JPH09176524A - 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 - Google Patents
水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法Info
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- JPH09176524A JPH09176524A JP7350022A JP35002295A JPH09176524A JP H09176524 A JPH09176524 A JP H09176524A JP 7350022 A JP7350022 A JP 7350022A JP 35002295 A JP35002295 A JP 35002295A JP H09176524 A JPH09176524 A JP H09176524A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
- C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＱＦＰ等のリードが狭ピッチの部品を実装する
プリント回路基板のはんだプリコート層が浸食されない
水溶性プリフラックス、その膜を形成したプリント回路
基板、その回路の金属の表面処理方法を提供すること。 【構成】官能基置換ベンズイミダゾール系化合物の可溶
化剤としてアミノ酸等を用いた水溶性プリフラックス。
その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金属の
表面処理方法。 【効果】 上記目的を達成できる。
プリント回路基板のはんだプリコート層が浸食されない
水溶性プリフラックス、その膜を形成したプリント回路
基板、その回路の金属の表面処理方法を提供すること。 【構成】官能基置換ベンズイミダゾール系化合物の可溶
化剤としてアミノ酸等を用いた水溶性プリフラックス。
その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金属の
表面処理方法。 【効果】 上記目的を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にプリコートはんだ
層を浸食しないベンズイミダゾール系化合物の水溶性塩
を含有する水溶性プリフラックス、その膜を形成したプ
リント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理
方法に関する。
層を浸食しないベンズイミダゾール系化合物の水溶性塩
を含有する水溶性プリフラックス、その膜を形成したプ
リント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板は、例えば銅張積層基
板に回路配線のパターンを形成したものであって、その
上に電子部品を搭載して一つの回路ユニットを形成でき
るようにしたものである。このようなプリント回路基板
には、その表面に回路配線を形成した回路パターンを有
し、その回路パターンに電子部品を搭載する表面実装型
のものが多く用いられているが、その電子部品には両端
に電極を有するチップ型のものと、例えばＱＦＰ等のＩ
Ｃパッケージのように多数のリードを水平方向に設けた
表面実装型のものがあり、特に後者については半導体デ
バイスの著しい技術進歩により、殊に近年ＩＣパッケー
ジの多ピン化、狭ピッチ化が著しく、すでに０．３ｍｍ
ピッチ以下の狭ピッチ部品が出現しており、プリント基
板に対するその実装方法が検討されている。その場合、
その部品の狭ピッチのリードに対応してプリント回路基
板の回路パターンにもはんだ付けランドとして狭ピッチ
パッドを設け、各対応するリードとパッドをはんだ付け
する必要があるが、これをプリント回路基板の通常のは
んだ付けランドにはんだペーストを塗布し、これを溶融
してはんだ付けを行なう、通常の電極型のチップ部品の
はんだ付けのように、いわゆるリフローはんだ付けを行
なおうとすると、狭ピッチのパッドにはんだぺーストを
スクリーン印刷することになるが、そのピッチが狭すぎ
るため、印刷ずれやにじみが生じることがあり、パッド
間にもはんだペースト膜がはみ出てパッド間を結ぶはん
だペースト膜ができ、そのままにして狭ピッチのリード
をはんだ付けするとパッド間にいわゆるはんだブリッジ
が生じ、回路を短絡することになり、不良品となる。こ
れは、はんだペースト印刷膜の膜厚が薄すぎることによ
り生じるはんだかすれによりはんだ付け強度不足を生じ
ることともに、実装歩留まりを悪くするので、一般のチ
ップ部品をプリント基板にはんだ付けするときに使用す
るリフローはんだ付け方法は適用困難である。
板に回路配線のパターンを形成したものであって、その
上に電子部品を搭載して一つの回路ユニットを形成でき
るようにしたものである。このようなプリント回路基板
には、その表面に回路配線を形成した回路パターンを有
し、その回路パターンに電子部品を搭載する表面実装型
のものが多く用いられているが、その電子部品には両端
に電極を有するチップ型のものと、例えばＱＦＰ等のＩ
Ｃパッケージのように多数のリードを水平方向に設けた
表面実装型のものがあり、特に後者については半導体デ
バイスの著しい技術進歩により、殊に近年ＩＣパッケー
ジの多ピン化、狭ピッチ化が著しく、すでに０．３ｍｍ
ピッチ以下の狭ピッチ部品が出現しており、プリント基
板に対するその実装方法が検討されている。その場合、
その部品の狭ピッチのリードに対応してプリント回路基
板の回路パターンにもはんだ付けランドとして狭ピッチ
パッドを設け、各対応するリードとパッドをはんだ付け
する必要があるが、これをプリント回路基板の通常のは
んだ付けランドにはんだペーストを塗布し、これを溶融
してはんだ付けを行なう、通常の電極型のチップ部品の
はんだ付けのように、いわゆるリフローはんだ付けを行
なおうとすると、狭ピッチのパッドにはんだぺーストを
スクリーン印刷することになるが、そのピッチが狭すぎ
るため、印刷ずれやにじみが生じることがあり、パッド
間にもはんだペースト膜がはみ出てパッド間を結ぶはん
だペースト膜ができ、そのままにして狭ピッチのリード
をはんだ付けするとパッド間にいわゆるはんだブリッジ
が生じ、回路を短絡することになり、不良品となる。こ
れは、はんだペースト印刷膜の膜厚が薄すぎることによ
り生じるはんだかすれによりはんだ付け強度不足を生じ
ることともに、実装歩留まりを悪くするので、一般のチ
ップ部品をプリント基板にはんだ付けするときに使用す
るリフローはんだ付け方法は適用困難である。
【０００３】そのはんだブリッジ等の発生を避けるた
め、予め狭ピッチパッドにはんだ層を形成する、いわゆ
るはんだプリコート法により、一般に０．２５ｍｍ〜
０．３ｍｍピッチのＱＦＰやＴＣＰ等を実装する場合、
約２０μｍの膜厚のはんだプリコートを行ない、後に他
のチップ部品を所定の位置にはんだ付けするときに、こ
れらの部品と同様にその部品のリードをプリコートのは
んだ層に接触させ、加熱することにより他の部品ととも
にリフローはんだ付けをすることが行われている。その
際、一般に狭ピッチパッドにはんだプリコート層を形成
するときにははんだが溶融する約２３０℃に加熱される
こと、生産計画の都合上その狭ピッチの部品が他のチッ
プ部品とともにはんだ付けされるまでには長時間放置さ
れることもあること、さらにははんだプリコート層上に
ははんだペーストに含有されているフラックス成分の残
さがあるため、これを水性洗浄剤（水、界面活性剤、有
機洋裁類等）で洗浄を行なう際等にはんだプリコート層
が形成されていない、通常の電極型チップ部品をはんだ
付けするためのはんだ付けランドの銅箔が酸化され、ポ
ストフラックス塗布後にその部品をリフローはんだ付け
するときに溶融はんだの濡れ性が低下し、所定のはんだ
付け強度等のはんだ付け性能が得られなくなる。そこ
で、露出しているはんだ付けランドの銅箔には、防錆処
理をほどこすことが行われており、これには特開平５−
２５４０７号公報、特開平５−１８６８８８号公報に記
載されているようにベンズイミダゾール系化合物を含有
する水溶性のプリント配線板用表面保護剤を水溶性プリ
フラックスとして用いることが知られており、これによ
ればその水溶性のプリント配線板用表面保護剤に、銅箔
の回路パターンが表面に形成されているプリント基板を
浸漬することにより、プリント回路基板の回路パターン
の銅及び合金表面が耐熱性並びに高湿度下に曝された後
でも非常に良好な被膜を形成し、プリント回路基板の保
護並びに部品実装時のはんだ付け性に極めて優れてお
り、ロジン等を含有するプリフラックスのようにその塗
布膜が銅箔以外にも形成され、部品実装後その洗浄をし
なければ回路の高い信頼性が得られないことがある場合
に比べ、その必要がないことから生産性、性能等の点で
優れ、今後の主流になりつつある。
め、予め狭ピッチパッドにはんだ層を形成する、いわゆ
るはんだプリコート法により、一般に０．２５ｍｍ〜
０．３ｍｍピッチのＱＦＰやＴＣＰ等を実装する場合、
約２０μｍの膜厚のはんだプリコートを行ない、後に他
のチップ部品を所定の位置にはんだ付けするときに、こ
れらの部品と同様にその部品のリードをプリコートのは
んだ層に接触させ、加熱することにより他の部品ととも
にリフローはんだ付けをすることが行われている。その
際、一般に狭ピッチパッドにはんだプリコート層を形成
するときにははんだが溶融する約２３０℃に加熱される
こと、生産計画の都合上その狭ピッチの部品が他のチッ
プ部品とともにはんだ付けされるまでには長時間放置さ
れることもあること、さらにははんだプリコート層上に
ははんだペーストに含有されているフラックス成分の残
さがあるため、これを水性洗浄剤（水、界面活性剤、有
機洋裁類等）で洗浄を行なう際等にはんだプリコート層
が形成されていない、通常の電極型チップ部品をはんだ
付けするためのはんだ付けランドの銅箔が酸化され、ポ
ストフラックス塗布後にその部品をリフローはんだ付け
するときに溶融はんだの濡れ性が低下し、所定のはんだ
付け強度等のはんだ付け性能が得られなくなる。そこ
で、露出しているはんだ付けランドの銅箔には、防錆処
理をほどこすことが行われており、これには特開平５−
２５４０７号公報、特開平５−１８６８８８号公報に記
載されているようにベンズイミダゾール系化合物を含有
する水溶性のプリント配線板用表面保護剤を水溶性プリ
フラックスとして用いることが知られており、これによ
ればその水溶性のプリント配線板用表面保護剤に、銅箔
の回路パターンが表面に形成されているプリント基板を
浸漬することにより、プリント回路基板の回路パターン
の銅及び合金表面が耐熱性並びに高湿度下に曝された後
でも非常に良好な被膜を形成し、プリント回路基板の保
護並びに部品実装時のはんだ付け性に極めて優れてお
り、ロジン等を含有するプリフラックスのようにその塗
布膜が銅箔以外にも形成され、部品実装後その洗浄をし
なければ回路の高い信頼性が得られないことがある場合
に比べ、その必要がないことから生産性、性能等の点で
優れ、今後の主流になりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのプ
リント配線板用表面保護剤の主成分であるベンズイミダ
ゾール系化合物は一般には水には不溶性であるので、そ
の水溶性塩を形成する可溶化剤として塩酸、リン酸等の
無機酸又は酢酸、シュウ酸、バラトルエンスルホン酸等
の有機酸を使用して可溶化しているため、これらの可溶
化剤の酸がはんだの特に酸に弱い鉛を浸食し、その膜厚
を薄くしたり、その表面を酸化したりすることにより、
部品実装時にリードの所定のはんだ付け強度が得られな
くなることがあり、はんだ付け不良を起こして実装歩留
まりを悪くするという問題がある。
リント配線板用表面保護剤の主成分であるベンズイミダ
ゾール系化合物は一般には水には不溶性であるので、そ
の水溶性塩を形成する可溶化剤として塩酸、リン酸等の
無機酸又は酢酸、シュウ酸、バラトルエンスルホン酸等
の有機酸を使用して可溶化しているため、これらの可溶
化剤の酸がはんだの特に酸に弱い鉛を浸食し、その膜厚
を薄くしたり、その表面を酸化したりすることにより、
部品実装時にリードの所定のはんだ付け強度が得られな
くなることがあり、はんだ付け不良を起こして実装歩留
まりを悪くするという問題がある。
【０００５】本発明の第１の目的は、回路パターンには
んだプリコートのパッドを有するプリント回路基板のそ
のパッド以外の回路パターンの金属が防錆処理されかつ
そのはんだプリコート層の浸食がないようにできる水溶
性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路
基板の製造方法を提供することにある。本発明の第２の
