JP3316078B2 - レジスト剥離液 - Google Patents
レジスト剥離液Info
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- JP3316078B2 JP3316078B2 JP5830394A JP5830394A JP3316078B2 JP 3316078 B2 JP3316078 B2 JP 3316078B2 JP 5830394 A JP5830394 A JP 5830394A JP 5830394 A JP5830394 A JP 5830394A JP 3316078 B2 JP3316078 B2 JP 3316078B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルカリ可溶型レジスト
フィルム剥離液における錫及び錫合金の腐食抑制に関す
るものである。
フィルム剥離液における錫及び錫合金の腐食抑制に関す
るものである。
【０００２】
【従来技術と問題点】プリント配線板、ＩＣ部材等の製
造工程において錫及び錫合金で銅基材上にパターンめっ
きを行うためのレジストフィルムは溶剤可溶型とアルカ
リ可溶型に分かれ、レジストフィルム剥離は浸漬あるい
はスプレー方式で行われるが、溶剤への規制強化ならび
に作業性から、スプレー方式のアルカリ可溶型レジスト
フィルムの採用が増加している。アルカリ可溶型レジス
トフィルムの剥離液は一般に１０〜６０ｇ／ｌの水酸化
ナトリウム溶液であるため、レジストフィルム剥離と同
時に錫及び錫合金を腐食し、次工程でのパターン形成の
不良要因となり易く、特にスプレー方式でのレジストフ
ィルム剥離では錫及び錫合金の腐食が促進されパターン
欠線等の重大な不良の引き金となっている。
造工程において錫及び錫合金で銅基材上にパターンめっ
きを行うためのレジストフィルムは溶剤可溶型とアルカ
リ可溶型に分かれ、レジストフィルム剥離は浸漬あるい
はスプレー方式で行われるが、溶剤への規制強化ならび
に作業性から、スプレー方式のアルカリ可溶型レジスト
フィルムの採用が増加している。アルカリ可溶型レジス
トフィルムの剥離液は一般に１０〜６０ｇ／ｌの水酸化
ナトリウム溶液であるため、レジストフィルム剥離と同
時に錫及び錫合金を腐食し、次工程でのパターン形成の
不良要因となり易く、特にスプレー方式でのレジストフ
ィルム剥離では錫及び錫合金の腐食が促進されパターン
欠線等の重大な不良の引き金となっている。
【０００３】上記問題点の対策として特開昭６２−１５
１５８９“錫鉛合金のエッチング抑制剤”に３，５−ジ
メチルピラゾールから成る抑制剤と、特開昭６３−１８
３４４５“水溶性レジストフィルム用剥離剤”に還元性
物質、アリールスルホン酸ナトリウム、イオウ化合物か
ら成る抑制剤が記載されているが、前者は一般的なスプ
レー方式でのレジストフィルム剥離では錫及び錫合金の
腐蝕抑制効果に乏しく、後者は、スプレー方式でも錫及
び錫合金の腐蝕抑制効果は認められるが、持続性に乏し
く補給管理が困難で、分解生成物のＣＯＤ値も非常に高
く実用的ではない。
１５８９“錫鉛合金のエッチング抑制剤”に３，５−ジ
メチルピラゾールから成る抑制剤と、特開昭６３−１８
３４４５“水溶性レジストフィルム用剥離剤”に還元性
物質、アリールスルホン酸ナトリウム、イオウ化合物か
ら成る抑制剤が記載されているが、前者は一般的なスプ
レー方式でのレジストフィルム剥離では錫及び錫合金の
腐蝕抑制効果に乏しく、後者は、スプレー方式でも錫及
び錫合金の腐蝕抑制効果は認められるが、持続性に乏し
く補給管理が困難で、分解生成物のＣＯＤ値も非常に高
く実用的ではない。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明は、上記問題点
を鑑みてアルカリ可溶型レジストフィルム剥離に悪影響
を与えず、スプレー方式でも錫及び錫合金の腐食抑制効
果が高く、かつ持続性に優れた添加剤を見出すべく、種
々研究を重ね持続性に富んだ錫及び錫合金の腐食抑制剤
を完成するに至った。すなわち本発明は、アルカリ金属
水酸化物の水溶液に、酸素を異原子とする複素環式化合
物及びスルファミン酸又はその塩より成る錫及び錫合金
の腐食抑制剤を含有したことを特徴とするレジスト剥離
液である。本発明はこれに更に窒素を異原子とする複素
環式化合物を更に含有することを特徴とする錫及び錫合
金の腐食抑制剤も提供する。
を鑑みてアルカリ可溶型レジストフィルム剥離に悪影響
を与えず、スプレー方式でも錫及び錫合金の腐食抑制効
果が高く、かつ持続性に優れた添加剤を見出すべく、種
々研究を重ね持続性に富んだ錫及び錫合金の腐食抑制剤
を完成するに至った。すなわち本発明は、アルカリ金属
水酸化物の水溶液に、酸素を異原子とする複素環式化合
物及びスルファミン酸又はその塩より成る錫及び錫合金
の腐食抑制剤を含有したことを特徴とするレジスト剥離
液である。本発明はこれに更に窒素を異原子とする複素
環式化合物を更に含有することを特徴とする錫及び錫合
金の腐食抑制剤も提供する。
【０００５】酸素を異原子とする複素環式化合物は、単
独又は２種類以上組合せて使用することができ、酸素を
異原子とする複素環式化合物であれば特に限定は受けな
いが、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン−２，
４−ジオン、２−ピロン、４−ピロン、フタリドなどが
好んで使用され、それら化合物の置換誘導体も好んで使
用される。（例えばγ−ブチロラクトン−β−カルボン
酸、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、３−ヒドロキ
