JP2502815B2 - フォトレジスト・ストリッパ - Google Patents

フォトレジスト・ストリッパ

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JP2502815B2
JP2502815B2 JP2514594A JP51459490A JP2502815B2 JP 2502815 B2 JP2502815 B2 JP 2502815B2 JP 2514594 A JP2514594 A JP 2514594A JP 51459490 A JP51459490 A JP 51459490A JP 2502815 B2 JP2502815 B2 JP 2502815B2
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、基板からハード・ベークしたフォトレジス
ト組成物を除去するのに有用な物質の組成に関し、本発
明の組成の物質を使用して上記の基板からフォトレジス
トを効率的に剥す方法に関する。基板は、腐食及び化学
的攻撃を受けやすい半導体デバイスまたはパッケージで
あってよい。
［背景技術］ 集積回路技術では、一般的に高分子樹脂または接着剤
化合物、放射線感受性化合物、及び適切な溶媒を含むフ
ォトレジスト組成物を利用して、特定の基板上にフォト
レジスト組成物の膜を形成させ、上記基板上にフォトリ
ソグラフィでパターンを描いている。通常の処理方式で
は、フォトレジスト組成物を当技術分野で周知の様々な
方法で基板上にスピンオンまたは塗布する。次に、フォ
トレジスト組成物に露光前焼成を施して溶媒の一部分を
追い出し、膜に寸法安定性を付与する。コートされた基
板を、適切な露光ツールを使用して、光化学作用をもつ
放射線、通常は紫外線、電子ビームまたはＸ線スペクト
ルで露光させる。露光後、コートされた基板を現像処理
を施すと、特定の領域の選択的溶解によって、パターン
が形成または現像される。フォトレジスト膜の特定の領
域ではフォトレジスト材料が完全に除去され、他の領域
では残ったフォトレジストが所望のまたは所期の構成を
有するパターンを形成する。このようなパターンは、以
後の湿式もしくは乾式エッチング工程、導体もしくは絶
縁体パターンの付着、または、たとえば絶縁層または不
動態層としての、パターン付けされたフォトレジストの
半導体デバイスまたはパッケージへの組込みのために、
基板をマスクしまたは保護するために使用される。
残ったレジスト材料に、さらに乾式または湿式エッチ
ングを施す。この工程は、パターンを画定または転写
し、たとえば工程シーケンスにおける以後のリフトオフ
または研磨段階でパターン付けされる誘電体膜または金
属膜の付着などの以後の処理を可能にするために不可欠
である。このエッチング工程の前に、フォトレジスト材
料を、140〜300℃の高温度で30〜90秒間、深紫外線によ
るブランケット露光で処理することができる。この処理
では、レジストの選択性が向上し、より良好なエッチン
グ及び寸法制御がもたらされる。
一般のリソグラフィ工程では、フォトレジスト材料
が、パターン画定後に特定の領域では均等にかつ完全に
除去され、その他の領域では保持されることが以後の操
作のために必要である。このような処理で除去したい領
域に少しでもフォトレジストが残ると、有害な結果をも
たらす可能性がある。フォトレジスト残渣は、欠陥をも
たらし、歩留りを悪くする可能性がある。
従来は、レジスト材料は、塩化メチレンやテトラクロ
ロエチレンなどのハロゲン化炭化水素、ジメチルホルム
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミン及び
その誘導体、エチレングリコールモノメチルエーテルな
どのグリコールエーテル、エタノール及びその酢酸エス
テル、メチルエチルケトンやアセトンなどのケトン、及
びイソプロピルアルコール、硫酸、過硫酸アンモニウ
ム、ジオキサン、カセイソーダとフェノール誘導体の混
合物などの物質、ならびにその他の様々な物質のうちの
１つまたは複数の物質によって除去されていた。これら