目的は、従来のベンズイミダゾール系化合物を用いた水
溶性プリフラックと同様な製造方法、使用方法が適用で
きる水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリ
ント回路基板の製造方法を提供することにある。本発明
の第３の目的は、狭ピッチのリードを有する部品でもは
んだ付け性を害さず、しかも他のチップ部品のはんだ付
け性を害さず、実装歩留まりのよい水溶性プリフラック
ス、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法
を提供することにある。本発明の第４の目的は、各使用
成分が温度変化により安定性を失うようなことがなく、
揮発性の酸による作業環境が悪化するようなことがない
水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント
回路基板の製造方法を提供することにある。本発明の第
５の目的は、プリント回路基板の回路パターンの銅及び
合金表面が耐熱性並びに高湿度下に曝された後でも非常
に良好な被膜を形成し、プリント回路基板の保護並びに
部品実装時のはんだ付け性に極めて優れる水溶性プリフ
ラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の製
造方法を提供することにある。
んだプリコートのパッドを有するプリント回路基板のそ
のパッド以外の回路パターンの金属が防錆処理されかつ
そのはんだプリコート層の浸食がないようにできる水溶
性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路
基板の製造方法を提供することにある。本発明の第２の
目的は、従来のベンズイミダゾール系化合物を用いた水
溶性プリフラックと同様な製造方法、使用方法が適用で
きる水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリ
ント回路基板の製造方法を提供することにある。本発明
の第３の目的は、狭ピッチのリードを有する部品でもは
んだ付け性を害さず、しかも他のチップ部品のはんだ付
け性を害さず、実装歩留まりのよい水溶性プリフラック
ス、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法
を提供することにある。本発明の第４の目的は、各使用
成分が温度変化により安定性を失うようなことがなく、
揮発性の酸による作業環境が悪化するようなことがない
水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント
回路基板の製造方法を提供することにある。本発明の第
５の目的は、プリント回路基板の回路パターンの銅及び
合金表面が耐熱性並びに高湿度下に曝された後でも非常
に良好な被膜を形成し、プリント回路基板の保護並びに
部品実装時のはんだ付け性に極めて優れる水溶性プリフ
ラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の製
造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）、下記一般式〔化１〕及び〔化
２〕で表される化合物からなる群の少なくとも１つの化
合物と、その水溶性塩を形成可能の第１級アミノ基、第
２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原子を含む環を
持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸性基を有する
化合物からなる可溶化剤を含有する水溶性プリフラック
スを提供するものである。
決するために、（１）、下記一般式〔化１〕及び〔化
２〕で表される化合物からなる群の少なくとも１つの化
合物と、その水溶性塩を形成可能の第１級アミノ基、第
２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原子を含む環を
持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸性基を有する
化合物からなる可溶化剤を含有する水溶性プリフラック
スを提供するものである。
【化１】（式中、Ｘ1 は同一又は異なりてハロゲン原
子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ
基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾ
イル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル
基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、Ｙ1 は
炭素数１〜２０個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは
０〜４の整数を表す。）
子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ
基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾ
イル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル
基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、Ｙ1 は
炭素数１〜２０個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは
０〜４の整数を表す。）
【化２】（式中、Ｘ2 、Ｙ2 はそれぞれ同一又は異なり
て炭素数１〜７個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロ
ゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロ
キシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベ
ンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシ
ル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、ｎ、
ｐはそれぞれ０〜４の整数、ｍは１〜１０の整数を表
す。） また、本発明は、（２）、可溶化剤が下記一般式〔化
３〕〜〔化８〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピロ
グルタミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉
酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプト
ファン、Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれ
らの誘導体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物で
ある上記（１）の水溶性プリフラックスを提供するもの
である。
て炭素数１〜７個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロ
ゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロ
キシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベ
ンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシ
ル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、ｎ、
ｐはそれぞれ０〜４の整数、ｍは１〜１０の整数を表
す。） また、本発明は、（２）、可溶化剤が下記一般式〔化
３〕〜〔化８〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピロ
グルタミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉
酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプト
ファン、Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれ
らの誘導体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物で
ある上記（１）の水溶性プリフラックスを提供するもの
である。
【化３】（式中、Ｒ1 は同一又は異なりて炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ2 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍ
は１〜５を表す。）
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ2 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍ
は１〜５を表す。）
【化４】（式中、Ｒ3 は同一又は異なりて炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ4 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍ
は１〜５を表す。）
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ4 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍ
は１〜５を表す。）
【化５】（式中、Ｒ5 は同一又は異なりて炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ6 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍ
は１〜４を表す。）
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ6 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍ
は１〜４を表す。）
【化６】（式中、Ｒ7 は同一又は異なりて炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ8 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍ
は１〜４を表す。）
０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ8 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍ
は１〜４を表す。）
【化７】（式中、Ｒ9 は同一又は異なりて水素原子又は
炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ
基、アセチル基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホル
ミル基又はニトロ基を表し、Ｒ10は同一又は異なりて炭
素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎ
は０〜２、ｍは１〜３を表す。）
炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン
原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ
基、アセチル基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホル
ミル基又はニトロ基を表し、Ｒ10は同一又は異なりて炭
素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎ
は０〜２、ｍは１〜３を表す。）
【化８】（式中、Ｒ11、Ｒ12はそれぞれ同一又は異なり
て水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキ
ル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシ
ル基、シアノ基、アセチル基、ペンゾイル基、カルバモ
