JP3871257B2 - プラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物 - Google Patents

プラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロエレクトロニクスの製造に使用される新規な洗浄組成物、とりわけ、基板に蒸着している金属層や酸化物層のプラズマエッチング後に、ウエハー基板に形成されたプラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】
集積回路の製造において、ポジのフォトレジストは、一連の写真平板とプラズマエッチング段階により、ウエハー基板上で焦点板のもとのマスクパターンを移すための、中間マスクとして使われている。集積回路の製造工程の最終段階の１つは、パターン化されたフォトレジストフィルムを基板から除去することである。一般に、この段階は、２つの方法のうちの１つで行われる。１つの方法は、フォトレジスト被覆された基板を、まず有機溶媒とアミンからなるフォトレジストのストリッパー溶液と接触させるウエットストリッピング段階を含む。しかしながら、ストリッパー溶液は、とりわけ、フォトレジストフィルムが製造中に紫外線照射やプラズマ処理にさらされた場合に、フォトレジストフィルムを完全に確実に除去することができない。いくつかのフォトレジストフィルムは、そのような処理により、かなり架橋され、ストリッパー溶液に溶解させることが困難になる。それに加え、こうした慣用的なウェットストリッピング法において使用される化学物質は、ハロゲン含有ガスを用いた金属あるいは酸化物層のプラズマエッチング中に形成された無機残渣物質を除去するのに、しばしば有効でない。
【０００３】
フォトレジストフィルムを除去する別の方法は、プラズマアッシングとして知られる工程において、基板表面からレジストフィルムを燃焼させるために、フォトレジストコートされたウエハーを酸素をベースとしたプラズマにさらすことが含まれる。プラズマアッシングは、真空チャンバー内で行われるため、空中の微粒子や金属の汚染の影響に受けにくくなることが期待されるため、集積回路の製造工程において、よく知られるようになった。しかしながら、プラズマアッシングも、上述したプラズマエッチングの副産物を除去するのに完全に有効ではない。その代わり、これらのプラズマエッチング副産物の除去は、その後、フォトレジストフィルムをある洗浄溶液にさらすことにより達成されなければならない。プラズマアッシングの後のプラズマエッチングにより残されたプラズマエッチング副産物を除去するためのいくつかの市販品が現在入手できる。例えば、ＥＫＣ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ.から入手できるＥＫＣ ２６５は、水、アルカノールアミン、カテコール及びヒドロキシルアミンからなるポストエッチング洗浄溶液である。このような組成物は、Ｌｅｅに対する米国特許第５,２７９,７７１号公報に開示されている。Ａｓｈｌａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能なＡＣＴ ９３５は、もう１つのポストエッチング洗浄溶液であり、水、アルカノールアミン、及びヒドロキシルアミンよりなる。このような組成物は、Ｗａｒｄに対する米国特許第５,４１９,７７９号公報に開示されている。いずれの場合も、ヒドロキシルアミンが腐食防止剤として使用されている。Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｇａｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能なＥＬＭ Ｃ−３０は、水、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、フッ素化合物、有機カルボン酸塩及び糖アルコールからなり、ここで糖アルコールは腐食剤として作用する。このような組成物はＡｏｙａｍａらに対する米国特許第５,６３０,９０４号公報に開示されている。
【０００４】
これらの市販製品は、プラズマエッチング残渣を効果的に分解するが、基板上の金属や酸化物の蒸着パターンも攻撃してしまう。これは、ＥＫＣ ２６５とＡＣＴ ９３５のｐＨが１１以上であり、ＥＬＭ Ｃ−３０はフッ素化合物を含むからである。これらの製品で使用されている腐食防止剤は、銅、アルミニウム、アルミニウム合金（例えばＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ）等の金属層が特に腐食に敏感なため、腐食を防止するのに完全に有効ではない。さらに、適切な腐食防止剤の添加が、基板金属層の腐食を防止するのに不可欠ではある一方、いくつかの腐食防止剤は、プラズマエッチング残渣の除去を妨げる傾向、及び／又は、金属基板表面に蒸着した不溶性フィルムを形成する傾向がある。このため、腐食防止剤は注意深く選ばれなければならない。
【０００５】
プラズマエッチング残渣の化学組成が、基板上の金属層や酸化物層の化学組成と一般には類似するので、腐食防止とプラズマエッチング残渣の効果的除去とのバランスをとるのが難しい。先行技術の洗浄組成物で使用されているアルカノールアミンは、水の存在下で、プラズマエッチング残渣と基板金属層を攻撃することがしばしば見出される。従って、金属層の損失を引き起こす金属あるいは酸化物層に対する好ましくない攻撃がないようなプラズマエッチング残渣を選択的かつ効果的に除去できる組成物に対する要求は依然としてある。
【０００６】
フォトレジストストリッパー／クリーナー応用分野において、いくつかの他の特許は以下の通りであるが、いずれも本発明の組成物の使用は開示されていない。
【０００７】
Ｋａｎｔｏ Ｋａｇａｋｕに対して与えられた、日本特許特願平７−０２８２５４においては、糖アルコール、アルコールアミン、水及び４級アンモニウム水酸化物を含む非腐食性レジスト除去液体が開示されている。
【０００８】
出願番号ＷＯ８８−０５８１１３のＰＣＴ特許では、ブチロラクトンまたはカプロラクトン、４級アンモニウム水酸化物化合物、場合によっては非イオン性界面活性剤を含むポジ及びネガのフォトレジストストリッパーを知ることができる。
【０００９】
Ｍｕｒａｏｋａらに対する米国特許第４,２３９,６６１号公報では、０.０１％から２０％のトリアルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウム水酸化物の水溶液を含む表面処理剤が開示されている。この薬剤は中間の半導体製品の表面に蒸着した有機及び無機汚染物質の除去に役に立つ。
【００１０】
Ｍｉｙａｓｈｉｔａらに対する米国特許第４,９０４,５７１号公報では、溶媒（例えば水、アルコール、エーテル、ケトンなど）、溶媒に溶解したアルカリ化合物、溶媒に溶解した４級アンモニウム水酸化物、及びホウ化水素化合物を含むプリント回路基板フォトレジストストリッパー溶液組成物が教示されている。
【００１１】
Ｄｅａｎらに対する米国特許第５,０９１,１０３号公報では、（Ａ）Ｎ−アルキル−２−ピロリドン、（Ｂ）１,２−プロパンジオール、（Ｃ）テトラアルキルアンモニウム水酸化物を含むポジのフォトレジストストリッピング組成物が教示されている。
【００１２】
Ｗａｒｄらに対する米国特許第５,１３９,６０７号公報では、（Ａ）テトラヒドロフルフリルアルコール、（Ｂ）多価アルコール（例えばエチレングリコールやプロピレングリコール）、（Ｃ）フルフリルアルコールとアルキレンオキサイドとの反応物、（Ｄ）水に溶けるブレンステッド塩基型水酸化物化合物（例えばアルカリ金属水酸化物、アンモニウム水酸化物、そしてテトラメチルアンモニウム水酸化物）、（Ｅ）水を含むポジとネガのフォトレジストストリッピング組成物を知ることができる。場合によっては、組成物は１％までの非イオン性界面活性剤を含むこともある。
【００１３】
Ａｏｙａｍａらに対する米国特許第５,１７４,８１６号公報では、ドライエッチングした後のアルミニウムラインパターン基板の表面上に残った塩素を除去するための組成物が開示されており、この組成物はトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物のような４級アンモニウム水酸化物を重量で０.０１から１５％、キシリトール、マンノース、グルコースなどの糖または糖アルコールを重量で０.１から２０％含む。
【００１４】