各種の試剤は、このような物質にさらされる労働者に対
する潜在的毒性、使用後の環境公害問題、揮発性、装置
の腐食、ストリッパのフラッシュ点より高い温度で操作
することに伴って安全が脅かされることなど、１つまた
は複数の欠点をもつ。さらに、半導体デバイス及びパッ
ケージングに関する基本原則はより大きな集積度を要求
するので、レジスト材料がごくわずかでも存在すること
はますます許されなくなってきている。したがって、こ
れまで知られているストリッパによる処理は、金属また
はシリコン基板自体の侵食を伴っていた。水が存在した
り高温度（100゜C以上）になると、このような侵食が激
しくなる。
高温度の露光後焼成やパターン生成などのレジストの
処理条件、イオン注入（たとえばホウ素イオン注入）な
どの技法の使用、及び深紫外線硬化処理は、当技術分野
で従来使用されてきたほとんどの有機溶媒ストリッパ中
での溶解に強く抵抗する、高度に架橋したレジストをも
たらす。このようなレジストを剥すために、フェノール
性炭化水素や塩素化炭化水素溶媒を含む特に強い組成物
が高温度で使用されてきた。このような極端な手段は、
明らかに望ましくない。というのは、ストリップ操作を
行う技術者に相当な危険を及ぼすだけでなく、生ずる廃
棄物を処理する際に潜在的な環境公害問題を引き起こす
からである。塩素化溶媒を含むこれらの組成物は、水の
存在に特に敏感である。水は、溶液中の塩素イオン濃度
が高くなる方向に平衡をシフトさせて、金属の侵食を引
き起こす。強塩基の水溶液は、金属の侵食を行うだけで
なく、シリコン基板などに対するエッチャント作用を示
すという有害な副作用をもつ。
従来技術には、これらの欠点を補うように設計され
た、改良されたストリッパ組成物を提供しようとする試
みがたくさんある。その解決方法には以下のものが含ま
れる。
米国特許第4744834号は、10〜90％の２−ピロリドン
（アルキル部分が炭素１〜３個のＮ−アルキル置換また
はＮ−ヒドロキシアルキル置換されたもの）、10〜30％
のジエチレングリコールモノアルキルエーテル（アルキ
ル基は炭素１〜４個）、１〜10％のポリグリコール（分
子量約200〜600）、及び0.5〜４％のNR3R4R5R6（R3及び
R4は炭素原子１〜４個の同じまたは異なるアルキル基、
R5は炭素原子１〜18個のアルキル基、R6は炭素原子１〜
18個のアルキル基、フェニル、ベンジル、アルキルフェ
ニルまたはアルキルベンジル（アルキル部分は炭素１〜
18個））の形の４級水酸化アンモニウムを含む、基板か
らフォトレジストを除去するのに有用な、組成物を対象
としている。この引用文献の組成物は、90゜Cでストリッ
プ溶液を使用して、125゜C（120〜300゜Cの範囲が与えら
れている）でハード・ベークされたフォトレジストの除
去に有用であることが示された。
米国特許第4395479号、第4401748号及び第4428871号
は、２−ピロリドンを主成分として、テトラヒドロチオ
フェン−1,1−ジオキシド、テトラヒドロフラン、また
はジエチレングリコールモノアルキルエーテルを含むス
トリッピング組成物を対象としており、それぞれ改良さ
れたストリッピング結果を提供する。これらの組成物
も、最初の２つの組成物の場合には、プロピレングリコ
ール及びジエチレングリコールモノアルキルエーテルを
含むことが好ましいことがある。
米国特許第4765844号は、10〜100％の水溶性２官能ア
ミノ誘導体（ジアミノ化合物またはアミノヒドロキシ化
合物）及び０〜90％のプロピレングリコール誘導体を含
むレジスト・ストリッパ組成物を対象としている。
米国特許第4776892号は、有機４級アンモニウム塩
基、好ましくは水酸化テトラメチルアンモニウム（TMA
H）を含む水溶液の使用を含む、基板からフォトレジス
ト組成物を除去する方法を開示している。また、これら
の水溶液は、強い無機塩基を含んでいてもよい。ストリ
ップ操作は、一般的に30〜70℃の高い温度で行う。米国
特許第3673099号は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（NM