イル基、ホルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ13、Ｒ14は
それぞれ同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又は分
岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜２、ｍは０〜２、ｐ
は０〜 、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。） また、本発明は、（３）、可溶化剤として揮発性の酸を
含有しない上記（１）又は（２）の水溶性プリフラック
ス、（４）、揮発性の酸は有機酸及び無機酸の少なくと
も１種であり、有機酸はギ酸及び酢酸の少なくとも１種
であり、無機酸は塩酸である上記（３）の水溶性プリフ
ラックス、（５）、表面に回路パターンの金属層を有す
るプリント回路基板において、該金属層に上記（１）な
いし（４）のいずれかの水溶性プリフラックスの膜を有
するプリント回路基板、（６）、回路パターンの金属層
はプリコートのはんだ層を有する上記（５）のプリント
回路基板、（７）、上記（１）ないし（４）のいずれか
の水溶性プリフラックスを塗布する工程を有することに
よりプリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆処
理を行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法、
（８）、回路パターンの金属層はプリコートのはんだ層
を有し、水溶性プリフラックスを塗布する工程は該プリ
コートのはんだ層を形成後行なう上記（７）のプリント
回路基板の金属の表面処理方法、（９）、回路パターン
の金属層は０．３ｍｍより小さい狭ピッチパッドを有
し、該狭ピッチパッドにプリコートのはんだ層が形成さ
れている上記（８）のプリント回路基板の金属の表面処
理方法、（１０）、回路パターンの防錆処理は常温で行
われる上記（７）ないし（９）のいずれかのプリント回
路基板の金属の表面処理方法を提供するものである。
て水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキ
ル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシ
ル基、シアノ基、アセチル基、ペンゾイル基、カルバモ
イル基、ホルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ13、Ｒ14は
それぞれ同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又は分
岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜２、ｍは０〜２、ｐ
は０〜 、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。） また、本発明は、（３）、可溶化剤として揮発性の酸を
含有しない上記（１）又は（２）の水溶性プリフラック
ス、（４）、揮発性の酸は有機酸及び無機酸の少なくと
も１種であり、有機酸はギ酸及び酢酸の少なくとも１種
であり、無機酸は塩酸である上記（３）の水溶性プリフ
ラックス、（５）、表面に回路パターンの金属層を有す
るプリント回路基板において、該金属層に上記（１）な
いし（４）のいずれかの水溶性プリフラックスの膜を有
するプリント回路基板、（６）、回路パターンの金属層
はプリコートのはんだ層を有する上記（５）のプリント
回路基板、（７）、上記（１）ないし（４）のいずれか
の水溶性プリフラックスを塗布する工程を有することに
よりプリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆処
理を行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法、
（８）、回路パターンの金属層はプリコートのはんだ層
を有し、水溶性プリフラックスを塗布する工程は該プリ
コートのはんだ層を形成後行なう上記（７）のプリント
回路基板の金属の表面処理方法、（９）、回路パターン
の金属層は０．３ｍｍより小さい狭ピッチパッドを有
し、該狭ピッチパッドにプリコートのはんだ層が形成さ
れている上記（８）のプリント回路基板の金属の表面処
理方法、（１０）、回路パターンの防錆処理は常温で行
われる上記（７）ないし（９）のいずれかのプリント回
路基板の金属の表面処理方法を提供するものである。
【０００７】上記一般式〔化１〕に属する具体的化合物
としては、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘキシルベンズ
イミダゾール、６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシルベ
ンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ｎ−エイコサ
ベンズイミダゾール、４，７−ジシアノ−２−ｎ−オク
チルベンズイミダゾール、６−ニトロ−２−エチルベン
ズイミダゾール、６−エトキシ−２−イソプロピルベン
ズイミダゾール、６−アミノ−２−イソオクチルベンズ
イミダゾール、４，６−ジアセチル−２−イソブチルベ
ンズイミダゾール、４−ベンゾイル−６−カルバモイル
−２−ｎ−プロピルベンズイミダゾール、４，７−ジメ
トキシカルボニル−２−ｎ−エイコサベンズイミダゾー
ル、６−メトキシカルボニル−２−イソプロピルベンズ
イミダゾール、４，５−ジメチル−７−アセチル−２−
ヘキシルベンズイミダゾール、４−クロロ−６−ｎ−ヘ
プチル−７−メトキシ−２−エチルベンズイミダゾー
ル、４，６−ジフルオロ−５−ホルミル−２−ｎ−ノニ
ルベンズイミダゾール、６−カルバモイル−４，７−ジ
エトキシ−２−イソブチルベンズイミダゾール等及びこ
れらの塩が挙げられる。上記〔化１〕に属する最も好ま
しい化合物としては後述の実施例に記載されたものが挙
げられる。
としては、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘキシルベンズ
イミダゾール、６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシルベ
ンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ｎ−エイコサ
ベンズイミダゾール、４，７−ジシアノ−２−ｎ−オク
チルベンズイミダゾール、６−ニトロ−２−エチルベン
ズイミダゾール、６−エトキシ−２−イソプロピルベン
ズイミダゾール、６−アミノ−２−イソオクチルベンズ
イミダゾール、４，６−ジアセチル−２−イソブチルベ
ンズイミダゾール、４−ベンゾイル−６−カルバモイル
−２−ｎ−プロピルベンズイミダゾール、４，７−ジメ
トキシカルボニル−２−ｎ−エイコサベンズイミダゾー
ル、６−メトキシカルボニル−２−イソプロピルベンズ
イミダゾール、４，５−ジメチル−７−アセチル−２−
ヘキシルベンズイミダゾール、４−クロロ−６−ｎ−ヘ
プチル−７−メトキシ−２−エチルベンズイミダゾー
ル、４，６−ジフルオロ−５−ホルミル−２−ｎ−ノニ
ルベンズイミダゾール、６−カルバモイル−４，７−ジ
エトキシ−２−イソブチルベンズイミダゾール等及びこ
れらの塩が挙げられる。上記〔化１〕に属する最も好ま
しい化合物としては後述の実施例に記載されたものが挙
げられる。
【０００８】本発明において、上記一般式〔化２〕に属
する具体的化合物としては、４−クロロ−２−（３−フ
ェニルプロピル）ベンズイミダゾール、６−ジメチルア
ミノ−２−（９−フェニルノニル）ベンズイミダゾー
ル、６−ヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダゾー
ル、４，７−ジヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダ
ゾール、４−シアノ−２−（６−フェニルヘキシル）ベ
ンズイミダゾール、５，６−ジニトロ−２−ベンジルベ
ンズイミダゾール、４，７−ジエトキシ−２−（２−フ
ェニルエチル）ベンズイミダゾール、６−アミノ−２−
（４−フェニルブチル）ベンズイミダゾール、６−アセ
チル−２−ベンジルベンズイミダゾール、４−ベンゾイ
ル−２−（５−フェニルペンチル）ベンズイミダゾー
ル、６−カルバモイル−２−（７−フェニルヘプチル）
ベンズイミダゾール、６−エトキシカルボニル−２−ベ
ンジルベンズイミダゾール、４，５，６−トリメトキシ
−２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、
５，６−ジメチル−７−ベンゾイル−２−（３−フェニ
ルプロピル）ベンズイミダゾール、４，５−ジクロロ−
６−ｎ−ブチル−２−（９−フェニルノニル）ベンズイ
ミダゾール、４−フルオロ−６−ホルミル−２−ベンジ
ルベンズイミダゾール、６−カルバモイル−５−エトキ
シ−２−（１０−フェニルデシル）ベンズイミダゾー
ル、５，６−ジメチル−２−｛（４−メトキシフェニ
ル）ブチル｝ベンズイミダゾール、６−クロロ−２−
｛（２−ニトロフェニル）エチル｝ベンズイミダゾー
ル、６−カルボエトキシ−２−（３−ブロモベンジル）
ベンズイミダゾール、４−ヒドロキシ−２−｛（４−シ
アノフェニル）プロピル｝ベンズイミダゾール、６−ジ
メチルアミノ−２−｛（４−ホルミルフェニル）プロピ
ル｝ベンズイミダゾール、６−ベンゾイル−２−｛（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチル｝ベンズイミダゾ
ール、２−｛（２−アセチルフェニル）ペンチル｝ベン
ズイミダゾール、６−カルバモイル−２−｛（２，４−
ジヒドロキシフェニル）エチル｝ベンズイミダゾール等
及びこれらの塩が挙げられる。上記〔化２〕に属する最
も好ましい化合物としては後述の実施例に記載されたも
のが挙げられる。
する具体的化合物としては、４−クロロ−２−（３−フ
ェニルプロピル）ベンズイミダゾール、６−ジメチルア
ミノ−２−（９−フェニルノニル）ベンズイミダゾー
ル、６−ヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダゾー
ル、４，７−ジヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダ
ゾール、４−シアノ−２−（６−フェニルヘキシル）ベ
ンズイミダゾール、５，６−ジニトロ−２−ベンジルベ
ンズイミダゾール、４，７−ジエトキシ−２−（２−フ
ェニルエチル）ベンズイミダゾール、６−アミノ−２−
（４−フェニルブチル）ベンズイミダゾール、６−アセ
チル−２−ベンジルベンズイミダゾール、４−ベンゾイ
ル−２−（５−フェニルペンチル）ベンズイミダゾー
ル、６−カルバモイル−２−（７−フェニルヘプチル）
ベンズイミダゾール、６−エトキシカルボニル−２−ベ
ンジルベンズイミダゾール、４，５，６−トリメトキシ
−２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダゾール、
５，６−ジメチル−７−ベンゾイル−２−（３−フェニ
ルプロピル）ベンズイミダゾール、４，５−ジクロロ−
６−ｎ−ブチル−２−（９−フェニルノニル）ベンズイ
ミダゾール、４−フルオロ−６−ホルミル−２−ベンジ
ルベンズイミダゾール、６−カルバモイル−５−エトキ
シ−２−（１０−フェニルデシル）ベンズイミダゾー
ル、５，６−ジメチル−２−｛（４−メトキシフェニ
ル）ブチル｝ベンズイミダゾール、６−クロロ−２−
｛（２−ニトロフェニル）エチル｝ベンズイミダゾー
ル、６−カルボエトキシ−２−（３−ブロモベンジル）
ベンズイミダゾール、４−ヒドロキシ−２−｛（４−シ
アノフェニル）プロピル｝ベンズイミダゾール、６−ジ
メチルアミノ−２−｛（４−ホルミルフェニル）プロピ
ル｝ベンズイミダゾール、６−ベンゾイル−２−｛（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチル｝ベンズイミダゾ
ール、２−｛（２−アセチルフェニル）ペンチル｝ベン
ズイミダゾール、６−カルバモイル−２−｛（２，４−
ジヒドロキシフェニル）エチル｝ベンズイミダゾール等
及びこれらの塩が挙げられる。上記〔化２〕に属する最
も好ましい化合物としては後述の実施例に記載されたも
のが挙げられる。
【０００９】本発明の水溶性プリフラックスは、上記の
一般式〔化１〕〜〔化２〕で示される、いわゆるベンズ
イミダゾール系化合物を溶媒に溶解あるいは乳化させた
状態にするのが使用上都合が良い。その溶媒としては水
あるいは水に混ざる溶剤さらにはこれらの混合物が挙げ
られる。その際、ベンズイミダゾール系化合物は、一般