フォトレジストを引き剥がすために使われる他の組成物は、硫酸と有機フォトレジストを酸化しそれにより分解する過酸化水素のような酸化剤の溶液を含む。しかしながら、強酸及び酸化剤を含む溶液は、扱いが危険であり、高温で用いなければならず、ストリッピングが行われた後、ホット脱イオン（ＤＩ）水が充分な量必要である。また、酸化剤は容易に分解するので、こうした溶液は短い活性寿命を有する。このため、頻繁に溶液を補充する必要がある。溶液の補充の必要性により、処理は危険かつ経済的に非効率的なものとなる。それに加え、こうしたタイプの慣用的な酸をベースとした化学物質は、金属基板に対してあまりにも攻撃的である。
【００１５】
それ故、基板からプラズマエッチング残渣を除くための新しいタイプの洗浄組成物に対する要求が残されている。それに加え、基板に有害な影響を与えないような洗浄組成物に対する要求が残されている。さらに、水溶性ベースであり、危険でなく、環境に害を与えないような洗浄組成物に対する要求が残されている。
【００１６】
【発明の要約】
本発明は、まず第一に基板からプラズマエッチング残渣を除くために有用な非腐食性洗浄組成物に対して向けられたものである。組成物は（ａ）水、（ｂ）少なくとも１つのヒドロキシアンモニウム化合物、（ｃ）好ましくはアミンと４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１つの塩基性化合物、（ｄ）少なくとも１つの有機カルボン酸を含む。場合によっては、多水酸基化合物も含まれる。組成物のｐＨは約２から約６の間である。
【００１７】
【発明の詳述】
金属基板は一般的には腐食に敏感である。例えば、アルミニウム、銅、アルミニウム−銅合金、タングステン窒化物、その他の金属、金属窒化物は、慣用的な洗浄化学物質により容易に腐食される。これは慣用的な洗浄溶液の高いアルカリ性のためである。この問題は、本発明の洗浄組成物を用いることにより解決され、かかる組成物は弱酸性組成であるため、金属の腐食を促進せずに金属基板が効果的に洗浄される。
【００１８】
本発明の組成物においては、少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が重要な成分として含まれなければならない。ヒドロキシルアンモニウム化合物は、例えば式（Ｉ）で示されるヒドロキシアンモニウム塩である。
ｎ(ＮＲ1Ｒ2Ｒ3ＯＨ)+(Ｘ-n) （Ｉ）
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ水素、炭素数が１から４の低級アルキル基、炭素原子数が１から４のアルコキシ基、水酸基、炭素数１から４の水酸基置換低級アルキル基から選ばれる。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のうちの少なくとも２つは、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基のいずれかである。式中、Ｘはヒドロキシルアンモニウムカチオンか４級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成するアニオン部分であり、ｎはＸの原子価であり、１から３の間である。本発明の洗浄方法の利用に好適な洗浄組成物を形成するのに使われるヒドロキシルアンモニウム化合物としては、ヒドロキシルアンモニウム硝酸塩（ＨＡＮとも称される）、ヒドロキシルアンモニウム硫酸塩（ＨＡＳとも称される）、ヒドロキシルアンモニウムリン酸塩、ヒドロキシルアンモニウム塩酸塩、ヒドロキシルアンモニウムシュウ酸塩、ヒドロキシルアンモニウムクエン酸塩、ヒドロキシルアンモニウムフルオライド、Ｎ,Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、Ｎ,Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム硝酸塩などのヒドロキシルアンモニウム塩を含む。
【００１９】
ヒドロキシルアンモニウム化合物は、本発明の組成物において、約０.０１ｗｔ％から３０ｗｔ％の範囲内で存在する。好ましくは、組成物のヒドロキシルアンモニウム化合物は、０.１ｗｔ％から２０ｗｔ％である。塩基性アミン及び／又は４級アンモニウム水酸化物に対比した、ヒドロキシルアンモニウム化合物の量は、組成物全体のｐＨが約２から約６の範囲内、好ましくは約３.０から約４.５の範囲内になるように調整される。ヒドロキシルアンモニウム化合物は、プラズマエッチング残渣の除去を容易にし、金属基板の腐食を防止する。
【００２０】
本発明は少なくとも１つの塩基性化合物を含む。塩基性化合物は、例えば、アミンや４級アンモニウム水酸化物である。本発明の洗浄組成物の塩基性成分として使用されるアミンは、ヒドロキシルアミンとモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレン−グリコールアミン、Ｎ−ヒドロキシルエチルピペラジンなど他のアルカノールアミンを含む。本発明の洗浄組成物の塩基性成分として使われる４級アンモニウム水酸化物は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチルを有するテトラアルキルアンモニウム水酸化物及びその組み合せ、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（以下ＴＭＡＨと称する）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリ（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラ（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなど）を含む。それに加え、アンモニウム水酸化物と１つあるいはそれ以上の４級アンモニウム水酸化物の組み合せも使用されるだろう。
【００２１】
本発明の洗浄組成物において、塩基性化合物は重量で約０.０１％から約３％の範囲内で存在する。好ましくは、組成物の塩基性化合物は、重量で約０.０５％から約２％である。
【００２２】
本発明においては、少なくとも１つの有機カルボン酸が含まれなければならない。カルボン酸は腐食防止剤として役立つ。カルボン酸、とりわけヒドロキシル基を有するカルボン酸は、アルミニウム、銅及びそれらの合金の金属腐食を有効に防止する。カルボン酸はこれらの金属に対してキレート効果を有する。好ましいカルボン酸には、モノカルボン酸及びポリカルボン酸が含まれる。例えば、カルボン酸としては、これらに限定されないが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリア酸、イソバレリア酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、１,２,３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びそれらの混合物などがある。
【００２３】
有機カルボン酸は、都合よくは、約０.０１ｗｔ％から約１０.０ｗｔ％の間で加えられる。好ましくは約０.０５ｗｔ％から約３.０ｗｔ％、最も好ましくは、０.１ｗｔ％から１.０ｗｔ％の有機カルボン酸が組成物に含まれる。
【００２４】
本発明の洗浄組成物は、場合によっては多価水酸基化合物を含むこともある。多価水酸基化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール及びその混合物などである。
【００２５】
本発明は添加物を含むこともあろう。キレート化合物や界面活性剤のような添加物は、ウエハー表面から微粒子及び／又は金属汚染物質を除去において、本発明の組成物の効果を増強する。好ましい添加物は、例えば、非イオン性界面活性剤、とりわけ、ＣＳ−１として知られるキレート基の付加したポリオキシエチレン型の表面活性剤であり、これはＢＡＳＦから市販品が入手可能である。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態において、基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を除去するための組成物は、水、約０.２ｗｔ％から約２０ｗｔ％のヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、約０.０１ｗｔ％から約０.１ｗｔ％のテトラメチルアンモニウム水酸化物、約０.１ｗｔ％から３ｗｔ％のクエン酸を含む。本実施の形態における組成物のｐＨは、約２から約６、好ましくは約３から約４である。