P）と、アルキルまたは置換アルキルアンモニウムヒド
ロキシドなどの強塩基の混合物を含む組成物を提供す
る、レジスト・ストリッピング用の組成物及び方法を対
象としている。また、エチレングリコールモノメチルエ
ーテルなどの混和性有機溶媒を含めてもよい。この方法
は、25゜Cからストリッピング組成物の沸点までの温度で
実施される。
米国特許第3706691号は、加水分解を受ける結合を有
するポッティング（カプセル封じ）用組成物（たとえ
ば、ポリアミド、ポリエステル、及びポリエステルを主
成分とするタイプのポリウレタン）を溶解させる溶媒を
対象としている。この溶媒は、水酸化ベンジルトリメチ
ルアンモニウムと、（ａ）テトラヒドロフランとアセト
ン、（ｂ）塩化メチレン、（ｃ）塩化メチレンとアセト
ン、（ｄ）Ｎ−メチル−２−ピロリドンからなる群から
選択された成分を含む。
米国特許第4239661号は、0.01〜20重量％の水酸化ト
リアルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウム（THA
H）を含むストリッピング用水溶液を開示している。こ
の場合、アルキル基は１〜４個の炭素をもち、ヒドロキ
シアルキル基のアルキレン部分は２〜４個の炭素をも
つ。THAH溶液は、きわめて強い塩基性であり、アルカリ
金属及びアルミニウムを溶解させ、酸化シリコンをエッ
チングする。
米国特許第4617251号は、毒性及び廃棄物処理の問題
があるフェノール化合物及びハロゲン化炭化水素化合物
を含まない、ストリッピング組成物を対象とする。この
ストリッパ組成物は、アミンと、沸点が140゜Cを越える
有機極性溶媒を含む。
PCT公告WO 88/05813号（PCT出願PCT/US87/02291号に
基づく）は、（ａ）ピロリドン、Ｎ置換ピロリドン、ブ
チロラクトンまたはカプロラクトンと、（ｂ）約２〜10
重量％の水酸化テトラアルキルアンモニウムまたは水酸
化トリアルキルアラルキルアンモニウムの混合物を含む
フォトレジスト・ストリッパ組成物を開示している。
（ａ）の成分と（ｂ）の成分の比は50:1〜4:1である。
任意選択の成分として、界面活性剤、及びグリコール
（たとえば、エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコー
ル、テトラプロピレングリコール）などの極性有機溶媒
を含む希釈剤がある。
［本発明の要約］ 本発明は、基板からハード・ベークしたフォトレジス
ト組成物を除去するのに極めて有効であると同時に、基
板及び金属被覆または高い温度で使用される誘電体組成
物に対して「非反応性」である、改良されたレジスト・
ストリッパ組成物を提供する。
さらに、本発明は、ピン及びスタッドのメタライゼー
ションを含む工程で使用できる、改良されたレジスト・
ストリッパ組成物を提供する。
また本発明は、それを取り扱う職員を大きな毒性の危
険にさらさず、消費されたストリッパ組成物の性質の故
に環境への影響が最小であり、そのような消費された溶
液を経済的に再利用できる潜在能力のある、改良された
レジスト・ストリッパ組成物を提供する。
さらに、本発明は、改良された表面洗浄を可能にする
組成物を提供する。このような改良された表面洗浄は、
フォトレジストの塗布、またはポリイミド、窒化シリコ
ン、石英などの絶縁体の付着の前に利用できる。表面を
洗浄すると、接着性、及び膜または層の均一性が向上す
る。
本発明のレジスト・ストリッパ組成物は、60〜90重量
％のＮ−アルキル−２−ピロリドン、10〜40重量％の
１、２−プロパンジオール、及び0.1〜0.22Nの溶液を提
供するのに十分な量の水酸化テトラアルキルアンモニウ
ムを含む。レジスト・ストリッパ組成物が、65〜85重量
％のＮ−アルキル−２−ピロリドン、15〜35重量％の
１、２−プロパンジオール、及び0.12〜0.20Nの溶液を
提供するのに十分な量の水酸化テトラアルキルアンモニ
ウムを含むことがより好ましい。最も好ましい実施例で
は、レジスト・ストリッパ組成物は、70〜80重量％のＮ
−アルキル−２−ピロリドン、20〜30重量％の１、２−