に水に不溶性であるので、可溶化剤として酸を用いる
が、その酸としては、その水溶性塩を形成可能の第１級
アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原
子を含む環を持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸
性基を有する化合物が用いられるが、上記一般式〔３〕
〜〔８〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタ
ミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ
−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、
Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導
体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物であること
が好ましい。上記一般式〔３〕〜〔８〕で表される化合
物の具体的化合物、Ｌ−テアニン等は、それぞれ順に表
１〜表７に示されている。
一般式〔化１〕〜〔化２〕で示される、いわゆるベンズ
イミダゾール系化合物を溶媒に溶解あるいは乳化させた
状態にするのが使用上都合が良い。その溶媒としては水
あるいは水に混ざる溶剤さらにはこれらの混合物が挙げ
られる。その際、ベンズイミダゾール系化合物は、一般
に水に不溶性であるので、可溶化剤として酸を用いる
が、その酸としては、その水溶性塩を形成可能の第１級
アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原
子を含む環を持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸
性基を有する化合物が用いられるが、上記一般式〔３〕
〜〔８〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタ
ミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ
−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、
Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導
体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物であること
が好ましい。上記一般式〔３〕〜〔８〕で表される化合
物の具体的化合物、Ｌ−テアニン等は、それぞれ順に表
１〜表７に示されている。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【表３】
【００１３】
【表４】
【００１４】
【表５】
【００１５】
【表６】
【００１６】
【表７】
【００１７】これら酸は併用することもできる。これら
の酸は水に対して０．０１〜２０％、好ましくは０．１
〜５％添加する。この際、臭気の問題をなくし、作業環
境を悪化させない等の点からは、後述するように常温処
理するとともに、ギ酸、酢酸等の揮発性有機酸、塩酸等
の揮発性無機酸は使用しないことが好ましい。また、水
に混ざる溶剤としては、水に任意に混合する溶剤、水に
溶解性の大きい溶剤が挙げられるが、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アセ
トン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジメチルスルフオキシド、ジメチルホルムアミ
ド等が挙げられ、これらの溶剤は必要に応じて適宜加え
られても良い。本発明の水溶性プリフラックスにおけ
る、本発明に係わる上記ベンズイミダゾール系化合物の
含有量は、０．０５〜３０重量％、好ましくは０．１〜
５重量％が良く、０．０５重量％未満では有効な防錆膜
が形成されず、３０重量％を越えると不溶解分が多くな
り易く、経済的でもない。
の酸は水に対して０．０１〜２０％、好ましくは０．１
〜５％添加する。この際、臭気の問題をなくし、作業環
境を悪化させない等の点からは、後述するように常温処
理するとともに、ギ酸、酢酸等の揮発性有機酸、塩酸等
の揮発性無機酸は使用しないことが好ましい。また、水
に混ざる溶剤としては、水に任意に混合する溶剤、水に
溶解性の大きい溶剤が挙げられるが、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アセ
トン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジメチルスルフオキシド、ジメチルホルムアミ
ド等が挙げられ、これらの溶剤は必要に応じて適宜加え
られても良い。本発明の水溶性プリフラックスにおけ
る、本発明に係わる上記ベンズイミダゾール系化合物の
含有量は、０．０５〜３０重量％、好ましくは０．１〜
５重量％が良く、０．０５重量％未満では有効な防錆膜
が形成されず、３０重量％を越えると不溶解分が多くな
り易く、経済的でもない。
【００１８】本発明の水溶性プリフラックスには、さら
に銅との錯体被膜形成助剤として例えばギ酸銅、塩化第
一銅、塩化第二銅、シュウ酸銅、酢酸銅、水酸化銅、酸
化銅、酸化第一銅、酸化第二銅、炭酸銅、リン酸銅、硫
酸銅、ギ酸マンガン、塩化マンガン、シュウ酸マンガ
ン、硫酸マンガン、リチウム、ベリリウム、カリウム、
マグネシウム、酢酸亜鉛、酢酸鉛、水素化亜鉛、塩化第
一鉄、塩化第二鉄、酸化第一鉄、酸化第二鉄、ヨウ化
銅、臭化第一銅、臭化第二銅等の金属化合物を添加して
も良く、これらは１種又は２種以上用いられる。添加量
は処理液に対して０．０１〜１０％、好ましくは０．１
〜５％である。また、上記金属化合物を使用した金属イ
オンを含有する緩衝液を併用することも好ましく、その
ための代表的塩基としてアンモニア、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、モノエタノールアミン、ジメチルエタノール
アミン、ジエチルエタノールアミン、イソプロピルエタ
ノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が
挙げられる。
に銅との錯体被膜形成助剤として例えばギ酸銅、塩化第
一銅、塩化第二銅、シュウ酸銅、酢酸銅、水酸化銅、酸
化銅、酸化第一銅、酸化第二銅、炭酸銅、リン酸銅、硫
酸銅、ギ酸マンガン、塩化マンガン、シュウ酸マンガ
ン、硫酸マンガン、リチウム、ベリリウム、カリウム、
マグネシウム、酢酸亜鉛、酢酸鉛、水素化亜鉛、塩化第
一鉄、塩化第二鉄、酸化第一鉄、酸化第二鉄、ヨウ化
銅、臭化第一銅、臭化第二銅等の金属化合物を添加して
も良く、これらは１種又は２種以上用いられる。添加量
は処理液に対して０．０１〜１０％、好ましくは０．１
〜５％である。また、上記金属化合物を使用した金属イ
オンを含有する緩衝液を併用することも好ましく、その
ための代表的塩基としてアンモニア、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、モノエタノールアミン、ジメチルエタノール
アミン、ジエチルエタノールアミン、イソプロピルエタ
ノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が
挙げられる。
【００１９】これらのことから、上記一般式〔化１〕及
び〔化２〕で表される化合物からなる群の少なくとも１
つの化合物と、上記一般式〔化３〕〜〔化８〕で表され
る化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミン酸、ピロリジ
ン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ
−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ−フェニルアラ
ニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体の群から選ばれ
る少なくとも１つの化合物からなる可溶化剤と、上記金
属化合物の少なくとも１種（又は上記金属化合物の少な
くとも１種の金属イオンを含有する緩衝液）を含有する
ことも好ましい。本発明の水溶性プリフラックスを塗布
して防錆処理をし、防錆膜を形成するには、処理対象の
基板の銅層の表面を研磨、脱脂、酸洗、水洗する前処理
工程を経た後、その水溶性プリフラックスに０〜１００
℃で数秒から数十分、好ましくは１０〜５０℃、より好
ましくは各成分が温度変化によってもその安定性を失わ
ない点からは常温（２０±５℃）、高くする場合でも３
０℃までで５秒〜１時間、好ましくは１０秒〜１０分間
基板を浸漬する。その処理液は酸性であれば良いが、好
ましくはｐＨ５．０以下である。このようにして本発明
に係わるベンズイミダゾール系化合物は銅層に付着する
が、その付着量は処理温度を高く、処理時間を長くする
程多くなる。超音波を利用すると尚良い。なお、他の塗
布手段、例えば噴霧法、刷毛塗り、ローラー塗り等も使
用できる。このようにして得られた防錆膜は高温、高湿
下でもはんだ付け性が極めて良い
び〔化２〕で表される化合物からなる群の少なくとも１
つの化合物と、上記一般式〔化３〕〜〔化８〕で表され
る化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミン酸、ピロリジ
ン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ
−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ−フェニルアラ
ニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体の群から選ばれ
る少なくとも１つの化合物からなる可溶化剤と、上記金
属化合物の少なくとも１種（又は上記金属化合物の少な
くとも１種の金属イオンを含有する緩衝液）を含有する
ことも好ましい。本発明の水溶性プリフラックスを塗布
して防錆処理をし、防錆膜を形成するには、処理対象の
基板の銅層の表面を研磨、脱脂、酸洗、水洗する前処理
工程を経た後、その水溶性プリフラックスに０〜１００
℃で数秒から数十分、好ましくは１０〜５０℃、より好
ましくは各成分が温度変化によってもその安定性を失わ
ない点からは常温（２０±５℃）、高くする場合でも３
０℃までで５秒〜１時間、好ましくは１０秒〜１０分間
基板を浸漬する。その処理液は酸性であれば良いが、好
ましくはｐＨ５．０以下である。このようにして本発明
に係わるベンズイミダゾール系化合物は銅層に付着する
が、その付着量は処理温度を高く、処理時間を長くする
程多くなる。超音波を利用すると尚良い。なお、他の塗
布手段、例えば噴霧法、刷毛塗り、ローラー塗り等も使
用できる。このようにして得られた防錆膜は高温、高湿
下でもはんだ付け性が極めて良い
【００２０】本発明のプリント回路基板を製造するに
は、例えば次の工程を行う。 銅張積層板からなる基板にＱＦＰ等の狭ピッチ部品
のリードをはんだ付けする狭ピッチパッドと他の電極型
のチップ部品をはんだ付けするはんだ付けランドを有す
る所定の回路配線からなる回路パターンをエッチングに
より形成し、狭ピッチパッドとはんだ付けランド以外を
ソルダーレジスト膜で被覆する工程、その回路パター
ンの銅表面を研磨、脱脂、酸洗（ソフトエッチング）、
水洗する前処理工程、 上記狭ピッチパッドにはんだ
プリコート用はんだペースト（はんだ粉末とフラックス
を含有する）を塗布する工程、 加熱してリフロー法
によりはんだプリコート層を形成する工程、 水性洗
浄剤（水、有機溶剤及、界面活性剤等からなる）でフラ
ックスの残さを洗浄する工程、 他の露出しているは
んだ付けランドの銅面とはんだプリフラックス層を有す
る基板全体に上記〔化１〕〜〔化１０〕で表される少な
くとも１つの化合物を上記〔化３〕〜〔化８〕で表され
る少なくとも１つの化合物で可溶化した上記水溶性プリ
フラックスを塗布、乾燥する工程を少なくとも有する。
このようにすると、水溶性プリフラックスに含有されて
いる上記一般式〔化３〕〜〔化８〕の化合物は酸根を有
しているが、はんだプリフラックス層のはんだを浸食せ
ず、得られたプリフラックス膜は銅面の酸化を防止し、
防錆膜として機能する。このようにして得られたプリン
ト回路基板にはポストフラックスが塗布された後、上記
はんだ付けランドにはソルダーペースト（はんだ粉末と
フラックスを含有する）が塗布され、上記チップ部品及
び上記狭ピッチ部品が所定の箇所に位置付けされて上記