【００２７】
基板は、例えば洗浄組成物をタンクに入れ、基板を洗浄組成物の中に沈めるなどの任意の方法により、洗浄組成物と接触させられる。好ましくは、基板は洗浄組成物でスプレイリンスされる。
【００２８】
本発明は以下のフォトレジストストリッピング工程と組み合せて使用される洗浄方法を含み、その工程は典型的には本発明の洗浄方法の前に行われる。Ｏ2プラズマアッシング、オゾンガスフェーズ処理、フッ素プラズマ処理、ホットＨ2ガス処理（米国特許第５,６９１,１１７号公報に記載）等を含めた任意のドライストリッピング工程が使用できる。好ましいストリッピング工程は、Ｏ2プラズマアッシングである。
【００２９】
それに加え、洗浄方法は有機ウェットストリッピング方法と組み合せて使用できる。有機ウエットストリップは、本発明の洗浄方法の前に行われるか、後に行われるか、あるいは前後ともに行われる。任意の慣用的有機ウェットストリッピング溶液が使用され、当業者は、適切な有機ウェットストリッパーを選択することができる。好ましいウェットストリッピング工程は、本発明の洗浄組成物と組み合せたオゾン化水による処理である。従って、本発明の洗浄方法は、有機溶媒をベースとしたポストストリップリンスの代替として使用される。これは、好ましい洗浄組成物が非腐食性であり、また環境に害を及ぼさない弱酸性水溶液に対して中性であるためである。さらに本発明で使用される洗浄組成物は、水性化学廃棄物に対する通常の排水システムで廃棄される。
【００３０】
銅やアルミニウムのような基板から残渣を除去する方法は、（ａ）水、（ｂ）少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物、（ｃ）少なくとも１つの塩基性化合物、（ｄ）少なくとも１つの有機カルボン酸を含む洗浄組成物を基板に適用する工程を含む。塩基性化合物は好ましくはアミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる。これに加え、洗浄組成物は多水酸基化合物を含む。また、洗浄組成物のｐＨは約２から約６であることが好ましい。さらに好ましくは、ｐＨは約３.０から約４.５である。
【００３１】
本発明を例証するために、以下に実施例を与えた。本発明は記載された実施例に限定されるものではないことは理解されるべきである。
【００３２】
実施例１
２１グラムのヒドロキシルアンモニウム硫酸塩（ＨＡＳ）、１グラムのクエン酸（ＣＡ）を９９６８グラムのＤＩ水に溶解し、１グラムの２５ｗｔ％のテトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）を添加して、得られた溶液のｐＨが３.３から３.４の範囲内に入るように調整した。得られた溶液の各成分の濃度は次の通りであった。ＨＡＳ ０.２１ｗｔ％、ＣＡ ０.１ｗｔ％、ＴＭＡＨ ０.０１ｗｔ％、残りは水。
【００３３】
テストウエハーは、多層をシリコン基板上に蒸着させ、続いて、フォトレジストフィルムをリトグラフ的にマイクロパターン化した後で、最上３層をプラズマエッチングすることにより製造された。
【００３４】
（１） ＳｉＯ2（最下層）、Ｃｕ、Ｓｉ3Ｎ4、低ｋ誘電層（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌにより供給されるＳｉＬＫ(R)）、ＳｉＯ2及びフォトレジスト（最上層）の蒸着。ここでＳｉＬＫ及びスピンコートされたフォトレジスト層を除く全ての層は、ＣＶＤ（化学蒸気蒸着）により蒸着された。
（２） 上のＳｉＯ2層のプラズマエッチングは、パターン化されたフォトレジストフィルムをマスクとして用い、フッ素含有ガスにより行われ、続いて、酸素含有ガスを用いて、フォトレジストマスクのアッシングばかりでなく、ＳｉＬＫ層の第２プラズマエッチングが行われた。
【００３５】
得られたウエハーは、バイアホール内に分散したかなりの量のエッチング後の残渣を有していた。ウエハーはそれから上述した洗浄組成物５５℃で１５分間処理され、室温で５分間水洗され、そして窒素ガスのジェットストリームをウエハー表面に吹きつけて乾燥された。
【００３６】
洗浄されたウエハーは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、バイアホールの断面を見るために切断された。ＳＥＭの検査でその他の層、つまりＳｉＬＫ、Ｃｕ、Ｓｉ3Ｎ4、そして最上のＳｉＯ2層に損傷を与えずに、バイアホールからエッチング後の残渣が完全に除去されていることが判った。
【００３７】
実施例２
洗浄溶液は、２０.５グラムの固体ＨＡＳ、３.４１グラムの８８ｗｔ％乳酸（ＬＡ）水溶液、０.９１グラムの２５ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液をＤＩ水（７５.１８グラム）に添加して調合された。得られた溶液の各成分の濃度は次の通りであった。ＨＡＳ ２０.５ｗｔ％、ＬＡ ３.０ｗｔ％、ＴＭＡＨ ０.２３ｗｔ％、残りは水。
【００３８】
テストウエハーは多層をシリコン基板に蒸着させ、続いてリトグラフ的にフォトレジストをマイクロパターン化した後、最上３層をプラズマエッチングすることにより製造された。
【００３９】
（１） ＳｉＯ2（最下層）、ＴｉＮ、Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ１％）、ＴｉＮ及びフォトレジスト（最上層）の蒸着。ここで、スピンコートされたフォトレジスト層を除いて、他の全ての層はＣＶＤにより蒸着された。
（２） 上下の窒化物層ばかりでなく、Ａｌ−Ｃｕ層のプラズマエッチングが、塩素含有ガスにより、パターン化されたフォトレジストマスクを用いてなされ、続いて酸素含有ガスを用いてフォトレジストマスクがアッシングされた。
【００４０】
得られたウエハーは寸法０.６ミクロンの線幅のＡｌ−Ｃｕ金属線を有しており、金属線の側部及び上部にはエッチング後の残渣が付着していた。ウエハーは上述した洗浄組成物により６０℃で３０分間処理され、続いて室温で５分間水洗され、それから窒素ガスのジェットストリームをウエハー表面に吹きつけて乾燥させた。処理により生じたＡｌ−Ｃｕ金属の線の損失を決定するため、ＳＥＭでＡｌ−Ｃｕ線の断面が見えるように、洗浄されたウエハーは切断された。ＳＥＭの検査によりエッチング後の残渣が完全に除去され、線の損失は全線幅の５％であり、このことは許容レベルであると考えられる。
【００４１】
実施例３（比較）
クエン酸を洗浄溶液に加えなかったことを除いては、実施例１に記載したのと同様の方法で洗浄溶液を調合した。このテストでは、実施例１と同様のテストウエハーが使用された。ＳＥＭ検査により、実施例１と同様、エッチング後の残渣がバイアホールから完全に除去されていたが、実施例１と同様の試験条件下で、実施例１に比較して銅層がかなり腐食していることが判った。
【００４２】
実施例４（比較）
乳酸を洗浄液に加えなかったことを除いては、実施例２で記載したのと同様の方法で洗浄溶液を調合した。ＳＥＭ検査により、実施例２と同様、エッチング後の残渣は完全に除去されていたが、実施例２で適用したのと同様の試験条件下で、線の損失は全アルミニウム線幅に対して５％以上であった。
【００４３】
特定の実施の形態について、本発明の記述が上でなされたが、ここに開示された本発明の概念から外れることなく、多くの変更、修正、変形がなさうるのは明白である。従って、クレームの精神及び広い範囲に入る全ての変更、修正、変形を包含することが意図される。ここで引用した全ての特許出願、特許、他の出版物は全て参考文献に組み込まれる。

Claims (17)

  1. 次の成分、
    （ａ）水
    （ｂ）少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物
    （ｃ）少なくとも１つの塩基性化合物
    （ｄ）乳酸、クエン酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、１,２,３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びその混合物からなる群より選ばれる少なくとも１つの有機カルボン酸
    を包含する、基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を除去するのに有効な洗浄組成物。
