침전을 여과로 모았다. 이 침전을 진공 건조기로 건조시켜, 하기 식으로 표시되는 퀴논디아지드 화합물 (c1-1)을 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00022
합성예 15 퀴논디아지드 화합물 (c1-2)의 합성
건조 질소 기류하에 TrisP-PA(상품명, 혼슈 가가꾸 고교(주)제) 21.22g(0.05몰)과 4-나프토퀴논디아지드술포닐산클로라이드 36.27g(0.135몰)을 1,4-디옥산 450g에 용해시키고, 실온으로 하였다. 여기에 1,4-디옥산 50g과 혼합한 트리에틸아민 15.18g을 계 내가 35℃ 이상이 되지 않도록 적하하였다. 적하 후 30℃에서 2시간 교반하였다. 트리에틸아민염을 여과하고, 여과액을 물에 투입하였다. 그 후, 석출된 침전을 여과로 모았다. 이 침전을 진공 건조기로 건조시켜, 하기 식으로 표시되는 퀴논디아지드 화합물 (c1-2)를 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00023
합성예 16 퀴논디아지드 화합물 (c1-3)의 합성
건조 질소 기류하에 TekP-4HBPA(상품명, 혼슈 가가꾸 고교(주)제) 28.83g(0.05몰)과 5-나프토퀴논디아지드술포닐산클로라이드 13.43g(0.125몰)을 1,4-디옥산 450g에 용해시키고, 실온으로 하였다. 여기에 1,4-디옥산 50g과 혼합한 트리에틸아민 15.18g을 계 내가 35℃ 이상이 되지 않도록 적하하였다. 적하 후 30℃에서 2시간 교반하였다. 트리에틸아민염을 여과하고, 여과액을 물에 투입하였다. 그 후, 석출된 침전을 여과로 모았다. 이 침전을 진공 건조기로 건조시켜, 하기 식으로 표시되는 퀴논디아지드 화합물 (c1-3)을 얻었다.
Figure 112018109186716-pct00024
실시예 1
수지 (a-1) 10g, 아미드페놀 화합물 (b1-1) 2.0g, 퀴논디아지드 화합물 (c1-1) 2.0g, 가교제 (d-1) 1.0g을 GBL 30g에 가하여 포지티브형 감광성 수지 조성물의 바니시 A를 얻었다. 얻어진 바니시 A를 사용하여, 상기와 같이 감도, 흡수율, 5％ 중량 감소 온도의 측정을 행하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2 내지 16 및 비교예 1 내지 8
표 1에 기재된 조성으로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 바니시 B 내지 W를 제조하였다. 얻어진 바니시를 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 감도, 흡수율, 5％ 중량 감소 온도를 행하였다. 평가 결과를 표 1 내지 2에 나타낸다.
Figure 112018109186716-pct00025
Figure 112018109186716-pct00026
1: TFT(박막 트랜지스터)
2: 배선
3: 절연층
4: 평탄화층
5: ITO(투명 전극)
6: 기판
7: 콘택트 홀
8: 절연층
9: 실리콘 웨이퍼
10: Al 패드
11: 패시베이션층
12: 절연층
13: 금속층
14: 금속 배선
15: 절연층
16: 배리어 메탈
17: 스크라이브 라인
18: 땜납 범프

Claims (16)

  1. (a) 알칼리 가용성 수지와, (b1) 페놀성 수산기의 오르토 위치에 하기 일반식 (1)로 표시되는 1가의 기를 갖는 아미드페놀 화합물, (b2) 카르복시기의 오르토 위치에 하기 일반식 (2)로 표시되는 1가의 기를 갖는 방향족 아미드산 화합물 및 (b1-4) 하기 구조식으로 표시되는 아미드페놀 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 수지 조성물이며,
    상기 (b1) 아미드페놀 화합물이 하기 일반식 (3) 내지 (5) 중 어느 것으로 표시되고, 상기 (b2) 방향족 아미드산 화합물이 하기 일반식 (6) 내지 (10) 중 어느 것으로 표시되는 것인 수지 조성물.
    Figure 112021108556495-pct00027