プロパンジオール、及び0.16〜0.18Nの溶液を提供する
のに十分な水酸化テトラアルキルアンモニウムを含む。
本発明の組成物及び方法は、当該技術で周知の多種多
様な基板から多重多様なレジスト材料を剥すのに使用で
きるが、マイクロエレクトロニクス回路の製造で使用さ
れるウェーハからフォトレジストを剥す際に使用するの
に特に適している。後者の基板の例は、表面が酸化シリ
コン、アルミニウム、アルミニウムと銅及び類似の金属
の合金、クロム、クロム合金、窒化シリコンなどの層を
形成するように処理されたシリコン・ウェーハである。
［詳細な説明］ 上述したように、本発明のレジスト・ストリッパ組成
物は、60〜90重量％のＮ−アルキル−２−ピロリドン、
10〜40重量％の１、２−プロパンジオール、及び0.1〜
0.22Nの溶液を提供するのに十分な量の水酸化テトラア
ルキルアンモニウムを含む。レジスト・ストリッパ組成
物が、65〜85重量％のＮ−アルキル−２−ピロリドン、
15〜35重量％の１、２−プロパンジオール、及び0.12〜
0.20Nの溶液を提供するのに十分な水酸化テトラアルキ
ルアンモニウムを含むことがより好ましい。最も好まし
い実施例では、レジスト・ストリッパ組成物は、70〜80
重量％のＮ−アルキル−２−ピロリドン、20〜30重量％
の２、２−プロパンジロール、及び0.16〜0.18Nの溶液
を提供するのに十分な量の水酸化テトラアルキルアンモ
ニウムを含む。
ハード・ベークしたフェノールホルムアルデヒド（ノ
ボラック）フォトレジストを除去する際のいくつかの商
用ストリッパの有用性を決定するために、以下のストリ
ッパを評価した。
アメリカン・ヘキストAZ 300T KTI R−10 J.T.ベーカー PRS−1000 NMP NMP/イミダゾール NMP/MMO＊ ＊MMO＝メチルモルホリンオキシド 100゜Cでは、これらのストリッパはどれもＪ−100、す
なわちフェノール及び塩素化有機物を含むストリッパ組
成物ほど良好には機能しなかった。AZ 300Tは、塩素化
されていない非フェノール系の環境に好ましいストリッ
パのうちで最も容認できる性能を提供した。フォトレジ
ストを除去する際のAZ 300Tの有効性を増大させるため
に、浴の温度を125゜Cに高めた。フォトレジストの除去
は、Ｊ−100で達成されたよりも効率的であったが、加
熱したAZ 300Tはシリコンをもエッチングしたので、半
導体加工用に許容できないものになった。
例Ａ（比較） 商用のストリッピング組成物Industrichem J−100を
分析し、ほぼ以下のような組成をもつことが判明した。
成分 概略重量％ パークロロエチレン 35 ｏ−ジクロロベンゼン 35 フェノール 10 アルキルアリールスルホン酸 20 この組成物は、シリコンからフォトレジストを効率的
に剥すために使用されてきた。
Ｊ−100組成物（例Ａ）は、水溶性でない酸性溶液で
あり、このような溶液を介して処理された生成物の最終
的水洗が可能なように、カスケード式に配列された個々
の溶媒タンク中で溶媒洗浄しなければならない。Ｊ−10
0は、有毒物質（フェノール）であり、かつ環境上処理
の難しい廃棄物（有機酸、塩素化溶媒、フェノール）で
ある。Ｊ−100は、半導体デバイス上の金属を侵食する
ことが知られている。長時間の含浸及び水の追加で金属
侵食が開始されることが示されている。Ｊ−100は、シ
リコン侵食の傾向を全く示さない。Ｊ−100は、大気問
題（オゾン）のために塩素化有機溶媒の廃絶を求めるガ
イドラインの適用を受ける。この組成物は、二酸化シリ
コンまたは窒化シリコンに対する侵食的エッチング・タ
イプの挙動を示さない。Ｊ−100は、220゜Cのポスト・ベ
ークしたノボラック・レジストを除去することができな
いので、一様に清浄な表面を生成することができない。
Ｊ−100組成物の臭いは、きわめて低い濃度で検出でき
るので、化学薬品排気システムが適切に機能していると
いう標識として機能できる。これによって有害物の蓄積
が防止される。Ｊ−100は、水の存在にきわめて敏感で
あり、汚染されたとき、分解して塩素イオン及びプロト
