JP4428780B2 - ポジ感光性組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術的分野】
本発明は高感度で高コントラストのパターンが得られると同時に、現像時間を短縮でき、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れる感光性樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜として、優れた耐熱性と電気特性、機械特性などを併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。近年、半導体素子の更なる高集積化、大型化が進む中、封止樹脂パッケージの薄型化、小型化の要求に応えるため LOC( リード・オン・チップ) や半田リフローによる表面実装等の方式が採用され、これまで以上に微細加工性、機械特性、耐熱性等に優れたポリイミド樹脂が必要とされるようになってきた。これらの要求に対し、ポリイミド樹脂自身に感光性能を付与することで光による微細パターンの形成を容易にした感光性ポリイミド樹脂が開発・実用化され、広く用いられてきている。これらの技術の発展として、最近、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂の研究がなされており、例えば、特公平01-46862号公報、特開平08-269198 号公報、特開昭64-6947 号公報, 特開平3-20743 号公報においてはポリベンゾオキサゾール樹脂とキノンジアジド系感光剤よりなるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは優れた耐熱性、電気特性、微細加工性をもち、ウェハーコート用途のみならず層間絶縁膜としての適用の可能性がある。
【0003】
しかし、これらの感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂は、ノボラック樹脂とキノンジアジド系感光剤からなる一般のポジレジストと比較すると、露光部と未露光部の溶解度差が小さく、すなわち低コントラストであり、かつ著しく低感度であるため実用上は問題があった。
この技術に関しては、例えば特開平 9-321038 号公報、特開平 8-123034 号公報において開示されている技術も知られているが、コントラストを高めるためにキノンジアジド系感光剤の添加量を増やすと、現像時間が非常に長くなったり、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状が悪化する等の課題があり、未だ十分な特性が得られているとはいえなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これら従来から要望されていた特性を同時に満たす感光性樹脂組成物を提供すること、すなわち、高感度で高コントラストのパターンを得られると同時に、現像時間を短縮でき、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れた感光性樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、特定の構造を有するポリアミド(A)とキノンジアジド系感光剤、及び特定の化合物(C)よりなる感光性樹脂組成物が前記特性を満たし得ることを見出した。
すなわち、本発明は、
(A)下記一般式(1)の繰返し単位を含むポリアミド100重量部、
【0006】
【化8】
〔式中X1 は
【0007】
【化9】
A1 は、単結合、−O−、−C(CF3 )2 −、−CO−、−SO2 −、X2 、X4 は
【0008】
【化10】
A2 は、単結合、−O−、−C(CF3 )2 −、−CO−、−SO2 −、X3 は2価の有機基
a,bはモル分率を表し、a+b=100モル%
a=60〜100モル%
b=0〜40モル%
X5 は、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族、脂環式または芳香族基である。〕
(B)感光性キノンジアジド化合物1〜100重量部
および
(C)下記一般式(2)又は(3)で示されるアミドフェノール化合物1〜100重量部
を必須成分とするポジ型感光性樹脂組成物である。
【0009】
【化11】
〔Yは単結合または
【0010】
【化12】
Z1 、Z2 は
【0011】
【化13】
式中R1 は炭素数1〜15の炭化水素基、R2 、R3 、R4 は水素原子または炭素数1〜6のアルキル基またはハロゲン、R5 は炭素数2〜10の飽和脂肪族炭化水素基またはアルケニル基もしくはアルキニル基を少なくとも1個を有する脂肪族基または環式化合物基〕、
【0012】
【化14】
〔Z1 、Z2 は上記に同じ。〕
【0013】
本発明におけるポリアミド(A)は、特開昭64-6947 号公報、特開昭60-223824 号公報、特開昭63-96162号公報、特開平5-197153号公報等に記載の方法である、ジカルボン酸を塩化チオニル等を用いて酸クロライド化し、ジヒドロキシジアミンと縮合させる方法や、ジカルボン酸とジヒドロキシジアミンをジシクロヘキシルカルボジイミド等の縮合剤により縮合する方法により得ることができる。これら縮合の際、ジカルボン酸に対して、ジヒドロキシジアミンを小過剰量を使用し、縮合する方法に引き続いて、酸無水物等を利用してアミンの末端を酸アミド化することにより得る。このポリアミドを約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化する。
【0014】
本発明におけるジカルボン酸としては例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、3,3´−ジフェニルジカルボン酸、3,4´−ジフェニルジカルボン酸、4,4´−ジフェニルジカルボン酸、3,3´−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,4´−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4´−ジフェニルエーテルジカルボン酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、3,3´− ベンゾフェノンジカルボン酸、3,4´− ベンゾフェノンジカルボン酸、4,4´− ベンゾフェノンジカルボン酸、3,3´−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3,4´−ジフェニルスルホン−ジカルボン酸、4,4´−ジフェニルスルホンジカルボン酸等が挙げられる。また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。
【0015】
一方のジヒドロキシジアミンとしては例えば、2,4 −ジヒドロキシ−m −フェニレンジアミン、2,5−ジヒドロキシ−p−フェニレンジアミン、4,6−ジアミノレゾルシノール、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニル、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルスルフォン等が挙げられる。また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。
【0016】