シ−２−ピロン、２−ピロン−６−カルボン酸、５，６
−ベンゾ−２−ピロン、３，４−ベンゾ−２−ピロン、
２−ピロン−５−カルボン酸、３−ヒドロキシ−４−ピ
ロン、３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ピロン、５−
ヒドロキシ−２−ヒドロキシメチル−４−ピロン、４−
ピロン−２−カルボン酸、５−ヒドロキシ−４−ピロン
−２−カルボン酸、４−ピロン−２，６−ジカルボン
酸、２，３−ベンゾ−４−ピロン、２，６−ジメチル−
４−ピロン）その配合量は０．０１〜４０ｇ／ｌ、好ま
しくは０．０５〜３５ｇ／ｌである。酸素を異原子とす
る複素環式化合物は錫及び錫合金に対して吸着型の抑制
作用を有し、０．０１ｇ／ｌ以下では効果が不充分で、
４０ｇ／ｌ以上では完全に効果が飽和するため好ましく
ない。
独又は２種類以上組合せて使用することができ、酸素を
異原子とする複素環式化合物であれば特に限定は受けな
いが、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン−２，
４−ジオン、２−ピロン、４−ピロン、フタリドなどが
好んで使用され、それら化合物の置換誘導体も好んで使
用される。（例えばγ−ブチロラクトン−β−カルボン
酸、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、３−ヒドロキ
シ−２−ピロン、２−ピロン−６−カルボン酸、５，６
−ベンゾ−２−ピロン、３，４−ベンゾ−２−ピロン、
２−ピロン−５−カルボン酸、３−ヒドロキシ−４−ピ
ロン、３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ピロン、５−
ヒドロキシ−２−ヒドロキシメチル−４−ピロン、４−
ピロン−２−カルボン酸、５−ヒドロキシ−４−ピロン
−２−カルボン酸、４−ピロン−２，６−ジカルボン
酸、２，３−ベンゾ−４−ピロン、２，６−ジメチル−
４−ピロン）その配合量は０．０１〜４０ｇ／ｌ、好ま
しくは０．０５〜３５ｇ／ｌである。酸素を異原子とす
る複素環式化合物は錫及び錫合金に対して吸着型の抑制
作用を有し、０．０１ｇ／ｌ以下では効果が不充分で、
４０ｇ／ｌ以上では完全に効果が飽和するため好ましく
ない。
【０００６】スルファミン酸又はその塩は、スルファミ
ン酸、スルファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カリ
ウム、スルファミン酸アンモニウムなどが好んで使用さ
れる。その配合量は０．０５〜４０ｇ／ｌ、好ましくは
０．１〜３５ｇ／ｌである。スルファミン酸又はその塩
は、酸素を異原子とする複素環式化合物の安定化剤で、
０．０５ｇ／ｌ以下では充分な安定化作用が得られず、
４０ｇ／ｌ以上では作用が飽和するため好ましくない。
ン酸、スルファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カリ
ウム、スルファミン酸アンモニウムなどが好んで使用さ
れる。その配合量は０．０５〜４０ｇ／ｌ、好ましくは
０．１〜３５ｇ／ｌである。スルファミン酸又はその塩
は、酸素を異原子とする複素環式化合物の安定化剤で、
０．０５ｇ／ｌ以下では充分な安定化作用が得られず、
４０ｇ／ｌ以上では作用が飽和するため好ましくない。
【０００７】窒素を異原子とする複素環式化合物は、単
独又は２種類以上組合せて使用することができ、窒素を
異原子とする複素環式化合物であれば特に限定は受けな
いが、２−ピロリドン、インドール、インドリン、イン
ダゾール、イミダゾリジン、ベンゾイミダゾール、２−
ベンゾイミダゾリノン、ベンゾトリアゾール、プリンな
どが好んで使用され、それら化合物の置換誘導体も好ん
で使用される。（例えば３−ヒドロキシインドール、
２，３−インドリンジオン、２，４−イミダゾリジンジ
オン、２−イミダゾリドン、２−エチルベンゾイミダゾ
ール、２，６，８−プリントリオール、２，６−プリン
ジオール）その配合量は０．０１〜４０ｇ／ｌ、好まし
くは０．０５〜３５ｇ／ｌである。窒素を異原子とする
複素環式化合物は、錫及び錫合金ならびに銅基材に対す
るアルカリ焼け防止剤で、腐食抑制作用もあわせ持ち、
０．０１ｇ／ｌ以下では添加効果が不充分で、４０ｇ／
ｌ以上では効果が飽和するため好ましくない。
独又は２種類以上組合せて使用することができ、窒素を
異原子とする複素環式化合物であれば特に限定は受けな
いが、２−ピロリドン、インドール、インドリン、イン
ダゾール、イミダゾリジン、ベンゾイミダゾール、２−
ベンゾイミダゾリノン、ベンゾトリアゾール、プリンな
どが好んで使用され、それら化合物の置換誘導体も好ん
で使用される。（例えば３−ヒドロキシインドール、
２，３−インドリンジオン、２，４−イミダゾリジンジ
オン、２−イミダゾリドン、２−エチルベンゾイミダゾ
ール、２，６，８−プリントリオール、２，６−プリン
ジオール）その配合量は０．０１〜４０ｇ／ｌ、好まし
くは０．０５〜３５ｇ／ｌである。窒素を異原子とする
複素環式化合物は、錫及び錫合金ならびに銅基材に対す
るアルカリ焼け防止剤で、腐食抑制作用もあわせ持ち、
０．０１ｇ／ｌ以下では添加効果が不充分で、４０ｇ／
ｌ以上では効果が飽和するため好ましくない。
【０００８】剥離主剤であるアルカリ金属水酸化物とし
ては水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムが使用できる
が、コストの面から水酸化ナトリウムが好ましい。水酸
化アルカリの溶液濃度は１０〜６０ｇ／ｌ範囲で任意に
変動できる。またスプレー時にしばしば発泡が生じる場
