JPS63208043A - ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液Info
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- JPS63208043A JPS63208043A JP4000387A JP4000387A JPS63208043A JP S63208043 A JPS63208043 A JP S63208043A JP 4000387 A JP4000387 A JP 4000387A JP 4000387 A JP4000387 A JP 4000387A JP S63208043 A JPS63208043 A JP S63208043A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置製造において使用されるポジ型フ
ォトレジスト用水溶性剥離液に関する。
ォトレジスト用水溶性剥離液に関する。
半導体装置製造工程においては、エツチング工程を了え
た後、不要なフォトレジスト層は剥離液によって除去さ
れる。フォトレジストには、ネガ型とポジ型とがあるが
、微細ノくターン形成にはポジ型フォトレジストが有利
であるため、主に使用されている。このポジ型フォトレ
ジスロ壷 −ψｌｆ＋−↓７に永ノ１ハ１ンマ、−ンに
’ Ｊ−ノゼラック樹脂よりなるものでレジヌトのボス
トベークやプラズマエツチング等によシレジストは硬化
変質する。このようなレジスト層（膜）は通常の有機溶
剤によっては、溶解剥離することが困難である。また、
基板がアルミニウムである場合には、溶解剥離用の溶剤
としてアルミニウムを浸すものは使用できないという制
約がある。
た後、不要なフォトレジスト層は剥離液によって除去さ
れる。フォトレジストには、ネガ型とポジ型とがあるが
、微細ノくターン形成にはポジ型フォトレジストが有利
であるため、主に使用されている。このポジ型フォトレ
ジスロ壷 −ψｌｆ＋−↓７に永ノ１ハ１ンマ、−ンに
’ Ｊ−ノゼラック樹脂よりなるものでレジヌトのボス
トベークやプラズマエツチング等によシレジストは硬化
変質する。このようなレジスト層（膜）は通常の有機溶
剤によっては、溶解剥離することが困難である。また、
基板がアルミニウムである場合には、溶解剥離用の溶剤
としてアルミニウムを浸すものは使用できないという制
約がある。
従来、剥離液としてフェノール系剥離液、すなわちフェ
ノール、ジクロロベンゼン、テトラクロロエチレンおよ
びアルキルベンゼンスルホ−４ン酸の配合液が使用され
てきたが、この剥離液は非水溶性であることのために、
リンス工程などが煩雑となりさらに、その廃液の処理の
点でも困難な課題が存在している。また、この種の剥離
液を使用した場合には、剥離後のリンス（洗浄）工程に
おいて塩素系溶剤たとえば、トリクロロエチレン、トク
ロロエタン等が使用されている。しかしながら、近時、
塩素系溶剤はその毒性により、公害上の問題があり、規
制が厳しくなり使用し得なくなる方向にある。
ノール、ジクロロベンゼン、テトラクロロエチレンおよ
びアルキルベンゼンスルホ−４ン酸の配合液が使用され
てきたが、この剥離液は非水溶性であることのために、
リンス工程などが煩雑となりさらに、その廃液の処理の
点でも困難な課題が存在している。また、この種の剥離
液を使用した場合には、剥離後のリンス（洗浄）工程に
おいて塩素系溶剤たとえば、トリクロロエチレン、トク
ロロエタン等が使用されている。しかしながら、近時、
塩素系溶剤はその毒性により、公害上の問題があり、規
制が厳しくなり使用し得なくなる方向にある。
一方、前述の問題点を解決するための水溶性有機溶剤系
の剥離液も最近市販されているが、このものは、高温ポ
ストベーク（例えば１６０ｔｌ：以上）したレジストに
関し、その剥離が困難であるという欠点がある。
の剥離液も最近市販されているが、このものは、高温ポ
ストベーク（例えば１６０ｔｌ：以上）したレジストに
関し、その剥離が困難であるという欠点がある。
本発明の目的は、前述の如きエツチング工程後のフォト
レジスト層（膜）の剥離後におけるリンスに塩素系溶剤
及び一般有機溶剤を用いることなく、かつ、高温ポスト
ベークフォトレジストに対してもその剥離を可能にする
水溶性のポジ型フォトレジスト用剥離液を提供すること
にある。
レジスト層（膜）の剥離後におけるリンスに塩素系溶剤
及び一般有機溶剤を用いることなく、かつ、高温ポスト
ベークフォトレジストに対してもその剥離を可能にする
水溶性のポジ型フォトレジスト用剥離液を提供すること
にある。
本発明は、半導体装置製造に使用される下記の如きポジ
型フォトレジスト用水溶性剥離液に関するものである。
型フォトレジスト用水溶性剥離液に関するものである。