ン酸を放出する。金属の塩素腐食は、十分な組成水が存
在する場合、Ｊ−100を使って処理された生成物を破壊
する。浴の寿命は、この浴で処理されたウェーハの数、
ならびにその処方を変化させる蒸発などの熱効果に関係
する。
例Ｂ（比較） Hoechst Celanese Corporationのエレクトロニクス製
品部門から市販されているストリッピング用組成物であ
るAZ 300Tフォトレジスト・ストリッパを分析し、以下
の概略組成をもつことが判明した。成分 重量％ Ｎ−メチル−２−ピロリドン 54.5 １、２−プロパンジオール 42.2 水酸化テトラメチルアンモニウム 3.3 溶液を0.369NにするだけのTMAHが存在した。このストリ
ッパは、220゜Cでポスト・ベークしたノボラック・レジ
ストを除去するのに必要な高い温度で、単結晶シリコン
と多結晶シリコンの両方を攻撃することがわかってい
る。
例１ 以下の概略組成を有する実験用のストリッパ組成物を
調製した。成分 重量％ Ｎ−メチル−２−ピロリドン 73.8 １、２−プロパンジオール 24.6 水酸化テトラメチルアンモニウム 1.6 0.19Nの溶液を与えるのに十分な量のTMAHが存在した。
このストリッパは、介在する溶媒カスケードを使用し
て、または使用しないで水洗可能な塩基性溶液である。
ストリッパの後で水にクイック・ダンプする方法が、最
も好ましくかつ最も簡単に実施できる。このストリッパ
は、低毒性の成分からなり、製品に必要な水準にまで洗
浄化される。消費された溶液は、消費済み溶媒市場での
販売または生物分解によって容易に処分できる。このス
トリッパは、0.7％の水を意図的に追加し、溶液に長時
間浸しても金属を侵食しなかった。このストリッパは、
半導体製造で使用されるシリコンは攻撃せず、フォトレ
ジストを攻撃できるように処方されていた。このストリ
ッパは塩素化溶媒を含まないので、オゾン層に対する危
害をもたらさない。このストリッパは、水を限られた量
追加しても、変化または分解して有害な分解生成物を生
成することはない。このストリッパの浴の寿命は、その
温度での時間に強く依存し、このストリッパで処理され
るウェーハの数とは無関係である。この溶媒系の各成分
の沸点はきわめて高くかつとても接近しているので、通
常の操作中、溶媒平衡は大きくは変化しない。このスト
リッパ組成物は、フォトレジスト残渣を除去するのにき
わめて有効であったが、シリコンをエッチングせず、絶
縁体をエッチングせず、接点を攻撃せず、金属を侵食せ
ず、面積抵抗率に影響を与えない。このストリッパは、
ゴムを主成分とするフォトレジストの除去には有効でな
いことがわかっている。
処理の比較 Ｊ−100ストリッパ及び純粋なNMP、AZ 300T及び本発
明の組成物を使って、以下の浴時間及び浴温度でシリコ
ン・ウェーハから220゜Cでハード・ベークしたノボラッ
ク・レジスト（AZ 1350JまたはShipley SC1350J）を除
去した。
Ｊ−100 攪拌すると微細構造に機械的損傷を引き起こす可能性が
あるので、すべての浴は静止状態に維持した。
結果 Ｊ−100は一貫しない清浄化／除去の結果をもたらし
た。ほとんどの場合、レジストの大きな領域が残った。
NMPはレジストを除去しなかった。唯一の効果は、レ
ジスト膜にしわを生ずることであった。
AZ 300Tは、ストリッパ浴が120゜Cより低い場合、レジ
ストを除去しない。120゜Cより高い場合、AZ 300 Tはレ
ジストを除去するが、シリコンの侵食が肉眼ではっきり
見えた。AZ 300Tがシリコン・ウェーハをエッチングせ
ずに一貫して清浄な表面を生成する条件を見つけること
はできなかった。
本発明のストリッパ組成物は、シリコンを侵食するこ
となく、120゜C以上でハード・ベークしたノボラック・