合があるためポリアルキレングリコールなどの消泡剤を
少量添加することができる。
ては水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムが使用できる
が、コストの面から水酸化ナトリウムが好ましい。水酸
化アルカリの溶液濃度は１０〜６０ｇ／ｌ範囲で任意に
変動できる。またスプレー時にしばしば発泡が生じる場
合があるためポリアルキレングリコールなどの消泡剤を
少量添加することができる。
【０００９】本発明の剥離液による処理対象となるアル
カリ可溶性のレジストには大別して架橋型、重合型、変
性型、分解型がある。架橋型には公知の水溶性高分子＋
重クロム酸アンモニウム系、桂皮酸エステル系、高分子
化合物＋ビスアジド化合物系などがある。重合型には公
知のアクリル酸エステル系がある。変性型にはナフトキ
ノンジアジド系がある。分解型には公知のポリメタクリ
ル酸エステル、ポリ（−Ｏ−フタルアルデヒド）系があ
る。なお、アルカリ可溶なレジストであれば本発明の剥
離液は有効である。以下に本発明を例示するために実施
例を示すが本発明はこれらによってなんら制約されな
い。
カリ可溶性のレジストには大別して架橋型、重合型、変
性型、分解型がある。架橋型には公知の水溶性高分子＋
重クロム酸アンモニウム系、桂皮酸エステル系、高分子
化合物＋ビスアジド化合物系などがある。重合型には公
知のアクリル酸エステル系がある。変性型にはナフトキ
ノンジアジド系がある。分解型には公知のポリメタクリ
ル酸エステル、ポリ（−Ｏ−フタルアルデヒド）系があ
る。なお、アルカリ可溶なレジストであれば本発明の剥
離液は有効である。以下に本発明を例示するために実施
例を示すが本発明はこれらによってなんら制約されな
い。
【００１０】
実施例１ アルカリ可溶型レジストフィルム（フォテックＨ−Ｎ３
４０、日立化成（株）製）を用いてパターン作図した銅
基材に錫あるいは半田めっきを行った後に、水酸化ナト
リウム４０ｇ／ｌ溶液に表１添加物を配合し温度５２±
２℃、スプレー圧２．０±０．１ｋｇ／ｃｍ2 条件下で
５分間処理しレジストフィルムの剥離を行った。更に５
時間スプレー循環した後に、同条件下でレジストフィル
ムの剥離を行い、それぞれのめっき断面を電子顕微鏡に
て観察し錫及び半田めっきの腐食量を求め結果を表１に
示した。
４０、日立化成（株）製）を用いてパターン作図した銅
基材に錫あるいは半田めっきを行った後に、水酸化ナト
リウム４０ｇ／ｌ溶液に表１添加物を配合し温度５２±
２℃、スプレー圧２．０±０．１ｋｇ／ｃｍ2 条件下で
５分間処理しレジストフィルムの剥離を行った。更に５
時間スプレー循環した後に、同条件下でレジストフィル
ムの剥離を行い、それぞれのめっき断面を電子顕微鏡に
て観察し錫及び半田めっきの腐食量を求め結果を表１に
示した。
【００１１】
【表１】
【表２】
【００１２】また、水酸化ナトリウム溶液濃度を１０〜
６０ｇ／ｌ範囲で任意に変動した場合もほぼ同様な結果
が得られた。
６０ｇ／ｌ範囲で任意に変動した場合もほぼ同様な結果
が得られた。
【００１３】比較例１ 表２に示す添加剤を用いる以外は実施例１と同様な条件
にてレジストフィルムの剥離を行い錫めっきの腐食量を
求め、結果を表２に示した。
にてレジストフィルムの剥離を行い錫めっきの腐食量を
求め、結果を表２に示した。
【００１４】
【表３】
【００１５】
【発明の効果】本発明では、酸素を異原子とする複素環
式化合物と安定化剤としてのスルファミン酸またはその
塩を使用するのでアルカリ可溶型レジストフィルム剥離
に悪影響を与えず、スプレー方式でも錫及び錫合金の腐
食抑制効果が高く、かつ持続性に優れた添加剤である。
更に窒素を異原子とする複素環式化合物を使用すること
により更に効果を高めることができる。
式化合物と安定化剤としてのスルファミン酸またはその
塩を使用するのでアルカリ可溶型レジストフィルム剥離
に悪影響を与えず、スプレー方式でも錫及び錫合金の腐
食抑制効果が高く、かつ持続性に優れた添加剤である。
更に窒素を異原子とする複素環式化合物を使用すること
により更に効果を高めることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (56)参考文献 特開 昭64−24254（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−42653（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−45894（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−216242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−81949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−50838（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−207465（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−197279（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−285082（ＪＰ，Ａ) 特表 平１−502059（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−504204（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/42 H01L 21/027 C23F 11/12 C23F 11/14 C23F 11/16 C23F 1/00 C09D 9/00