狭ピッチパッドのはんだプリコート層に対する上記狭ピ
ッチ部品のリード、上記はんだ付けランドに対する上記
チップ部品の電極がリフローはんだ付けされる。
は、例えば次の工程を行う。 銅張積層板からなる基板にＱＦＰ等の狭ピッチ部品
のリードをはんだ付けする狭ピッチパッドと他の電極型
のチップ部品をはんだ付けするはんだ付けランドを有す
る所定の回路配線からなる回路パターンをエッチングに
より形成し、狭ピッチパッドとはんだ付けランド以外を
ソルダーレジスト膜で被覆する工程、その回路パター
ンの銅表面を研磨、脱脂、酸洗（ソフトエッチング）、
水洗する前処理工程、 上記狭ピッチパッドにはんだ
プリコート用はんだペースト（はんだ粉末とフラックス
を含有する）を塗布する工程、 加熱してリフロー法
によりはんだプリコート層を形成する工程、 水性洗
浄剤（水、有機溶剤及、界面活性剤等からなる）でフラ
ックスの残さを洗浄する工程、 他の露出しているは
んだ付けランドの銅面とはんだプリフラックス層を有す
る基板全体に上記〔化１〕〜〔化１０〕で表される少な
くとも１つの化合物を上記〔化３〕〜〔化８〕で表され
る少なくとも１つの化合物で可溶化した上記水溶性プリ
フラックスを塗布、乾燥する工程を少なくとも有する。
このようにすると、水溶性プリフラックスに含有されて
いる上記一般式〔化３〕〜〔化８〕の化合物は酸根を有
しているが、はんだプリフラックス層のはんだを浸食せ
ず、得られたプリフラックス膜は銅面の酸化を防止し、
防錆膜として機能する。このようにして得られたプリン
ト回路基板にはポストフラックスが塗布された後、上記
はんだ付けランドにはソルダーペースト（はんだ粉末と
フラックスを含有する）が塗布され、上記チップ部品及
び上記狭ピッチ部品が所定の箇所に位置付けされて上記
狭ピッチパッドのはんだプリコート層に対する上記狭ピ
ッチ部品のリード、上記はんだ付けランドに対する上記
チップ部品の電極がリフローはんだ付けされる。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態を以下の実
施例により説明する。
施例により説明する。
【００２２】
実施例１ ２重量％のニコチン酸水溶液１００ｇに硫酸銅０．１
ｇ、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘキシルベンズイミダ
ゾール１．０ｇを加えて混和し、水溶性プリフラックス
を調製した。この水溶性プリフラックスを用いて、上記
〜等によりプリント回路基板が製造されるが、水溶
性プリフラックスの性能を調べるため、便宜的に次の実
験を行うが、本願発明のプリント回路基板、その製造方
法の主要部はこれに準じて考えられるものである。すな
わち、３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．３ｍｍの銅板にソルダ
ーペースト（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７のはんだ粉末とフ
ラックス（ロジンと活性剤を含有する）からなる）を用
いてはんだプリコート層を形成したはんだメッキ板を試
験片として、脱脂し、表面を清浄にした後、上記水溶性
プリフラックスに２０℃、１分浸漬した。その後水洗、
温風乾燥した試験片の表面をＳＥＭ（電子顕微鏡）観察
により評価した結果を表８に示す。なお、上記銅板を試
験片として、脱脂し、表面を清浄にした後、上記水溶性
プリフラックスに２０℃、１分浸漬し、その後水洗、温
風乾燥したその表面にポストフラックスを塗布し、はん
だ濡れ試験（平衡法）をＪＩＳ−Ｃ−００５３に準拠し
て行い、はんだ拡がり試験をＪＩＳ−Ｚ−３１９７に準
拠して行ったところ、いずれも良好な結果が得られた。
ｇ、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘキシルベンズイミダ
ゾール１．０ｇを加えて混和し、水溶性プリフラックス
を調製した。この水溶性プリフラックスを用いて、上記
〜等によりプリント回路基板が製造されるが、水溶
性プリフラックスの性能を調べるため、便宜的に次の実
験を行うが、本願発明のプリント回路基板、その製造方
法の主要部はこれに準じて考えられるものである。すな
わち、３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．３ｍｍの銅板にソルダ
ーペースト（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７のはんだ粉末とフ
ラックス（ロジンと活性剤を含有する）からなる）を用
いてはんだプリコート層を形成したはんだメッキ板を試
験片として、脱脂し、表面を清浄にした後、上記水溶性
プリフラックスに２０℃、１分浸漬した。その後水洗、
温風乾燥した試験片の表面をＳＥＭ（電子顕微鏡）観察
により評価した結果を表８に示す。なお、上記銅板を試
験片として、脱脂し、表面を清浄にした後、上記水溶性
プリフラックスに２０℃、１分浸漬し、その後水洗、温
風乾燥したその表面にポストフラックスを塗布し、はん
だ濡れ試験（平衡法）をＪＩＳ−Ｃ−００５３に準拠し
て行い、はんだ拡がり試験をＪＩＳ−Ｚ−３１９７に準
拠して行ったところ、いずれも良好な結果が得られた。
【００２３】実施例２ 実施例１において、２重量％のニコチン酸水溶液の代わ
りに２重量％のイミノジ酢酸を用いた以外は同様にして
はんだメッキ板の試験片を試験した結果を表８に示す。
なお、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡
れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であっ
た。
りに２重量％のイミノジ酢酸を用いた以外は同様にして
はんだメッキ板の試験片を試験した結果を表８に示す。
なお、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡
れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であっ
た。
【００２４】実施例３ ２重量％のエチレンジアミン４酢酸水溶液１００ｇに、
６−ヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダゾール１．
０ｇを加えて混和し、水溶性プリフラックスを調製し
た。実施例１において、この水溶性プリフラックスを用
いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験し
た結果を表８に示す。なお、実施例１と同様に銅板の試
験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行っ
た結果も良好であった。
６−ヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダゾール１．
０ｇを加えて混和し、水溶性プリフラックスを調製し
た。実施例１において、この水溶性プリフラックスを用
いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験し
た結果を表８に示す。なお、実施例１と同様に銅板の試
験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行っ
た結果も良好であった。
【００２５】
【表８】
【００２６】実施例４ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれ１．０ｇの代わりに、
６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシルベンズイミダゾー
ル１０ｇを用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試
験片を試験した結果は実施例１、３と同様に良好であっ
た。また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはん
だ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であ
った。この場合は６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシル
ベンズイミダゾールはアミノ基の存在により溶解性が良
く、したがってその濃度を高めることができるので、エ
ッチングレジスト膜の膜厚を厚くすることができる。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれ１．０ｇの代わりに、
６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシルベンズイミダゾー
ル１０ｇを用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試
験片を試験した結果は実施例１、３と同様に良好であっ
た。また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはん
だ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であ
った。この場合は６−ジエチルアミノ−２−ｎ−デシル
ベンズイミダゾールはアミノ基の存在により溶解性が良
く、したがってその濃度を高めることができるので、エ
ッチングレジスト膜の膜厚を厚くすることができる。
【００２７】実施例５ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ヒド
ロキシ−２−ｎ−エイコサベンズイミダゾールを用いた
以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結
果は実施例１、３と同様に良好であった。また、実施例
１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はん
だ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ヒド
ロキシ−２−ｎ−エイコサベンズイミダゾールを用いた
以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結
果は実施例１、３と同様に良好であった。また、実施例
１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はん
だ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００２８】実施例６ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４，７−
ジシアノ−２−ｎ−オクチルベンズイミダゾールを用
い、実施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マンガン
を用い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ用い
た以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した
結果は実施例１、２と同様に良好であった。また、実施
例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、は
んだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４，７−
ジシアノ−２−ｎ−オクチルベンズイミダゾールを用
い、実施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マンガン
を用い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ用い
た以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した
結果は実施例１、２と同様に良好であった。また、実施
例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、は
んだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００２９】実施例７ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ニト
ロ−２−ｎ−エチルベンズイミダゾール１．０ｇを用
い、実施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マンガン
を用い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ用い