  2. ヒドロキシルアンモニウム化合物が、ヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、ヒドロキシルアンモニウム硝酸塩、ヒドロキシルアンモニウムリン酸塩、ヒドロキシルアンモニウムクロライド、ヒドロキシルアンモニウムフルオライド、ヒドロキシルアンモニウムシュウ酸塩、ヒドロキシルアンモニウムクエン酸塩、及びその混合物からなる群より選ばれる請求項１に記載の組成物
  3. ヒドロキシルアンモニウム化合物が前記組成物の全重量に対して０.０１wt％〜３０wt％である請求項１に記載の組成物。
  4. 前記塩基性化合物がアミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる請求項１に記載の組成物。
  5. 前記塩基性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド及びその混合物からなる群より選ばれる４級アンモニウム水酸化物である請求項４に記載の組成物。
  6. 前記塩基性化合物が、前記組成物の全重量に対して０.０１wt％〜３wt％である請求項１に記載の組成物。
  7. 前記有機カルボン酸が、前記組成物の全重量に対して０.０１wt％〜１０wt％である請求１に記載の組成物。
  8. さらに多水酸基化合物を含む請求項１に記載の組成物。
  9. 前記多水酸基化合物がエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール及びその混合物からなる群より選ばれる請求項８に記載の組成物。
  10. 前記組成物のｐＨが２〜６である請求項１に記載の組成物。
  11. 前記組成物のｐＨが３〜４.５である請求項１０に記載の組成物。
  12. 前記組成物が、（ａ）水、（ｂ）０.２wt％〜２０wt％のヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、（ｃ）０.０１wt％〜０.１wt％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、（ｄ）０.１wt％〜３wt％のクエン酸を含む請求項１に記載の組成物。
  13. 次の成分、
    （ａ）水
    （ｂ）少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物
    （ｃ）少なくとも１つの塩基性化合物
    （ｄ）乳酸、クエン酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、１,２,３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びその混合物からなる群より選ばれる少なくとも１つの有機カルボン酸
    を包含する洗浄組成物を基板に塗布する工程からなる、基板からプラズマエッチング残渣を洗浄する方法。
  14. 前記塩基性化合物がアミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる請求項１３に記載の方法。
  15. 前記洗浄組成物がさらに多水酸基化合物を含む請求項１３に記載の方法。
  16. 前記洗浄組成物のｐＨが２〜６である請求項１３に記載の方法。
  17. 基板が金属基板である請求項１３に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2305788A1 (en) 2009-09-30 2011-04-06 FUJIFILM Corporation Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6609955B1 (en) * 1998-12-04 2003-08-26 Farrow System Limited Method for removing surface coatings
US6413923B2 (en) * 1999-11-15 2002-07-02 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
KR20030007969A (ko) 2000-06-16 2003-01-23 카오카부시키가이샤 세정제 조성물
US6498131B1 (en) * 2000-08-07 2002-12-24 Ekc Technology, Inc. Composition for cleaning chemical mechanical planarization apparatus
JP2002303993A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002367956A (ja) * 2001-04-06 2002-12-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の電極パッド及びその製造方法
KR100416794B1 (ko) * 2001-04-12 2004-01-31 삼성전자주식회사 금속 건식 에쳐 부품의 세정제 및 세정 방법
JP4945857B2 (ja) 2001-06-13 2012-06-06 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド洗浄用組成物及び研磨パッド洗浄方法
JP2003007680A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Kishimoto Sangyo Co Ltd ドライエッチング残渣除去剤
US6627546B2 (en) * 2001-06-29 2003-09-30 Ashland Inc. Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor
MY131912A (en) * 2001-07-09 2007-09-28 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
JP3797541B2 (ja) * 2001-08-31 2006-07-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
JP4583678B2 (ja) * 2001-09-26 2010-11-17 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置用洗浄液
CN1240816C (zh) * 2001-12-12 2006-02-08 海力士半导体有限公司 除去光致抗蚀剂的洗涤液
AU2003225178A1 (en) * 2002-04-24 2003-11-10 Ekc Technology, Inc. Oxalic acid as a cleaning product for aluminium, copper and dielectric surfaces
US7935665B2 (en) 2002-04-25 2011-05-03 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues
JP3516446B2 (ja) * 2002-04-26 2004-04-05 東京応化工業株式会社 ホトレジスト剥離方法
US6610599B1 (en) * 2002-06-19 2003-08-26 Lucent Technologies Inc. Removal of metal veils from via holes
US20040050406A1 (en) * 2002-07-17 2004-03-18 Akshey Sehgal Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical
US7166419B2 (en) 2002-09-26 2007-01-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions substrate for removing etching residue and use thereof
US7080545B2 (en) * 2002-10-17 2006-07-25 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems
US20050032657A1 (en) * 2003-08-06 2005-02-10 Kane Sean Michael Stripping and cleaning compositions for microelectronics