Claims (6)
- 【請求項１】 アルカリ金属水酸化物の水溶液に、酸素
を異原子とする複素環式化合物及びスルファミン酸又は
その塩から成る錫及び錫合金の腐食抑制剤を含有するこ
とを特徴とするレジスト剥離液。 - 【請求項２】 窒素を異原子とする複素環式化合物を更
に含有することを特徴とする請求項１のレジスト剥離
液。 - 【請求項３】 酸素を異原子とする複素環式化合物はラ
クトン及びそれらの誘導体、ピロン及びそれらの誘導体
より選択される請求項１又は２に記載のレジスト剥離
液。 - 【請求項４】 窒素を異原子とする複素環式化合物は２
−ピロリドン、インドール、インドリン、インダゾー
ル、イミダゾリジン、ベンゾイミダゾール、２−ベンゾ
イミダゾリノン、ベンゾトリアゾール、プリン、及びそ
れらの誘導体から選択される請求項１又は２に記載のレ
ジスト剥離液。 - 【請求項５】 アルカリ金属水酸化物を１０〜６０ｇ／
ｌ、酸素を異原子とする複素環式化合物を０．０１〜４
０ｇ／ｌ、スルファミン酸及びその塩を０．０５〜４０
ｇ／ｌ含有する請求項１ないし４のいずれかに記載のレ
ジスト剥離液。 - 【請求項６】 窒素を異原子とする複素環式化合物を
０．０１〜４０ｇ／ｌ含有する請求項２ないし５のいず
れかに記載のレジスト剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5830394A JP3316078B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | レジスト剥離液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5830394A JP3316078B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | レジスト剥離液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244386A JPH07244386A (ja) | 1995-09-19 |
| JP3316078B2 true JP3316078B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=13080467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5830394A Expired - Fee Related JP3316078B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | レジスト剥離液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3316078B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
| US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| JP2000001799A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-07 | Teikoku Micro Kk | 金型の電解洗浄用組成物および該電解洗浄用組成物を用いた金型洗浄装置 |
| US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US6992050B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-01-31 | Nec Corporation | Stripping agent composition and method of stripping |
| JP4692799B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2011-06-01 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト剥離用組成物 |
| KR100733197B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
| JP2004133384A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-04-30 | Sony Corp | レジスト用剥離剤組成物及び半導体装置の製造方法 |
| JP4740754B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-08-03 | 株式会社大和化成研究所 | 変色防止剤組成物 |
| JP4692497B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2011-06-01 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP5830394A patent/JP3316078B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07244386A (ja) | 1995-09-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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