本発明者らは、１．３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンと水溶性有機アミンとを含有せしめた配合液が、フォ
トレジスト剥離後のウェハーのリンスにおいて、塩素系
溶剤及び一般有機溶剤を用いることなく、さらに高温ポ
ストベークレジストについてもその剥離が可能であるこ
とを見い出した。本発明者は、かかる知見に基づくもの
である。本発明者において使用される水溶性有機アミン
としては、例えば、モノエタノールアミン、ジェタノー
ルアミン、２（２−アミノエトキシ）エタノール。
ンと水溶性有機アミンとを含有せしめた配合液が、フォ
トレジスト剥離後のウェハーのリンスにおいて、塩素系
溶剤及び一般有機溶剤を用いることなく、さらに高温ポ
ストベークレジストについてもその剥離が可能であるこ
とを見い出した。本発明者は、かかる知見に基づくもの
である。本発明者において使用される水溶性有機アミン
としては、例えば、モノエタノールアミン、ジェタノー
ルアミン、２（２−アミノエトキシ）エタノール。
２（２−アミノエチルアミノ）エタノール、モルホリン
、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等が
あげられ、これらは単独で又は数種を混合して用いるこ
とができる。
、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等が
あげられ、これらは単独で又は数種を混合して用いるこ
とができる。
剥離液は、一般に、加熱して使用されるので蒸発損失を
考慮した場合は、沸点の高いものが好ましい。
考慮した場合は、沸点の高いものが好ましい。
本発明の剥離液において、好ましい態様は、１．３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンと有機アミンとの混合比
が１０：９０〜８０ ： ２０重量％のものであシ、よ
シ好ましくは１５：８５〜７０ ： ３０重量％のもの
である。本発明の剥離液においては、その表面張力を低
下させるため、あるいは・基板へのレジストの再付着を
防止するために、界面活性剤を添加することができる。
メチル−２−イミダゾリジノンと有機アミンとの混合比
が１０：９０〜８０ ： ２０重量％のものであシ、よ
シ好ましくは１５：８５〜７０ ： ３０重量％のもの
である。本発明の剥離液においては、その表面張力を低
下させるため、あるいは・基板へのレジストの再付着を
防止するために、界面活性剤を添加することができる。
本発明の剥離液を使用することによシ、高温ポストベー
クレジストも剥離することができるという利点が得られ
るが、レジスト層（膜）剥離後のリンスにおいて塩素系
溶剤及び一般有機溶剤を使用しないことおよび工程が簡
便になること、さらに公害の問題が一切存在しないこと
など格別の利点が得られる。以下に本発明の実施例を掲
げ、本発明をより具体的に説明する。
クレジストも剥離することができるという利点が得られ
るが、レジスト層（膜）剥離後のリンスにおいて塩素系
溶剤及び一般有機溶剤を使用しないことおよび工程が簡
便になること、さらに公害の問題が一切存在しないこと
など格別の利点が得られる。以下に本発明の実施例を掲
げ、本発明をより具体的に説明する。
実施例１゜
ＳｉＯ２のシリコンウェハー上にポジ型フォトレジスト
０ＦＰＲ−８００（東京応化製）を用いて１．３μｍの
膜を形成せしめ、９０℃、１０分プレベークした後、２
００℃、６０分ポストベークした。その後ウェハーを１
２０℃に加熱した１、６−シメチルー２−イミダゾリジ
ノン／モノエタノールアミン＝１５／ａｓ重量％の剥離
液に浸漬し１０分間放置した。次いで、そのシリコンウ
ェハーを超純水でリンスしスピン乾燥した。そのウェハ
ーの表面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜は完全
に除去されていることが確認された。
０ＦＰＲ−８００（東京応化製）を用いて１．３μｍの
膜を形成せしめ、９０℃、１０分プレベークした後、２
００℃、６０分ポストベークした。その後ウェハーを１
２０℃に加熱した１、６−シメチルー２−イミダゾリジ
ノン／モノエタノールアミン＝１５／ａｓ重量％の剥離
液に浸漬し１０分間放置した。次いで、そのシリコンウ
ェハーを超純水でリンスしスピン乾燥した。そのウェハ
ーの表面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜は完全
に除去されていることが確認された。
実施例２゜
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジン／モノエタノールアミン＝ ７０／３
０重量％に変えた以外は実施例１と全く同様に操作し、
その後のウェハーの表面を顕微鏡で観察したところ、レ
ジスト膜が完全に除去されていることが確認された。
−イミダゾリジン／モノエタノールアミン＝ ７０／３