CN1934233B (zh) * 2003-10-28 2015-02-04 塞克姆公司 清洁溶液和蚀刻剂及其使用方法
US20050126588A1 (en) * 2003-11-04 2005-06-16 Carter Melvin K. Chemical mechanical polishing slurries and cleaners containing salicylic acid as a corrosion inhibitor
KR100795364B1 (ko) * 2004-02-10 2008-01-17 삼성전자주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법
CN1690120A (zh) * 2004-03-01 2005-11-02 三菱瓦斯化学株式会社 具有高减震能力的树脂组合物
KR20050110470A (ko) * 2004-05-19 2005-11-23 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
KR100629416B1 (ko) * 2004-07-28 2006-09-28 주식회사 삼양이엠에스 레지스트 수계 박리액 조성물
JP3994992B2 (ja) * 2004-08-13 2007-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
JP4810928B2 (ja) * 2004-08-18 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 洗浄液および洗浄法。
US7718009B2 (en) 2004-08-30 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface
KR101331747B1 (ko) * 2005-01-27 2013-11-20 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 반도체 기판 처리 조성물
US7923423B2 (en) * 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7888302B2 (en) * 2005-02-03 2011-02-15 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous based residue removers comprising fluoride
US20060183654A1 (en) * 2005-02-14 2006-08-17 Small Robert J Semiconductor cleaning using ionic liquids
US7923424B2 (en) * 2005-02-14 2011-04-12 Advanced Process Technologies, Llc Semiconductor cleaning using superacids
TW200709294A (en) * 2005-06-13 2007-03-01 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation
KR100655647B1 (ko) * 2005-07-04 2006-12-08 삼성전자주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이의 제조 방법, 이를이용한 반도체 기판의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조방법
US7879782B2 (en) * 2005-10-13 2011-02-01 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition and method for using same
US8772214B2 (en) * 2005-10-14 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
WO2007045268A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Freescale Semiconductor, Inc. Method for removing etch residue and chemistry therefor
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
TW200734448A (en) * 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
US20070191243A1 (en) * 2006-02-13 2007-08-16 General Chemical Performance Products, Llc Removal of silica based etch residue using aqueous chemistry
US20070232511A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Matthew Fisher Cleaning solutions including preservative compounds for post CMP cleaning processes
US8685909B2 (en) 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
EP2082024A4 (en) * 2006-09-25 2010-11-17 Advanced Tech Materials COMPOSITIONS AND METHODS FOR REMOVING A PHOTORESISTANT AGENT FOR RECYCLING A SILICON GALETTE
JP5873718B2 (ja) 2008-10-21 2016-03-01 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅の洗浄及び保護配合物
JP4903242B2 (ja) * 2008-10-28 2012-03-28 アバントール パフォーマンス マテリアルズ， インコーポレイテッド 多金属デバイス処理のためのグルコン酸含有フォトレジスト洗浄組成物
ES2588377T3 (es) * 2008-12-23 2016-11-02 The Procter & Gamble Company Composición limpiadora de superficies duras ácida y líquida
US8765653B2 (en) 2009-07-07 2014-07-01 Air Products And Chemicals, Inc. Formulations and method for post-CMP cleaning
JP5508130B2 (ja) 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
JP5508158B2 (ja) * 2010-06-22 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び、半導体装置の製造方法
JP5674373B2 (ja) * 2010-07-30 2015-02-25 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
TWI491729B (zh) * 2011-08-31 2015-07-11 Dongwoo Fine Chem Co Ltd 清洗組成物
WO2013052809A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Avantor Performance Materials, Inc. Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition
CN103513523A (zh) * 2013-09-26 2014-01-15 杨桂望 光刻胶清洗剂