レジストを除去した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハーバス、ジャノス アメリカ合衆国ニューヨークホープウエ ル・ジャンクション、ラッチモント・ド ライブ （番地なし) (72)発明者 マッコーミック、バアレイ、シー. アメリカ合衆国ニューヨーク州ポキプシ ー、パトリシア・ロード12番地 (72)発明者 シャー、プロボドー、アール. アメリカ合衆国ニューヨーク州ワッピン ガーズ・フォールズ、シェリーウッド・ ロード５番地 (56)参考文献 特開 昭62−265665（ＪＰ，Ａ) 特表 平１−502059（ＪＰ，Ａ) 米国特許4744834（ＵＳ，Ａ)

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】60〜90重量％のＮ−アルキル−２−ピロリ
    ドンと、10〜40重量％の1,2−プロパンジオールと、0.1
    〜0.22Nの溶液を提供するのに十分な量の水酸化テトラ
    アルキルアンモニウムとを含む、基板からハード・ベー
    クしたフォトレジスト組成物を除去するのに有用な組成
    物。
  2. 【請求項２】上記組成物中に、上記Ｎ−アルキル−２−
    ピロリドンは65〜85重量％含まれ、上記1,2−プロパン
    ジオールは15〜35重量％含まれ、上記水酸化テトラアル
    キルアンモニウムは0.12〜0.20Nの溶液を提供するのに
    十分な量含まれることを特徴とする、請求項１記載の組
    成物。
  3. 【請求項３】上記組成物中に、上記Ｎ−アルキル−２−
    ピロリドンは70〜80重量％含まれ、上記1,2−プロパン
    ジオールは20〜30重量％含まれ、上記水酸化テトラアル
    キルアンモニウムは0.16〜0.18Nの溶液を提供するのに
    十分な量含まれることを特徴とする、請求項２記載の組
    成物。
  4. 【請求項４】上記Ｎ−アルキル−２−ピロリドンがＮ−
    メチル−２−ピロリドンであり、上記水酸化テトラアル
    キルアンモニウムが水酸化テトラメチルアンモニウムで
    あることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１
    つに記載の組成物。
  5. 【請求項５】ハード・ベークしたフォトレジスト組成物
    を、60〜90重量％のＮ−アルキル−２−ピロリドンと、
    10〜40重量％の1,2−プロパンジオールと、0.1〜0.22N
    の溶液を提供するのに十分な量の水酸化テトラアルキル
    アンモニウムとを含むストリッパ組成物と接触させる段
    階と、 上記ストリッパ組成物を105〜135℃の温度に15分以上維
    持し、基板を洗浄する段階とを含む、 上記基板に損傷を与えずに上記基板から上記ハード・ベ
    ークしたフォトレジスト組成物を除去する方法。
  6. 【請求項６】上記ストリッパ組成物は、70〜80重量％の
    Ｎ−アルキル−２−ピロリドンと、20〜30重量％の1,2
    −プロパンジオールと、0.16〜0.18Nの溶液を提供する
    のに十分な量の水酸化テトラアルキルアンモニウムとを
    含むことを特徴とする、請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】上記Ｎ−アルキル−２−ピロリドンがＮ−
    メチル−２−ピロリドンであり、上記水酸化テトラアル
    キルアンモニウムが水酸化テトラメチルアンモニウムで
    あることを特徴とする、請求項５または６に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】上記基板がパターニングされた金属被覆を
    有し、上記方法は該金属被覆にも損傷を与えないことを
    特徴とする、請求項５ないし７のいずれか１つに記載の
    方法。
  9. 【請求項９】上記ストリッパ組成物は、120〜125℃の温
    度に維持されることを特徴とする請求項５に記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】請求項１記載の組成物を使用して、フォ
    トレジスト付着前に半導体基板を予洗浄する方法。
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