０重量％に変えた以外は実施例１と全く同様に操作し、
その後のウェハーの表面を顕微鏡で観察したところ、レ
ジスト膜が完全に除去されていることが確認された。
実施例３゜
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／ジエチレントリアミン＝３０／７
ｏ容量チに変えた以外は実施例１と全く同様に操作し、
その後のウェハーの表面を顕微鏡で観察したところレジ
スト膜は完全に除去されていることが確認された。
−イミダゾリジノン／ジエチレントリアミン＝３０／７
ｏ容量チに変えた以外は実施例１と全く同様に操作し、
その後のウェハーの表面を顕微鏡で観察したところレジ
スト膜は完全に除去されていることが確認された。
実施例４゜
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／トリエチレンテトラ定ン＝５０／
７０重量係に変えた以外は実施例１と全く同様に操作し
、その後のウエノ・−の表面を顕微鏡で観察したところ
レジスト膜は完全に除去されていることが確認された。
−イミダゾリジノン／トリエチレンテトラ定ン＝５０／
７０重量係に変えた以外は実施例１と全く同様に操作し
、その後のウエノ・−の表面を顕微鏡で観察したところ
レジスト膜は完全に除去されていることが確認された。
実施例５゜
実施例１と同様にしてプレベーク処理およびポストベー
ク処理を行ったウェハーを、１２０℃に加熱した１、６
−シメチルー２−イミダゾリジノン／２（２−アミノエ
トキシ）エタノール−’３０／７ｏ重量％の剥離液に１
５分浸漬放置した。
ク処理を行ったウェハーを、１２０℃に加熱した１、６
−シメチルー２−イミダゾリジノン／２（２−アミノエ
トキシ）エタノール−’３０／７ｏ重量％の剥離液に１
５分浸漬放置した。
剥離液浸漬処理後は実施例１と同様に処理した。
その処理後のウェハーの表面を顕微鏡で観察したところ
レジスト膜は完全に除去されていることが確認された。
レジスト膜は完全に除去されていることが確認された。
実施例６゜
実施例５において用いた剥離液を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／２（２−アミノエチルアミノ）エ
タノール＝ ３０７７０ ｉｔ 量％に変えた以外は実
施例５と全く同様に操作を行い操作後のウェハーの表面
を顕微鏡で観察したところレジスト膜は完全に除去され
ていることが確認された。
−イミダゾリジノン／２（２−アミノエチルアミノ）エ
タノール＝ ３０７７０ ｉｔ 量％に変えた以外は実
施例５と全く同様に操作を行い操作後のウェハーの表面
を顕微鏡で観察したところレジスト膜は完全に除去され
ていることが確認された。
実施例Ｚ
実施例１において用いた剥離液を１，６−シメチルー２
−イミダゾリジノン／モノエタノールアミン＝ ２０／
８ｏ重量％に対し、フッ素系界面活性剤ＤＳ１０１（ダ
イキン製）［１１重量％を加えたものに変えた以外は、
実施例１と全く同様に操作を行い、操作後のウエノ・−
の表面を顕微鏡で観察したところレジスト膜は完全に除
去されていることが確認された。
−イミダゾリジノン／モノエタノールアミン＝ ２０／
８ｏ重量％に対し、フッ素系界面活性剤ＤＳ１０１（ダ
イキン製）［１１重量％を加えたものに変えた以外は、
実施例１と全く同様に操作を行い、操作後のウエノ・−
の表面を顕微鏡で観察したところレジスト膜は完全に除
去されていることが確認された。
Claims (1)
- １，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンと水溶性有機
アミンを含有せしめてなることを特徴とするポジ型フォ
トレジスト用水溶性剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000387A JPS63208043A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000387A JPS63208043A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208043A true JPS63208043A (ja) | 1988-08-29 |
Family
ID=12568737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000387A Pending JPS63208043A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63208043A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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