この際、ジヒドロキシジアミンの一部を、全ジアミンの40モル% を超えない範囲でフェノール性OH基を持たない芳香族またはシリコーンジアミンを使用することもできる。フェノール性OHを持たないジアミンとしては例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノ−トルエン、3,5−ジアミノ−トルエン、2,4−ジアミノ−トルエン、m−キシレン−2,5−ジアミン,p−キシレン−2,5−ジアミン、2,6−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−ピリジン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ジアミノ−シクロヘキサン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン−ジアミン、プロピレン−ジアミン、2,2−ジメチル−プロピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、ペンタメチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミン、2,5−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、3−メトキシ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレン−ジアミン、2,5−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、3−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルプロパン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルプロパン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルエタン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエタン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルメタン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノ−ジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノ−ジフェニルエーテル、3 ,4′−ジアミノ−ジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノ−ジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル、3,3′−ジメトキシ−ベンジジン、4,4′−ジアミノ−p−テルフェニル、3,3′−ジアミノ−p−テルフェニル、ビス(p−アミノ−シクロヘキシル)メタン、ビス(p−β−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−β−メチル−δ−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス(2−メチル−4−アミノ−ペンチル)ベンゼン、p−ビス(1,1−ジメチル−5−アミノ−ペンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノ−ナフタレン、2,6−ジアミノ−ナフタレン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(γ−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(p−アミノフェニル)テトラメチルジシロキサン、1,4−ビス(γ−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(γ−アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシメチル)テトラメチルジシロキサン、4,4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,4′−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ〕ジフェニルスルホン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2′−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2′−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2′−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルジフェニルメタン、2,6−ジアミノ−4−カルボキシリックベンゼン(メタクリル酸−2−ヒドロキシエチル)エステル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。全ジアミンのうち、フェノール性OHを持たないジアミンのモル比が40% を超えると、本発明のポリアミドのアルカリ性現像液に対する親和性が著しく低下し、現像が実質的に不可能となるため好ましくない。
【0017】
酸アミド化するために使用できる酸無水物等の例としては、無水マレイン酸、cis−4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、等が挙げられるがこれに限定されるものではない。
次に本発明におけるキノンジアジド系感光剤(B)は、一般にポジレジストに使用される、ポリヒドロキシ化合物の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルフォン酸エステルおよび/ または1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルフォン酸エステルを含むキノンジアジド系感光剤であれば、特に限定されるものではない。
【0018】
本発明で用いるキノンジアジド系感光剤は、常法に従ってキノンジアジドスルフォン酸化合物をクロルスルフォン酸でスルフォニルクロライドとし、得られたキノンジアジドスルフォニルクロライドと、ポリヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得られる。例えば、ポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルフォニルクロリドまたは1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルフォニルクロリドの所定量をジオキサン、アセトンまたはテトラヒドロフラン等の溶媒中において、トリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下反応させてエステル化を行い、得られた生成物を水洗、乾燥することにより得ることができる。
【0019】
本発明で用いられる感光剤の母核となるポリヒドロキシ化合物の具体例としては、以下の化合物を挙げられるが、これらに限定されるものではない。また使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。
以下具体例を列挙する。
【0020】
【化15】
本発明で用いる感光剤の配合割合は、特に限定されるものではないが、ポリアミド100重量部に対して、通常、1〜100重量部、好ましくは1〜50重量部である。この配合比率が少なすぎると十分なコントラストが得られず、逆に配合比率が多すぎるとパターンの解像度が大幅に低下するだけでなく、フィルムの引っ張り伸び率が著しく低下する。
【0021】