た以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した
結果は実施例１、２と同様に良好であった。また、実施
例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、は
んだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ニト
ロ−２−ｎ−エチルベンズイミダゾール１．０ｇを用
い、実施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マンガン
を用い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ用い
た以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した
結果は実施例１、２と同様に良好であった。また、実施
例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、は
んだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００３０】実施例８ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ニト
ロ−２−ｎ−エチルベンズイミダゾールを用いた以外は
同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実
施例１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同
様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡が
り試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ニト
ロ−２−ｎ−エチルベンズイミダゾールを用いた以外は
同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実
施例１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同
様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡が
り試験を行った結果も良好であった。
【００３１】実施例９ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４−クロ
ロ−２−（３−フェニルプロピル）ベンズイミダゾール
を用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、３と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４−クロ
ロ−２−（３−フェニルプロピル）ベンズイミダゾール
を用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、３と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００３２】実施例１０ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれ１．０ｇの代わりに、
６−ジメチルアミノ−２−（９−フェニルノニル）ベン
ズイミダゾール１０ｇを用いた以外は同様にしてはんだ
メッキ板の試験片を試験した結果は実施例１、３と同様
に良好であった。また、実施例１と同様に銅板の試験片
についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結
果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれ１．０ｇの代わりに、
６−ジメチルアミノ−２−（９−フェニルノニル）ベン
ズイミダゾール１０ｇを用いた以外は同様にしてはんだ
メッキ板の試験片を試験した結果は実施例１、３と同様
に良好であった。また、実施例１と同様に銅板の試験片
についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結
果も良好であった。
【００３３】実施例１１ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４，７−
ジヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダゾールを用い
た以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した
結果は実施例１、３と同様に良好であった。また、実施
例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、は
んだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４，７−
ジヒドロキシ−２−ベンジルベンズイミダゾールを用い
た以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した
結果は実施例１、３と同様に良好であった。また、実施
例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、は
んだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００３４】実施例１２ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４−シア
ノ−２−（６−フェニルヘキシル）ベンズイミダゾール
を用い、実施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マン
ガンを用い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ
用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験
した結果は実施例１、３と同様に良好であった。また、
実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試
験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４−シア
ノ−２−（６−フェニルヘキシル）ベンズイミダゾール
を用い、実施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マン
ガンを用い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ
用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験
した結果は実施例１、３と同様に良好であった。また、
実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試
験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００３５】実施例１３ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、５，６−
ジニトロ−２−ベンジルベンズイミダゾールを用い、実
施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マンガンを用
い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ用いた以
外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果
は実施例１、２と同様に良好であった。また、実施例１
と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ
拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、５，６−
ジニトロ−２−ベンジルベンズイミダゾールを用い、実
施例１の場合には硫酸銅の代わりにギ酸マンガンを用
い、実施例３の場合にはギ酸マンガン０．１ｇ用いた以
外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果
は実施例１、２と同様に良好であった。また、実施例１
と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ
拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００３６】実施例１４ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４，７−
ジエトキシ−２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダ
ゾールを用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験
片を試験した結果は実施例１、３と同様に良好であっ
た。また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはん
だ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であ
った。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４，７−
ジエトキシ−２−（２−フェニルエチル）ベンズイミダ
ゾールを用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験
片を試験した結果は実施例１、３と同様に良好であっ
た。また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはん
だ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であ
った。
【００３７】実施例１５ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、５，６−
ジメチル−２−｛（４−メトキシフェニル）ブチル｝ベ
ンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ
用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた
以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結
果は実施例１、３と同様に良好であった。また、実施例
１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はん
だ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、５，６−
ジメチル−２−｛（４−メトキシフェニル）ブチル｝ベ
ンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ
用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた
以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結
果は実施例１、３と同様に良好であった。また、実施例
１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はん
だ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００３８】実施例１６ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−クロ
ロ−２−｛（２−ニトロフェニル）エチル｝ベンズイミ
ダゾールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さ
らに実施例３の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同
様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施
例１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様
に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり
試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−クロ
ロ−２−｛（２−ニトロフェニル）エチル｝ベンズイミ
ダゾールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さ
らに実施例３の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同
様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施
例１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様
に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり
試験を行った結果も良好であった。
【００３９】実施例１７ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−カル
ボエトキシ−２−（３−ブロモベンジル）ベンズイミダ
ゾールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さら
に実施例２の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同様
にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施例
１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様に
銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試
験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−カル
ボエトキシ−２−（３−ブロモベンジル）ベンズイミダ
ゾールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さら
に実施例２の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同様
にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施例
１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様に
銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試
験を行った結果も良好であった。
【００４０】実施例１８ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４−ヒド
ロキシ−２−｛（４−シアノフェニル）プロピル｝ベン
ズイミダゾール（３−ブロモベンジル）ベンズイミダゾ
ールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さらに
実施例２の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同様に
してはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施例
１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様に
銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試
験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、４−ヒド
ロキシ−２−｛（４−シアノフェニル）プロピル｝ベン
ズイミダゾール（３−ブロモベンジル）ベンズイミダゾ
ールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さらに
実施例２の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同様に
してはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施例
１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様に
銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試
験を行った結果も良好であった。
【００４１】実施例１９ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ジメ
チルアミノ−２−｛（４−ホルミルフェニル）プロピ
ル｝ベンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水
０．１ｇ用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１
ｇ用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、３と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ジメ
チルアミノ−２−｛（４−ホルミルフェニル）プロピ
ル｝ベンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水
０．１ｇ用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１
ｇ用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、３と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００４２】実施例２０ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ベン
ゾイル−２−｛（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチ
ル｝ベンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水
０．１ｇ用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１
ｇ用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、２と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−ベン
ゾイル−２−｛（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチ
ル｝ベンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水
０．１ｇ用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１
ｇ用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、２と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００４３】実施例２１ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−カル
バモイル−２−｛（２，４−ジヒドロキシフェニル）エ
チル｝ベンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水
０．１ｇ用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１
ｇ用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、３と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、６−カル
バモイル−２−｛（２，４−ジヒドロキシフェニル）エ
チル｝ベンズイミダゾールを用い、２５％アンモニア水
０．１ｇ用い、さらに実施例３の場合には硫酸銅０．１
ｇ用いた以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１、３と同様に良好であった。ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００４４】実施例２２ 実施例１、３において、５，６−ジクロロ−２−ｎ−ヘ
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、２−
｛（２−アセチルフェニル）ペンチル｝ベンズイミダゾ
ールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さらに
実施例３の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同様に
してはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施例
１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様に
銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試
験を行った結果も良好であった。
キシルベンズイミダゾール、６−ヒドロキシ−２−ベン
ジルベンズイミダゾールそれぞれの代わりに、２−
｛（２−アセチルフェニル）ペンチル｝ベンズイミダゾ
ールを用い、２５％アンモニア水０．１ｇ用い、さらに
実施例３の場合には硫酸銅０．１ｇ用いた以外は同様に
してはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施例
１、３と同様に良好であった。また、実施例１と同様に
銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試
験を行った結果も良好であった。
【００４５】比較例１ 実施例１において、２重量％のニコチン酸水溶液に代え
て２重量％の酢酸水溶液を用いた以外は実施例１と同様
にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果を表８に
示す。なお、実施例１と同様に銅板の試験片については
んだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果は良好で
あった。
て２重量％の酢酸水溶液を用いた以外は実施例１と同様
にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果を表８に
示す。なお、実施例１と同様に銅板の試験片については
んだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果は良好で
あった。
【００４６】比較例２ 実施例１において、２重量％のエチレンジアミン４酢酸
水溶液に代えて２重量％の酒石酸水溶液を用いた以外は
実施例１と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験し
た結果を表８に示す。なお、実施例１と同様に銅板の試
験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行っ
た結果は良好であった。
水溶液に代えて２重量％の酒石酸水溶液を用いた以外は
実施例１と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験し
た結果を表８に示す。なお、実施例１と同様に銅板の試
験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行っ
た結果は良好であった。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、回路パターンにはんだ
プリコートのパッドを有するプリント回路基板のそのパ
ッド以外の回路パターンの金属が防錆処理されかつその
はんだプリコート層の浸食がないようにでき、従来のベ
ンズイミダゾール系化合物を用いた水溶性プリフラック
と同様な製造方法、使用方法が適用でき、しかも常温処
理できることにより各使用成分が温度変化により安定性
を失うようなことがなく、揮発性の酸を使用しなくても
良いため作業環境が悪化するようなことがない。このよ
うにして狭ピッチのリードを有する部品でもはんだ付け
性を害さず、しかも他のチップ部品のはんだ付け性を害
さず、実装歩留まりが良く、そしてプリント回路基板の
回路パターンの銅及び合金表面が耐熱性並びに高湿度下
に曝された後でも非常に良好な被膜を形成し、プリント
回路基板の保護並びに部品実装時のはんだ付け性に極め
て優れる水溶性プリフラックス、プリント回路基板及び
プリント回路基板の製造方法を提供することができる。
プリコートのパッドを有するプリント回路基板のそのパ
ッド以外の回路パターンの金属が防錆処理されかつその
はんだプリコート層の浸食がないようにでき、従来のベ
ンズイミダゾール系化合物を用いた水溶性プリフラック
と同様な製造方法、使用方法が適用でき、しかも常温処
理できることにより各使用成分が温度変化により安定性
を失うようなことがなく、揮発性の酸を使用しなくても
良いため作業環境が悪化するようなことがない。このよ
うにして狭ピッチのリードを有する部品でもはんだ付け
性を害さず、しかも他のチップ部品のはんだ付け性を害
さず、実装歩留まりが良く、そしてプリント回路基板の
回路パターンの銅及び合金表面が耐熱性並びに高湿度下
に曝された後でも非常に良好な被膜を形成し、プリント
回路基板の保護並びに部品実装時のはんだ付け性に極め
て優れる水溶性プリフラックス、プリント回路基板及び
プリント回路基板の製造方法を提供することができる。
【表２】
【表２】
【表７】
【表７】
Claims (10)
- 【請求項１】 下記一般式〔化１〕及び〔化２〕で表さ
れる化合物からなる群の少なくとも１つの化合物と、そ
の水溶性塩を形成可能の第１級アミノ基、第２級アミノ
基、第３級アミノ基及び窒素原子を含む環を持つ複素環
の少なくとも１つを有しかつ酸性基を有する化合物から
なる可溶化剤を含有する水溶性プリフラックス。 【化１】 （式中、Ｘ1 は同一又は異なりてハロゲン原子、アミノ
基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アル
コキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カル
バモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコ
キシカルボニル基又はニトロ基、Ｙ1 は炭素数１〜２０
個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは０〜４の整数を
表す。） 【化２】 （式中、Ｘ2 、Ｙ2 はそれぞれ同一又は異なりて炭素数
１〜７個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原
子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ
基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾ
イル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル
基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、ｎ、ｐ
はそれぞれ０〜４の整数、ｍは１〜１０の整数を表
す。） - 【請求項２】 可溶化剤が下記一般式〔化３〕〜〔化
８〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミン
酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−ト
レオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ−
フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体の
群から選ばれる少なくとも１つの化合物である請求項１
記載の水溶性プリフラックス。 【化３】 （式中、Ｒ1 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ペン
ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
表し、Ｒ2 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍは１〜５
を表す。） 【化４】 （式中、Ｒ3 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ペン
ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
表し、Ｒ4 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍは１〜５
を表す。） 【化５】 （式中、Ｒ5 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ペン
ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
表し、Ｒ6 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍは１〜４
を表す。） 【化６】 （式中、Ｒ7 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ペン
ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
表し、Ｒ8 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍは１〜４
を表す。） 【化７】 （式中、Ｒ9 は同一又は異なりて水素原子又は炭素数１
〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒ
ドロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチ
ル基、ペンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又は
ニトロ基を表し、Ｒ10は同一又は異なりて炭素数１〜２
０の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜２、
ｍは１〜３を表す。） 【化８】 （式中、Ｒ11、Ｒ12はそれぞれ同一又は異なりて水素原
子又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シ
アノ基、アセチル基、ペンゾイル基、カルバモイル基、
ホルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ13、Ｒ14はそれぞれ
同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアル
キレン基を表し、ｎは０〜２、ｍは０〜２、ｐは０〜
、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。） - 【請求項３】 可溶化剤として揮発性の酸を含有しない
請求項１又は２に記載の水溶性プリフラックス。 - 【請求項４】 揮発性の酸は有機酸及び無機酸の少なく
とも１種であり、有機酸はギ酸及び酢酸の少なくとも１
種であり、無機酸は塩酸である請求項３に記載の水溶性
プリフラックス。 - 【請求項５】 表面に回路パターンの金属層を有するプ
リント回路基板において、該金属層に請求項１ないし４
のいずれかに記載の水溶性プリフラックスの膜を有する
プリント回路基板。 - 【請求項６】 回路パターンの金属層はプリコートのは
んだ層を有する請求項５に記載のプリント回路基板。 - 【請求項７】 請求項１ないし４のいずれかに記載の水
溶性プリフラックスを塗布する工程を有することにより
プリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆処理を
行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法。 - 【請求項８】 回路パターンの金属層はプリコートのは
んだ層を有し、水溶性プリフラックスを塗布する工程は
該プリコートのはんだ層を形成後行なう請求項７に記載
のプリント回路基板の金属の表面処理方法。 - 【請求項９】 回路パターンの金属層は０．３ｍｍより
小さい狭ピッチパッドを有し、該狭ピッチパッドにプリ
コートのはんだ層が形成されている請求項８に記載のプ
リント回路基板の金属の表面処理方法。 - 【請求項１０】 回路パターンの防錆処理は常温で行わ
れる請求項７ないし９のいずれかに記載のプリント回路
基板の金属の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350022A JPH09176524A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350022A JPH09176524A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176524A true JPH09176524A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18407713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7350022A Pending JPH09176524A (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09176524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126551A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Shikoku Chemicals Corporation | 水溶性プレフラックス及びその利用 |
| US8629147B2 (en) * | 2005-11-03 | 2014-01-14 | Chembridge Corporation | Heterocyclic compounds useful in the treatment of neoplastic diseases, inflammatory disorders and immunomodulatory disorders |
| JP2014140893A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-08-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | プリフラックスおよび方法 |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP7350022A patent/JPH09176524A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126551A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Shikoku Chemicals Corporation | 水溶性プレフラックス及びその利用 |
| US7754105B2 (en) | 2005-05-24 | 2010-07-13 | Shikoku Chemicals Corporation | Water-soluble preflux and usage of the same |
| US8629147B2 (en) * | 2005-11-03 | 2014-01-14 | Chembridge Corporation | Heterocyclic compounds useful in the treatment of neoplastic diseases, inflammatory disorders and immunomodulatory disorders |
| JP2014140893A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-08-07 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | プリフラックスおよび方法 |
| US8961678B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-02-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organic solderability preservative and method |
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