    (일반식 (1) 중, X는 일반식 (1) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. 일반식 (2) 중, U는 일반식 (2) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다.)
    Figure 112021108556495-pct00037

    Figure 112021108556495-pct00038

    (일반식 (3) 내지 (5) 중, m은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. X는 일반식 (3) 내지 (5) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.)
    Figure 112021108556495-pct00039

    (일반식 (6) 내지 (10) 중, m은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. U는 일반식 (6) 내지 (10) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기, R4 및 R5는 -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 (a) 알칼리 가용성 수지가 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 이들 어느 것의 전구체 및/또는 이들의 공중합체를 포함하는 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, (c) 감광성 화합물을 더 포함하는 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, (d) 열 가교제를 더 포함하는 수지 조성물.
  5. 제1항에 기재된 수지 조성물로 형성된 수지 시트.
  6. 제5항에 기재된 수지 시트를 경화한 경화막.
  7. 제1항에 기재된 수지 조성물을 경화한 경화막.
  8. 기판 상에, 구동 회로, 평탄화층, 제1 전극, 절연층, 발광층 및 제2 전극을 갖는 유기 EL 표시 장치로서, 상기 평탄화층 및/또는 절연층이 제6항 또는 제7항에 기재된 경화막을 포함하는 유기 EL 표시 장치.
  9. 기판 상에, 전극, 금속 배선, 층간 절연층 및/또는 표면 보호층을 갖는 반도체 전자 부품으로서, 상기 층간 절연층 및/또는 표면 보호층이 제6항 또는 제7항에 기재된 경화막을 포함하는 반도체 전자 부품.
  10. 기판 상에, 전극, 금속 배선, 층간 절연층 및/또는 표면 보호층을 갖는 반도체 장치로서, 상기 층간 절연층 및/또는 표면 보호층이 제6항 또는 제7항에 기재된 경화막을 포함하는 반도체 장치.
  11. 기판 상에, 제3항 또는 제4항에 기재된 수지 조성물 또는 제5항에 기재된 수지 시트를 포함하는 감광성 수지막을 형성하는 공정, 상기 감광성 수지막을 노광하는 공정, 노광한 감광성 수지막을 현상하는 공정 및 현상한 감광성 수지막을 가열 처리하는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.
  12. 하기 일반식 (3) 내지 (5) 중 어느 것으로 표시되는 아미드 페놀계 용해 촉진제.
    Figure 112021108556495-pct00040

    (일반식 (3) 내지 (5) 중, m은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. X는 일반식 (3) 내지 (5) 중의 카르보닐 탄소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기를 나타낸다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.)
  13. 하기 일반식 (6) 내지 (10) 중 어느 것으로 표시되는 방향족 아미드산계 용해 촉진제.
    Figure 112021108556495-pct00041

    (일반식 (6) 내지 (10) 중, m은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. U는 일반식 (6) 내지 (10) 중의 아미드 질소와 직접 결합하는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기, R4 및 R5는 -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.)
  14. (a) 알칼리 가용성 수지와, 하기 일반식 (11) 내지 (13) 중 어느 것으로 표시되는 벤조옥사졸 화합물 및/또는 하기 일반식 (14) 내지 (16) 중 어느 것으로 표시되는 이미드 화합물을 갖는 경화막.
    Figure 112021108556495-pct00042

    (일반식 (11) 내지 (13) 중, W는 일반식 (11) 내지 (13) 중의 옥사졸환의 탄소와 직접 결합하고 있는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. 일반식 (14) 내지 (16) 중, V는 일반식 (14) 내지 (16) 중의 이미드환의 질소와 직접 결합하고 있는 탄소수 2 내지 20의 알킬기를 갖는 1가의 유기기 또는 -(YO)n-을 갖는 1가의 유기기를 나타낸다. m은 1 내지 4의 정수, Y는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, n은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. Z는 단결합, 수소 원자, 알콕시기, -O-, -SO2-, -C(CF3)2-, -O-R1-O-, -C(=O)-, -C(=O)O-R2-OC(=O)-, -C(=O)NH-R3-NHC(=O)- 또는 탄소수 1 내지 20의 1 내지 4가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 내지 R3은 탄소수 1 내지 20의 2가의 탄화수소기, R4 및 R5는 -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -O- 또는 -S-를 나타낸다. 단, Z가 단결합인 경우, m=2이다.)
  15. 삭제
  16. 삭제
KR1020187032024A 2016-07-27 2017-07-25 수지 조성물 KR102367407B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016147012 2016-07-27
JPJP-P-2016-147012 2016-07-27
PCT/JP2017/026903 WO2018021331A1 (ja) 2016-07-27 2017-07-25 樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190035603A KR20190035603A (ko) 2019-04-03
KR102367407B1 true KR102367407B1 (ko) 2022-02-25