US20150104952A1 (en) * 2013-10-11 2015-04-16 Ekc Technology, Inc. Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper
CN105710066B (zh) * 2016-03-16 2018-03-13 中锗科技有限公司 一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法
CN107541735B (zh) * 2016-06-24 2022-01-21 三星显示有限公司 用于去除氧化物的清洗组合物及使用该清洗组合物的清洗方法
CN109385638A (zh) * 2018-12-29 2019-02-26 天津市顺超有限公司 一种铝洗剂及其制备和使用方法
US11590631B2 (en) 2019-08-14 2023-02-28 Clean Blast Systems, LLC Wet abrasive blast machine with remote control rinse cycle

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3582401A (en) 1967-11-15 1971-06-01 Mallinckrodt Chemical Works Photosensitive resist remover compositions and methods
JPS567360B2 (ja) 1972-06-05 1981-02-17
JPS5247755B2 (ja) 1973-10-05 1977-12-05
US3975215A (en) 1973-10-10 1976-08-17 Amchem Products, Inc. Cleaner for tin plated ferrous metal surfaces
DE2447225C2 (de) 1974-10-03 1983-12-22 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack
US3962497A (en) 1975-03-11 1976-06-08 Oxy Metal Industries Corporation Method for treating polymeric substrates prior to plating
JPS5217901A (en) 1975-07-31 1977-02-10 Mitsubishi Chem Ind Developer for lithographic press plate
US3962108A (en) 1975-11-03 1976-06-08 Kti Chemical, Inc. Chemical stripping solution
GB1573206A (en) 1975-11-26 1980-08-20 Tokyo Shibaura Electric Co Method of trating surfaces of intermediate products obtained in the manufacture of semiconductor devices
CA1075854A (en) 1976-08-16 1980-04-22 Charles W. Simons Aerosol propellants for personal products
US4169068A (en) 1976-08-20 1979-09-25 Japan Synthetic Rubber Company Limited Stripping liquor composition for removing photoresists comprising hydrogen peroxide
JPS56115368A (en) 1980-02-15 1981-09-10 San Ei Chem Ind Ltd Releasing agent of photosensitive polymer
US4304681A (en) 1980-09-15 1981-12-08 Shipley Company, Inc. Novel stripping composition for positive photoresists and method of using same
US4428871A (en) 1981-09-23 1984-01-31 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4395479A (en) 1981-09-23 1983-07-26 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4395348A (en) 1981-11-23 1983-07-26 Ekc Technology, Inc. Photoresist stripping composition and method
US4401747A (en) 1982-09-02 1983-08-30 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4403029A (en) 1982-09-02 1983-09-06 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4401748A (en) 1982-09-07 1983-08-30 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4509989A (en) 1983-03-25 1985-04-09 United States Steel Corporation Cleaning method for removing sulfur containing deposits from coke oven gas lines
GB8313320D0 (en) 1983-05-14 1983-06-22 Ciba Geigy Ag Coating compositions
US4791043A (en) 1983-12-20 1988-12-13 Hmc Patents Holding Co., Inc. Positive photoresist stripping composition
US4659512A (en) 1983-12-21 1987-04-21 Pedro B. Macedo Fixation of dissolved metal species with a complexing agent
DE3501675A1 (de) 1985-01-19 1986-07-24 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Mittel und verfahren zur entfernung von fotoresist- und stripperresten von halbleitersubstraten
US4617251A (en) 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
JPS6235357A (ja) 1985-08-09 1987-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
DE3601803A1 (de) 1986-01-22 1987-07-23 Basf Ag Verfahren zur herstellung von waessrigen loesungen von freiem hydroxylamin
US4834912A (en) * 1986-02-13 1989-05-30 United Technologies Corporation Composition for cleaning a gas turbine engine
US4680133A (en) 1986-03-26 1987-07-14 Environmental Management Associates, Inc. Stripping composition containing an amide and a carbonate and use thereof
JPH0721638B2 (ja) 1986-07-18 1995-03-08 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