本発明で用いられる上記一般式(2)又は(3)で表されるアミドフェノール化合物(C)は、対応するジヒドロキシジアミン、またはその塩酸塩と対応する酸無水物、スルフォニルクロライド等を反応させることで得ることができる。本発明におけるジヒドロキシジアミンとしては例えば、2,4 −ジヒドロキシ−m −フェニレンジアミン、2,5−ジヒドロキシ−p−フェニレンジアミン、4,6−ジアミノレゾルシノール、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニル、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4´−ジアミノ−3,3´−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、3,4´−ジアミノ−3´,4−ジヒドロキシジフェニルスルフォン等が挙げられる。
【0022】
一方の酸無水物、スルフォニルクロライドとしては無水フタル酸、1,2−ナフタレンジカルボン酸無水物、1,8−ナフタレンジカルボン酸無水物、無水トリメリト酸、無水グルタル酸、ジメチルグルタル酸無水物、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、4−メチルシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸、メチル無水マレイン酸、cis−4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、無水酢酸、ジ−t−ブチル−ジカルボネート、p−トルエンスルフォニルクロライド、メタンスルフォニルクロライド等が挙げられ、これはまた使用にあたっては、1種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。
【0023】
本発明で用いるアミドフェノール化合物(C)の配合割合は、特に限定されるものではないが、ポリアミド100重量部に対して、通常、1〜100重量部、好ましくは1〜50重量部である。この配合比率が少なすぎると現像時に残渣が発生し、逆に配合比率が多すぎると、フィルムの引っ張り伸び率が著しく低下する。
【0024】
本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて従来感光性樹脂組成物の添加剤として用いられている染料、界面活性剤、安定剤、溶解促進剤、基板との密着性を高めるための接着助剤等を添加することも可能である。染料としては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等が、界面活性剤としては、例えばポリプロピレングリコールまたはポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリグリコール類及びその誘導体の非イオン系界面活性剤、例えばフロラード( 商品名、住友3M社製) 、メガファック( 商品名、大日本インキ化学工業社製) 、スルフロン( 商品名、旭硝子社製) 等のフッ素系界面活性剤、例えばKP341( 商品名、信越化学工業社製) 等の有機シロキサン界面活性剤が、接着助剤の例としては、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、t−ブチルノボラック、エポキシシラン、エポキシポリマー等、及び各種シランカップリング剤が、溶解促進剤としては、フェノール性水酸基を有する化合物(例えば、BPF−D、PCP、あるいはMTrisPC、MtetraPC等の直鎖状フェノール化合物、TrisP−HAP、TrisP−PHBA、TrisP−PA等の非直鎖状フェノール化合物(全て本州化学工業社製))等が例として挙げられる。
【0025】
本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等を単独または混合して使用できる。
【0026】
本発明の現像液として用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ可溶性ポリマーを溶解除去するものであり、アルカリ化合物を溶解した水溶液であることが必須である。アルカリ化合物としては、無機アルカリ性化合物、有機アルカリ性化合物のいずれをも用いることができる。無機アルカリ性化合物としては、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素二カリウム、リン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニア等が使用できる。また、有機アルカリ化合物としては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミン等が使用できる。更に、必要に応じて上記アルカリ水溶液に、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等の水溶性有機溶媒、界面活性剤、保存安定剤、樹脂の溶解抑止剤等を適量添加することができる。
【0027】
本発明の感光性樹脂組成物は次のようにして使用できる。この組成物を適当な基板、例えばシリコンウェハー、セラミック基板、アルミ基板等にスピナーを用いた回転塗布やロールコーターによる塗布を行う。これをオーブンやホットプレートを用いて50〜1 40℃で乾燥し、マスクを介して、コンタクトアライナーやステッパーを用いて化学線の照射を行う。次に照射部を現像液で溶解除去し、引き続きリンス液によるリンスを行うことで所望のレリーフパターンを得る。現像方法としてはスプレー、パドル、ディップ、超音波等の方式が可能である。リンス液は蒸留水、脱イオン水等が使用できる。このレリーフパターンを加熱処理して、オキサゾール構造を有する耐熱性被膜を形成することができる。本発明による感光性樹脂組成物は半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有用である。
【0028】
【実施例】
(参考例)
(1)ポリアミドの合成
(参考例1)
撹拌機、滴下ロート及び温度計を付した3 lセパラブルフラスコに4,4´−ジフェニルエーテルジカルボン酸(0.27モル、69.7g)とN,N−ジメチルアミノピリジン(0.03モル、3.7g)のN,N−ジメチルアセトアミド(600g)溶液に室温で塩化チオニル(0.63モル、75.0g)を滴下し、1時間撹拌する。この溶液を3lセパラブルフラスコに入れた3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン(0.30モル、109.9g)のN,N−ジメチルアセトアミド(300g)の溶液に、0℃で加え、室温下6時間撹拌する。この溶液に5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(0.12モル、19.8g)を加え、更に10時間撹拌する。これをN,N−ジメチルアセトアミド(1000g)で希釈し、水に撹拌しながら滴下し、水を除去し、40℃で真空乾燥し、ポリマー(P−1)を得た。このポリマーの1%N −メチル−2−ピロリドン溶液の還元粘度を測定したところ、ηsp= 0.30であった。
(参考例2)
以下表1に示すように芳香族ジカルボン酸、無水カルボン酸を変更して参考例1と同様にしてポリマー(P−2〜P−3)を合成した。
【0029】
【表1】
【0030】
(2)アミドフェノール化合物の合成
(参考例5)
撹拌機、滴下ロート及び温度計を付した3 lセパラブルフラスコに3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシジフェニルヘキサフルオロプロパン(0.30モル、109.9g)およびピリジン(0.60モル、47.7g)のテトラヒドロフラン(500g)の溶液に室温で無水フタル酸(0.60モル、88.9g)を加え、一晩撹拌する。この溶液を水に撹拌しながら滴下し、水を除去、真空乾燥(40℃)により、表2に示すアミドフェノール化合物(M−1)を得た。
(参考例6)
以下表2に示すようにジアミン、無水カルボン酸等を変更して参考例5と同様にしてアミドフェノール化合物(M−2〜M−5)を得た。
【0031】
【表2】
【0032】
(3)キノンジアジド
実施例に用いたキノンジアジドは以下のナフトキノンジアジドである。
【表3】
【0033】
【化16】
【0034】
【化17】
【0035】
【化18】
【0036】
(実施例)
(実施例1)
ポリアミド(P−1)100重量部、ナフトキノンジアジド(A−1)15重量部、アミドフェノール(M−1)10重量部をγ−ブチロラクトン230重量部に溶解した後、0.5μm のテフロンフィルターで濾過して感光性樹脂組成物を調製した。この組成物をリソテックジャパン社製スピンコーター(LARCULTIMA−1000)にて、HMDSを用いて200℃、3分で処理した4インチシリコンウェハーにスピン塗布し、120℃、180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、塗布後13μm の塗膜を形成する。膜厚は大日本スクリーン社製膜厚測定装置(ラムダエース)にて測定した。この塗膜に、テストパターンつきレチクルを通して i- 線(365nm)の露光波長を有するステッパ(ニコン製、NSR−1755i7B) を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。これをクラリアントジャパン製アルカリ現像液(AZ300MIFデベロッパー2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)で23℃の条件下で現像後膜厚が11.5 μmとなるように現像時間を調整して現像を行いポジ型パターンを形成した。結果を表3に示す。
【0037】
(実施例2〜8)
表3に示した成分の組成物を用いて、実施例1と同様の操作により処理したところ、表3に示すように良好な結果を得た。
(比較例1)
実施例1において、アミドフェノール(M−1)を加えず、その他は実施例1と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、同一条件で組成物を評価した。この結果を表3に示す。
【0038】
【表4】
【0039】
・感度
50μm以上のラインアンドスペースが解像する最小露光量を示す。
・スカム
10μmラインアンドスペースの線間の残さの有無を光学顕微鏡で観察。
・ドット剥離
ドットパターンが剥離する最大のパターンサイズを光学顕微鏡で観察。
・パターン形状
10μmラインアンドスペースの断面形状を電子顕微鏡で観察した。
【0040】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、高感度、高コントラストのパターンが得られると同時に、現像時間が短縮され、微細パターンの解像性及び接着性、パターン形状に優れた感光性樹脂組成物を提供することができ、半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜等に好適である。
Claims (1)
- (A)下記一般式(1)の繰返し単位を含むポリアミド100重量部
、
a,bはモル分率を表し、a+b=100モル%
a=60〜100モル%
b=0〜40モル%
X5 は、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族、脂環式または芳香族基である。〕、
(B)感光性キノンジアジド化合物1〜100重量部、および
(C)下記一般式(2)又は(3)で示されるアミドフェノール化合物1〜100重量部
を必須成分とするポジ型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36700599A JP4428780B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | ポジ感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36700599A JP4428780B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | ポジ感光性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001183835A JP2001183835A (ja) | 2001-07-06 |
JP4428780B2 true JP4428780B2 (ja) | 2010-03-10 |
Family
ID=18488233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36700599A Expired - Lifetime JP4428780B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | ポジ感光性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4428780B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488611B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2010-06-23 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP4775261B2 (ja) | 2004-05-07 | 2011-09-21 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
US7638254B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
JP5061435B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-10-31 | 東レ株式会社 | 耐熱樹脂前駆体組成物およびそれを用いた半導体装置 |
KR100981830B1 (ko) | 2005-09-22 | 2010-09-13 | 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성방법 및전자부품 |
JP2007225942A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
KR100913058B1 (ko) * | 2008-08-25 | 2009-08-20 | 금호석유화학 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체소자 |
JP2010164986A (ja) * | 2010-03-05 | 2010-07-29 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US11199776B2 (en) | 2016-07-27 | 2021-12-14 | Toray Industries, Inc. | Resin composition |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36700599A patent/JP4428780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001183835A (ja) | 2001-07-06 |
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A977 | Report on retrieval |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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