Family

ID=61017463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187032024A KR102367407B1 (ko) 2016-07-27 2017-07-25 수지 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11199776B2 (ko)
JP (1) JP6939564B2 (ko)
KR (1) KR102367407B1 (ko)
CN (1) CN109563353B (ko)
TW (1) TWI752987B (ko)
WO (1) WO2018021331A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510993B1 (en) * 2017-02-27 2019-12-17 Sharp Kabushiki Kaisha Production method for EL device
WO2020075592A1 (ja) * 2018-10-12 2020-04-16 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、および該硬化膜を用いた表示装置
TWI684769B (zh) * 2019-01-29 2020-02-11 力成科技股份有限公司 電子元件檢測模組及其製造方法及檢測方法
US11456266B2 (en) * 2019-10-31 2022-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bump structure and method of manufacturing bump structure
CN111285955A (zh) * 2019-12-26 2020-06-16 深圳市安立微电子材料有限公司 碱溶性树脂及其制备方法及负型光阻剂组合物
CN114945867B (zh) * 2020-01-21 2023-05-16 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物、固化膜、层叠体、带导电图案的基板、层叠体的制造方法、触控面板及有机el显示装置
CN115066980A (zh) * 2020-02-25 2022-09-16 东丽株式会社 有机el显示装置、固化物的制造方法及有机el显示装置的制造方法
JP7437997B2 (ja) * 2020-03-31 2024-02-26 東京応化工業株式会社 ワニス組成物、ポリイミド樹脂の製造方法、及び添加剤
CN112859517A (zh) * 2020-12-25 2021-05-28 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种光敏树脂组合物及其应用
CN116745118A (zh) * 2021-02-24 2023-09-12 东丽株式会社 层叠体、显示装置及显示装置的制造方法
JP2022147792A (ja) * 2021-03-23 2022-10-06 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009079028A (ja) * 2007-09-03 2009-04-16 Asahi Kasei Electronics Co Ltd アミドフェノール化合物およびナフトキノンジアジド化合物
JP2009175651A (ja) 2007-12-27 2009-08-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
JP2010215594A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Asahi Kasei E-Materials Corp ナフトキノンジアジド化合物及びアミドフェノール化合物
KR101398293B1 (ko) * 2006-10-24 2014-05-22 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 비스(아미노페놀) 유도체 및 그 제조 방법, 및 폴리아미드 수지류, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 보호막, 층간 절연막, 반도체 장치 및 표시 소자