JPS6350838A (ja) 1986-08-21 1988-03-03 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 剥離液
US4770713A (en) 1986-12-10 1988-09-13 Advanced Chemical Technologies, Inc. Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof
US4775449A (en) 1986-12-29 1988-10-04 General Electric Company Treatment of a polyimide surface to improve the adhesion of metal deposited thereon
WO1988005813A1 (en) 1987-02-05 1988-08-11 Macdermid, Incorporated Photoresist stripper composition
JPS63208043A (ja) 1987-02-25 1988-08-29 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液
DE3821231A1 (de) 1987-06-25 1989-01-05 Siemens Ag Entschichterloesung fuer gehaertete positivlacke
JP2553872B2 (ja) 1987-07-21 1996-11-13 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US4824763A (en) 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
JP2578821B2 (ja) 1987-08-10 1997-02-05 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用剥離液
US5185235A (en) 1987-09-09 1993-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Remover solution for photoresist
JP2591626B2 (ja) 1987-09-16 1997-03-19 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液
JPH0769619B2 (ja) 1987-09-25 1995-07-31 旭化成工業株式会社 フオトレジスト剥離剤
JPH0769618B2 (ja) 1987-09-25 1995-07-31 旭化成工業株式会社 フオトレジスト用剥離剤
JP2631849B2 (ja) 1987-09-30 1997-07-16 ナガセ電子化学 株式会社 剥離剤組成物
IL84255A (en) 1987-10-23 1993-02-21 Galram Technology Ind Ltd Process for removal of post- baked photoresist layer
JPH0727222B2 (ja) 1987-10-28 1995-03-29 日本合成ゴム株式会社 ホトレジスト用剥離液
JPH01133049A (ja) 1987-11-18 1989-05-25 Asahi Glass Co Ltd レジスト剥離剤
US5132038A (en) 1988-04-25 1992-07-21 Macdermid, Incorporated Composition for preparing printed circuit through-holes for metallization
US4830772A (en) 1988-06-10 1989-05-16 Hoechst Celanese Corporation Stripper composition for removal of protective coatings
JPH0638162B2 (ja) 1988-08-11 1994-05-18 工業技術院長 レジスト剥離剤
DE3828513A1 (de) 1988-08-23 1990-03-01 Merck Patent Gmbh Abloesemittel fuer fotoresists
JP2759462B2 (ja) 1988-11-11 1998-05-28 ナガセ電子化学株式会社 水性剥離剤組成物
US4971715A (en) 1988-11-18 1990-11-20 International Business Machines Corporation Phenolic-free stripping composition and use thereof
JPH0696793B2 (ja) * 1988-12-20 1994-11-30 三協アルミニウム工業株式会社 アルミニウムの電解着色液
JPH02253265A (ja) 1989-03-28 1990-10-12 Nippon Zeon Co Ltd レジスト剥離剤
DE3928435A1 (de) 1989-08-24 1991-02-28 Schering Ag Verfahren zur direkten metallisierung eines nicht leitenden substrats
US4992108A (en) 1990-01-18 1991-02-12 Ward Irl E Photoresist stripping compositions
US5318640A (en) 1990-01-30 1994-06-07 Henkel Corporation Surface treatment method and composition for zinc coated steel sheet
US5145717A (en) 1990-01-31 1992-09-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stripping method for removing resist from a printed circuit board
US5102777A (en) 1990-02-01 1992-04-07 Ardrox Inc. Resist stripping
US5091103A (en) 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
JP2906590B2 (ja) 1990-06-14 1999-06-21 三菱瓦斯化学株式会社 アルミニウム配線半導体基板の表面処理剤
JP2527268B2 (ja) 1990-09-17 1996-08-21 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離剤組成物
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US5981454A (en) * 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
JP3160344B2 (ja) 1991-01-25 2001-04-25 アシュランド インコーポレーテッド 有機ストリッピング組成物
US5496491A (en) 1991-01-25 1996-03-05 Ashland Oil Company Organic stripping composition
US5209858A (en) 1991-02-06 1993-05-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Stabilization of choline and its derivatives against discoloration
US5139607A (en) 1991-04-23 1992-08-18 Act, Inc. Alkaline stripping compositions
DE59203008D1 (de) 1991-04-24 1995-08-31 Ciba Geigy Ag Fliessfähige wässrige Dispersionen von Polycarbonsäure-Korrosionsinhibitoren.
JPH04350660A (ja) 1991-05-28 1992-12-04 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
US5447575A (en) 1991-05-31 1995-09-05 The Dow Chemical Company Degradable chelants having sulfonate groups, uses and compositions thereof
US5234506A (en) 1991-07-17 1993-08-10 Church & Dwight Co., Inc. Aqueous electronic circuit assembly cleaner and method
AU1265092A (en) 1991-07-17 1993-02-23 Church & Dwight Company, Inc. Aqueous electronic circuit assembly cleaner and method
US5480585A (en) 1992-04-02 1996-01-02 Nagase Electronic Chemicals, Ltd. Stripping liquid compositions
JPH05336371A (ja) * 1992-06-04 1993-12-17 Seiko Epson Corp 画像読み取り装置
AU4929993A (en) 1992-09-28 1994-04-26 Ducoa L.P. Photoresist stripping process using n,n-dimethyl-bis(2-hydroxyethyl) quaternary ammonium hydroxide
US5308745A (en) 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5702631A (en) * 1992-11-24 1997-12-30 Ashland Inc. Aqueous corrosion inhibitor formulations
US5336371A (en) 1993-03-18 1994-08-09 At&T Bell Laboratories Semiconductor wafer cleaning and rinsing techniques using re-ionized water and tank overflow
JP3302120B2 (ja) 1993-07-08 2002-07-15 関東化学株式会社 レジスト用剥離液
JP3285426B2 (ja) * 1993-08-04 2002-05-27 株式会社日立製作所 半導体光集積素子及びその製造方法
ES2166366T3 (es) * 1993-08-19 2002-04-16 Kao Corp Composicion de detergente germicida-desinfectante.
US6326130B1 (en) 1993-10-07 2001-12-04 Mallinckrodt Baker, Inc. Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion
US5419779A (en) 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
JP3316078B2 (ja) 1994-03-04 2002-08-19 日本表面化学株式会社 レジスト剥離液
US5484518A (en) 1994-03-04 1996-01-16 Shipley Company Inc. Electroplating process
US5417802A (en) 1994-03-18 1995-05-23 At&T Corp. Integrated circuit manufacturing
JP3074634B2 (ja) 1994-03-28 2000-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
US5472830A (en) 1994-04-18 1995-12-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosion photoresist stripping composition
US5545353A (en) 1995-05-08 1996-08-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5507978A (en) 1995-05-08 1996-04-16 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Novolak containing photoresist stripper composition
US5612304A (en) 1995-07-07 1997-03-18 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Redox reagent-containing post-etch residue cleaning composition
US5614324A (en) * 1995-07-24 1997-03-25 Gould Electronics Inc. Multi-layer structures containing a silane adhesion promoting layer
US5648324A (en) 1996-01-23 1997-07-15 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Photoresist stripping composition
CA2262574C (en) 1996-08-05 2004-02-24 The Procter & Gamble Company Stable web having enhanced extensibility and method for making same
US6245155B1 (en) * 1996-09-06 2001-06-12 Arch Specialty Chemicals, Inc. Method for removing photoresist and plasma etch residues
US5780406A (en) * 1996-09-06 1998-07-14 Honda; Kenji Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US6030932A (en) * 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
US5698503A (en) 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US6033993A (en) * 1997-09-23 2000-03-07 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Process for removing residues from a semiconductor substrate
US5895781A (en) * 1997-12-22 1999-04-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Cleaning compositions for ceramic and porcelain surfaces and related methods
US6361712B1 (en) * 1999-10-15 2002-03-26 Arch Specialty Chemicals, Inc. Composition for selective etching of oxides over metals
US6413923B2 (en) * 1999-11-15 2002-07-02 Arch Specialty Chemicals, Inc. Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2305788A1 (en) 2009-09-30 2011-04-06 FUJIFILM Corporation Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device
US9068153B2 (en) 2009-09-30 2015-06-30 Fujifilm Corporation Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device
US9726978B2 (en) 2009-09-30 2017-08-08 Fujifilm Corporation Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device

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