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5936255B2 (ja) * 1977-10-24 1984-09-03 旭化成株式会社 耐熱性フオトレジスト組成物
JPS57207250A (en) * 1981-06-17 1982-12-18 Fuji Photo Film Co Ltd Heat developing color photosensitive material
JPS5936255A (ja) 1982-08-23 1984-02-28 Mitsubishi Paper Mills Ltd 電子写真用感光体
JPS625238A (ja) 1985-06-29 1987-01-12 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 熱現像感光材料
JPH0769592B2 (ja) 1987-12-02 1995-07-31 富士写真フイルム株式会社 ハロゲン化銀カラー写真感光材料
JPH06110150A (ja) 1992-09-30 1994-04-22 Konica Corp 画像形成方法
JPH08171184A (ja) 1994-12-20 1996-07-02 Konica Corp ハロゲン化銀カラー写真感光材料
TW502135B (en) 1996-05-13 2002-09-11 Sumitomo Bakelite Co Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same
JP2000131845A (ja) 1998-10-22 2000-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置
WO2000026319A1 (en) 1998-11-03 2000-05-11 The Dow Chemical Company Hot-melt adhesive compositions
CA2359318C (en) 1999-02-01 2009-06-30 Donald Elbert Biomaterials formed by nucleophilic addition reaction to conjugated unsaturated groups
US6958212B1 (en) 1999-02-01 2005-10-25 Eidgenossische Technische Hochschule Zurich Conjugate addition reactions for the controlled delivery of pharmaceutically active compounds
JP3942063B2 (ja) 1999-06-28 2007-07-11 株式会社カネカ 新規ポリイミド組成物およびこれに使用される新規酸二無水物
JP4428780B2 (ja) * 1999-12-24 2010-03-10 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポジ感光性組成物
JP2004125815A (ja) 2002-06-27 2004-04-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
EP2381308B1 (en) 2003-06-23 2015-07-29 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
CN101263180A (zh) 2005-09-20 2008-09-10 日本化药株式会社 可溶性透明聚苯并噁唑前体，聚苯并噁唑，及其制备方法
US7678514B2 (en) * 2007-12-27 2010-03-16 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film and semiconductor device and display device using these films
JP5372593B2 (ja) 2009-05-12 2013-12-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
FR2966348B1 (fr) 2010-10-22 2012-11-09 Galderma Res & Dev Compositions comprenant un produit de comblement des rides et une tetracycline modifiee chimiquement
JP5736993B2 (ja) * 2011-06-15 2015-06-17 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
WO2013085004A1 (ja) * 2011-12-09 2013-06-13 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、半導体装置及び表示体装置
JP2016035042A (ja) 2014-07-31 2016-03-17 太陽インキ製造株式会社 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物およびプリント配線板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101398293B1 (ko) * 2006-10-24 2014-05-22 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 비스(아미노페놀) 유도체 및 그 제조 방법, 및 폴리아미드 수지류, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 보호막, 층간 절연막, 반도체 장치 및 표시 소자
JP2009079028A (ja) * 2007-09-03 2009-04-16 Asahi Kasei Electronics Co Ltd アミドフェノール化合物およびナフトキノンジアジド化合物
JP2009175651A (ja) 2007-12-27 2009-08-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。
JP2010215594A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Asahi Kasei E-Materials Corp ナフトキノンジアジド化合物及びアミドフェノール化合物

Also Published As

Publication number Publication date
US20190241716A1 (en) 2019-08-08
TWI752987B (zh) 2022-01-21
US11199776B2 (en) 2021-12-14
JP6939564B2 (ja) 2021-09-22
WO2018021331A1 (ja) 2018-02-01
CN109563353A (zh) 2019-04-02
TW201829581A (zh) 2018-08-16
CN109563353B (zh) 2022-01-14
JPWO2018021331A1 (ja) 2019-05-09
KR20190035603A (ko) 2019-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102367407B1 (ko) 수지 조성물
KR102341494B1 (ko) 수지 조성물, 수지 시트, 경화막, 유기 el 표시 장치, 반도체 전자 부품, 반도체 장치 및 유기 el 표시 장치의 제조 방법
JP6521030B2 (ja) 感光性着色樹脂組成物
KR102380068B1 (ko) 수지 조성물, 경화막, 반도체 장치 및 그들의 제조 방법
JP7263925B2 (ja) 樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、層間絶縁膜または半導体保護膜、薄膜トランジスタ、および液晶表示装置または有機ｅｌ表示装置
WO2017159476A1 (ja) 硬化膜およびポジ型感光性樹脂組成物
JP2023153197A (ja) 樹脂組成物、樹脂シート、硬化膜
KR20210036908A (ko) 수지 조성물, 수지 시트, 경화막, 경화막의 제조 방법, 반도체 장치 및 표시 장치
TWI832989B (zh) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂薄片、硬化膜、硬化膜之製造方法、有機el顯示裝置、及電子零件
JP7272268B2 (ja) 感光性樹脂組成物、樹脂シート、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、半導体電子部品、半導体装置、および有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2023032803A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、有機ｅｌ表示装置および硬化物の製造方法
WO2023120352A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法、有機ｅｌ表示装置および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant